KR100708668B1

KR100708668B1 - Plasma display apparatus

Info

Publication number: KR100708668B1
Application number: KR1020050010971A
Authority: KR
Inventors: 김영기
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-02-05
Filing date: 2005-02-05
Publication date: 2007-04-17
Also published as: KR20060090440A

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는, 가스방전에 의해 화상이 구현되는 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 후방에 배치된 섀시 베이스; 상기 섀시 베이스의 후방에 배치되며 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 것으로, 적어도 하나의 반도체 소자가 구비된 회로 기판; 및 플라스틱 소재로 형성되어 본체를 이루는 수지부와, 상기 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 열전도성 소재로 상기 수지부 표면의 적어도 일부 영역에 분말 도장(power-coated)되어 형성되는 열전도부로 이루어지며, 상기 회로 기판에 구비된 반도체 소자의 일면에 대향되게 배치되는 방열 부재;를 포함한다. A plasma display device according to the present invention comprises: a plasma display panel in which an image is realized by gas discharge; A chassis base disposed behind the plasma display panel; A circuit board disposed behind the chassis base to drive the plasma display panel, the circuit board including at least one semiconductor element; And a resin part which is formed of a plastic material to form a main body, and a heat conductive part which is formed by powder-coating (power-coated) on at least a portion of the surface of the resin part with a heat conductive material having better thermal conductivity than the plastic material. And a heat dissipation member disposed to face one surface of the semiconductor device provided on the circuit board.

Description

Plasma display apparatus

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 도시한 분리 사시도. 1 is an exploded perspective view showing a plasma display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 회로 기판에 설치된 반도체 소자와 방열 부재를 도시한 분리 사시도. FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a semiconductor element and a heat dissipation member installed in the circuit board of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 절취하여 도시한 단면도. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2;

도 4는 도 3의 A 영역을 확대하여 도시한 단면도. 4 is an enlarged cross-sectional view of region A of FIG. 3.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉<Brief description of the major symbols in the drawings>

110..플라즈마 디스플레이 패널 120..섀시 베이스110. Plasma display panel 120. Chassis base

140..회로 기판 150..반도체 소자140. Circuit board 150. Semiconductor device

160..방열 부재 160a..수지부160..heat dissipation member 160a..resin

160b..열전도부160b..Thermal conduction part

본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 회로 기판에 구비된 반도체 소자로부터 발생된 열을 방출시키는 효과가 높아질 수 있 게 구조가 개선된 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma display device, and more particularly, to a plasma display device having an improved structure so that an effect of releasing heat generated from a semiconductor device provided in a circuit board can be increased.

플라즈마 디스플레이 장치는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 평판 디스플레이 장치로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 및 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하며, 박형이면서 대화면 표시가 가능하여 음극선관을 대체할 수 있는 차세대 평판 디스플레이 장치로서 각광을 받고 있다. Plasma display device is a flat panel display device that displays images by using gas discharge phenomenon. It has excellent display capability such as display capacity, brightness, contrast, afterimage, and viewing angle. It is attracting attention as a next-generation flat panel display device that can be used.

이러한 플라즈마 디스플레이 장치는, 플라즈마 디스플레이 패널과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널과 평행하게 배치되는 섀시 베이스(chassis base)와, 상기 섀시 베이스의 후방에 장착되어 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 회로 기판과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널, 섀시 베이스, 및 회로 기판을 수용하는 케이스 등을 포함하여 구성되는 것이 일반적이다. Such a plasma display apparatus includes a plasma display panel, a chassis base disposed in parallel with the plasma display panel, a circuit board mounted behind the chassis base to drive the plasma display panel, and the plasma display panel. , A chassis base, and a case for accommodating a circuit board.

상기와 같이 구성된 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, 회로 기판에는 각종 소자들이 구비되어 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키게 되는데, 상기 소자들이 작동하게 되면 열과 소음이 발생하게 된다. In the plasma display device configured as described above, the circuit board is provided with various elements to drive the plasma display panel. When the elements are operated, heat and noise are generated.

