KR100705241B1 - Light emitting device package and method for fabricating the same - Google Patents

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KR100705241B1
KR100705241B1 KR1020050123877A KR20050123877A KR100705241B1 KR 100705241 B1 KR100705241 B1 KR 100705241B1 KR 1020050123877 A KR1020050123877 A KR 1020050123877A KR 20050123877 A KR20050123877 A KR 20050123877A KR 100705241 B1 KR100705241 B1 KR 100705241B1
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김근호
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상부에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극 라인이 홈의 측벽을 따라 상부면에 연장되어 있는 기판과; 상기 홈 내부의 한 쌍의 전극라인 상부에 플립칩 본딩된 발광 소자와; 상기 발광 소자를 감싸며 상기 홈 내부에 충진된 충진제와; 상기 충진제 상부에 형성되며, 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된다.The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, comprising: a substrate having a groove formed therein, and a pair of electrode lines spaced apart from each other on the bottom surface of the groove extending along the sidewall of the groove; ; A light emitting device flip-chip bonded on the pair of electrode lines in the groove; A filler filled in the groove and surrounding the light emitting device; It is formed on the filler and comprises a resin film in which phosphors are dispersed.

따라서, 본 발명은 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막을 패키지에 형성하고, 이 형광체가 분산된 수지막으로 발광 소자의 광이 통과되도록 패키지를 구성함으로써, 발광 소자의 광이 균일하게 파장 전환되어 색 분포가 균일한 우수한 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.Accordingly, the present invention forms a resin film in which a phosphor having a uniform thickness is dispersed in a package, and configures the package so that light of the light emitting device passes through the resin film in which the phosphor is dispersed, thereby uniformly converting light of the light emitting device. As a result, an excellent light source having a uniform color distribution can be obtained.

발광소자, 패키지, 형광체, 두께, 균일, 광 Light emitting element, package, phosphor, thickness, uniformity, light

Description

발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 { Light emitting device package and method for fabricating the same } Light emitting device package and manufacturing method thereof {Light emitting device package and method for fabricating the same}

도 1은 일반적인 발광 다이오드의 단면도1 is a cross-sectional view of a typical light emitting diode

도 2는 종래 기술에 따른 발광 다이오드가 실장된 패키지의 단면도2 is a cross-sectional view of a package mounted with a light emitting diode according to the prior art.

도 3은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 구조를 설명하기 위한 개략적인 개념도3 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting diode structure according to the prior art;

도 4는 종래 기술에 따른 발광 다이오드가 실장된 다른 패키지의 단면도4 is a cross-sectional view of another package mounted with a light emitting diode according to the prior art.

도 5a 내지 5e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도5A to 5E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 기판 사시도6 is a perspective view of the substrate of the light emitting device package according to the first embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 광의 진행 경로를 설명하기 위한 개념도7 is a conceptual diagram illustrating a path of light propagation in a light emitting device package according to the present invention;

도 8a와 8b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도8A and 8B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.

도 9a 내지 9e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도9A to 9E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도10 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100,200,300,320 : 기판 110,210 : 홈100,200,300,320: Board 110,210: Home

121,122 : 측면홈 131,132,221,222,311,312 : 전극라인121,122: Side grooves 131,132,221,222,311,312: Electrode line

160,260,360,430 : 발광 소자 170,270 : 충진제160,260,360,430: Light emitting device 170,270: Filler

180,280 : 수지막 321 : 관통홀180,280 Resin film 321: Through hole

340 : 접착수단 410,420 : 리드340: bonding means 410, 420: lead

440 : 제너 다이오드 460 : 몰딩부440: Zener diode 460: molding part

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막을 패키지에 형성하고, 이 형광체가 분산된 수지막으로 발광 소자의 광이 통과되도록 패키지를 구성함으로써, 발광 소자의 광이 균일하게 파장 전환되어 색 분포가 균일한 우수한 광원을 얻을 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to form a resin film in which a phosphor having a uniform thickness is dispersed in a package, and to allow light of the light emitting device to pass through the resin film in which the phosphor is dispersed. The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, wherein light of the light emitting device is uniformly wavelength-converted to obtain an excellent light source having a uniform color distribution.

일반적으로, 직접 천이형 화합물 반도체의 3-5족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다. In general, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using a group 3-5 compound semiconductor material of direct transition compound semiconductors can realize various colors such as red, green, blue, and ultraviolet rays by developing thin film growth technology and device materials. In addition, by using a fluorescent material or a combination of colors it is possible to implement a good white light.

이러한 기술의 발달로 디스플레이 소자뿐만 아니라 광통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL; Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다. With the development of these technologies, LED backlights, fluorescent lamps, or incandescent lamps, which replace not only display devices, but also cold cathode fluorescent lamps (CCFLs), which form the backlight of optical communication means, transmission modules, and liquid crystal display (LCD) displays, are used. Applications are expanding to replaceable white light emitting diode lighting devices and traffic lights.

한편, 직류 전원에 구동되는 발광다이오드외에 일반 AC 전원에서도 작동하는 고전압 교류용 발광 다이오드 칩도 개발되고 있는데, 이러한 목적으로 발광소자를 응용하기 위해서는 동일 전력에서 동작 전압은 높고 구동 전류는 낮아야 하며, 발광효율과 휘도가 높아야 한다.On the other hand, in addition to a light emitting diode driven by a direct current power source, a high voltage AC light emitting diode chip that operates in a general AC power source has also been developed. For this purpose, in order to apply a light emitting device, a high operating voltage and a low driving current at the same power are required. Efficiency and brightness should be high.

