KR100678455B1 - Outer Tube Separating Apparatus of Semiconductor Manufacturing Furnace - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치에 관한 것으로서, 가열로와, 상기 가열로의 내부에 설치되어 실질적인 가열공간을 형성하는 석영관과, 상기 석영관의 하부에 설치되어 상기 석영관을 고정시키는 석영관고정체와, 상기 석영관 및 석영관고정체의 사이에 설치되어 상기 석영관의 하단을 받쳐주는 석영관보호링을 구비한 반도체 제조용 반응로에 있어서, 상기 석영관고정체 및 석영관보호링의 사이에 삽입되어 상기 석영관고정체 및 석영관보호링을 서로 대칭 된 방향으로 밀어내는 해체기를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a quartz tube separating apparatus for a reaction furnace for manufacturing a semiconductor, comprising a heating furnace, a quartz tube installed inside the heating furnace to form a substantial heating space, and a quartz tube installed below the quartz tube. In the reactor for manufacturing a semiconductor having a quartz tube fixing body to be fixed and a quartz tube protective ring installed between the quartz tube and the quartz tube fixing body to support the lower end of the quartz tube, the quartz tube fixing body and the quartz tube protecting ring It is inserted between the characterized in that it comprises a disassembler for pushing the quartz tube fixing body and the quartz tube protection ring in a symmetrical direction with each other.

상술한 바와 같은 해체기를 사용함에 따라 일자드라이버를 사용하여 석영관을 분리시켰던 종래에 비해 적은 힘을 사용하여 분리시킬 수 있음은 물론 그 해체 시간을 단축시키는 이점이 있다.As described above, the use of the dismantler as described above allows the separation of the quartz tube using a flat head screwdriver using a smaller force, as well as shortening the dismantling time.

또한, 분리 동작시에 가해지는 힘에 의해 석영관 및 석영관보호링, 석영관고정체에 흠집이 가해져 재사용이 불가능하거나 또는 외부 공기가 유입되어 공정불량이 발생되는 것을 해소시키게 된다.In addition, scratches are applied to the quartz tube, the quartz tube protection ring, and the quartz tube fixing body by the force applied during the separating operation, thereby eliminating the possibility of reuse or process defects caused by the inflow of external air.

석영관, 석영관보호링, 석영관고정체, 해체기, 누름단, 들어올림단, 경사면Quartz tube, Quartz tube protection ring, Quartz tube fixture, Dismantling machine, Pushing edge, Lifting edge, Inclined surface

Description

반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치{Outer Tube Separating Apparatus of Semiconductor Manufacturing Furnace}Separating device for quartz tube in semiconductor manufacturing reactor {Outer Tube Separating Apparatus of Semiconductor Manufacturing Furnace}

도 1은 종래의 반도체 제조용 반응로의 석영관 해체 작업상태를 도시한 도면,1 is a view showing a quartz tube dismantling operation state of a conventional reactor for manufacturing semiconductors,

도 2는 본 발명에 의한 반도체 제조용 반응로의 석영관 해체 작업상태를 도시한 도면,2 is a view showing a quartz tube dismantling operation state of the reactor for manufacturing a semiconductor according to the present invention;

도3 은 본 발명에 의한 반도체 제조용 반응로의 석영관 해체기의 구성을 도시한 사시도, 3 is a perspective view showing the configuration of a quartz tube dismantling apparatus of a reaction furnace for manufacturing a semiconductor according to the present invention;

도 4는 도 3의 A-A′를 따라 도시한 측면도,4 is a side view taken along the line AA ′ of FIG. 3;

도 5는 본 발명에 의한 반도체 제조용 반응로의 석영관 해체기의 구성을 도시한 평면도,5 is a plan view showing the configuration of a quartz tube dismantling unit of the reactor for producing semiconductors according to the present invention;

도 6은 본 발명에 의한 반도체 제조용 반응로의 석영관 해체기가 삽입된 상태를 나타낸 도면,6 is a view showing a state in which the quartz tube disassembler is inserted in the reactor for manufacturing a semiconductor according to the present invention,

도 7은 본 발명에 의한 반도체 제조용 반응로의 석영관 해체기가 삽입되어 동작된 상태를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a state in which the quartz tube disassembler is inserted and operated in the reactor for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

22 : 석영관 23 : 석영관고정체 22: quartz tube 23: quartz tube fixed body                 

24 : 석영관보호링 30 : 해체기24: quartz tube protection ring 30: dismantling machine

31 : 누름단 33 : 들어올림단31: push step 33: lift step

31a,33a : 경사면 31b : 절곡부31a, 33a: slope 31b: bend

본 발명은 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치에 관한 것으로서, 개선된 분리장치를 구현함에 따라 상기 석영관의 분리작업을 효율적으로 행함과 동시에 안전하게 행할 수 있도록 하는 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a quartz tube separation device for a semiconductor production reactor, and according to an improved separation device, a quartz tube separation device for a semiconductor production reactor to perform the separation operation of the quartz tube efficiently and safely. It is about.

일반적으로, 반도체 제조에는 여러 가지 공정과 이에 따른 주설비 및 보조설비가 사용되고 있다.In general, a variety of processes and the main equipment and auxiliary equipment according to the semiconductor manufacturing is used.

이러한 여러 가지 공정 중에서 웨이퍼 산화막을 성장시키거나 전기적인 특성을 갖게 하기 위하여 붕소나 인등의 불순물 활성화 및 안정화시키기 위한 어닐링(Annealing)처리 등을 하는 공정으로 확산공정(Diffusion Process)이 있다.Among these processes, a diffusion process is an annealing process for activating and stabilizing an impurity such as boron or phosphorus in order to grow a wafer oxide film or to have electrical characteristics.

상기 확산공정을 수행하는 주설비로는 로(Furnace)가 있으며, 상기 로는 도 1에 도시된 바와 같이 구성된다.The main equipment for performing the diffusion process is a furnace (Furnace), the furnace is configured as shown in FIG.

이러한 종래의 반도체 확산설비는 도 1에 도시한 바와 같이 가열로(1)와, 상기 가열로(1)의 내측에 설치되어 실질적인 반응공간을 형성하는 석영관(3)과, 웨이퍼(W)를 적재시킨 보트(미도시)를 상하로 승·하강시키는 엘리베이터시스템(5)으로 구성된다.As shown in FIG. 1, the conventional semiconductor diffusion apparatus includes a heating furnace 1, a quartz tube 3 installed inside the heating furnace 1, and forming a substantial reaction space, and a wafer W. As shown in FIG. It consists of an elevator system 5 which raises and lowers the loaded boat (not shown) up and down.

상기 석영관(3)은 석영관보호링(7)에 의해 그 하단이 보호됨과 동시에 석영관고정체(9)에 의해 고정되며, 상기 석영관고정체(9) 및 석영관보호링(7)의 사이에는 기밀 유지를 위한 고무링(11)이 설치된다.The lower end of the quartz tube 3 is protected by a quartz tube protecting ring 7 and fixed by a quartz tube fixing body 9 between the quartz tube fixing body 9 and the quartz tube protecting ring 7. In the airtight rubber ring 11 is installed.

이와 같이 구성된 종래의 반도체 제조용 반응로는 교체주기가 되어 상기 석영관(3)을 교체할 경우 도 1에 도시한 바와 같이 가열로(1)에서 상기 석영관(3)을 아래로 이송시킨다. 그후, 일자 드라이버(13)를 삽입하여 지렛대의 원리를 이용하여 드라이버 손잡이를 누르게 되면, 그 누름력에 의해 석영관(3)이 들어올려져 석영관고정체(9)로부터 서로 분리시킨 후 석영관(3)을 해체하게 된다.In the conventional semiconductor manufacturing reactor configured as described above, when the quartz tube 3 is replaced during the replacement cycle, the quartz tube 3 is transferred downward from the heating furnace 1 as shown in FIG. 1. Then, when the screwdriver 13 is inserted and the driver handle is pressed using the principle of the lever, the quartz tube 3 is lifted by the pressing force, and the quartz tube 3 is separated from each other after being separated from the quartz tube fixing body 9. ) Will be dismantled.

그런데, 상기 가열로(1)내에서 장기간 동안 고열 속에 존재하면서 생기는 고무링(11)과의 반응으로 인해 석영관(3)과 석영관고정체(9)가 밀착하게 되고, 따라서, 일자 드라이버(13)를 삽입하여 들어올릴 때 재질이 약한 석영관보호링(7)이 변형되어 다시 사용할 경우에 틈이 생기게 되어 재사용이 불가능하다는 문제점이 있다.However, the quartz tube 3 and the quartz tube fixture 9 are in close contact with each other due to the reaction with the rubber ring 11 generated while being in a high temperature for a long time in the heating furnace 1, and thus, a flat-blade driver 13 There is a problem in that the quartz tube protection ring (7), which is weak in material, is deformed and used again when it is inserted and lifted up, so that a gap is created when it is used again.

