KR100681687B1 - 웨이퍼 세정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로서, 상세하게는 웨이퍼, 특히 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 스핀스프레이(spin spray)방식에 의해 세정하는 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 의하면 웨이퍼에 케미컬을 처리하는 단계, 1차 초순수 린스단계, 1차 가스 세정단계, 세정액 세정단계,　2차 초순수 린스단계 및 건조단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면 웨이퍼의 세정하는 세정액인 DHF에 의해 웨이퍼 표면상태가 친수성(Hydrophilic)에서 소수성(Hydrophobic)으로 바뀌는 것을 막아 웨이퍼 표면의 오염을 방지할 수 있으며, 구리 공정을 진행한 웨이퍼의 스트립뿐만 아니라 스핀스프레이(Spin Spray)방식을 사용하는 다른 공정에서도 본 발명을 적용함으로써 웨이퍼 표면 오염으로 인한 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.
더미 웨이퍼(dummy wafer), 스핀스프레이(spin spray), 소수성(Hydrophobic)

Description

웨이퍼 세정방법{Wafer cleaning method}
도 1은 종래의 세정방법에 의한 웨이퍼 세정상태를 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예를 적용한 웨이퍼 세정공정도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예를 나타내는 순서도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예를 적용한 세정상태를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
200; 세정장치 210; 웨이퍼
220; 노즐 230; 유기물
240; 체임버
본 발명은 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로서, 상세하게는 웨이퍼, 특히 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 스핀스프레이(spin spray)방식에 의해 세정하는 웨이퍼 세 정방법에 관한 것이다.
일반적으로 더미 웨이퍼는 반도체 제조공정을 모니터링하거나 반도체 장비를 정비한 후 정비상태를 확인하기 위해 사용되는 웨이퍼로서 모니터링 웨이퍼라고도 말한다. 즉, 더미 웨이퍼를 대상으로 반도체 제조공정을 수행하거나 정비가 이루어진 반도체 장비 내에 더미 웨이퍼를 로딩시킨 후 공정을 진행해 본 후 더미 웨이퍼를 분석하여 제조공정이 제대로 이루어졌는지 또는 반도체 장비가 제대로 정비되었는지를 판단하게 된다.
이와 같은 더미 웨이퍼는 한 번 사용한 후에 폐기하는 것보다 재활용하여 사용하는 것이 바람직하므로, 종래에는 더미 웨이퍼를 재활용하기 위하여 더미 웨이퍼의 실리콘 기판상에 부착된 막질, 예컨대 산화막을 제거하고 산화막이 제거된 더미 웨이퍼를 다른 반도체 제조 공정의 모니터링이나 반도체 장비 상태 확인에 사용하여 왔다.
이하, 도 1을 참조하여 종래 웨이퍼를 세정하는 경우에 발생하는 문제점을 설명한다.
도 1은 종래의 세정방법에 의한 웨이퍼 세정상태를 나타내는 도면이다.
종래 더미 웨이퍼(10)를 세정하는 공정에서 산화막(20) 등의 제거를 위해 HF를 주로 사용하여 왔다. 그런데 산화막(20) 등이 있는 웨이퍼(10)는 친수성(Hydrophilic) 표면을 유지하다가, HF 침적에 의해 산화막(20) 등이 제거되면 소수성(Hydrophobic)으로 변하게 된다. 이러한 소수성 표면은 활성화되어 있기 때문에 케미컬(chemical)이나 공정환경으로부터 유기물(30) 등에 의해 오염되기 쉬운 상태 가 된다. 특히 HF 침적 과정에서　구리(Cu)는 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등과는 달리 이온화 경향이 상대적으로 작은 금속으로서 웨이퍼(10) 표면에 쉽게 석출되는 문제가 있다. 이는 HF의 농도를 희석한 DHF(dilute HF)를 사용하는 경우에도 웨이퍼 표면을 소수성화 시키는 문제가 여전히 존재하게 된다.