도 1은 일반적인 발광 다이오드의 단면도로서, 기판(10) 상부에 N-반도체층(11), 활성층(12), P-반도체층(13)이 순차적으로 적층되어 있고; 상기 P-반도체층(13)에서 상기 N-반도체층(11) 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고; 상기 P-반도체층(14) 상부에 투명전극(14)이 형성되어 있고; 상기 메사 식각된 N-반도체층(11) 상부에 N-전극패드(15)가 형성되어 있고; 상기 투명전극(14) 상부에 P-전극패드(16)가 형성되어 있는 구조로 이루어진다.1 is a cross-sectional view of a general light emitting diode, in which an N-semiconductor layer 11, an active layer 12, and a P-semiconductor layer 13 are sequentially stacked on a substrate 10; Mesa is etched from the P-semiconductor layer (13) to a part of the N-semiconductor layer (11); A transparent electrode 14 is formed on the P-semiconductor layer 14; An N-electrode pad 15 is formed on the mesa-etched N-semiconductor layer 11; The P-electrode pad 16 is formed on the transparent electrode 14.

발광 다이오드는 외부회로에서 P-전극패드(16)과 N-전극패드(17) 사이에 전압이 인가되면 P-전극패드(16)와 N-전극패드(17)로부터 정공과 전자가 주입되고, 상기 활성층(12)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 투명전극 및 기판을 통하여 외부로 방출하게 된다. When the voltage is applied between the P-electrode pad 16 and the N-electrode pad 17 in an external circuit, holes and electrons are injected from the P-electrode pad 16 and the N-electrode pad 17. As holes and electrons recombine in the active layer 12, extra energy is converted into light and emitted to the outside through the transparent electrode and the substrate.

이러한 발광 다이오드는 실리콘이나 세라믹으로 제조한 서브 마운트 기판에 접합되어 패키지 형태로 사용하거나, 다른 패키지에 실장되어 사용하게 된다. Such a light emitting diode is bonded to a sub-mount substrate made of silicon or ceramic and used as a package, or mounted in another package.

한편, 발광 다이오드를 이용하여 백색 광원을 만드는 방법에는 크게 2가지가 있다.On the other hand, there are two methods of making a white light source using a light emitting diode.

먼저, 청색, 자색 및 적색의 발광 다이오드를 이용하여 백색 광원을 만들거나, 청색 및 자색의 발광 다이오드에 형광체를 이용하여 백색 광원을 만드는 방법이 있다. First, there is a method of making a white light source using blue, violet, and red light emitting diodes, or a white light source using phosphors in blue and purple light emitting diodes.

이렇게, 형광체를 이용하여 백색 광원을 만드는 방법은 가격이 저렴하여 많은 연구가 진행되고 있다. As such, a method of making a white light source using phosphors is inexpensive and many studies have been conducted.

도 2는 종래 기술에 따른 발광 다이오드가 실장된 패키지의 단면도로서, 기판(20)의 상부에 캐비티(21)를 형성하고, 상기 캐비티(21)에 발광 다이오드(30)를 실장하고, 상기 발광 다이오드(30)를 감싸며 상기 캐비티(21) 내부에 형광체가 분산된 수지(35)를 도포한다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a package in which a light emitting diode is mounted according to the related art, and includes a cavity 21 formed on an upper portion of the substrate 20, a light emitting diode 30 mounted on the cavity 21, and the light emitting diode. The resin 35 is coated with the phosphor dispersed in the cavity 21.

이렇게 구성된 패키지에서 발광 다이오드(30)는 전 방향으로 광이 방출되는데, 상기 발광 다이오드(30)가 실장된 캐비티(21)에 반사막이 형성되어 있는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(30)의 측면과 상부로 방출하게 된다.In the package configured as described above, the light emitting diode 30 emits light in all directions. When the reflective film is formed in the cavity 21 in which the light emitting diode 30 is mounted, as shown in FIG. 30) to the side and top.

이 때, 상기 발광 다이오드(30)에서 'A'경로로 방출되는 광은 형광체가 분산된 수지(35)를 'd1'길이만큼 통과해서 외부로 방출되고, 'B'경로로 방출되는 광은 형광체가 분산된 수지(35)를 'd2'길이만큼 통과해서 외부로 방출되며, 'C'경로로 방출되는 광은 형광체가 분산된 수지(35)를 'd3'길이만큼 통과해서 외부로 방출된다.At this time, the light emitted by the 'A' path from the light emitting diode 30 passes through the resin 35 in which the phosphor is dispersed by the 'd1' length and is emitted to the outside, and the light emitted by the 'B' path is the phosphor. Is passed through the dispersed resin 35 by the length 'd2' and emitted to the outside, and the light emitted by the 'C' path is emitted by the 'd3' length through the resin 35 in which the phosphor is dispersed.

그러므로, 도 2와 같이, d1>d3>d2이므로, 발광 다이오드 각각의 면에서 방출되는 광들은 형광체가 분사된 수지를 통과하는 길이가 다르게 되고, 결국, 형광체에서 파장 전환되는 광량이 다르게 된다.Therefore, as shown in FIG. 2, since d1> d3> d2, the light emitted from each surface of the light emitting diodes has a different length passing through the resin from which the phosphors are injected, and thus, the amount of light that is wavelength-converted in the phosphors is different.

즉, 'A'경로로 진행하는 광이 'B'와 'C'경로로 진행하는 광보다 파장 전환되는 광량이 증가하게 된다.That is, the amount of light that is wavelength-converted increases in the light traveling along the 'A' path than the light traveling along the 'B' and 'C' paths.

따라서, 도 2와 같은 종래 기술에서는 형광체가 분산된 수지의 두께가 불균일하여, 균일하게 방출되는 광을 구현하지 못하는 단점이 있다.Therefore, in the prior art as shown in FIG. 2, there is a disadvantage in that the thickness of the resin in which the phosphor is dispersed is not uniform, so that light emitted uniformly cannot be realized.

도 3은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 구조를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 기판(40) 상부에 발광 구조물(41)을 형성하고, 상기 발광 구조물(41) 상부에 반사전극(42)을 형성하고, 상기 기판(40) 하부에 형광체막(43)을 형성한 구조이다.3 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting diode structure according to the prior art, in which a light emitting structure 41 is formed on a substrate 40, and a reflective electrode 42 is formed on the light emitting structure 41. The phosphor film 43 is formed under the substrate 40.