또한, 한 손으로 일자 드라이버(13)를 삽입하고 다른 손으로 석영관(3)을 뒤로 밀어서 두 가지의 힘에 의해 석영관(3)을 분리할 수 있게 되는 데, 이때 석영관(3)을 잡은 손의 힘이 더 셀 경우 뒤로 밀려 설비와 부딪혀 석영관(3)이 깨질 위험성이 높다는 문제점이 있다.In addition, by inserting a flat-blade screwdriver 13 with one hand and pushing the quartz tube 3 back with the other hand, the quartz tube 3 can be separated by two forces. If the force of the held hand is higher, there is a problem in that the quartz tube 3 is broken by being pushed back and hitting the facility.

또한, 일자 드라이버로 석영관보호링(7) 아래부분으로 삽입하기 때문에 석영관고정체(9)의 표면에 흠집이 날 경우 다시 사용할 수 없는 문제점 있다. In addition, since the quartz tube protection ring 7 is inserted into the lower portion of the quartz tube fixing ring 9 by using a flat-blade screwdriver, the surface of the quartz tube fixing member 9 cannot be used again.                         

참고로, 상기 석영관보호링(7)이 흠집이 발생되었을 경우 외부 공기의 유입이 발생되어 공정 불량이 발생하게 된다.For reference, when the quartz tube protection ring 7 is scratched, inflow of external air is generated, resulting in process failure.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 반응로를 이루는 석영관의 분리를 용이하게 할 수 있는 해체기를 구현하여 그 해체 작업을 보다 안전하게 행함과 동시에 효율적으로 행할 수 있도록 하는 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, the reaction for semiconductor manufacturing to implement a disassembler that can facilitate the separation of the quartz tube constituting the reaction furnace to perform the disassembly work more safely and efficiently The present invention provides a separator for quartz tubes in a furnace.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 가열로와, 상기 가열로의 내부에 설치되어 실질적인 가열공간을 형성하는 석영관과, 상기 석영관의 하부에 설치되어 상기 석영관을 고정시키는 석영관고정체와, 상기 석영관 및 석영관고정체의 사이에 설치되어 상기 석영관의 하단을 받쳐주는 석영관보호링을 구비한 반도체 제조용 반응로에 있어서, 상기 석영관고정체 및 석영관보호링의 사이에 삽입되어 상기 석영관고정체 및 석영관보호링을 서로 대칭 된 방향으로 밀어내는 해체기를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a heating furnace, a quartz tube installed inside the furnace to form a substantial heating space, and a quartz tube fixing body installed below the quartz tube to fix the quartz tube. And a quartz protective ring installed between the quartz tube and the quartz tube fixing body to support a lower end of the quartz tube, wherein the quartz tube fixing ring is inserted between the quartz tube fixing body and the quartz tube protecting ring. It characterized in that it comprises a disassembler for pushing the quartz tube fixing body and the quartz tube protection ring in a symmetrical direction.

이하, 첨부된 도면 도 2내지 도 7을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings 2 to 7 will be described in more detail the configuration and operation of the present invention.

상기 도면에 도시한 바와 같이 가열로(21), 석영관(22), 석영관고정체(23), 석영관보호링(24), 고무링(25), 엘리베이터시스템(26)로 구성된 반도체 제조용 반응로(20)가 있다. As shown in the figure, a reaction for manufacturing a semiconductor comprising a heating furnace 21, a quartz tube 22, a quartz tube fixing body 23, a quartz tube protecting ring 24, a rubber ring 25, and an elevator system 26 There is a furnace 20.                     

상기한 구성은 도 1에 도시한 부분과 동일한 부분으로서 그에 대한 자세한 설명은 생략한다.The above configuration is the same as the portion shown in Figure 1, and a detailed description thereof will be omitted.

한편, 상기와 같이 구성된 반응로(20)는 교체주기가 되어 석영관(22)을 교체할 경우 상기 가열로(21)의 아래로 석영관(22)을 이송시킨 후 해체기(30)를 이용하여 상기 석영관(22)을 석영관고정체(23)로 분리시키도록 구성한다.On the other hand, the reactor 20 configured as described above is to replace the quartz tube 22 in the replacement cycle when the quartz tube 22 is transferred to the bottom of the heating furnace 21 and then using the dismantler 30 It is configured to separate the quartz tube 22 into a quartz tube fixing body (23).

상기 해체기(30)는 석영관고정체(23) 및 석영관보호링(24)의 사이에 삽입되어 상기 석영관고정체(23) 및 석영관보호링(24)을 서로 대칭 된 방향으로 밀어내도록 구성된다.The disassembler 30 is inserted between the quartz tube fixing body 23 and the quartz tube protecting ring 24 so as to push the quartz tube fixing body 23 and the quartz tube protecting ring 24 in a symmetrical direction. do.

보다 상세하게는 한쪽 끝단이 연결되도록 함과 동시에 소정의 간격을 두고 절개되어 형성된 누름단(31) 및 복수개의 들어올림단(33)으로 이루어지며, 한쪽 끝단이 연결된 상기 누름단(31) 및 들어올림단(33)의 타단부측은 소정의 각도로 경사지게 경사면(31a,33a)이 형성되어 상기 석영관보호링(24) 및 석영관고정체(23)의 사이로 쉽게 삽입되도록 구성된다.More specifically, it is composed of a pressing end 31 and a plurality of lifting ends 33 formed by cutting at a predetermined interval while allowing one end to be connected, and the pressing end 31 and one end connected to one end thereof. The other end side of the lifting end 33 is formed to be inclined at a predetermined angle inclined surfaces (31a, 33a) is configured to be easily inserted between the quartz tube protection ring 24 and the quartz tube fixing body (23).

또한, 상기 누름단(31)은 그 대략 중앙부가 상기 들어올림단(33)의 상면에 대하여 소정의 높이를 갖도록 절곡면(31b)을 형성하여 그 누름동작을 쉽게 행하도록 구성된다.In addition, the pressing end 31 is configured to form a bent surface 31b so that its central portion has a predetermined height with respect to the upper surface of the lifting end 33 so that the pressing operation is easily performed.

다음은 이와 같이 구성된 본 발명에 의한 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치의 동작원리에 대해서 설명한다.Next, a description will be given of the operation principle of the quartz tube separation apparatus of the reactor for manufacturing a semiconductor according to the present invention configured as described above.

먼저, 해체기(30)의 누름단(31) 및 들어올림단(33)의 경사면(31a,33a)을 석영관고정체(23) 및 석영관보호링(24)의 사이에 삽입한 후 한쪽 손으로는 석영관(26)을 잡는다.First, the inclined surfaces 31a and 33a of the pressing end 31 and the lifting end 33 of the dismantler 30 are inserted between the quartz tube fixing body 23 and the quartz tube protecting ring 24, and then one hand Holds the quartz tube 26.

그후, 상기 누름단(31)을 도 6에 도시한 바와 같이 화살표 B방향으로 누르고, 반대로 들어올림단(33)을 화살표 C방향으로 힘을 가하면, 도 7에 도시한 바와 같이 누름단(31)은 상기 석영관고정체(23)를 아래방향으로 누르게 되며, 들어올림단(33)은 석영관보호링(24)의 하단면을 상방향으로 들어올리게 된다.Thereafter, the pressing end 31 is pressed in the direction of arrow B as shown in FIG. 6, and when the lifting end 33 is applied in the direction of arrow C as shown in FIG. 6, the pressing end 31 is shown in FIG. 7. Press the quartz tube fixture 23 in the downward direction, the lifting end 33 is to lift the lower surface of the quartz tube protection ring 24 in the upward direction.

즉, 서로 대칭된 방향으로 누름단(31) 및 들어올림단(33)이 힘이 가해지게 되어 석영관고정체(23) 및 석영관보호링(24)을 벌어지도록하여 석영관(26)을 쉽게 분리할 수 있게 되는 것이다.That is, the pressing end 31 and the lifting end 33 are applied with force in a symmetrical direction so that the quartz tube fixing body 23 and the quartz tube protecting ring 24 are opened to easily open the quartz tube 26. It can be separated.

상기와 같이 동작되어 석영관(26)을 해체시키는 해체기(30)는 두 방향으로 작용하는 누름단(31) 및 들어올림단(33)에 의해 분리 작업을 하도록 구성됨에 따라 많은 면적을 이용하여 힘을 가하기 때문에 적은 힘으로도 분리동작을 쉽게 행할 수 있게 된다.The dismantler 30 which is operated as described above to dismantle the quartz tube 26 is configured to be separated by the pressing end 31 and the lifting end 33 acting in two directions, using a large area. Since a force is applied, the separation operation can be easily performed even with a small force.

또한, 상기 누름단(31) 및 들어올림단(33)의 전면부를 경사지게 경사면(31a,33a)을 형성시켜줌에 따라 석영관보호링(24)의 사이에 삽입될 때에 상기 석영관보호링(24)에 흠집을 내지 않고 쉽게 삽입이 이루어짐에 따라 상기 석영관보호링(24)을 재 사용할 수 있게 된다.In addition, the inclined surfaces 31a and 33a are inclined to form the front portions of the pressing end 31 and the lifting end 33 so that the quartz tube protection ring 24 is inserted between the quartz tube protection ring 24. It is possible to reuse the quartz tube protection ring 24 as it is easily inserted without scratching.

