KR100684879B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100684879B1
KR100684879B1 KR1020050009533A KR20050009533A KR100684879B1 KR 100684879 B1 KR100684879 B1 KR 100684879B1 KR 1020050009533 A KR1020050009533 A KR 1020050009533A KR 20050009533 A KR20050009533 A KR 20050009533A KR 100684879 B1 KR100684879 B1 KR 100684879B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
exhaust
exhaust line
process chamber
valve
Prior art date
Application number
KR1020050009533A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060088623A (ko
Inventor
주환석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050009533A priority Critical patent/KR100684879B1/ko
Priority to US11/345,225 priority patent/US20060169204A1/en
Publication of KR20060088623A publication Critical patent/KR20060088623A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100684879B1 publication Critical patent/KR100684879B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치로, 장치는 증착 공정이 수행되는 공정 챔버와 이로부터 반응 부산물이 배기되는 배기부재를 가진다. 배기부재는 공정 챔버의 바닥면에 수직하도록 이에 연결되는 제 1배기라인과, 제 1배기라인으로부터 굴곡지도록 제 1배기라인으로부터 분기되는 제 2배기라인을 가진다. 개폐 밸브 및 유량 조절 밸브는 제 2배기라인에 설치되어, 공정 챔버 세정시 공정 챔버로부터 반응부산물이 개폐 밸브 및 유량 조절 밸브로 직접 떨어지는 것을 방지한다. 또한, 제 1배기라인의 끝단에는 트랩이 설치되어 공정 챔버 세정시 공정 챔버로부터 제 1배기라인으로 떨어지는 반응 부산물을 포획된다.
증착, 트랩, 밸브, 배기 라인, 공정 챔버, 반응 부산물

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREAIING SUBSTRATE}
도 1은 일반적인 증착 장치를 개략적으로 보여주는 단면도;
도 2는 도 1의 개폐 밸브의 단면도;
도 3과 도 4는 각각 도 2의 유량 조절 밸브의 단면도와 평면도;
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도;
도 6은 도 5의 개폐 밸브를 보여주는 단면도;
도 7은 도 5의 개폐 밸브의 변형된 예를 보여주는 단면도; 그리고
도 8은 도 5의 유량 조절 밸브를 보여주는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 공정 챔버 200 : 배기부재
220 : 제 1배기라인 240 : 제 2배기라인
242 : 제 1라인 244 : 제 2라인
260 : 트랩 280 : 펌프
300 : 개폐 밸브 400 : 유량 조절 밸브
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 증착 공정이 수행되는 장치와 연결되며 반응 부산물을 배출하는 배기관을 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정은 실리콘 웨이퍼 상에 다층의 박막을 증착하는 공정을 수행한다. 박막 증착 공정을 수행하는 일반적인 장치는 증착 공정이 수행되는 공정 챔버와 이로부터 반응부산물을 배기하는 배기라인을 가진다. 반응부산물의 배기가 용이하도록 배기라인은 도 1에 도시된 바와 같이 공정 챔버(710)의 하부면과 수직하게 결합되며, 이 부분에 개폐 밸브(730)와 유량 조절 밸브(740)가 설치된다.
도 2에 도시된 바와 같이 개폐 밸브(730)는 배기라인(720)과 결합되는 몸체(732)와 실린더에 의해 수평방향으로 이동되는 차단판(734)을 가진다. 몸체(732) 내에는 배기라인(720)이 개방시 차단판(734)이 수납되는 수납공간(736)이 제공된다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 유량 조절 밸브(740)는 배기라인(720)이 결합되는 몸체(742)와 몸체(742) 내 공간(746) 내에서 회전되는 회전판(744)을 가진다. 회전판(744)의 회전각도에 따라 몸체(742) 내에 제공되는 통로의 면적은 변화된다.
그러나 상술한 구조의 증착 장치 사용시 다음과 같은 문제가 있다. 공정 진행 중 공정 챔버(710)로부터 배출되는 반응 부산물(P)이 개폐 밸브(730)의 수납 공간(736) 내로 유입되어 수납 공간(736)의 내벽 또는 차단판(734) 상에 증착된다. 이로 인해 차단판(734)의 이동이 정상적으로 이루어지지 않는 문제가 발생된다.
또한, 개폐 밸브(730) 및 유량 조절 밸브(740)가 닫혀진 상태에서 공정 챔버(710) 내부 세정이 이루어진다. 이 때 공정 챔버(710) 내벽에 부착된 큰 크기의 반응부산물들(P)이 아래로 떨어져 개폐 밸브(730)의 차단판(734) 상에 그리고 유량 조절 밸브(740)의 회전판(744) 상에 부착된다. 개폐 밸브(730)의 차단판(734) 상에 반응부산물이 부착되면 상술한 바와 같이 차단판(730)의 이동이 정상적으로 이루어지지 않는다. 또한, 유량 조절 밸브(740)의 회전판(744) 가장자리에 반응부산물들이 증착되면 도 4에 도시된 바와 같이 유량 조절 밸브(740)의 개방 정도가 적은 경우 압력 조절이 정확하게 이루어지지 않는다.
본 발명은 공정 챔버로부터 배출되는 반응 부산물로 인해 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브가 비정상적으로 동작되는 것을 방지할 수 있는 배기 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 기판 처리 장치는 공정 챔버와 상기 공정 챔버와 결합되며 상기 공정 챔버 내 반응부산물을 배기하는 배기부재를 포함한다. 상기 배기부재는 상기 공정 챔버의 바닥면에 수직방향으로 일직선으로 배치되도록 결합되는 제 1배기라인과 상기 제 1배기라인으로부터 굴곡지도록 상기 제 1배기라인에 연결되는 제 2배기라인을 가진다. 상기 제 2배기라인에는 상기 제 2배기라인의 내부 통로를 개폐하거나 상기 제 2배기라인 내부를 흐르는 유량을 조절하는 밸브 어셈블리가 설치된다.
일 예에 의하면, 상기 제 2배기라인은 상기 제 1배기라인과 연결되는 제 1라인과 상기 제 1라인과 연결되며 상기 제 1라인으로부터 굴곡지도록 배치되는 제 2라인을 가진다. 상기 제 1라인은 상기 제 1배기라인과 직교하도록 수평방향으로 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2라인은 상기 제 1라인과 직교하도록 수직방향으로 배치되는 것이 바람직하다.
상기 밸브 어셈블리는 상기 제 2배기라인의 내부 통로를 개폐하는 개폐 밸브를 포함한다. 상기 개폐 밸브는 측면에는 상기 제 1라인이 연결되는 제 1포트가 형성되고 바닥면에는 상기 제 2라인이 연결되는 제 2포트가 형성된 몸체를 가진다. 상기 몸체 내에는 상기 제 1라인 또는 상기 제 2라인과 평행한 방향으로 이동되어 상기 제 1라인의 출구 또는 상기 제 2라인의 입구를 개폐하는 차단판이 배치된다.상기 차단판에는 탄성체가 결합되며, 상기 탄성체는 외부에서 힘이 가해지지 않을 때 상기 차단판이 상기 제 1라인의 출구 또는 상기 제 2라인의 입구를 막도록 구성지어질 수 있다.