이 구조에서, 발광 구조물(41)의 광은 기판(40)과 형광체막(43)을 통과하여 외부로 방출된다.In this structure, the light of the light emitting structure 41 is emitted through the substrate 40 and the phosphor film 43 to the outside.

그러므로, 상기 기술에서는 형광체막(43)이 발광 구조물(41)의 측면에는 형성되어 있지 않아, 파장 전환 효율이 저하되는 단점이 있다.Therefore, in the above technique, since the phosphor film 43 is not formed on the side surface of the light emitting structure 41, there is a disadvantage that the wavelength conversion efficiency is lowered.

도 4는 종래 기술에 따른 발광 다이오드가 실장된 다른 패키지의 단면도로서, 발광 다이오드(50) 하부면에 형성된 두 단자(51,52)가 서브 마운트 기판(60)에 솔더(61,62)로 플립칩(Flip chip) 본딩되어 있고; 상기 발광 다이오드(50)의 측면과 상부면을 감싸는 형광체막(55)이 형성되어 있다.4 is a cross-sectional view of another package in which a light emitting diode is mounted according to the prior art, in which two terminals 51 and 52 formed on a bottom surface of the light emitting diode 50 are flipped onto the sub-mount substrate 60 with solder 61 and 62. Flip chip bonded; A phosphor film 55 is formed surrounding the side surface and the upper surface of the light emitting diode 50.

이렇게, 구성된 패키지에서는 스텐실을 이용하는 경우 각 측면에 균일하게 형광체막을 형성하기 어렵고, 전기 이동 방법을 이용하는 경우 시드(Seed) 금속을 형성해야 함으로, 발광 다이오드의 광 추출에 소모되는 전력 중 손실이 발생되는 문제점이 있다.Thus, in the package configured, it is difficult to form a phosphor film uniformly on each side when using a stencil, and when using an electrophoretic method, a seed metal must be formed, so that loss of power consumed for light extraction of the light emitting diode is generated. There is a problem.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막을 패키지에 형성하고, 이 형광체가 분산된 수지막으로 발광 소자의 광이 통과되도록 패키지를 구성함으로써, 발광 소자의 광이 균일하게 파장 전환되어 색 분포가 균일한 우수한 광원을 얻을 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention forms a resin film in which a phosphor having a uniform thickness is dispersed in a package, and configures the package so that light of the light emitting device passes through the resin film in which the phosphor is dispersed, thereby emitting light. It is an object of the present invention to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, in which light of a device is uniformly wavelength-converted to obtain an excellent light source having a uniform color distribution.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는, A first preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

상부에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극 라인이 홈의 측벽을 따라 상부면에 연장되어 있는 기판과; A substrate having a groove formed therein and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the bottom surface of the groove and extending along the sidewall of the groove;

상기 홈 내부의 한 쌍의 전극라인 상부에 플립칩 본딩된 발광 소자와; A light emitting device flip-chip bonded on the pair of electrode lines in the groove;

상기 발광 소자를 감싸며 상기 홈 내부에 충진된 충진제와; A filler filled in the groove and surrounding the light emitting device;

상기 충진제 상부에 형성되며, 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된 발광 소자 패키지가 제공된다.A light emitting device package is formed on the filler and includes a resin film in which phosphors are dispersed.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는, A second preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격되어 있는 한 쌍의 전극라인이 형성된 제 1 기판과; A first substrate extending from an upper surface to a lower surface and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the upper surface and the lower surface;

상기 제 1 기판의 한 쌍의 전극라인이 관통홀에 노출되도록, 상기 제 1 기판에 부착된 제 2 기판과; A second substrate attached to the first substrate such that the pair of electrode lines of the first substrate are exposed to the through holes;

상기 제 2 기판의 관통홀에 노출된 한 쌍의 전극라인에 플립칩 본딩된 발광 소자와; A light emitting device flip-chip bonded to the pair of electrode lines exposed to the through-holes of the second substrate;

상기 발광 소자를 감싸고 상기 관통홀 내부에 충진된 충진제와; A filler surrounding the light emitting device and filled in the through hole;

상기 충진제 상부에 형성된 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된 발광 소자 패키지가 제공된다.A light emitting device package including a resin film in which phosphors formed on the filler is dispersed is provided.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는, A third preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

상호 이격되어 있는 한 쌍의 리드들과; A pair of leads spaced apart from each other;

상기 리드들 중, 하나의 리드 상부에 접착된 발광 소자와; A light emitting element adhered to an upper portion of one of the leads;

상기 발광 소자가 접착된 리드 상부에 접착된 제너 다이오드와; A zener diode adhered to an upper part of the lead to which the light emitting element is bonded;

상기 발광 소자와 제너 다이오드가 병렬로 연결시키고, 한 쌍의 리드들에 전기적으로 연결시키는 도전부와; A conductive portion connecting the light emitting element and the zener diode in parallel and electrically connecting the pair of leads;

상기 발광 소자, 도전부와 리드들 일영역을 감싸고, 리드들의 나머지 영역을 노출시키는 몰딩부와; A molding part surrounding the light emitting element, the conductive part, and one region of the leads, and exposing the remaining regions of the leads;

상기 몰딩부 상부에 형성되고, 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된 발광 소자 패키지가 제공된다.A light emitting device package is formed on the molding part and includes a resin film in which phosphors are dispersed.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 4 양태(樣態)는, A fourth preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격되어 있는 한 쌍의 전극라인이 형성된 제 1 기판을 준비하는 단계와;Preparing a first substrate extending from an upper surface to a lower surface and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the upper surface and the lower surface;

상부에서 하부로 관통되는 관통홀이 형성된 제 2 기판을 준비하는 단계와;Preparing a second substrate having a through hole penetrating from an upper portion to a lower portion;

상기 한 쌍의 전극라인이 관통홀에 노출되도록, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판에 부착하는 단계와;Attaching the first substrate to the second substrate such that the pair of electrode lines are exposed to the through holes;

상기 제 2 기판의 관통홀에 노출된 한 쌍의 전극라인에 발광 소자를 플립칩 본딩하고, 상기 발광 소자를 감싸고 상기 관통홀 내부에 충진제를 충진하는 단계와;Flip chip bonding a light emitting device to a pair of electrode lines exposed to a through hole of the second substrate, surrounding the light emitting device, and filling a filler into the through hole;

상기 충진제 상부에 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.Provided is a method of manufacturing a light emitting device package including forming a resin film in which phosphors are dispersed on an upper portion of the filler.

상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 5 양태(樣態)는, A fifth preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is

상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격되어 있는 한 쌍의 전극라인이 형성된 제 1 기판을 준비하는 단계와;Preparing a first substrate extending from an upper surface to a lower surface and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the upper surface and the lower surface;

상부에서 하부로 관통되는 관통홀이 형성된 제 2 기판을 준비하는 단계와;Preparing a second substrate having a through hole penetrating from an upper portion to a lower portion;

상기 한 쌍의 전극라인이 관통홀에 노출되도록, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판에 부착하는 단계와;Attaching the first substrate to the second substrate such that the pair of electrode lines are exposed to the through holes;

상기 제 2 기판의 관통홀에 노출된 한 쌍의 전극라인에 발광 소자를 플립칩 본딩하고, 상기 발광 소자를 감싸고 상기 관통홀 내부에 충진제를 충진하는 단계와;Flip chip bonding a light emitting device to a pair of electrode lines exposed to a through hole of the second substrate, surrounding the light emitting device, and filling a filler into the through hole;

상기 충진제 상부에 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.Provided is a method of manufacturing a light emitting device package including forming a resin film in which phosphors are dispersed on an upper portion of the filler.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 5a 내지 5e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 상부에 홈(110)이 형성되어 있고, 양측면에 측면홈(121,122)이 각각 형성되어 있는 기판(100)을 준비한다.(도 5a)5A through 5E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention. First, grooves 110 are formed in upper portions, and side grooves 121 and 122 are formed in both sides, respectively. The prepared substrate 100 is prepared (FIG. 5A).

이 기판(100)은 도 6에 도시된 바와 같은 기판이다.This substrate 100 is a substrate as shown in FIG.

그리고, 상기 기판(100)은 실리콘 기판 또는 세라믹 기판이 바람직하다.The substrate 100 is preferably a silicon substrate or a ceramic substrate.

그 다음, 상기 홈(110) 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극라인(131,132)을 상기 측면홈(121,122)들 각각을 따라 하부로 연장시켜, 하부에서 상호 이격되도록 형성한다.(도 5b)Next, a pair of electrode lines 131 and 132 spaced apart from each other on the inner bottom surface of the groove 110 extends downward along each of the side grooves 121 and 122 to be spaced apart from each other. )

연이어, 상기 홈(110) 내부 바닥면에 위치하는 한 쌍의 전극라인(131,132) 상부에 발광 소자(160)를 플립칩(Flip chip) 본딩한다.(도 5c)Subsequently, flip chip bonding is performed on the light emitting device 160 on the pair of electrode lines 131 and 132 disposed on the inner bottom surface of the groove 110 (FIG. 5C).

이 때, 상기 플립칩 본딩은 상기 발광 소자(160)의 두 전극단자에 솔더(151,152)를 형성하여 상기 한 쌍의 전극라인(131,132) 상부에 본딩하거나 또는, 상기 한 쌍의 전극라인(131,132) 상부에 솔더를 형성하여 상기 발광 소자(160)를 본딩하는 것이다.In this case, the flip chip bonding forms solders 151 and 152 on two electrode terminals of the light emitting device 160 and bonds the upper portions of the pair of electrode lines 131 and 132 or the pair of electrode lines 131 and 132. Bonding the light emitting device 160 by forming a solder thereon.

그 후, 상기 발광 소자(160)를 감싸고 상기 홈(110) 내부에 충진제(170)를 충진한다.(도 5d)Thereafter, the light emitting device 160 is wrapped and the filler 170 is filled in the groove 110. (FIG. 5D)

여기서, 상기 충진제(170)는 광이 투과할 수 있는 투명한 물질로, 실리콘 젤 또는 에폭시이다.Here, the filler 170 is a transparent material that can transmit light, silicon gel or epoxy.

마지막으로, 상기 충진제(170) 상부에 형광체가 분산된 수지막(180)을 형성한다.(도 5e)Finally, a resin film 180 in which phosphors are dispersed is formed on the filler 170 (FIG. 5E).

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상부에 홈(110)이 형성되어 있고, 양측면에 측면홈(121,122)이 각각 형성되어 있는 기판(100)과; 상기 홈(110) 내부 바닥면에 상호 이격되어 상기 측면홈(121,122)들 각각을 따라 하부로 연장되고, 하부에서 상호 이격되어 형성된 한 쌍의 전극라인(131,132)과; 상기 홈(110) 내부의 한 쌍의 전극라인(131,132) 상부에 플립칩 본딩된 발광 소자(160)와; 상기 발광 소자(160)를 감싸며 상기 홈(110) 내부에 충진된 충진제(170)와; 상기 충진제(170) 상부에 형성되며, 형광체가 분산된 수지막(180)을 포함하여 구성된다.Accordingly, the light emitting device package according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 100 having grooves 110 formed thereon and side grooves 121 and 122 formed on both sides thereof; A pair of electrode lines 131 and 132 spaced apart from each other on the inner bottom surface of the groove 110 and extending downward along each of the side grooves 121 and 122 and spaced apart from each other at the bottom; A light emitting device (160) flip-chip bonded on the pair of electrode lines (131, 132) in the groove (110); A filler 170 surrounding the light emitting device 160 and filled in the groove 110; It is formed on the filler 170, and comprises a resin film 180 in which the phosphor is dispersed.

이렇게 구성된 본 발명의 발광 소자 패키지는 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막을 형성하고, 이 형광체가 분산된 수지막으로 발광 소자의 광이 통과되도록 패키지를 구성함으로써, 발광 소자의 광이 균일하게 파장 전환되어 색 균일도가 우수한 장점이 있다.The light emitting device package of the present invention configured as described above forms a resin film in which phosphors having a uniform thickness are dispersed, and configures the package so that light of the light emitting device passes through the resin film in which the phosphor is dispersed, so that the light of the light emitting device is uniform. The wavelength conversion is an advantage that the color uniformity is excellent.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 기판 사시도로서, 기판(100) 상부에는 홈(110)이 형성되어 있고, 양 측면에는 측면홈(121,122)이 형성되어 있다.6 is a perspective view of a substrate of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, wherein grooves 110 are formed on the substrate 100, and side grooves 121 and 122 are formed on both sides thereof.

이 측면홈(121,122) 각각에는 상, 하부를 경사지게 식각하여 측면 중앙 영역에 돌출된 형상으로 만들어 전극라인의 형성을 원활하게 할 수 있다.Each of the side grooves 121 and 122 may be inclined to be etched inclined to form a protruding shape in the central region of the side surface to smoothly form the electrode line.

그리고, 홈(110)의 측벽도 경사지게 형성되어, 홈(110) 바닥면에 실장되는 발광 소자가 방출되는 광을 경사진 측벽에서 반사시킬 수 있어, 패키지 상부로의 광출력을 증가시킬 수 있는 구조이다.The sidewalls of the grooves 110 are also inclined to reflect light emitted from the light emitting device mounted on the bottom surface of the grooves 110 on the inclined sidewalls, thereby increasing the light output to the upper portion of the package. to be.

도 7은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 광의 진행 경로를 설명하기 위한 개념도로서, 홈(110)의 바닥면에 실장된 발광 소자(160) 상부로 방출되는 광은 도 7에서 'B'의 경로로 진행하며, 발광 소자(160) 상부로 방출되는 광은 'A'의 경로로 진행한다.FIG. 7 is a conceptual view illustrating a path of light in a light emitting device package according to the present invention, in which light emitted to an upper portion of the light emitting device 160 mounted on the bottom surface of the groove 110 is a path of 'B' in FIG. 7. The light emitted to the upper portion of the light emitting device 160 proceeds along the path of 'A'.

그러므로, A,B,C 경로로 진행하는 광은 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막을 통과하게 되어, 발광 소자의 광이 균일하게 파장 전환되게 된다.Therefore, the light traveling in the A, B, and C paths passes through the resin film in which the phosphor having a uniform thickness is dispersed, so that the light of the light emitting device is uniformly wavelength-converted.

도 8a와 8b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 상부에 홈(210)이 형성되어 있고, 상기 홈(210) 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극 라인(221,222)이 홈(210)의 측벽을 따라 상부면에 연장되어 있는 기판(200)을 준비한다.(도 8a)8A and 8B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention. First, a groove 210 is formed on an upper portion of the light emitting device package. A pair of spaced apart electrode lines 221 and 222 prepares the substrate 200 extending along the top surface along the sidewalls of the groove 210 (FIG. 8A).

그 후, 상기 홈(210) 내부 바닥면에 위치하는 한 쌍의 전극라인(221,222) 상부에 발광 소자(260)를 플립칩(Flip chip) 본딩하고, 상기 발광 소자(260)를 감싸고 상기 홈(210) 내부에 충진제(270)를 충진하고, 상기 충진제(270) 상부에 형광체가 분산된 수지막(280)을 형성한다.(도 8b)Thereafter, flip chip bonding of the light emitting device 260 on the pair of electrode lines 221 and 222 disposed on the bottom surface of the groove 210, surrounds the light emitting device 260, and covers the groove ( The filler 270 is filled in the inside of the 210, and a resin film 280 in which phosphors are dispersed is formed on the filler 270 (FIG. 8B).

전술된 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게, 상기 플립칩 본딩에서, 상기 발광 소자(260)의 두 전극단자와 상기 한 쌍의 전극라인(221,222)에는 솔더(251,252)가 개재되어 있다.As in the first embodiment of the present invention described above, in the flip chip bonding, solders 251 and 252 are interposed between two electrode terminals of the light emitting device 260 and the pair of electrode lines 221 and 222.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상부에 홈(210)이 형성되어 있고, 상기 홈(210) 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극 라인(221,222)이 홈(210)의 측벽을 따라 상부면에 연장되어 있는 기판(200)과; 상기 홈(110) 내부의 한 쌍의 전극라인(221,222) 상부에 플립칩 본딩된 발광 소자(260)와; 상기 발광 소자(260)를 감싸며 상기 홈(210) 내부에 충진된 충진제(270)와; 상기 충진제(270) 상부에 형성되며, 형광체가 분산된 수지막(280)을 포함하여 구성된다.As described above, in the light emitting device package according to the second embodiment of the present invention, the groove 210 is formed on the upper portion, and the pair of electrode lines 221 and 222 spaced apart from each other on the inner bottom surface of the groove 210 are provided with the groove ( A substrate 200 extending along the side wall of the substrate 210 at an upper surface thereof; A light emitting element 260 flip-chip bonded to the pair of electrode lines 221 and 222 in the groove 110; A filler 270 surrounding the light emitting element 260 and filled in the groove 210; It is formed on the filler 270, and comprises a resin film 280 in which the phosphor is dispersed.

도 9a 내지 9e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격되어 있는 한 쌍의 전극라인(311,312)이 형성된 제 1 기판(300)을 준비한다.(도 9a)9A to 9E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to a third exemplary embodiment of the present invention. A pair is extended from an upper surface to a lower surface and spaced apart from each other on an upper surface and a lower surface. A first substrate 300 having electrode lines 311 and 312 formed thereon is prepared. (FIG. 9A).

그리고, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상부에서 하부로 관통되는 관통홀(321) 이 형성된 제 2 기판(320)을 준비한다.As shown in FIG. 9B, a second substrate 320 having a through hole 321 penetrating from top to bottom is prepared.

여기서, 상기 제 2 기판(320)의 관통홀(321)에는 반사막이 형성되는 것이 바람직하며, 이 반사막이 형성되어 있으면, 이 후 공정에서 실장되는 발광 소자에서 방출된 광이 이 반사막에서 반사되어 패키지 상부로 출사되는 광량을 증가시킬 수 있게 된다.Here, it is preferable that a reflective film is formed in the through hole 321 of the second substrate 320. If the reflective film is formed, the light emitted from the light emitting device mounted in a subsequent process is reflected by the reflective film and packaged. It is possible to increase the amount of light emitted to the top.

그 후, 상기 한 쌍의 전극라인(311,312)이 관통홀(321)에 노출되도록, 상기 제 1 기판(300)을 상기 제 2 기판(320)에 부착한다.(도 9c)Thereafter, the first substrate 300 is attached to the second substrate 320 so that the pair of electrode lines 311 and 312 are exposed to the through hole 321 (FIG. 9C).

이 때, 상기 부착공정은 접착수지 및 접착테이프와 같은 접착수단(340)을 이용한다.At this time, the attachment process uses an adhesive means 340, such as adhesive resin and adhesive tape.

이어서, 상기 제 2 기판(320)의 관통홀(321)에 노출된 한 쌍의 전극라인(311,312)에 발광 소자(360)를 플립칩 본딩하고, 상기 발광 소자(360)를 감싸고 상기 관통홀(320) 내부에 충진제(270)를 충진한다.(도 9d)Subsequently, flip chip bonding of the light emitting device 360 to the pair of electrode lines 311 and 312 exposed to the through hole 321 of the second substrate 320 is carried out, surrounds the light emitting device 360, and covers the through hole ( 320) Fill the filler 270 inside (FIG. 9D).

마지막으로, 상기 충진제(270) 상부에 형광체가 분산된 수지막(280)을 형성한다.(도 9e)Finally, a resin film 280 in which phosphors are dispersed is formed on the filler 270 (FIG. 9E).

상기 제 1과 2 기판(300,320)은 실리콘 기판 또는 세라믹 기판을 사용할 수 있으며, 세라믹 기판을 사용하는 경우에는 열전도율이 우수한 물질로 기판을 형성하며, AlN 또는 알루미나와 같이 절연성이 우수한 물질로 기판을 형성한다.The first and second substrates 300 and 320 may use a silicon substrate or a ceramic substrate, and in the case of using the ceramic substrate, the substrate is formed of a material having excellent thermal conductivity, and the substrate is formed of a material having excellent insulation such as AlN or alumina. do.

이렇게 제조된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격되어 있는 한 쌍의 전극라인(311,312)이 형성된 제 1 기판(300)과; 상기 제 1 기판(300)의 한 쌍 의 전극라인(311,312)이 관통홀(321)에 노출되도록, 상기 제 1 기판(300)에 부착된 제 2 기판(320)과; 상기 제 2 기판(320)의 관통홀(321)에 노출된 한 쌍의 전극라인(311,312)에 플립칩 본딩된 발광 소자(360)와; 상기 발광 소자(360)를 감싸고 상기 관통홀(320) 내부에 충진된 충진제(270)와; 상기 충진제(270) 상부에 형성된 형광체가 분산된 수지막(280)을 포함하여 구성된다.The light emitting device package according to the third embodiment of the present invention manufactured as described above extends from an upper surface to a lower surface, and includes a first substrate on which a pair of electrode lines 311 and 312 are spaced apart from each other on the upper and lower surfaces, respectively. 300; A second substrate 320 attached to the first substrate 300 such that the pair of electrode lines 311 and 312 of the first substrate 300 are exposed to the through holes 321; A light emitting device (360) flip-chip bonded to a pair of electrode lines (311, 312) exposed to the through hole (321) of the second substrate (320); A filler 270 surrounding the light emitting device 360 and filled in the through hole 320; It is configured to include a resin film 280 is dispersed in the phosphor formed on the filler 270.

도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도로서, 상호 이격되어 있는 한 쌍의 리드들(410,420)과; 상기 리드들(410.420) 중, 하나의 리드(420) 상부에 접착된 발광 소자(430)와; 상기 발광 소자(430)가 접착된 리드(420) 상부에 접착된 제너 다이오드(440)와; 상기 발광 소자(430)와 제너 다이오드(440)가 병렬로 연결시키고, 한 쌍의 리드들(410,420)에 전기적으로 연결시키는 도전부와; 상기 발광 소자, 도전부와 리드들(410,420) 일영역을 감싸고, 리드들(410,420)의 나머지 영역을 노출시키는 몰딩부(460)와; 상기 몰딩부(460) 상부에 형성되고, 형광체가 분산된 수지막(280)으로 구성된다.10 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, wherein a pair of leads 410 and 420 are spaced apart from each other; A light emitting element 430 adhered to an upper portion of one of the leads 410.420; A zener diode 440 attached to an upper portion of the lead 420 to which the light emitting device 430 is attached; A conductive part connected to the light emitting device 430 and the zener diode 440 in parallel and electrically connected to the pair of leads 410 and 420; A molding part 460 surrounding the light emitting element, the conductive part and the leads 410 and 420, and exposing the remaining areas of the leads 410 and 420; The resin layer 280 is formed on the molding part 460 and has a phosphor dispersed therein.

여기서, 상기 도전부는 도 10과 같은 와이어로 형성하는 것이 바람직하다Here, the conductive portion is preferably formed of a wire as shown in FIG.

그리고, 상기 몰딩부(460)로 감싸여지지 않은 리드들(410,420) 영역은 도 10에 도시된 바와 같이, 다른 실장영역에 패키지를 실장하기 위하여 노출되어 있는 구조로 형성할 수 있고, 상기 몰딩부(460)로 감싸여지지 않은 리드들(410,420) 영역을 몰딩부(460)의 측면으로 돌출시킨 후, 절곡 공정을 수행하여 패키지가 절곡된 리드를 갖는 구조로 형성할 수 있다.In addition, regions of the leads 410 and 420 which are not wrapped by the molding unit 460 may be formed to have a structure exposed to mount a package in another mounting region as shown in FIG. 10. After protruding regions of the leads 410 and 420 which are not enclosed by the 460 to the side surface of the molding part 460, a bending process may be performed to form a structure having the leads having the bent package.

이와 같이, 제너다이오드를 발광 소자와 병렬로 연결시켜 패키지를 구성하 면, 내전압 특성이 취약한 발광 소자에 서지 전압이 발생되는 경우, 과전류가 정전기에 취약한 발광 소자쪽으로 흐르지 않고 제너 전압 근처에서 제너 항복이 발생하여 저항값이 작은 제너 다이오드 쪽으로 과전류가 바이패스하게 됨으로써, 발광 소자를 보호할 수 있는 것이다. As described above, when a zener diode is connected in parallel with a light emitting device to configure a package, when a surge voltage is generated in a light emitting device having a weak withstand voltage characteristic, the zener breakdown does not occur near the zener voltage without an overcurrent flowing to the light emitting device that is susceptible to static electricity. It is possible to protect the light emitting device by overcurrent being generated and bypassing the zener diode having a small resistance value.

도 11a와 11b는 본 발명에 따라 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 도 11a에서는 스크린 프린팅하는 공정으로 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 것이다. 11A and 11B are cross-sectional views illustrating a process of forming a resin film in which phosphors are dispersed according to the present invention. In FIG. 11A, a resin film in which phosphors are dispersed is formed by a screen printing process.

즉, 개구(510)를 갖는 스텐실(500)을 준비하고, 이 스텐실(500)의 개구(510)가 충진제(170)에 노출되도록 상기 스텐실(500)을 위치시키고, 상기 스텐실(500) 상부에 위치된 스쿼지(520)를 이동시켜, 상기 개구(510) 내부로 형광체가 분산된 수지를 밀어넣어 상기 충진제(170) 상면에 형광체가 분산된 수지막(180)을 형성한 다음, 상기 스쿼지(520)를 분리한다.That is, a stencil 500 having an opening 510 is prepared, the stencil 500 is positioned so that the opening 510 of the stencil 500 is exposed to the filler 170, and the upper portion of the stencil 500 is positioned above the stencil 500. The squeegee 520 is moved to push the resin in which the phosphor is dispersed into the opening 510 to form the resin film 180 in which the phosphor is dispersed on an upper surface of the filler 170. Remove 520.

이런 스크린 프린팅 공정을 수행하면, 상기 충진제(170) 상에는 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막(180)이 형성된다.When the screen printing process is performed, the resin film 180 in which the phosphor having a uniform thickness is dispersed is formed on the filler 170.

그리고, 도 11b에 도시된 바와 같이, 미리 제작된 형광체가 분산된 수지 테이프(600)를 충진제(170) 상부에 접착수단(610)으로 부착하면, 간단한 공정으로 충진제(170) 상부에 형광체가 분산된 수지막(180)을 형성할 수 있다.And, as shown in Figure 11b, by attaching a resin tape 600, a pre-fabricated phosphor dispersed on the filler 170, by the adhesive means 610, the phosphor is dispersed on the filler 170 in a simple process. The resin film 180 can be formed.

도 12는 본 발명에 따라 발광 소자가 실장된 홈에 충진제를 충진하는 방법을 설명하기 위한 단면도로서, 충진제를 기판의 홈에 충진하기 위해서는 충진제가 담겨져 있는 노즐(700)을 기판의 홈(110)에 위치시킨 후, 충진제(181)를 홈(110)에 도포하는 디스펜싱(Dispensing) 방법을 이용할 수 있다.12 is a cross-sectional view illustrating a method of filling a filler into a groove in which a light emitting device is mounted according to the present invention. In order to fill a filler into a groove of a substrate, a nozzle 700 containing a filler is provided in the groove 110 of the substrate. After positioning, the dispensing method of applying the filler 181 to the groove 110 may be used.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 균일한 두께를 갖는 형광체가 분산된 수지막을 패키지에 형성하고, 이 형광체가 분산된 수지막으로 발광 소자의 광이 통과되도록 패키지를 구성함으로써, 발광 소자의 광이 균일하게 파장 전환되어 색 분포가 균일한 우수한 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention forms a resin film in which a phosphor having a uniform thickness is dispersed in a package, and configures the package so that light of the light emitting device passes through the resin film in which the phosphor is dispersed, thereby reducing the light of the light emitting device. The wavelength is uniformly converted, thereby obtaining an excellent light source having a uniform color distribution.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

Claims (14)

상부에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극 라인이 홈의 측벽을 따라 상부면에 연장되어 있는 기판과; A substrate having a groove formed therein and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the bottom surface of the groove and extending along the sidewall of the groove; 상기 홈 내부의 한 쌍의 전극라인 상부에 플립칩 본딩된 발광 소자와; A light emitting device flip-chip bonded on the pair of electrode lines in the groove; 상기 발광 소자를 감싸며 상기 홈 내부에 충진된 충진제와; A filler filled in the groove and surrounding the light emitting device; 상기 충진제 상부에 형성되며, 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된 발광 소자 패키지.A light emitting device package formed on the filler and including a resin film in which phosphors are dispersed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판의 양측면에 측면홈이 각각 형성되어 있고, Side grooves are formed on both side surfaces of the substrate, 상기 기판 상부면에 연장되어 있는 한 쌍의 전극 라인 각각은 상기 측면홈들을 따라 기판 하부로 연장되어 하부에서 상호 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.Each of the pair of electrode lines extending on the upper surface of the substrate extends below the substrate along the side grooves and is spaced apart from each other. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 상부의 홈 측벽은,The groove sidewall of the upper portion of the substrate, 경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.Light emitting device package, characterized in that inclined. 상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격되어 있는 한 쌍의 전극라인이 형성된 제 1 기판과;  A first substrate extending from an upper surface to a lower surface and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the upper surface and the lower surface; 상기 제 1 기판의 한 쌍의 전극라인이 관통홀에 노출되도록, 상기 제 1 기판에 부착된 제 2 기판과; A second substrate attached to the first substrate such that the pair of electrode lines of the first substrate are exposed to the through holes; 상기 제 2 기판의 관통홀에 노출된 한 쌍의 전극라인에 플립칩 본딩된 발광 소자와; A light emitting device flip-chip bonded to the pair of electrode lines exposed to the through-holes of the second substrate; 상기 발광 소자를 감싸고 상기 관통홀 내부에 충진된 충진제와; A filler surrounding the light emitting device and filled in the through hole; 상기 충진제 상부에 형성된 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된 발광 소자 패키지.A light emitting device package comprising a resin film in which the phosphor formed on the filler is dispersed. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 제 2 기판의 관통홀 측벽은 경사져 있고,The through hole sidewall of the second substrate is inclined, 상기 관통홀 측벽에 반사막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package, characterized in that the reflective film is formed on the side wall of the through hole. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항과 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1, 2, 4 and 5, 상기 형광체가 분산된 수지막은,The resin film in which the phosphor is dispersed, 상기 충진제 상부에 접착수단으로 부착된 형광체가 분산된 수지 테이프인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package, characterized in that the resin tape is dispersed in the phosphor attached to the filler by the adhesive means. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 기판은,The substrate, 상기 실리콘 기판 또는 세라믹 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.Light emitting device package, characterized in that the silicon substrate or a ceramic substrate. 상호 이격되어 있는 한 쌍의 리드들과; A pair of leads spaced apart from each other; 상기 리드들 중, 하나의 리드 상부에 접착된 발광 소자와; A light emitting element adhered to an upper portion of one of the leads; 상기 발광 소자가 접착된 리드 상부에 접착된 제너 다이오드와; A zener diode adhered to an upper part of the lead to which the light emitting element is bonded; 상기 발광 소자와 제너 다이오드가 병렬로 연결시키고, 한 쌍의 리드들에 전기적으로 연결시키는 도전부와; A conductive portion connecting the light emitting element and the zener diode in parallel and electrically connecting the pair of leads; 상기 발광 소자, 도전부와 리드들 일영역을 감싸고, 리드들의 나머지 영역을 노출시키는 몰딩부와; A molding part surrounding the light emitting element, the conductive part, and one region of the leads, and exposing the remaining regions of the leads; 상기 몰딩부 상부에 형성되고, 형광체가 분산된 수지막을 포함하여 구성된 발광 소자 패키지.A light emitting device package formed on the molding part and including a resin film in which phosphors are dispersed. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 형광체가 분산된 수지막은,The resin film in which the phosphor is dispersed, 상기 몰딩부 상부에 접착수단으로 부착된 형광체가 분산된 수지 테이프인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package, characterized in that the resin tape is dispersed in the phosphor attached to the upper portion of the molding by the adhesive means. 상부에 홈이 형성되어 있고, 양측면에 측면홈이 각각 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계와; Preparing a substrate having grooves formed at an upper portion thereof and side grooves formed at both sides thereof; 상기 홈 내부 바닥면에 상호 이격된 한 쌍의 전극라인을 상기 측면홈들 각각을 따라 하부로 연장시켜, 하부에서 상호 이격되도록 형성하는 단계와;Forming a pair of electrode lines spaced apart from each other on the bottom surface of the groove downwardly along each of the side grooves to be spaced apart from each other at the bottom; 상기 홈 내부 바닥면에 위치하는 한 쌍의 전극라인 상부에 발광 소자를 플립칩(Flip chip) 본딩하는 단계와;Flip chip bonding a light emitting device on a pair of electrode lines positioned on the bottom surface of the groove; 상기 발광 소자를 감싸고 상기 홈 내부에 충진제를 충진하는 단계와;Surrounding the light emitting device and filling a filler into the groove; 상기 충진제 상부에 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법.And forming a resin film in which phosphors are dispersed on the filler. 상부면에서 하부면으로 연장되어 있고, 상부면과 하부면에서 각각 상호 이격 되어 있는 한 쌍의 전극라인이 형성된 제 1 기판을 준비하는 단계와;Preparing a first substrate extending from an upper surface to a lower surface and having a pair of electrode lines spaced apart from each other on the upper surface and the lower surface; 상부에서 하부로 관통되는 관통홀이 형성된 제 2 기판을 준비하는 단계와;Preparing a second substrate having a through hole penetrating from an upper portion to a lower portion; 상기 한 쌍의 전극라인이 관통홀에 노출되도록, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판에 부착하는 단계와;Attaching the first substrate to the second substrate such that the pair of electrode lines are exposed to the through holes; 상기 제 2 기판의 관통홀에 노출된 한 쌍의 전극라인에 발광 소자를 플립칩 본딩하고, 상기 발광 소자를 감싸고 상기 관통홀 내부에 충진제를 충진하는 단계와;Flip chip bonding a light emitting device to a pair of electrode lines exposed to a through hole of the second substrate, surrounding the light emitting device, and filling a filler into the through hole; 상기 충진제 상부에 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지의 제조 방법.And forming a resin film in which phosphors are dispersed on the filler. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, The method of claim 10 or 11, 상기 형광체가 분산된 수지막은,The resin film in which the phosphor is dispersed, 스크린 프린팅 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.Method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that formed by performing a screen printing process. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, The method of claim 10 or 11, 상기 형광체가 분산된 수지막을 형성하는 것은,Forming the resin film in which the phosphor is dispersed, 상기 충진제 상부에 접착수단으로 형광체가 분산된 수지 테이프를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that to form a resin tape in which the phosphor is dispersed as an adhesive means on the filler. 제 11 항에 있어서, The method of claim 11, 상기 제 2 기판의 관통홀 측벽은 경사져 있고,The through-hole sidewall of the second substrate is inclined, 상기 관통홀 측벽에 반사막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.The reflective film is formed on the side wall of the through-hole manufacturing method of the light emitting device package.
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