KR100715565B1 - method of manufacturing susceptor for apparatus for making semiconductor and LCD panel - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공챔버내에서 웨이퍼(wafer) 또는 유리기판(glass) 등의 피처리물을 처리하기 위하여 이들을 지지 및 가열하는 서셉터(susceptor)의 제조방법에 관한 것으로서, 모재상에 설치홈을 형성하는 단계와, 설치홈에 히터를 배열하는 단계와, 히터의 상부에 커버를 끼워맞춤하는 단계와, 커버와 모재의 경계에 용가제를 배치고정하는 단계와, 용가제를 녹여 모재와 커버를 접합하는 단계로 이루어진 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법을 제공함으로써 제조원가를 절감할 수 있고, 나아가서 용접 시간을 단축하여 생산성을 향상시키고, 용접비드를 균일화하여 히터의 안정성을 높일 수 있는 효과를 갖는다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a susceptor for supporting and heating a processed object such as a wafer or a glass substrate in a vacuum chamber, wherein an installation groove is formed on a base material. And arranging the heater in the mounting groove, fitting the cover to the upper part of the heater, arranging and fixing the solvent at the boundary between the cover and the base metal, and melting the solvent to bond the base material and the cover. By providing the manufacturing method of the susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment consisting of the steps to reduce the manufacturing cost, and further shorten the welding time to improve the productivity, uniformity of the welding bead effect to increase the stability of the heater Has

반도체, 액정패널, 서셉터, 히터, 커버, 용가제Semiconductor, liquid crystal panel, susceptor, heater, cover, solvent

Description

반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법{method of manufacturing susceptor for apparatus for making semiconductor and LCD panel} Method of manufacturing susceptor for apparatus for making semiconductor and LCD panel

도 1은 일반적인 반도체 설비의 진공챔버의 구성을 보인 개략 단면도1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a vacuum chamber of a general semiconductor equipment

도 2A 내지 도2E는 종래 서셉터의 제조공정을 보인 도면2A through 2E are views illustrating a manufacturing process of a conventional susceptor.

도 3A 내지 도 3F는 본 발명에 따른 서셉터의 제조공정을 보인 도면3A to 3F are views illustrating a manufacturing process of the susceptor according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 용가제의 다양한 실시예를 보인 도면4 is a view showing various embodiments of a solvent according to the present invention

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

10: 진공챔버20: 서셉터10: vacuum chamber 20: susceptor

22: 히터24: 설치홈22: heater 24: mounting groove

26: 지지면28: 커버26: support surface 28: cover

30: 섀도우 프레임40: 디퓨저30: shadow frame 40: diffuser

50: 수용홈60: 용가제50: receiving groove 60: solvent

Ｗ: 피처리물Ｗ: Treatment

본 발명은 반도체 또는 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공챔버내에 제공되어 웨이퍼(wafer) 또는 유리기판(glass) 등의 피처리물을 지지하는 서셉터(susceptor)의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a susceptor for a semiconductor or liquid crystal panel manufacturing facility, and more particularly, to a susceptor provided in a vacuum chamber to support an object to be processed, such as a wafer or a glass substrate. It relates to a method of manufacturing).

일반적으로 웨이퍼는 집적회로(IC)를 만들기 위한 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 인곳(Ingot)을 얇게 잘라서 원판 모양으로 만든 것으로서, 표면에 증착, 식각등 여러 가지 공정의 표면처리를 수행하게 된다. In general, a wafer is a disk-shaped ingot formed by thinly cutting a column-shaped ingot in which a single crystal of a semiconductor material for making an integrated circuit (IC) is formed. The wafer is subjected to surface treatment of various processes such as deposition and etching on the surface. do.