뿐만 아니라, 상기 경사면(31a,33a)의 면적이 넓게 형성되어 석영관보호링(24) 및 석영관고정체(23)에 흠집이 생기는 것을 방지하게 되는 것이다.In addition, the inclined surfaces 31a and 33a have a large area to prevent scratches on the quartz tube protection ring 24 and the quartz tube fixing body 23.

상술한 내용에 있어서, 그 힘을 가하는 방법은 상기 누름단(31)의 상면에 엄 지손가락을 데고 누르고, 검지 및 중지 손가락을 이용하여 상기 들어올림단(33)의 밑면에서 힘을 가함으로서, 상·하로 대향된 방향으로 힘을 가하게 된다.In the above description, the method of applying the force by pressing the thumb on the upper surface of the pressing end 31, by applying a force on the bottom surface of the lifting end 33 using the index finger and middle finger, The force is applied in the opposite direction.

상술한 바와 같이 본 발명은 누름단 및 들어올림단으로 구성된 해체기를 사용하여 석영관을 분리시키도록 구현함에 따라 일자드라이버를 사용하여 석영관을 분리시켰던 종래에 비해 적은 힘을 사용하여 분리시킬 수 있음은 물론 그 해체 시간을 단축시키는 이점이 있다.As described above, according to the present invention, the dismantling device composed of the push end and the lift end may be implemented to separate the quartz tube, so that the separator can be separated using less force than the conventional method of separating the quartz tube using a flat head screwdriver. Of course, there is an advantage to shorten the dismantling time.

또한, 분리 동작 시에 가해지는 힘에 의해 석영관 및 석영관보호링, 석영관고정체에 흠집이 가해져 재사용이 불가능하거나 또는 외부 공기가 유입되어 공정불량이 발생되는 것을 해소시키게 된다.In addition, scratches are applied to the quartz tube, the quartz tube protection ring, and the quartz tube fixing body by the force applied during the separating operation, thereby eliminating the process defect due to the inability to reuse or the inflow of external air.

Claims (3)

가열로와, 상기 가열로의 내부에 설치되어 실질적인 가열공간을 형성하는 석영관과, 상기 석영관의 하부에 설치되어 상기 석영관을 고정시키는 석영관고정체와, 상기 석영관 및 석영관고정체의 사이에 설치되어 상기 석영관의 하단을 받쳐주는 석영관보호링을 구비한 반도체 제조용 반응로에 있어서,Between a heating furnace, a quartz tube installed inside the heating furnace to form a substantial heating space, a quartz tube fixing body installed below the quartz tube to fix the quartz tube, and between the quartz tube and the quartz tube fixing body. In the reactor for manufacturing a semiconductor having a quartz tube protection ring installed in the support for supporting the lower end of the quartz tube, 상기 석영관고정체 및 석영관보호링의 사이에 삽입되어 상기 석영관고정체 및 석영관보호링을 서로 대칭 된 방향으로 밀어내되, 한쪽 끝단이 연결되도록 함과 동시에 소정의 간격을 두고 절개되도록 형성되는 누름단 및 복수개의 들어올림단이 마련되며 상기 한쪽 끝단이 연결된 상기 누름단 및 들어올림단의 타단부측에 소정의 각도로 경사지게 경사면을 형성하여 상기 석영관보호링 및 상기 석영관고정체로 쉽게 삽입되도록 하는 해체기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치.Inserted between the quartz tube fixing body and the quartz tube protection ring to push the quartz tube fixing body and the quartz tube protection ring in a symmetrical direction with each other, so that one end is connected and cut at predetermined intervals. A stage and a plurality of lifting ends are provided, and the inclined surface is inclined at a predetermined angle on the pressing end and the other end side of the lifting end to which one end is connected so as to be easily inserted into the quartz tube protection ring and the quartz tube fixing body. Separating device of a quartz tube in a reactor for manufacturing a semiconductor, characterized in that it comprises a disassembler. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 누름단은 그 대략 중앙부가 상기 들어올림단의 상면에 대하여 소정의 높이를 갖도록 절곡면을 형성하여 그 누름동작을 쉽게 행하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 반응로의 석영관 분리장치.And said pressing end is formed so that its center portion has a bent surface having a predetermined height with respect to the upper surface of said lifting end so that the pressing operation can be easily performed.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970049231U (en) * 1996-01-22 1997-08-12 대구도시가스주식회사 Hose separation tool for industrial equipment and valves

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970049231U (en) * 1996-01-22 1997-08-12 대구도시가스주식회사 Hose separation tool for industrial equipment and valves

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