특히, 반도체 금속공정(metallization)에서 구리(Cu)를 주로 사용하는 경우에는 더미 웨이퍼에 구리가　많이 석출되어 그로 인한 더미 웨이퍼의 소요가 많이 이루어지게 된다. 하지만, 이제까지 적당한 더미 웨이퍼 세정방법 및 세정장치가 없는 관계로 전량 폐기하여 원자재를 막대하게 낭비하는 문제가 있었다.
최근에 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 금속배선의 폭 및 굵기가 감소하고 반도체와 연결되는 접촉점의 크기 역시 감소하게 되는 상황이다. 이로 인하여 증가한 저항값은 반도체소자의 신호전달 속도를 감소시키는 결과를 초래하게 된다. 뿐만 아니라, 작아진 배선의 단면적은 큰 전류 밀도를 야기시켜 사용된 배선의 전자이탈(electro migration) 현상을 더욱 심화시키게 된다. 그런데 종래의 알루미늄(Al)을 사용한 금속배선은 반도체 소자의 크기가 서브마이크론 이하에서는 성능과 신뢰도에 많은 문제점이 나타남에 따라 알루미늄보다 저항률이 낮고 전자이탈 방지기간이 긴 구리를 사용한 배선공정이 많이 활용되고 있다.
그러므로 이러한 구리를 사용한 배선공정이 많아짐에 따라 더미 웨이퍼에 구리가 많이 석출되어 그로 인한 더미 웨이퍼의 소요가 더 많이 이루어지게 되는 문제가 더욱 발생하는 실정이다.
따라서 본 발명은 상기 문제를 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼에 HF 침적 등 케미컬처리에 따라서 웨이퍼가 소수성(Hydrophobic) 상태로 되는 것을 방지하는 세정방법을 제공하고, 특히 구리 전용 장비에 이용된 더미 웨이퍼의 적합한 세정방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은 적층막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼에 소정의 케미컬을 사용하여 상기 적층막 또는 패턴을 제거하는 케미컬 처리단계; 초순수를 사용하여 상기 케미컬을 제거하는 1차 린스단계; 소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 1차 가스 세정단계; 소정의 세정액을 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 세정액 클리닝단계; 초순수를 사용하여 상기 세정액을 제거하는 2차 린스단계; 및 소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은 2차 린스단계 후 소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 2차 가스 세정단계; 초순수를 사용하여 잔존하는 상기 세정액을 제거하는 3차 린스단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기　세정액 클리닝 단계에서 상기 세정액은 THM(Trimethyl-oxyethyl-ammonium-hydroxide), H2O2 및 H2O를 포함하며, THM: H2O2: H2O의 비율이　10:20~30:300~400일 수 있다.
또한, 상기　세정액 클리닝 단계는 상기 웨이퍼를 소정의 세정액으로 세척하 는 1차 세정액 세정단계; 상기 웨이퍼를 소정의 세정액으로 세척하는 2차 세정액 세정단계; 초순수를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 초기 초순수 린스단계; DHF를 사용하여 상기 적층막 또는 패턴을 제거하는 DHF 침적 단계; 초순수를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 후기 초순수 린스단계; 및 소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 세정단계는 상온 이하의 차가운 질소 가스를 사용할 수 있다.
본 발명의 세정방법에 의하면 웨이퍼 세정을 위한 세정액인 DHF의 농도에 관계없이 웨이퍼 표면상태가 친수성((Hydrophilic)에서 소수성(Hydrophobic)으로 바뀌는 것을 막을 수 있으며, 특히 구리 전용 장비들의 정기적인 모니터링과 테스트를 위한 웨이퍼의 효과적인 막 스트립을 통해 웨이퍼의 재활용이 가능하게 하여 원자재 절감에 막대한 공헌을 할 수 있고, 구리 공정을 진행한 웨이퍼의 스트립뿐만 아니라 다른 공정에서도 본 발명을 적용함으로써 웨이퍼 표면 오염으로 기인한 문제를 해결할 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 웨이퍼 세정방법에 따른 실시 예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예를 적용한 웨이퍼 세정공정도이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예에서 웨이퍼의 세정이 이루어지기 전의 모습을 나타내는 도면이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예가 적용되는 세정장치(200)는 웨이퍼(210)를 수용하는 체임버(240)와 케미컬을 분사하는 노즐(250)을 포함한다. 도 2에 도시된 대로 세정하기 위한 웨이퍼(210)를 세정장치(200) 내에 장착한다. 본 발명에 따른 실시 예가 적용된 세정장치는 스핀 스프레이(Spin Spray) 방식의 세정장치를 나타낸 것이다. 스핀 스프레이 방식의 세정장치는 웨이퍼를 회전시키면서 케미컬을 스프레이 노즐로 분사하는 방식을 말한다. 본 발명에 따른 실시 예가 적용된 세정장치는 스핀스프레이 방식의 세정장치에　한정되는 것이 아니며 다른 방식의 세정장치에서도 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 웨이퍼 세정방법에 따른 실시 예가 적용된 세정장치(200)를 이용하여 케미컬을 분사하여 웨이퍼를 스트립(strip) 하는 모습을 나타내는 도면이다. 웨이퍼는 스트립 됨에 따라 도2의 웨어퍼 보다는 좀 더 깨끗한 상태가 된다.
본 발명의 실시예가 적용된 세정장치(200)의 노즐(250)을 통하여 케미컬을 분사하여 웨이퍼(210)를 스트립 한다.
웨이퍼(210)에 분사되는 케미컬은 산화막, 질화막, 구리막 등 제거하기 위한 막(film)의 종류에 따라 각각 다를 수 있다. 도 3은 케미컬로 HF를 희석시킨 DHF를 사용하는 경우이며, DHF의 농도는 HF(49%): DIW의 비율을 1:1~3을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 HF(49%): DIW의 비율을 1:2로 사용할 수 있다. DIW는 초순수(de-ionized　water)를 의미한다.
DHF의 침적에 의해 웨이퍼(210)의 표면의 산화막 등이 제거됨에 따라 웨이퍼 (210) 표면이 순간적으로 소수성(Hydrophobic)화 된다.
도 4는 본 발명의 웨이퍼 세정방법의 실시예에 따라 웨이퍼 스트립 후 웨이퍼 표면세정을 하는 모습을 나타내는 도면이다. 웨이퍼 표면세정에 따라 웨이퍼는 가장 깨끗한 상태가 된다.
본 발명에서 케미컬 처리 후 표면세정방법이 핵심적인 공정으로서 본 발명의 특유의 세정액인 NC-2(New Cleaning-2)를 이용하여 소수성(Hydrophobic)화 된 웨이퍼(210) 표면을 친수성((Hydrophilic)으로 바꾸어 주게 된다. NC-2 세정공정은 후술하기로 한다.
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 웨이퍼(210) 표면을 친수성((Hydrophilic) 상태로 유지하면서 세정하는 본 발명의 실시예에 따른 세정방법을 상세히 설명한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예를 나타내는 순서도이다.
우선, 도 5는　본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 일실시 예를 나타내는 순서도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 일실시 예는 웨이퍼에 케미컬 처리단계(S10), 1차 초순수 린스단계(S20), 1차 가스 세정단계(S30), 세정액(NC-2) 세정단계(S40), 2차 초순수 린스단계(S50), 2차 가스 세정단계(S60), 3차 초순수 린스 단계(S70) 및 건조단계(S80) 순으로 진행한다. 이러한 웨이퍼 세정 공정은 그 순서를 바꾸어 진행하는 것도 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법은 2차 가 스 세정단계(S60), 3차 초순수 린스 단계(S70)를 생략하고 세정공정을 진행할 수도 있다.
우선, 웨이퍼에 케미컬 처리단계(S10)는 본 발명의 실시예에 따른 세정장치(200)의 노즐(250)을 통하여 케미컬을 분사하여 웨이퍼(210)를 스트립 하는 단계이다. 이 경우 웨이퍼(210)에 분사되는 케미컬은 산화막, 질화막, 구리막 등 제거하기 위한 막(film)의 종류에 따라 각각 다를 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 케미컬로 HF를 희석시킨 DHF를 사용하였으며, DHF의 농도는 HF(49%): DIW의 비율을 1:1~3을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 HF(49%) : DIW의 비율을 1:2로 사용할 수 있다. 이때 DHF의 침적에 의해 웨이퍼(210)의 표면의 산화막 등이 제거됨에 따라 웨이퍼(210) 표면이 순간적으로 소수성(Hydrophobic)화 된다.
다음으로, 1차 초순수 린스단계(S20)는 케미컬 처리된 웨이퍼를 초순수(de-ionized　water; DIW)로 씻는 단계이다. 초순수는 이온 교환과 필터만을 통과시킨 순수한 물을 다시 역삼투 장치로 순도를 높인 물을 말하며, 탈이온수라고도 부른다.
다음으로, 1차 가스 세정단계(S30)는 1차 초순수 린스 된 웨이퍼를 가스로 세정하는 단계이다. 이때, 가스는 상온 이하의 차가운 질소 가스(N2)를 사용할 수 있다. 한편, 상온의 질소 가스를 사용하는 것이 바람직하며 이때에는　웨이퍼 세정시 질소 가스에 대하여 특별한 온도 조절기를 사용하지 않아도 된다.
다음으로, 세정액 세정단계(S40)는 1차 가스 세정 된 웨이퍼를 NC-2 세정액으로 세정하는 단계이다. NC-2 세정액은 THM(Trimethyl-oxyethyl-ammonium- hydroxide), H2O2 및 H2O를 포함하여 구성되는 세정액을 말한다. THM의 화학기호는 (CH3)3N(CH2CH2OH)OH이다. 그리고, THM: H2O2: H2O의 비율은 10:20~30:300~400일 수 있으며, 특히 THM: H2O2: H2O의 비율이 10:23:367인 것이 바람직하다. 그리고 NC-2 세정 공정은　65 내지 80℃에서 행할 수 있으며, 구리 메탈공정을 거친 웨이퍼의 세정의 경우 70 또는 75℃에서 세정함이 바람직하다. 이하, 세정액 세정단계(S40)는 NC-2 세정단계(S40)로 기술하기로 한다.
다음으로, 2차 초순수 린스단계(S50)는 NC-2로 세정 된 웨이퍼를 초순수로 씻는 단계이다.
다음으로, 2차 가스 세정단계(S60)는 2차 초순수 린스 된 웨이퍼를 가스로 세정하는 단계이다. 이때, 가스는 상온 이하의 차가운 질소 가스(N2)를 사용할 수 있다. 한편, 상온의 질소 가스를 사용하는 것이 바람직하며 이때에는　웨이퍼 세정시 질소 가스에 대하여 특별한 온도 조절기를 사용하지 않아도 된다.
다음으로, 3차 초순수 린스 단계(S70)는 2차 가스 세정 된 웨이퍼를 초순수로 씻는 단계이다.
마지막으로, 건조단계(S80) 3차 초순수 린스 된 웨이퍼를 건조하는 단계이다. 건조는 가스를 사용할 수 있으며, 특히 상온을 초과하는, 바람직하게는 70℃의 뜨거운 질소 가스를 스핀 드라이(spin dry) 방식에 의하여 행할 수 있다. 스핀 드라이는 웨이퍼를 회전시켜 원심력으로 잔류액을 날리는 방식을 말한다. 질소 가스는 상온을 초과하므로 별도의 질소가스의 온도 조절기가 필요하다.
이상의 본 발명의 실시예에 따른 세정방법에 의해 케미컬 처리되어 순간적으로 소수성화 되었던 웨이퍼가 친수성((Hydrophilic) 상태를 유지하여 유기물의 석출이 없이 웨이퍼의 세정이 완벽하게 이루어질 수 있게 된다.
다음으로, 도 6은 본 발명에 따른 세정방법의 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 6의 세정방법은 도 5의 세정방법 중 NC-2 세정단계(S40)를 개선한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 세정방법의 다른 실시예에 의하면 NC-2 세정단계(S40)는 1차 NC-2 세정단계(S41), 2차 NC-2 세정단계(S42), 초기 초순수 린스단계(S43), DHF 침적 단계(S44), 후기 초순수 린스단계(S45) 및 건조단계(S46)를 포함할 수 있다.
우선, 1차 NC-2 세정단계(S41)는 1차 가스 세정(S30) 된 웨이퍼를 3~7초, 바람직하게는 5초 동안 NC-2 세정액으로 세정할 수 있다. NC-2 세정액은 THM, H2O2 및 H2O를 포함하여 구성되며, THM: H2O2: H2O의 비율은　10:20~30:300~400일 수 있으며, 특히 THM: H2O2: H2O의 비율이 10:23:367인 것이 바람직하다. 그리고 NC-2 세정 공정은　65 내지 80℃에서 행할 수 있으며, 특히 구리 메탈공정을 거친 웨이퍼의 세정의 경우 70 또는 75℃에서 세정함이 바람직하다.
다음으로, 2차 NC-2 세정단계(S42)는 1차 NC-2 세정 된 웨이퍼를 3분40초 내지 5분20초, 바람직하게는 4분55초 동안　NC-2 세정액으로 세정하는 단계이다.
다음으로, 초기 초순수 린스단계(S43)는 2차 NC-2 세정 된 웨이퍼를 1분 20초 내지 40초, 바람직하게는 1분 30초 동안 초순수로 세정하는 단계이다.
다음으로, DHF 침적 단계(S44)는 초기 초순수 린스 된 웨이퍼를 0.1초 내지 3초, 바람직하게는 1초 동안 DHF로 침적하는 단계이다.
다음으로, 후기 초순수 린스단계(S45)는 DHF 침적된 웨이퍼를 1분 내지 2분, 바람직하게는 1분 30초 동안 초순수로 세정하는 단계이다.
마지막으로, 건조단계(S46)는 후기 초순수 린스 된 웨이퍼를 2초 내지 10초, 바람직하게는 5초 동안 건조하는 단계이다.
이상의 방법으로 NC-2 세정단계(S40)를 개선함으로써 막 스트립 시 고농도(HF(49%): DIW = 1:2)의 DHF를 사용하는 경우, 산화막의 제거에 의해 웨이퍼 표면이 순간적으로 소수성 상태로 변하게 되더라도, 이후 본 발명의 개선된 NC-2 세정단계(S40)에서 초순수 공급 후 세정장치 내에 고농도의 DHF를 순간 공급한 후　 초순수를 다시 공급함으로써, DHF 농도가 고농도이더라도 체임버 내의 웨이퍼 표면에 잔류하는 초순수와 섞여 DHF의 농도를 묽게 만드는 효과를 얻어 웨이퍼 표면을 친수성을 유지하여 유기물의 석출을 더욱 효과적으로 막을 수 있는 효과가 있었다.
다음으로, 도 7은 본 발명에 따른 세정방법의 또 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.
도 7의 세정방법은 도 6의 세정방법 중 NC-2 세정단계(S40)를 더욱 개선한 것이다.
즉,　NC-2 세정단계(S40)는 1차 NC-2 세정단계(S41), 2차 NC-2 세정단계 (S42), 초기 초순수 린스단계(S43), DHF 침적 단계(S44), 후기 초순수 린스단계(S45) 및 건조단계(S46)를 포함하며, 이러한 NC-2 세정단계(S40)를 3회 반복하여 실시하는 것이다.
이러한 개선된 도 7의 세정방법에 의하면 NC-2 세정단계(S40)를 3회 반복하여 실시함으로써 웨이퍼 표면을 친수성으로 유지하여 유기물의 석출을 더욱 효과적으로 막을 수 있는 효과가 극대화될 수 있게 된다.
도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법의 실시 예를 적용한 세정상태를 나타내는 도면이다.
우선, 도 8에 의하면, NC-2 세정단계에서 NC-2 세정액은 THM, H2O2 및 H2O를 포함하여 구성되며, 산화력이 큰 H2O2에 의해 용해 가능한 유기물(230)은 용해되어 제거되며, 웨이퍼(210) 표면과 파티클 표면을 산화시킨다.
이때, 도 9에 의하면　H2O2에의한 유기물(230) 용해와 동시에, TMH;(CH3)3N(CH2CH2OH)OH의 OH-에 의해 웨이퍼(210) 표면이 얕게 에칭(slightly etching)된다. 이때 전기적 반발력(electrical repulsion)에 의해 웨이퍼(210)와 유기물(230)의 상호 반발력이 발생하여 웨이퍼(210) 표면에서 유기물(230)이 완전히 제거되어 재오염이 방지되게 된다.
본 발명에 실시예에 따른 웨이퍼 세정 방법 및 세정장치는 더미 웨이퍼의 세정에만 한정되는 것이 아니며, 다른 반도체 공정, 예를 들어 리웍(rework) 공정에서의 웨이퍼 스트립 후 세정하는 단계 등에서 적용될 수 있음은 자명하다.
이상에서 설명한 본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법에 의하면, DHF 농도에 관계없이 웨이퍼 표면상태가 친수성(Hydrophilic)에서 소수성(Hydrophobic)으로 바뀌는 것을 막아 유기물의 웨이퍼 표면에 석출을 막을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 웨이퍼 표면에 금속석출이 자주 발생하는 구리(Cu) 공정을 진행하는 팹(Fab)의 경우 효과적인 웨이퍼 금속막 등의 스트립을 통해 웨이퍼의 재활용을 가능하게 하여 원자재 절감에 막대한 공헌을 할 수 있는 효과가 있다.
그리고　본 발명에 의하면, 구리 공정을 진행한 웨이퍼의 스트립뿐만 아니라　알루미늄(Al) 등 다른 메탈을 사용하는 공정에서도 본 발명을 적용함으로써 웨이퍼 표면의 오염으로 인한 문제를 해결할 수 있는 효과도 있다.

Claims (5)

  1. 적층막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼에 소정의 케미컬을 사용하여 상기 적층막 또는 패턴을 제거하는 케미컬 처리단계;
    초순수를 사용하여 상기 케미컬을 제거하는 1차 린스단계;
    소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 1차 가스 세정단계;
    THM(Trimethyl-oxyethyl-ammonium-hydroxide), H2O2 및 H2O를 포함하며, 상기 THM: H2O2: H2O의 비율이　10:20~30:300~400인 세정액을 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 세정액 클리닝단계;
    초순수를 사용하여 상기 세정액을 제거하는 2차 린스단계; 및
    소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 2차 린스단계 후
    소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 2차 가스 세정단계;
    초순수를 사용하여 잔존하는 상기 세정액을 제거하는 3차 린스단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기　세정액 클리닝 단계는
    상기 웨이퍼를 소정의 세정액으로 세척하는 1차 세정액 세정단계;
    상기 웨이퍼를 소정의 세정액으로 세척하는 2차 세정액 세정단계;
    초순수를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 초기 초순수 린스단계;
    DHF를 사용하여 상기 적층막 또는 패턴을 제거하는 DHF 침적 단계;
    초순수를 사용하여 상기 웨이퍼를 세척하는 후기 초순수 린스단계; 및
    소정의 불활성 가스를 사용하여 상기 웨이퍼를 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 세정단계는
    상온 이하의 차가운 질소 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
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