KR100679913B1 - ??-??-??-?? based copper alloy strip and parts for the electronic goods obtained by manufacturing the same - Google Patents

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    • A01K87/007Fishing rods with built-in accessories, e.g. lighting means or measuring devices

Abstract

(과제) 양호한 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘성이 안정적으로 얻어지는 Cu-Ni-Si-Mg 합금을 제공한다.(Problem) Provided is a Cu-Ni-Si-Mg alloy in which good solder wettability, plating property and bendability can be obtained stably.

(해결수단) 1.0∼4.5질량% 의 Ni 를 함유하고, Ni 의 질량% 에 대하여 1/6∼1/4 의 Si 를 함유하고, 0.05∼0.3질량% 의 Mg 를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 구리기 합금으로서, 압연방향에 직각인 단면에 있어서 관찰되는 Mg 산화물 입자로 구성되는 개재물군 중, 길이가 0.05㎜ 이상인 개재물군의 개수가 1개/㎟ 이하인 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립.(Measures) 1.0-4.5 mass% of Ni is contained, 1 / 6-1 / 4 Si is contained with respect to the mass% of Ni, 0.05-0.3 mass% Mg is contained, and remainder is Cu and inevitable. Cu-Ni-Si- having a number of inclusion groups having a length of 0.05 mm or more in the inclusion group composed of Mg oxide particles observed in a cross section perpendicular to the rolling direction as a copper base alloy composed of red impurities. Mg based copper alloy strips.

Description

Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립과 그것을 가공하여 얻어지는 전자 기기용 부품{Cu-Ni-Si-Mg BASED COPPER ALLOY STRIP AND PARTS FOR THE ELECTRONIC GOODS OBTAINED BY MANUFACTURING THE SAME}Cu-Ni-Si-Mg-based copper alloy strip and components for electronic devices obtained by processing it {Cu-Ni-Si-Mg BASED COPPER ALLOY STRIP AND PARTS FOR THE ELECTRONIC GOODS OBTAINED BY MANUFACTURING THE SAME}

도 1 은 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립 중의 개재물의 형태의 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram of the form of an inclusion in a Cu-Ni-Si-Mg type copper alloy strip.

도 2 는 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립의 압연 직각 단면의 Mg-O 입자 분포상황의 모식도이다.FIG. 2 is a schematic diagram of Mg-O particle distribution in a right angled cross section of a Cu—Ni—Si—Mg based copper alloy strip. FIG.

본 발명은 집적회로 (IC) 의 반도체기기의 리드 프레임재나 커넥터, 단자, 릴레이, 스위치 등의 도전성 용수철재로서 바람직한 높은 강도, 도전성, 내응력 완화 특성, 굽힘 가공성, 에칭성 및 도금성을 구비한 구리합금스트립에 관한 것이다.The present invention has high strength, conductivity, stress relaxation resistance, bending workability, etching property and plating property, which are preferable as conductive spring materials for lead frame materials, connectors, terminals, relays, switches, etc. of semiconductor devices of integrated circuits (IC). It relates to a copper alloy strip.

리드 프레임, 단자, 커넥터 등에 사용되는 전자재료용 구리합금에는, 합금의 기본 특성으로서 높은 강도, 높은 전기전도성 또는 열전도성을 양립시킬 것이 요구된다. 또한, 이들 특성 이외에도, 굽힘 가공성, 내응력 완화 특성, 내열성, 도금 밀착성, 땜납 습윤성, 에칭 가공성, 프레스 펀칭성, 내식성 등이 요구된다.Copper alloys for electronic materials used in lead frames, terminals, connectors, and the like are required to have high strength, high electrical conductivity, or thermal conductivity at the same time as the basic characteristics of the alloy. In addition to these properties, bending workability, stress relaxation resistance, heat resistance, plating adhesion, solder wettability, etching processability, press punching resistance, corrosion resistance, and the like are required.

한편, 최근의 전자부품의 소형화, 고집적화에 대응하여, 리드 프레임, 단자, 커넥터에 있어서는, 리드수의 증가 및 피치의 협소화가 진행되고, 부품 형상도 복잡화되고 있다. 동시에, 조립시 및 실장 후에 있어서의 신뢰성 향상의 요구가 높아지고 있다. 이러한 배경에서, 전술한 구리합금 소재의 특성에 대한 요구 레벨은 점점 더 고도화되고 있다.On the other hand, in response to the recent miniaturization and high integration of electronic components, in lead frames, terminals, and connectors, an increase in the number of leads and a narrowing of pitches are progressing, and component shapes are also complicated. At the same time, the demand for improved reliability at the time of assembly and after mounting is increasing. Against this background, the demand level for the characteristics of the above-described copper alloy material is becoming more and more advanced.

고강도 및 고도전성의 관점에서, 최근 전자재료용 구리합금으로는 종래의 인청동, 황동 등으로 대표되는 고용강화형 구리합금 대신에, 시효경화형 구리합금의 사용량이 증가하고 있다. 시효경화형 구리합금에서는 용체화 처리된 과포화 고용체를 시효처리함으로써, 미세한 석출물이 균일하게 분산되고, 합금의 강도가 높아지는 동시에, 구리 중의 고용원소량이 감소하여 전기전도성이 향상된다. 이로 인해, 강도, 스프링성 등의 기계적 성질이 우수하고, 게다가 전기전도성, 열전도성이 양호한 재료가 얻어진다.In view of high strength and high conductivity, in recent years, as the copper alloy for electronic materials, the amount of the age hardening copper alloy is increasing instead of the solid solution hardening copper alloy represented by conventional phosphor bronze, brass and the like. In the age hardening type copper alloy, by aging the solution-treated supersaturated solid solution, fine precipitates are uniformly dispersed, the strength of the alloy is increased, and the amount of solid solution in copper is reduced to improve electrical conductivity. For this reason, the material which is excellent in mechanical properties, such as strength and a spring property, and is excellent in electrical conductivity and thermal conductivity is obtained.

시효경화형 구리합금 중, Cu-Ni-Si 합금은 고강도와 고도전율을 모두 갖는 대표적인 구리합금으로서, 전자기기용 재료로서 실용화되어 있다. 이 구리합금에서는, 구리 매트릭스 중에 미세한 Ni-Si 계 금속간 화합물 입자가 석출됨으로써 강도와 도전율이 상승한다.Among the age hardening copper alloys, Cu-Ni-Si alloys are representative copper alloys having both high strength and high electrical conductivity, and have been put into practical use as materials for electronic devices. In this copper alloy, fine Ni-Si-based intermetallic compound particles are precipitated in the copper matrix to increase strength and electrical conductivity.

Cu-Ni-Si 합금에는, 기계적 특성 등을 개선하기 위해, Ni 와 Si 이외의 원소가 추가로 첨가되는 경우가 많다. 특히, Mg 는 Cu-Ni-Si 합금에 첨가되는 대표적인 원소이다. Mg 첨가의 효과로서,In order to improve mechanical properties and the like, Cu-Ni-Si alloys are often added with elements other than Ni and Si. In particular, Mg is a representative element added to the Cu-Ni-Si alloy. As an effect of the addition of Mg,

(1) 강도 및 내응력 완화 특성이 향상된다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 소61-250134호),(1) strength and stress relaxation resistance are improved (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-250134);

(2) 열간 가공성이 향상된다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평5-345941호),(2) hot workability is improved (for example, JP-A-5-345941);

(3) Mg 가 산화물이 되어 산소를 트랩함으로써, 열처리시의 Si 산화물의 생성 또는 조대화(粗大化)를 저지할 수 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평9-209062호), 등이 보고되어 있다.(3) When Mg becomes an oxide and traps oxygen, generation or coarsening of Si oxide during heat treatment can be prevented (for example, JP-A-9-209062), and the like. Reported.

다른 종래기술 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평5-59468호) 에 의하면, Cu-Ni-Si 에 Mg 를 첨가하는 경우에는, O 및 S 농도를 15ppm 이하로 저감해야 한다. S 또는 O 가 15ppm 을 초과하면, Mg 가 산화물이 되어, 응력 완화 특성 및 도금 내열 박리성이 열화되고, 또한 도금품을 가열하였을 때 배어남이나 도금 팽창과 같은 불량이 발생하기 때문이다. 즉, Mg 가 산화 또는 황화되면 Mg 첨가의 효과가 발생하지 않을 뿐 아니라, 특성에 대한 악영향이 생기는 것이다.According to another conventional technique (for example, JP-A-5-59468), when Mg is added to Cu-Ni-Si, the O and S concentrations must be reduced to 15 ppm or less. When S or O exceeds 15 ppm, Mg becomes an oxide, a stress relaxation characteristic and plating heat peelability deteriorate, and when a plated product is heated, defects, such as a bleeding and plating expansion, arise. That is, when Mg is oxidized or sulfided, not only does the effect of Mg addition occur, but also adversely affects properties.

Cu-Ni-Si-Mg 합금의 일반적인 제조 프로세스에서는, 우선 대기 용해로를 사용하여, 목탄 피복하에, 전기구리, Ni, Si, Mg 등의 원료를 용해하여, 원하는 조성의 용탕을 얻는다. 그리고, 이 용탕을 주형에 주조한다. 그 후, 열간압연, 냉간압연 및 열처리를 행하여, 원하는 두께 및 특성을 갖는 스트립이나 박(箔)으로 마무리한다.In the general manufacturing process of Cu-Ni-Si-Mg alloy, first, raw materials, such as electric copper, Ni, Si, Mg, are melt | dissolved under charcoal coating using an atmospheric melting furnace, and the molten metal of a desired composition is obtained. And this molten metal is cast in a mold. Thereafter, hot rolling, cold rolling and heat treatment are performed to finish with a strip or foil having a desired thickness and properties.

여기서, S 농도를 저감하기 위해서는, 용해원료나 피복 목탄의 S 농도를 규제하면 된다. 또한, O 농도를 저감하기 위해서는, O 농도가 낮은 용해원료를 사용하는 것 외에, 목탄 피복을 강화하여 용해의 산화를 방지하는 것이 중요하다.Here, in order to reduce S concentration, what is necessary is just to regulate the S density | concentration of a dissolution raw material and a coating charcoal. In addition, in order to reduce the O concentration, it is important not only to use a raw material having a low O concentration, but also to strengthen the charcoal coating to prevent oxidation of the dissolution.

또한, Cu-Ni-Si 계 합금의 개재물에 착안한 발명은 과거에 보고되어 있지만, 조대한 Ni-Si 입자의 빈도를 규정한 발명 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2001- 49369호), 또는 Si 산화물 입자를 규정한 발명 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평9-209062호) 으로서, Mg-O 개재물에 착안하여 Cu-Ni-Si-Mg 합금의 특성 개선을 시도한 것은 보고되어 있지 않았다.In addition, although the invention which focused on the inclusion of Cu-Ni-Si type alloy has been reported in the past, the invention which prescribed | regulated the frequency of coarse Ni-Si particle | grains (for example, Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-49369), or As an invention in which Si oxide particles are defined (for example, Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 9-209062), no attempt has been made to focus on Mg-O inclusions and attempt to improve the properties of a Cu-Ni-Si-Mg alloy.

