KR100706148B1 - 다양한 홈 패턴을 구비한 섹션을 갖는 화학 기계적 평탄화 또는 연마 패드 - Google Patents

다양한 홈 패턴을 구비한 섹션을 갖는 화학 기계적 평탄화 또는 연마 패드 Download PDF

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Abstract

CMP 연마 패드는 일렬로 연결된 방식으로 복수개의 연마 패드 단면(12)을 결합함으로써 전체 재료 제거율 균일성을 향상시키며, 연마 패드 단면(12)은 적어도 두 개의 상이한 재료 제거율 프로파일에 의해 특징화된다, 연마 패드(10)는 각각의 연마 패드가 독특한 홈 구성을 갖는 일군의 연마 패드의 각각에 대해 웨이퍼 연마 프로파일을 결정하고, 연마 프로파일에서 향상된 균일성을 얻기 위해 결합되어질 독특한 홈 구성 중의 하나로 구성된 각각의 연마 패드 세그먼트의 조합을 결정하고, 그리고 분석적으로 결정된 패드 단면(12)에 상응하는 패드 단면을 갖는 연마 패드(10)를 제조함으로써 설계된다.
CMP 연마 패드, 연마 패드 단면, 반도체 웨이퍼, 제1 홈 패턴, 제2 홈 패턴

Description

다양한 홈 패턴을 구비한 섹션을 갖는 화학 기계적 평탄화 또는 연마 패드 {CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION OR POLISHING PAD WITH SECTIONS HAVING VARIED GROOVE PATTERNS}
본 발명은 화학 기계적 평탄화 적용 분야에서 사용하기 위한 연마 패드에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 화학 기계적 평탄화 또는 반도체 웨이퍼의 연마에 사용되는 패드에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼는 이후에 분리되어 개개의 칩으로 만들어질 다중 복제의 소정의 집적 회로 설계로 제조된다. 반도체 상에서 회로 조합체를 형성하기 위한 통상의 기술은 사진 식각공정(phtolithography)이다. 사진 식각공정의 부품은 전문 카메라가 웨이퍼에 회로의 화상을 투사하기 위해 웨이퍼에 초점을 맞출 것을 요한다. 웨이퍼의 표면에 초점을 맞추기 위한 카메라의 능력은 웨이퍼 표면에서 때때로 불일치 또는 불균등에 의해 악영향을 받는다. 이러한 감광도는 보다 소형이며, 고집적 회로 설계로 향하는 현재의 경향으로 강화되고 있다. 반도체 웨이퍼는 또한, 회로의 일부분이 제1 레벨에서 생성되고 도전성 바이어스(vias)가 회로의 다음 레벨을 연결하기 위해 형성되는, 층내에 통상적으로 구성된다. 회로의 각각의 층이 웨이퍼 상에서 에칭된 후에, 산화층은 바이어스를 관통하나, 이전 회로 나머지 레 벨을 덮도록 놓여진다. 각각의 회로 층은 다음 회로 층을 발생하기 이전에 양호하게는 평탄하게 되는 웨이퍼에 대해 불균등을 발생시키거나 추가할 수 있다.
화학 기계적 평탄화(CMP) 기술은 가공되지 않은 웨이퍼와 이후 재료가 첨가된 각 층을 평탄화하기 위해 사용된다. 통상적으로 웨이퍼 연마제로 불리는, 입수 가능한 CMP 시스템은 때때로 웨이퍼를 평탄화되어질 웨이퍼 표면의 평면에서 이동하는 연마 패드와 접촉하도록 하는 회전 웨이퍼 홀더를 사용한다. 화학 연마제 또는 미세연마제(microabrasive)를 포함하는 슬러리와 같은, 연마 유체는 웨이퍼를 연마하기 위해 연마 패드에 적용된다. 웨이퍼 홀더는 회전 연마 패드에 대해 웨이퍼를 누르고 웨이퍼를 연마시키고 평탄화하도록 회전된다.
