KR100702063B1 - 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템 - Google Patents

3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR100702063B1
KR100702063B1 KR1020050071182A KR20050071182A KR100702063B1 KR 100702063 B1 KR100702063 B1 KR 100702063B1 KR 1020050071182 A KR1020050071182 A KR 1020050071182A KR 20050071182 A KR20050071182 A KR 20050071182A KR 100702063 B1 KR100702063 B1 KR 100702063B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
waveguide
gas
remote plasma
chamber
Prior art date
Application number
KR1020050071182A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070016480A (ko
Inventor
김호식
배근학
장요철
Original Assignee
주식회사 아토
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아토 filed Critical 주식회사 아토
Priority to KR1020050071182A priority Critical patent/KR100702063B1/ko
Publication of KR20070016480A publication Critical patent/KR20070016480A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100702063B1 publication Critical patent/KR100702063B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치의 세정 시스템에 관한 것으로, 복수개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하고, 외부에 플라즈마 소스를 설치하여 라디칼을 공급하고, 고압이면서 다량의 가스를 사용하여 안전한 고밀도 플라즈마를 발생시켜 CVD 공정 챔버를 클리닝하는 원격 플라즈마 소스 공급 장치를 가지고 있으며, 챔버 내부 벽에 여러 방향으로 세정 소스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템은 내부 파트 손상과 입자를 줄일 수 있으며, 챔버벽과 샤워헤드에 최적의 세정 효과를 얻을 수 있으며, 경제적인 관점에서 세정 가스를 줄일 수 있고 세정 시간을 최대한 줄여 장비의 파트 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
세정 시스템 , 반도체 제조 장치, 원격 플라즈마 세정 시스템

Description

3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ＣＶＤ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템{Remote plasma cleaning system of CVD device having waveguide formed three cleaning source output ports}
도 1은 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 동작을 나타낸 도면.
도 2는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관을 도시한 도면.
도 3a는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 일실시예의 측면도.
도 3b는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 일실시예의 평면도.
도 3c는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 다른 일실시예의 평면도
도 4는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 구체적인 실험 결과.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 세정 가스 박스 200 : 원격 플라즈마 수단
210 : 중간 주파수 생성기 220 : 반응기
300 : 도파관 310 : 쿨링 라인
320 : 도파관 본체 330 : 세정 소스 배출 포트
340 : 첨가 가스 공급부 350 : 세정 가스 공급부
360 : 첨가 가스 박스 370 : 도파관 연결부
400 : CVD 챔버 410 : 연결 라인
420 : 챔버 내벽 430 : 세정 소스 배출구
500 : 배기 수단
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 챔버 내부를 세정하는 원격 플라즈마 세정 시스템에 관한 것이다.
플라즈마 방식을 이용한 챔버 내부 세정하기 위해서는 세정 소스가 공급되어야 하는데 종래에는 탑-다운(Top-Down) 방식, 바텀-업(Bottom-Up) 방식으로 세정 소스를 공급하였다. 탑-다운 방식은 챔버의 위에서 챔버 아래 방향으로 세정 소스를 공급하는 방식이고, 바텀-업 방식은 챔버의 바닥에서 챔버의 위 방향으로 세정 소스를 공급하는 방식이다.
그러나 탑-다운 방식으로 세정 소스를 공급할 경우 샤워헤드의 수명이 짧아지고, 유지보수가 어려운 단점이 있고, 바텀-업 방식으로 세정 소스를 공급할 경우 불균일한 에칭으로 인해 챔버 내부 세정의 효율이 낮은 단점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 도파관을 이용하여 세정 소스를 챔버 내부로 공급하는 방식이 제안되었다.
종래에는 1포트 도파관을 이용하여 세정 소스를 챔버 내벽으로 공급하였다. 그러나 1포트 도파관을 이용하여 세정 소스를 챔버 내벽으로 공급할 경우 도파관에 근접해 있는 부분은 오버 에칭이 되고, 떨어져 있는 부분은 에칭이 부족하게 되는 불균일한 에칭으로 인해 세정 효율이 낮은 단점이 있고, 효율을 높이기 위해서는 에칭 시간이 길어져 세정비용이 높아지고 장비 성능이 떨어지는 단점이 있다.
본 발명은 상기된 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 3개의 포트를 구비하는 도파관을 이용하여 세정 소스를 챔버 내부로 공급함으로써, 짧은 세정 시간 동안에도 균일한 세정 효과를 얻는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 따른 CVD 챔버에 세정 소스를 공급하는 3개의 포트를 구비하는 도파관을 포함하는 원격 플라즈마 세정 시스템은 세정 가스를 공급하는 세정 가스 박스; 상기 세정 가스 박스로부터 세정 가스를 공급받으며, 중간 주파수 생성기와 가스를 이온으로 분해하는 반응기를 통하여 세정 가스를 플라즈마 상태로 형성시키는 원격 플라즈마 수단; 첨가 가스를 공급하며, 상기 가스 박스와는 별도의 위치에 있는 첨가 가스 박스; 상기 원격 플라즈마 수단으로부터 플라즈마 상태의 세정 가스를 공급받고, 상기 첨가 가스 박스로부터 첨가 가스를 공급받아 세정 가스와 첨가 가스의 혼합물로 되어있는 세정 소스를 CVD 챔버에 공급하는 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관; 상기 도파관의 각각의 세정 소스 배출 포트로부터 도파관 연결부를 통해 세정 소스를 공급받아, 챔버 몸체 내부의 연결 라인의 끝단에 위치하며 각도 조절이 가능한 세정 소스 배출구를 구비하여 상기 세정 소스 배출구를 통해 챔버 내벽의 화학물질 등이 세정되는 CVD 챔버; 및 상기 CVD 챔버에서 세정 소스를 배출하는 배기 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 동작을 대략적으로 도시한 것으로서, 세정 가스 박스(100), 원격 플라즈마 수단(200), 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관(300), CVD 챔버(400), 배기 수단(500)으로 구성된다.
세정 가스 박스(100)에서는 NF3, F2, COF2, C3F8, C4F8 등의 불소(F)가 포함된 가스 중의 어느 하나인 세정 가스를 원격 플라즈마 수단에 공급한다.
원격 플라즈마 수단(200)에서는 300~400kHz 정도의 주파수를 생성시키는 중간 주파수 생성기(Middle Frequency Generator, 210)와 세정 가스를 이온으로 분해하는 반응기(Reactor, 220)를 포함한다. 상기 세정 가스 박스(100)로부터 세정 가스를 공급받아, 중간 주파수 생성기(210)로 중간 주파수를 생성한 뒤, 원격 플라즈마 수단(200) 내부의 반응기(220)에서 세정 가스를 플라즈마 상태로 변형시킨다.
3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관(300)은 원격 플라즈마 수단(200)으로부터 플라즈마 상태의 세정 가스를 공급받고 별도의 첨가 가스 박스(360)로부터 질소, 헬륨, 산화질소, 산소와 같은 첨가 가스를 공급받아 내부에 쿨링 라인(310)을 통해 세정 소스를 이동시켜 도파관 연결부(370)와 챔버 몸체 내부의 연결 라인(410)의 끝단에 위치하는 세정 소스 배출구(430)를 통해 CVD 챔버(400)에 공급한다.
CVD 챔버(400)에서는 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관(300)으로부터 세정 소스를 공급받아 챔버 내벽(420)의 화학물질 등을 세정한다. 이 경우 챔버 내부의 세정 압력은 1~8토르(torr)를 사용한다.
배기 수단(500)은 CVD 챔버(400)에서 세정 가스 및 첨가 가스를 배출한다.
도 2는 본 발명에 따른 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 원격 플라즈마 세정 시스템의 일실시예로 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관을 도시한 것으로서 도파관 본체(320), 3개의 세정 소스 배출 포트(330), 첨가가스 공급부(340), 세정가스 공급부(350)로 구성된다.
도파관 본체(320)는 3개의 세정 소스 배출 포트(330)와 연결되어 있으며, 원격 플라즈마 수단(200)과 세정가스 공급부(350)을 통하여 연결되고, 또한 첨가가스 공급 박스(360)와 첨가가스 공급부(340)을 통하여 연결된다.
3개의 세정 소스 배출 포트(330)는 세정 소스를 공급받을 수 있도록 각각 도파관 본체(320)와 연결되어 있으며, 내부에 쿨링 라인(310)을 포함하여, 각각의 세정 소스 배출 포트 끝단의 도파관 연결부(370)과 챔버 몸체 내부의 연결 라인(410)의 끝단에 위치하는 세정 소스 배출구(430)를 통해서 CVD 챔버(400)의 내벽(420)으로 세정 가스를 공급한다.
도파관(300)은 본체(320)와 3개의 세정 소스 배출 포트(330)를 포함하여 알루미늄 재질로 되어 있어 있어서 세정 가스나 첨가 가스로부터 부식 등을 방지할 수 있어서 뛰어난 내구성을 가지고 있다. 또한 세정 후 세정 효율, 즉 입자에 의한 오염도 정도에 따라 내부에 양극 산화 처리가 되어있는 것을 사용할 수도 있고, 또는 양극 산화 처리가 되어있지 않은 것을 사용할 수도 있다.
도 3a는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 일실시예를 도시한 측면도이며, 도 3b와 3c는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관의 실시예를 도시한 평면도이다.
도 3b와 3c에 의하면 도파관 본체(320)에 연결된 3개의 세정 소스 배출 포트에서 챔버 몸체 내부의 연결 라인(410)으로 들어가 도 3b와 같이 90°의 각도를 유지하면서 챔버 내벽(420)에 세정 가스를 공급할 수 있으며, 또한 도 3c와 같이 120°의 각도를 유지하면서 챔버 내부에 세정 가스를 공급할 수 있다.
또한 상기 세정 소스 배출구(430)에 각도 조절 어댑터를 장착하어 배출 각도를 조절할 수 있으며 상기 세정 소스 배출구(430)의 각도를 조절할 수 있도록 변형가공을 통해 ±30°정도 변화시킬 수 있다. 따라서 챔버 내부 세정 효율에 따라 각각의 세정 소스 배출구(430)의 각도를 변화시킬 수 있어서 최적의 세정 효과를 얻을 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템의 구체적인 실험 결과를 나타낸 것이다.
도 4에 의하면 챔버에 PETEOS 막 30,000Å 증착시 챔버 내벽은 분(minute)당 평균 10,000Å에서 15,000Å 정도 증착되고, 샤워헤드 표면은 20,000Å에서 30,000Å 정도 증착되며, 샤워헤드 옆면은 5,000Å에서 10,000Å 정도 증착된다.
증착 후 본 발명에 의한 3개의 세정 소스 배출 포트 중에서 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템을 적용하여 세정시, 세정가스로는 NF3, 첨가 가스로는 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 혼합물을 사용하였을 때, 분당 에칭율은 챔버 내벽은 20,000Å에서 30,000Å, 샤워헤드 표면은 40,000Å에서 70,000Å, 샤워헤드 옆면은 20,000Å에서 30,000Å이 에칭된다.
이는 증착 두께 대비 최적의 에칭 효율을 가지는 것으로 나타났다. 따라서 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관으로 적용시 적정한 챔버 세정으로 인해 세정 시간 및 비용을 줄일 수 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템은 챔버 내부의 적정한 에칭이 가능하여 에칭시간을 단축하여 세정효율을 높이고 챔버 내부의 국부적 오버 에칭 방지로 장비 수명을 증가시키는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따른 원격 플라즈마 세정 시스템은 챔버 내부 세정시 요구되는 세정가스를 줄일 수 있으며, 이를 통해서 공정 데이터의 신뢰성 확보를 얻을 수 있다.

Claims (7)

  1. CVD 챔버 세정 시스템에 있어서,
    세정 가스를 공급하는 세정 가스 박스;
    상기 세정 가스 박스로부터 세정 가스를 공급받으며, 중간 주파수 생성기와 가스를 이온으로 분해하는 반응기를 통하여 세정 가스를 플라즈마 상태로 형성시키는 원격 플라즈마 수단;
    첨가 가스를 공급하며, 상기 가스 박스와는 별도의 위치에 있는 첨가 가스 박스;
    상기 원격 플라즈마 수단으로부터 플라즈마 상태의 세정 가스를 공급받고, 상기 첨가 가스 박스로부터 첨가 가스를 공급받아 세정 가스와 첨가 가스의 혼합물로 되어있는 세정 소스를 CVD 챔버에 공급하는 3개의 세정 소스 배출 포트를 구비하는 도파관;
    상기 도파관의 각각의 세정 소스 배출 포트로부터 도파관 연결부를 통해 세정 소스를 공급받아, 챔버 몸체 내부의 연결 라인의 끝단에 위치하며 각도 조절이 가능한 세정 소스 배출구를 구비하여 상기 세정 소스 배출구를 통해 챔버 내벽의 화학물질 등이 세정되는 CVD 챔버; 및
    상기 CVD 챔버에서 세정 소스를 배출하는 배기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 가스는,
    불소가 포함된 NF3, F2, COF2, C3F8, C4F8 가스 중에서 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 첨가 가스는,
    아르곤, 질소, 헬륨, 산화질소, 산소 중에서 둘 이상의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도파관은,
    도파관 본체;
    원격 플라즈마 수단으로부터 플라즈마 상태의 세정가스를 공급받는 세정 가스 공급부;
    첨가 가스 박스로부터 상기 도파관 본체로 첨가 가스를 공급받는 첨가 가스 공급부;
    상기 도파관 본체로부터 세정 소스를 공급받을 수 있도록 도파관 본체에 각각 연결되어 있으며, 도파관 내부에 있는 쿨링 라인을 거쳐 세정 가스를 CVD 챔버 내부로 공급하는 3개의 세정 소스 배출 포트; 및
    상기 각각의 세정 소스 배출 포트 끝단에 위치하며 세정 소스를 CVD 챔버에 공급하며, 챔버의 챔버 몸체 내부의 연결 라인과 연결되는 도파관 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정 소스 배출구는,
    각도 조절 어댑터를 구비하는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도파관은,
    알루미늄 재질로 되어있는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 도파관은
    세정 후 세정 효율 정도에 따라 도파관 내부에 양극 산화 처리가 되어있는 것 또는 양극 산화 처리가 되어있지 않은 것 중에서 어느 하나를 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 CVD 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템.
KR1020050071182A 2005-08-04 2005-08-04 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템 KR100702063B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050071182A KR100702063B1 (ko) 2005-08-04 2005-08-04 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050071182A KR100702063B1 (ko) 2005-08-04 2005-08-04 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070016480A KR20070016480A (ko) 2007-02-08
KR100702063B1 true KR100702063B1 (ko) 2007-03-30

Family

ID=41565366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050071182A KR100702063B1 (ko) 2005-08-04 2005-08-04 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100702063B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100994108B1 (ko) * 2008-06-09 2010-11-12 (주)이큐베스텍 플라즈마 세정 시스템에 사용되는 분사기 및 이를 이용한세정 방법
US10889891B2 (en) * 2018-05-04 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus for gaseous byproduct abatement and foreline cleaning

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015161A (ko) * 2000-08-21 2002-02-27 윤종용 균일한 클리닝 가스 공급을 위한 플라즈마 화학 기상 증착챔버
KR20030001695A (ko) * 2001-06-26 2003-01-08 삼성전자 주식회사 고밀도 플라즈마 화학기상증착 챔버의 세정장치 및 그 방법
KR20030065461A (ko) * 2000-08-08 2003-08-06 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 및 클리닝 방법
JP2005187928A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030065461A (ko) * 2000-08-08 2003-08-06 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치 및 클리닝 방법
KR20020015161A (ko) * 2000-08-21 2002-02-27 윤종용 균일한 클리닝 가스 공급을 위한 플라즈마 화학 기상 증착챔버
KR20030001695A (ko) * 2001-06-26 2003-01-08 삼성전자 주식회사 고밀도 플라즈마 화학기상증착 챔버의 세정장치 및 그 방법
JP2005187928A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070016480A (ko) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI660420B (zh) 使用遠端電漿源之加強式蝕刻製程
JP4860087B2 (ja) エッチング方法
US20080261074A1 (en) Structure for Preventing Peeling of Reaction Product, Process for Its Production and Process for the Production of a Semiconductor Device Using the Structure
US20140099794A1 (en) Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways
JP2006100305A (ja) プラズマ処理装置
JP2004006554A (ja) Ｃｖｄ装置およびそれを用いたｃｖｄ装置のクリーニング方法
US20130284093A1 (en) Substrate treating apparatus
KR100564168B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR100702063B1 (ko) 3개의 세정 소스 배출 포트가 형성된 도파관을 구비하는 ｃｖｄ 장비의 원격 플라즈마 세정 시스템
KR20080031690A (ko) 기판 공정 방법
KR100791677B1 (ko) 반도체 소자 제조를 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치
KR102375158B1 (ko) 증착 장치 및 그 구동 방법
KR101275261B1 (ko) 세정 및 배기 장치
KR102179717B1 (ko) 플라즈마와 증기를 이용한 건식 세정 장치
KR20020015292A (ko) 플라즈마 막 형성장치 및 그 클리닝방법
TWI785783B (zh) 用於選擇性金屬化合物移除之系統及方法
CN116568862A (zh) 陈化处理腔室的方法
KR20080095099A (ko) 챔버 리드에 형성된 배기라인 및 이를 포함하는 배기 장치
JP2008078446A (ja) 薄膜製造装置及び薄膜製造装置のクリーニング方法
KR100517550B1 (ko) 원자층 증착 장치
KR20080062112A (ko) 박막 증착 장비의 세정 방법
KR102660954B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 자연 산화막 제거 방법
KR100589046B1 (ko) 박막 형성 방법
KR101650104B1 (ko) 공정챔버 세척방법
US20200013628A1 (en) Self-limiting selective etching systems and methods

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130214

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151209

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161222

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 14