본 발명자는 공업적으로 생산되고 있는 Cu-Ni-Si-Mg 합금의 특성 데이터를 축적하여 검토한 결과, O 및 S 농도를 10ppm 이하로 충분히 낮은 레벨로 조정한 종래기술의 재료 사이에서는, 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘 가공성 등의 특성에 미묘한 차이가 생김을 발견하였다. 이 차이는 리드 프레임, 단자, 커넥터에 대한 종래의 요구 특성 레벨에 있어서는 문제가 되지 않은 것이었다. 그러나, 최근의 전자부품의 소형화에 따라, 리드 프레임, 단자, 커넥터에 대한 요구 특성 레벨이 높아졌으므로, 특성의 편차를 작게 하여, 가능한 한 우수한 특성을 안정적으로 제작해 넣을 필요가 생기고 있다.The inventors have accumulated and examined the characteristic data of industrially produced Cu-Ni-Si-Mg alloys, and found that solder wettability between materials of the prior art in which O and S concentrations were adjusted to a sufficiently low level of 10 ppm or less. It has been found that there are subtle differences in the properties such as plating, bending and workability. This difference was not a problem in the conventional required characteristic level for lead frame, terminal, and connector. However, with the recent miniaturization of electronic components, the level of required characteristics for lead frames, terminals, and connectors has increased. Therefore, there is a need to make the characteristics as small as possible and to stably produce excellent characteristics as possible.

본 발명의 과제는 양호한 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘 가공성이 안정적으로 얻어지는 Cu-Ni-Si-Mg 구리합금스트립를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a Cu-Ni-Si-Mg copper alloy strip in which good solder wettability, plating property, and bending workability can be stably obtained.

(과제를 해결하기 위한 수단)(Means to solve the task)

본 발명은 1.0∼4.5질량% 의 Ni 를 함유하고,The present invention contains 1.0 to 4.5% by mass of Ni,

Ni 의 질량% 에 대하여 1/6∼1/4 의 Si 를 함유하고, It contains 1 / 6-1 / 4 Si with respect to the mass% of Ni,

0.05∼0.3질량% 의 Mg 를 함유하고,It contains 0.05-0.3 mass% Mg,

잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 구리기 합금으로서,The balance is a copper base alloy composed of Cu and unavoidable impurities,

압연방향에 직각인 단면에 있어서 관찰되는 Mg 산화물 입자로 구성되는 개재물군 중, 길이가 0.05㎜ 이상인 개재물군의 개수가 1개/㎟ 이하인 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립에 관한 것이다.It is related with the Cu-Ni-Si-Mg type copper alloy strip whose number of inclusion groups which are 0.05 mm or more in length is 1 / mm <2> of the inclusion group comprised by the Mg oxide particle observed in the cross section orthogonal to a rolling direction.

상기 구리합금스트립는 Sn, P, Fe, Co, Mo, Mn, Zn 및 Ag 의 군에서 선택된 적어도 1종을 총량으로 0.01∼2.0질량% 함유해도 된다.The said copper alloy strip may contain 0.01-2.0 mass% in total amount of at least 1 sort (s) chosen from the group of Sn, P, Fe, Co, Mo, Mn, Zn, and Ag.

본 발명은 상기 구리합금스트립를 가공하여 얻어지는 전자기기용 부품에 관한 것이기도 하다. 상기 전자기기용 부품에는 반도체기기의 리드 프레임재나 커넥터, 단자, 릴레이, 스위치 등의 도전성 스프링재가 포함된다.The present invention also relates to an electronic device component obtained by processing the copper alloy strip. The electronic device components include conductive spring materials such as lead frame materials, connectors, terminals, relays, and switches of semiconductor devices.

(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)(The best mode for carrying out the invention)

본 발명자는 O 및 S 농도를 10ppm 이하로 저감한 Cu-Ni-Si-Mg 합금의 금속조직을 상세히 조사하여, 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘 가공성 등의 특성이 떨어지는 재료는 Mg 산화물의 입자로 구성되는 개재물을 상당한 빈도로 함유하는 것을 발견하였다.The present inventors have investigated the metal structure of Cu-Ni-Si-Mg alloy having reduced O and S concentrations to 10 ppm or less in detail, and the material having poor properties such as solder wettability, plating property, bending workability, etc. is composed of particles of Mg oxide. It has been found to contain a significant frequency of inclusions.

도 1 은, 이 개재물의 형태를 나타낸 것이다. 합금스트립의 압연방향에 직각인 단면을 관찰하면, 개재물은 통상 두께 방향과 직교하는 방향으로 병렬된 Mg 산화물 (Mg-O) 입자군으로서 관찰된다. 개개의 Mg-O 입자의 직경은 통상 0.1∼1㎛ 정도이다. 이하, 인접하는 Mg-O 입자와의 거리 (d) 가 5㎛ 이내에 있는 Mg-O 입자의 집합체를 Mg-O 개재물군이라 칭한다.1 shows the form of this inclusion. When the cross section perpendicular to the rolling direction of the alloy strip is observed, the inclusions are usually observed as a group of Mg oxide (Mg-O) particles paralleled in the direction orthogonal to the thickness direction. The diameter of each Mg-O particle is about 0.1-1 micrometer normally. Hereinafter, the aggregate of Mg-O particle | grains whose distance (d) with adjacent Mg-O particle | grains is within 5 micrometers is called Mg-O inclusion group.

Mg-O 개재물군은 주조 후의 잉곳에 있어서는, Mg-O 입자가 집합한 구 형상의 클러스터이고, 이것이 압연에 의해 도 1 과 같은 분포형태로 변화한 것이다.In the ingot after casting, the Mg-O inclusion group is a spherical cluster in which Mg-O particles are collected, which is changed into a distribution form as shown in FIG. 1 by rolling.

Mg-O 개재물군은 임의의 확률로 재료 표면에 드러난다. Mg-O 개재물군이 판 내부에 존재하는 경우에는, 그 특성에 대한 폐해는 작다. 그러나, Mg-O 개재물군이 표면에 드러나면, 하기 (ⅰ)∼(ⅴ) 등의 문제가 생긴다.Mg-O inclusion groups are at random probability of appearing on the material surface. If the Mg-O inclusion group is present inside the plate, the detriment to its properties is small. However, when the group of Mg-O inclusions is exposed on the surface, problems such as the following (i) to (i) occur.

(ⅰ) 납땜을 행하였을 때, Mg-O 개재물군 위에서 땜납이 튄다.(Iii) When soldering, solder splatters on the Mg-O inclusion group.

(ⅱ) 하프 에칭 가공과 같이 압연면을 화학부식시켰을 때, Mg-O 개재물군이 녹아 잔존해, 에칭면의 평활성이 소실된다.(Ii) When the rolled surface is chemically corroded as in the half etching process, the Mg-O inclusion group melts and remains, and the smoothness of the etching surface is lost.

(ⅲ) Ag, Ni 등의 도금을 행하였을 때, Mg-O 개재물군 위에서 도금의 핀 홀이 생긴다. 또는, Mg-O 개재물군 위에서는 충분한 도금 밀착강도가 얻어지지 않고, 이 부분에서 도금의 박리나 도금 팽창이 발생한다.(Iii) When plating of Ag, Ni or the like is performed, plating pinholes are formed on the Mg-O inclusion group. Alternatively, sufficient plating adhesion strength cannot be obtained on the Mg-O inclusion group, and peeling of the plating and plating expansion occur at this portion.

(ⅳ) 굽힘 가공시에, Mg-O 개재물군이 굽힘부의 표층 근방에 존재하면, 이 부분에서 표면의 거칠어짐이나 균열이 발생한다.(Iv) When the Mg-O inclusion group is present near the surface layer of the bend at the time of bending, roughness or cracking of the surface occurs at this portion.

(ⅴ) 냉간압연시에 Mg-O 개재물군의 존재를 원인으로 하는 스크래치가 발생하여, 표면 외관을 손상시킨다.(Iii) At the time of cold rolling, the scratch which causes the presence of Mg-O inclusion group arises, and damages the surface appearance.

전자부품의 소형화의 진전에 따라, 상기 문제를 무시할 수 없게 되어, Mg-O 개재물군을 문제가 발생하지 않는 레벨까지 저감할 필요가 생겼다.With the progress of miniaturization of electronic components, the above problems cannot be ignored, and it is necessary to reduce the group of Mg-O inclusions to a level where problems do not occur.

다음으로, 본 발명자들은 Mg-O 개재물군을 저감하는 방법에 관해서 연구하였다. Mg 는 Si 와 비교하더라도, 매우 강한 탈산력을 갖는다. Cu-Ni-Si 합금에 Mg 를 첨가하면, 용탕의 산소농도가 저하됨과 함께, 탈산 생성물인 Mg-O 입자가 생긴다. 용탕을 목탄으로 엄중히 피복하더라도, Mg-O 입자의 생성을 완전히 방지하기는 어렵다. 용탕 중에 생성된 Mg-O 입자는 서로 모여 클러스터를 형성하 고, 용탕 중을 부상한다. 그리고, 용탕 표면에 도달한 Mg-O 는 표면의 슬래그층 (산화물층) 에 흡수된다. 따라서, Mg 첨가 후의 용탕을 적당한 시간 정치(靜置)하면, 용탕 중의 Mg-O 개재물은 감소한다.Next, the present inventors studied the method of reducing the Mg-O inclusion group. Mg has a very strong deoxidizing force even when compared with Si. When Mg is added to the Cu-Ni-Si alloy, the oxygen concentration of the molten metal decreases and Mg-O particles which are deoxidation products are generated. Even if the molten metal is strictly covered with charcoal, it is difficult to completely prevent the production of Mg-O particles. Mg-O particles generated in the molten metal gather together to form clusters and float in the molten metal. And Mg-O which reached the molten surface is absorbed by the slag layer (oxide layer) of the surface. Therefore, when the molten metal after Mg addition is made to stand for a suitable time, Mg-O inclusions in a molten metal will reduce.

이상과 같이, Mg-O 개재물군을 저감하기 위해서는, 목탄 피복을 강화하여 Mg의 산화를 가능한 한 억제하고, 붕사 등의 용융 플럭스에 의해 용탕 표면을 피복하여 Mg-O 를 흡수하고, 추가로 용탕에 Mg 를 첨가한 후에 Mg-O 의 부상 처리 (정치) 를 행하는 것이 효과적이다.As described above, in order to reduce the group of Mg-O inclusions, the charcoal coating is strengthened to suppress the oxidation of Mg as much as possible, the surface of the molten metal is coated with a molten flux such as borax to absorb Mg-O, and the molten metal is further melted. It is effective to carry out flotation treatment (politics) of Mg-O after adding Mg to it.

(1) Ni 및 Si(1) Ni and Si

본 발명의 합금의 Ni 는 1.0∼4.5질량% 의 범위이다. Ni 가 1.0 미만이면 충분한 강도가 얻어지지 않는다. Ni 가 4.5질량% 를 초과하면, 열간압연에서 균열이 발생한다. Ni 및 Si 는 시효처리를 행함으로써, Ni2Si 를 주로 하는 금속간 화합물의 미세한 입자를 형성한다. 그 결과, 합금의 강도가 현저히 증가하고, 동시에 전기전도도도 상승한다. 본 발명의 합금의 Si 의 첨가농도 (질량%) 는 Ni 의 첨가농도 (질량%) 의 1/6∼1/4 의 범위이다. Si 첨가량이 이 범위에서 벗어나면, 도전율이 저하된다.Ni of the alloy of the present invention is in the range of 1.0 to 4.5 mass%. If Ni is less than 1.0, sufficient strength cannot be obtained. When Ni exceeds 4.5 mass%, a crack will generate | occur | produce in hot rolling. Ni and Si perform the aging treatment to form fine particles of an intermetallic compound mainly containing Ni 2 Si. As a result, the strength of the alloy is significantly increased, and at the same time, the electrical conductivity is also increased. The addition concentration (mass%) of Si of the alloy of the present invention is in the range of 1/6 to 1/4 of the addition concentration (mass%) of Ni. If the amount of Si added is out of this range, the electrical conductivity is lowered.

(2) Mg(2) Mg

Cu-Ni-Si 합금에 0.05질량% 미만의 Mg 의 첨가에서는, 인장강도 및 내력의 상승 또는, 내열성 및 응력 완화 특성의 향상이 보여지지 않고, 한편 Mg 첨가량이 0.3질량% 를 초과하면, 목탄 피복, 용융 플럭스 피복 및 Mg-O 의 부상 처리를 행하 하더라도, 합금 중의 Mg-O 개재물군이 증가하여, 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘성 등이 열화된다.In the addition of less than 0.05% by mass of Mg to the Cu-Ni-Si alloy, no increase in tensile strength and strength or improvement in heat resistance and stress relaxation characteristics are observed, while charcoal coating is applied when the amount of Mg added exceeds 0.3% by mass. Even when the melt flux coating and the Mg-O flotation treatment are performed, the group of Mg-O inclusions in the alloy increases, and solder wettability, plating property, bendability, and the like deteriorate.

(3) Mg-O 개재물군(3) Mg-O inclusion group

도 2 에 압연 직각 단면에 있어서 관찰되는 Mg-O 입자의 분포상황을 나타낸다. Mg-O 입자의 직경은 0.1∼1㎛ 정도이다. 직경이 1㎛ 를 초과하는 Mg-O 입자는 집합체를 형성하지 않고 단독으로 분산되어 있어도, 특성에 폐해를 미친다. 단, 1㎛ 를 초과하는 Mg-O 입자는 공업적으로 종래기술에서 생산되는 통상의 Cu-Ni-Si-Mg 구리합금스트립에서는 관찰되지 않는다. 한편, 입경이 0.1㎛ 미만의 Mg-O 입자에 대해서는, 특성에 대한 폐해가 작기 때문에, 그 존재를 무시해도 문제없다. 여기서, 입자가 타원형인 경우, 장직경과 단직경의 평균을 직경으로 한다.The distribution of Mg-O particle | grains observed in the rolling right angle cross section is shown in FIG. The diameter of Mg-O particle is about 0.1-1 micrometer. Mg-O particles having a diameter of more than 1 µm are detrimental to properties even if they are dispersed alone without forming an aggregate. However, Mg-O particles larger than 1 mu m are not observed in ordinary Cu-Ni-Si-Mg copper alloy strips produced industrially in the prior art. On the other hand, for Mg-O particles having a particle diameter of less than 0.1 µm, since the adverse effects on the properties are small, the presence thereof may be ignored. Here, when a particle is elliptical, the average of long diameter and short diameter is made into a diameter.

본 발명의「Mg-O 개재물군」은 인접하는 Mg-O 입자와의 거리 (d) 가 5㎛ 이내인 Mg-O 입자의 집합체를 말한다. Mg-O 입자가 5㎛ 를 초과하는 간격으로 분산되어 있으면, 개개의 입자는 미소하기 때문에 특성에 대한 악영향은 무시할 수 있지만, 5㎛ 이하의 거리에서 집합해 있으면 개재물군으로서 특성에 악영향을 미친다.The "Mg-O inclusion group" of the present invention refers to an aggregate of Mg-O particles having a distance (d) to adjacent Mg-O particles within 5 µm. If the Mg-O particles are dispersed at intervals exceeding 5 µm, the individual particles are minute, and thus adverse effects on the characteristics can be ignored. However, when the Mg-O particles are aggregated at a distance of 5 µm or less, the characteristics adversely affect the inclusion groups.

개재물군의 길이 (L) 가 큰 개재물군일수록, 또한 개재물군의 개수가 많을 수록 합금 특성에 대한 악영향은 크다. 본 발명자의 실험결과에 의하면, 길이 (L) 가 0.05㎜ 이상인 개재물군이 유해하고, 이 존재빈도가 1개/㎟ 를 초과하면, 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘성 등이 열화되었다. 본 발명의 구리합금스트립 중, 길이가 0.05㎜ 이상인 개재물의 개수는 1개/㎟ 이하이다. 또한, 개재물군의 길이 (L) 는 압연방향에 직각인 단면에 있어서의 두께 방향과 직교하는 방향의 길이로서 정의한다.The larger the inclusion group having a larger length L of the inclusion group and the larger the number of inclusion groups, the greater the adverse effect on the alloy characteristics. According to the experimental results of the present inventors, the inclusion group having a length (L) of 0.05 mm or more is harmful, and when this existence frequency exceeds 1 / mm 2, solder wettability, plating property, bendability, and the like deteriorate. The number of inclusions whose length is 0.05 mm or more in the copper alloy strip of this invention is 1 piece / mm <2> or less. In addition, the length L of an inclusion group is defined as the length of the direction orthogonal to the thickness direction in the cross section perpendicular | vertical to a rolling direction.

Mg 는 매우 산화되기 쉽기 때문에, Mg-O 입자를 전혀 포함하지 않는 재료를 공업적으로 생산하는 것은 불가능하지만, 그 분포를 상기한 바와 같이 조정하면, 특성에 대한 폐해는 없어진다.Since Mg is very easy to oxidize, it is impossible to industrially produce a material containing no Mg-O particles at all, but by adjusting the distribution as described above, there is no harm to properties.

(4) Mg 이외의 첨가 원소(4) Additional elements other than Mg

강도 등의 특성을 개선하는 것을 목적으로 하여, Ca, Be 등의 Mg 보다 산화되기 쉬운 (탈산력이 강한) 원소, 또는 Ti, Zr, Al 등의 Mg 와 동일 레벨의 탈산력을 갖는 원소를 Cu-Ni-Si-Mg 합금에 첨가하면, Mg-O 입자가 금속 Mg 로 환원되어 첨가 원소의 산화물 입자가 생긴다. 그 결과, Mg-O 입자의 특성에 대한 폐해가 감소하는 반면, 첨가 원소의 산화물 입자에 의한 폐해가 생겨, 본 발명의 효과를 얻을 수 없다.For the purpose of improving characteristics such as strength, Cu, an element that is more easily oxidized (stronger deoxidizing power) than Mg such as Ca or Be, or an element having the same level of deoxidizing power as Mg such as Ti, Zr, Al, etc. When added to the -Ni-Si-Mg alloy, the Mg-O particles are reduced to the metal Mg to form oxide particles of the additional element. As a result, the detriment to the properties of the Mg-O particles is reduced, while the detriment to the oxide particles of the additive element occurs, and the effect of the present invention cannot be obtained.

한편, Sn, P, Fe, Co, Mo, Mn, Zn 및 Ag 등의 Mg 보다 산화되기 어려운 원소를 첨가한 경우는, 이들 원소를 함유하지 않은 경우와 마찬가지로, Mg-O 개재물군의 빈도를 규제하는 것에 의한 특성 개선 효과가 얻어진다.On the other hand, when elements that are less oxidized than Mg such as Sn, P, Fe, Co, Mo, Mn, Zn, and Ag are added, the frequency of the Mg-O inclusion group is regulated as in the case of not containing these elements. The characteristic improvement effect by doing is obtained.

이들 원소는 강도, 도금 내열 박리성 등을 개선할 목적으로 Cu-Ni-Si-Mg 합금에 첨가된다. 단, 도전율이 저하되기 때문에, 그 첨가량은 합계로 2.0질량% 이하로 하는 것이 바람직하다. 한편, 이들 원소의 첨가량이 0.01질량% 미만인 경우, 첨가에 의한 효과가 발현되지 않는다.These elements are added to the Cu-Ni-Si-Mg alloy for the purpose of improving the strength, plating heat peeling resistance and the like. However, since electrical conductivity falls, it is preferable to make the addition amount into 2.0 mass% or less in total. On the other hand, when the addition amount of these elements is less than 0.01 mass%, the effect by addition is not expressed.

(실시예) (Example)

고주파 유도로를 사용하여, 내경 100㎜ 의 흑연도가니 중에서 10㎏ 의 전기구리를 용해하고, 용융구리의 온도를 1200℃ 로 조정하였다. 다음으로, 용융구리에 대하여 2.5질량% 의 Ni 및 0.5질량% 의 Si (Ni 의 질량% 에 대하여 1/5) 를 용융구리에 첨가하고, 마지막으로 소정 농도의 Mg 를 첨가하였다. 그 후, 금형에 주입하여 폭 60㎜, 두께 30㎜ 의 잉곳을 제조하였다.Using a high frequency induction furnace, 10 kg of electric copper was dissolved in a graphite crucible having an inner diameter of 100 mm, and the temperature of the molten copper was adjusted to 1200 ° C. Next, 2.5 mass% Ni and 0.5 mass% Si (1/5 with respect to mass% of Ni) were added to molten copper with respect to molten copper, and finally, Mg of predetermined concentration was added. Then, it inject | poured into the metal mold | die, and produced the ingot of width 60mm and thickness 30mm.

이상을 잉곳 제조의 기본조건으로 하고, 용탕의 목탄 피복 조건, 용탕에의 용융 플럭스 첨가의 유무, Mg 첨가에서 주입개시까지의 유지시간, Mg 첨가농도의 조건을 다음과 같이 변화시켰다.Using the above as basic conditions for ingot production, the charcoal coating conditions of the molten metal, the presence or absence of molten flux addition to the molten metal, the holding time from the addition of Mg to the start of injection, and the conditions of the Mg addition concentration were changed as follows.

(1) 목탄 피복: 전기구리 용낙(溶落) 후 (Ni 와 Si 의 첨가 전) 에, 직경 10㎜ 정도의 목탄편을 도가니 중에 첨가하여, 용탕 표면을 덮었다. 첨가한 목탄편의 개수는 15개 또는 30개로 하였다. 목탄 피복에 의해 Mg-O 의 생성이 억제된다.(1) Charcoal coating: After electric copper melting (before addition of Ni and Si), the charcoal piece about 10 mm in diameter was added to the crucible, and the molten metal surface was covered. The number of charcoal pieces added was 15 or 30 pieces. Charcoal coating suppresses the production of Mg-O.

(2) 용융 플럭스에 의한 피복: Ni 와 Si 의 첨가 후, 도가니에 20g 의 붕사 (Na2B4O7) 를 첨가하였다. 붕사는 용융하여 용탕 표면을 덮는다. 붕사가 Mg-O 를 흡수함으로써 Mg-O 의 부상 분리가 촉진된다.(2) Coating by melt flux: After addition of Ni and Si, 20 g of borax (Na 2 B 4 O 7 ) was added to the crucible. Borax melts to cover the melt surface. As borax absorbs Mg-O, floating separation of Mg-O is promoted.

(3) Mg 첨가에서 주입개시까지의 유지시간: Mg 첨가 직후에 주입하는 경우(0분), 및 Mg 첨가 직후에 3분 유지하고 나서 주입하는 경우의 2 가지의 조건으로 행하였다. 유지 중에는 용해로의 고주파의 발진을 정지하였다.(3) Holding time from the addition of Mg to the start of injection: It was carried out under two conditions: injecting immediately after Mg addition (0 minutes), and injecting after holding for 3 minutes immediately after Mg addition. During the holding, oscillation of the high frequency in the melting furnace was stopped.

(4) Mg 의 첨가량: 20g (용탕 질량에 대하여 0.2질량%) 또는 50g (용탕 질량에 대하여 0.5질량%) 의 Mg 를 첨가하였다.(4) Addition amount of Mg: 20g (0.2 mass% with respect to the molten mass) or 50g (0.5 mass% with respect to the molten mass) was added.

다음으로, 이 잉곳을 950℃ 에서 3시간 가열한 후, 두께 8㎜ 까지 열간압연하였다. 이 열연재 표면의 산화 스케일을 그라인더로 제거한 후, 판두께 0.3㎜ 까지 냉간압연하였다. 용체화 처리로서 800℃ 에서 20초간 가열하고 수중에서 급냉한 후, 화학 연마에 의해 표면 산화막을 제거하였다. 그 후, 판두께 0.15㎜ 까지 냉간압연하고, 시효 처리로서 수소 중에서 450℃ 에서 3시간 가열하였다.Next, after heating this ingot for 3 hours at 950 degreeC, it hot-rolled to thickness 8mm. After the oxidation scale of the surface of this hot rolled material was removed with a grinder, it was cold rolled to the plate thickness of 0.3 mm. After heating at 800 ° C. for 20 seconds as a solution treatment and quenching in water, the surface oxide film was removed by chemical polishing. Then, it cold-rolled to 0.15 mm of plate | board thickness, and heated at 450 degreeC in hydrogen for 3 hours as an aging treatment.

이와 같이 제작한 시료에 대하여, 다음 평가를 행하였다.The following evaluation was performed about the sample produced in this way.

(1) O 농도(1) O concentration

O 농도를 연소-적외선 흡수법으로 분석하였다.O concentrations were analyzed by combustion-infrared absorption method.

(2) Mg 농도(2) Mg concentration

Mg 농도를 ICP (고주파 플라즈마)-발광분광법으로 분석하였다.Mg concentration was analyzed by ICP (high frequency plasma) -luminescence spectroscopy.

(3) Mg-O 개재물군의 개수(3) Number of Mg-O Inclusion Groups

압연방향에 직각인 단면을 직경 1㎛ 의 다이아몬드 지립(砥粒)을 사용한 기계 연마에 의해 경면으로 마무리하고, 광학현미경을 사용하여 400배의 배율로 길이가 0.05㎜ 이상인 Mg-O 개재물군의 개수를 계측하였다. 관찰면적은 60㎟ 로 하였다. 또한, 관찰된 Mg-O 개재물군의 최대 길이는 0.16㎜ 였다. 또한, 관찰된 Mg-O 입자의 직경은 0.3∼0.8㎛ 였다. 계측한 개재물군의 성분이 Mg-O 인 것을, 그 대표적 형태의 것을 FE-SEM (전해방사형 주사전자현미경) 의 EDS (에너지 분산형 X 선 분석) 을 사용하여 분석함으로써 확인하였다.A cross section perpendicular to the rolling direction is finished by mirror polishing using diamond abrasive grains having a diameter of 1 μm, and the number of Mg-O inclusion groups having a length of 0.05 mm or more at 400 times magnification using an optical microscope. Was measured. The observation area was 60 mm 2. In addition, the maximum length of the observed Mg-O inclusion group was 0.16 mm. In addition, the diameter of the observed Mg-O particle was 0.3-0.8 micrometers. It was confirmed by analyzing the component of the measured inclusion group that it is Mg-O using the EDS (energy dispersive X-ray analysis) of FE-SEM (electrolytic radiation scanning electron microscope).

(4) 굽힘 가공성(4) bending workability

JIS-H 3110 에 준하여, 굽힘축이 압연방향과 평행하게 되는 방향 (Bad Way) 으로 W 굽힘 시험을 행하였다. 굽힘 반경은 0.15㎜ 로 하고, 시험편의 폭은 10㎜ 로 하였다. 각 시료에 대하여, 20개의 시험편의 굽힘 시험을 행하였다. 이 굽힘 시험에 의해 큰 균열이 발생하는 경우는 없었으나, 굽힘부 표면을 SEM 에서 관찰하면, 시료에 따라서는 길이가 0.1∼0.5㎜, 개구폭이 0.01㎜ 정도의 미소한 균열이 관찰되었다. 각 시료에 대하여, 20개의 시험편 중에서 길이가 0.1㎜ 이상의 균열이 관찰된 시험편의 수를 구하였다.According to JIS-H 3110, the W bending test was performed in the direction (Bad Way) in which a bending axis becomes parallel to a rolling direction. The bending radius was 0.15 mm and the width of the test piece was 10 mm. About each sample, the bending test of 20 test pieces was done. No large cracks were generated by this bending test. However, when the surface of the bent portion was observed by SEM, minute cracks of about 0.1 to 0.5 mm in length and about 0.01 mm in opening width were observed depending on the sample. About each sample, the number of test pieces in which the crack of 0.1 mm or more in length was observed among 20 test pieces was calculated | required.

(5) Ni 도금성(5) Ni plating property

폭 50㎜ 의 직사각형 형상의 시험편을 채취하고, 표면을 아세톤 탈지, 전해 탈지, 10vo1% 황산 수용액 산세척의 순서로 세정하였다. 그 후, 페놀술폰산 Ni-붕산욕을 이용하여, 두께 1.5㎛ 의 Ni 도금을 행하였다. 도금 면적은 2500㎟ 였다. 모든 시료에서 육안 레벨에서는 도금이 정상적으로 전착되어 있었으나, 광학현미경으로 확대관찰하자 시료에 따라서는 Ni 도금이 결손된 부위 (핀 홀) 가 관찰되었다. 2500㎟ 의 면적을 광학현미경을 사용하여 관찰하여, 폭이 10㎛ 이상인 핀 홀의 개수를 구하였다. 또한, 핀 홀의 폭은 핀 홀을 둘러싼 최소 원의 직경으로 하였다.A test piece having a rectangular shape of 50 mm in width was taken, and the surface was washed in the order of acetone degreasing, electrolytic degreasing, and pickling with 10vo1% sulfuric acid aqueous solution. Then, Ni plating of 1.5 micrometers in thickness was performed using the phenol sulfonic-acid Ni-boric acid bath. The plating area was 2500 mm 2. In all samples, the plating was normally electrodeposited at the naked eye level, but when observed with an optical microscope, a portion (pin hole) where Ni plating was missing was observed depending on the sample. The area of 2500 mm <2> was observed using the optical microscope, and the number of the pinholes whose width is 10 micrometers or more was calculated | required. In addition, the width of the pinhole was made into the diameter of the minimum circle | round | yen surrounding the pinhole.

표 1 에, 여러 가지의 조건으로 잉곳을 제조하였을 때의 O 농도, Mg-O 개재물군의 개수, 굽힘 및 Ni 도금 시험결과를 나타낸다.Table 1 shows the O concentration, the number of Mg-O inclusion groups, the bending, and the Ni plating test results when the ingot was manufactured under various conditions.

Figure 112005022568620-pat00001
Figure 112005022568620-pat00001

Mg-O 를 부상 분리시키기 위한 유지를 행하지 않은 경우 (No.1∼3), 목탄 피복의 조건에 관계 없이, Mg-O 개재물군의 개수가 1개/㎟ 를 초과하였다.When holding | maintenance for floating separation of Mg-O was performed (No. 1-3), the number of Mg-O inclusion groups exceeded 1 / mm <2> regardless of charcoal coating conditions.

목탄 피복을 행하여, Mg-O 를 부상 분리시키기 위한 유지를 행함으로써, (No.5∼6), Mg-O 개재물군의 개수가 1개/㎟ 이하가 되었다. 이에 더하여, 용융 플럭스로 용탕을 피복하면(No.8, 9), Mg-O 개재물군의 개수가 더욱 감소하였다.By carrying out charcoal coating and holding to separate Mg-O from flotation (Nos. 5 to 6), the number of Mg-O inclusion groups was 1 / mm 2 or less. In addition, when the molten flux was coated with the molten flux (Nos. 8 and 9), the number of Mg-O inclusion groups was further reduced.

Mg-O 를 부상 분리시키기 위한 유지를 행한 경우에도, 목탄 피복을 행하지 않으면(No.4, 7), Mg-O 개재물군의 개수가 1개/㎟ 를 초과하였다.Even in the case of holding and holding Mg-O for floating separation, the number of Mg-O inclusion groups exceeded 1 / mm 2 if charcoal coating was not performed (No. 4, 7).

0.3질량% 를 초과하는 Mg 를 첨가하면(No.10), Mg-O 를 부상 분리시키기 위한 유지, 목탄 피복 및 용융 플럭스 피복을 모두 행하더라도, Mg-O 개재물군의 개수가 1개/㎟ 를 초과하였다.If Mg exceeding 0.3 mass% is added (No. 10), the number of Mg-O inclusion groups is 1 / mm2 even if all of the fats and oils, charcoal coating, and molten flux coating for floating separation of Mg-O are carried out. Exceeded.

또한, Mg-O 개재물군의 개수와 O 농도에는 명확한 상관관계는 인정되지 않는다.In addition, there is no clear correlation between the number of Mg-O inclusion groups and the O concentration.

다음으로, Mg-O 개재물군의 개수가 1개/㎟ 이하인 경우에는 굽힘부에서의 미소 균열 및 Ni 도금의 핀 홀은 관찰되지 않았다. 그러나, Mg-O 개재물군의 개수가 1개/㎟ 를 초과하면 이들 결함이 발생하였다. Mg-O 개재물군의 개수가 증가함에 따라, 이들 결함수가 증가하였다.Next, when the number of Mg-O inclusion groups was 1 piece / mm <2> or less, the micro crack in a bending part and the pinhole of Ni plating were not observed. However, these defects occurred when the number of Mg-O inclusion groups exceeded 1 piece / mm <2>. As the number of Mg-O inclusion groups increased, the number of these defects increased.

이상의 결과는, 미세 부품용 소재로서 높은 신뢰성을 확보하기 위해서는, 목탄 피복에 의해 Mg 의 산화를 최대한 방지하고, 또한 Mg-O 를 부상 분리하기 위한 처리가 필요함을 나타내고 있다. 또한, 상기 특성을 O 농도를 지표로서 관리하기는 어렵고, Mg-O 개재물군의 분포에 관한 관리가 필요함을 나타내고 있다.The above results indicate that in order to ensure high reliability as a material for fine parts, a treatment for maximally preventing the oxidation of Mg by floating charcoal and floating the Mg-O is necessary. In addition, it is difficult to manage the above-described characteristics as an index and indicates that management of the distribution of the Mg-O inclusion group is necessary.

본 발명의 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립는 양호한 땜납 습윤성, 도금성, 굽힘 가공성을 안정적으로 나타낸다.The Cu—Ni—Si—Mg based copper alloy strip of the present invention exhibits good solder wettability, plating property, and bending workability stably.

Claims (3)

1.0∼4.5질량% 의 Ni 를 함유하고,It contains 1.0-4.5 mass% of Ni, Ni 의 질량% 에 대하여 1/6∼1/4 의 Si 를 함유하고, It contains 1 / 6-1 / 4 Si with respect to the mass% of Ni, 0.05∼0.3질량% 의 Mg 를 함유하고,It contains 0.05-0.3 mass% Mg, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 구리기 합금으로서,The balance is a copper base alloy composed of Cu and unavoidable impurities, 압연방향에 직각인 단면에 있어서 관찰되는 Mg 산화물 입자로 구성되는 개재물군 중, 길이가 0.05㎜ 이상인 개재물군의 개수가 1개/㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립.Cu-Ni-Si-Mg-based copper alloy strips, characterized in that the number of inclusion groups composed of Mg oxide particles observed in a cross section perpendicular to the rolling direction has a length of 0.05 mm or more. . 제 1 항에 있어서, Sn, P, Fe, Co, Mo, Mn, Zn 및 Ag 의 군에서 선택된 적어도 1종을 총량으로 0.01∼2.0질량% 함유하는 것을 특징으로 하는 Cu-Ni-Si-Mg 계 구리합금스트립.The Cu-Ni-Si-Mg system according to claim 1, wherein 0.01 to 2.0% by mass of at least one selected from the group consisting of Sn, P, Fe, Co, Mo, Mn, Zn and Ag is contained. Copper alloy strip. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 구리합금스트립를 가공하여 얻어지는 전자기기용 부품.The component for electronic devices obtained by processing the copper alloy strip of Claim 1 or 2.
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