KR100699143B1 - 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법 - Google Patents

이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100699143B1
KR100699143B1 KR1020050131225A KR20050131225A KR100699143B1 KR 100699143 B1 KR100699143 B1 KR 100699143B1 KR 1020050131225 A KR1020050131225 A KR 1020050131225A KR 20050131225 A KR20050131225 A KR 20050131225A KR 100699143 B1 KR100699143 B1 KR 100699143B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
matching
exposure
wafer
distortion
control amount
Prior art date
Application number
KR1020050131225A
Other languages
English (en)
Inventor
안동광
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050131225A priority Critical patent/KR100699143B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100699143B1 publication Critical patent/KR100699143B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명에 따르면, 기준 노광 장비를 선정하여 기준 웨이퍼를 마련하고, 기준 웨이퍼를 사용하여 이종 노광 장비들 간의 예비 정렬 매칭(pre-align matching)을 수행하고, 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭(matching) 및 렌즈 왜곡 매칭(lens distortion matching)을 수행하여, 장비간의 에러 서치(error search) 최소화 및 왜곡, 오버레이(overlay) 등을 최적화하여 생산 로트(Lot)의 혼용 진행이 가능하게 하고, 총 오버레이 정확도를 향상시키는 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법을 제시한다.
노광, 예비 정렬, 왜곡 보정, 오버레이

Description

이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법{Method for improving overlay matching between different exposure equipments}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기준호기간 예비 정렬 매칭 (pre-alignment matching)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스테이지 그리드 매칭(stage grid matching)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 매칭(distortion matching)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 매칭(distortion matching) 보정(correction)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 보정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 보정치 산출 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 매칭 결과를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명은 노광 기술에 관한 것으로, 특히, 이종 노광 장비간 오버레이 매칭(overlay matching) 성능 향상 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 형성하기 위해서 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 노광 과정이 수행되고 있다. 이때, 반도체 소자를 형성하기 위해서 여러 종류의 층들에 대해, 서로 다른 기종의 노광 장비, 예컨대, 서로 다른 기종의 스테퍼(stepper) 또는 스캐너(scanner)를 혼용하여 노광 과정들이 수행될 수 있다.
이때, 노광 장비 간 웨이퍼 스테이지(wafer stage)들 간의 그리드(grid) 차가 발생되고, 프로젝션 렌즈(projection lens)의 왜곡(distortion) 차가 발생되게 된다. 이에 따라, 여러 종류의 노광 장비를 혼용하여 진행된 층들 간 중첩 오정렬, 예컨대, 오버레이 미스 매칭(overlayer mis matching)이 발생되고 있다.
따라서, 노광 장비들간의 기계적 특성차 또는 광학적 특성차에 의한 오버레이 값을 최소화하여, 노광 과정을 재 수행하는 리워크(rework) 과정을 감소시키기 위해서는, 이종 노광 장비들 간의 오버레이 매칭(overlay matching) 성능 향상 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 소자를 형성하는 데 사용되는 노광 과정들을 보다 효율적으로 수행하기 위해서, 이종 노광 장비들 간의 오버레이 매칭 성능을 향상시킬 수 있는 방법을 제시하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 위한 본 발명의 일 실시예는, 기준 웨이퍼를 마련하는 단계, 상기 기준 웨이퍼를 사용하여 이종 노광 장비들 간의 예비 정렬 매칭(pre-align matching)을 수행하는 단계, 상기 기준 웨이퍼를 사용하여 상기 이종 노광 장비들에 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭(matching)을 수행하는 단계, 및 상기 기준 웨이퍼를 이용하여 상기 이종 노광 장비들에 렌즈 왜곡 매칭(lens distortion matching)을 수행하는 단계를 포함하는 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법을 제시한다.
상기 예비 정렬 매칭 단계는 상기 기준 웨이퍼를 기준으로 상기 이종 노광 장비들의 예비 정렬부(pre-alignment unit)를 매칭하는 것일 수 있다.
상기 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭(matching)은 상기 기준 웨이퍼의 샷 맵(map)에 일치하도록 상기 노광 장비들의 스테이지들을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 렌즈 왜곡 매칭(lens distortion matching)을 수행하는 단계는 전 공정과 후 공정의 샷(shot) 형상 오차를 산출하는 단계; 상기 샷 형상 오차와 상기 노광 장비들의 렌즈 특성으로 상기 노광 장비의 매칭 조정 제어부의 제어량 및 스테이지 제어량을 산출하는 단계; 선형 최소이승법으로 샷 형상 오차를 최소로 하는 상기 매칭 조정 제어부 제어량과 상기 스테이지 제어량을 산출하는 단계; 상기 매칭 조정 제어부 제어량과 스테이지 제어량으로 왜곡 보정치를 산출하는 단계; 및 상기 왜곡 보정치의 유 무효를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 소자를 형성하는 데 사용되는 노광 과정들을 보다 효율적으로 수행하기 위해서, 이종 노광 장비들 간의 오버레이 매칭 성능을 향상시킬 수 있는 방법을 제시할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
웨이퍼 상에 레티클 패턴(reticle pattern)을 전사하기 위하여 스캐너(scanner) / 스테퍼(stepper) 노광 장비 등이 사용된다. 반도체 소자 제조 공정 진행 시 여러 종류의 층들이 서로 다른 기종의 스테퍼 / 스캐너와 혼용 진행되므로, 노광 장비간 웨이퍼 스테이지 간의 그리드(grid) 차 / 프로젝션 렌즈 왜곡 차에 의해 혼용 진행된 층들간 오버레이 미스 매칭이 발생된다.
이를 개선하기 위해서, 노광 장비들 중 기준호기를 선정한 후 제작한 기준웨이퍼에 셋업(set-up) 완료된 장비의 예비 정렬(pre-align)을 매칭시켜, 생산 적용 후, 서치 에러(search error)를 최소화하고, 왜곡(distortion), 오버레이 등 장비간 차를 최적화하여, 생산 로트(Lot)의 혼용 진행이 가능토록 하고 총 오버레이 정확도(total overlay accuracy)를 향상시키기 위해, 3가지의 매칭 작업을 실시한다. 즉, 예비 정렬 매칭, 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭, 렌즈 왜곡 매칭의 과정을 수행한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기준호기간 예비 정렬 매칭 (pre-alignment matching)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 예비 정렬의 작업 목적은 노광 장비, 예컨대, 니콘(Nikon)사의 이종 모델(model) 장비들 예컨대, 모델명 PST111 , PST112 , PST113 , PST201 장비 간의 예비 정렬 매칭을 통하여, 장비간 혼용 진행 시 니콘 장비의 서치 에러를 감소하여 이동도(movement)를 향상시킨다. 그리고, 오버레이 오정렬(mis align)을 최소화하고, 기종 간 기준호기의 예비 정렬을 서로 매칭하여 잔류 오프셋(offset)을 최적화한다. 이러한 과정에 의한 기준 웨이퍼의 자체 오차를 최소화한다.
이러한 예비 정렬 작업 방법은 가동 중인 기준호기, 예컨대, 니콘사 모델명SF120 / S206D의 노광 장비에서 작성한 기준 웨이퍼(reference wafer)를 기준으로 운영 중인 이종 장비 간의 예비 정렬부를 매칭시킨다. 이러한 기준호기간 예비 정렬 매칭 결과는 도 1에 도시된 바와 같이 정리될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스테이지 그리드 매칭(stage grid matching)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 기준 웨이퍼의 샷(shot) 맵에 일치하도록 노광 장비들의 스테이지를 제어한다. 예컨대, 이상 격자법을 따라 스테이지의 이상적인 구동 이상격자에 호환되도록 스테이지를 제어한다. 즉, 도 2에 제시된 바와 같이 기준 웨이퍼를 이용하여 노광 장비들 간의 스테이지 그리드 매칭을 수행한다.
먼저, 매칭에 대한 그리드 보상(GCM: Grid Compensation for Matching)을 수행한다. 아래의 제1층 상에 위치하는 제2층 이상의 노광에서는 선행 층의 노광 상태에 맞춰 노광을 제어할 필요가 있다. 이를 위하여 웨이퍼 상의 샘플 샷(sample shot)의 정렬 마크(aliment mark)를 계측하고, 그 계측 결과로부터 웨이퍼 상의 샷 배열 상태를 추정하고, 이에 맞춰 노광을 수행한다.
이런 계측과 샷의 배열 상태의 추정을 통칭하여 EGA(Estimation Grid Alignment)라 부른다. EGA에서는 선행 층의 샷 배열의 오차 성분을 산출하고, 샷 위치를 보정한다. 그러나, 선행 층의 샷 배열에 그 모델(model)에서 표시되지 않는 오차가 존재하는 경우에는 샷의 위치 틀어짐이 잔류하게 된다. GCM은 이와 같은 EGA 잔류 오차를 구하고 샷 위치를 보정하는 것에 의해 고정밀도의 오버레이를 실현하는 기능이다.
즉, GCM의 목적은 그리드 에러(grid error)에 대응하는 것인데, 그리드 에러는 화학기계적 연마(CMP) 등의 공정에 따른 웨이퍼 면 내의 비선형적 변화로부터 기인하거나, 타사 장비와의 매칭에 따른 스테이지 그리드 차에 따른 비선형적 성분으로부터 기인한다.
이러한 에러 보정 기능은 가중 EGA(weighted EGA)가 있는 데, 이는 계측 점수 증가에 따른 생산성(throughput) 저하를 유발할 수 있다. 또한, 매칭에 따른 GCM을 예로 들 수 있다. 스캔(scan) 노광기에 따른 스텝-C(step-C)는 스테이지의 위치 결정 정도를 계측하는 방법의 하나이다.
예컨대, 먼저, (1) 표준 노광 크기(size)로 노광을 수행하고, 다음에, (2) 노광 블라인드(blind)를 좁히고, 샷 중심(shot center) 부분의 패턴을 노광하고, (３) (１）및 (２）로 전사(轉寫)한 샷 중심 부부의 패턴의 위치 어긋난 량을 스텝-C로서 구한다.
한편, 샷 간 비선형 오차는 통상의 EGA 계측에서는 검출될 수 없는 고차원적인 웨이퍼 변형을 의미하는 데, (1) 표면 연마 등의 공정 처리에 따른 웨이퍼의 비선형적 변형, (2) 기준 노광기와 비교 노광기의 스테이지 그리드 차이에 기인한다. 이때, 비선형 오차 계측 방법, 즉, EGA 계측 점수를 증가함에 따라 고차 성분 검출을 이용한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 매칭(distortion matching)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 왜곡 매칭의 목적은 로트(Lot)마다 노광에 이용하는 장치의 왜곡 형상을 다이내믹(dynamic)하게 자동으로 조정하여, 매칭 정도를 향상시킨다. 왜곡 보정 기능은 슈퍼 왜곡 매칭(SDM: Super Distortion Matching) 서버(server) 상에 격납되어 있는 장치마다의 렌즈 데이터(lens data)를 사용하고, 투영(projection) 렌즈에 탑재되어 있는 매칭 조정 제어기 1(MAC1: Matching Adjustment Controller 1)기능과 스캔 스테이지 보정 변수(parameter)(스캔 노광 장치에서)를 이용해, 왜곡을 도 3에 제시된 바와 같은 과정으로 보정한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 매칭(distortion matching) 보정(correction)을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 왜곡 매칭 보정을 위한 초기 조정은 최대 노광 영역에서 평균적인 조정이 행해진다. SDM는 최대 노광 영역에서 실제 노광에 이용할 영역(area) 범위만을 빼내어, 최적의 왜곡 상태가 되도록 보정한다. 즉, 노광 영역마다 최적의 왜곡 형상을 구현한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 보정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 왜곡 보정은 수행은, 각종 파일(file) 즉, 공정 및 노광 영역 정의 등의 파일의 설정 공정에서 사용하는 공정 프로그램(process program)이나 공정 간의 샷 오버레이 / 방법 노광 / 영역 위치, 크기나 1 인(in) 1 또는 2 인 1 등을 정의한다(501). 즉, 여러 파일들의 세팅(setting)을 수행한다(501).
그리고, 왜곡 데이터를 등록(storage)한다(502). 왜곡 노광한 웨이퍼를 계측 명령(measure command)으로 계측해 작성한다. 계측 종료 후 렌즈 왜곡 데이터(lens distortion data)를 변환한다.
로트 이력(history)을 자동 수집한다(503). 로트가 노광될 때의 노광 조건, 조명계 표식(ID), 왜곡 보정 변수 등 왜곡 관련 데이터가 로트마다 순차 로그 파일(sequence Log file)에 보존된다. 이것을 자동적으로 서버(server)가 수집한다.
조회(504)를 수행한다. 즉, 아래의 데이터를 니콘 스테퍼(Nikon stepper)에서 서버로 송신한다. 즉, 현 공정을 노광하는 노광 장비, 즉, NSR명, 결상계 ID 로트 명, 공정 프로그램 명, 웨이퍼 방향, 기준 왜곡 맵(distortion map) 등을 송신한다.
왜곡 보정치를 산출한다(505). 원 공정 및 현 공정의 샷 형상을 추정해, 현 공정을 원 공정에 맞춘 왜곡 보정치를 산출한다. 이때, 기준호기 렌즈 왜곡(lens distortion) 표준 관리를 수행한다.
응답이 수행된다(506). 서버에서 니콘 스테퍼의 왜곡 제어 판정 결과 및 왜곡 보정치가 응답된다.
다음에, 왜곡 보정치를 이용한 노광을 수행한다(507). 즉, MAC1 및 스테이지 변수를 보정하여 노광한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 왜곡 보정치 산출 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 왜곡 보정치를 다음과 같이 산출한다. 먼저 도 6에 제시된바와 같이 원 공정과 현 공정의 샷 형상 오차를 산출 한다. 이후에, 샷 형상 오차와 각 기종의 렌즈 특성으로 MAC1 제어량과 스테이지 제어량 산출한다. 선형 최소이승법으로, 샷 형상 오차를 최소로 하는 MAC1 제어량과 스테이지 제어량을 산출한다. MAC1 제어량과 스테이지 제어량으로 왜곡 보정치 산출한다. 이후에, 왜곡 제어의 유효 및 무효 여부를 판정한다.
이때, 웨이퍼 내 성분은 시프트(shift), 배율, 회전, 직교, 이동경 구부러짐 (mirror bow) 보정 등의 선형 성분으로 EGA 보정으로 제거할 수 있고, 타 기종 간 / 공정 의존 비선형 성분은 GCM으로 보정할 수 있고, 샷 내의 선형 성분(배율, 회전, 직교) 등은 EGA + 오프셋 보정으로 보정할 수 있고, 장치간 왜곡 차는 SDM으로 보정할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 매칭 결과를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 믹스 및 매치의 총 오버레이 매칭 결과는, 예비 정렬 매칭, 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭, 렌즈 왜곡 매칭 이상의 3가지 매칭을 실시한 후, 기준호기에서 제작한 기준 웨이퍼(reference wafer)를 기준으로 대상 장비의 오버레이 매칭을 실시한 결과 도 7에 제시된 바와 같이 정리된 결과를 얻을 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 서로 다른 모델 기종의 노광 장비간 교차 진행을 위하여, 예비 정렬 매칭 / 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭 / 렌즈 왜곡 매칭을 실시하여 장비 간 기계적, 렌즈 광학 특성 차에 의한 오버레이 값을 최소화하여, 리워크(rework) 비율을 감소시킬 수 있다. 또한, 기준 웨이퍼를 이용한 장비의 지속적인 관리로 노광장비의 결상, 중첩 성능을 안정적으로 유지할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예들을 통하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명은 여러 형태로 변형될 수 있다.

Claims (4)

  1. 기준 웨이퍼를 마련하는 단계;
    상기 기준 웨이퍼를 사용하여 이종 노광 장비들 간의 예비 정렬 매칭(pre-align matching)을 수행하는 단계;
    상기 기준 웨이퍼를 사용하여 상기 이종 노광 장비들에 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭(matching)을 수행하는 단계; 및
    상기 기준 웨이퍼를 이용하여 상기 이종 노광 장비들에 렌즈 왜곡 매칭(lens distortion matching)을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법.
  2. 제 1항에 있어서
    상기 예비 정렬 매칭 단계는 상기 기준 웨이퍼를 기준으로 상기 이종 노광 장비들의 예비 정렬부(pre-alignment unit)를 매칭하는 것을 특징으로 하는 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법.
  3. 제 1항에 있어서
    상기 웨이퍼 스테이지 그리드 매칭(matching)은 상기 기준 웨이퍼의 샷 맵(map)에 일치하도록 상기 노광 장비들의 스테이지들을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법.
  4. 제 1항에 있어서
    상기 렌즈 왜곡 매칭(lens distortion matching)을 수행하는 단계는
    전 공정과 후 공정의 샷(shot) 형상 오차를 산출하는 단계;
    상기 샷 형상 오차와 상기 노광 장비들의 렌즈 특성으로 상기 노광 장비의 매칭 조정 제어부의 제어량 및 스테이지 제어량 산출하는 단계;
    선형 최소이승법으로 샷 형상 오차를 최소로 하는 상기 매칭 조정 제어부 제어량과 상기 스테이지 제어량을 산출하는 단계;
    상기 매칭 조정 제어부 제어량과 스테이지 제어량으로 왜곡 보정치 산출하는 단계; 및
    상기 왜곡 보정치의 유 무효를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법.
KR1020050131225A 2005-12-28 2005-12-28 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법 KR100699143B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050131225A KR100699143B1 (ko) 2005-12-28 2005-12-28 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050131225A KR100699143B1 (ko) 2005-12-28 2005-12-28 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100699143B1 true KR100699143B1 (ko) 2007-03-21

Family

ID=41564366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050131225A KR100699143B1 (ko) 2005-12-28 2005-12-28 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100699143B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000056246A (ko) * 1999-02-18 2000-09-15 윤종용 이종의 정렬 노광장치를 이용한 노광방법
KR20000074366A (ko) * 1999-05-20 2000-12-15 윤종용 정렬정확도 측정용 원판

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000056246A (ko) * 1999-02-18 2000-09-15 윤종용 이종의 정렬 노광장치를 이용한 노광방법
KR20000074366A (ko) * 1999-05-20 2000-12-15 윤종용 정렬정확도 측정용 원판

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020000056246
1020000074366

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10884345B2 (en) Calibration method for a lithographic apparatus
EP1744217B1 (en) Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same
WO2006030727A1 (ja) 補正方法及び露光装置
JP3634487B2 (ja) 位置合せ方法、位置合せ装置、および露光装置
KR20180094154A (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 연계된 데이터 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품
TWI521313B (zh) 曝光修正方法與控制裝置
JPH07335524A (ja) 位置合わせ方法
EP3339959A1 (en) Method of determining a position of a feature
JPH06252027A (ja) 位置合わせ方法および装置
WO2019001871A1 (en) METHOD OF DETERMINING DEFORMATION
US6762825B2 (en) Focal point position detecting method in semiconductor exposure apparatus
JP2023017779A (ja) パターン配置補正方法
JP2006344739A (ja) 位置計測装置及びその方法
KR101421258B1 (ko) Ａｐｃ 제어 방법으로 노출 필드 내 오버레이 오차를 줄이는 방법 및 시스템
US7974804B2 (en) Registration detection system
JP5062933B2 (ja) 露光装置、位置合わせ方法、プログラム、コンピュータ可読媒体、デバイスの製造方法
JP2007184343A (ja) 処理方法、処理装置、及びプログラム
KR100699143B1 (ko) 이종 노광 장비간 오버레이 매칭 성능 향상 방법
US6946411B2 (en) Method and system for improving the efficiency of a mechanical alignment tool
KR20220122489A (ko) 검출장치, 검출방법, 프로그램, 리소그래피 장치, 및 물품 제조방법
US20020039845A1 (en) Exposure apparatus, semiconductor device manufacturing method, exposure apparatus maintenance method and semiconductor manufacturing factory
JP5632810B2 (ja) 露光装置、ショット補正パラメータの決定方法、プログラム、コンピュータ可読媒体、デバイス製造方法および位置合わせ装置
WO2008140180A2 (en) In-line virtual-masking method for maskless lithography
JP2001297966A (ja) 露光方法、露光システム、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法
TWI751628B (zh) 器件製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee