KR100713182B1 - Reflector manufacturing method and apparatus thereof - Google Patents

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KR100713182B1
KR100713182B1 KR1020050009286A KR20050009286A KR100713182B1 KR 100713182 B1 KR100713182 B1 KR 100713182B1 KR 1020050009286 A KR1020050009286 A KR 1020050009286A KR 20050009286 A KR20050009286 A KR 20050009286A KR 100713182 B1 KR100713182 B1 KR 100713182B1
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inverted
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이케다가오리
모리이케다츠야
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알프스 덴키 가부시키가이샤
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    • F21S9/04Lighting devices with a built-in power supply; Systems employing lighting devices with a built-in power supply the power supply being a generator

Abstract

본 발명은 품질에 불균일성이 적은 반사체를 효율좋게 저비용으로 대량 생산하는 것이 가능한 반사체의 제조장치 및 제조방법을 제공하는 것이다. The present invention provides an apparatus and a manufacturing method of a reflector capable of mass-producing a reflector having a low non-uniformity in quality efficiently and at low cost.

반전형(제 2 반전형)(23)은, 예를 들면 두께 10 mm 정도의 실리콘고무로 형성되면 좋고, 한 면에 다수의 미세한 볼록부가 형성되어 있다. 이 볼록부를 기판 재료(19)의 레지스트재(18) 표면에 가압함으로써 레지스트재(18)에 오목부를 형성한다. 또 반전형(23)의 이면측에는 표면 거칠기 수 ㎛ 정도의 미세한 요철(28)이 형성되어 있다. 또 반사형(23)을 1매의 지지판에 복수 배열하여 상기 기판의 구성재료에 형 가압함으로써 반사체를 얻는다. The inverted type (second inverted type) 23 may be formed of, for example, silicon rubber having a thickness of about 10 mm, and a plurality of fine convex portions are formed on one surface. The convex part is formed in the resist material 18 by pressing the convex part to the surface of the resist material 18 of the substrate material 19. Further, fine irregularities 28 having a surface roughness of several micrometers are formed on the back surface side of the inverted die 23. In addition, the reflector 23 is obtained by arranging a plurality of reflection molds 23 on one support plate and pressing the components on the substrate.

Description

반사체의 제조장치 및 제조방법{REFLECTOR MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS THEREOF}REFLECTOR MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS THEREOF

도 1은 일 실시형태의 반사체의 구성의 일례를 나타내는 부분사시도,1 is a partial perspective view showing an example of a configuration of a reflector of one embodiment;

도 2는 도 1에 나타내는 반사체의 단면모식도,2 is a schematic cross-sectional view of the reflector shown in FIG. 1;

도 3은 도 1에 나타내는 반사체에 형성된 오목부의 평면구성도,3 is a plan configuration diagram of a recess formed in the reflector shown in FIG. 1;

도 4는 도 3에 나타내는 G-G 선을 따르는 단면구성도,4 is a cross-sectional view along the line G-G shown in FIG. 3;

도 5는 본 발명의 반사체의 제조장치를 나타내는 단면도,5 is a cross-sectional view showing an apparatus for manufacturing a reflector of the present invention;

도 6은 반전형을 표면측에서 보았을 때의 외관사시도,6 is an external perspective view of the inverted type when viewed from the surface side;

도 7은 반전형을 이면측에서 보았을 때의 외관사시도,7 is an external perspective view of the reverse type when viewed from the back side;

도 8은 대좌를 이면측에서 보았을 때의 외관사시도,8 is an external perspective view of the pedestal when viewed from the back side;

도 9는 대좌를 표면측에서 보았을 때의 외관사시도,9 is an external perspective view of the pedestal when viewed from the surface side;

도 10은 반전형과 대좌와의 경계부근을 나타내는 확대단면도,10 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the boundary between the inverted type and the pedestal;

도 11은 본 발명의 반사체의 제조장치를 사용한 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,11 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a reflector using the apparatus for manufacturing a reflector of the present invention;

도 12는 본 발명의 반사체의 제조장치를 사용한 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,12 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a reflector using the apparatus for manufacturing a reflector of the present invention;

도 13은 본 발명의 반사체의 제조장치를 사용한 반사체의 제조방법의 일 공 정을 나타내는 단면도,13 is a cross-sectional view showing a process of a method of manufacturing a reflector using the apparatus for manufacturing a reflector of the present invention;

도 14는 본 발명의 반사체의 제조장치를 사용한 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,14 is a cross-sectional view showing one step of a method for manufacturing a reflector using the apparatus for manufacturing a reflector of the present invention;

도 15는 본 발명의 반사체의 제조장치의 검증결과를 나타내는 설명도,15 is an explanatory diagram showing a verification result of an apparatus for manufacturing a reflector of the present invention;

도 16은 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,16 is a cross-sectional view showing one step in the method of manufacturing a reflector of the present invention;

도 17은 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,17 is a cross-sectional view showing one step of the method of manufacturing a reflector of the present invention;

도 18은 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,18 is a cross-sectional view showing one step in the method of manufacturing a reflector of the present invention;

도 19는 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,19 is a cross-sectional view showing one step in the method of manufacturing a reflector of the present invention;

도 20은 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,20 is a cross-sectional view showing one step in the method of manufacturing a reflector of the present invention;

도 21은 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,21 is a sectional view showing one step in the method of manufacturing a reflector of the present invention;

도 22는 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도,Fig. 22 is a sectional view showing one step of the manufacturing method of the reflector of the present invention;

도 23은 본 발명의 반사체의 제조방법의 일 공정을 나타내는 단면도이다.It is sectional drawing which shows one process of the manufacturing method of the reflector of this invention.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing

10 : 반사체 11 : 기판10 reflector 11 substrate

12 : 반사막 13 : 오목부12 reflecting film 13 recessed portion

16 : 레지스트층 23 : 반사형16: resist layer 23: reflective

24 : 대좌 25 : 볼록부24: pedestal 25: convex

28 : 홈 또는 요철 41 : 마스터형28: groove or irregularity 41: master type

46 : 제 1 반전형 51 : 복제형46: first inverted type 51: replica type

56 : 제 2 반전형56: second inversion

본 발명은 다수의 오목부가 형성된 기판과 반사막으로 이루어지는 반사체의 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and a manufacturing method of a reflector comprising a substrate and a reflecting film on which a plurality of recesses are formed.

예를 들면 휴대전화나 휴대용 게임기 등의 휴대 전자기기에서는 그 배터리구동시간이 사용상 편리성에 크게 영향을 미치기 때문에, 소비전력을 억제할 수 있는 반사형 액정 표시장치를 표시부로서 구비하고 있다. 반사형 액정 표시장치는, 그 전면으로부터 입사되는 외광을 반사하기 위한 반사막을 구비하고 있고, 그 형태로서는 액정 패널을 구성하는 2매의 기판의 사이에 반사막을 내장한 것이나, 투과형의 액정 패널의 배면측에 반투과막을 구비한 반사체를 설치한 것이 알려져 있다. For example, in a portable electronic device such as a mobile phone or a portable game machine, since the battery driving time greatly affects the convenience in use, a reflective liquid crystal display device capable of suppressing power consumption is provided as a display unit. The reflection type liquid crystal display device has a reflection film for reflecting external light incident from the front surface thereof, and has a reflection film embedded between two substrates constituting the liquid crystal panel, or the back of a transmissive liquid crystal panel. It is known to provide a reflector provided with a semi-transmissive film on the side.

빛을 반사시키기 위한 반사체로서는, 표면에 다수의 오목부를 형성한 기판의 표면에 반사막을 성막한 반사체가 알려져 있다. 이와 같은 반사체는 다수의 오목부의 작용에 의하여 반사면 내에서 얼룩없이 균일한 반사광을 얻을 수 있다. 오목부는 얼룩이 없는 균일한 반사광을 형성하기 위하여 반사면 내에서 랜덤한 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. As a reflector for reflecting light, the reflector which formed the reflecting film into the surface of the board | substrate which provided many recessed parts in the surface is known. Such a reflector can obtain uniform reflected light without spots in the reflecting surface by the action of a plurality of recesses. The recess is preferably formed in a random shape in the reflecting surface to form uniform reflected light without spots.

이와 같은 반사체의 오목부의 형성방법으로서는, 예를 들면 하기 특허문헌 1내지 3에 기재되어 있는 방법을 들 수 있다. 즉, 소정의 입자지름의 미립자를 사용하여 샌드 블러스트에 의하여 반사체를 구성하는 기재에 미세한 오목부를 다수 형성하는 방법이나, 반사체를 구성하는 기재에 레지스트층을 형성하고, 이 레지스 트층에 오목부에 대응하는 포토 마스크를 사용하여 포토 리소그래피에 의하여 오목부를 형성하는 방법 등이 알려져 있다. As a formation method of the recessed part of such a reflector, the method described in following patent documents 1-3 is mentioned, for example. That is, a method of forming a plurality of fine recesses in the substrate constituting the reflector by sand blast using fine particles having a predetermined particle diameter, or forming a resist layer on the substrate constituting the reflector, the recess layer in the resist layer Background Art A method of forming a recess by photo lithography using a corresponding photo mask is known.

[특허문헌 1][Patent Document 1]

일본국 특개소57-49983호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-49983

[특허문헌 2][Patent Document 2]

일본국 특개평6-82771호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 6-82771

[특허문헌 3][Patent Document 3]

일본국 특개평4-212931호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-212931

또, 반사체의 종래의 제조방법으로서는 예를 들면 하기 특허문헌 4에 기재되어 있는 방법을 들 수 있다. 즉, 기초가 되는 다수의 오목부를 구비한 마스터형을 형성하여, 이 마스터형으로부터 복수의 반전형을 성형하고, 반전형을 사용하여 수지판 등의 기판에 오목부를 형성한다. 그후 기판을 경화시킨 후, 오목부가 형성된 기판 표면에 알루미늄 등의 반사막을 성막하여 반사체를 얻는 방법이 알려져 있다. Moreover, as a conventional manufacturing method of a reflector, the method described in following patent document 4 is mentioned, for example. That is, a master mold having a plurality of recesses serving as a base is formed, a plurality of inverted molds are molded from the master mold, and recesses are formed in a substrate such as a resin plate using the inverted mold. Then, after hardening a board | substrate, the method of obtaining a reflector by forming a reflecting film, such as aluminum, on the surface of the board | substrate with which the recess was formed is known.

[특허문헌 4][Patent Document 4]

일본국 특개2002-22913호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-22913

그러나 상기한 바와 같은 반사체의 오목부의 형성방법에서는, 가공공정이 많고, 또한 시간이 걸리기 때문에, 다수의 반사체를 몇개의 제조라인으로 대량으로 제조하는 것이 곤란하였다. 또 소정의 반사각을 얻기 위하여 오목부의 형상, 특히 그 단면형상을 원하는 기울기로 제어하여 형성하는 것이 거의 불가능하여, 높은 반사특성을 가지는 반사체의 제조가 곤란하였다. However, in the method of forming the concave portion of the reflector as described above, it is difficult to manufacture a large number of reflectors in a large number of production lines because of the many processing steps and time. Moreover, in order to obtain a predetermined reflection angle, it is almost impossible to form the concave portion, in particular, its cross-sectional shape, by controlling the desired inclination, making it difficult to manufacture a reflector having high reflection characteristics.

특히 액정 표시소자를 조립한 휴대기기의 실제 사용상태에 있어서, 원하는 반사 시각 특성을 실현하도록 반사체의 반사특성이(정반사방향에 대하여) 비대칭이 되는 수광각도 범위에 있어서 높아지도록 하기 위해서는 반사체의 구성요소인 미세요철 단면형상, 깊이를 엄밀하게 제어할 필요가 있어 기존의 장치, 방법으로는 거의 실현 불가능하였다. In particular, in a practical use state of a portable device incorporating a liquid crystal display device, in order to achieve a desired reflection visual characteristic, in order to achieve a desired reflection visual characteristic, the reflection characteristic of the reflector is increased in a light receiving angle range that becomes asymmetrical (with respect to the normal reflection direction). It is necessary to precisely control the depth and shape of the micro-roughness, which is an element, and it is almost impossible to realize by the existing apparatus and method.

또, 상기한 바와 같은 반사체의 제조방법에서는, 다수의 반사체를 몇개의 제조라인으로 대량으로 제조하는 경우에는, 하나의 마스터형으로부터 다수의 반전형을 성형할 필요가 있어, 다수의 반전형의 성형과정에서 마스터형이 마모되어 버린다. 마스터형이 마모되면 얻어지는 반전형의 형상에 불균일성이 생기고, 결과적으로 다수의 반사체를 일정한 품질로 제조할 수 없다는 문제가 생긴다. 또 마스터형을 다수의 반전형의 모형으로서 사용하는 것은 작업 중의 실수(miss)에 의하여 마스터형에 상처나 오염을 부착시키게 되고, 결과적으로 다수의 반전형이 필요한 양산공정에서 생산 불가능하게 된다. Moreover, in the manufacturing method of a reflector as described above, when a large number of reflectors are manufactured in a large number of production lines, it is necessary to mold a plurality of inverted molds from one master mold, and to form a plurality of inverted molds. The master mold is worn out in the process. If the master die is worn out, non-uniformity occurs in the shape of the inverted die obtained, resulting in a problem that a large number of reflectors cannot be manufactured with a certain quality. In addition, the use of the master type as a model of many inverted types causes damage or contamination to the master type due to a miss during operation, and as a result, it is impossible to produce in a mass production process that requires a large number of inverted types.

특히, 반전형의 제조에 사용되는 마스터형은 소성변형되는 부재, 예를 들면 금속, 경질의 고분자 등의 기재의 표면에, 그것보다도 충분히 단단한 재질, 예를 들면 초경, 세라믹, 다이아몬드 등으로 이루어지고, 그 선단형상이 얻고자 하는 반사체의 요철의 단면형상, 깊이, 피치에 대응한 형상으로 이루어진 압자 등을 랜덤하게 이동시키면서 반복하여 가압하여 기재에 오목부를 형성하여 얻는 것으로, 그 제조에는 많은 시간과 비용이 들고, 또 동일형상의 것을 복수 형성하는 것은 사실상 불가능하다. 이 때문에 마스터형으로부터 서로 그 단면형상, 깊이, 피치 등이 엄밀하게 제어된 동일한 반전형을 다수 형성하여 일정한 품질로 반사체를 대량 생산하는 방법이 요망되고 있었다. In particular, the master mold used for the production of the inverted die is made of a material that is harder than that on the surface of a plastically deformed member, for example, a metal, a hard polymer, or the like, such as cemented carbide, ceramic, diamond, or the like. The tip shape is repeatedly obtained by repeatedly pressing the indenter, which has a shape corresponding to the cross-sectional shape, depth, and pitch of the unevenness of the reflector to be obtained, to form a recess in the base material. It is expensive and it is virtually impossible to form a plurality of the same shape. For this reason, there has been a demand for a method of mass-producing a reflector with a certain quality by forming a large number of identical inverted types in which the cross-sectional shape, depth, pitch and the like are strictly controlled from each other.

또는 상기한 마스터형으로부터 제 1 반전형을 성형함에 있어서는 마스터형에 에폭시수지나 우레탄수지 등을 흘려 넣어 본을 떠서 제 1 반전형을 얻는 방법도 생각할 수 있다. 그러나 금속으로 정밀하게 형성된 마스터금형에 흘려 넣어 경화시킨 수지를 마스터형으로부터 박리시키는 것은 매우 곤란하다. 특히 마스터형으로부터 수지에 전사된 요철은 수 ㎛ 정도의 아주 미세한 것으로, 마스터형에 밀착된 수지를 마스터금형으로부터 박리시킬 때에 이와 같은 미세한 요철이 무너지거나, 수지의 수축에 의해 요철형상이 정밀하게 전사되지 않을 염려가 있다. 또 수지의 박리시에 약간이라도 수지재료가 마스터형에 남으면 성형되는 제 2 반전형에 얼룩이나 상처가 발생하여 마스터형은 그 이후 사용 불가능하게 된다. Alternatively, in forming the first inverted mold from the above-described master mold, a method in which an epoxy resin, a urethane resin or the like is poured into the master mold, and a pattern is obtained to obtain the first inverted mold can also be considered. However, it is very difficult to release the cured resin from the master mold by pouring it into a master mold precisely formed of metal. In particular, the unevenness transferred from the master mold to the resin is very fine, about several micrometers, and when the resin adhered to the master mold is peeled off from the master mold, such fine unevenness is collapsed or the uneven shape is precisely transferred by the shrinkage of the resin. There is no fear. If the resin material remains in the master mold even at the time of peeling off of the resin, stains or scratches occur in the second inverted mold to be molded, and the master mold is no longer available.

수지의 수축을 방지하여 요철을 정밀하게 전사시키기 위하여 수지에 필러라 불리우는 충전재를 혼련하는 방법도 있으나, 수지의 수축방지 효과를 가지게 하기 위해서는 수지 중에 필러 미세분말을 체적분율로 20% 정도 혼입시킬 필요가 있다. 이 체적분율을 만족하기 위해서는 아주 다량의 미세분말이 필요하고, 수지 중에 필러를 균일하게 혼련하기 위해서는 막대한 시간과 비용이 든다. 성형되는 형에의 먼지의 혼입을 방지하기 위하여 크린룸 내의 작업이 필수가 되나, 상기한 바와 같이 다량의 분말이 청정룸의 공정 내를 오염하기 쉽고, 결과적으로 공정 내 이물의 발생으로 이어진다. In order to prevent shrinkage of resin and to transfer irregularities precisely, there is a method of kneading a filler called a filler in the resin, but in order to have the effect of preventing the shrinkage of the resin, it is necessary to incorporate about 20% of the filler fine powder in the resin by volume fraction. There is. In order to satisfy this volume fraction, a very large amount of fine powder is required, and enormous time and cost are required to uniformly knead the filler in the resin. In order to prevent the incorporation of dust into the mold to be molded, the operation in the clean room is essential, but as described above, a large amount of powder is likely to contaminate the process of the clean room, resulting in the generation of foreign matter in the process.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 품질에 불균일성이 적은 반사체를 효율 좋게 저비용으로 대량 생산하는 것이 가능한 반사체의 제조장치 및 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.  This invention is made | formed in view of the said situation, and an object of this invention is to provide the reflector manufacturing apparatus and manufacturing method which can mass-produce a reflector with few nonuniformity in quality efficiently and at low cost.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의하면 한 면에 다수의 오목부가 형성된 기판과, 이 기판의 한 면에 성막된 반사막을 구비하여 이루어지는 반사체의 제조장치에 있어서, 상기 오목부를 반전시킨 형상의 볼록부를 표면에 다수 형성한 반전형을 구비하고, 이 반전형을 상기 기판에 가압하여 상기 기판에 상기 오목부를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치가 제공된다. In order to achieve the above object, according to the present invention, in the apparatus for manufacturing a reflector comprising a substrate having a plurality of recesses formed on one surface and a reflective film formed on one surface of the substrate, the convex of the shape in which the recesses are inverted There is provided an inverting type having a large number of portions formed on a surface thereof, and the inverting type is pressed against the substrate to form the recessed portion in the substrate.

상기 기판은 적어도 표면에 광경화성 또는 열경화성의 레지스트층을 구비하고 있으면 좋다. 상기 반전형은 굴곡 가능한 수지로 형성됨과 동시에, 상기 반전형의 이면측에는 상기 반전형을 지지하는 대좌를 구비하고 있는 것이 바람직하다. The substrate may be provided with at least a photocurable or thermosetting resist layer on its surface. It is preferable that the said inversion type is formed of bendable resin, and the back surface side of the said inversion type is provided with the base which supports the said inversion type.

상기 반전형은 상기 대좌에 대하여 둘레 가장자리에 기밀하게 접착되고, 상기 반전형을 상기 기판에 가압할 때에, 상기 반전형과 상기 대좌와의 사이에 소정압력의 기체를 주입하여 상기 반전형의 표면을 상기 기판을 향하여 팽출 가능하게 하는 것이 바람직하다. 상기 반전형의 이면 또는 상기 대좌의 상기 반전형에 접하는 면측의 적어도 한쪽에는 상기 반전형과 상기 대좌가 밀착하는 것을 방지하는 수단이 형성되어 있는 것이 바람직하다. The inverted type is hermetically adhered to a circumferential edge with respect to the pedestal, and when pressing the inverted die on the substrate, a gas of a predetermined pressure is injected between the inverted die and the pedestal so that the surface of the inverted die is opened. It is preferable to make it expandable toward the said board | substrate. It is preferable that a means for preventing the inverted type and the pedestal from being in close contact is formed on at least one of the back surface of the inverted type or the surface side of the pedestal in contact with the inverted type.

또, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의하면 한 면에 다수의 오목부가 형성된 기판과, 이 기판의 한 면에 성막된 반사막을 구비하여 이루어지는 반 사체의 제조방법으로서, 상기 오목부를 형성함에 있어서 상기 오목부의 형상을 본뜬 다수의 요철을 구비한 마스터형으로부터 제 1 반전형을 성형하고, 이 제 1 반전형으로부터 상기 마스터형을 본뜬 다수의 요철을 구비한 복제(replica)형을 성형하고, 이 복제형으로부터 제 2 반전형을 복수개 성형하며, 이 제 2 반전형을 1매의 지지판에 복수 배열하여 상기 기판의 구성재료에 형 가압함으로써 상기 반사체를 얻는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조방법이 제공된다. 또 상기 제 1 반전형 및 제 2 반전형은 각각 수지로 형성되면 좋다. In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a reflector comprising a substrate having a plurality of recesses formed on one surface and a reflective film formed on one surface of the substrate. A first inverted mold is formed from a master mold having a plurality of irregularities modeled after the shape of the recess, and a replica type provided with a plurality of irregularities modeled after the master mold is formed from the first inverted mold. A plurality of second inverted dies are molded from a replica type, and a plurality of the second inverted dies are arranged on one support plate to mold-press the constituent material of the substrate, thereby obtaining the reflector. . The first inverted type and the second inverted type may each be formed of resin.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 먼저 제일 먼저 본 발명의 반사체의 제조장치에 의하여 제조되는 반사체의 일례에 대하여 설명한다. 도 1은 반사체의 구성의 일례를 나타내는 부분사시도이고, 도 2는 도 1에 나타내는 반사체의 단면모식도이며, 도 3a는 도 1에 나타내는 반사체에 형성된 오목부의 평면구성도이고, 도 3b는 도 3에 나타내는 G-G 선을 따르는 단면구성도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. First, an example of the reflector manufactured by the manufacturing apparatus of the reflector of this invention is demonstrated first. 1 is a partial perspective view showing an example of the configuration of a reflector, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the reflector shown in FIG. 1, FIG. 3A is a plan configuration diagram of a recess formed in the reflector shown in FIG. 1, and FIG. 3B is shown in FIG. 3. It is a cross-sectional block diagram along the GG line shown.

도 1에 나타내는 바와 같이, 반사체(10)는 기판(11)과, 이 기판(11)의 한 면(11a)상에 적층된 Al이나 Ag 등의 고반사율의 반사막(12)으로 개략 구성되어 있다. 기판(11)은 지지층(15)과, 이 지지층(15)상에 형성된 레지스트층(16)으로 구성되어 있다. 레지스트층(16)은 반사막(12)에 소정의 표면형상, 즉 레지스트층(16)의 오목부(13)를 본뜬 오목부(12a)를 주는 것으로, 한 면(11a)에 복수의 오목부(13)가 설치되어 있다. As shown in FIG. 1, the reflector 10 is comprised by the board | substrate 11 and the reflecting film 12 of high reflectivity, such as Al and Ag, laminated | stacked on the one surface 11a of this board | substrate 11, and is comprised. . The substrate 11 is composed of a support layer 15 and a resist layer 16 formed on the support layer 15. The resist layer 16 provides the reflective film 12 with a predetermined surface shape, that is, a recess 12a in which the recess 13 of the resist layer 16 is modeled. 13) is installed.

이와 같은 오목부는, 예를 들면 소성 변형성의 금속, 수지 등의 모형재 표면 에, 그 선단형상이 목적으로 하는 반사체의 오목부 단면형상에 대응한 가공도구를 깊이 및 그 피치를 일일이 제어하면서 랜덤하게 다수 가압함으로써 형성하고, 또한 얻어진 모형(마스터)을 기초로 가공용 형을 2회 반전시킨 것을 이용하여 형성 가능하다. Such concave portions are randomly controlled, for example, on a surface of a model material such as a plastically deformable metal or a resin, by controlling the depth and the pitch of a processing tool corresponding to the concave cross-sectional shape of the reflector intended for the tip shape thereof. It can form by pressurizing a lot and can also be formed using what reversed the mold for processing twice based on the obtained master (master).

이와 같은 오목부(13)에 의하여 반사막(12)에 오목부(12a)가 형성되고, 반사막(12)에 얼룩이 없는 균일한 반사성을 준다. 이와 같은 기판(11)을 구성하는 지지층(15)은 예를 들면 SiO2부착의 유리판 또는 고분자 필름(PET, 폴리카보네이트, 아크릴, 트리아세틸셀룰로스 등)으로 구성되면 좋고, 또 레지스트층(16)은 자외선 경화성 수지로 구성되어 있으면 좋다. 이와 같은 기판(11)의 두께는 예를 들면 5내지 1000㎛의 범위이면 바람직하다. The recessed portion 12a is formed in the reflective film 12 by the recessed portion 13, thereby giving the reflective film 12 uniform reflectivity without spots. The support layer 15 constituting such a substrate 11 may be made of, for example, a glass plate with SiO 2 or a polymer film (PET, polycarbonate, acrylic, triacetyl cellulose, etc.), and the resist layer 16 What is necessary is just to consist of ultraviolet curable resin. The thickness of such a board | substrate 11 is preferable in it being the range of 5 to 1000 micrometers, for example.

반사막(12)은 기판의 한 면(11a)상에, 예를 들면 Al이나 Ag 등의 고반사 특성의 금속을 증착하여 형성하면 되고, 막두께는 0.05 내지 0.3㎛의 범위가 좋으며, 0.08∼0.2㎛의 범위가 특히 바람직하다. 반사막(12)의 막두께가 0.05㎛ 미만이면 반사율이 저하하여 버리기 때문에 바람직하지 않고, 0.3㎛를 넘으면 필요 이상으로 성막비용이 드는 것이나, 오목부(13)에 의하여 주어지는 오목부(12a)가 작아져 버리기 때문에 바람직하지 않다. The reflective film 12 may be formed by depositing a metal having high reflection characteristics such as Al or Ag on one surface 11a of the substrate, and the film thickness is preferably in the range of 0.05 to 0.3 µm, and 0.08 to 0.2. Particularly preferred is a range of μm. If the film thickness of the reflecting film 12 is less than 0.05 µm, the reflectance decreases, which is not preferable. If the thickness of the reflecting film 12 is more than 0.3 µm, the film forming cost is more than necessary, and the recess 12a given by the recess 13 is small. It is not preferable because it is lost.

오목부(13)는 기판(11)의 레지스트층(16)에 대하여 뒤에서 상세하게 설명하는 반전형을 이용하여 가열 형 가압가공(이른바 엠보스가공) 또는 가열없는 형 가압가공에 의하여 형성된 것으로, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이 반사막(12)상 에 있어서, 각 오목부(13)의 윤곽(13c)끼리가 서로 접하고 있다. 이 윤곽(13c)끼리가 접하는 부분은 끝이 뾰족한 피크형상으로 형성되고, 오목부(13)끼리의 사이에 있는 평탄부분(13d)의 영역이 적은 것이 반사 특성상 바람직하다. 즉, 윤곽(13C)끼리가 접하는 부분이 뾰족한 피크형상으로 됨으로써, 오목(또는 볼록)부의 단면 경사각에 의하여 반사체에 부여되는 소정의 반사시각 특성에 있어서 원하는 시각범위에서 높아지도록 제어되기 때문이다. 이와 같은 단면형상의 제어는, 기존의 가공법, 예를 들면 샌드 블러스트법, 다수매의 계조 마스크를 이용한 포토 리소그래피, 또는 이들의 조합에 의한 방법 등으로는 실현 불가능하다. The recessed part 13 is formed by heating type pressurization (so-called embossing) or heating type pressurization without using the inverted type described later in detail with respect to the resist layer 16 of the substrate 11. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the contours 13c of the recesses 13 are in contact with each other on the reflective film 12. The portions where the contours 13c are in contact with each other are formed in a sharp peak shape, and it is preferable from the characteristics of the reflection that the areas of the flat portions 13d between the recesses 13 are small. In other words, the portions in which the contours 13C are in contact with each other become a sharp peak shape, and are controlled so as to be higher in a desired viewing range in the predetermined reflection time characteristic imparted to the reflector by the cross-sectional inclination angle of the concave (or convex) portion. Such control of the cross-sectional shape cannot be realized by conventional processing methods such as sand blasting, photolithography using a plurality of gradation masks, or a combination thereof.

또 도 3에 나타내는 바와 같이, 오목부(13)의 내면은, 예를 들면 각각 반경이 다른 2개의 구면의 일부인 제 1 곡면(13a)과, 제 2 곡면(13b)을 포함하고 있고, 이들 곡면(13a, 13b)의 중심(O1, O2)은 오목부(13)의 최심점(O)의 법선상에 배치되어 있다. 제 1 곡면(13a)은 O1을 중심으로 하는 반경(R1)의 구면의 일부가 되고, 제 2 곡면(13b)은 O2를 중심으로 하는 반경(R2)의 구면의 일부로 되어 있다. 그리고, 도 3a에 나타내는 평면도에 있어서, 오목부(13)의 최심점(O)을 통과하여, G-G 선에 직교하는 직선(H)의 근방에 있어서 제 1 곡면(13a)과 제 2 곡면(13b)이 개략 구획되어 있다. 오목부(13)의 깊이는 예를 들면 0.3 내지 2.0㎛ 정도로 형성되면좋다. 또 인접하는 오목부(13)는 1㎛ 이상 30㎛ 이하의 범위 내의 피치로 불규칙하게 흩어져 있는 것이 바람직하다. 3, the inner surface of the recessed part 13 contains the 1st curved surface 13a and the 2nd curved surface 13b which are a part of two spherical surfaces respectively, for example, whose radius is different, and these curved surfaces The centers O1 and O2 of the 13a and 13b are arranged on the normal line of the deepest point O of the recess 13. The first curved surface 13a becomes part of the spherical surface of radius R1 centered on O1, and the second curved surface 13b is part of spherical surface of radius R2 centered on O2. And in the top view shown in FIG. 3A, the 1st curved surface 13a and the 2nd curved surface 13b are passed through the deepest point O of the recessed part 13, and in the vicinity of the straight line H orthogonal to a GG line. ) Is roughly divided. The depth of the recess 13 should just be formed about 0.3-2.0 micrometers, for example. Moreover, it is preferable that the adjacent recessed parts 13 are irregularly scattered by the pitch within the range of 1 micrometer or more and 30 micrometers or less.

이와 같이 함으로써, 불필요한 모아레(반사체의 이들 미소한 요철형상과 액정 표시소자의 전극 또는 컬러필터 패턴의 규칙성이 간섭함으로써 발생한다) 또는 무지개형상의 간섭색의 발생을 억제하면서, 또한 반사시각 특성이 원하는 시각범위에서 높아지도록 제어된 반사체를 얻을 수 있다. By doing in this way, while suppressing generation | occurrence | production of unnecessary moiré (it arises by interference of these minute uneven | corrugated shapes of a reflector and the regularity of the electrode or a color filter pattern of a liquid crystal display element), or rainbow-shaped interference color, reflection visual characteristic is desired A reflector controlled to be high in the viewing range can be obtained.

도 4는 상기한 바와 같은 구성의 반사체(10)에, 도 3에 있어서의 도시 우측으로부터 입사각 30°로 광을 조사하고, 수광각을 반사면에 대한 정반사의 방향인 30°를 중심으로 하여 ±30°의 범위(0°내지 60°; 0°가 반사체 한 면의 법선방향에 상당)에서 흔들어 반사체(10)의 반사율(%)을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. FIG. 4 irradiates light to the reflector 10 having the above-described configuration from the right side of the drawing in FIG. 3 at an incident angle of 30 °, and the light-receiving angle is centered on 30 ° which is the direction of regular reflection with respect to the reflective surface. It is a graph which shows the result of measuring the reflectance (%) of the reflector 10 by shaking in the range of 30 degrees (0 degrees-60 degrees; 0 degrees correspond to the normal direction of one surface of a reflector).

도 4에 나타내는 그래프로부터 분명한 바와 같이, 상기 구성을 구비한 반사체(10)에 의하면, 반경이 비교적 작은 구면으로 이루어지는 제 2 곡면(13b)의 경사각(예를 들면 도 3b에 나타내는 바와 같이 오목부 단면을 미소구간 예를 들면 0.5 ㎛ 정도 또는 그것 이하로 구분하여 구한 단면의 경사각)의 절대치가 비교적 크기 때문에, 반사광이 광각으로 산란되어 약 15°내지 50°의 넓은 수광각 범위에서 높은 반사율을 얻을 수 있다. 또 반경이 비교적 큰 구면으로 이루어지는 제 1 곡면(13a)에 있어서의 반사에 의하여 상기 제 2 곡면(13b)보다도 특정방향의 좁은 범위로 산란되는 반사가 생기기 때문에, 전체로서 반사율이 정반사방향인 30°보다도 작은 각도에서 최대가 되고, 그 피크의 근방에 있어서의 반사율도 높아진다. As is apparent from the graph shown in FIG. 4, according to the reflector 10 having the above configuration, the inclination angle (for example, as shown in FIG. 3B) of the second curved surface 13b formed of a spherical surface having a relatively small radius is shown in cross section. Since the absolute value of the cross section obtained by dividing the micro-section into, for example, about 0.5 μm or less) is relatively large, the reflected light is scattered at a wide angle to obtain a high reflectance in a wide light receiving range of about 15 ° to 50 °. have. Moreover, since reflection in the 1st curved surface 13a which consists of a spherical surface with a relatively large radius produces reflection which scatters in a narrow range of a specific direction rather than the said 2nd curved surface 13b, the reflectance as a whole is 30 degree which is a specular reflection direction. It becomes the maximum at a smaller angle, and the reflectance in the vicinity of the peak also becomes high.

그 결과, 반사체(10)에 입사하여 반사된 광의 피크가 정반사방향보다도 반사체(10)의 법선방향에 가까운 측으로 시프트하기 때문에, 반사체(10) 정면방향의 반사휘도를 높일 수 있다. 따라서 이와 같은 반사체(10)가 액정 표시장치의 반사층에 적용되면, 액정 표시장치의 정면방향에 있어서의 반사휘도를 향상시킬 수 있어, 액정 표시장치의 관찰자방향으로의 휘도를 높일 수 있다. 또한 상기한 예에서는 오목부의 곡면이 구면인 예로 설명하였으나, 경사각이 제어된 구면 이외의 곡면이어도 동일한 효과를 얻을 수 있다. As a result, since the peak of the light incident on the reflector 10 and reflected is shifted toward the side closer to the normal direction of the reflector 10 than the normal reflection direction, the reflectance of the reflector 10 in the front direction can be increased. Therefore, when such a reflector 10 is applied to the reflective layer of the liquid crystal display device, the reflected luminance in the front direction of the liquid crystal display device can be improved, and the luminance in the observer direction of the liquid crystal display device can be increased. In the above example, the curved surface of the concave portion has been described as an example of spherical surface, but the same effect can be obtained even if the curved surface other than the spherical surface whose tilt angle is controlled.

다음에 본 발명의 반사체의 제조장치에 대하여 설명한다. 도 5는 반사체를 제조할 때에 사용하는 형 가압 가공기(반사체의 제조장치)의 일부(가공헤드부)를 나타내는 단면도이다. 형 가압 가공기(20)를 사용하여 반사체(10)를 제조할 때에는 SiO2부착 유리판 등으로 형성된 지지층(15)상에 자외선 경화성 수지 등으로 이루어지는 레지스트재(18)를 도포한 기판 재료(19)를 준비하고, 이 기판 재료(19)를 형 가압 가공기(20)에 세트한다. Next, the manufacturing apparatus of the reflector of this invention is demonstrated. It is sectional drawing which shows a part (processing head part) of the type | mold press working machine (manufacturing apparatus of a reflector) used when manufacturing a reflector. The type pressurizing machine a substrate material 19 coated with a resist material 18 made of an ultraviolet-curing resin or the like onto the support layer 15 formed by such as SiO 2 attached to a glass plate when manufacturing a reflector (10) by using 20 The substrate material 19 is set in the mold press working machine 20.