또한, 액정패널은 액정표시장치의 중요한 요소로서, 전기적 신호를 통해 화상을 디스플레이 한다. 액정패널 또한, 간단히 유리등의 투명기판 일면에 각각 전계생성전극을 포함하는 여러 가지 전기적 소자가 설치된 상부기판과 하부기판을 구비한 후, 이들 전극이 서로 마주보도록 배치하여 그 사이에 액정을 충진한 구성을 가지고 있다. 이때 상, 하부기판 각각에 포함되는 전계생성전극 및 여러 가지 전기적 소자들은 통상 투명기판 상면으로 박막을 증착한 후 이를 식각하여 패터닝(patterning)하는 과정을 수 차례 반복하여 구현된다.In addition, the liquid crystal panel is an important element of the liquid crystal display, and displays an image through an electrical signal. The liquid crystal panel also includes an upper substrate and a lower substrate on which one surface of a transparent substrate, such as glass, is equipped with various electrical elements, each of which includes an electric field generating electrode, and is arranged so that the electrodes face each other to fill the liquid crystal therebetween. Has a configuration. In this case, the field generating electrode and various electrical elements included in each of the upper and lower substrates are repeatedly formed by repeatedly depositing a thin film on the upper surface of the transparent substrate and then etching and patterning the thin film.

이와 같은 웨이퍼나 유리기판상에 박막의 증착이나 식각 등의 공정은 주로 진공 챔버(chamber)에서 진행되는 것이 일반적이다.Such a process of depositing or etching a thin film on a wafer or a glass substrate is generally performed in a vacuum chamber.

도 1에는 종래의 진공 챔버의 일례를 도시하고 있다. 챔버(10)의 내부에 피처리물(Ｗ)이 안착 고정되는 서셉터(20)가 배치되어 있다. 서셉터(20)에는 히터(22)가 내장된 구조로 되어 있다. 이 히터(22)는 반도체 LCD 디바이스를 제작하기 위해 절연막 또는 반도체 막을 기판에 증착시킬 때 챔버내의 기판 표면에 흡착되는 해리된 가스입자에 대해 표면반응을 유도시킬 때 필요한 열에너지를 공급하게 된다. 한편, 피처리물(Ｗ)은 섀도우 프레임(30)에 의해 서셉터(20)상에 견고히 지지된다. 서셉터의 주변에는 피처리물을 상승시키는 복수의 리프트핀(21)이 설치된다. 진공챔버(10)의 상부에는 처리가스를 공급하는 디퓨져(40)가 설치된다.1 shows an example of a conventional vacuum chamber. The susceptor 20 in which the to-be-processed object is seated and fixed in the chamber 10 is arrange | positioned. The susceptor 20 has a structure in which the heater 22 is incorporated. This heater 22 supplies heat energy necessary for inducing a surface reaction to dissociated gas particles adsorbed to the substrate surface in the chamber when the insulating film or semiconductor film is deposited on the substrate to fabricate the semiconductor LCD device. On the other hand, the workpiece is firmly supported on the susceptor 20 by the shadow frame 30. In the vicinity of the susceptor, a plurality of lift pins 21 for raising the workpiece are provided. A diffuser 40 is provided above the vacuum chamber 10 to supply the processing gas.

도 2A 내지 도 2E에는 도 1의 일부분을 확대하여 종래의 히터의 조립과정을 도시하고 있는데, 편의상 서셉터의 위치를 도 1과는 상하를 반대로 하여 도시하고 있다. 즉, 부호 26이 서셉터가 피처리물을 지지하는 지지면이 된다. 먼저 서셉터(20)의 저면으로부터 상부를 향해 소정의 패턴으로 수용홈(24)을 가공하고(도2A), 가공된 설치홈(24)을 따라 히터(22)를 삽입배치하고(도2B 및 도 3C), 히터(22)의 후방에 커버(28)를 삽입하여 히터(22)를 고정시킴과 동시에 진공 유지 및 패턴 구조가 대기로 노출되는 것을 막는다(도 2D). 그리고 덮개(28)의 후방에서 서셉터(모재)와의 경계부를 용접하게 된다(도 2E).2A to 2E illustrate a process of assembling a conventional heater by enlarging a portion of FIG. 1, but for convenience, the position of the susceptor is shown in reverse from FIG. 1. That is, reference numeral 26 is a support surface on which the susceptor supports the object to be processed. First, the receiving groove 24 is processed in a predetermined pattern from the bottom of the susceptor 20 toward the upper portion (Fig. 2A), and the heater 22 is inserted and disposed along the processed installation groove 24 (Fig. 2B and 3C), the cover 28 is inserted behind the heater 22 to fix the heater 22 while preventing the vacuum holding and the pattern structure from being exposed to the atmosphere (FIG. 2D). And the boundary part with a susceptor (base material) is welded in the back of the cover 28 (FIG. 2E).

이와 같이 서셉터 제작시의 사용되는 용접방식에 있어서는 모재의 재질에 따라 제조방법이 상이하나 일반적으로 알루미늄을 사용하는 서셉터의 제조시에는 TIG(tungsten inert gas)용접, 전자빔(E-beam)용접, 브레이징(brazing) 및 포징(forging)등의 용접이 응용되고 있다. As described above, the welding method used in manufacturing the susceptor is different depending on the material of the base material. However, in the production of susceptors using aluminum, TIG (tungsten inert gas) welding and E-beam welding are used. Welding such as brazing and forging are applied.

그리고 각각의 용접방식에는 운영 및 기술에 따른 장단점을 가지고 있는데 먼저 티그(TIG) 용접은, 일반적으로 알루미늄을 용접하는데 가장 경제적으로 생산 및 제작을 할 수 있는 방법이나, 일반적으로 상온 근처나 모재를 낮게 가열한 후 용접을 하게 되면 비드가 뭉치면서 밀착성이 떨어져 용접특성이 떨어지게 되므로 알루미늄 용접은 모재를 일정온도로 가열 한 후 용접을 실시하여야 한다. 즉, 알루미늄 서셉터를 제작할 경우에는 용접조건에 따라 차이는 있으나 모재를 약 150~350℃로 가열한 후 용접이 되어야 안정적인 용접결과를 얻을 수 있다.Each welding method has advantages and disadvantages according to operation and technology. First, TIG welding is the most economical method of producing and manufacturing aluminum, but generally lowers near room temperature or base metal. When welding after heating, bead agglomerates and the adhesion decreases, so the welding property is deteriorated. Therefore, aluminum welding should be performed after heating the base material to a certain temperature. In other words, when manufacturing the aluminum susceptor, there is a difference depending on the welding conditions, but after welding the base material to about 150 ~ 350 ℃ can be obtained a stable welding results.

그러나 상기와 같은 용접방식은 피처리물 특히 글래스의 대형화 추세에 대응하여 대면적 서셉터를 제작하는 경우 환경 및 열처리에 의한 모재의 열팽창을 수반하게 되므로 위치 재현성 및 평탄도의 변형에 의해 용접에 대한 밀착특성이 열화되는 문제를 갖고 있었다. 또한 용접열로 인하여 작업환경의 온도가 상승하여 용접장비인 로봇 또는 자동 용접기 등의 열화가능성도 예측된다.However, the above welding method is accompanied with thermal expansion of the base material due to environmental and heat treatment when manufacturing a large-area susceptor in response to the trend of larger size of the workpiece, in particular glass, so that it is possible to There was a problem that the adhesion characteristics deteriorated. In addition, the temperature of the working environment is increased due to the heat of welding, and the possibility of deterioration of robots or automatic welding machines, which are welding equipment, is also predicted.

다른 용접방식으로 전자빔용접은 고가의 장비로 인해 많은 설치비용과 운영비가 필요하며, 용접특성은 비드폭이 좁고 용접이 깊은 특성을 가지고 있어 서셉터의 대형화시 응용에 어려움을 가지고 있다.As another welding method, electron beam welding requires a lot of installation cost and operation cost due to expensive equipment, and the welding characteristic has narrow bead width and deep welding, which makes it difficult to apply when the susceptor is enlarged.

브레이징 및 포징은 일반 산업쪽으로 기존에 응용이 되어 왔던 기술로서, 브레이징은 알루미늄 모재의 용융온도보다 5~10%낮은 온도에서 모재 사이에 삽입된 용가제를 녹혀서 모재를 용접하는 것이나, 적용온도가 높아 모재속의 히터와 모재간의 열팽창에 의한 히터의 응력에 의한 내구성의 저하가 우려 된다. 또한, 브레이징 완료후 노안에서 온도를 낮추는 냉각공정에서도 모재와 히터의 냉각속도의 차이에 의한 손상이 수반될 우려도 있다. 포징은 모재사이에 용가제를 삽입후 모재를 약 300~500℃온도에서 가열을 하면서 높은 압력으로 두 모재를 용접하는 기술이다. 이러한 접합기술도 초기에는 높은 시설비용이 요구되는 문제를 안고 있다.Brazing and forging is a technology that has been applied to the general industry. Brazing is welding the base metal by melting the fillers inserted between the base materials at a temperature of 5 to 10% lower than the melting temperature of the aluminum base material. It is high, and there exists a possibility that the fall of durability by the stress of the heater by the thermal expansion between the heater and a base material in a base material may be concerned. In addition, there is a fear that the damage caused by the difference in the cooling rate of the base material and the heater may be involved in the cooling process to lower the temperature in presbyopia after brazing completion. Forging is a technology of welding two base materials at high pressure while inserting a solvent between the base materials and heating the base material at about 300 ~ 500 ℃. This joining technology also has a problem that requires high facility costs in the early stage.

현재 TIG 용접은 로봇 또는 수작업으로 알루미늄 용접봉과 용접하고자 하는 모재에다 아크를 발생시켜 서셉터 제작에 응용을 하고 있다.Currently, TIG welding is applied to the manufacture of susceptors by generating arcs in the base metal to be welded with aluminum welding rod by robot or by hand.

그러나 이러한 방법은 알루미늄 용접특성상 넓은 면적을 따라 장시간 용접 작업이 될 경우 용접헤드(텅스텐)와 모재간의 거리 불일치로 인한 국부적 용접특성이 열화될 우려가 있고, 온도차이에 의한 모재의 변형과 알루미늄 와이어의 에러발생 가능성이 있어 변형을 제한하기 위한 지그 등을 필요로 하고 있어 글라스 면적이 넓어질수록 서셉터 제작시 상기의 이유에 의해 제조원가가 상승되는 요인으로 작용하게 되는 문제를 갖고 있었다. However, this method may deteriorate the local welding characteristics due to the distance mismatch between the welding head (tungsten) and the base material when the welding operation is performed for a long time along a large area due to the aluminum welding characteristics. There is a possibility that an error may occur, and a jig for limiting deformation is required, and as the glass area becomes wider, the manufacturing cost increases due to the above reason when the susceptor is manufactured.

이에 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 그 목적은 대면적 서셉터 또는 기존의 5세대 크기 이상의 서셉터 제작시 제조원가를 낮추고 작업재현성을 높일 수 있는 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its object is to manufacture a large area susceptor or a susceptor larger than the existing 5th generation size and to reduce manufacturing costs and increase work reproducibility for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment. The present invention provides a method for manufacturing a susceptor.

본 발명의 다른 목적은 용접 시간을 단축하여 생산성을 향상시키고, 용접비드를 균일화하여 히터의 안정성을 높일 수 있는 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment which can improve the productivity by shortening the welding time, and improve the stability of the heater by uniformizing the welding bead.

이러한 본 발명의 목적은 모재상에 설치홈을 형성하는 단계와, 설치홈에 히터를 배열하는 단계와, 히터의 상부에 커버를 끼워맞춤하는 단계와, 커버와 모재의 경계에 용가제를 배치고정하는 단계와, 용가제를 녹여 모재와 커버를 접합하는 단계로 이루어진 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법에 의해 달성될 수 있다.The object of the present invention is to form an installation groove on the base material, to arrange the heater in the installation groove, to fit the cover on the upper portion of the heater, and to fix the dissolving agent on the boundary between the cover and the base material And it can be achieved by the manufacturing method of the susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment comprising the step of melting the solvent and bonding the base material and the cover.

상기 커버의 표면에는 용가제가 수용되는 수용홈이 더 형성되는 것이 바람직하다.The surface of the cover is preferably formed with a receiving groove for accommodating the solvent.

상기 수용홈에 용가제가 삽입되는 단계이후에 수용홈내로 커버와 용가제와 동종의 결합제를 분사하여 수용홈내에서의 용가제의 유동을 제한하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.After the step of inserting the solvent into the receiving groove, it is preferable to further include the step of limiting the flow of the solvent in the receiving groove by spraying a binder and the same type of binder into the receiving groove.

상기 용가제는 적어도 한 가닥 이상의 와이어로 구성된다.The solubilizer consists of at least one strand of wire.

용가제가 와이어로 구성되는 경우 와이어에는 직경방향으로 중심을 관통하는 복수의 구멍이 형성되는 것이 바람직하다.When the solubilizer is composed of a wire, the wire is preferably formed with a plurality of holes penetrating the center in the radial direction.

상기 용가제는 볼 또는 파우더로 형성하는 것도 가능하다.The solubilizer may be formed of a ball or a powder.

본 발명에 따르면, 모재상에 설치홈을 형성하는 단계와, 설치홈에 히터를 배열하는 단계와, 히터의 상부에 커버를 끼워맞춤하는 단계와, 커버와 모재의 경계에 용가제를 배치고정하는 단계와, 모재 및 용가재를 50~600℃로 가열하는 단계와, 용가제를 녹여 모재와 커버를 접합하는 단계로 이루어진 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법도 예상될 수 있다. According to the present invention, forming an installation groove on the base material, arranging the heater in the installation groove, fitting the cover to the upper portion of the heater, and fixing the solvent to the boundary between the cover and the base material A method of manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment comprising a step, a step of heating the base material and the filler material to 50 to 600 ° C., and a step of melting the filler and bonding the base material and the cover may be expected.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3A 내지 및 도 3E는 에는 본 발명에 따른 세셉터 제조방법의 제조공정을 나타내는 단면도가 도시되어 있다. 이에 따르면, 본 발명은 도 3A에 도시된 바와같이 서셉터(20)의 후면으로부터 소정깊이의 설치홈(24)을 형성한다. 설치홈(24)은 내측이 호형으로 형성되어 히터와 밀접하게 접하도록 구성된다. 이어서 도 3B 및 도 3C와 같이 설치홈(24)에 히터(22)를 삽입 배열한다. 히터(22)는 하나의 긴 열선으로 어느 일측에 진입하여 설치홈을 돌아 진입측으로 배출 배선된다. 3A and 3E are cross-sectional views showing the manufacturing process of the method for manufacturing a acceptor according to the present invention. According to this, the present invention forms an installation groove 24 of a predetermined depth from the rear surface of the susceptor 20, as shown in Figure 3A. The installation groove 24 is configured to be in intimate contact with the heater to form an arc inside. Subsequently, the heaters 22 are inserted and arranged in the installation grooves 24 as shown in FIGS. 3B and 3C. The heater 22 enters one side with one long heating wire, turns the installation groove, and is discharged to the entry side.

그리고, 도 3D와 같이 히터(22)의 상부를 커버하도록 커버(28)가 설치홈(24)에 삽입된다. 커버(28)의 선단은 히터와 밀접하게 접하도록 하여 히터 주위에 기공이 발생되는 것으로 인해 발열 균일도가 떨어지는 것을 최소화한다. 또한, 커버(28)상에는 서셉터(20)와의 경계에 수용홈(50)이 형성되어 있다.Then, the cover 28 is inserted into the installation groove 24 to cover the upper portion of the heater 22 as shown in FIG. 3D. The tip of the cover 28 is in close contact with the heater to minimize the deterioration of the heat generation uniformity due to the generation of pores around the heater. In addition, the receiving groove 50 is formed on the cover 28 at the boundary with the susceptor 20.

이어서, 도 3E에 도시된 바와 같이 커버(28)의 수용홈(50)에는 용가제(60)가 삽입된다. 용가제는 서셉터와 동일한 재질로 구성되는 것이 바람직하다. Subsequently, as shown in FIG. 3E, the filler 60 is inserted into the receiving groove 50 of the cover 28. The solubilizer is preferably composed of the same material as the susceptor.

마지막으로 도 3F에 도시된 바와 같이 용가제(60)에 열을 가하여 녹이는 것에 의해 용가제(60)가 서셉터(20)와 커버(28)를 상호 융착하여 용접을 이루게 된다.Finally, as shown in FIG. 3F, the solvent 60 is fused to each other by welding the susceptor 20 and the cover 28 by melting and applying the heat to the solvent 60.

상기 수용홈(50)에는 용가제(60)가 삽입되는 단계이후에 수용홈(50)내로 용가제(60)와 동종의 결합제를 분사하여 용접이 진행될때 수용홈(50)내에서의 용가제(60)의 유동을 제한하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.Solvent in the accommodating groove 50 when the welding proceeds by spraying the same type of binder 60 and the same solvent into the accommodating groove 50 after the step of inserting the solvent 60 into the accommodating groove 50 Preferably, the method further includes limiting the flow of 60.

상기 용가제(60)는 적어도 한 가닥 이상의 와이어로 구성되는데, 그 단면형은 도 4A 내지 도 4E에 도시된 바와 같이 실시예와 같은 원형뿐만 아니라 삼각, 사각, 오각 또는 그 이상의 다각형으로 구성하는 것이 가능하고, 나아가서 도 4F에 도시된 바와 같이 작은 알갱이 또는 파우더의 형태로 제공하는 것도 가능하다. The filler 60 is composed of at least one strand of wire, the cross-sectional shape is composed of a triangular, square, pentagonal or more polygons, as well as the circular form as shown in Figures 4A to 4E. It is possible, and furthermore, to provide in the form of small grains or powder as shown in Figure 4F.

용가제(60)가 와이어로 구성되는 경우 와이어에는 직경방향으로 중심을 관통하는 복수의 구멍(62)이 형성되는 것이 바람직하다. 이는 용접가열시 와이어의 반대측에 열이 용이하게 도달토록 하는데 효과적이다. When the filler 60 is made of a wire, it is preferable that a plurality of holes 62 penetrate the center in the radial direction. This is effective to allow the heat to easily reach the opposite side of the wire during welding heating.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 커버(28)와 서셉터(20)의 경계에 용가제(60)를 배치고정하는 단계 이후에 서셉터(20) 및 용가재(60)를 50~600℃로 가열하는 단계를 추가로 실시하고 그 이후에 용가제를 녹여 서셉터와 커버를 접합하는 단계를 수행한다.Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, the susceptor 20 and the filler material 60 may be 50 to 600 after the fixing of the filler 60 at the boundary between the cover 28 and the susceptor 20. The step of heating to &lt; RTI ID = 0.0 &gt; C &lt; / RTI &gt; is further performed and thereafter the dissolving of the solvent to bond the susceptor and cover.

본 발명의 기술적 사상의 범위는 이상에서 설명된 실시예들에 한정되지 않는다. 즉, 이상의 실시예들 사이의 호환가능한 구성요소들의 적절한 조합에 의해 구성되는 것도 본 발명의 기술적 사상의 범위에 포함되어야 하며, 단순한 구성요소의 부가, 변경 및 치환에 의한 것도 포함되어야 한다.The scope of the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described above. That is, what is constituted by a suitable combination of compatible components between the above embodiments should be included in the scope of the technical idea of the present invention, and also by the addition, change and substitution of simple components.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 서셉터의 제조방법은 커버와 모재의 경계에 수용홈을 형성하고 여기에 용가제를 삽입한 상태에서 열을 가하여 용가제를 녹여 용접토록 함으로써 제조원가를 낮추고 작업재현성을 높일 수 있고, 나아가서 용접 시간을 단축하여 생산성을 향상시키는 것은 물론 세셉터의 물성변화를 효과적으로 방지하고, 용접비드를 균일화하여 히터의 안정성을 높일 수 있는 효과를 갖는다.As described above, the manufacturing method of the susceptor according to the present invention forms a receiving groove at the boundary between the cover and the base material and applies the heat in the state in which the solvent is inserted to melt and weld the solvent so as to lower the manufacturing cost and work reproducibility. In addition, it is possible to improve the productivity by improving the productivity by shortening the welding time, furthermore, effectively preventing the change of the physical properties of the acceptor, and uniformly welding the bead, thereby increasing the stability of the heater.

Claims (7)

서셉터상에 설치홈을 형성하는 단계와,Forming an installation groove on the susceptor, 설치홈에 히터를 배열하는 단계와, Arranging a heater in an installation groove; 히터의 상부로부터 선단이 히터와 밀접하게 접하도록 커버를 끼워맞춤하는 단계와,Fitting the cover so that the tip is in close contact with the heater from the top of the heater, 커버의 표면에 용가제가 수용되는 수용홈이 더 형성되는 단계와,The receiving groove is further formed on the surface of the cover for receiving the solvent, 커버와 서셉터의 경계에 용가제를 배치고정하는 단계와,Placing and fixing the solvent at the boundary between the cover and the susceptor, 상기 수용홈내로 커버와 용가제와 동종의 결합제를 분사하여 수용홈내에서의 용가제의 유동을 제한하는 단계와,Limiting the flow of the solvent in the receiving groove by spraying a cover and the same type of binder into the receiving groove; 용가제를 녹여 서셉터와 커버를 접합하는 단계로 이루어진 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법.A method of manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment comprising the step of melting a solvent to bond a susceptor and a cover. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 용가제는 적어도 한 가닥 이상의 와이어인 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법.The method of manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment according to claim 1, wherein the solubilizer is at least one strand of wire. 제 4항에 있어서, 상기 와이어에는 직경방향으로 중심을 관통하는 복수의 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법.The method of manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment according to claim 4, wherein the wire is formed with a plurality of holes penetrating the center in the radial direction. 제 1항에 있어서, 상기 용가제는 볼 또는 파우더인 것을 특징으로 하는 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법.The method of manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment according to claim 1, wherein the solvent is ball or powder. 서셉터상에 설치홈을 형성하는 단계와,Forming an installation groove on the susceptor, 설치홈에 히터를 배열하는 단계와, Arranging a heater in an installation groove; 히터의 상부에 커버를 끼워맞춤하는 단계와,Fitting the cover to the top of the heater, 커버와 서셉터의 경계에 용가제를 배치고정하는 단계와,Placing and fixing the solvent at the boundary between the cover and the susceptor, 서셉터 및 용가재를 50~600℃로 가열하는 단계와, Heating the susceptor and filler material to 50-600 ° C., 용가제를 녹여 서셉터와 커버를 접합하는 단계로 이루어진 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 제조방법.A method of manufacturing a susceptor for semiconductor and liquid crystal panel manufacturing equipment comprising the step of melting a solvent to bond a susceptor and a cover.
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