상기 소자들 중에는 스위칭 소자, 예컨대 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)와 같은 반도체 소자가 다수 포함되는데, 특히 이러한 반도체 소자로부터 다량의 열이 발생되어진다. 반도체 소자로부터 발생된 열은 원활하게 방출되지 않으면, 반도체 소자의 열화를 일으킬 뿐만 아니라, 이를 포함하는 회로 기판의 성능을 저하시키게 된다. The devices include a plurality of switching devices, for example, semiconductor devices such as field effect transistors. In particular, a large amount of heat is generated from such semiconductor devices. If the heat generated from the semiconductor device is not smoothly discharged, it not only causes deterioration of the semiconductor device but also degrades the performance of the circuit board including the same.

따라서, 반도체 소자의 방열과 보호를 위하여, 반도체 소자의 외측에 히트 싱크(heat sink)를 설치한 예가 있다. 이에 따르면, 히트 싱크가 도전성을 갖는 금 속 소재로 제조되며, 이와 같이 제조된 히트 싱크와 반도체 소자 사이에 실리콘 소재로 이루어진 열전도 패드가 더 설치되어있다. Therefore, there is an example in which a heat sink is provided outside the semiconductor element for heat dissipation and protection of the semiconductor element. According to this, the heat sink is made of a metallic material having conductivity, and a heat conductive pad made of a silicon material is further provided between the heat sink and the semiconductor device thus manufactured.

그런데, 종래의 경우에는 열전도 패드를 별개로 더 구비하여야하며, 열전도 패드를 히트 싱크에 부착시켜야하므로 작업성이 떨어지게 된다. 또한, 반도체 소자로부터 발생된 열이 실리콘 소재로 이루어진 열전도 패드를 거쳐 히트 싱크로 전달되어 방출되므로, 반도체 소자로부터 발생된 열이 히트 싱크로 직접 전달되어 방출되는 것에 비해 방열 효과가 떨어지는 문제가 있다. However, in the conventional case, the heat conduction pads should be further provided separately, and since the heat conduction pads should be attached to the heat sink, the workability is reduced. In addition, since the heat generated from the semiconductor device is transferred to the heat sink through the heat conduction pad made of silicon material and is released, the heat dissipation effect is inferior to that of the heat generated from the semiconductor device is directly transferred to the heat sink.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 회로 기판에 구비된 반도체 소자로부터 발생된 열을 전달받아 방출하는 방열 부재의 구조를 개선함으로써, 방열 효과가 향상될 수 있는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the above problems, by providing a plasma display device that can improve the heat dissipation effect by improving the structure of the heat dissipation member that receives and releases heat generated from the semiconductor element provided in the circuit board, There is a purpose.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는, Plasma display device according to the present invention for achieving the above object,

가스방전에 의해 화상이 구현되는 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 후방에 배치된 섀시 베이스; 상기 섀시 베이스의 후방에 배치되며 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 것으로, 적어도 하나의 반도체 소자가 구비된 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 구비된 반도체 소자의 일면에 대향되게 배치되며, 플라스틱 소재와, 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 열전도성 소재가 혼용되어 형성된 방열 부재;를 구비한다. A plasma display panel in which an image is realized by gas discharge; A chassis base disposed behind the plasma display panel; A circuit board disposed behind the chassis base to drive the plasma display panel, the circuit board including at least one semiconductor element; And a heat dissipation member disposed to face one surface of the semiconductor element provided on the circuit board, wherein the heat dissipation member is formed by mixing a plastic material and a heat conductive material having superior thermal conductivity than the plastic material.

여기서, 상기 방열 부재는 플라스틱 소재로 형성되어 전체적인 외형을 이루는 수지부와, 그 수지부의 표면에 있어 적어도 일부 영역에 배치되게 열전도성 소재로 형성된 열전도부를 구비하여 된 것이 바람직하다. Here, the heat dissipation member is preferably provided with a resin portion formed of a plastic material to form an overall appearance, and a heat conductive portion formed of a thermally conductive material to be disposed at least in a portion of the surface of the resin portion.

여기서, 상기 방열 부재를 형성하는 열전도성 소재는 흑연인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the heat conductive material which forms the said heat radiating member is graphite.

여기서, 상기 방열 부재는 반도체 소자에 대향되게 플레이트 형상으로 형성된 본체부와, 그 본체부로부터 반도체 소자의 반대쪽으로 돌출 형성된 방열휜을 구비한 히트 싱크인 것이 바람직하다. Here, the heat dissipation member is preferably a heat sink having a main body portion formed in a plate shape opposite to the semiconductor element, and a heat dissipation fin protruding from the main body portion to the opposite side of the semiconductor element.

이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치가 도시되어 있다. 1 shows a plasma display device according to an embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치(100)에는 가스방전에 의해 화상이 구현되는 플라즈마 디스플레이 패널(110)이 구비되어 있다. Referring to the drawings, the plasma display apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is provided with a plasma display panel 110 in which an image is realized by gas discharge.

상기 플라즈마 디스플레이 패널(110)로는 여러 종류의 플라즈마 디스플레이 패널들 중에서 어느 하나가 채용될 수 있는데, 그 일 예로서 면 방전형 3전극 구조를 갖는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널이 채용될 수 있다. The plasma display panel 110 may be any one of various plasma display panels. As an example, an AC plasma display panel having a surface discharge type three electrode structure may be employed.

상기 면 방전형 3전극 구조를 갖는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은, 전 면 패널과, 상기 전면 패널과 대향되어 결합되는 배면 패널을 포함하여 구성된다. The AC plasma display panel having the surface discharge type three-electrode structure includes a front panel and a rear panel opposed to and coupled to the front panel.

상기 전면 패널에는, 전방에 배치된 전면 기판과, 상기 전면 기판의 뒷면에 형성되며 상호간에 방전 갭으로 이격된 공통 전극과 스캔 전극의 쌍으로 각각 이루어진 유지 전극쌍들과, 상기 유지 전극쌍들을 덮도록 형성된 전면 유전체층과, 상기 전면 유전체층의 뒷면에 형성된 보호막이 구비될 수 있다. The front panel includes a front substrate disposed at a front side, sustain electrode pairs formed on a rear surface of the front substrate, and a pair of common electrodes and scan electrodes spaced apart from each other by a discharge gap, and covering the sustain electrode pairs. And a protective film formed on a rear surface of the front dielectric layer.

그리고, 상기 전면 패널과 결합되는 배면 패널에는, 후방에 배치된 배면 기판과, 상기 배면 기판의 앞면에 형성되며 상기 유지 전극쌍들과 교차하는 방향으로 연장된 어드레스 전극들과, 상기 어드레스 전극들을 덮도록 형성된 배면 유전체층과, 상기 배면 유전체층과 전면 유전체층 사이에 형성되어 방전 공간들을 한정하는 격벽들과, 상기 방전 공간들 내에 배치된 형광체층이 구비될 수 있다. 여기서, 상기 방전 공간들은 상기 유지 전극쌍들과 어드레스 전극들 사이가 교차하는 영역들과 각각 대응되며, 상기 방전 공간들 내에는 방전 가스가 채워지게 된다. The rear panel coupled to the front panel includes a rear substrate disposed at a rear side, address electrodes formed on a front surface of the rear substrate and extending in a direction crossing the pair of storage electrodes, and covering the address electrodes. The back dielectric layer may be provided, a barrier rib formed between the back dielectric layer and the front dielectric layer to define discharge spaces, and a phosphor layer disposed in the discharge spaces. The discharge spaces correspond to regions in which the sustain electrode pairs and the address electrodes cross each other, and discharge gas is filled in the discharge spaces.

상기와 같은 구성을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널(110)의 후방에는 섀시 베이스(120)가 배치되어 있다. 상기 섀시 베이스(120)는 알루미늄 등과 같은 소재로 형성되어, 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 지지하는 한편, 플라즈마 디스플레이 패널(110)로부터 발생된 열을 전달받아 외부로 방출시키게 된다. 상기 섀시 베이스(120)는 굽힘이나 휨 변형 등이 방지될 수 있도록, 가장자리에는 후방으로 굽어진 벤딩부(121)가 구비될 수 있으며, 후방에는 다수의 보강 부재(122)들이 설치될 수 있다. The chassis base 120 is disposed behind the plasma display panel 110 having the above configuration. The chassis base 120 is formed of a material such as aluminum to support the plasma display panel 110 and receive heat generated from the plasma display panel 110 to release the heat to the outside. The chassis base 120 may be provided with a bending portion 121 that is bent backward at the edge, and a plurality of reinforcing members 122 may be installed at the edge thereof to prevent bending or bending deformation.

이러한 섀시 베이스(120)는 양면 테이프(131)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 결합되며, 상기 섀시 베이스(120)와 플라즈마 디스플레이 패널(110) 사이에는 열전도매체(132)가 개재됨으로써 플라즈마 디스플레이 패널(110)로부터 발생된 열이 상기 열전도매체(132)로 전달되어 외부로 방출될 수 있다. The chassis base 120 is coupled to the plasma display panel 110 by a double-sided tape 131, and a thermal conductive medium 132 is interposed between the chassis base 120 and the plasma display panel 110, thereby providing a plasma display panel. Heat generated from the 110 may be transferred to the heat conducting medium 132 and released to the outside.

상기 섀시 베이스(120)의 후방에는 적어도 하나의 회로 기판(140)이 설치되어 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 구동시키게 된다. 상기 회로 기판(140)은 신호전달부재(141)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결되어 신호를 전달하게 되는데, 상기 신호전달부재(141)로는 플렉시블 인쇄케이블(Flexible Printed Cable), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등에서 적어도 하나가 선택되어 채용될 수 있다. 상기한 바와 같은 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 회로 기판(140)이 결합된 섀시 베이스(120)는 미도시된 케이스에 의해 수용됨으로써 플라즈마 디스플레이 장치(100)를 구성하게 된다. At least one circuit board 140 is installed behind the chassis base 120 to drive the plasma display panel 110. The circuit board 140 is electrically connected to the plasma display panel 110 by the signal transmission member 141 to transmit a signal. The signal transmission member 141 includes a flexible printed cable and a tape. At least one selected from a carrier package, a chip on film, and the like may be selected and employed. The chassis base 120 coupled with the plasma display panel 110 and the circuit board 140 as described above is accommodated by a case not shown to constitute the plasma display apparatus 100.

한편, 상기 회로 기판(140)에는 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 구동시키기 위해 다수의 소자들이 구비되어, 화상 구현을 위한 전압 신호를 인가하고, 전원을 공급하게 된다. 이러한 전원 공급회로는 소형화 및 고효율화에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이(Switching Mode Power Supply, SMPS)가 주로 채용될 수 있는데, 여기에는 도 2에 도시된 바와 같은 반도체 소자(150), 예컨대 스위칭 소자인 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)가 다수 구비된다. On the other hand, the circuit board 140 is provided with a plurality of devices for driving the plasma display panel 110, to apply a voltage signal for the image realization and to supply power. Such a power supply circuit may be mainly adopted a switching mode power supply (SMPS) according to the miniaturization and high efficiency, which includes a semiconductor device 150, for example, a field effect that is a switching device A plurality of transistors (Field Effect Transistors) are provided.

이와 같은 반도체 소자(150)는 작동을 하게 되면 다량의 열이 발생되는데, 발생된 열을 전달받아 주변 공기와의 열 교환을 통해 신속하게 방열시키기 위해 반도체 소자(150)에는, 히트 싱크(heat sink)로서 본 발명의 일 특징에 따른 방열 부 재(160)가 설치된다. 이러한 방열 부재(160)는 다양한 구조를 갖도록 형성될 수 있는데, 그 일 예가 도 2 및 도 3에 도시되어 있다. When the semiconductor device 150 is operated, a large amount of heat is generated. In order to quickly receive heat generated and quickly radiate heat through heat exchange with surrounding air, the semiconductor device 150 includes a heat sink. As a heat dissipation member 160 according to one feature of the present invention is installed. The heat dissipation member 160 may be formed to have various structures, an example of which is illustrated in FIGS. 2 and 3.

도시된 바에 따르면, 방열 부재(160)는 플레이트 형상으로 형성된 본체부(161)와, 상기 본체부(161)로부터 각각 소정 높이로 돌출되게 형성되며 상호 이격된 방열 휜(162)들을 포함하여 구성되어 있다. 상기 방열 휜(162)들은 플레이트 형상으로 각각 형성된 것으로 도시되어 있으나, 방열 면적을 증대시키기 위한 다양한 구조, 예컨대 봉 형상으로도 형성될 수 있다. As shown, the heat dissipation member 160 is configured to include a body portion 161 formed in a plate shape, and the heat dissipation fins 162 formed to protrude from the body portion 161 to a predetermined height and spaced apart from each other. have. Although the heat dissipation fins 162 are illustrated as being formed in a plate shape, the heat dissipation fins 162 may be formed in various structures, for example, a rod shape, to increase a heat dissipation area.

이와 같이 구성된 방열 부재(150)에 있어서, 본체부(161)는 회로 기판(140)과 단자(151)들에 의해 접속되며 수직한 방향으로 세워져 설치된 반도체 소자(150)의 외면에 대향되게 배치되는 한편, 방열 휜(162)들은 반도체 소자(150)의 반대쪽을 향하도록 배치된다. 이렇게 배치된 본체부(161)는 나사 부재(170) 등에 의해 반도체 소자(150)와 적어도 일측에서 결합된다. In the heat dissipation member 150 configured as described above, the main body 161 is connected to the circuit board 140 and the terminals 151 and is disposed to face the outer surface of the semiconductor element 150 installed in a vertical direction. Meanwhile, the heat dissipation fins 162 are disposed to face the opposite side of the semiconductor device 150. The main body 161 disposed as described above is coupled to the semiconductor element 150 at least on one side by the screw member 170 or the like.

한편, 상기한 바와 같이 반도체 소자(150)에 설치된 방열 부재(160)는 본 발명의 일 특징에 따르면, 플라스틱 소재와 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 열전도성 소재를 혼용한 소재로서 형성됨으로써 완충성과 함께 우수한 열전도성을 갖게 된다. 상기 플라스틱 소재와 열전도성 소재가 혼용된 형태는 다양하게 이루어질 수 있는데, 그 일 예로서 도 4에 상세히 도시된 바와 같이 이루어질 수 있다. Meanwhile, as described above, the heat dissipation member 160 installed in the semiconductor device 150 may be formed of a mixture of a plastic material and a thermally conductive material having superior thermal conductivity than the plastic material, and thus, may have a buffering property. It has excellent thermal conductivity. The plastic material and the thermally conductive material may be mixed in various forms. For example, the plastic material and the thermal conductive material may be formed as shown in detail in FIG. 4.

도시된 바에 따르면, 방열 부재(160)는 전술한 바와 같은 전체적인 외형을 이루도록 플라스틱 소재로 형성된 수지부(160a)와, 상기 수지부(160a)의 표면에 있어 적어도 일부 영역에 열전도성 소재로 형성된 열전도부(160b)가 배치된 형태로 이루어질 수 있다. 이와 같은 형태를 가짐에 따라 방열 부재(160)는 수지부(160a)에 의해 완충성을 가질 수 있게 되는 것과 함께, 열전도부(160b)에 의해 우수한 열전도성을 가질 수 있게 된다. 여기서, 상기 수지부(160a)는 플라스틱 소재로 사출 성형되어 형성되며, 상기 열전도부(160b)는 열전도성 소재로 분말 도장(powder-coated)되어 형성될 수 있다. 즉, 열전도성 소재가 분말 도료로 형성된 후, 이렇게 형성된 분말 도료가 수지부(160a)의 표면에 도장됨으로써 열전도부(160b)가 형성될 수 있다. 그러나, 이는 예시적인 것이므로 반드시 한정되지는 않는다. 한편, 상기 열전도부(160b)를 형성하는 열전도성 소재로는 흑연 등과 같은 열전도성이 우수한 소재가 이용될 수 있다. As illustrated, the heat dissipation member 160 may include a resin part 160a formed of a plastic material to form an overall appearance as described above, and a heat conduction material formed of a thermally conductive material on at least a portion of the surface of the resin part 160a. The unit 160b may be disposed. With such a shape, the heat dissipation member 160 can have a buffering property by the resin part 160a and can have excellent thermal conductivity by the heat conducting part 160b. Here, the resin part 160a may be formed by injection molding of a plastic material, and the heat conductive part 160b may be formed by powder-coated with a heat conductive material. That is, after the thermally conductive material is formed of the powder paint, the thermally conductive material 160b may be formed by coating the powder paint thus formed on the surface of the resin portion 160a. However, this is exemplary and is not necessarily limited. Meanwhile, a material having excellent thermal conductivity such as graphite may be used as the thermal conductive material for forming the thermal conductive part 160b.

상기와 같은 열전도부(160b)는 수지부(160a)의 표면 전체에 걸쳐 형성되는 것이 바람직하나, 수지부(160a)에 있어 반도체 소자(150)가 결합되는 면에만 형성되는 것도 가능하다. 그리고, 상기 수지부(160a)에 있어 반도체 소자(150)가 결합되는 면에 배치된 열전도부(160b)는, 반도체 소자(150)와 직접적으로 접촉되더라도 반도체 소자(150)가 손상되지 않을 정도의 완충성을 갖도록 얇은 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 종래와 같이 완충성을 갖는 열전도 패드를 별개로 더 구비하여 방열 부재의 반도체 소자에 대향되는 면에 부착시킬 필요가 없게 되므로 작업성이 향상될 수 있다. 또한, 반도체 소자(150)로부터 발생된 열이 방열 부재(160)로 직접 전달되어 방출될 수 있게 되므로 방열 효과가 높아질 수 있게 된다. 게다가, 상기 방열 부재(160)가 반도체 소자(150)에 밀착될 수 있어 방열 부재(160)와 반도체 소자(150) 사이의 접촉 면적이 증대될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자(150)로부터 발생된 열이 방열 부재(160)로 전달되어 방출되는 효과가 극대화될 수 있다. 그 결과, 반도체 소자(150)로부터 발생된 열이 방열 부재(160)를 통해 신속하게 전달되어 방출될 수 있게 되므로, 반도체 소자(150)의 열화가 방지될 수 있어 반도체 소자(150)의 작동 신뢰성이 확보될 수 있게 된다. The thermally conductive portion 160b as described above is preferably formed over the entire surface of the resin portion 160a. However, the thermally conductive portion 160b may be formed only on the surface to which the semiconductor element 150 is coupled in the resin portion 160a. In addition, the thermally conductive portion 160b disposed on the surface of the resin portion 160a to which the semiconductor element 150 is coupled may have a degree such that the semiconductor element 150 is not damaged even if the semiconductor element 150 is in direct contact with the semiconductor element 150. It is desirable to be formed in a thin thickness to have a buffer. As a result, since the thermally conductive pads having buffering properties are separately provided as in the related art, it is not necessary to attach them to the surface opposite to the semiconductor element of the heat dissipation member, thereby improving workability. In addition, since heat generated from the semiconductor device 150 may be directly transmitted to the heat dissipation member 160 to be released, the heat dissipation effect may be increased. In addition, the heat dissipation member 160 may be in close contact with the semiconductor element 150, thereby increasing the contact area between the heat dissipation member 160 and the semiconductor element 150. Accordingly, the effect that the heat generated from the semiconductor device 150 is transferred to the heat radiating member 160 can be maximized. As a result, since heat generated from the semiconductor device 150 can be quickly transmitted and released through the heat dissipation member 160, deterioration of the semiconductor device 150 can be prevented, thereby operating reliability of the semiconductor device 150. This can be secured.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 플라스틱 소재와 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 소재가 혼용되어 형성된 방열 부재가 반도체 소자에 설치됨으로써, 반도체 소자로부터 발생된 열이 방열 부재를 통해 신속하게 전달되어 방출될 수 있게 된다. 따라서, 반도체 소자의 열화가 방지될 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 신뢰성이 확보될 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, since a heat dissipation member formed by mixing a plastic material and a material having better thermal conductivity than the plastic material is installed in the semiconductor element, heat generated from the semiconductor element can be quickly transmitted and released through the heat dissipation member. It becomes possible. Therefore, deterioration of the semiconductor device can be prevented, and thus, the reliability of the circuit board can be secured.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

Claims

A plasma display panel in which an image is realized by gas discharge;

A chassis base disposed behind the plasma display panel;

A circuit board disposed behind the chassis base to drive the plasma display panel, the circuit board including at least one semiconductor element; And

And a heat conductive part formed of a plastic material to form a main body, and a heat conductive material formed by powder coating (power-coated) on at least a portion of the surface of the resin part with a heat conductive material having a higher thermal conductivity than the plastic material. And a heat dissipation member disposed to face one surface of the semiconductor element provided in the substrate.

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The method of claim 1,

And the thermally conductive material forming the heat dissipation member is graphite.

The method of claim 1,

And the heat dissipation member is disposed in contact with a semiconductor element provided on the circuit board.

The method of claim 1,

The semiconductor device provided in the circuit board is a plasma display device, characterized in that the field effect transistor (Field Effect Transistor).

The method of claim 1,

And the heat dissipation member is a heat sink having a body portion formed in a plate shape facing the semiconductor element and a heat dissipation fin protruding from the body portion to the opposite side of the semiconductor element.