형 가압 가공기(20)는 반전형(23)과 금속(예를 들면 SUS제)의 대좌(24)로 이루어지는 형 가압 블럭(21)과, 이 형 가압 블럭(21)이 설치되는 SUS제의 베이스 플레이트(22)를 구비하고 있다. 도 6은 반전형(23)을 표면측에서 보았을 때의 외관사시도이다. 반전형(23)은 예를 들면 두께 10 mm 정도의 고무탄성체, 예를 들면 니트릴계, 우레탄계, 아크릴계, 불소계, 실리콘계 등으로부터 적절히 선택된 고무로 형성되면 좋고, 표면에 다수의 미세한 볼록부(25)가 형성되어 있다. The die pressurizing machine 20 is a die press block 21 formed of an inverted die 23 and a base 24 made of metal (for example, made of SUS), and a base made of SUS on which the die press block 21 is installed. The plate 22 is provided. 6 is an external perspective view of the inverted die 23 viewed from the surface side. The inverted type 23 may be formed of a rubber elastic material having a thickness of about 10 mm, for example, nitrile, urethane, acrylic, fluorine, silicone, or the like appropriately selected, and has a number of fine convex portions 25 on the surface thereof. Is formed.

여러가지의 고무탄성체에 요구되는 특성으로서는, 레지스트제 또는 그 용제에 대한 안정성, 또는 이들 재료계와의 박리성, 작은 중합 비틀림, 형상 안정성, 기계적인 변형에 대한 내구성 또는 복원성 등이다. 이들의 요구를 만족하는 것으로서는 불소계 또는 실리콘계 등이 바람직하고, 이 중에서 고무경도 30 내지 60의 것이 선택되면 좋은 결과를 얻을 수 있다. 경도가 낮은 경우에는 가압가공 직후의 기판 표면으로부터의 박리시에 얼룩이 생기기 쉬워져 바람직하지 않다. 또 경도가 너무 단단하면 가압 가공되는 오목부의 깊이가 부족되어 원하는 반사특성이 얻어지기 어렵기 때문에 바람직하지 않다. 또 실온 내지 50℃ 이하의 온도에서 경화되는 것이면 경화 왜곡이 작고, 또는 성형시에 마스터형의 미세한 요철 단면형상, 깊이, 피치를 충실하게(99% 이상의 치수 정밀도로) 재현 가능하기 때문에 바람직하다. Properties required for various rubber elastomers include stability to a resist agent or a solvent thereof, or peelability with these material systems, small polymerization torsion, shape stability, durability or resilience to mechanical deformation, and the like. As satisfy | filling these requirements, a fluorine type or a silicone type etc. are preferable, and when a thing of rubber hardness 30-60 is chosen among these, a good result can be obtained. When the hardness is low, unevenness tends to occur at the time of peeling from the substrate surface immediately after pressure processing, which is not preferable. In addition, if the hardness is too hard, it is not preferable because the depth of the recessed portion to be pressurized is insufficient and the desired reflection characteristic is hardly obtained. Moreover, when hardening at the temperature of room temperature -50 degrees C or less, hardening distortion is small or it is preferable at the time of shaping | molding because it can reproduce faithfully the fine cross-sectional shape, depth, and pitch of a master type | mold (with 99% or more of dimensional precision).

또 고무두께는 반전형의 길이 치수에도 의존하나, 반전형 치수가 4O 내지 100mm에서는, 통상 6mm 내지 15mm가 된다. 6mm 이하에서는 가압시에 과잉변형이 일어나기 쉽게 되어, 오목부의 단면형상이 변형되거나, 가압가공후 기판으로부터의 박리시에 얼룩이 생기기 쉽고, 또한 형의 내구성도 저하한다. 한편 15 mm 이상에서는 전체의 오목부의 깊이가 얕아지게 되거나, 형 주변부에서 특히 가압부족이 되기 쉽다. The rubber thickness also depends on the length of the inverted type, but in the case of the inverted size of 40 to 100 mm, the rubber thickness is usually 6 mm to 15 mm. At 6 mm or less, excessive deformation tends to occur at the time of pressurization, so that the cross-sectional shape of the concave portion is deformed, or staining is likely to occur at the time of peeling from the substrate after pressure processing, and the durability of the mold is also reduced. On the other hand, in the case of 15 mm or more, the depth of the entire concave portion becomes shallow or tends to be particularly insufficient in pressure at the mold peripheral portion.

이 볼록부(25)는 반사체(10)에 형성하는 오목부(13)를 반전시킨 형상이면 좋고, 기판 재료(19)의 레지스트재(18) 표면에 가압함으로써 레지스트재(18)에 오목부(13)를 형성한다. 또한 오목부(13)는 상기한 바와 같이 평면형상이나 단면형상이 제어된 직경, 깊이가 다른 것을 랜덤하게 배열하는 것이 바람직하다. The convex portion 25 may be a shape in which the concave portion 13 formed in the reflector 10 is inverted, and the concave portion 25 is applied to the resist material 18 by pressing the surface of the resist material 18 of the substrate material 19. 13). In addition, it is preferable that the recessed part 13 arrange | positions the thing from which the diameter and depth of which planar shape or cross-sectional shape were controlled as mentioned above differs at random.

도 7은 반전형(23)을 이면측에서 보았을 때의 외관사시도이다. 반전형(23)의 이면측에는 블러스트처리 등으로 형성되는 표면 거칠기 수 ㎛ 정도의 미세한 요철(28)이 대좌(24)에 접착되는 주변부(27)를 제외하고 반전형의 내면의 대략 전면에 형성되어 있다. 이와 같은 요철형상은 반전형의 성형시에 그 성형 마스터 표면 에 미리 형성하여 둠으로써 간단하게 부여 가능하다. 또 요철(28)은 적어도 도 9에 나타내는 통기구멍(34)의 한쪽 끝에 접하는 부분을 중심으로 형성되어 있으면 좋다. 7 is an external perspective view of the inverted shape 23 viewed from the back side. On the back surface side of the inverted type 23, a fine unevenness 28 having a surface roughness of several micrometers, which is formed by a blast treatment or the like, is formed on approximately the entire surface of the inner surface of the inverted type except for the peripheral portion 27 bonded to the pedestal 24. It is. Such an uneven shape can be easily provided by forming the uneven shape on the molding master surface beforehand. In addition, the unevenness | corrugation 28 should just be formed centering on the part which contact | connects one end of the ventilation hole 34 shown in FIG.

반전형(23)의 주변부(27)의 각에는 역부착 방지용 마크(29)가 일체로 형성되어 있다. 이와 같은 마크(29)는 나중에 그 구성을 상세하게 설명하는 대좌(24)에 대하여 반전형(23)을 설치할 때에 설치방향을 규제하는 역활을 한다. 이 식별 마크는 도면에 나타내는 바와 같은 것에 한정하지 않고, 코너부의 각을 떨어뜨리는 것이나 문자표시 등이어도 좋다. In each of the peripheral portions 27 of the inverted type 23, the anti-sticking mark 29 is integrally formed. Such mark 29 plays a role of restricting the installation direction when installing the inverted type 23 with respect to the pedestal 24 which explains the structure in detail later. This identification mark is not limited to that shown in the figure, and may be an angle drop or a letter display.

도 8은 대좌(24)를 이면측에서 보았을 때의 외관사시도이다. 대좌(24)는 예를 들면 두께 20 mm 정도의 스테인레스로 형성되면 되고, 한 면의 둘레 가장자리부에는 일정 폭으로 반전형을 접착하는 접착하기 위해 남겨놓은 부분(31)이 형성되어 있다. 8 is an external perspective view when the pedestal 24 is viewed from the back side. The pedestal 24 may be formed of, for example, stainless steel having a thickness of about 20 mm, and a portion 31 left for bonding the inverted die with a predetermined width is formed at the peripheral edge of one surface.

또, 대좌(24)의 한쪽의 둘레 가장자리에는 역부착 방지용 마크(42)가 각각 형성되어 있다. 이와 같은 마크(42)는 도 7에 나타내는 반전형(23)의 마크(29)에 각각 걸어 맞춰진다. 마크(29, 42)는 반전형(23), 대좌(24)의 각각 한쪽측에만 형성되어 있기 때문에, 반전형(23)과 대좌(24)의 설치 가능한 방향은 한쪽으로 규정된다. 반사막(12)의 오목부(12a)는 일정한 규칙성을 가지고 반사방향을 제어하고 있기 때문에, 반전형(23)과 대좌(24)의 설치방향을 한쪽으로 규제함으로써, 미리 설계한 반사각으로 빛을 반사하는 반사체(10)를 제조할 수 있다. 이 때문에 형 가압 블럭(21)의 제조시에 미리 규정한 방향 이외의 방향으로 반전형(23)과 대좌(24) 를 걸어 맞추게 하는 실수를 방지하는 것이 중요하다. Moreover, the anti-sticking mark 42 is formed in one peripheral edge of the base 24, respectively. Such marks 42 are fitted to the marks 29 of the inverted shape 23 shown in FIG. 7, respectively. Since the marks 29 and 42 are formed only on one side of each of the inverted shape 23 and the pedestal 24, the directions in which the inverted shape 23 and the pedestal 24 can be installed are defined to one side. Since the concave portion 12a of the reflective film 12 controls the reflection direction with a constant regularity, light is controlled at a predetermined reflection angle by regulating the installation directions of the inverted type 23 and the pedestal 24 to one side. The reflecting body 10 which reflects can be manufactured. For this reason, it is important to prevent the mistake which makes the inverted type | mold 23 and the base 24 fit in the direction other than the direction prescribed | regulated at the time of manufacture of the mold | type press block 21.

도 9는 대좌(24)를 표면측에서 보았을 때의 외관사시도이다. 대좌(24)의 중앙에는 상면(24a)으로부터 반전형(23)과의 대향면(도 8 참조)까지 관통하는 통기구멍(34)이 형성되어 있다. 또 통기구멍(34)의 좌우에는 위치결정구멍(35) 및 나사구멍(36)이 각각 형성되어 있다. 9 is an external perspective view of the pedestal 24 when viewed from the surface side. In the center of the pedestal 24, a ventilation hole 34 penetrating from the upper surface 24a to the opposing surface (see Fig. 8) with the inverted shape 23 is formed. Moreover, the positioning hole 35 and the screw hole 36 are formed in the left and right of the ventilation hole 34, respectively.

다시 도 5를 참조하여 반전형(23)의 주변부(27)와 접착하기 위해 남겨 둔 부분(31)과의 사이에는 접착층(33)이 형성되어 있다. 이와 같은 접착층(33)은 반전형(23)과 대좌(24)를 연결함과 동시에, 반전형(23)과 대좌(24)의 대향면과의 간극을 기밀하게 유지한다. Referring to FIG. 5 again, an adhesive layer 33 is formed between the peripheral portion 27 of the inverted type 23 and the portion 31 left for bonding. Such an adhesive layer 33 connects the inverted shape 23 and the pedestal 24 and maintains the gap between the inverted shape 23 and the opposing surface of the pedestal 24 in an airtight manner.

베이스플레이트(22)는 예를 들면 두께 20 mm 정도의 금속판으로 형성하면 좋고, 상하 이동기구(도시 생략)에 설치되어 형 가압 블럭(21)를 상하 이동시킨다. 베이스플레이트(22)에는 형 가압 블럭(21)이 복수개 설치되면 되고, 각각의 형 가압 블럭(21)의 설치위치에는 대좌(24)의 위치결정구멍(35)에 끼워 맞추는 위치 결정돌기(37)가 돌출 설치되어 있다. 이와 같은 위치결정구멍(35)과 위치결정돌기(37)의 끼워 맞춤에 의하여 형 가압 블럭(21)은 베이스플레이트(22)의 소정위치에 위치 결정된다. The base plate 22 may be formed of, for example, a metal plate having a thickness of about 20 mm. The base plate 22 is provided in a vertical movement mechanism (not shown) to move the mold pressing block 21 up and down. The base plate 22 may be provided with a plurality of mold pressing blocks 21, and the positioning protrusions 37 to be fitted to the positioning holes 35 of the pedestal 24 at the installation positions of the mold pressing blocks 21 respectively. Is installed to protrude. The mold pressing block 21 is positioned at a predetermined position of the base plate 22 by the fitting of the positioning holes 35 and the positioning projections 37.

베이스플레이트(22)가 대좌(24)의 통기구멍(34)에 대응하는 위치에는, 통기개구(38)가 형성되고, 또 대좌(24)의 나사구멍(36)에 대응하는 위치에는 나사개구(39)가 각각 형성되어 있다. 그리고 나사(41)를 나사개구(39)를 거쳐 나사구멍(36)에 나사 결합시킴으로써, 베이스플레이트(22)에 형 가압 블럭(21)이 고정된다. A vent opening 38 is formed at the position where the base plate 22 corresponds to the vent hole 34 of the pedestal 24, and at the position corresponding to the screw hole 36 of the pedestal 24, a screw opening ( 39 are formed respectively. Then, by screwing the screw 41 into the screw hole 36 via the screw opening 39, the mold pressing block 21 is fixed to the base plate 22.

한편, 통기개구(38)에는 예를 들면 공기를 공급하는 경우, 컴프레서(도시 생략)로부터 연장되는 공기 급배기관(42)이 접속된다. 이와 같은 공기 급배기관(42)으로부터는 형 가압 블럭(21)을 기판 재료(19)의 레지스트재(18) 표면에 가압하여 오목부를 형성할 때에 압력 제어된 공기가 보내지고, 통기구멍(34)을 거쳐 반전형(23)과 대좌(24)의 대향면과의 사이에 공기층을 형성한다. 이와 같이 공기층을 형성함으로써 고무제의 반전형(23)이 중앙부분을 중심으로 약간 팽창하여 형 가압 블럭(21)을 기판 재료(19)로부터 떼어 낼 때에 레지스트재(18) 표면에 형성된 경화 전의 오목부의 형 무너짐을 방지한다. On the other hand, the air supply / exhaust pipe 42 extending from a compressor (not shown) is connected to the ventilation opening 38 when air is supplied, for example. From such an air supply and exhaust pipe 42, pressure-controlled air is sent when the mold pressing block 21 is pressed against the surface of the resist material 18 of the substrate material 19 to form a recess, and the vent hole 34 is provided. An air layer is formed between the inverted type 23 and the opposing surface of the pedestal 24 via. By forming the air layer in this manner, the inverted shape 23 made of rubber expands slightly around the center portion to remove the mold pressing block 21 from the substrate material 19, and thus the concave before curing formed on the surface of the resist material 18. Prevent negative mold collapse.

도 10에 나타내는 바와 같이, 이와 같은 반전형(23)과 대좌(24)의 대향면과의 사이에 공기를 보내줄 때에 반전형(23)의 내면에 형성된 요철(28)에 의하여 반전형(23)의 내면이 대좌(24)의 대향면에 밀착하는 것을 방지하여 공기가 반전형의 내면 공극 전체에 균일하고 신속하게 퍼져 공기층이 형성된다. 이에 의하여 가압 가공시의 가공제어를 안정되게 행할 수 있다. As shown in FIG. 10, when air is sent between the inverted shape 23 and the opposing surface of the pedestal 24, the inverted shape 23 is formed by the unevenness 28 formed on the inner surface of the inverted shape 23. The inner surface of the c) is prevented from coming into close contact with the opposite surface of the pedestal 24 so that the air is uniformly and quickly spread throughout the inverted inner surface voids to form an air layer. Thereby, processing control at the time of pressurization can be performed stably.

따라서 반전형의 팽출정도는 중요하고, 반전형의 치수에도 의존하나, 예를 들면 길이 40 내지 100 mm의 반전형에서는 곡율반경으로 3 m 내지 10 m 정도이다. (이들의 곡율에 상당하는 팽출분의 치수는, 상기한 반전형 치수의 경우에는 0.1mm내지 1.7 mm에 상당하나, 통상은 0.3 mm 내지 1 mm에서 좋은 결과가 얻어진다) 이 곡율이 크면(10 m 이상), 평판 가압에 가깝게 되고, 오목부의 깊이가 부족되어 반사체로서의 특성이 악화된다. 오목부 깊이를 확보하려고 하면, 가압 메카니즘이 대형이 되어 장치비용도 막대해진다. 또한 가압 가공후의 기판으로부터의 박리시 에는 불균일한 박리 얼룩도 생기기 쉬워진다. 한편 곡율반경이 작으면(3 m 미만), 반전형의 중앙부와 주변부로 가공된 오목부의 깊이가 변하여 반사특성에 얼룩을 일으킨다. 또한 반전형에 대한 스트레스가 커져 반전형의 내구성이 저하되기 쉽다. Therefore, the degree of swelling of the inverted type is important and also depends on the size of the inverted type. For example, in the inverted type having a length of 40 to 100 mm, the radius of curvature is about 3 m to 10 m. (The dimension of the swelling content corresponding to these curvatures corresponds to 0.1 mm to 1.7 mm in the case of the inverted dimension described above, but usually good results are obtained at 0.3 mm to 1 mm.) m or more), close to the plate pressurization, the depth of the recess is insufficient, and the characteristics as a reflector deteriorate. If the depth of the recess is to be secured, the pressurization mechanism becomes large, and the apparatus cost also increases. Moreover, at the time of peeling from the board | substrate after a pressurization process, a nonuniform peeling stain also arises easily. On the other hand, when the radius of curvature is small (less than 3 m), the depth of the concave portion processed into the center portion and the periphery of the inverted shape is changed, which causes staining of reflection characteristics. In addition, the stress on the inverted type is increased, so the durability of the inverted type is likely to be lowered.

다음에 본 발명의 반사체의 제조장치의 작용에 대하여 레지스트재의 표면에 오목부를 형성하는 공정을 예시하여 상세하게 설명한다. 도 1에 나타내는 반사체(10)를 제조함에 있어서는, 먼저 도 11에 나타내는 바와 같이 표면에 레지스트재(45)가 적층된 지지층(15)을 구비한 기판 재료(46)를 형 가압 가공기(20)에 세트한다. Next, the process of forming a recessed part in the surface of a resist material is demonstrated in detail about the action | action of the manufacturing apparatus of the reflector of this invention. In manufacturing the reflector 10 shown in FIG. 1, the board | substrate material 46 provided with the support layer 15 by which the resist material 45 was laminated | stacked on the surface as shown in FIG. Set.

형 가압 가공기(20)는 형 가압시에 베이스플레이트(22)에 지지된 형 가압 블럭(21)을 강하시킴과 동시에, 대좌(24)의 통기구멍(34)에 컴프레서 등으로부터 압력 제어한 공기를 보내준다. 그렇게 하면 도 12에 나타내는 바와 같이 반전형(23)과 대좌(24)의 대향면과의 사이로 공기가 신속하게 퍼져 공기층(51)이 형성된다. 이와 같은 공기층(51)은 중심으로부터 둘레 가장자리를 향하여 완만하게 경사지도록 고무재로 형성된 반전형(23)을 기판 재료(46)방향으로 팽출시킨다. The die pressing machine 20 lowers the die pressing block 21 supported by the base plate 22 at the time of die pressing, and simultaneously pressurizes the air controlled by the compressor or the like to the vent hole 34 of the pedestal 24. Send it. Then, as shown in FIG. 12, air spreads quickly between the inverted type 23 and the opposing surface of the base 24, and the air layer 51 is formed. The air layer 51 expands the inverted shape 23 formed of the rubber material in the direction of the substrate material 46 so as to incline gently from the center toward the circumferential edge.

반전형(23)은 형 가압 블럭(21)의 강하에 의하여 기판 재료(46)의 레지스트재(45)에 가압되나, 이때 반전형(23)은 중심으로부터 둘레 가장자리를 향하여 완만하게 팽출되어 있기 때문에, 도 12의 파선 화살표와 같이, 반전형(23)은 레지스트재(45)와의 사이의 공기를 둘레 가장자리로 배출하면서 레지스트재(45)에 가압된다. 이와 같이 반전형(23)을 팽출시키고 나서 레지스트재(45)에 가압하면 반전형(23)과 레지스트재(45)와의 사이로 말려 든 공기를 거의 없앨 수 있다. The inverted mold 23 is pressed against the resist material 45 of the substrate material 46 by the drop of the mold pressing block 21, but at this time, the inverted mold 23 is gently expanded from the center toward the circumferential edge. 12, the inverted type 23 is pressed against the resist material 45 while discharging air between the resist material 45 to the circumferential edge. In this way, if the inverted die 23 is expanded, and then pressurized to the resist material 45, the air curled between the inverted die 23 and the resist material 45 can be almost eliminated.

반전형의 팽출의 정도와 그 속도도, 요철의 평면 또는 단면형상에 크게 영향을 미치기 때문에, 얻어지는 반사체의 반사시각 특성이 변화될 뿐만 아니라, 면 내의 반사특성의 불균일이 생겨 얼룩이 발생한다. 이와 같은 부분적인 얼룩은 반사체의 반사율이 높아지도록 고반사성 금속을 적층하고 있기 때문에 육안으로 검출되기 아주 쉽다. Since the degree of expansion of the inverted type and its speed also greatly influence the planar or cross-sectional shape of the unevenness, not only the reflection time characteristic of the resultant reflector is changed, but also unevenness of the in-plane reflection characteristic occurs and staining occurs. Such partial staining is very easy to detect with the naked eye because the highly reflective metal is laminated so that the reflectivity of the reflector is increased.

그리고, 도 13에 나타내는 바와 같이, 레지스트재(45)에 반전형(23)이 완전히 가압되면 공기층(51)은 가압에 의하여 평탄한 층이 되고, 반전형(23)의 표면도 거의 평평한 형상이 된다. 이에 의하여 레지스트재(45)에는 볼록부(25)가 반전된 형상의 오목부(13)가 원하는 단면형상이 유지되어 다수 형성된다. And, as shown in FIG. 13, when the inversion type 23 is fully pressurized by the resist material 45, the air layer 51 will become a flat layer by pressurization, and the surface of the inversion type 23 will also become a substantially flat shape. . As a result, the resist material 45 is formed with a large number of recessed portions 13 in which the convex portions 25 are inverted, in which a desired cross-sectional shape is maintained.

이후 도 14에 나타내는 바와 같이, 형 가압 블럭(21)가 상승할 때에, 공기층(51)에 걸리는 가압력을 서서히 저하시킴에 따라 반전형(23)은 다시 중심으로부터 둘레 가장자리를 향하여 완만하게 팽출하면서 기판 재료(46)로부터 멀어진다. 이와 같이 반전형(23)을 팽출하면서 기판 재료(46)로부터 떼어 냄으로써 가압 중심부로부터 주변을 향하여 서서히 반전형이 떼어 내지게 되어 오목부(13)를 형성한 레지스트재(45)에 전사 얼룩이나 박리흔적이 남는 것을 방지한다. Subsequently, as shown in FIG. 14, when the mold pressing block 21 rises, as the pressing force applied to the air layer 51 is gradually lowered, the inverted mold 23 slowly expands from the center toward the peripheral edge again, Away from material 46. In this way, by removing the inverted mold 23 from the substrate material 46 while expanding the inverted mold 23, the inverted mold is gradually removed from the pressurized center toward the periphery. Prevents traces from leaving

이때의 속도로서는, 5 mm/sec 이하가 설정된다. 그 이상에서는 얼룩이나 박리흔적이 남기 쉽다(그러나 너무 속도가 느리면, 가공시간의 증대를 초래하기 때문에, 통상은 O.1mm/sec 이상이 된다). 기판 재료(46)의 레지스트재(45)에는 반전형(23)의 볼록부(25)를 충실하게 반전시킨 정밀한 오목부(13)가 형성된다. As the speed at this time, 5 mm / sec or less is set. More than that, stains and peeling traces are likely to remain (but if the speed is too slow, the processing time is increased, so that it is usually 0.1 mm / sec or more). The resist material 45 of the substrate material 46 is formed with a fine recess 13 in which the convex portion 25 of the inverted type 23 is inverted faithfully.

이와 같이 본 발명은 모형에 그 단면형상, 깊이, 피치가 일일이 제어되어 형 성된 다수의 오목부를 충실하게 넓은 면적에 걸쳐 안정되고 균일하게 형성할 수 있는 가공장치를 주는 것이다. 특히, 목적으로 하는 반사특성이 되도록 설계된 오목부의 단면형상을 하나 하나의 오목부에 대하여 제어하면서 가공할 수 있는 것이 최대의 특징이다. 종래부터 잘 알려져 있는 확산면의 형성방법, 예를 들면 샌드 블러스트처리, 포토리소법 또는 이들을 조합시킨 가공법에서는 어느 것이나 그 오목부(또는 볼록부)의 단면형상, 특히 인접한 오목부(또는 볼록부)의 정상(또는 바닥부)의 경사각에 늘어짐이 생기기 때문에 브로드한 가우스분포형의 반사특성이 되는 것이 대부분이다. As described above, the present invention is to give a model a processing apparatus capable of forming a stable and uniform over a large area faithfully a large number of concave portions formed by controlling the cross-sectional shape, depth, pitch of each one. In particular, the greatest feature is that the cross-sectional shape of the concave portion designed to have the desired reflective characteristic can be processed while controlling the one concave portion. In the method of forming a diffusion surface which is well known in the art, for example, sand blasting, photolithography, or a combination thereof, any one of the cross-sectional shapes of the concave portion (or convex portion), in particular, the concave portion (or convex portion) Since the sloping angle of the top (or bottom part) of the slack is caused, it is most often the reflection characteristic of the broad Gaussian distribution type.

이후, 오목부(13)가 형성된 기판 재료946)에 자외선 등을 조사하여 레지스트재(45)를 경화시키고, 다시 알루미늄 등을 성막하면 도 1에 나타내는 바와 같은 레지스트층(16)에 미세한 오목부(13)가 형성된 반사체(10)를 얻을 수 있다. Subsequently, ultraviolet rays or the like are irradiated to the substrate material 946 on which the recesses 13 are formed to cure the resist material 45, and when aluminum or the like is formed again, the fine recesses (as shown in FIG. The reflector 10 in which the 13 is formed can be obtained.

다음에 본 발명의 반사체의 제조방법에 대하여 반전형의 제조과정을 중심으로 상세하게 설명한다. 반사체를 제조함에 있어서는 먼저 도 6에 나타내는 바와 같이 원형이 되는 마스터형(41)을 제조한다. 마스터형(41)은 소성 변형성의 금속, 예를 들면 알루미늄판 등을 그 표면을 평탄하게 연마한 것을 준비하여, 상기 소성변형되는 재료보다도 충분히 경도가 높은 재료, 예를 들면 초경칩, 탄화규소 또는 다이아몬드 등으로 이루어지는 압자(42)를 선단에 구비한 가공지그(43)를 상기 금속판에 타각(打刻)하면서 위치를 제어하면서 이동시켜, 금속판의 표면에 위치, 깊이, 피치 등을 제어한 오목부(요철)(44)를 다수 형성한다. 또한 금속 대신에 경질 플라스틱을 사용하는 것도 가능하고, 이 경우에는 압자(42)의 재질로서는 초경 등 보다도 유연한 재질의 것을 이용할 수 있는 것은 물론이다. Next, the manufacturing method of the reflector of this invention is demonstrated in detail centering on the manufacturing process of an inverted type | mold. In manufacturing a reflector, as shown in FIG. 6, the master type | mold 41 which becomes circular is manufactured. The master die 41 is prepared by polishing a surface of a plastically deformable metal, such as an aluminum plate, to a level that is sufficiently harder than the material to be plastically deformed, for example, cemented carbide, silicon carbide, or the like. The recessed part which controlled the position, depth, pitch, etc. on the surface of the metal plate by moving the process jig | tool 43 provided with the indenter 42 which consists of diamond etc. at the front end, controlling the position, while angled to the said metal plate. (Concave-convex) 44 is formed in many numbers. It is also possible to use hard plastic instead of metal. In this case, of course, the indenter 42 may be made of a material that is more flexible than cemented carbide.

이와 같은 마스터형(41)의 제조에 있어서는, 다이아몬드 압자(42)의 외형을, 제조 목적의 반사체(10)의 오목부(13)(도 1 참조)의 설계크기와 동일하게 하면 좋다. 또 마스터형(41)의 오목부(44)는 랜덤한 피치로 규칙성이 생기지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 이 때문에 금속판과 가공지그(43)와의 이동을 랜덤하게 행하거나 하면 좋다. 마스터형(41)에는 예를 들면 50 × 50 mm의 면에 1700만개 정도의 오목부(44)가 형성되면 좋다. 가공지그(43)의 상하이동에는 예를 들면 솔레노이드 또는 피에조소자를 이용한 투각기구를 구비한 투각기 등을 이용하면 된다.In the manufacture of such a master die 41, the external shape of the diamond indenter 42 may be made the same as the design size of the recess 13 (see FIG. 1) of the reflector 10 for the purpose of manufacture. Moreover, it is preferable to form the recessed part 44 of the master die 41 so that regularity may not generate | occur | produce in a random pitch. For this reason, the movement of the metal plate and the processing jig 43 may be performed at random. In the master die 41, about 17 million recesses 44 may be formed on a 50 × 50 mm surface, for example. For the shanghai east of the processing jig 43, for example, a hollow cabinet equipped with a hollow mechanism using a solenoid or a piezo element may be used.

도 17에 나타내는 바와 같이, 다음에 마스터형(41)을 이용하여 제 1 반전형(46)을 형성한다. 제 1 반전형(46)은 마스터형(41)에 성형성이 좋은 재료, 예를 들면 니트릴계, 우레탄계, 아크릴계, 불소계, 실리콘계 등으로부터 적절하게 선택된 고무 탄성체를 사출하여 형성하면 좋다. 이에 의하여 제 1 반전형(46)에는 마스터형(41)의 오목부(44)를 반전하여 본뜬 볼록부(47)가 형성된다. 이후 도 18에 나타내는 바와 같이 마스터형(41)으로부터 성형한 수지를 이형하여 제 1 반전형(46)을 얻을 수 있다. As shown in FIG. 17, the 1st inversion type | mold 46 is formed using the master type | mold 41 next. The first inverted die 46 may be formed by injecting a rubber elastic body appropriately selected from a moldable material such as nitrile, urethane, acryl, fluorine, silicon, or the like into the master die 41. Thereby, in the 1st inversion type | mold 46, the convex part 47 which inverted the recessed part 44 of the master type | mold 41 was formed. Then, as shown in FIG. 18, the resin shape | molded from the master mold 41 was mold-released, and the 1st reverse mold | type 46 can be obtained.

이와 같이 하여 얻은 제 1 반전형(46)을 이용하여, 도 19에 나타내는 바와 같이 복제형(51)을 형성한다. 복제형(51)은 표면에 레지스트층(52)을 적층한 지지체(53)로 이루어지고, 레지스트층(52)에는 다수의 오목부(요철)(54)이 형성되어 있다. 이와 같은 복제형(51)은 제 1 반전형(46)을 레지스트층(52)에 가압하여 오목부(요철)(54)를 형성하고, 그후 도 20에 나타내는 바와 같이 제 1 반전형(46)으로 부터 성형한 경화 전의 복제형(51)을 이형하고, 다시 이 오목부(54)가 형성된 레지스트층(52)을 자외선 등으로 경화시키면 복제형(51)을 얻을 수 있다. 이에 의하여 레지스트층(52)에는 제 1 반전형(46)의 볼록부(47)를 반전하여 본뜬 오목부(54)가 형성되고, 오목부(54)는 도 16에 나타내는 마스터형(41)의 오목부(44)와 그 단면형상, 깊이 및 피치에 있어서 동일한 형상이 된다.The replica 51 is formed using the 1st inversion type 46 obtained in this way, as shown in FIG. The replica type 51 consists of the support body 53 which laminated | stacked the resist layer 52 on the surface, and many recessed part (unevenness | corrugation) 54 is formed in the resist layer 52. As shown in FIG. Such replica type 51 presses the first inverted mold 46 to the resist layer 52 to form a recessed portion (concave-convex) 54, and then, as shown in FIG. The replica mold 51 formed before the curing was released and the resist layer 52 having the recess 54 formed thereon was cured with ultraviolet rays or the like to obtain the replica mold 51. Thereby, the recessed part 54 in which the convex part 47 of the 1st inversion type | mold 46 was inverted was formed in the resist layer 52, and the recessed part 54 of the master type 41 shown in FIG. The recess 44 has the same shape in cross-sectional shape, depth, and pitch.

이와 같이 하여 얻은 복제형(51)을 이용하여, 도 21에 나타내는 바와 같이, 제 2 반전형(56)을 다수 형성한다. 제 2 반전형(56)의 제조에 있어서는 복제형(51)에 예를 들면 실리콘수지를 사출하여 형성하면 좋다. 이에 의하여 제 2 반전형(56)에는 복제형(51)의 오목부(54)를 반전하여 본뜬 볼록부(57)가 다수 형성된다. 이때 제 2 반전형(56)의 볼록부(57)가 형성되는 면과 반대측에 표면 거칠기를 수 ㎛ 정도로 거칠게 한 면이 형성되도록 성형면을 만들면 좋다. By using the replica 51 obtained in this way, as shown in FIG. 21, many 2nd inversion types 56 are formed. In the production of the second inverted die 56, a silicone resin may be formed by injection into the replica 51, for example. Thereby, the 2nd inversion type | mold 56 is provided with many convex parts 57 in which the recessed part 54 of the replica type | mold was reversed. In this case, the molding surface may be formed such that a surface having a surface roughness of about several micrometers is formed on the side opposite to the surface on which the convex portion 57 of the second inverted die 56 is formed.

이와 같이 하여 얻어진 제 2 반전형(56)은 따로 작성한 도 5에 나타내는 대좌(24)에 설치되어, 형 가압 블럭(21)이 완성된다. 이와 같은 형 가압 블럭(2)은 도 23에 나타내는 바와 같이 형 가압 가공기(20)의 베이스플레이트(22)에 다수 배열되고, 도 1에 나타내는 반사체(10)의 레지스트층(16)에 대하여 복수개 일괄하여 1회의 가압동작으로 오목부(13)를 형 가압하여 형성할 수 있다. The 2nd inversion type | mold 56 obtained in this way is provided in the base 24 shown in FIG. 5 which created separately, and the mold pressing block 21 is completed. As shown in Fig. 23, a plurality of such mold pressing blocks 2 are arranged on the base plate 22 of the mold pressing machine 20, and a plurality of mold pressing blocks 2 are provided with respect to the resist layer 16 of the reflector 10 shown in Fig. 1. Can be formed by pressing the concave portion 13 by one pressing operation.

이상과 같이, 본 발명에 의한 반사체(100의 제조방법에서는 반사체(10)의 레지스트층(16)에 대하여 오목부(13)를 형성하는 제 2 반전형(56)을 얻기 위하여 원형인 마스터형(41)으로부터 제 1 반전형(46)을 형성하고, 이 제 1 반전형(46)을 이용하여 복제형(51)을 형성하고, 이 복제형(51)을 이용하여 다수의 제 2 반전형(56) 을 얻는다. As described above, in the manufacturing method of the reflector 100 according to the present invention, a circular master type is obtained in order to obtain the second inverted type 56 which forms the recess 13 with respect to the resist layer 16 of the reflector 10. 41, a first inverted type 46 is formed, and the first inverted type 46 is used to form a duplicate type 51, and this duplicated type 51 is used to form a plurality of second inverted types ( 56)

이에 의하여 다수의 반사체(10)의 레지스트층(16)에 대하여 일괄하여 오목부(13)를 형성할 때에, 마스터형(41)을 이용하여 직접 몇번이나 반전형을 형성할 필요가 없어진다. 따라서 제조에 시간과 비용이 드는 마스터형(41)을 다수 제조할 필요가 없고, 또 단면형상, 깊이 및 피치 중 어느 것에 있어서도 동일형상의 것을 복수 형성하는 것이 곤란한 마스터형(41)의 마멸도 방지된다. 반사체(10)를 일정한 품질로 저비용으로 대량 생산하는 것이 가능하게 된다.Thereby, when forming the recessed part 13 collectively with respect to the resist layer 16 of the several reflector 10, it becomes unnecessary to form the inverted type many times directly using the master type | mold 41. As shown in FIG. Therefore, it is not necessary to manufacture a large number of master dies 41, which require time and cost to manufacture, and also prevents abrasion of the master dies 41, which is difficult to form a plurality of identical dies in any of cross-sectional shapes, depths, and pitches. do. It is possible to mass-produce the reflector 10 at low cost with a certain quality.

(실시예 1)(Example 1)

본 발명의 제조장치의 효과를 검증하였다. 검증에 있서는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 대좌(24)의 통기구멍(34)으로부터 공기를 보내 주어 두께 약 10 mm의 실리콘고무 반전형(23)을 약 0.5 mm 팽창시키고 나서 형 가압 블럭(21)을 강하시켜, 반전형(23)을 레지스트재(45)에 약 0.5 mm/sec의 미속으로 접촉시킨 후, 서서히 하중을 걸었다. 그리고 도 13에 나타내는 바와 같이 반전형(23)을 레지스트재(45)에 단위면적 하중 0.8 kg/㎠으로 50초 동안 가압하였다. 그후 형 가압 블럭(21)을 상기와 동일한 미속으로 상승시켜 반전형(23)을 레지스트재(45)로부터 떼어 내었다. 이때 도 14에 나타내는 바와 같이, 반전형(23)을 레지스트재(45)의 둘레 가장자리부로부터 떼어 내었다. 이와 같이 하여 얻은 오목부(13)를 형성한 레지스트재(45)에는 도 15에 나타내는 바와 같이 전사 얼룩은 거의 보이지 않고 균일한 가공면를 얻을 수 있었다. The effect of the manufacturing apparatus of the present invention was verified. In the verification, as shown in FIG. 12, after the air is sent from the vent hole 34 of the pedestal 24 and the silicone rubber inverted die 23 having a thickness of about 10 mm is expanded about 0.5 mm, the mold pressing block ( 21) was lowered and the inverted mold 23 was brought into contact with the resist material 45 at a slow speed of about 0.5 mm / sec, and then a load was gradually applied. As shown in FIG. 13, the inverted mold 23 was pressed against the resist material 45 at a unit area load of 0.8 kg / cm 2 for 50 seconds. Thereafter, the mold pressing block 21 was raised to the same speed as above, and the inverted mold 23 was removed from the resist material 45. At this time, as shown in FIG. 14, the inversion type 23 was removed from the peripheral edge part of the resist material 45. As shown in FIG. Thus, as shown in FIG. 15, transfer unevenness was hardly seen in the resist material 45 which provided the recessed part 13 obtained in this way, and the uniform process surface was obtained.

이 기판을 소정의 가열조건(240도 × 약 1시간)으로 처리한 후, 알루미막을 약 1500Å 증착하여 반사체 기판으로 하고, 다시 CF(컬러필터)층을 형성한 후, STN 패널을 제작하였다. After the substrate was treated under a predetermined heating condition (240 ° C. for about 1 hour), an alumina film was deposited at about 1500 GPa to form a reflector substrate, and then a CF (color filter) layer was formed again to prepare an STN panel.

얻어진 STN 패널은, 패널 전면에서 균일하고 높은 반사성(반사율 40%)을 나타냄과 동시에, 도 4에 나타내는 바와 같이 패널 법선으로부터 10 내지 20도 이내에 최대의 반사휘도를 얻을 수 있었다.The obtained STN panel exhibited uniform high reflectivity (reflectance of 40%) on the entire panel, and at the same time, the maximum reflectance was obtained within 10 to 20 degrees from the panel normal as shown in FIG. 4.

(실시예 2)(Example 2)

상기와 동일한 장치를 이용하여 반전형이 기판에 접촉할 때의 반전형의 하강속도를 0.1 내지 0.5 mm/sec의 범위로 바꾸어 가공하였으나, 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 또 실시예 1에 나타내는 것과 동일하게 STN 패널을 제작하여 패널특성을 평가한 바, 마찬가지로 양호한 결과를 얻을 수 있었다. 이와 같은 결과를 표 1에 나타낸다.Using the same apparatus as above, the inverted die's falling speed when contacting the substrate was changed to a range of 0.1 to 0.5 mm / sec, but good results were obtained. Moreover, when the STN panel was produced and the panel characteristic was evaluated similarly to Example 1, the favorable result was similarly obtained. These results are shown in Table 1.

속도, mm/sSpeed, mm / s 가공후의 레지스트 표면 외관Surface appearance of resist after processing 0.10.1 ◎, 얼룩없음.◎, no stain. 0.200.20 ◎, 얼룩없음.◎, no stain. 0.300.30 ◎, 얼룩 거의 없음.◎, almost no dirt. 0.500.50 ○, 매우 경미한 얼룩.(기판에 비스듬하게 강한 빛을 조사하면 희미하게 줄무늬형상 얼룩)○, very slight stains. (Slightly streaked stains when irradiated with strong light obliquely to the substrate)

(실시예 3)(Example 3)

두께를 표 2와 같이 변화시킨 실리콘고무 반전형을 세트한 상기와 같은 장치를 이용하여 미소 요철형상의 가공을 행하였다. 어느 것이나 양호한 결과를 얻을 수 있었으나, 특히 8mm 내지 12m에서는 양호한 결과를 얻을 수 있었다.Micro uneven | corrugated process was performed using the above apparatus which set the silicone rubber inversion type which changed the thickness as shown in Table 2. In any case, good results were obtained, but particularly good results were obtained at 8 mm to 12 m.

반사형의 두께(mm)Reflective thickness (mm) 가공후의 레지스트 표면 외관Surface appearance of resist after processing 66 △, 가압횟수가 증가하면(200회 이상), 랜덤하게 경미한 얼룩발생.△, when the number of times of pressurization increases (more than 200 times), random minor staining occurs. 88 ◎, 양호, 얼룩없음.◎, good, no stain. 1010 ◎, 양호, 얼룩없음.◎, good, no stain. 1212 ◎, 양호, 단 금형 외주부 상당부분에 반사특성이 약간 변하는 부분있음.◎, Good, but there is a part where the reflective characteristic is slightly changed in the substantial part of the outer peripheral part of the mold. 1414 △, 금형 외주부 상당부분에 반사특성이 변하는 부분 있음. 얼룩이 눈에 띈다.(Triangle | delta), The part with which a reflective characteristic changes in the substantial part of a mold outer peripheral part exists. The stain is noticeable.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

실시예 1과 동일한 치수의 반전형에 있어서, 그 중심부가 주변부에 대하여 약 60㎛ 미리 팽출한 실리콘으로 이루어지는 형을 이용하여 레지스트재에 오목부를 가압하였다. 이때의 반전형의 하강 ∼ 가압 ∼ 상승의 조건은 실시예 1과 동일하였다. 얻어진 가공표면의 거의 중앙부에는 경미한 선형상의 얼룩이 발생하였다. 또 주변부에는 희미하게 가는 불규칙한 방사상의 얼룩이 다수 발생되어 있었다. In the inverted type having the same dimensions as in Example 1, the recess was pressed to the resist material by using a mold whose center portion was made of silicon which was previously expanded about 60 µm with respect to the peripheral portion. The conditions of the falling-pressing-increasing of the inversion type at this time were the same as that of Example 1. Slightly linear unevenness occurred in the central portion of the obtained processed surface. In addition, a number of faintly irregular radial spots were generated at the periphery.

이와 같이 하여 얻어진 요철형상면을 소정의 가열조건(240도 × 약 1시간)으로 가열 경화한 후, 알루미막을 약 1500Å 증착하여 반사체 기판으로 하였다. 이것을 이용하여 STN 패널을 제작한 바, 전압 인가하지 않은 초기상태에 있어서, 패널면 내의 중앙부 및 주변부에 선형상의 얼룩을 현저하게 볼 수 있었다. The uneven surface thus obtained was heat-cured under a predetermined heating condition (240 deg. X about 1 hour), and then an alumina film was deposited at about 1500 Pa to form a reflector substrate. When the STN panel was produced using this, in the initial state without voltage application, linear unevenness was remarkably seen in the central portion and the peripheral portion of the panel surface.

(비교예 2) (Comparative Example 2)

비교예 1에 있어서, 반전형의 중앙부의 팽출량을 10㎛, 30㎛, 100㎛, 20O㎛로 바꾸었으나, 어느 것이나 가압 가공후에 선형상의 얼룩이 발생하여, 현저하게 외관을 손상하는 결과가 되었다. In Comparative Example 1, the amount of expansion of the center portion of the inverted type was changed to 10 µm, 30 µm, 100 µm, or 20 µm, but in all cases, linear irregularities occurred after the pressurization, resulting in a significant damage to the appearance.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

실시예 1과 동일한 치수의 반전형에 있어서, 그 중심부가 팽출되지 않은 실리콘으로 이루어지는 금형을 이용하여 레지스트재에 오목부를 가압하였다. 이때의 반전형의 하강 ∼ 가압 ∼ 상승의 조건은 실시예 1과 동일하였다. 얻어진 가공 표면의 대략 중앙부에는 표면 확산성이 없는 작은 점(지름 약 300㎛)이 무수히 발생하였다. In the inverted die having the same dimensions as in Example 1, the recess was pressed against the resist material by using a mold made of silicon whose central portion was not expanded. The conditions of the falling-pressing-increasing of the inversion type at this time were the same as that of Example 1. The small point (about 300 micrometers in diameter) without surface diffusivity generate | occur | produced in the substantially center part of the obtained processing surface.

이와 같이 하여 얻어진 요철형상면을 소정의 가열조건(240도 × 약 1시간)으로 가열 경화한 후, 알루미막을 약 1500Å 증착하여 반사체 기판으로 하였다. 이것을 사용하여 STN 패널을 제작한 바, 전압 인가하지 않은 초기상태에 있어서, 패널면 내의 중앙부에는 휘점이 다수 관찰되었다. The uneven surface thus obtained was heat-cured under a predetermined heating condition (240 deg. X about 1 hour), and then an alumina film was deposited at about 1500 Pa to form a reflector substrate. When the STN panel was manufactured using this, in the initial state without voltage application, many bright spots were observed in the center part in the panel surface.

(비교예 4) (Comparative Example 4)

실시예 1와 동일한 기판에 대하여, 평균 입자 지름 33㎛의 유리구를 압착공기로 분출한 바, 평균 지름 6 ∼ 9㎛, 깊이 0.15 ∼ 0.4㎛의 랜덤하고 미세한 오목부를 얻을 수 있었다. 또 이 오목부의 단면형상은 요철곡선이 매끄럽게 연결된 것이었다. About the same board | substrate as Example 1, the glass sphere of 33 micrometers of average particle diameters was ejected by compressed air, and the random and fine recessed parts of average diameter 6-9 micrometers and depth 0.15-0.4 micrometer were obtained. Moreover, the cross-sectional shape of this recessed part was that the uneven | corrugated curve was connected smoothly.

그후, 이 기판을 세정 후, 표면에 두께 약 1500Å의 알루미막을 성막하여 반사체를 얻었다. 이 반사체의 반사특성은 기판 법선방향으로 반사휘도의 최대치가 있어, 밝기가 부족(반사율 20% 이하)되어 있었다. 또 이 반사체를 실시예 1과 동일하게 STN 패널에 조립하여 관찰한 바, 패널 법선으로부터 전후 20°이내에서 패널의 휘도가 어두워 시인성이 나빴다. Then, after wash | cleaning this board | substrate, the alumina film of thickness about 1500 kPa was formed into a film, and the reflector was obtained. The reflecting property of this reflector had a maximum value of the reflected luminance in the substrate normal direction, and the brightness was insufficient (reflectivity of 20% or less). Moreover, when this reflector was assembled and observed in the STN panel similarly to Example 1, the brightness of the panel was dark within 20 degrees before and behind from the panel normal line, and the visibility was bad.

상기한 실시예에 의하여 본 발명의 반사체의 제조장치의 효과가 확인되었다. 이들 실시예에서는, STN 형의 반사형 디스플레이에 적용한 예를 들었으나, 본 발명의 장치는 STN 이외의 여러가지의 모드에 적용 가능한 것은 명확하다. 예를 들면 TFT 등의 능동소자 구동의 TN, OCB, VA, IPS 등, 콜레스테릭 액정의 상 전이형, 고분자 네트워크형 소자 등이다. 또 반사형 뿐만 아니라, 소정의 개구부를 반사막에 형성한 반투과 타입의 표시소자에 적용하여도 좋다. The effect of the manufacturing apparatus of the reflector of this invention was confirmed by the Example mentioned above. In these embodiments, the example applied to the STN type reflective display is given, but it is clear that the apparatus of the present invention can be applied to various modes other than STN. For example, it is a phase transition type of cholesteric liquid crystal, a polymer network type element, etc., such as TN, OCB, VA, and IPS which drive active elements, such as TFT. In addition to the reflection type, a predetermined opening may be applied to the transflective display element formed in the reflective film.

(실시예 4)(Example 4)

본 발명의 제조방법의 효과를 검증하였다. 검증에 있어서는 도 23에 나타내는 바와 같이, 복수(40개)의 대좌(24) 및 반전형(21)으로 이루어지는 가공지그를 베이스플레이트(22)에 배치한 것을 준비하였다. The effect of the production method of the present invention was verified. In verification, as shown in FIG. 23, the thing which arrange | positioned the processing jig which consists of a plurality (40) pedestal 24 and the inversion type 21 to the base plate 22 was prepared.

이 반전형의 미세한 요철은, 마스터형의 표면형상(오목부 깊이 0.4 ∼ 2㎛, 피치 3 ∼ 30μ)을 90% 이상의 정밀도로 충실하게 재현한 것이었다. 그리고 이것을 이용하여 0.55 mm의 유리기판상에 3.5㎛의 두께로 도포한 레지스트재(도시 생략) 표면에 가압하였다. The fine concavo-convex of the inverted type faithfully reproduced the surface shape of the master type (concave portion depth 0.4 to 2 µm, pitch 3 to 30 µ) with an accuracy of 90% or more. Using this, the resultant was pressed on a surface of a resist material (not shown) coated with a thickness of 3.5 占 퐉 on a 0.55 mm glass substrate.

이때 대좌(24)의 통기구멍(34)으로부터 공기를 보내 주어 두께 약 10 mm의 실리콘고무 반전형(23)을 약 0.1mm 팽창하고 나서 형 가압 블럭(21)을 강하시키고, 반전형(23)을 레지스트재(45)에 약 0.3 mm/sec의 미속으로 접촉시킨 후, 서서히 하중을 걸었다. 그리고 반전형(23)을 레지스트재에 단위면적 하중 0.8kg/㎠로 50초간 가압하였다. 그후, 형 가압 블럭(21)을 상기와 동일한 미속으로 상승시켜 반전형(23)을 레지스트재로부터 떼어 내었다. 이와 같이 하여 얻은 오목부(13)를 형성 한 레지스트재에는 전사 얼룩은 거의 보이지 않고 균일한 가공면를 얻을 수 있었다. At this time, air is sent from the vent hole 34 of the pedestal 24 to expand the silicone rubber inverting type 23 having a thickness of about 10 mm by about 0.1 mm, and then the mold pressing block 21 is lowered, and the inverting type 23 is provided. Was brought into contact with the resist material 45 at a slow speed of about 0.3 mm / sec, and then a load was gradually applied. And the inversion type 23 was pressed to the resist material for 50 second by the unit area load of 0.8 kg / cm <2>. Thereafter, the mold pressing block 21 was raised to the same speed as above, and the inverted mold 23 was removed from the resist material. In the resist material which formed the recessed part 13 obtained in this way, transfer unevenness was hardly seen, and the uniform process surface was obtained.

이 기판을 소정의 가열조건(240도 × 약 1시간)으로 처리한 후, 알루미막을 약 1500Å 증착하여 반사체 기판(반사체 기판 단체로, 설계된 반사시각 특성에 가까운 특성이 되었다. )으로 하고, 다시 CF(컬러필터)층을 형성한 후, STN 패널을 제작하였다. After the substrate was treated under a predetermined heating condition (240 ° C. for about 1 hour), an alumina film was deposited at about 1500 Å to become a reflector substrate (a characteristic of the reflector substrate alone, which is close to the designed reflection visual characteristic). After the (color filter) layer was formed, an STN panel was produced.

얻어진 STN 패널은, 패널 전면에서 균일하고 높은 반사성(반사율 40%)을 나타냄과 동시에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 패널 법선으로부터 10 내지 20도 이내에 최대의 반사휘도를 얻을 수 있었다. The obtained STN panel showed uniform high reflectivity (reflectance of 40%) on the entire panel, and as shown in FIG. 4, the maximum reflectance was obtained within 10 to 20 degrees from the panel normal.

또 15°내지 40°의 범위에서는 패널의 휘도는 실용상 양호한 것이었다. Moreover, in the range of 15 degrees to 40 degrees, the brightness of the panel was good in practical use.

(비교예 1) (Comparative Example 1)

실시예 4와 동일한 기판에 대하여, 평균 입자지름 33㎛의 유리구를 압착공기로 분출한 바, 평균 지름 6 ∼ 9㎛, 깊이 0.15 ∼ 0.4㎛의 랜덤하고 미세한 오목부를 얻을 수 있었다. 또 이 오목부의 단면형상은 요철곡선이 매끄럽게 연결된 것이었다. About the same board | substrate as Example 4, the glass sphere of 33 micrometers of average particle diameters was blown out by compressed air, and the random and fine recessed parts of average diameter 6-9 micrometers and depth 0.15-0.4 micrometers were obtained. Moreover, the cross-sectional shape of this recessed part was that the uneven | corrugated curve was connected smoothly.

그후, 이 기판을 세정 후, 표면에 두께 약 1500Å의 알루미막을 성막하여 반사체를 얻었다. Then, after wash | cleaning this board | substrate, the alumina film of thickness about 1500 kPa was formed into a film, and the reflector was obtained.

이 반사체의 반사특성은, 기판 법선 방향으로 반사휘도의 최대치가 있어, 밝기가 부족(반사율 20% 이하)되어 있었다. 또 이 반사체를 실시예 1과 마찬가지로 STN 패널에 조립하여 관찰한 바, 패널 법선으로부터 전후 20°이내에서 패널의 휘 도가 어두워 시인성이 나빴다. The reflecting property of this reflector had a maximum value of reflectance in the direction of the substrate normal, and lacked brightness (reflectivity of 20% or less). Moreover, when this reflector was assembled and observed in STN panel similarly to Example 1, the panel brightness was dark within 20 degrees back and front from the panel normal, and the visibility was bad.

본 발명의 반사체의 제조장치에 의하면, 오목부를 반전시킨 형상의 볼록부를 표면에 다수 형성한 반전형을 사용하여 소정의 반전형의 가압조건에 따라 기판에 가압하여 오목부를 형성하기 때문에, 품질에 불균일성이 적은 반사체를 효율 좋게 저비용으로 대량 생산하는 것이 가능한 반사체의 제조장치를 제공할 수 있다. According to the manufacturing apparatus of the reflector of the present invention, since the concave portion is formed by pressing the substrate under a predetermined inversion pressure condition by using an inverted type having a large number of convex portions formed on the surface by inverting the concave portion, irregularities in quality are caused. It is possible to provide an apparatus for manufacturing a reflector capable of mass production of such a small reflector efficiently and at low cost.

또, 반전형을 기판에 가압할 때에, 반전형과 대좌와의 사이에 소정의 압력으로 제어된 기체를 주입하여 반전형의 표면을 기판을 향하여 팽출시킴으로써, 오목부를 형성한 기판에 전사 얼룩이나 박리흔적이 남아 버리는 것을 방지하여 반전형의 볼록부를 충실하게 반전시킨 정밀한 오목부를 얻을 수 있다. In addition, when pressurizing the inverted die to the substrate, transfer unevenness or peeling is performed on the substrate on which the recess is formed by injecting a gas controlled at a predetermined pressure between the inverted die and the pedestal and expanding the inverted surface toward the substrate. It is possible to prevent the trace from remaining and to obtain a precise concave portion in which the inverted convex portions are faithfully inverted.

또, 본 발명의 반사체의 제조방법에 의하면, 반사체의 기판에 대하여 오목부를 형성하는 제 2 반전형을 얻기 위하여 미세한 오목부를 일일이 그 단면형상, 깊이 및 피치를 제어하여 랜덤하게 다수 형성하여 얻은 원형인 마스터형으로부터 제 1 반전형을 형성하고, 이 제 1 반전형을 사용하여 복제형을 형성하며, 이 복제형을 사용하여 다수의 제 2 반전형을 얻을 수 있다. In addition, according to the method for manufacturing a reflector of the present invention, in order to obtain a second inverted form for forming a recessed portion with respect to the substrate of the reflector, a circular recess obtained by randomly forming a large number of minute recesses by controlling their cross-sectional shape, depth and pitch is A first inverted form can be formed from the master form, and the first inverted form can be used to form a replica form, and a plurality of second inverted forms can be obtained using this replica form.

이에 의하여 다수의 반사체의 기판에 대하여 일괄하여 오목부를 형성할 때에 마스터형을 사용하여 직접 몇번이나 반전형을 형성할 필요가 없어진다. 따라서 제조에 시간과 비용이 드는 마스터형을 다수 제조할 필요가 없고, 또 동일형상의 것을 복수 형성하는 것이 곤란한 마스터형의 마멸(磨滅)도 방지된다. 요철의 단면형상, 깊이, 피치 등이 엄밀하게 제어된 반사체를 일정한 품질로 저비용으로 대량 생 산하는 것이 가능하게 된다. This eliminates the necessity of forming the inverted type directly many times using the master type when forming the concave portions collectively with respect to the substrates of the plurality of reflectors. Therefore, it is not necessary to manufacture a large number of master molds that require time and cost in production, and wear of the master mold, which makes it difficult to form a plurality of the same type, is also prevented. It is possible to mass produce a reflector whose ripples, cross-sectional shape, depth, pitch, etc. are strictly controlled with a constant quality at low cost.

Claims (9)

한 면에 다수의 오목부가 형성된 기판과, 이 기판의 한 면에 성막된 반사막을 구비하여 이루어지는 반사체의 제조장치에 있어서, In the manufacturing apparatus of the reflector which comprises the board | substrate with many recessed parts in one surface, and the reflecting film formed into one surface of this board | substrate, 상기 오목부를 반전시킨 형상의 볼록부를 표면에 다수 형성한 반전형을 구비하고, 이 반전형을 상기 기판에 가압하여 상기 기판에 상기 오목부를 형성하는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치.And a concave portion having a large number of convex portions formed on the surface thereof by inverting the concave portion, wherein the concave portion is pressed against the substrate to form the concave portion on the substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판은, 적어도 표면에 광경화성 또는 열경화성의 레지스트층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치. The said board | substrate is equipped with the photocurable or thermosetting resist layer at least on the surface, The manufacturing apparatus of the reflector characterized by the above-mentioned. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반전형은 굴곡 가능한 수지로 형성됨과 동시에, 상기 반전형의 이면측에는 상기 반전형을 지지하는 대좌를 구비한 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치. The inverting type is formed of a bendable resin, and at the back side of the inverting type is provided with a pedestal for supporting the inverting type. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 반전형은 상기 대좌에 대하여 둘레 가장자리에서 기밀하게 접착되고, 상기 반전형을 상기 기판에 가압할 때에 상기 반전형과 상기 대좌와의 사이에 소정 압력의 기체를 주입하여 상기 반전형의 표면을 상기 기판을 향하여 팽출 가능한 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치.The inverted type is hermetically bonded to the periphery with respect to the pedestal, and when the inverted type is pressed against the substrate, a gas of a predetermined pressure is injected between the inverted type and the pedestal so that the surface of the inverted type is lifted. An apparatus for manufacturing a reflector, wherein the reflector is capable of expanding toward a substrate. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 반전형의 이면에는, 상기 반전형과 상기 대좌가 밀착하는 것을 방지하는 수단이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치.The reflector manufacturing apparatus of the said inverted type | mold is formed in the back surface of the said inverted type | mold, and the means which prevents contact | adherence of the said base. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 밀착 방지수단이, 상기 반전형의 이면 또는 상기 대좌의 상기 반전형에 접하는 면측의 적어도 한쪽에 형성된 다수의 미세홈인 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치. The apparatus for manufacturing a reflector, wherein the adhesion preventing means is a plurality of microgrooves formed on at least one of the rear surface of the inverted type or the surface side of the pedestal in contact with the inverted type. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 밀착 방지수단이, 상기 반전형의 이면 또는 상기 대좌의 상기 반전형에 접하는 면측의 적어도 한쪽에 형성된 요철 조면인 것을 특징으로 하는 반사체의 제조장치. The apparatus for manufacturing a reflector, wherein the adhesion preventing means is an uneven rough surface formed on at least one of the rear surface of the inverted type or the surface side of the pedestal in contact with the inverted type. 한 면에 다수의 오목부가 형성된 기판과, 이 기판의 한 면에 성막된 반사막을 구비하여 이루어지는 반사체의 제조방법에 있어서, In the manufacturing method of the reflector which comprises the board | substrate with many recessed parts in one surface, and the reflecting film formed into one surface of this board | substrate, 상기 오목부를 형성함에 있어서, 상기 오목부의 형상을 본뜬 다수의 요철을 구비한 마스터형으로부터 제 1 반전형을 성형하고, 이 제 1 반전형으로부터 상기 마스터형을 본뜬 다수의 요철을 구비한 복제형을 성형하며, 이 복제형으로부터 제 2 반전형을 복수개 성형하고, 이 제 2 반전형을 1매의 지지판에 복수 배열하여 상기 기판의 구성재료에 형 가압함으로써 상기 반사체를 얻는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조방법. In forming the concave portion, a first inverted mold is formed from a master mold having a plurality of irregularities modeled after the shape of the recessed portion, and a replica type having a plurality of irregularities modeled after the master mold is formed from the first inverted mold. Shaping, forming a plurality of second inverted dies from the replica type, arranging a plurality of second inverted dies on one support plate, and pressing the component material of the substrate to obtain the reflector. Way. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제 1 반전형 및 제 2 반전형은, 각각 수지로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사체의 제조방법.The said 1st inversion type and the 2nd inversion type are each formed from resin, The manufacturing method of the reflector characterized by the above-mentioned.
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