또한, 상기 밸브 어셈블리는 상기 제 2라인 상에 설치되며 상기 제 2라인 내부를 흐르는 유체의 량을 조절하는 유량 조절 밸브가 제공될 수 있다. 상기 유량 조절 밸브는 상기 제 2라인 상에 설치되며 내부에 유체가 흐르는 통로가 제공된 몸체와 상기 통로 내에 배치되며, 회전에 의해 상기 통로의 개방 정도를 조절하는 회전판을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2배기라인은 상기 제 1배기라인으로부터 분기되며 상기 제 1배기라인의 끝단에는 상기 제 1배기라인을 통해 아래로 떨어지는 반응부산물을 포 획하는 트랩이 설치되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 5 내지 도 8을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 다음의 실시예에서는 공정 챔버(10) 내에서 증착 공정이 수행되는 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 식각 공정 등과 같이 타 공정이 수행되는 공정 챔버(10)에도 적용 가능하다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 장치(1)는 공정 챔버(10)와 배기부재(20)를 가진다. 공정 챔버(10)는 외부로부터 밀폐되며 소정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 예컨대, 소정 공정은 웨이퍼(W) 상에 알루미늄옥사이드(Al2O3)와 같은 박막을 증착하는 증착 공정일 수 있다. 공정 챔버(10) 내 하부에는 웨이퍼(W)가 놓여지는 지지판(140)이 배치된다. 지지판(140)은 기계적 클램핑, 정전기력, 또는 진공 등에 의해 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지판(140)에는 모터(144)에 의해 회전되는 지지축(142)이 결합되어, 공정 진행 중 지지판(140)은 회전될 수 있다. 공정 챔버(10) 내 상부에는 지지판(140)과 대향되는 위치에 분사부재(160)가 배치된다. 분사 부재(160)는 환형의 측판(162) 및 측판(162)의 바닥면에 배치되는 분사판(164)을 가진다. 환형의 측판(162)은 공정 챔버(10)의 상부면과 결합되고, 분사판(164)에는 복수의 홀들(166)이 제공된다. 증착가스는 측판(162), 분사판(164), 그리고 공정 챔버(10)의 상부면에 의해 둘러싸인 가스 유입 공간(168)으로 유입된 후, 분사판(164)에 형성된 홀을 통해 웨이퍼(W)를 향해 분사된다. 분사부재(160)는 서로 적층되도록 2개 이상이 제공될 수 있다. 상술한 공정 챔버(10) 내 구조는 일 예를 도시한 것으로 다양하게 변화될 수 있다.
공정 챔버(10)의 바닥면에는 배기부재(20)가 결합된다. 배기부재(20)는 공정 챔버(10) 내에서 발생된 반응부산물을 외부로 배기하고 공정 챔버(10) 내부를 공정압력으로 유지한다. 배기부재(20)는 배기관(220, 240), 밸브 어셈블리(300, 400), 트랩(260), 그리고 펌프(280)를 가진다. 배기관(220, 240)은 제 1배기라인(220)과 제 2배기라인(240)을 포함한다. 제 1배기라인(220)은 공정 챔버(10)의 바닥면과 결합되며, 공정 챔버(10)의 바닥면과 수직하게 일직선으로 배치된다. 이는 공정 진행 중 공정 챔버(10) 내에서 기류가 상부에서 하부로 흐르도록 하여 반응 부산물 등의 배출이 용이하도록 한다. 제 1배기라인(220)의 끝단에는 트랩(260)이 설치된다. 트랩(260)은 공정 챔버(10)로부터 제 1배기라인(220)으로 떨어지는 반응 부산물을 포획한다. 트랩(260)은 제 1배기라인(220) 뿐만 아니라 제 2배기라인(240)에도 설치될 수 있다.
제 2배기라인(240)은 제 1배기라인(220)으로부터 굴곡지도록 제 1배기라인(220)으로부터 분기된다. 제 2배기라인(240)은 제 1라인(242)과 제 2라인(244)을 가진다. 제 1라인(242)은 제 1배기라인(220)에 직교하도록 제 1배기라인(220)과 연결된다. 제 1라인(242)은 일직선으로 이루는 형상을 가지며 수평 방향으로 배치되는 것이 바람직하다. 그러나 선택적으로 제 1라인(242)은 제 1배기라인(220)에 예각 또는 둔각을 이루는 방향으로 제 1배기라인(220)으로부터 분기될 수 있다. 또한, 제 1라인(242)은 굴곡을 가지는 형상을 가질 수 있다. 제 2라인(244)은 제 1라인(242)에 굴곡지도록 배치된다. 바람직하게는 제 2라인(244)는 제 1라인(242)에 직교하는 방향으로 제 1라인(242)과 연결된다. 제 2라인(244)은 일직선을 이루는 형상을 가지며 수직 방향으로 배치되는 것이 바람직하다. 선택적으로 제 2라인(244)은 굴곡을 가지는 형상을 가질 수 있다. 제 2라인(244)에는 공정 챔버(10) 내 반응 부산물을 강제 흡입하는 펌프(280)가 설치된다.
밸브 어셈블리(300, 400)는 배기관(220, 240) 내 가스가 흐르는 통로를 개폐하는 개폐 밸브(300)와 배기관 내부를 흐르는 가스의 량을 조절하는 유량 조절 밸브(400)를 가진다. 본 발명에 의하면, 밸브 어셈블리(300, 400)는 제 2배기라인(240)에 설치된다. 개폐 밸브(300) 또는 유량 조절 밸브(400)가 제 1배기라인(220)에 설치되면, 공정 챔버(10) 내부를 세정할 때 공정 챔버(10) 내벽에 증착된 반응 부산물 덩어리가 아래로 떨어져 밸브(300, 400) 내에 증착되어 밸브(300, 400)가 정상적으로 동작하지 못하게 된다.
개폐 밸브(300)는 제 1라인(242)과 제 2라인(244) 사이에 설치되고, 유량 조절 밸브(400)는 제 2라인(244)에 설치된다. 도 2에 도시된 바와 같이 차단판(도 2의 744)이 배관 사이에 배관과 수직한 방향으로 슬라이딩 식으로 삽입되는 구조의 개폐 밸브(도 2의 730)가 사용될 수 있다. 그러나 이 경우 차단판(744)이 이동되는 통로의 폭이 좁아 통로의 내측벽에 많은 량의 반응부산물이 증착되는 경우 차단판(744)의 이동이 정상적으로 이루어지지 않을 수 있다. 차단판(도 6의 340)이 개폐하고자 하는 라인과 평행한 방향으로 이동되는 구조의 개폐 밸브(도 6의 300)가 사용되는 것이 바람직하다. 도 6은 개폐 밸브(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 개폐 밸브(300)는 제 1라인(242)과 제 2라인(244) 사이에 배치된다. 개폐 밸브(300)는 몸체(320)와 차단판(340)을 가진다. 몸체(320)는 원통 형상을 가지며, 몸체(320)의 내부에는 공간(326)이 제공된다. 몸체(320)의 측면에는 제 1라인(242)이 연결되는 제 1포트(322)가 형성되고, 몸체(320)의 바닥면에는 제 2라인(244)이 연결되는 제 2포트(324)가 형성된다. 몸체(320) 내에 형성된 공간(326)에는 차단판(340)이 배치된다. 차단판(340)은 구동 수단에 의해 차단 위치(326a)와 개방 위치(326b)간에 상하로 직선이동된다. 차단 위치(326a)는 몸체(320) 내 공간(326) 중 제 1포트(322)가 형성된 부분의 하부 위치이고, 개방 위치(326b)는 몸체(320) 내 공간(326) 중 제 1포트(322)가 형성된 부분의 상부 위치이다. 제 1포트(322)가 형성된 부분의 상부 및 하부에 제공되는 공간의 높이(Wa, Wb)는 차단판(340)의 폭(Wc)과 대체로 유사하게 제공될 수 있다. 구동 수단으로는 차단판(340)의 후면에 결합되며 몸체(320)의 상부면에 형성된 홀을 통해 삽입되어 상하로 직선운동하는 이동로드(360)를 가지는 공압 실린더가 사용될 수 있다. 차단판(340)이 차단 위치(326a)로 하강되면 차단판(340)이 제 2라인(244)의 입구를 막아 유체의 흐 름이 차단되며, 차단판(340)이 개방 위치(326b)로 승강하면 제 1라인(242)과 제 2라인(244)의 통로가 연결된다. 비록 도시되지는 않았으나, 차단판(340)의 측면에는 차단판(340)의 상부와 하부 공간을 실링하는 오링(도시되지 않음)이 설치될 수 있다. 상술한 구조로 인해 비록 개폐 밸브(300)의 몸체(320) 내로 반응부산물이 유입된다 할지라도 측벽에 증착된 반응부산물로 인해 차단판(340)의 이동이 제한받지 않는다.
선택적으로 도 7에 도시된 바와 같이 개폐 밸브(300′)는 스프링과 같은 탄성체(380)를 더 포함할 수 있다. 스프링(380)의 일단은 몸체(320) 내 상부면에 고정되고, 스프링(380)의 타단은 차단판(340)의 상면에 고정될 수 있다. 차단판(340)이 차단 위치(326a)에 있을 때, 스프링(380)은 평형상태 또는 압축상태를 가지도록 설치될 수 있다. 이는 차단판(340)을 이동시키는 구동수단이 정상적으로 동작되지 않은 경우, 스프링(380)의 탄성력에 의해 차단판(340)이 차단위치(326a)로 이동 하여 유체의 흐름을 차단한다. 상술한 구조는 세정이 이루어지는 동안 개폐 밸브(300)가 닫힌 상태를 유지하도록 보장한다.
상술한 예에서는 차단판(340)이 제 2라인(244)의 길이방향으로 이동되어 개폐 밸브(300)가 닫힌 상태에서 제 2라인(244)의 입구를 막는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 차단판이 제 1라인(242)의 길이방향으로 이동되어 개폐 밸브(300)가 닫힌 상태에서 제 1라인(242)의 출구를 막도록 형상지어질 수 있음은 당연하다.
도 8은 유량 조절 밸브(400)의 단면을 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 유량 조절 밸브(400)는 몸체(420)와 회전판(440)을 가진다. 몸체(420)는 원통 형상을 가지며, 내부에는 상하로 관통된 공간(426)이 제공된다. 몸체(420)의 상부면과 하부면 각각에는 제 2라인(244)이 결합되는 포트(422, 424)가 제공된다. 몸체(420) 내 공간(426) 중앙에는 회전판(440)이 배치된다. 회전판(440)은 몸체(420)의 내경과 유사한 직경의 원판 형상을 가진다. 회전판(440)의 일측에는 모터(480)에 의해 회전되는 회전로드(460)가 결합된다. 회전판(460)은 공간(426) 내에서 회전되며, 회전판(440)의 회전 각도에 따라 유체가 흐를 수 있는 통로의 개방률이 조절된다. 상술한 예에서는 유량 조절 밸브(400)가 제 2라인(244)에 설치되는 것으로 설명하였다. 그러나 선택적으로 유량 조절 밸브(400)는 제 1라인(242)에 설치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 배기관은 공정 챔버(10)의 바닥면에 수직하게 배치되는 제 1배기라인(220)과 제 1배기라인(220)으로부터 굴곡지게 연결되는 제 2배기라인(240)을 가지고, 개폐 밸브(300)와 유량 조절 밸브(400)는 제 2배기라인(240)에 설치된다. 따라서 공정 챔버(10) 내부를 세정하는 동안 공정 챔버(10) 내벽에 증착된 반응부산물이 아래로 떨어지더라도 제 2배기라인(240)으로 유입되어 개폐 밸브(300) 또는 유량 조절 밸브(400)에 증착되지 않는다.
상술한 예에서는 제 2배기라인(240)이 제 1배기라인(220)으로부터 분기되고, 제 1배기라인(220)의 끝단에는 트랩(260)이 설치되는 것으로 설명하였다. 이와 달리 제 2배기라인(240)이 제 1배기라인(220)의 끝단에 직접 연결되는 구조가 사용될 수 있다. 그러나 이 경우 공제 1배기라인(220)의 끝단으로 떨어진 반응 부산물이, 공정 진행시 제 2배기라인(240)을 통해 개폐 밸브(300) 또는 유량 조절 밸브(400) 내로 유입될 수 있다. 따라서 제 2배기라인(240)은 제 1배기라인(220)으로부터 분기되도록 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 예에서는 제 2배기라인(240)이 제 1라인(242)과 제 2라인(244)을 구비하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 제 2배기라인(240)은 제 2라인(244) 없이 제 1라인(242)만을 구비하고, 개폐 밸브(300)와 유량 조절 밸브(400)는 제 1라인(242)에 설치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 공정 챔버의 바닥면과 수직하게 결합되는 제 1배기라인에 굴곡지게 연결된 제 2배기라인에 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브가 설치된다. 따라서 공정 챔버 세정시 공정 챔버로부터 아래로 떨어진 반응 부산물이 개폐 밸브 또는 유량 조절 밸브로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 공정 챔버로부터 제 1배기라인으로 떨어진 반응 부산물을 포획하는 트랩을 가지므로, 반응 부산물이 제 1배기라인 상에 잔류하여 이후에 밸브로 유입되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (11)

  1. 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버와 결합되어, 상기 공정 챔버 내 반응부산물을 배기하는 배기부재를 포함하되,
    상기 배기부재는,
    상기 공정 챔버의 바닥면에 수직방향으로 일직선으로 배치되도록 결합되는 제 1배기라인과;
    상기 제 1배기라인으로부터 굴곡지도록 상기 제 1배기라인로부터 분기되는 제 2배기라인과; 그리고
    상기 제 2배기라인 상에 설치되며, 상기 제 2배기라인의 내부 통로를 개폐하거나 상기 제 2배기라인 내부를 흐르는 유량을 조절하는 밸브 어셈블리와;
    상기 제 1배기라인의 끝단에 설치되며 상기 제 1배기라인을 통해 아래로 떨어지는 반응부산물을 포획하는 트랩을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2배기라인은,
    상기 제 1배기라인과 연결되는 제 1라인과;
    상기 제 1라인과 연결되며, 상기 제 1라인으로부터 굴곡지도록 배치되는 제 2라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 밸브 어셈블리는 상기 제 2배기라인의 내부 통로를 개폐하는 개폐 밸브를 포함하되,
    상기 개폐 밸브는,
    측면에는 상기 제 1라인이 연결되는 제 1포트가 형성되고, 바닥면에는 상기 제 2라인이 연결되는 제 2포트가 형성된 몸체와;
    상기 몸체 내에 배치되며, 상기 제 1라인 또는 상기 제 2라인과 평행한 방향으로 이동되어 상기 제 1라인의 출구 또는 상기 제 2라인의 입구를 개폐하는 차단판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 차단판에는 탄성체가 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 밸브 어셈블리는 상기 제 2라인 상에 설치되며, 상기 제 2라인 내부를 흐르는 유체의 량을 조절하는 유량 조절 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 유량 조절 밸브는,
    상기 제 2라인 상에 설치되며 내부에 유체가 흐르는 통로가 제공된 몸체와;
    상기 통로 내에 배치되며, 회전에 의해 상기 통로의 개방 정도를 조절하는 회전판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는 기판 상에 박막을 증착하는 증착 공정을 수행하는 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 증착 공정이 수행되는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내 반응부산물을 배기하는 배기부재를 포함하되,
    상기 배기부재는,
    상기 공정 챔버의 바닥면과 결합되며, 수직방향으로 일직선으로 배치되는 제 1배기라인과;
    상기 제 1배기라인으로부터 분기되며 수평방향으로 배치되는 제 1라인과 상기 제 1라인과 수직하게 연결되며 펌프가 설치되는 제 2라인을 가지는 제 2배기라인과;
    상기 제 2배기라인 상에 설치되며, 상기 제 2배기라인의 내부 통로를 개폐하거나 상기 제 2배기라인 내부를 흐르는 유량을 조절하는 밸브 어셈블리와;
    상기 제 1배기라인의 끝단에 설치되며 상기 제 1배기라인을 통해 아래로 떨어지는 반응부산물을 포획하는 트랩을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 밸브 어셈블리는 상기 제 2배기라인의 내부 통로를 개폐하는 개폐 밸브를 포함하되,
    상기 개폐 밸브는,
    측면에는 상기 제 1라인이 연결되는 제 1포트가 형성되고, 바닥면에는 상기 제 2라인이 연결되는 제 2포트가 형성된 몸체와;
    상기 몸체 내에 배치되며, 상기 제 1라인 또는 상기 제 2라인과 평행한 방향으로 이동되어 상기 제 1라인의 출구 또는 상기 제 2라인의 입구를 개폐하는 차단판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 삭제
KR1020050009533A 2005-02-02 2005-02-02 기판 처리 장치 KR100684879B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050009533A KR100684879B1 (ko) 2005-02-02 2005-02-02 기판 처리 장치
US11/345,225 US20060169204A1 (en) 2005-02-02 2006-02-02 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050009533A KR100684879B1 (ko) 2005-02-02 2005-02-02 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060088623A KR20060088623A (ko) 2006-08-07
KR100684879B1 true KR100684879B1 (ko) 2007-02-20

Family

ID=36755156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050009533A KR100684879B1 (ko) 2005-02-02 2005-02-02 기판 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060169204A1 (ko)
KR (1) KR100684879B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101512734B1 (ko) * 2014-01-15 2015-04-17 피에스케이 주식회사 밸브 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305092A1 (de) * 1983-02-14 1984-08-16 Herion-Werke Kg, 7012 Fellbach Druckregelventil
US5301984A (en) * 1993-01-14 1994-04-12 Farris Sam J Wear resistant pipe elbow
US5465746A (en) * 1994-01-13 1995-11-14 Applied Materials, Inc. Pneumatic circuit to provide different opening and closing speeds for a pneumatic operator
US5871813A (en) * 1997-03-05 1999-02-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling process chamber pressure
US20020185067A1 (en) * 2001-06-07 2002-12-12 International Business Machines Corporation Apparatus and method for in-situ cleaning of a throttle valve in a CVD system

Also Published As

Publication number Publication date
US20060169204A1 (en) 2006-08-03
KR20060088623A (ko) 2006-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7165216B2 (ja) 基板キャリア及びパージチャンバの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
TWI515816B (zh) 半導體製程室中減少污染的方法及其裝置
US7806383B2 (en) Slit valve
JP4916140B2 (ja) 真空処理システム
KR101447349B1 (ko) 반도체 제조 툴을 위한 밸브 퍼지 어셈블리
WO2003014411A1 (en) Rapid cycle chamber having a top vent with nitrogen purge
JP4435799B2 (ja) 開閉バルブ及び該開閉バルブを備えた処理装置
US20200230782A1 (en) Method and Apparatus for cleaning a substrate
JP4272232B2 (ja) 多層構造を有する基板洗浄設備
KR100804589B1 (ko) 반도체 및 lcd 진공 장비용 게이트 밸브
KR101720620B1 (ko) 기판처리장치 및 챔버 세정방법
KR100684879B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100621804B1 (ko) 디퓨저 및 그를 구비한 반도체 제조설비
US9982786B2 (en) Valve with adjustable hard stop
WO2012008439A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
US20070017117A1 (en) Apparatus for drying semiconductor substrate
KR20070037880A (ko) 진공배기장치
KR102132926B1 (ko) 효율 개선 구조의 공정 챔버 배출 시스템
KR100752148B1 (ko) 기판 처리 설비
KR20070054765A (ko) 로드 록 챔버의 진공 형성 방법 및 이를 수행하는 장치
KR20070041206A (ko) 반도체 소자 제조 설비용 펌핑 라인의 역류차단밸브
KR20060002353A (ko) 반도체 제조 공정에 사용되는 진공 시스템
KR20030009790A (ko) 반도체 제조장치의 파티클 백스트림 방지장치
KR20060001145A (ko) 반도체 제조설비의 진공/퍼지 시스템
JP2003037035A (ja) 基板の現像処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130131

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee