KR100698379B1 - Apparatus for trapping semiconductor residual product of semiconductor manufacturing system - Google Patents
Apparatus for trapping semiconductor residual product of semiconductor manufacturing system Download PDFInfo
- Publication number
- KR100698379B1 KR100698379B1 KR1020050092234A KR20050092234A KR100698379B1 KR 100698379 B1 KR100698379 B1 KR 100698379B1 KR 1020050092234 A KR1020050092234 A KR 1020050092234A KR 20050092234 A KR20050092234 A KR 20050092234A KR 100698379 B1 KR100698379 B1 KR 100698379B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trap plate
- reaction
- trap
- manufacturing system
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04C—ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; ROTARY-PISTON, OR OSCILLATING-PISTON, POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04C29/00—Component parts, details or accessories of pumps or pumping installations, not provided for in groups F04C18/00 - F04C28/00
- F04C29/0092—Removing solid or liquid contaminants from the gas under pumping, e.g. by filtering or deposition; Purging; Scrubbing; Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명에 의한 포집장치의 설치구성 블록도.1 is a block diagram of the installation configuration of the collecting device according to the present invention.
도 2는 본 발명에 의한 포집장치의 외관 사시도.Figure 2 is an external perspective view of the collecting device according to the present invention.
도 3은 도 2의 포집장치 절개 사시도.3 is a perspective view of the collecting device cutaway of FIG.
도 4는 도 2의 포집장치 단면도.4 is a cross-sectional view of the collecting device of FIG.
도 5는 본 발명에 의한 포집장치 중 포집부의 사시도.5 is a perspective view of a collecting unit of the collecting device according to the present invention.
도 6은 도 5의 포집부의 저면 사시도.6 is a bottom perspective view of the collecting part of FIG. 5;
도 7은 도 5의 포집부의 절개 사시도.7 is a perspective view of the cutaway of the collecting part of FIG.
도 8은 본 발명에 의한 포집장치 중 열교환부의 사시도.8 is a perspective view of a heat exchange unit of the collecting device according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10: 포집장치 20: 하우징10: collecting device 20: housing
21: 유입구 22: 배출구21: inlet 22: outlet
30: 포집부 31: 트랩플레이트30: collecting part 31: trap plate
32: 포집부재 36: 보조 트랩플레이트32: collecting member 36: auxiliary trap plate
40: 열교환부 41: 히터40: heat exchanger 41: heater
42: 판체42: plate
본 발명은 반도체 제작 시스템의 반응부산물 포집장치에 관한 것으로서, 상세하게는 단위체적당 반응부산물의 포집이 전체 포집구간에 걸쳐 균일하게 수행되도록 하고 포집되는 양이 최대가 되도록 하며, 동시에 기체상태의 반응부산물이 배출되는 유로의 저항이 최소화 되는 구성을 구현하여 포집효율이 향상된 우수한 제품을 얻도록 한 것이다.The present invention relates to a reaction by-product collecting device of a semiconductor fabrication system, and more particularly, the collection of reaction by-products per unit volume is carried out uniformly over the entire collection section, the amount to be collected is maximized, and at the same time the gaseous reaction by-products By implementing a configuration that minimizes the resistance of the discharge flow path to obtain an excellent product with improved collection efficiency.
반도체 제조공정은 전 공정과 후 공정으로 구분되며, 전 공정은 반도체칩을 제조하기 위해 웨이퍼(wafer) 상에 박막을 증착하고 식각하는 물리/화학적 공정을 의미하며, 후 공정은 전 공정에서 제작된 웨이퍼를 특정의 규격으로 절단하여 별도 제작된 리드프레임에 얹고 와이어 본딩 후 몰딩하는 패키지(package) 제작공정을 의미한다.The semiconductor manufacturing process is divided into the pre-process and the post-process, and the pre-process means a physical / chemical process of depositing and etching a thin film on a wafer to manufacture a semiconductor chip. It refers to a package fabrication process in which a wafer is cut to a specific standard, placed on a separately produced lead frame, and bonded after wire bonding.
상기 과정에서 전 공정은 공정이 수행되기 위한 공간을 제공하는 프로세스 챔버의 내부에 웨이퍼를 투입하고, 웨이퍼 상에 박막의 증착, 식각을 수행하기 위해 작업분위기를 형성하는 실란(silane), 아르신(arsine) 및 염화 붕소 등과 수소 등의 가스를 챔버 내부로 주입한 후 칩 제조 프로세스를 수행하게 된다.In the above process, the entire process includes silane and arsine, which inject a wafer into a process chamber that provides a space for performing the process, and form a working atmosphere for performing deposition and etching of a thin film on the wafer. arsine), boron chloride, etc., and gas such as hydrogen is injected into the chamber to perform the chip manufacturing process.
이 때, 상기 전 공정이 수행되는 동안 프로세스 챔버의 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스가 다량 발생되며, 이 유 해가스를 정화하여 방출하기 위해 반도체 제작 시스템에는 반드시 스크루버(scrubber; 가스세정기)가 설치된다.At this time, a large amount of toxic gas containing various ignition gases, corrosive foreign substances and toxic components are generated inside the process chamber during the entire process, and a screw must be provided in the semiconductor manufacturing system to purify and release the harmful gases. A scrubber is installed.
이와 같은 스크루버는 단지 가스형태의 반응부산물 만을 정화처리하기 때문에 반응부산물이 프로세스 챔버의 외부로 진행되어 파우더의 형태로 고형화되면, 배기라인에 고착됨에 따른 배기압력 상승, 진공펌프로 유입되어 펌프의 고장유발, 프로세스 챔버로 유해가스가 역류하여 웨이퍼를 오염시키는 등의 문제점이 노출되었다.Since such a scrubber purifies only the reaction byproducts in the form of gas, when the reaction byproducts proceed to the outside of the process chamber and become solid in the form of powder, the exhaust pressure rises due to sticking to the exhaust line and flows into the vacuum pump, causing the pump to malfunction. Problems such as contamination, harmful gas flow back into the process chamber, and contamination of the wafer were exposed.
이를 해소하기 위해 프로세스 챔버와 진공펌프의 사이에 스크루버의 기능을 포함하는 포집장치(트랩장치라 통칭되는)를 설치하여 고형화된 반응부산물을 포집처리하고 있다.In order to solve this problem, a collecting device (commonly referred to as a trap device) including a function of a scrubber is installed between the process chamber and the vacuum pump to collect the solidified reaction byproduct.
이 포집장치는 콜드 트랩장치 또는 핫 트랩장치 등으로 구현되어 기체상태의 반응부산물을 하우징 내에서 고형화시키고, 고형화된 파우더 형태의 반응부산물을 하우징 내부에 장착된 포집부재에 수집하여 진공펌프 측으로는 정화된 반응부산물 가스가 진행되도록 하고 있다.This collection device is implemented as a cold trap device or a hot trap device to solidify the gaseous reaction by-products in the housing, and collect the solidified powder reaction by-products in the collecting member mounted inside the housing to purify the vacuum pump. The reaction byproduct gas is allowed to proceed.
이러한 과정에 의해 고형화된 반응부산물은 포집장치에 의해 포집되고 정화된 가스가 외부로 배출될 수 있게 된다.The reaction by-product solidified by this process is able to be discharged to the outside collected and purified gas by the collecting device.
상기된 종래의 포집장치는 진공펌프의 고장, 웨이퍼의 오염 등의 문제점을 해소하기는 하지만, 일측의 유입구를 통해 유입된 기체의 반응부산물이 고형화된 후 트랩의 전체 구간에 걸쳐 균일하게 포집되지 않는데, 이는 가스의 유입지점 및 반응부산물을 가열 또는 냉각할 때의 초기지점이 어느 일측으로 편중됨으로 인해 발생된다.Although the above-described conventional collecting device solves problems such as failure of the vacuum pump and contamination of the wafer, the reaction by-products of the gas introduced through the inlet of one side are not uniformly collected over the entire section of the trap after solidification. This occurs because the inlet of the gas and the initial point when heating or cooling the reaction byproduct are biased to either side.
따라서, 상기 포집과정이 어느 일측에 편중된 경우, 단위면적당 고형화된 반응부산물이 포집되는 양이 적어지게 되어 포집효율이 대단히 낮아지고, 다량 포집된 지점은 포집된 반응부산물이 가스의 진행경로를 감소시켜 가스의 진행이 늦어지며, 이에 따라 포집량이 적어지는 등의 포집 및 배기효율이 대단히 낮아지는 문제점이 발생된다.Therefore, when the collection process is biased on either side, the amount of solidified reaction byproducts per unit area is reduced, so that the collection efficiency is very low, and the collected reaction byproducts reduce the gas flow path. This leads to a slow gas progression, thereby causing a problem in that the collection and exhaust efficiency, such as a small collection amount, is very low.
본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위해 발명한 것으로서, 유입된 반응부산물 가스가 고형화 된 후 포집부재 상에 균일하게 포집되도록 하고, 반응부산물의 포집되는 양이 단위체적에서 최대로 수집되도록 한 반응부산물 포집장치를 제공하는 것에 목적이 있다.The present invention has been invented to solve the above problems, the reaction by-product gas is solidified to be uniformly collected on the collecting member after the solidified reaction by-product gas, the reaction by-product collection to collect the maximum amount of the reaction by-product collected in the unit volume It is an object to provide a device.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 아래의 구성을 갖는다.In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
본 발명은, 내부에 트랩플레이트가 상호 간격을 유지하며 다수 층으로 적층설치된 포집장치에 있어서, 유입되어 고형화된 파우더 형태의 반응부산물을 수집하는 포집부재가 각 층의 트랩플레이트 마다 일측 또는 타측의 일부 구간에 장착되고, 포집부재가 장착된 양측 지점이 각 층마다 교번되도록 배치되어 구성된다.In the present invention, trap plates are arranged in a plurality of layers in the trap plate spaced therein, the collecting member for collecting the reaction by-products in the form of powder solidified into the trap plate of one side or the other side for each layer trap plate It is mounted to the section, it is configured to be arranged so that both points on which the collecting member is mounted alternately for each floor.
동시에 본 발명은, 내부에 트랩플레이트가 상호 간격을 유지하며 다수 층으로 적층설치되고, 각각의 트랩플레이트에 포집부재가 장착된 포집장치에 있어서, 상기 트랩플레이트는 각 층마다 어느 일측으로 경사져 설치되며, 경사상태가 각 층 마다 상호 반대측으로 교번되어 경사설치된다.At the same time, the present invention, the trap plate is arranged in a plurality of layers in the interval spaced therein, the trapping device is installed in each trap plate, the trap plate is installed inclined toward any one side of each layer In this case, the inclined states are alternately installed on the opposite sides of each floor.
또한, 상기된 각 구성이 포집장치로 구체화되기 위해 본 발명은, 상기 트랩플레이트가 내부에 설치되며, 반응부산물 기체가 트랩플레이트를 관통하여 진행되는 양측에 유입구와 배출구가 각각 형성된 하우징과; 상기 트랩플레이트와 포집부재가 결합된 포집부와; 상기 트랩플레이트의 내측에 구비되도록 하우징 내부에 결합되어 반응부산물 기체를 고형화하는 열교환부로 이루어진다.In addition, the present invention, the trap plate is installed therein, the inlet and outlet are formed on both sides of the reaction plate by the gas is passed through the trap plate in order to realize each of the above configuration as a collecting device; A collecting unit to which the trap plate and the collecting member are coupled; It is composed of a heat exchanger coupled to the inside of the housing so as to be provided inside the trap plate to solidify the reaction by-product gas.
이하, 상기 구성이 적용된 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention to which the above configuration is applied will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 의한 포집장치의 설치구성 블록도, 도 2는 본 발명에 의한 포집장치의 외관 사시도, 도 3은 도 2의 포집장치 절개 사시도이다.1 is a block diagram illustrating an installation of a collecting device according to the present invention, FIG. 2 is an external perspective view of a collecting device according to the present invention, and FIG.
도면을 참조하면, 본 발명에 의한 포집장치(10)는 프로세스 챔버(1)와 진공펌프(2)의 사이에 설치되며, 프로세스 챔버(1)는 칩을 제작하는 전 공정이 수행되는 공간이며, 이 때 발생되는 반응부산물이 진공펌프(2)에 의해 진행되어 외부로 배출되는 구성임은 주지된 것과 같다.Referring to the drawings, the
상기된 포집장치(10)는 하우징(20), 포집부(30), 열교환부(40)로 이루어진 기본 구성을 갖는다.The
상기 하우징(20)은 장치의 외장이 되는 구성으로 포집부(30)를 구성하는 트랩플레이트(31)가 내부에 설치되며, 반응부산물 기체가 트랩플레이트(31)를 관통하여 진행되는 양측에 유입구(21)와 배출구(22)가 각각 형성된다.The
여기서, 상기 하우징(20)의 유입구(21)는 트랩플레이트(31)의 중심선상에 위치된 하우징(20)의 지점에 형성되며, 상기 배출구(22)에는 그 내주에서 트랩플레이트(31)가 설치된 내측으로 돌출된 벽체(23)가 형성된다.Here, the
이와 같은 구성은 유입구(21)를 통해 유입된 기체의 반응부산물이 하우징(20)의 내부에서 평면상 균일한 확산을 위한 구성이며, 벽체(23)는 고형화된 반응부산물이 진공펌프(2)로 유입됨을 방지하기 위한 구성이다.This configuration is a configuration for uniformly spreading the reaction by-products of the gas introduced through the
상기 포집부(30)는 트랩플레이트(31)와 포집부재(32)가 결합되어 구성되며, 상기 트랩플레이트(31)와 포집부재(32)의 구성은 도 5 내지 도 7에 나타난 것과 같다.The
도 5는 본 발명에 의한 포집장치 중 포집부의 사시도, 도 6은 도 5의 포집부의 저면 사시도, 도 7은 도 5의 포집부의 절개 사시도이다.5 is a perspective view of a collecting unit of the collecting device according to the present invention, FIG. 6 is a bottom perspective view of the collecting unit of FIG. 5, and FIG. 7 is a cutaway perspective view of the collecting unit of FIG. 5.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 상기 포집부(30)는 트랩플레이트(31)가 상호 간격을 유지하며 다수 층으로 적층설치되며, 다수의 트랩플레이트(31)는 이들을 관통하여 체결된 결합봉체(33)에 의해 일체화된다.1 to 7, the
여기서, 상기 트랩플레이트(31)는 원형으로 형성되고, 내측에 중공(34)이 형성되어 후술될 열교환부(40)가 설치될 공간을 부여하며, 유입된 반응부산물이 통과되기 위한 여러 규격의 타공(35)이 다수개 형성된다.Here, the
상기 포집부재(32)는 트랩플레이트(31)와 대응하는 형태의 메쉬플레이트 형태로 형성되고, 트랩플레이트(31) 상에 얹혀져 접착 또는 별도의 결합수단(볼트, 핀 등)에 의해 결합구성된다.The
이와 같은 포집부(30)에서 상기 트랩플레이트(31)는 각 층마다 어느 일측으로 경사져 설치되며, 경사상태가 각 층마다 상호 반대측으로 교번되어 경사설치되어 일측은 각 트랩플레이트(31) 간의 간격이 좁은 간격구간(S1)으로 형성되고, 그 타측은 넓은 간격구간(S2)으로 형성된다.The
특히, 상기 트랩플레이트(31)가 교번되게 경사설치되어 형성된 넓은 간격구간(S2)에는 반응부산물의 포집량을 증가시키기 위한 보조 트랩플레이트(36)가 설치되는데, 이 보조 트랩플레이트(36)는 트랩플레이트(31)에 비해 작은 면적으로 형성된다.In particular, in the wide interval section S2 formed by alternately inclining the
여기서, 상기 보조 트랩플레이트(36)는 넓은 간격구간(S2)의 경사각도를 2등분하며 수평하게 설치되며, 트랩플레이트(31)의 1/2 면적으로 형성, 즉 반원의 플레이트 형태로 형성되어 양측의 포집량 균형을 맞추도록 구성된다.Here, the
이 때, 양측의 포집량 균형은 넓은 간격구간(S2)과 좁은 간격구간(S1)의 각 트랩플레이트(31) 간격(포집간격을 의미함)이 상이함으로 인해 넓은 간격구간(S2)에서 포집용량이 적게 됨은 자명하기 때문에, 넓은 간격구간(S2)에 보조 트랩플레이트(36)를 설치하여 좁은 간격구간(S1)의 포집간격에 대한 균형을 유지함을 의미한다.At this time, the trapping amount balance of both sides is the trapping capacity in the wide interval (S2) due to the different interval (meaning the collection interval) of each
또한, 상기 트랩플레이트(31)에는 고형화된 파우더 형태의 반응부산물을 수집하는 포집부재(32)가 각 층의 트랩플레이트(32) 마다 일측 또는 타측의 일부 구간에 장착되고, 포집부재(32)가 장착된 양측 지점이 1층 또는 2이상의 층마다 교번되도록 배치되어 구성된다.In addition, the
특히, 상기 포집부재(32)는 각각 트랩플레이트(31)의 1/2구간에 장착되도록 구성하는 것이 바람직한 것으로, 이는 포집부재(32)가 설치된 트랩플레이트(31) 층의 다음층에는 단지 타공(35)만이 형성된 트랩플레이트(31)가 교번되도록 배치되어 기체상의 반응부산물이 진행될 때의 저항을 최소화하기 위한 구성이다.In particular, the collecting
여기서, 상기 트랩플레이트(31) 중 최 상층 및 최 하층의 트랩플레이트(31)는 수평을 유지하도록 구비되며 전구간에 걸쳐 포집부재(32)가 장착되도록 하여 반응부산물의 유입초기와 말기에 그 포집량이 최대화되도록 함이 바람직하다.Here, the
상기 열교환부(40)는 트랩플레이트(31)의 내측에 설치되어 반응부산물 기체를 고형화하도록 구성되며, 히터(41), 판체(42), 결합심재(43)로 이루어진다.The
상기 히터(41)는 트랩플레이트(31)의 중공(34) 내측에 구비되어 코일형태로 감겨져 형성되며, 상기 판체(42)는 히터(41)의 내측에 상호 간격을 유지하며 다수 적층되어 기체의 반응부산물 진행을 유도하도록 구성된다.The
상기 결합심재(43)는 다수개 적층된 각 판체(42)에 관통결합되어 다수의 판체(42)를 일체화하기 위한 구성이며, 도면 중 부호 44는 열교환부(40)의 결합심재(43)가 고정결합되기 위해 중공(34)이 형성되지 않은 트랩플레이트이다.The
상기와 같이 구성된 포집장치는 하우징(20)의 유입구(21)를 통해 반응부산물이 유입되면, 유입된 반응부산물은 트랩플레이트(31)를 통과하며 고형화되고, 고형화된 반응부산물은 포집부재(32)에 수집되어 정화된 기체의 반응부산물 만이 배출구(22)를 통해 진공펌프(2)로 진행된다.The collection device configured as described above, when the reaction by-products are introduced through the
여기서, 상기 유입된 반응부산물의 고형화는 열교환부(40)의 히터(41)가 가 열되어 하우징(20)의 내부가 작업분위기로 형성되어 수행되며, 상기 트랩플레이트(31)의 타공(35)과 포집부재(32)의 메쉬격자공간 및 히터(41) 내측의 판체(42) 사이로 반응부산물이 진행되어 고형화, 포집이 수행되며 배출되는 것이다.Here, solidification of the introduced reaction by-products is performed by heating the
이 때, 상기 반응부산물의 포집은 트랩플레이트(31)의 양측이 교번되어 경사설치됨에 의해 일측의 좁은 간격구간(S2)에서는 좁은 간격자체로 포집간격이 좁아져 포집량이 향상되고, 그 이후로 진행된 반응부산물이 상기 좁은 간격구간(S1)과 교번된 타측의 좁은 간격구간(S1)에서 포집되어 전체적인 포집의 균형 및 포집용량이 증가된다.At this time, the collection of the reaction by-products are inclined by alternately installed on both sides of the
이 때, 상기 넓은 간격구간(S2)에 설치된 보조 트랩플레이트(36)는 포집용량을 보다 더 증가시킬 수 있도록 한 구성이며, 포집부재(32)가 각 층의 트랩플레이트(31)에 각각 1/2의 구간에만 장착되고, 장착된 위치가 각 층마다 교번되어 포집부재(32)에 의해 지연된 반응부산물의 진행이 이 후 층의 타공을 통해 신속하게 진행되어 정화된 반응부상물 기체의 배출효율이 증가된다.At this time, the
이상에서 설명한 것과 같이 본 발명은, 장치의 전 구간에 걸쳐 균일한 포집이 수행되어 기체의 반응부산물이 신속하게 진행됨과 동시에 반응부산물의 포집용량 비약적으로 증가되므로, 장치의 포집 및 배출효율이 향상되는 효과를 얻게 된다.As described above, in the present invention, uniform collection is performed over the entire section of the apparatus, so that the reaction by-products of the gas proceed rapidly and the collection capacity of the reaction by-products is dramatically increased, thereby improving the collection and discharging efficiency of the apparatus. You get an effect.
또한, 본 발명은 고형화된 반응부산물이 수집되어 보관되는 공간이 마련되어 반응부산물 파우더가 진공펌프로 유입되지 않게 되므로서, 진공펌프의 고장발생 해 소에 따른 장치의 신뢰도를 향상시킬 수 있도록 한 효과가 있다.In addition, the present invention provides a space for collecting and storing the solidified reaction by-products is not the reaction by-product powder is introduced into the vacuum pump, thereby improving the reliability of the device according to the failure of the vacuum pump have.
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050092234A KR100698379B1 (en) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Apparatus for trapping semiconductor residual product of semiconductor manufacturing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050092234A KR100698379B1 (en) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Apparatus for trapping semiconductor residual product of semiconductor manufacturing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100698379B1 true KR100698379B1 (en) | 2007-03-23 |
Family
ID=41564037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050092234A KR100698379B1 (en) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Apparatus for trapping semiconductor residual product of semiconductor manufacturing system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100698379B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100834492B1 (en) * | 2007-08-21 | 2008-06-02 | 주식회사 엠아이 | Apparatus for trapping a residual product of an semiconductor |
CN111760414A (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 未来宝株式会社 | Reaction by-product trap device for semiconductor process |
KR102209205B1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-02-01 | 주식회사 미래보 | Flow path switching type collecting apparatus of by-product for semiconductor manufacturing process |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040037809A (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-07 | 삼성전자주식회사 | Powder trap apparatus for a semiconductor device fabrication installation |
KR20050114896A (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-07 | 나명수 | An apparatus and method for treatmenting a semeconductor residual products |
-
2005
- 2005-09-30 KR KR1020050092234A patent/KR100698379B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040037809A (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-07 | 삼성전자주식회사 | Powder trap apparatus for a semiconductor device fabrication installation |
KR20050114896A (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-07 | 나명수 | An apparatus and method for treatmenting a semeconductor residual products |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1020040037809 |
1020050114896 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100834492B1 (en) * | 2007-08-21 | 2008-06-02 | 주식회사 엠아이 | Apparatus for trapping a residual product of an semiconductor |
CN111760414A (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 未来宝株式会社 | Reaction by-product trap device for semiconductor process |
KR20200116705A (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-13 | 주식회사 미래보 | Apparatus for collecting by-product of semiconductor manufacturing process |
KR102188604B1 (en) * | 2019-04-02 | 2020-12-09 | 주식회사 미래보 | Apparatus for collecting by-product of semiconductor manufacturing process |
CN111760414B (en) * | 2019-04-02 | 2022-06-14 | 未来宝株式会社 | Reaction by-product trap device for semiconductor process |
US11462421B2 (en) | 2019-04-02 | 2022-10-04 | Milaebo Co., Ltd. | Apparatus for collecting by-product of semiconductor manufacturing process |
KR102209205B1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-02-01 | 주식회사 미래보 | Flow path switching type collecting apparatus of by-product for semiconductor manufacturing process |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100595010B1 (en) | Trapping apparatus for semiconductor residual product | |
KR102036273B1 (en) | Semiconductor process by-product collecting device | |
KR101806480B1 (en) | By-product collecting device caused during the semiconductor manufacturing process | |
KR100717837B1 (en) | Apparatus for collecting chemical compounds from semiconductor processing | |
KR100862684B1 (en) | Apparatus for trapping by-product gas in semiconductor producing line | |
TWI337551B (en) | Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus | |
KR100621660B1 (en) | Apparatus for trapping semiconductor residual product | |
KR100676927B1 (en) | Apparatus for caching products in semiconductor apparatus | |
US11054174B2 (en) | Semiconductor process by-product collecting device | |
KR100564272B1 (en) | Apparatus for trapping semiconductor residual product | |
KR100647725B1 (en) | Apparatus for caching by-products in semiconductor apparatus | |
JP7385947B2 (en) | Reaction by-product collection device with self-regeneration function of used internal collection tower | |
US20120247732A1 (en) | Heat exchanger | |
CN111223790A (en) | Reaction by-product collecting device of semiconductor technology | |
TWI735075B (en) | Flow path switching type collecting apparatus of by-product for semiconductor manufacturing process | |
KR100834492B1 (en) | Apparatus for trapping a residual product of an semiconductor | |
JP2021027309A (en) | Apparatus for collecting reaction by-products of semiconductor manufacturing process | |
KR100698379B1 (en) | Apparatus for trapping semiconductor residual product of semiconductor manufacturing system | |
CN115249607A (en) | Reaction byproduct multiple capture device for semiconductor engineering | |
KR100923265B1 (en) | Apparatus and method for deposition of exhaust gas | |
KR100555385B1 (en) | A apparatus for caching residual products in semiconductor device | |
KR100806271B1 (en) | Apparatus for trapping semiconductor residual product | |
TW202335728A (en) | Apparatus for trapping of reaction by-product capable of expanding the area for collection by inducing gas flow | |
KR100840518B1 (en) | Apparatus for trapping semiconductor residual product | |
KR102003009B1 (en) | Semiconductor byproduct trapping device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130315 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140219 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |