KR100670286B1

KR100670286B1 - Plasma display apparatus

Info

Publication number: KR100670286B1
Application number: KR1020050010972A
Authority: KR
Inventors: 김영기
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-02-05
Filing date: 2005-02-05
Publication date: 2007-01-16
Also published as: KR20060090441A

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는, 가스방전에 의해 화상이 구현되는 플라즈마 디스플레이 패널; 플라즈마 디스플레이 패널의 후방에 배치된 섀시 베이스; 섀시 베이스의 후방에 배치되며 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 것으로, 적어도 하나의 반도체 소자가 구비된 회로 기판; 회로 기판에 구비된 반도체 소자의 일면에 대향되게 배치된 방열 부재; 및 방열 부재와 반도체 소자 사이에 개재되며, 플라스틱 소재와, 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 열전도성 소재가 혼용되어 형성된 열전도 패드;를 구비한다. A plasma display device according to the present invention comprises: a plasma display panel in which an image is realized by gas discharge; A chassis base disposed at the rear of the plasma display panel; A circuit board disposed at the rear of the chassis base and driving the plasma display panel, the circuit board including at least one semiconductor element; A heat dissipation member disposed to face one surface of the semiconductor element provided on the circuit board; And a thermally conductive pad interposed between the heat dissipation member and the semiconductor element and formed by mixing a plastic material and a thermally conductive material having better thermal conductivity than the plastic material.

Description

Plasma display apparatus

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 도시한 분리 사시도. 1 is an exploded perspective view showing a plasma display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 회로 기판에 설치된 반도체 소자와 방열 부재 사이에 개재되는 열전도 패드를 도시한 분리 사시도. FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a thermal conductive pad interposed between a semiconductor element provided on a circuit board of FIG. 1 and a heat dissipation member. FIG.

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 절취하여 도시한 단면도. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2;

도 4는 도 3의 A 영역을 확대하여 도시한 단면도. 4 is an enlarged cross-sectional view of region A of FIG. 3.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉<Brief description of the major symbols in the drawings>

110..플라즈마 디스플레이 패널 120..섀시 베이스110. Plasma display panel 120. Chassis base

140..회로 기판 150..반도체 소자140. Circuit board 150. Semiconductor device

160..방열 부재 180..열전도 패드160. Heat dissipation member 180. Thermal pad

181..수지부 182..열전도 필러부181..Resin 182..Conductive Filler

본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 회로 기판에 구비된 반도체 소자로부터 발생된 열을 방출시키는 효과가 높아질 수 있 도록 구조가 개선된 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma display device, and more particularly, to a plasma display device having an improved structure so that an effect of releasing heat generated from a semiconductor device provided in a circuit board can be increased.

플라즈마 디스플레이 장치는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 평판 디스플레이 장치로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 및 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하며, 박형이면서 대화면 표시가 가능하여 음극선관을 대체할 수 있는 차세대 평판 디스플레이 장치로서 각광을 받고 있다. Plasma display device is a flat panel display device that displays images by using gas discharge phenomenon. It has excellent display capability such as display capacity, brightness, contrast, afterimage, and viewing angle. It is attracting attention as a next-generation flat panel display device that can be used.

이러한 플라즈마 디스플레이 장치는, 플라즈마 디스플레이 패널과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널과 평행하게 배치되는 섀시 베이스(chassis base)와, 상기 섀시 베이스의 후방에 장착되어 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 회로 기판과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널, 섀시 베이스, 및 회로 기판을 수용하는 케이스 등을 포함하여 구성되는 것이 일반적이다. Such a plasma display apparatus includes a plasma display panel, a chassis base disposed in parallel with the plasma display panel, a circuit board mounted behind the chassis base to drive the plasma display panel, and the plasma display panel. , A chassis base, and a case for accommodating a circuit board.

상기와 같이 구성된 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, 회로 기판에는 각종 소자들이 구비되어 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키게 되는데, 상기 소자들이 작동하게 되면 열과 소음이 발생하게 된다. In the plasma display device configured as described above, the circuit board is provided with various elements to drive the plasma display panel. When the elements are operated, heat and noise are generated.

상기 소자들 중에는 스위칭 소자, 예컨대 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)와 같은 반도체 소자가 다수 포함되는데, 특히 이러한 반도체 소자로부터 다량의 열이 발생되어진다. 반도체 소자로부터 발생된 열은 원활하게 방출되지 않으면, 반도체 소자의 열화를 일으킬 뿐만 아니라, 이를 포함하는 회로 기판의 성능을 저하시키게 된다. The devices include a plurality of switching devices, for example, semiconductor devices such as field effect transistors. In particular, a large amount of heat is generated from such semiconductor devices. If the heat generated from the semiconductor device is not smoothly discharged, it not only causes deterioration of the semiconductor device but also degrades the performance of the circuit board including the same.

따라서, 반도체 소자의 방열과 보호를 위하여, 반도체 소자의 외측에 히트 싱크(heat sink)를 설치한 예가 있다. 이에 따르면, 히트 싱크가 도전성을 갖는 금 속 소재로 제조되며, 이와 같이 제조된 히트 싱크가 반도체 소자에 직접적으로 닿아 반도체 소자가 손상되지 않도록 히트 싱크와 반도체 소자 사이에 실리콘 소재로 이루어진 열전도 패드가 더 설치되어있다. Therefore, there is an example in which a heat sink is provided outside the semiconductor element for heat dissipation and protection of the semiconductor element. According to this, the heat sink is made of a conductive metal material, and a heat conduction pad made of silicon material is further disposed between the heat sink and the semiconductor element so that the heat sink thus manufactured directly touches the semiconductor element and thus does not damage the semiconductor element. Installed.

그런데, 종래의 경우에는 반도체 소자로부터 발생된 열이 실리콘 소재로 이루어진 열전도 패드를 거쳐 히트 싱크로 전달되어 방출되므로, 반도체 소자로부터 발생된 열이 히트 싱크로 직접 전달되어 방출되는 것에 비해 방열 효과가 떨어지는 문제가 있다. However, in the related art, since the heat generated from the semiconductor device is transferred to the heat sink through the heat conduction pad made of silicon material and is released, the heat dissipation effect is inferior to that of the heat generated from the semiconductor device directly transferred to the heat sink. have.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 회로 기판에 구비된 반도체 소자로부터 발생된 열을 방열 부재로 전달하는 열전도 패드의 구조를 개선함으로써, 방열 효과가 향상될 수 있는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the above problems, by improving the structure of the heat conduction pad for transferring the heat generated from the semiconductor element provided in the circuit board to the heat radiating member, to provide a plasma display device that can improve the heat radiation effect The purpose is.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는, Plasma display device according to the present invention for achieving the above object,

가스방전에 의해 화상이 구현되는 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 후방에 배치된 섀시 베이스; 상기 섀시 베이스의 후방에 배치되며 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 것으로, 적어도 하나의 반도체 소자가 구비된 회로 기판; 상기 회로 기판에 구비된 반도체 소자의 일면에 대향되게 배치된 방열 부재; 및 상기 방열 부재와 반도체 소자 사이에 개재되며, 플라스틱 소재와, 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 열전도성 소재가 혼용되어 형성된 열전도 패드;를 구비한다. A plasma display panel in which an image is realized by gas discharge; A chassis base disposed behind the plasma display panel; A circuit board disposed behind the chassis base to drive the plasma display panel, the circuit board including at least one semiconductor element; A heat dissipation member disposed to face one surface of the semiconductor element provided on the circuit board; And a thermally conductive pad interposed between the heat dissipation member and the semiconductor element and formed by mixing a plastic material and a thermally conductive material having superior thermal conductivity than the plastic material.

여기서, 상기 열전도 패드는 플라스틱 소재로서 형성되어 전체적인 외형을 이루는 수지부와, 그 수지부 내외에 분산되어 배치되게 열전도성 소재로서 형성된 필러부를 구비하여 된 것이 바람직하다. Here, the thermally conductive pad is preferably provided with a resin portion formed as a plastic material to form an overall appearance, and a filler portion formed as a thermally conductive material so as to be dispersed and disposed inside and outside the resin portion.

여기서, 상기 열전도 패드는 플라스틱 소재에 분말 형태의 열전도성 소재가 첨가되어 사출 성형된 것이 바람직하다. Here, the thermally conductive pad is preferably injection molded by adding a thermally conductive material in powder form to the plastic material.

여기서, 상기 열전도 패드를 형성하는 열전도성 소재는 흑연인 것이 바람직하다. Here, the thermally conductive material forming the thermally conductive pad is preferably graphite.

이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치가 도시되어 있다. 1 shows a plasma display device according to an embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치(100)에는 가스방전에 의해 화상이 구현되는 플라즈마 디스플레이 패널(110)이 구비되어 있다. Referring to the drawings, the plasma display apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is provided with a plasma display panel 110 in which an image is realized by gas discharge.

상기 플라즈마 디스플레이 패널(110)로는 여러 종류의 플라즈마 디스플레이 패널들 중에서 어느 하나가 채용될 수 있는데, 그 일 예로서 면 방전형 3전극 구조를 갖는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널이 채용될 수 있다. The plasma display panel 110 may be any one of various plasma display panels. As an example, an AC plasma display panel having a surface discharge type three electrode structure may be employed.

상기 면 방전형 3전극 구조를 갖는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은, 전 면 패널과, 상기 전면 패널과 대향되어 결합되는 배면 패널을 포함하여 구성된다. The AC plasma display panel having the surface discharge type three-electrode structure includes a front panel and a rear panel opposed to and coupled to the front panel.

상기 전면 패널에는, 전방에 배치된 전면 기판과, 상기 전면 기판의 뒷면에 형성되며 상호간에 방전 갭으로 이격된 공통 전극과 스캔 전극의 쌍으로 각각 이루어진 유지 전극쌍들과, 상기 유지 전극쌍들을 덮도록 형성된 전면 유전체층과, 상기 전면 유전체층의 뒷면에 형성된 보호막이 구비될 수 있다. The front panel includes a front substrate disposed at a front side, sustain electrode pairs formed on a rear surface of the front substrate, and a pair of common electrodes and scan electrodes spaced apart from each other by a discharge gap, and covering the sustain electrode pairs. And a protective film formed on a rear surface of the front dielectric layer.

그리고, 상기 전면 패널과 결합되는 배면 패널에는, 후방에 배치된 배면 기판과, 상기 배면 기판의 앞면에 형성되며 상기 유지 전극쌍들과 교차하는 방향으로 연장된 어드레스 전극들과, 상기 어드레스 전극들을 덮도록 형성된 배면 유전체층과, 상기 배면 유전체층과 전면 유전체층 사이에 형성되어 방전 공간들을 한정하는 격벽들과, 상기 방전 공간들 내에 배치된 형광체층이 구비될 수 있다. 여기서, 상기 방전 공간들은 상기 유지 전극쌍들과 어드레스 전극들 사이가 교차하는 영역들과 각각 대응되며, 상기 방전 공간들 내에는 방전 가스가 채워지게 된다. The rear panel coupled to the front panel includes a rear substrate disposed at a rear side, address electrodes formed on a front surface of the rear substrate and extending in a direction crossing the pair of storage electrodes, and covering the address electrodes. The back dielectric layer may be provided, a barrier rib formed between the back dielectric layer and the front dielectric layer to define discharge spaces, and a phosphor layer disposed in the discharge spaces. The discharge spaces correspond to regions in which the sustain electrode pairs and the address electrodes cross each other, and discharge gas is filled in the discharge spaces.

상기와 같은 구성을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널(110)의 후방에는 섀시 베이스(120)가 배치되어 있다. 상기 섀시 베이스(120)는 알루미늄 등과 같은 소재로 형성되어, 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 지지하는 한편, 플라즈마 디스플레이 패널(110)로부터 발생된 열을 전달받아 외부로 방출시키게 된다. 상기 섀시 베이스(120)는 굽힘이나 휨 변형 등이 방지될 수 있도록, 가장자리에는 후방으로 굽어진 벤딩부(121)가 구비될 수 있으며, 후방에는 다수의 보강 부재(122)들이 설치될 수 있다. The chassis base 120 is disposed behind the plasma display panel 110 having the above configuration. The chassis base 120 is formed of a material such as aluminum to support the plasma display panel 110 and receive heat generated from the plasma display panel 110 to release the heat to the outside. The chassis base 120 may be provided with a bending portion 121 that is bent backward at the edge, and a plurality of reinforcing members 122 may be installed at the edge thereof to prevent bending or bending deformation.

이러한 섀시 베이스(120)는 양면 테이프(131)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 결합되며, 상기 섀시 베이스(120)와 플라즈마 디스플레이 패널(110) 사이에는 열전도매체(132)가 개재됨으로써 플라즈마 디스플레이 패널(110)로부터 발생된 열이 상기 열전도매체(132)로 전달되어 외부로 방출될 수 있다. The chassis base 120 is coupled to the plasma display panel 110 by a double-sided tape 131, and a thermal conductive medium 132 is interposed between the chassis base 120 and the plasma display panel 110, thereby providing a plasma display panel. Heat generated from the 110 may be transferred to the heat conducting medium 132 and released to the outside.

상기 섀시 베이스(120)의 후방에는 적어도 하나의 회로 기판(140)이 설치되어 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 구동시키게 된다. 상기 회로 기판(140)은 신호전달부재(141)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 전기적으로 연결되어 신호를 전달하게 되는데, 상기 신호전달부재(141)로는 플렉시블 인쇄케이블(Flexible Printed Cable), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등에서 적어도 하나가 선택되어 채용될 수 있다. 상기한 바와 같은 플라즈마 디스플레이 패널(110)과 회로 기판(140)이 결합된 섀시 베이스(120)는 미도시된 케이스에 의해 수용됨으로써 플라즈마 디스플레이 장치(100)를 구성하게 된다. At least one circuit board 140 is installed behind the chassis base 120 to drive the plasma display panel 110. The circuit board 140 is electrically connected to the plasma display panel 110 by the signal transmission member 141 to transmit a signal. The signal transmission member 141 includes a flexible printed cable and a tape. At least one selected from a carrier package, a chip on film, and the like may be selected and employed. The chassis base 120 coupled with the plasma display panel 110 and the circuit board 140 as described above is accommodated by a case not shown to constitute the plasma display apparatus 100.

한편, 상기 회로 기판(140)에는 플라즈마 디스플레이 패널(110)을 구동시키기 위해 다수의 소자들이 구비되어, 화상 구현을 위한 전압 신호를 인가하고, 전원을 공급하게 된다. 이러한 전원 공급회로는 소형화 및 고효율화에 따른 스위칭 모드 파워 서플라이(Switching Mode Power Supply, SMPS)가 주로 채용될 수 있는데, 여기에는 도 2에 도시된 바와 같은 반도체 소자(150), 예컨대 스위칭 소자인 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)가 다수 구비된다. On the other hand, the circuit board 140 is provided with a plurality of devices for driving the plasma display panel 110, to apply a voltage signal for the image realization and to supply power. Such a power supply circuit may be mainly adopted a switching mode power supply (SMPS) according to the miniaturization and high efficiency, which includes a semiconductor device 150, for example, a field effect that is a switching device A plurality of transistors (Field Effect Transistors) are provided.

이와 같은 반도체 소자(150)는 작동을 하게 되면 다량의 열이 발생되는데, 발생된 열을 전달받아 주변 공기와의 열 교환을 통해 방열시키기 위해 반도체 소자(150)에는 방열 부재(160), 예컨대 히트 싱크(heat sink)가 설치된다. When the semiconductor device 150 is operated, a large amount of heat is generated, and the heat dissipation member 160, for example, heat is applied to the semiconductor device 150 in order to receive heat generated and radiate heat through heat exchange with surrounding air. A heat sink is installed.

보다 상술하면, 반도체 소자(150)는 회로 기판(140)과 수직한 방향으로 세워져 반도체 소자(150)에 구비된 단자(151)들에 의해 회로 기판(140)에 접속되어 있다. 이렇게 회로 기판(140)에 설치된 반도체 소자(150)의 일면에는 이와 대향되게 방열 부재(160)가 회로 기판(140)에 고정되어 배치되며, 이와 같이 배치된 방열 부재(160)는 나사 부재(170) 등에 의해 반도체 소자(150)와 적어도 일측에서 결합된다. 상기 방열 부재(160)는 다양한 구조로 이루어질 수 있는데, 그 일 예가 도 2 및 도 3에 도시되어 있다. More specifically, the semiconductor device 150 is erected in a direction perpendicular to the circuit board 140 and connected to the circuit board 140 by terminals 151 provided in the semiconductor device 150. The heat dissipation member 160 is fixedly disposed on the circuit board 140 to face one surface of the semiconductor element 150 installed on the circuit board 140. The heat dissipation member 160 disposed as described above is a screw member 170. And at least one side thereof with the semiconductor element 150. The heat dissipation member 160 may have various structures, one example of which is illustrated in FIGS. 2 and 3.

도시된 바에 따르면, 방열 부재(160)는 금속 소재로서 형성되며, 플레이트 형상으로 형성된 본체부(161)와, 상기 본체부(161)로부터 각각 소정 높이로 돌출되게 형성되며 상호 이격된 방열 휜(162)들을 포함하여 구성되어 있다. 상기 본체부(161)는 반도체 소자(150)의 외면에 전체적으로 대향되게 배치된 상태로 나사 부재(170) 등에 의해 반도체 소자(150)와 적어도 일측에서 결합된다. 상기 방열 휜(162)들은 플레이트 형상으로 각각 형성된 것으로 도시되어 있으나, 방열 면적을 증대시키기 위한 다양한 구조, 예컨대 봉 형상으로도 형성될 수 있다. As illustrated, the heat dissipation member 160 is formed of a metal material, and is formed to protrude from the body portion 161 and the body portion 161 in a plate shape at a predetermined height and are spaced apart from each other. ) Is configured to include. The main body 161 is coupled to the semiconductor device 150 at least on one side by a screw member 170 in a state in which the main body 161 is disposed to face the outer surface of the semiconductor device 150 as a whole. Although the heat dissipation fins 162 are illustrated as being formed in a plate shape, the heat dissipation fins 162 may be formed in various structures, for example, a rod shape, to increase a heat dissipation area.

상기와 같은 구조를 갖는 방열 부재(160)와 반도체 소자(150) 사이에는 본 발명의 일 특징에 따른 열전도 패드(180)가 개재되어 있다. 상기 열전도 패드(180)는 반도체 소자(150)로부터 발생된 열이 방열 부재(160)로 신속하게 전달될 수 있게 한다. 이를 위해, 상기 열전도 패드(180)는 반도체 소자(150)의 일면에 평행하게 배치될 수 있는 형상을 가지며, 플라스틱 소재와 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 열전도성 소재를 혼용한 소재로서 형성되어 있다. A thermally conductive pad 180 according to an aspect of the present invention is interposed between the heat dissipation member 160 and the semiconductor device 150 having the above structure. The thermal conductive pad 180 allows heat generated from the semiconductor device 150 to be quickly transferred to the heat dissipation member 160. To this end, the thermal conductive pad 180 has a shape that can be disposed parallel to one surface of the semiconductor device 150, and is formed as a mixed material of a plastic material and a thermal conductive material having superior thermal conductivity than the plastic material.

이러한 열전도 패드(180)는 다양한 구조로 이루어질 수 있는데, 그 일 예로 도 4에 상세히 도시된 바와 같이, 플라스틱 소재로 형성된 수지부(181)와 열전도성 소재로 형성된 열전도 필러부(182)가 혼재된 구조로 이루어질 수 있다. The thermally conductive pads 180 may have various structures. For example, as shown in detail in FIG. 4, the resin portion 181 formed of a plastic material and the thermally conductive filler portion 182 formed of a thermally conductive material are mixed. It may be made of a structure.

즉, 상기 열전도 패드(180)는 플라스틱 소재로 형성되어 전체적인 외형을 이루는 수지부(181)와, 상기 수지부(181) 내외에 분산되어 배치되게 열전도성 소재로 형성된 열전도 필러부(182)를 구비한 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 구조를 갖는 열전도 패드(180)는 플라스틱 소재에 분말 형태로 만들어진 열전도성 소재를 첨가하여 플레이트 형상을 갖도록 사출 성형함으로써 제조될 수 있다. 상기 열전도 필러부(182)를 형성하는 열전도성 소재로는 흑연 등과 같은 열전도성이 우수한 소재가 이용될 수 있다. That is, the thermally conductive pad 180 includes a resin part 181 formed of a plastic material to form an overall appearance, and a thermally conductive filler part 182 formed of a thermally conductive material to be disposed in and out of the resin part 181. It can be made in one structure. The thermally conductive pad 180 having such a structure may be manufactured by injection molding to have a plate shape by adding a thermally conductive material made of powder to a plastic material. As the thermally conductive material forming the thermally conductive filler 182, a material having excellent thermal conductivity such as graphite may be used.

상기한 바와 같이 열전도 패드(180)가 열전도성 소재로 형성된 열전도 필러부(182)를 구비함으로써 종래와 같이 실리콘 소재로 형성된 열전도 패드와는 달리, 우수한 열전도성을 가질 수 있게 되므로 반도체 소자(150)로부터 발생된 열을 방출시키는 효과가 높아질 수 있다. 즉, 반도체 소자(150)로부터 발생된 열이 열전도성이 우수한 열전도 패드(180)를 거쳐 방열 부재(160)를 통해 신속하게 전달되어 방출될 수 있게 되므로, 반도체 소자(150)의 열화가 방지될 수 있으며, 이에 따른 회로 기판(140)의 신뢰성이 확보될 수 있는 효과가 얻어질 수 있다. As described above, since the thermally conductive pad 180 includes the thermally conductive filler 182 formed of a thermally conductive material, unlike the conventionally conductive thermally conductive pads made of a silicon material, the thermally conductive pad 180 may have excellent thermal conductivity. The effect of releasing the heat generated from can be increased. That is, since the heat generated from the semiconductor device 150 can be quickly transmitted and released through the heat dissipation member 160 via the heat conductive pad 180 having excellent thermal conductivity, deterioration of the semiconductor device 150 can be prevented. In this case, an effect of ensuring the reliability of the circuit board 140 may be obtained.

그리고, 상기 열전도 패드(180)는 우수한 열전도성과 함께, 플라스틱 소재로 형성된 수지부(181)를 구비함으로써 완충성을 가질 수 있게 되므로, 열전도 패드(180)가 반도체 소자(150)와 방열 부재(160) 사이에서 이들과 각각 밀착되어 배치 되더라도, 반도체 소자(150)에 충격이 가해지지 않게 되어 반도체 소자(150)가 손상되는 것이 방지될 수 있다. 게다가, 반도체 소자(150)나 방열 부재(160)와 대향되는 면들이 평탄하지 않거나 여러 원인으로 인해 이들과의 간격이 균일하지 않은 경우에도, 열전도 패드(180)가 반도체 소자(150)나 방열 부재(160)에 각각 밀착되어 배치될 수 있다. In addition, since the thermal conductive pad 180 has excellent thermal conductivity, the thermal conductive pad 180 may have a buffering property by having the resin part 181 formed of a plastic material, and thus the thermal conductive pad 180 may have the semiconductor element 150 and the heat dissipation member 160. Even if they are disposed in close contact with each other, the impact is not applied to the semiconductor device 150, so that the semiconductor device 150 may be prevented from being damaged. In addition, even when the surfaces facing the semiconductor element 150 or the heat dissipation member 160 are not flat or the spacing therebetween is not uniform due to various reasons, the thermal conductive pad 180 is formed of the semiconductor element 150 or the heat dissipation member. Each of the pads 160 may be disposed in close contact with each other.

이처럼 열전도 패드(180)가 완충성을 가짐에 따라 반도체 소자(150)와 방열 부재(160) 사이에서 이들과 각각 밀착되어 배치되는 것이 가능해짐으로써, 열전도 패드(180)가 반도체 소자(150)와 방열 부재(160)에 각각 접촉될 수 있는 면적이 증대될 수 있어 열저항이 줄어들 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자(150)로부터 발생된 열이 열전도 패드(180)를 거쳐 방열 부재(160)로 전달되어 방출되는 효과가 극대화될 수 있다. As the thermally conductive pads 180 have a buffering property, the thermally conductive pads 180 may be disposed in close contact with each other between the semiconductor elements 150 and the heat dissipation member 160. The area that can be in contact with each of the heat dissipation members 160 may be increased, thereby reducing the thermal resistance. Accordingly, the effect of the heat generated from the semiconductor device 150 being transferred to the heat dissipation member 160 via the heat conductive pad 180 may be maximized.

한편, 상기 열전도 패드(180)는 반도체 소자(150)나 방열 부재(160) 사이에서 고정되는 것이 바람직한데, 열전도 패드(180)가 반도체 소자(150)나 방열 부재(160)에 부착될 수 있게, 열전도 패드(180)의 적어도 일면에는 통상적인 접착성 물질이 도포될 수 있을 것이다. On the other hand, the thermal conductive pad 180 is preferably fixed between the semiconductor element 150 or the heat dissipation member 160, so that the thermal conductive pad 180 can be attached to the semiconductor element 150 or the heat dissipation member 160. At least one surface of the thermal conductive pad 180 may be coated with a conventional adhesive material.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 소자와 방열 부재 사이에 플라스틱 소재와 플라스틱 소재보다 열전도성이 우수한 소재가 혼용되어 형성된 열전도 패드가 설치됨으로써, 반도체 소자로부터 발생된 열이 열전도 패드를 거쳐 방열 부재를 통해 신속하게 전달되어 방출될 수 있게 된다. 따라서, 반도체 소자의 열화가 방지될 수 있으며, 이에 따른 회로 기판의 신뢰성이 확보될 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, between the semiconductor element and the heat radiating member, a heat conductive pad formed by mixing a plastic material and a material having better thermal conductivity than the plastic material is provided, whereby heat generated from the semiconductor element passes through the heat conductive pad and passes through the heat radiating member. Through it can be quickly delivered and released. Therefore, deterioration of the semiconductor device can be prevented, and thus, the reliability of the circuit board can be secured.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

Claims

A plasma display panel in which an image is realized by gas discharge;

A chassis base disposed behind the plasma display panel;

A circuit board disposed behind the chassis base to drive the plasma display panel, the circuit board including at least one semiconductor element;

A heat dissipation member disposed to face one surface of the semiconductor device provided on the circuit board, coupled to one surface of the semiconductor device with a screw, and in close contact with the circuit board; And

And a thermally conductive pad interposed between the heat dissipation member and the semiconductor element and formed by mixing a plastic material and graphite having better thermal conductivity than the plastic material.

The thermal conductive pad is in close contact with the heat dissipation member and the semiconductor element.

The method of claim 1,

And the heat conduction pad is formed of a plastic material to form an overall appearance, and a heat conduction filler part formed of graphite so as to be dispersed and disposed inside and outside the resin part.

The method of claim 2,

The thermal conductive pad is a plasma display device, characterized in that the injection molded by adding a powder of graphite to a plastic material.

delete

The method of claim 1,

The semiconductor device provided in the circuit board is a plasma display device, characterized in that the field effect transistor (Field Effect Transistor).

The method of claim 1,

And the heat dissipation member is a heat sink having a main body portion formed in a plate shape opposite to the semiconductor element, and a heat dissipation fan protruding from the main body portion to the opposite side of the semiconductor element.