KR100687481B1 - 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법 - Google Patents

화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법 Download PDF

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염근영
박병재
민경석
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Abstract

화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법에 관한 것으로, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온원, 이온원의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리 및 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체로 구성되는 중성빔 발생장치와 반응성 가스를 공급하기 위한 반응성 가스 주입구, 중성빔의 진행 경로상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지 및 반응성 가스 주입구와 연결되고, 피처리 기판으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 공급수단으로 구성되는 반응 챔버의 구성을 마련한다.
상기와 같은 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법을 이용하는 것에 의해, 종래 기술의 문제로 되었던 중성화율뿐만 아니라 빔의 방향성의 문제를 해결할 수 있다.
기판, 중성빔, 식각, 중성화율, 이온빔

Description

화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법{Chemically assisted neutral beam etching system and etching method}
도 1은 종래의 기술의 일 예로서 에칭 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 2는 종래의 기술의 다른 예로서 중성빔을 이용하는 식각 장치를 개략적으로 보여주는 블록도,
도 3은 본 발명에 적용되는 중성빔을 이용한 식각장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템의 구성도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반응성 가스 공급 수단의 구성을 나타내는 도면
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반응성 가스 공급 수단의 구성을 나타내는 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
700 : 화학보조 중성빔 식각 시스템 701 : 반응성 가스 주입구
702 : 피처리 기판 703 : 이온원
704 : 반사체 705 : 이온빔 발생 가스 주입구
706 : 유도코일 707 : 반응 챔버
708 : 스테이지 709 : 반응성 가스 공급부
본 발명은 최근 다양한 분야에서 많이 사용되고 있는 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법에 관한 것으로, 특히 화학보조 이온빔 식각장치의 경우 이온 빔을 사용함에 따라 전하에 의한 문제점을 해결하기 위해, 이온빔을 중성빔화하여 피처리기판에 조사하는 중성빔 발생장치를 구비한 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법에 관한 것이다.
최근 물질을 식각하기 위해 제시되는 여러 가지 방법 중, 화학보조 이온빔 식각장치(CAIBE : chemically assisted ion beam etching)는 여러 가지 장점에 의해 많이 사용되고 있다.
이 화학보조 이온빔 식각 장치의 가장 큰 장점으로는 별도의 화학적 플라즈마의 발생없이 식각을 물리적, 화학적으로 조절할 수 있다는 점이다. 또한 다른 반응성 식각 (Reactive etching) 방법에 비해 샘플 표면에 도달하게 되는 플럭스의 조절이 상당히 독립적으로 가능하므로 식각 선택비가 매우 탁월하며, 패턴 식각 시 이방성식각(anisotropic etching)이 가능하다.
하지만 이러한 장점에도 불구하고 화학보조 이온빔 식각 장치는 이온빔을 사용하게 됨에 따라 소자에 적용할 경우 이온빔에 의한 전하에 의한 손상이 큰 문제로 대두되었다.
따라서 이온빔 대신 중성빔을 이용하고자 하는 시도가 있으며, 그 기술의 일 예가 일본국 공개특허공보 1987-259443호에 개시되어 있다.
도 1은 종래의 기술의 일 예로서 상기 일본국 공개특허공보 1987-259443호에 개시된 에칭 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같은 에칭장치는 이온원 필라멘트(3)에 의해 이온원(1)에서 생성한 아르곤 이온을 인출하고 전극(2)에서 인출하여 에너지 450eV로 가속하며, 이온원(1)의 앞쪽에는 길이 약 50㎝의 진공조(4)가 마련되고, 이온원(1)에 대향하여 피에칭 시료(5)가 배치되는 구조이다. 여기서 시료(5)는 Si기판상에 두께약 100Å의 SiO2 막을 형성하고 그 위에 다결정Si가 형성된 것이다. 또 도 1에서, 진공조(4)에는 가스공급구멍(6)으로부터 Cl2를 공급하고 동시에 터보분자펌프(7)으로 배기하며, 진공조(4)속에 1쌍의 편향판(8)을 배치하는 것에 의해, 1KeV이하의 에너지로 가속한 이온을 중성화하는 것에 의해 얻어진 중성고속입자와 할로겐을 구성하는 원자로서 반응성 기체를 시료 표면에 공급하는 것이다.
또한 상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 기술의 다른 일 예가 대한민국 공개특허 2005-0117880호에 개시되어 있다.
도 2는 상기 공개특허 2005-0117880호에 개시된 중성빔을 이용하는 식각 장치(50)를 개략적으로 보여주는 블록도를 나타낸 도면이다.
도 2에서, 중성빔을 이용한 식각 장치(50)는 프로세스 챔버(20)와 중성빔 발생부(30)를 포함하고, 프로세스 챔버(20)는 웨이퍼(10)가 탑재되는 스테이지(24)를 구비하며, 중성빔 발생부(30)는 프로세스 챔버(20) 내로 중성빔을 공급하기 위하여 중성빔을 발생시키며, 소스 가스(21)로부터 플라즈마를 포함한 중성빔 소스를 발생시키는 플라즈마 챔버(32)를 포함한다. 또한, 중성빔 발생부(30)는 플라즈마 챔버(32)와 프로세스 챔버(20) 사이에 차례로 설치된 이온 추출기(34)와 중화기(36)를 포함한다.
도 2에 도시된 플라즈마 챔버(32)에서 발생된 중성빔 소스는 중성빔 뿐만 아니라 이온, 레디칼, 전자 등을 포함하고, 플라즈마 챔버(32) 내의 중성빔을 매스 플로우하여 프로세스 챔버(20)로 공급할 때, 이온, 전자 등은 이온 추출기(34)와 중화기(36)에 의하여 추출되거나 중성빔으로 변화되며, 프로세스 챔버(20)로 공급된 중성빔은 스테이지(24)에 탑재된 웨이퍼(10) 위에 분사되면서 식각 작용을 하고, 식각 공정 후 잔류가스(29)는 프로세스 챔버(20) 밖으로 배출되는 구조에 대해 개시되어 있다.
그러나, 상술한 문헌 등에 개시된 기술에 있어서, 뉴트럴라이저(neutralizer)와 같은 보조장치를 사용하는 등 그 장치가 복잡하게 되고 전자를 이온빔에 뿌려주는 방식이므로 중성화율뿐만 아니라 빔의 방향성이 저하된다는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 간단한 중성빔 식각장치를 통하여 발생된 중성빔을 사용함으로써 중성화율뿐 만 아니라 빔의 방향성의 문제를 해결하는 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 낮은 각도(low angle)의 반사판을 갖춘 중성빔 발생장치를 이용하여 식각 시스템을 보다 간단히 구성할 수 있는 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템은 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온원, 상기 이온원의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리 및 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체로 구성되는 중성빔 발생장치와 반응성 가스를 공급하기 위한 반응성 가스 주입구, 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지 및 상기 반응성 가스 주입구와 연결되고, 상기 피처리 기판으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 공급수단으로 구성되는 반응 챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템에 있어서, 상기 반응성 가 스 공급수단은 상기 반응성 가스 주입구에서 공급된 반응성 가스를 상기 피처리 기판의 주위로 공급하기 위해 상기 반응성 가스 공급수단의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급 홀을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 형상에 대응하여 그 내부가 공동인 링 형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템에 있어서, 상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 형상에 대응하여 그 내부가 공동인 사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템에 있어서, 상기 반응성 가스는 염화(chloride)계의 반응성 가스인 것을 특징으로 한다.
또 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 방법은 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 단계, 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계, 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계, 상기 중성빔을 피처리 기판으로 조사하는 단계, 상기 피처리 기판으로 상기 반응성 가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 반응성 가스는 상기 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 방법에 있어서, 상기 반응성 가스는 반응성 가스 공급수단의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급 홀을 통해 상기 피처리 기판의 주위로만 공급되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 및 그밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.
먼저 본 발명에 적용되는 중성빔을 이용한 식각장치의 일예를 도 3에 따라 설명한다.
도 3은 본 발명에 적용되는 중성빔을 이용한 식각장치의 일예이다.
도 3에 도시된 중성빔 식각장치는 일정한 극성을 갖는 이온빔(101)을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소스부(100), 이온소스부(100)의 외주연에 따라 권회되어 마련된 다수의 유도코일(200), 다수의 유도 코일(200)에 전자장을 부가하는 전자석부(300), 이온소스부(100)의 말단에 위치하며, 이온빔이 통과하는 복수 개의 그리드 홀(401)이 각각 형성된 다수의 그리드(400), 그리드(400)와 밀착되어 있으며, 그리드(400) 내의 그리드 홀(401)에 대응하는 복수개의 반사판(501)이 형성되어 있으며, 그리드 홀(401)을 통과한 이온빔을 반사판(501) 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체(500) 및 중성빔(102)의 진행경로 상에 피식각 기판(1000)을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함한다.
반사체(500)와 스테이지 사이에는 리타딩 그리드가 더 설치되어 중성빔의 방향성 및 가속 에너지를 제어할 수도 있다.
한편, 그리드 홀(401)들의 직경에 비하여 반사판(501)들의 직경이 같거나 더 크도록 구성되는 것이 바람직하다. 또, 그리드(400)는 원통형으로 구성되며 그의 후단부에는 가장자리를 따라 돌출부가 형성되며, 반사체(500)는 원통형으로 구성되 며 그의 전단부에는 그리드(400)의 돌출부에 내삽될 수 있는 돌출부가 형성될 수 있다.
또, 그리드 홀(401)들을 통과하여 직진하는 이온빔(101)이 반사판(501) 내에서 반사되도록 복수의 반사판(501)들은 이온빔(101)의 직진 방향에 대하여 일정한 각도로 경사져 있으며, 반사판(501)들이 반사체(500) 내에서 반사체의 중심선에 대하여 일정한 각도로 경사져 있거나 반사체(500) 내에서 반사체의 중심선에 대하여 평행하게 형성되어 있으며, 반사체(500)의 외주를 따라 돌출부의 돌출 높이가 일정한 각도로 경사지도록 구성하여도 좋다.
도 3에 있어서 이온 소스부(100)는 다양한 형태의 이온소스를 사용할 수 있으나, 바람직하게는 유도결합형 플라즈마 소스를 사용한다. 반사체(400)의 재질은 반도체기판, 이산화규소 또는 금속기판으로 이루어질 수 있으며, 반사체(400) 내의 반사체 홀(401)의 표면에 입사되는 이온빔의 입사각이 5°내지 15°의 범위가 되도록 구성하면 좋다.
도 3에 도시된 구조에 있어서는 이온빔을 발생시킬 수 있는 이온소스부(100)와 피식각기판(1000)이 안착되는 스테이지 사이에 이온빔을 적절한 입사각으로 반사시킬 수 있는 반사체(500)를 구비함으로써 간단한 방법에 의하여 손쉽게 중성빔(102)을 얻을 수 있으며, 이를 식각원으로 사용하기 때문에 종래 이온빔에 의해 발생하던 피식각기판(1000)에 대한 전기적, 물리적 손상이 없이 나노미터급의 반도체소자에 대한 식각공정을 용이하게 수행할 수 있으며, 대면적화도 용이하게 된다.
또한 도 3에 도시된 구조에 따르면, 이온소스부(100)의 후단에 있는 그리드 (400)와 반사체(500)를 밀착시킴으로서 불필요한 방향으로 진행되는 이온빔(101)의 누출을 차단하여 오염발생을 현저히 줄일 수 있으며, 그에 따라 중섬빔(102)의 플럭스가 현저히 증가되고, 반사체가 차지하는 공간면적을 줄일 수 있어서 식각장치의 소형화와 원가절감을 달성할 수 있다.
이하, 본 발명의 구성을 도면에 따라서 설명한다.
또한, 본 발명의 설명에 있어서는 동일 부분은 동일 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템(700)의 구성도이다.
이온빔 발생 가스 주입구(705)를 통해 주입된 각종 반응가스 예를 들어 아르곤 가스로부터 이온빔을 생성하는 이온원(703)로부터 발생된 이온빔이 이온빔의 진행경로 상 이온원(703)의 후단에 위치하는 그리드의 일정한 직경을 갖는 복수 개의 그리드 홀을 통과한 후 반사체(704)내에 형성된 반사체 홀의 표면에 반사된 후 중성빔으로 전환되고, 피처리기판(702)으로 입사되어 피처리기판(702)상의 특정 물질층을 조사한다. 본 발명에 있어서는 이온원(703), 그리드 및 반사체로 중성빔 발생장치가 구성된다.
또 본 실시예에서는 유도코일(706)에 유도전력을 인가함으로써 플라즈마를 발생시키는 유도결합형 플라즈마(ICP) 발생장치를 예로서 설명하고 있지만, 다양한 형태로 변형된 이온원을 사용할 수 있음은 물론이다.
또 이온원(703)의 후단부에는 전압인가에 의해 이온빔을 가속시킬 수 있으 며, 동시에 이온빔이 통과될 수 있는 복수 개의 그리드 홀이 형성된 그리드 어셈블리가 결합되어 있다.
이러한 그리드 어셈블리에 대해서는 본 출원인의 등록특허 제0380660호 등에 구체적으로 개시되어 있으므로 그 설명은 생략한다.
한편, 그리드의 후단에는 입사되는 이온빔을 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체(704)가 밀착되어 있으며, 이러한 반사체(704)의 재질은 반도체, 실리콘옥사이드, 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 반사체(704) 내의 반사체 홀의 표면만이 이들 재질로 구성될 수도 있다. 이때, 반사체 홀의 표면은 DLC(diamond like carbon)로 코팅될 수 있다.
또, 그리드 홀을 통과하여 직진하는 이온빔이 반사체 홀 내에서 반사되도록, 반사체 홀들은 이온빔의 직진 방향에 대하여 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이 일정한 각도(θd)로 경사져 있다.
이러한 반사체(704)는 입사된 이온빔에 의해 발생되는 전하의 방전을 위해 접지되는 것이 바람직하고, 그 형상은 원통형, 사각형 등의 다각형 기둥 형태로 제작될 수 있다.
또한 도 4에 있어서, (701)은 반응 챔버(707) 내로, 예를 들어 염화(chloride)계의 반응성 가스를 공급하기 위한 반응성 가스 주입구이고, (708)은 피처리기판(20)을 가열하기 위한 히터 등이 마련된 스테이지이며, (709)는 반응성 가스 주입구(701)와 연결되고, 피처리 기판(702)으로 반응성 가스를 충분히 공급하기 위한 반응성 가스 공급수단이다.
이하 반응성 가스 공급 수단(709, 719)의 구성에 대해 도 5 및 도 6에 따라 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반응성 가스 공급 수단(719)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5에 있어서, (711)은 피처리 기판(702)의 형상이 웨이퍼인 경우 그 웨이퍼의 형상의 크기에 대응하여 마련된 링 형 공동부이고, (712)는 반응성 가스 주입구(701)에서 공급된 반응성 가스를 피처리 기판(702)로 공급하기 위해 링 형상으로 이루어진 제1의 반응성 가스 공급부이고, (713)은 반응성 가스를 피처리 기판(702)의 주위로만 공급하기 위해 제1의 반응성 가스 공급부(712)의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급 홀이며, (714)는 제1의 반응성 가스 공급부(712)와 반응성 가스 공급관을 연결하는 연결부이다.
본 실시예에서는 구체적으로 한정하지 않았지만, 반응성 가스 공급관의 일부에 반응 챔버(707)로 공급되는 반응성 가스의 공급량을 조절하기 위한 조절밸브를 마련하여도 좋다.
또 다수개의 반응성 가스 공급 홀(713)의 크기 및 개수는 피처리 기판(702)의 종류 또는 식각의 정도에 따라 임의로 변경가능함은 물론이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반응성 가스 공급 수단(719)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 6에 있어서, (721)은 피처리 기판(702)의 형상이 사각 형상의 반도체 소 자인 경우 그 소자의 형상의 크기에 대응하여 마련된 사각형 공동부이고, (722)는 반응성 가스 주입구(701)에서 공급된 반응성 가스를 피처리 기판(702)로 공급하기 위해 사각 형상으로 이루어진 제2의 반응성 가스 공급부이고, (713)은 반응성 가스를 피처리 기판(702)의 주위로만 공급하기 위해 제2의 반응성 가스 공급부(722)의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급 홀이다. 또 도 6에 있어서도 도 5에 도시된 바와 같이 제2의 반응성 가스 공급부(722)와 반응성 가스 공급관을 연결하는 연결부가 마련된다.
본 다른 실시예에 있어서도 도 5에서 설명한 바와 같이, 구체적으로 한정하지 않았지만, 반응성 가스 공급관의 일부에 반응 챔버(707)로 공급되는 반응성 가스의 공급량을 조절하기 위한 조절밸브를 마련하여도 좋다.
또 도 6에 도시된 구성에 있어서도 다수개의 반응성 가스 공급 홀(713)의 크기 및 개수는 피처리 기판(702)의 종류 또는 식각의 정도에 따라 임의로 변경가능함은 물론이다.
다음에 도 4에 도시된 화학보조 중성빔 식각 시스템(700)에 의해 피처리 기판(702)을 식각하는 방법에 대해 설명한다.
중성빔 발생장치에서는 이온빔 발생 가스 주입구(705)를 통해 이온빔을 생성하기 위한 가스가 주입된다. 이온빔 발생 가스 주입구(705)를 통해 주입된 이온 가스, 예를 들어 아르곤 가스는 이온원(703)에서 극성을 갖는 이온빔으로 생성되며, 생성된 이온빔은 그리드 및 반사체(704)에서 중성빔으로 전환된다.
이 중성빔은 피처리 기판으로 조사되며, 본 발명에 따른 반응성 가스도 피처 리 기판으로 공급된다. 즉, 본 발명에 따라 반응성 가스는 도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같은 반응성 가스 공급수단에 의해 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스가 공급된다.
따라서, 종래의 기술과는 달리 중성화율뿐만 아니라 빔의 방향성의 문제를 해결할 수 있게 된다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법에 의하면, 기존의 화학 보조 이온빔 식각장치에서 발생한 전하(charge)에 의한 손상을 없앨 수 있으며, 중성빔을 적용하기 위한 기존의 장치와 같이 이온 빔 내로 전자를 들어가게 하기 위한 이온 빔 중성화 장치 등의 별도 부착이 필요없는, 낮은 각도(low angle)의 반사판을 구비한 중성빔 발생장치를 이용하므로, 종래의 기술과 같은 번거로움을 제거할 수 있다는 효과가 얻어진다.
또 본 발명에 따른 화학보조 중성빔 식각 시스템 및 식각 방법에 의하면, 종래 기술의 문제로 되었던 중성화율뿐만 아니라 빔의 방향성의 문제를 해결할 수 있다는 효과도 얻어진다.

Claims (8)

  1. 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온원, 상기 이온원의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리 및 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체로 구성되는 중성빔 발생장치와
    반응성 가스를 공급하기 위한 반응성 가스 주입구, 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지 및 상기 반응성 가스 주입구와 연결되고, 상기 피처리 기판으로 반응성 가스를 공급하는 반응성 가스 공급수단으로 구성되는 반응 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 반응성 가스 공급수단은 상기 반응성 가스 주입구에서 공급된 반응성 가스를 상기 피처리 기판의 주위로 공급하기 위해 상기 반응성 가스 공급수단의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 형상에 대응하여 그 내부가 공동인 링 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 반응성 가스 공급수단은 상기 피처리 기판의 형상에 대응하여 그 내부 가 공동인 사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템.
  6. 제 1항 내지 제5항 중 어느 한항에 있어서,
    상기 반응성 가스는 염화(chloride)계의 반응성 가스인 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 시스템.
  7. 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 단계,
    주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계,
    상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계,
    상기 중성빔을 피처리 기판으로 조사하는 단계,
    상기 피처리 기판으로 상기 반응성 가스를 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 반응성 가스는 상기 피처리 기판의 주위로만 반응성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 반응성 가스는 반응성 가스 공급수단의 내주를 따라 형성된 다수개의 반응성 가스 공급 홀을 통해 상기 피처리 기판의 주위로만 공급되는 것을 특징으로 하는 화학보조 중성빔 식각 방법.
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