KR100682325B1 - Heat radiation coating component for back-light unit, method of forming heat radiation coating layer, and back-light unit with heat radiation coating layer - Google Patents

Heat radiation coating component for back-light unit, method of forming heat radiation coating layer, and back-light unit with heat radiation coating layer Download PDF

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Abstract

A radiation coating agent, a method for forming a radiation coating layer, and a backlight unit having the radiation coating layer are provided to effectively radiate the heat generated in the backlight unit to the outside, thereby extending the lifetime of the backlight unit and reducing the possibility of mis-operation of the backlight unit. A backlight unit comprises a substrate chassis(108) and a plurality of light sources formed on the substrate chassis. A radiation coating layer(110) is formed on a rear surface of the substrate chassis to radiate the heat generated from the light sources. The radiation coating layer has at least one of an aluminum anodizing layer and a ceramic coating layer. The ceramic coating layer includes SiO2 as a matrix, at least one component selected from a group consisting of MnO2, Al2O3, SiC, Fe2O3, TiO2, C, K2O, Na2O, and V2O5, as a filler, and Ag as a binder.

Description

백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 방열 코팅층을 구비한 백라이트 유닛{Heat radiation coating component for back-light unit, method of forming heat radiation coating layer, and back-light unit with heat radiation coating layer} Heat radiation coating component for back-light unit, method of forming heat radiation coating layer, and back-light unit with heat radiation coating layer}

도 1은 LED를 광원으로 하는 백라이트 유닛의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a backlight unit using LED as a light source.

도 2는 백라이트 유닛에 방열 코팅층을 형성하는 단계를 개략적으로 도시하는 순서도이다. 2 is a flowchart schematically illustrating a step of forming a heat dissipation coating layer on a backlight unit.

도 3은 도 2의 변형례를 나타내는 순서도이다. 3 is a flowchart illustrating a modification of FIG. 2.

도 4는 방열코팅 처리전과 처리후의 시간에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다. Figure 4 is a graph showing the temperature change with time before and after the heat radiation coating treatment.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : LED 패키지 102 : 반사 커버100: LED package 102: reflective cover

104 : 반사 플레이트 106 : 금속 PCB104: reflective plate 106: metal PCB

108 : 기판 섀시 110 : 방열 코팅층108: substrate chassis 110: heat dissipation coating layer

112 : 확산 플레이트 114 : DBEF-D 시트112: diffusion plate 114: DBEF-D sheet

116 : BEF 시트 118 : 확산 시트116: BEF sheet 118: diffusion sheet

본 발명은 백라이트 유닛(direct type back light unit)의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법 및 이러한 방열 코팅층을 구비한 백라이트 유닛에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 적녹청(R-G-B) LED가 믹싱되어 백색광을 이루는 LED 광원을 이용하는 백라이트 유닛에서 발생하는 열을 방열하기 위한 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법 및 이러한 방열 코팅층을 구비한 백라이트 유닛에 관한 것이다. The present invention relates to a heat dissipation coating agent of a direct type back light unit, a heat dissipation coating layer forming method, and a backlight unit having such a heat dissipation coating layer. The present invention relates to a heat dissipation coating agent for dissipating heat generated in a backlight unit using the same, a method of forming a heat dissipation coating layer, and a backlight unit having such a heat dissipation coating layer.

통상적으로, 평판표시장치(flat panel display)는 발광형과 수광형으로 분류되는데, 발광형으로는 음극선관(CRT), 전계 발광(Electro Luminescent;EL) 소자, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel;PDP) 등이 있고, 수광형으로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display;LCD) 등이 있다.In general, a flat panel display is classified into a light emitting type and a light receiving type, and the light emitting type includes a cathode ray tube (CRT), an electroluminescent (EL) element, and a plasma display panel (PDP). And the light-receiving type include Liquid Crystal Display (LCD).

상기 LCD는 그 자체가 발광하여 화상을 형성하지 못하고 외부로부터 빛을 받아 화상을 형성하는 수광형 소자이므로, 별도의 광원, 예를 들면 이른바 백라이트를 설치하여 어두운 곳에서는 화상을 관찰할 수 있도록 하고 있다. Since the LCD itself is a light-receiving element that emits light and does not form an image, but receives light from the outside to form an image, a separate light source, for example, a so-called backlight is installed to allow an image to be observed in a dark place. .

이러한 LCD용 백라이트는 광원의 설치 위치에 따라 직하형(direct type)과 에지(edge)형으로 구분되며, LED를 광원으로 하여 백색광을 생성하는 방법에는 적녹청(RGB) LED를 광학적으로 믹싱하여 백색광을 생성하는 RGB LED 방법과, 자외선 LED와 적녹청 형광체를 혼합하는 방법, 청색 LED와 황색 형광체를 혼합하는 바이너리 컴플리멘터리(binary complimentary) 방식이 있다. LED 광원은 종래에 광원으로 사용되었던 CCFL에 비하여 응답시간이 상당히 빠를 뿐 아니라 수은과 같은 중금 속을 함유하지 않고 완전 고체 소자이므로 친환경적이라는 장점이 있다. 특히 이중에서 RGB LED 방식의 경우 종래에 광원으로 사용되었던 CCFL 및 다른 LED 방식에 비하여 색표현 능력이 우수하여, 고품위의 LCD TV용 LED 백라이트에 채용되었다.These backlights for LCD are classified into direct type and edge type according to the installation position of the light source.In the method of generating white light using the LED as a light source, white light is mixed by optically mixing red and green (RGB) LEDs. There is an RGB LED method for generating a light emitting diode, a method for mixing an ultraviolet LED and a red cyan phosphor, and a binary complimentary method for mixing a blue LED and a yellow phosphor. The LED light source has an advantage that it is not only fast response time compared to the CCFL used as a light source in the past, but also does not contain heavy metals such as mercury and is a solid solid device, which is environmentally friendly. In particular, the RGB LED system has excellent color expressing ability as compared to CCFL and other LED methods, which are conventionally used as a light source, and has been adopted for LED backlights for high-quality LCD TVs.

그런데, 종래의 LED 백라이트 유닛의 경우, 광원 역할을 하는 LED 패키지에서 발생되는 열이 기판 섀시를 통하여 발산하는데에는 한계가 있었다. 즉, 단위 공간에 다수의 LED 패키지가 설치됨으로 인하여, LED 패키지에서 발생되는 열은 서로 인접한 LED패키지에서 발생된 열과 중첩되어 단순히 평평한 형상을 가진 기판 섀시를 통한 방열에는 한계가 있었다. However, in the case of the conventional LED backlight unit, there is a limit to the heat generated in the LED package that serves as a light source through the substrate chassis. That is, since a plurality of LED packages are installed in a unit space, heat generated from the LED package overlaps with heat generated from adjacent LED packages, and thus, heat radiation through a substrate chassis having a flat shape is limited.

따라서, 종래의 경우, 기판 섀시를 통하여 열이 방출되지 못할 경우, LED패키지에는 열이 축적되어 LED 패키지의 수명이 감소되거나, 작동 오류가 발생하는 문제점이 있었다. Therefore, in the conventional case, when heat is not emitted through the substrate chassis, heat is accumulated in the LED package, thereby reducing the lifetime of the LED package or causing an operation error.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 LED 패키지와 같은 광원에서 발생하는 열을 백라이트 유닛의 외부로 양호하게 방출하여 백라이트 유닛의 내부에 열이 잔류하는 량을 극소화할 수 있는 백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 및 이러한 방열 코팅층을 구비한 백라이트 유닛을 제공하는 것이다. The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to discharge heat generated from a light source such as an LED package to the outside of the backlight unit can be minimized to minimize the amount of heat remaining inside the backlight unit. To provide a heat dissipation coating agent of the backlight unit, a heat dissipation coating layer forming method, and a backlight unit having such a heat dissipation coating layer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 백라이트 유닛의 방열 코팅제는, 매트릭스(matrix)로서 SiO2와, 필러(filler)로서 MnO2, Al2O3, SiC, Fe2O3, TiO2, C, K2O, Na2O 및 V2O5를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분과, 바인더(binder)로서 Ag를 구비한다. The heat dissipating coating agent of the backlight unit according to the present invention for achieving the above object, SiO 2 as a matrix, MnO 2 , Al 2 O 3 , SiC, Fe 2 O 3 , TiO 2 , C as a filler And at least one component selected from the group consisting of K 2 O, Na 2 O and V 2 O 5 , and Ag as a binder.

여기서, 상기 방열 코팅제는 Cr2O3, B2O3 및 Li2O를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 필러로서 추가로 구비할 수도 있다. Here, the heat dissipation coating agent may further include at least one component selected from the group comprising Cr 2 O 3 , B 2 O 3, and Li 2 O as a filler.

보다 상세하게는, SiO2 성분은 질량 백분율 기준으로 30 내지 45 % 인 것이 바람직하다. More specifically, the SiO 2 component is preferably 30 to 45% by mass percentage.

한편, 본 발명에 따른 백라이트의 방열 코팅층 형성방법은, On the other hand, the heat radiation coating layer forming method of the backlight according to the present invention,

준비된 기판을 탈지하는 단계; Degreasing the prepared substrate;

기판 섀시에 표면 거칠기를 주는 블라스팅 단계;Blasting to give a surface roughness to the substrate chassis;

공기를 취입하는 단계;Blowing air;

상기 기판 섀시에 전해질 필름을 데포지셔닝 하는 전해질 필름 데포지션 단계;An electrolyte film deposition step of depositing an electrolyte film on the substrate chassis;

상기 기판 섀시를 마스킹하는 단계;Masking the substrate chassis;

상기 기판 섀시를 예열하는 단계;Preheating the substrate chassis;

상기 기판 섀시에 세라믹 코팅을 형성하는 단계;Forming a ceramic coating on the substrate chassis;

상기 기판 섀시를 소성하는 단계를 포함한다. Firing the substrate chassis.

한편, 상기 공기를 취입하는 단계를 수행한 후 상기 전해질 필름 데포지션 단계를 수행하기 전에 마스킹 단계를 추가로 수행할 수도 있다. Meanwhile, the masking step may be further performed after the step of blowing the air and before the electrolyte film deposition step.

여기서, 상기 전해질 필름 데포지션 단계에서 기판 섀시는 애노다이징(anodizing) 되어 착색된다. Here, in the electrolyte film deposition step, the substrate chassis is anodized and colored.

특히, 상기 기판 섀시는 애노다이징되어 흑색으로 착색된다. In particular, the substrate chassis is anodized and colored black.

또한, 상기 기판 섀시가 착색되는 색상은 전해액을 조절하여 제어되는 것이 바람직하다. In addition, the color of the substrate chassis is preferably controlled by adjusting the electrolyte.

또한, 상기 소성 단계의 소성 온도는 80℃ 내지 150℃ 인 것이 바람직하다. In addition, the firing temperature of the firing step is preferably 80 ℃ to 150 ℃.

상기 세라믹 코팅 형성단계는 침지(dipping) 또는 정전기 스프레이 방식으로 수행되는 것이 바람직하다. The ceramic coating forming step is preferably carried out by dipping or electrostatic spraying.

한편, 본 발명에 따른 백라이트 유닛은,On the other hand, the backlight unit according to the present invention,

기판 섀시와;A substrate chassis;

상기 기판 섀시상에 설치되며 광을 생성하는 복수개의 광원을 구비하며,It is provided on the substrate chassis and has a plurality of light sources for generating light,

상기 광원에서 발생된 열을 방사하도록 상기 기판 섀시에 도포되는 열방사 코팅층을 구비하며, A heat radiation coating layer applied to the substrate chassis to radiate heat generated from the light source,

상기 열방사 코팅층은 알루미늄이 애노다이징된 알루미늄 애노다이징 층과; 매트릭스(matrix)로서 SiO2와, 필러(filler)로서 MnO2, Al2O3, SiC, Fe2O3, TiO2, C, K2O, Na2O 및 V2O5를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분과, 바인더(binder)로서 Ag을 구비하는 세라믹 코팅층; 중 적어도 하나를 포함한다. The thermal radiation coating layer comprises an aluminum anodized layer anodized aluminum; Group comprising SiO 2 as matrix and MnO 2 , Al 2 O 3 , SiC, Fe 2 O 3 , TiO 2 , C, K 2 O, Na 2 O and V 2 O 5 as filler A ceramic coating layer comprising at least one component selected from Ag and Ag as a binder; At least one of the.

여기서, Cr2O3, B2O3 및 Li2O를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 필러로서 추가로 구비할 수 있다. Here, at least one component selected from the group containing Cr 2 O 3 , B 2 O 3, and Li 2 O may be further provided as a filler.

또한, SiO2 성분은 질량 백분율 기준으로 30 내지 45 % 인 것이 바람직하다. In addition, the SiO 2 component is preferably 30 to 45% based on the mass percentage.

한편, 상기 기판 섀시의 배면에는 패턴이 형성될 수 있다.Meanwhile, a pattern may be formed on the rear surface of the substrate chassis.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 및 방열 코팅층을 구비한 백라이트 유닛을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, a heat dissipation coating agent, a heat dissipation coating layer forming method, and a backlight unit having a heat dissipation coating layer according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 LED 방열 코팅층을 구비한 백라이트 유닛의 단위 LED패키지에 대한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a unit LED package of a backlight unit having an LED heat dissipation coating layer of the present invention.

기판 섀시(108)상에 설치되며, 광원 역할을 수행하는 LED 패키지(100)는 LED 와 LED 렌즈의 조합체이다. 또한 이러한 LED 패키지는 소정의 방향으로 광을 생성하여 조사한다. 상기 기판 섀시(108)와 상기 LED 패키지(100) 사이에는 금속 PCB(106 : metal printed circuit board)가 배치되어 있다. 도 1에 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 금속 PCB(106)는 알루미늄재의 플레이트 상에 절연층이 형성되고, 상기 절연층의 상부에 구리 등의 도전성 금속이 설치된 구조체이다. The LED package 100 installed on the substrate chassis 108 and serving as a light source is a combination of an LED and an LED lens. In addition, the LED package generates and irradiates light in a predetermined direction. A metal printed circuit board (PCB) 106 is disposed between the substrate chassis 108 and the LED package 100. Although not shown in detail in FIG. 1, the metal PCB 106 is a structure in which an insulating layer is formed on a plate made of aluminum and a conductive metal such as copper is provided on the insulating layer.

한편, 상기 기판 섀시(110)상에 위치된 상기 금속 PCB(106)상에는 LED패키지(100)와 반사 플레이트(104)가 설치된다. 즉, 상기 금속 PCB(106)상에서 반사 플레이트가 설치되는 도중에 중간 중간에 LED 패키지(100)가 설치된다. Meanwhile, the LED package 100 and the reflection plate 104 are installed on the metal PCB 106 positioned on the substrate chassis 110. That is, the LED package 100 is installed in the middle of the installation of the reflective plate on the metal PCB 106.

LED 패키지의 주변부에는 하향하여 스커트 형상으로 이루어진 LED 모서리 반사 커버(102)가 장착되어 LED 패키지(100)에서 발생된 빛을 소정의 방향으로 반사하여 빛의 경로를 제어한다. The periphery of the LED package is mounted downward to the LED edge reflective cover 102 made of a skirt shape to reflect the light generated from the LED package 100 in a predetermined direction to control the path of the light.

한편, LED 패키지(100)에서 발생된 빛이 반사 플레이트(104) 및 반사 커버(102)상에서 반사된 후 백라이트 유닛의 출사면 방향(도면에서 상부 방향)으로 진행한다 빛의 진행방향에는 LED 패키지(100)와 이격되어 확산 플레이트(112)가 배치되어 있다. On the other hand, the light generated from the LED package 100 is reflected on the reflecting plate 104 and the reflecting cover 102 and then proceeds toward the exit surface direction (the upper direction in the drawing) of the backlight unit. Diffusion plate 112 is disposed spaced apart from 100.

상기 확산 플레이트(112)의 상면에는 확산 시트(118), BED 시트(116 : brightness enhancement film sheet) 및 DBEF-D 시트(118 : dual brightness enhancement film sheet)가 차례로 적층되어 배치될 수 있다. A diffusion sheet 118, a BED sheet 116 (brightness enhancement film sheet) and a DBEF-D sheet 118 (dual brightness enhancement film sheet) may be sequentially stacked on the upper surface of the diffusion plate 112.

상기 확산 플레이트(112)와 그 상부에 배치된 광학 시트들은 출사되는 빛의 산란성을 우수하게 하여 빛의 휘도를 좋게 하고, 국부적인 휘도의 차이를 보정하여 휘도를 일정하게 하는 역할을 수행한다. The diffusion plate 112 and the optical sheets disposed thereon serve to improve the scattering of the emitted light to improve the brightness of the light and to correct the difference in the local brightness to make the brightness constant.

한편, LED 패키지(100)가 작동하여 빛을 생성할 때, LED 패키지(100)에서는 열이 발생하게 되며, LED 패키지(100)에서 발생되는 열을 LED 패키지가 장착된 하부 구조물을 통하여 방열된다. LED 패키지(100)에서 발생된 열이 보다 양호하게 방열되도록 하기 위하여, 상기 기판 섀시(108)의 배면에는 방열 면적을 증가시키기 위하여 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한, 이러한 기판 섀시(108)의 배면에는 방열 코팅층(110)이 형성된다. On the other hand, when the LED package 100 operates to generate light, heat is generated in the LED package 100, and heat generated from the LED package 100 is radiated through the lower structure in which the LED package is mounted. In order to better heat dissipate heat generated from the LED package 100, a pattern (not shown) may be formed on the rear surface of the substrate chassis 108 to increase the heat dissipation area. In addition, the heat dissipation coating layer 110 is formed on the rear surface of the substrate chassis 108.

따라서, LED 패키지(100)에서 발생된 열은 금속 PCB(106)을 경유하여 기판 섀시(108)에 전달되고, 기판 섀시(108)에 전달된 열을 기판 섀시(108)의 배면에 형성된 방열 코팅층을 통하여 외부로 배출된다. Accordingly, heat generated in the LED package 100 is transferred to the substrate chassis 108 via the metal PCB 106, and the heat transfer coating layer formed on the rear surface of the substrate chassis 108 is transferred to the substrate chassis 108. It is discharged through the outside.

상기 방열 코팅층은 알루미늄 재질의 애노다이징(anodizing) 처리된 알루미 늄 애노다이징 층과 세라믹 소재의 세라믹 코팅층이 형성된 이중 층 구조일 수 있으며, 상기 두가지 층 중 어느 하나 만으로 이루어진 단일 층일 수도 있다. The heat dissipation coating layer may be a double layer structure in which an anodized aluminum anodized layer and a ceramic coating layer of a ceramic material are formed, or may be a single layer composed of only one of the two layers.

상기 알루미늄 애노다이징 층은 공지의 애노다이징 과정, 즉 양극 산화과정에서 전해액을 조절하여 흑색으로 착색된 층이다. 따라서, 그 표면은 Al2O3 의 피막이 형성되어 있다. The aluminum anodizing layer is a layer colored in black by controlling the electrolyte in a known anodizing process, that is, anodizing. Thus, its surface is formed a film of Al 2 O 3.

한편, 상기 세라믹 코팅층은 매트릭스(matrix)로서 SiO2와, 필러(filler)로서 MnO2, Al2O3, SiC, Fe2O3, TiO2, C, K2O, Na2O 및 V2O5를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분과, 바인더(binder)로서 Ag를 구비한다. On the other hand, the ceramic coating layer is SiO 2 as a matrix (matrix), MnO 2 , Al 2 O 3 , SiC, Fe 2 O 3 , TiO 2 , C, K 2 O, Na 2 O and V 2 O as a filler (filler) At least one component selected from the group containing 5 , and Ag as a binder.

또한, Cr2O3, B2O3 및 Li2O를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 필러로서 추가로 구비할 수 있다. In addition, at least one component selected from the group containing Cr 2 O 3 , B 2 O 3, and Li 2 O may be further provided as a filler.

실험에 따른 최적의 방사율을 나타내는 세라믹 코팅층의 성분은 아래의 표와 같다. The components of the ceramic coating layer exhibiting the optimal emissivity according to the experiment are shown in the table below.

성분표Ingredient

성분ingredient 용도Usage 질량분율 (%)Mass fraction (%) 성분ingredient 용도Usage 질량분율 (%)Mass fraction (%)

SiO2 SiO 2 매트릭스matrix 30~4530-45 Cr2O3 Cr 2 O 3 필러필러Filler Filler 0~30-3 MnO2 MnO 2 필러filler 1~51-5 B2O3 B 2 O 3 필러filler 0~30-3 Al2O3 Al 2 O 3 필러filler 1~251-25 K2OK 2 O 필러filler 4~104-10 SiCSiC 필러filler 1~251-25 Li2OLi 2 O 필러filler 0~30-3 Fe2O3 Fe 2 O 3 필러filler 4~104-10 Na2ONa 2 O 필러filler 5~105-10 TiO2 TiO 2 필러filler 8~158-15 V2O5 V 2 O 5 필러filler 4~104-10 CC 필러filler 8~158-15 AgAg 필러filler 1~51-5

상기 성분표에 따르면 상기 세라믹 코팅층은 SiO2로 이루어진 매트릭스에 필러로서 다수의 성분이 혼재되어 있으며, Ag가 바인더로서 이들을 결합하고 있다. According to the ingredient table, the ceramic coating layer contains a plurality of components as a filler in a matrix composed of SiO 2, and Ag binds them as a binder.

여기서, SiO2는 액체속에 콜로이드 상태로 흩어져 있는 졸(sol) 상태이다. Here, SiO 2 is a sol state dispersed in a colloidal state in the liquid.

한편, 상기 필러와 바인더는 그 입자의 크기가 수십 내지 수백 나노미터 수준의 나노 성분 재료가 된다. 또한, 이러한 성분의 세라믹 코팅층은 전기적으로 절연성을 띠는 코팅층이 된다. On the other hand, the filler and the binder is a nano-component material of the particle size of several tens to hundreds of nanometers. In addition, the ceramic coating layer of such a component becomes an electrically insulating coating layer.

한편, 일반적인 알루미늄의 방사율(ε), 즉 실제 물질 표면에서 방사된 복사 에너지와 흑체(black body)에서 방사된 복사 에너지의 비는 0.02 내지 0.1 수준인데 반하여, 이러한 성분의 세라믹 코팅층의 방사율은 0.92 이상으로 매우 높다. On the other hand, the emissivity (?) Of general aluminum, that is, the ratio of the radiant energy radiated from the actual material surface and the black body radiated from the black body, is about 0.02 to 0.1, whereas the emissivity of the ceramic coating layer of these components is 0.92 or more. Very high.

본 발명은 기판 섀시(108)에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 방열 코팅층을 형성하는 방법에 대해서도 설명한다. The present invention also describes a method of forming a heat dissipation coating layer capable of effectively dissipating heat generated from the substrate chassis 108.

도 2 및 도 3은 상기의 성분을 가진 방열 코팅층을 기판 섀시에 형성하는 두가지 실시예의 과정에 대한 공정 순서도이다. 2 and 3 are process flow diagrams for a process of two embodiments of forming a heat dissipation coating layer having the above components in a substrate chassis.

도 2에 따르면, 우선 기판 섀시상에 코팅층이 형성될 부분을 세척하기 위하여 탈지하는 단계(S1)가 수행된다. 이어서, 기판 섀시의 배면에 일정 수준의 표면 거칠기를 주어 방열 면적으로 넓힐 수 있도록 표면을 블라스팅하는 단계(S2)가 수행된다. According to FIG. 2, first, a step S1 of degreasing is performed to wash a portion where a coating layer is to be formed on a substrate chassis. Subsequently, a step S2 of blasting the surface to give a surface roughness of a certain level on the rear surface of the substrate chassis to widen the heat dissipation area is performed.

블라스팅 작업이 종료되면 공기가 취입되는 단계(S3)가 수행되어 기판 섀시상의 이물질을 날려버린다. 이어서, 기판 섀시는 전해질 필름 데포지션 단계(S4)를 거치게 된다. 이 단계에서, 기판 섀시는 애노다이징 과정을 거치게 되어, 그 표면에 산화 피막을 형성하게 되는데, 아울러 전해액을 조절하여 착색하는 과정도 수행한다. 착색 과정을 통하여, 상기 기판 섀시는 측색을 띠게 된다. When the blasting operation is completed, the air blowing step (S3) is performed to blow off the foreign matter on the substrate chassis. Subsequently, the substrate chassis is subjected to the electrolyte film deposition step S4. In this step, the substrate chassis is subjected to an anodizing process to form an oxide film on the surface thereof, and also to control and color the electrolyte. Through the coloring process, the substrate chassis is color coded.

이후, 세라믹 코팅이 형성될 부분만을 노출시키고 그 외의 부분을 가리는 마스킹 단계(S5)가 수행된 후 예열 단계(S6)를 거친다. 상기 예열 단계(S6)는 세라믹 코팅층의 도포가 양호하게 수행되도록 하기 위한 예비적인 단계이다. Subsequently, a masking step S5 for exposing only the portion where the ceramic coating is to be formed and covering other portions is performed, and then undergoes a preheating step S6. The preheating step (S6) is a preliminary step to ensure that the coating of the ceramic coating layer is performed well.

이어서, 전술한 성분의 세라믹 코팅층을 형성하는 코팅단계(S7)가 수행된다. 이러한 코팅 단계(S7)는 기판 섀시를 세라믹 코팅제에 침지(dipping)하여 코팅하거나, 공지의 정전기 스프레이 방법을 사용하여 세라믹 코팅제를 기판 섀시에 도포하는 단계를 포함한다. Subsequently, a coating step S7 of forming a ceramic coating layer of the above-described component is performed. This coating step S7 includes dipping and coating the substrate chassis with the ceramic coating, or applying the ceramic coating to the substrate chassis using a known electrostatic spray method.

코팅 단계(S7) 후에는 코팅층이 기판 섀시에 완전히 부착되도록 소성하는 소성 단계(S8)를 거친다. 상기 소성 단계는 80℃ 내지 150℃ 정도의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다. After the coating step (S7) is subjected to a firing step (S8) for firing so that the coating layer is completely attached to the substrate chassis. The firing step is preferably carried out at a temperature of about 80 ℃ to 150 ℃.

도 2에서 별도로 도시하지는 않았으나, 소성 단계후에는 제품을 검시하고 포장하는 단계가 수행될 수 있다. Although not separately illustrated in FIG. 2, after the firing step, the step of inspecting and packing the product may be performed.

도 3은 도 2의 코팅층 형성방법에 대한 변형례인데, 공기 취입 단계(S3) 이 행해진 후, 전해질 필름 데포지션 단계(S4)가 수행되기 전에 데포지션이 일어날 부분만 노출되도록 하는 마스킹 단계(S5')가 추가로 행해지는 것을 제외하고는 도 2의 경우와 동일하다. 3 is a modification of the coating layer forming method of FIG. 2, after the air blowing step S3 is performed, before the electrolyte film deposition step S4 is performed, the masking step S5 to expose only the portion where the deposition will occur. Same as the case of FIG. 2 except that ') is additionally performed.

도 4는 본 발명에 따른 방열 코팅층이 형성된 LED 백라이트 유닛의 병열 성능 실험에 따른 결과를 나타내는 그래프이다. 특히 도 4는 온도 센서를 기판 섀시(108)의 PCB에 설치하여 LED 백라이트를 스위치 온 한 후의 PCB의 온도 변화를 나타낸다. Figure 4 is a graph showing the results of the parallel performance test of the LED backlight unit with a heat dissipation coating layer according to the present invention. In particular, Figure 4 shows the temperature change of the PCB after switching on the LED backlight by installing the temperature sensor on the PCB of the substrate chassis 108.

도 4에 따르면, 기판 섀시의 배면에 패턴을 형성하고 전해전처리 과정을 통하여 애노다이징 층을 형성하고 세라믹 코팅층을 형성하여 방열 코팅층을 형성한 경우(A), 기판 섀시의 배면에 패턴을 형성하였지만 아무런 방열 코팅 처리를 하지 않은 경우(B), 그리고, 기판 섀시의 배면에 아무런 패턴을 형성하지 않고 평평하게 하고 방열 코팅 처리도 하지 않은 경우(C)가 비교되고 있다 Referring to FIG. 4, when the pattern is formed on the rear surface of the substrate chassis, the anodizing layer is formed through the electrolytic pretreatment process, and the ceramic coating layer is formed to form the heat dissipation coating layer (A), the pattern is formed on the rear surface of the substrate chassis. The case where no heat dissipation coating process was performed (B) and the case where the surface of the substrate chassis was not formed without any pattern and flattened and without the heat dissipation coating treatment (C) were compared.

A, B, C, 가지 경우 모두에서 초기에 LED 백라이트 유닛이 온(on)되기 전에는 약 27℃의 온도를 나타내었다. LED 백라이트 유닛에 전원이 온 되면 각각의 경우 모두 그 온도가 상승하게 되는데, A 경우에는 기판 섀시의 배면에 패턴이 형성되어 방열 면적이 넓고 추가하여 방열 코팅층이 형성되어 있는 관계로, LED 백라이트 유닛이 오프 될 때까지의 PCB의 온도는 B 및 C의 경우에 비하여 그다지 높지 않다. In all cases A, B, C, the temperature was about 27 ° C. before the LED backlight unit was initially turned on. When the power is turned on in the LED backlight unit, the temperature rises in each case. In the case of A, since the pattern is formed on the back of the substrate chassis, the heat dissipation area is wide and the heat dissipation coating layer is additionally formed. The temperature of the PCB until it is off is not very high compared to the case of B and C.

실험에 따르면, LED 백라이트 유닛이 온되고 난 후 50분에서 65분 사이의 PCB의 온도의 평균값과 그 온도와 초기 온도와의 차이의 값은 아래의 표와 같다.According to the experiment, the average value of the PCB temperature and the difference between the temperature and the initial temperature between 50 minutes and 65 minutes after the LED backlight unit is turned on are shown in the table below.

온도변화표Temperature change table

유형type 50분에서 65분 사이의 PCB의 온도 평균값[℃]PCB average temperature between 50 and 65 minutes [℃] 50분에서 65분 사이의 PCB의 온도의 평균값과 초기 온도와의 차이[℃]The difference between the average temperature of PCB and the initial temperature [℃] between 50 and 65 minutes AA 73.5973.59 54.7954.79 BB 88.4688.46 61.0661.06 CC 89.7689.76 61.7661.76

상기 온도 변화표 및 도 4를 통하여 알 수 있듯이, 기판 섀시의 배면에 페턴을 형성하여 PCB의 온도가 하강하는 정도는 본 발명에 따른 방열 코팅층을 기판 배면에 형성한 경우에 비하여 온도 하강의 정도가 낮음을 알 수 있다.As can be seen from the temperature change table and FIG. 4, the degree of dropping the temperature of the PCB by forming a pattern on the back of the substrate chassis is lower than that of the case of forming the heat dissipation coating layer according to the present invention on the back of the substrate. It can be seen.

따라서, 방열을 위하여 방열 면적을 넓히는 것에 추가하여 또는 이와는 별도로 본 발명에 따른 방열 코팅층을 기판 섀시의 배면에 형성할 경우, 방열 작용이 현저하게 촉진되어 LED 백라이트 유닛의 내부 온도는 적절한 수준을 유지하게 된다. Therefore, in addition to broadening the heat dissipation area for heat dissipation, when the heat dissipation coating layer according to the present invention is formed on the back of the substrate chassis, the heat dissipation action is significantly promoted so that the internal temperature of the LED backlight unit is maintained at an appropriate level. do.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 LED 백라이트 유닛의 장시간 사용에 따른 백라이트 유닛 내부에 발생된 열을 효과적으로 백라이트 유닛 외부로 방출할 수 있게 된다. 또한, 이로 인하여, 백라이트 유닛의 작동 온도가 하강하여, 백라이트 유닛의 수명이 연장될 수 있고, 오작동의 위험성을 대폭 감소시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, it is possible to effectively discharge heat generated inside the backlight unit due to long time use of the LED backlight unit to the outside of the backlight unit. In addition, due to this, the operating temperature of the backlight unit is lowered, so that the life of the backlight unit can be extended, and the risk of malfunction can be greatly reduced.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (14)

매트릭스(matrix)로서 SiO2와, 필러(filler)로서 MnO2, Al2O3, SiC, Fe2O3, TiO2, C, K2O, Na2O 및 V2O5를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분과, 바인더(binder)로서 Ag를 구비하는 백라이트 유닛용 방열 코팅제. Group comprising SiO 2 as matrix and MnO 2 , Al 2 O 3 , SiC, Fe 2 O 3 , TiO 2 , C, K 2 O, Na 2 O and V 2 O 5 as filler A heat dissipating coating agent for a backlight unit comprising at least one component selected from and Ag as a binder. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, Cr2O3, B2O3 및 Li2O를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 필러로서 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛용 방열 코팅제. A heat dissipating coating agent for a backlight unit, further comprising at least one component selected from the group consisting of Cr 2 O 3 , B 2 O 3, and Li 2 O as a filler. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, SiO2 성분은 질량 백분율 기준으로 30 내지 45 % 인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛용 방열 코팅제. SiO 2 component is a heat radiation coating agent for a backlight unit, characterized in that 30 to 45% by mass percentage. 준비된 기판을 탈지하는 단계; Degreasing the prepared substrate; 기판 섀시에 표면 거칠기를 주는 블라스팅 단계;Blasting to give a surface roughness to the substrate chassis; 공기를 취입하는 단계;Blowing air; 상기 기판 섀시에 전해질 필름을 데포지셔닝 하는 전해질 필름 데포지션 단계;An electrolyte film deposition step of depositing an electrolyte film on the substrate chassis; 상기 기판 섀시를 마스킹하는 단계;Masking the substrate chassis; 상기 기판 섀시를 예열하는 단계;Preheating the substrate chassis; 상기 기판 섀시에 세라믹 코팅을 형성하는 단계;Forming a ceramic coating on the substrate chassis; 상기 기판 섀시를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법.And baking the substrate chassis. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 공기를 취입하는 단계를 수행한 후 상기 전해질 필름 데포지션 단계를 수행하기 전에 마스킹 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법.And performing a masking step after performing the air blowing step and before performing the electrolyte film deposition step. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 전해질 필름 데포지션 단계는 기판 섀시를 애노다이징(anodizing) 하여 착색하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법The electrolyte film deposition step is a method of forming a heat-dissipating coating layer of the backlight unit, characterized in that for anodizing (coloring) the substrate chassis. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판 섀시는 애노다이징되어 흑색으로 착색되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법.And the substrate chassis is anodized to be colored black. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 기판 섀시가 착색되는 색상은 전해액을 조절하여 제어되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법. The method of forming a heat-dissipating coating layer of the backlight unit, characterized in that the color of the substrate chassis is colored by controlling the electrolyte. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 소성 단계의 소성 온도는 80℃ 내지 150℃ 인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법. The firing temperature of the firing step is a method for forming a heat dissipation coating layer of the backlight unit, characterized in that 80 ℃ to 150 ℃. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 세라믹 코팅 형성단계는 침지(dipping) 또는 정전기 스프레이 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛의 방열 코팅층 형성방법. The ceramic coating forming step is a heat-dissipating coating layer forming method of the backlight unit, characterized in that performed by dipping or electrostatic spraying. 기판 섀시와;A substrate chassis; 상기 기판 섀시상에 설치되며 광을 생성하는 복수개의 광원을 구비하는 백라이트 유닛에 있어서,In the backlight unit provided on the substrate chassis and having a plurality of light sources for generating light, 상기 광원에서 발생된 열을 방사하도록 상기 기판 섀시에 도포되는 열방사 코팅층을 구비하며, A heat radiation coating layer applied to the substrate chassis to radiate heat generated from the light source, 상기 열방사 코팅층은 알루미늄이 애노다이징 처리된 알루미늄 애노다이징 층과; 매트릭스(matrix)로서 SiO2와, 필러(filler)로서 MnO2, Al2O3, SiC, Fe2O3, TiO2, C, K2O, Na2O 및 V2O5를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분과, 바인더(binder)로서 Ag을 구비하는 세라믹 코팅층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The thermal radiation coating layer comprises an aluminum anodizing layer anodized aluminum; Group comprising SiO 2 as matrix and MnO 2 , Al 2 O 3 , SiC, Fe 2 O 3 , TiO 2 , C, K 2 O, Na 2 O and V 2 O 5 as filler At least one component selected from, and a backlight unit comprising at least one of a ceramic coating layer comprising Ag as a binder (binder). 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, Cr2O3, B2O3 및 Li2O를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 필러로서 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And at least one component selected from the group consisting of Cr 2 O 3 , B 2 O 3 and Li 2 O as a filler. 제 11 항에 있어서, The method of claim 11, SiO2 성분은 질량 백분율 기준으로 30 내지 45 % 인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. SiO 2 component is 30 to 45% based on the mass percentage. 제 11 항에 있어서, The method of claim 11, 상기 기판 섀시의 배면에는 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.And a pattern is formed on the rear surface of the substrate chassis.
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