웨이퍼 연마제에 사용된 연마 패드의 형태는 반도체 웨이퍼 전체의 제거율 프로파일에 큰 영향을 줄 수 있다. 이상적으로, 웨이퍼 연마제로 가공된 반도체 웨이퍼는 전체 웨이퍼 표면을 통해서 일정한 제거율을 나타낼 것이다. 다수의 연마 패드는 소정의 제거율을 달성하기 위한 1개의 특정 패턴의 채널 또는 보이드(void)를 갖도록 설계되어졌다. 이러한 기존의 연마 패드는 종종 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 내측부보다 더 빨리 반도체 웨이퍼의 에지로부터 재료를 제거할 수 있는, 접지 번호 제거율 패턴(signature removal rate pattern)을 때때로 갖는다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 표면을 가로질러 균일성을 강화할 수 있는 연마 패드에 대한 필요성이 있다.
본 발명의 제1 실시 형태에 따르면, 연마 부재는 선형 통로에서 이동 가능한 선형 벨트를 갖는 연마 부재가 제공된다. 적어도 두 개의 일렬로 연결된 연마 패드 섹션은 벨트에 부착된다. 연마 패드 섹션은 그 측면 내에 제1 홈 패턴을 구비한 제1 연마 패드 섹션을 포함한다. 제1 홈 패턴은 양호하게는 복수개의 홈으로 구성된다. 제2 연마 패드 섹션은 선형 밸트에 대향하는 홈이 없는 측면을 구비한다.
본 발명의 제2 실시 형태에 따르면, 반도체 웨이퍼의 화학 기계적 평탄화를 위한 연마 패드는 선형 벨트를 형성하는 복수개의 일렬로 연결된 연마 패드 섹션을 포함한다. 복수개의 일렬로 연결된 연마 패드 섹션은 각각 제1 및 제2 홈 패턴을 갖는 제1 및 제2 연마 패드 섹션을 포함한다. 일 실시예에서, 각각의 홈 패턴은 양호하게는 패드의 선형 통로에 평행하게 지향된다. 다른 실시예에서, 패드 섹션은 비-평행 홈을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 복수개의 연마 패드 섹션을 갖는 선형 화학 기계적 평탄화 연마 패드의 제조 방법은 화학 기계적 평탄화 연마 패드에서 사용되고, 독특한 홈 패턴을 갖는 복수개의 홈 패턴 각각에 대한 반도체 웨이퍼 상의 재료 제거율 프로파일을 경험적으로 측정하는 단계를 포함한다. 복수의 홈 패턴 각각에 대해 측정된 재료 제거율 프로파일은 비교되고 반도체 웨이퍼를 가로질러 개선된 제거율 균일성을 달성하기 위해 상이한 홈 패턴을 적절하게 조합하도록 결정된다. 필요한 조합을 결정한 후에, 적어도 두 개의 일렬로 연결된 연마 패드 섹션으로 구성된 연마 패드가 제조되며, 적어도 두 개의 연마 패드 섹션이 선택된 홈 패턴 중의 상이한 하나를 포함한다.
도1은 본 발명의 양호한 실시예에 따른 연마 패드를 갖는 연마 부재의 사시 도이다.
도2는 도1의 연마 패드의 변경예의 부분 평면도이다.
도3은 도1 또는 도2의 연마 패드에서 사용하기에 적합한 홈이 있는 연마 패드 섹션의 단면도이다.
도4는 도1의 연마 패드의 제2 변경예의 부분 평면도이다.
도5는 양호한 실시예에 따른 회전 연마 패드의 평면도이다.
도6은 본 발명의 방법의 양호한 실시예에 따라 제조된 재료 제거율 측정의 그래프도이다.
도7은 본 실시예에 따라 도4에서 기술된 선택된 연마 패드를 결합함으로써 얻어진 재료 제거율의 그래프도이다.
화학 기계적 평탄화(CMP) 공정에서 한 가지 중요한 요소는 반도체 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐서 연마 균일성이다. 연마 공정이 완료된 후에 웨이퍼 상의 모든 지점에서 재료 두께가 균일하게 유지됨으로써, 웨이퍼 상의 집적 회로 다이는 연마 공정이 웨이퍼 상의 어디에서 시작하는가와는 무관하게 동일한 성능 특성을 더욱 잘 유지한다. 아래 기술된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 CMP 연마 패드는 제거율에서 개선된 균일성을 제공하고 향상된 제조 공정 제어 및 향상된 웨이퍼 수율에 이를 수 있다.
도1은 본 발명에 따른 CMP 연마 패드(10)의 양호한 실시예를 도시한다. 연마 패드(10)는 복수의 연마 패드 섹션(12)을 포함한다. 각각의 연마 패드 섹션(12)은 지지 선형 벨트(14)상에서 연속하는 일렬로 연결된 체인을 형성하도록 옆으로 인접하게 위치된다. 각각의 연마 패드 섹션은 고유한 각각의 홈 패턴(16a-c)으로 형성된다. 또한, 각각의 홈 패턴(16a-c)은 선형 벨트(14)의 운동 방향에 평행하게 배열된다. 각각의 패드 섹션(12)은 패드 재료의 분리된 조각으로 구성될 수 있고 완전한 연마 패드(10)를 형성하기 위해 함께 연결될 수 있다. 선택적으로, 연마 패드 섹션(12)은 하나의 재료로 제조될 수 있다. 연마 패드 섹션은 도1에서 도시된 바와 같이, 분리된 벨트 상에 장착될 수 있거나, 독립형의 벨트인 연마 패드를 형성할 수 있다.
도2를 참조하면, 연마 패드(110)가 홈 패턴(116a, 116c)을 갖는 섹션(112)과 홈이 없는 섹션(116b)(즉, 연속적 연마 패드 표면)을 포함하는 대안의 실시예가 도시되어 있다. 또한, 홈은 선형 벨트(114)의 운동 방향에 평행하게 배열된다. 한 양호한 실시예에서, 각각의 홈 패턴은 폭, 깊이 및 피치에 의해 한정된다.
도3에서 도시된 바와 같이, 홈(19)의 폭(18)은 홈의 대향하는 평행한 벽 사이의 거리이다. 깊이(20)는 연마 패드의 외부면으로부터 홈의 바닥까지의 거리이고, 피치(22)는 제1 홈의 제1 벽으로부터 바로 인접한 홈의 다른 제1 벽까지의 거리이다. 도1 내지 도3의 실시예에서, 패드 섹션의 사이에서 홈 패턴은 다르지만 특정 패드 섹션 내의 홈에 대해 폭, 깊이 및 피치가 동일하도록 소정 패드 섹션(12, 112)내에서 양호하게는 균일하다. 다른 실시예에서, 특정 패드 섹션 내의 홈 패턴은 패드 섹션내의 홈 사이에서 변동하는 폭, 깊이 및 피치를 포함할 수 있다. 뿐만 아니라, 홈이 양호하게는 직선 섹션을 갖도록 형성되지만, 홈은 경사지거나 굴곡진 벽을 갖도록 형성될 수도 있다. 상술 목적에 따라, 홈은 채널의 길이가 그 폭보다 더 긴, 패드 재료에서 절단되거나 형성된 채널로 한정된다. 홈은 패드 섹션의 전체 길이를 연장할 수 있거나 연장할 수 없다.
선형 반도체 연마 또는 평탄화 패드의 다른 실시예에서, 특정 패드 섹션내의 홈은 평행하지 않을 수 있다. 도4의 실시예를 참조하면, 비-평행 홈 패턴(216a)을 갖는 연마 패드 섹션(212)이 포함된 선형 연마 패드(210)가 도시된다. 비-평행 홈 패턴(216a)은 교차하는 홈을 가질 수 있다. 비-평행 홈 패턴(216a)을 갖는 연마 패드 섹션(212)은 평행한 홈 패턴(216b-216d)을 갖는 다른 연마 패드 섹션(212)과 결합될 수 있다. 상이한 비-평행 홈 패턴을 갖는 모든 패드 섹션을 구비한 연마 패드, 또는 비-평행 홈을 갖는 일부 패드 섹션 및 홈이 없는 표면을 갖는 다른 패드 섹션을 구비한 연마 패드등의, 다른 조합체들도 고려된다. 도4의 실시예에서 도시된 바와 같이, 평행한 홈 패턴은 굴곡형 홈(216d)의 패턴 또는 서로 평행거나 비-평행 관계로 배치된 다른 곡선의 패턴을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 연마 패드 섹션은 홈 보다는 패드 재료내에 원형 보이드 또는 딤플의 양각 패턴을 가질 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 반도체 연마 패드는 회전식 연마 패드일 수 있다. 도5는 복수의 웨지형 섹션(312)을 갖는 하나의 회전식 연마 패드(310)를 도시하며, 상기 웨지형 섹션(312)은 회전식 연마 패드가 회전될 때 반도체 웨이퍼가 상이한 섹션에 연속적으로 제공되도록 연속적으로 연결된다. 각각의 섹션(312)은 양호하게는 상이한 홈 패턴(316a-316c)을 갖는다. 일 실시예에서, 하나 이상의 섹션(312)은 회전 패드의 중심에 대해 중심에 설정된 복수개의 동심 원호 세그먼트(홈 패턴(316a, 316b) 참조)를 포함하는 각각의 홈 패턴을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 섹션(312)은 복수개의 동심이 아닌 홈 패턴을 포함하는 홈 패턴을 가질 수 있다.
선형 또는 회전식 반도체 연마 패드를 구성하는 연마 패드 섹션을 제조하는데 사용하기 위한 하나의 적합한 패드 재료는 아리조나 소재의 피닉스(Phoenix) 로델 코포레이션으로부터 입수 가능한 IC1000과 같은 밀폐식 셀 폴리우레탄(closed cell polyurethane)이다. 비록, 각각 패드 섹션은 양호하게는, 동일한 패드 재료로 구성될지라도, 다른 실시예에서, 하나 이상의 상이한 패드 재료는 연마 패드내의 각각의 연마 패드 섹션에 이용될 수 있다. 패드 재료는 또한 상이한 경도 또는 밀도를 가지도록 선택될 수 있다. 양호한 실시예에서, 패드 재료는 50 - 70의 범위를 갖는 듀로미터 경도(Durometer hardness), 4 %- 16 %의 범위를 갖는 압축률 및 0.74 - 0.85 범위를 갖는 비중(specific gravity)을 가질 수 있다. 홈은 로델 코포레이션 등의 임의의 다수의 통상의 반도체 웨이퍼 연마 패드 제조자에 의해 사용되는 표준 기술을 사용하여 패드 재료내에 홈이 제조될 수 있다.
도1, 2 및 4를 참조하여, 연마 패드(10, 110, 210)는 한 실시예에서 선형 벨트(14, 114)에 장착될 수 있고 캘리포니아 소재의 프레몬트의 램 리서치 코포레이션으로부터 입수 가능한 등록 상표 테레스(TERESTM) 연마제 등의 선형 반도체 웨이 퍼 연마제로 이용될 수 있다. 작동 중에, 패드(10, 110, 210)는 (도시되지 않은)반도체 웨이퍼 홀더가 패드의 표면에 대해 반도체 웨이퍼를 누르는 동안 선형 방향을 따라 연속적으로 이동된다. 반도체 웨이퍼 홀더는 또한 패드에 대해 웨이퍼를 교정하고 있는 동안 웨이퍼를 회전할 수 있다.
웨이퍼 표면에 화학적으로 활성을 가지며 연마되는 슬러리를 따른 패드(10, 110, 210)는 웨이퍼 상의 층들을 연마하기 위해 사용된다. 임의의 다수의 공지된 연마 슬러리가 사용될 수 있다. 하나의 적합한 슬러리는 카봇 코포레이션(Cabot Corp.)으로부터 입수 가능한 SS25이다. 패드 섹션 상에서, 홈이 없는 부분을 포함하는 홈 패턴(16, 116, 216)은 웨이퍼 저면 슬러리를 수송하기 위한 패드의 능력을 변화시키고 따라서 홈 패턴은 웨이퍼의 섹션을 가로질러 측정된 바와 같이 재료 제거율 프로파일에 영향을 미칠 수 있다.
반도체 웨이퍼에 대해 실질적으로 균일한 재료 제거율 프로파일을 갖는 선형 CMP 연마 패드를 생성하기 위한 한 가지 양호한 방법은 아래에서 기술된다. 먼저, 하나의 홈 패턴을 가지며 상이한 벨트의 원주를 완전히 덮고 있는 일부 연마 패드는 소정의 시간 동안 반도체 웨이퍼를 연마하기 위해 각각 사용된다. 램 리서치 코포레이션으로부터 입수 가능한 양호하게는 테레스(TERESTM) 연마제인, 동일한 웨이퍼 연마제는 연마 패드 각각을 시험하기 위해 사용된다. 특정 연마 패드를 갖는 반도체 웨이퍼가 연마된 후에, 제거된 재료의 양은 웨이퍼의 직경을 가로질러 다양한 지점에서 측정되고 컴퓨터 상의 데이터베이스에 기록된다. 제거율은 각각의 반 도체 웨이퍼에 대해 사용된 각각의 측정 지점에서 비교된다. 비교 데이터를 이용하여, 홈 패턴의 조합, 각각의 특정 홈 패턴의 길이가, 전체 반도체 웨이퍼를 가로지르는 균일한 재료 제거율을 산출하도록 예상되도록 결정된다. 양호한 실시예에서, 재료 제거율의 비교 및 홈 패턴의 적당한 조합의 결정은 마이크로 코포레이션에 의한 엑셀에서 쓰여진 프로그램을 구동하는 퍼스널 컴퓨터를 사용하여 성취될 수 있다.
전체 웨이퍼를 가로질러 실질적으로 균일한 재료 제거율을 갖는 연마 패드를 생산하는 예상된 연마 패드 섹션을 계산한 후, 연마 패드는 통상적으로 공지된 제조 기술을 사용하여 제조되므로 각각 선택된 홈 패턴에 대한 적당한 섹션 길이가 하나의 벨트상에서 조합된다. 하나의 실시예에서, 하나의 패드 재료가 사용될 때, 패드는 패드 내에 형성된 적당한 홈 패턴과 길이를 갖는 하나의, 연속하는 스트립일 수 있다. 다른 실시예에서, 각각의 고유한 홈 패턴을 갖는 패드 재료의 분리된 조각은 하나의 벨트 상에서 함께 연결될 수 있다.
다양한 홈 패턴에 대한 재료 제거율의 그래프는 도6에서 도시된다. 도6에서 그래프의 x-축은 웨이퍼 중심으로부터 밀리미터 단위로 반도체 웨이퍼의 직경에 따른 측정 지점을 나타낸다. y-축은 분당 암스트롱 단위로 측정된 제거율을 나타낸다. 그래프 상에 각각의 트레이스는 특정 홈 패턴을 갖는 패드에 대한 측정된 제거율을 나타낸다. 모든 측정치에 대한 다운포스(패드에 대해 반도체에 적용된 압력)는 스퀘어 인치당 5 파운드이며, 패드의 선형 속도와 웨이퍼 홀더의 회전 속도가 각각, 분당 400 피트와 분당 20 레볼루션이다. 도6에서 가장 상부의 트레이스를 따라 시작할 때, 도시된 재료 제거율에 상응하는 홈 패턴은 다음과 같다.
참조 번호 홈 패턴(폭×깊이×피치) (모두 1/1000인치)
200 K-GrooveTM
202 10×20×40
204 10×20×100
206 20×20×50
208 10×10×100
210 20×20×40
212 20×10×50
214 20×20×100
216 패드에 홈이 없음
도6의 예로부터 명백한 바와 같이, 재료 제거율과 제거율 프로파일은 상이한 홈 패턴 사이에서 명백히 변화한다. 몇 개의 홈 패턴을 선택하고 웨이퍼의 직경을 따른 각각의 지점에서 제거율의 가중 평균을 계산함으로써, 중량 산정은 특정 홈 패턴을 갖는 패드 섹션으로부터 구성될 완전한 패드의 길이의 백분율을 기초로 하며, 예상된 제거율 프로파일이 계산될 수 있다. 양호한 실시예에서, 홈은 선형 벨트상에서 패드의 운동 방향에 평행하게 지향된다. 다양한 다른 홈 치수가 고려될 때, 홈 치수는 양호하게는 0-30 범위의 1/1000인치(mils) 폭, 5-30 mils 범위의 깊이내에 있고, 25-200 mils 범위의 피치를 갖는다. K-GrooveTM 트레이스(200)는 로델 코포레이션으로부터 상용으로 입수 가능한 홈 패턴을 참조한다.
도7은 상술된 방법에 따라 제조된 연마 패드로부터 측정된 예상 제거율 프로파일(218)과 실제 제거율 프로파일(220)을 도시한다. 제거율 프로파일(218, 220)을 발생하도록 사용된 연마 패드는 동일한 길이를 갖는 세 개의 연마 패드 섹션을 포함하고 동일한 연마 패드 재료로 구성된다. 제1 연마 패드 섹션은 0.010"×0.020"×0.100"(깊이×폭×피치)의 홈 패턴을 포함하고, 제2 연마 섹션은 0.020"×0.020"×0.050"의 홈 패턴을 포함하고, 제3의 연마 패드 섹션은 홈을 갖지 않는다. 본 발명의 양호한 실시예에 따라 제조된, 웨이퍼의 전체 넓이를 따라 향상된 재료 제거율의 균일성을 갖는, 다른 연마 패드는 홈이 없는 것과, 12×20×50, 20×20×50, 10×20×100 및 20×20×100(단위가 1/1000 인치이고 폭×깊이×피치를 참조할 때)인 5개의 연마 패드 섹션으로 구성된다.
상기로부터, 연마 패드 및 이의 제조 방법이 기술되어 있다. 방법은 상이한 홈 패턴의 상이한 재료 제거율 프로파일을 이용하고 상이한 홈 패턴을 갖는 적어도 두 개의 연마 패드 섹션을 갖는 합성 패드를 형성하도록 입수 가능한 홈 패턴의 조합을 최적화한다. 상기 방법은 다른 홈 패턴에 대한 제거율 프로파일을 비교하고 제거율 프로파일을 향상하기 위한 하나의 플랫폼 상의 연마 패드 섹션 조합의 결과를 기계적으로 최적화하도록 제공한다. 최종적인 패드는 양호하게는 반도체 웨이퍼를 가로질러 보다 균일한 재료 제거율을 갖는다.
CMP 연마 패드는 복수의 연속적으로 연결된 연마 패드 섹션을 갖고 또한 노출된다. 복수개의 패드 섹션은 선형 벨트를 형성할 수 있거나 분리된 선형 벨트 상에 장착될 수 있다. 또한, 패드 섹션은 회전 연마 패드를 형성할 수 있다. 각각의 연마 패드 섹션은 제1 실시예에서, 패드 경로의 방향에 평행하게 지향된 홈으로 구성된 다른 홈 패턴을 포함하고, 다른 실시예에서, 경로의 방향에 비-평행 홈을 포함할 수 있다.
상술된 상세한 설명은 제한된다기 보다 설명된 바와 같이 간주되고, 모든 동등한 것을 포함한 다음 청구범위가 본 발명의 영역을 한정하도록 의도된다고 이해 된다.

Claims (30)

  1. 반도체 웨이퍼의 화학 기계적 평탄화에 사용하는 연마 부재(110)에 있어서,
    선형 통로 내에서 이동 가능한 선형 벨트(114)와,
    상기 선형 벨트에 부착된 두 개 이상의 연속적으로 연결된 연마 패드 섹션(112)을 포함하며,
    상기 연마 패드 섹션(112)은,
    상기 선형 벨트(114)에 대향하는 제1 연마 패드 섹션(112)의 한 측면에 형성되고 복수개의 홈을 구비하는, 제1 홈 패턴(116a)을 갖는 제1 연마 패드 섹션(112)과,
    상기 선형 벨트(114)에 대향하는 홈이 없는 측면(116b)을 갖는 제2 연마 패드 섹션(112)을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 홈은 상기 선형 벨트(114)의 상기 선형 통로에 평행하게 지향되는 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두 개 이상의 연마 패드 섹션(112)은 상기 선형 벨트(114)의 상기 선형 통로에 평행하게 지향된 복수개의 홈을 구비한, 제1 홈 패턴과는 상이한, 제3 홈 패턴을 갖는 제3 연마 패드 섹션(116b)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  4. 제3항에 있어서, 상기 두 개 이상의 연마 패드 섹션(112)은 두 개 이상의 상이한 레벨의 경도를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  5. 제3항에 있어서, 상기 두 개 이상의 연마 패드 섹션(112) 각각은 두 개 이상의 상이한 밀도를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  6. 제1항에 있어서, 상기 두 개 이상의 연마 패드 섹션(112)은 두 개 이상의 상이한 재료 제거 프로파일을 포함하고, 상기 일렬로 연결된 연마 패드 섹션(112)은 실질적으로 균일한 재료 제거 프로파일을 갖는 연마 부재(110)를 생산하도록 구성된 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 복수개의 홈 각각은
    상기 제1 연마 패드 섹션의 표면으로부터 일정 거리로 한정된 깊이(20), 제1 홈 벽에서부터 제2 홈 벽까지 측정된 상기 깊이에 대해 수직인 거리로 한정된 폭(18) 및 상기 제1의 복수개의 홈에서 제1 홈의 제1 홈 벽과 상기 제1 홈에 바로 인접한 홈의 개별 제1 벽 사이의 거리에 의해 한정된 피치 간격(22)을 갖는 직각 섹션을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 부재.
  8. 반도체 웨이퍼의 화학 기계적 평탄화에 사용하는 연마 패드에 있어서,
    선형 통로 내에서 이동 가능한 선형 벨트(14)를 형성하는 복수개의 연속적으로 연결된 연마 패드 섹션(12)을 포함하며,
    상기 복수개의 연속적으로 연결된 연마 패드 섹션(12)은,
    제1 연마 패드 섹션의 표면에 형성된 제1 홈 패턴(16a)을 갖는 제1 연마 패드 섹션(12)과,
    제2 연마 패드 섹션의 표면에서 형성되고 제1 홈 패턴(16a)과는 상이한, 제2 홈 패턴(16b)을 갖는 제2 연마 패드 섹션(12)을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 홈 패턴(16a)은 상기 선형 벨트(14)의 상기 선형 통로에 평행하게 지향된 제1 복수개의 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 홈 패턴(16b)은 상기 선형 벨트(14)의 상기 선형 통로에 평행하게 지향된 제2 복수개의 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  11. 제8항에 있어서, 상기 복수개의 연마 패드 섹션(12)은 상기 선형 벨트(14)의 상기 선형 통로에 평행하게 지향된 복수의 홈을 구비한, 상기 제1(16a) 및 제2 홈 패턴(16b)과 상이한, 제3 홈 패턴(16c)을 갖는 제3 연마 패드 섹션(12)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 패드 섹션(12)은 상이한 재료 제거율 프로파일에 의해 특징지어지고, 상기 일렬로 연결된 복수개의 연마 패드 섹션(12)은 실질적으로 균일한 재료 제거율 프로파일을 갖는 연마 패드(10)를 생산하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 연마 패드 섹션(12) 각각은 경도가 상이한 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  14. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 연마 패드 섹션(12) 각각은 밀도가 상이한 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  15. 제8항에 있어서, 상기 제1 연마 패드 섹션(12)은 상기 제2 연마 패드 섹션의 길이와 동일한 길이를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  16. 제8항에 있어서, 상기 제1 연마 패드 섹션(12)은 상기 제2 연마 패드 섹션의 길이와 상이한 길이를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  17. 제8항에 있어서, 상기 제1 연마 패드 섹션(12)의 상기 홈의 깊이, 폭 및 피치 중 하나 이상은 상기 제2 연마 패드 섹션의 상기 홈의 깊이, 폭 및 피치 각각과 상이한 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  18. 제8항에 있어서, 상기 홈의 피치는 상기 제1 연마 패드 섹션을 가로질러 균일한 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  19. 제8항에 있어서, 상기 홈의 피치는 상기 제1 연마 패드 섹션을 가로질러 변화하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  20. 복수개의 연마 패드 섹션(12)을 갖는 선형 화학 기계적 평탄화 연마 패드를 제조하기 위한 방법에 있어서,
    (a) 화학 기계적 평탄화 연마 패드에서 사용된 복수개의 홈 패턴의 각각에 대한 재료 제거율 프로파일을 측정하는 단계와,
    (b) 실질적으로 균일한 재료 제거율을 제공하는 상기 (a)단계의 측정된 제거율 프로파일에 기초한 복수개의 홈 패턴 중의 두 개 이상의 조합를 결정하는 단계와,
    (c) 상기 반도체 웨이퍼 상에 실질적으로 균일한 재료 제거율 프로파일을 제공하기 위해 상기 (b)단계에서 결정된 홈 패턴의 조합을 포함하는 복수개의 연결된 연마 패드 섹션(12)을 포함하는 연마 패드를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 연마 패드는 선형 연마 패드이고 각각의 상기 복수개의 홈 패턴 각각은 연마 패드의 선형 통로에 평행하게 지향된 홈 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 반도체 웨이퍼 상에 재료 제거율 프로파일을 측정하는 단계는 상기 홈 패턴 각각에 대해, 상기 복수개의 홈 패턴 중에 선택된 하나를 갖는 연마 패드로 웨이퍼를 평탄화한 후에 웨이퍼의 직경을 따라 복수개의 지점에서 상 기 반도체 웨이퍼의 시작 두께와 종료 두께 사이의 차이를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제8항에 있어서, 상기 복수개의 연마 패드 섹션(12)은 상기 선형 벨트(14)의 상기 선형 통로에 대해 비-평행 방식으로 지향된 복수개의 홈을 구비한 제3 홈 패턴을 갖는 제3 연마 패드 섹션(12)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
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