KR100636033B1 - Apparatus for holding a gas distribution plate in ashing system - Google Patents

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Abstract

에싱 장치의 유지 보수를 용이하게 수행하기 위한 가스 분배판을 취급하는 장치가 개시되어 있다. 상기 가스 분배판을 취급하는 장치는 양측에 나란하게 설치되는 한 쌍의 지지대와, 상기 한 쌍의 지지대가 대향하는 소정 부위에 각 단부가 연결되어 상기 지지대를 나란하게 고정시키고, 외부로부터 상기 지지대의 양쪽에 가해주는 힘에 의해 플랙시블하게 움직이면서 상기 지지대 간의 이격거리를 변화시키는 고정부와, 상기 한 쌍의 지지대의 일 단부에서 연장되도록 부착되고, 상기 가스 분배판에 형성된 공동으로 삽입되어 상기 가스 분배판의 저면 아래까지 도달하고, 상기 가스 분배판의 저면과 면접하도록 하부의 소정 부위가 각각 대향하는 방향으로 돌출되는 구성을 갖는 파지부를 포함한다. 따라서 상기 파지부는 상기 가스 분배판에 형성된 공동으로 삽입되고 상기 가스 분배판 저면을 지지하여 상기 가스 분배판을 용이하게 챔버와 분리할 수 있고, 이에 따라 에싱 장치의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있다. An apparatus for handling a gas distribution plate for easily performing maintenance of an ashing device is disclosed. The apparatus for handling the gas distribution plate has a pair of supports installed side by side on both sides, and each end is connected to a predetermined portion facing the pair of supports to fix the support side by side, the support from the outside A fixed part for changing the separation distance between the supports while being flexible by the force applied to both sides, and being attached to extend from one end of the pair of supports, and inserted into a cavity formed in the gas distribution plate to distribute the gas. And a gripping portion having a configuration reaching down below the bottom of the plate and projecting a predetermined portion of the lower portion in an opposite direction so as to be interviewed with the bottom of the gas distribution plate. Accordingly, the gripping portion may be inserted into a cavity formed in the gas distribution plate and support the bottom surface of the gas distribution plate to easily separate the gas distribution plate from the chamber, thereby easily performing maintenance of the ashing device. .

Description

에싱 설비에서 가스 분배판을 취급하기 위한 장치{Apparatus for holding a gas distribution plate in ashing system}Apparatus for holding a gas distribution plate in ashing system

도 1은 가스 분배판이 설치되는 에싱 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a configuration diagram for explaining an ashing apparatus in which a gas distribution plate is installed.

도 2는 도 1에 도시한 에싱 장치에서 가스 분배판의 사시도이다. FIG. 2 is a perspective view of a gas distribution plate in the ashing device shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치를 설명하기 위한 구성도이다.3 is a block diagram illustrating an apparatus for handling a gas distribution plate of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 장치를 사용하여 가스 분배판을 취급하는 상태를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a state of handling the gas distribution plate using the apparatus of FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

32 : 지지대 34 : 고정부32: support 34: fixed part

36 : 고정 나사 38 : 파지부36: fixing screw 38: gripping portion

본 발명은 에싱 설비에서 가스 분배판(gas distribution plate)을 취급하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에싱 설비를 정기적으로 유지 보수(maintenance)할 때 상기 가스 분배판을 분리시키기 위해 사용하는 장치에 관 한 것이다.The present invention relates to an apparatus for handling a gas distribution plate in an ashing plant, and more particularly, to an apparatus for separating the gas distribution plate when the ashing plant is regularly maintained. It is about.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이에 따라 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있고, 상기 제조 기술의 발전과 더불어 제조 장치 또한 미세 제어 등이 가능한 형태로 개발하고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. Accordingly, the manufacturing technology of the semiconductor device is being developed to improve the degree of integration, reliability, and response speed, and the like, with the development of the manufacturing technology, the manufacturing device is also developed in the form of fine control.

이러한 제조 장치들은 기판 상에 막을 형성하는 막 형성 장치, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 사진 장치, 기판 상에 형성되어 있는 막을 식각하여 패턴을 형성하는 식각 장치 및 상기 포토레지스트 패턴을 모두 제거하기 위한 에싱 장치 등을 포함한다.Such manufacturing apparatuses include a film forming apparatus for forming a film on a substrate, a photo apparatus for forming a photoresist pattern on a substrate, an etching apparatus for forming a pattern by etching a film formed on a substrate, and removing all of the photoresist patterns. An ashing device, and the like.

상기 장치들 중에서 상기 에싱 장치는 플라즈마에 의해 상기 포토레지스트를 제거하거나 또는 케미걸에 침지하여 상기 포토레지스트를 제거한다. 이 중에서 상기 플라즈마에 의해 상기 포토레지스트를 제거하는 에싱 장치는, 챔버와, 상기 챔버 내에 웨이퍼를 로딩하기 위한 스테이지, 상기 챔버 내로 반응 가스를 공급하는 가스 공급부와 상기 가스를 분배하여 상기 챔버 내로 제공하는 가스 분배판이 구비된다. 상기 가스 분배판은 원판의 형태를 갖고, 상기 원판 내에는 상면에서 하면으로 관통하는 다수개의 공동을 갖는다. 따라서 상기 가스 공급부에서 공급되는 가스들이 상기 공동을 통해 상기 챔버 내로 제공된다. Among the devices, the ashing device removes the photoresist by plasma or by immersing it in a chemical. Among these, the ashing apparatus for removing the photoresist by the plasma, the chamber, a stage for loading a wafer into the chamber, a gas supply for supplying a reaction gas into the chamber and the gas to distribute the gas into the chamber A gas distribution plate is provided. The gas distribution plate has the form of a disc, and has a plurality of cavities penetrating from the top to the bottom of the disc. Thus, gases supplied from the gas supply are provided through the cavity into the chamber.

상기 에싱 장치는 일정 기간 사용한 이후에 유지 보수를 수행하여야 한다. 상기 에싱 장치의 유지 보수를 위해서는 상기 챔버 내에 장착되어 있는 상기 가스 분배판을 외부로 꺼내어, 상기 챔버와 상기 가스 분배판을 분리시키는 작업을 선행하여야 한다. 이 때 상기 가스 분배판을 꺼내는 작업은 작업자에 의해 수작업으로 이루어진다. 즉, 상기 가스 분배판의 양측으로 공간이 없으므로 상기 가스 분배판에 형성된 공동으로 긴 막대 형태의 도구나 렌치(wrench) 등을 삽입하여 꺼낸다. The ashing apparatus must perform maintenance after a certain period of use. In order to maintain the ashing apparatus, the gas distribution plate mounted in the chamber must be taken out to separate the chamber from the gas distribution plate. At this time, the operation of taking out the gas distribution plate is performed manually by an operator. That is, since there is no space on both sides of the gas distribution plate, a long rod-shaped tool or wrench is inserted into the cavity formed in the gas distribution plate and taken out.

그러나 상기 방법에 의해 상기 가스 분배판을 꺼낼 경우 작업자의 과중한 힘에 의해 상기 가스 분배판이 깨지거나 또는 작업자의 실수로 상기 가스 분배판이 낙하하는 일이 빈번히 발생되고, 이로 인해 반도체 장치의 제조 원가가 상승하는 문제점이 있다. 또한 상기 가스 분배판이 고온을 유지하고 있기 때문에 작업자는 안전 사고에 항상 노출되어 있다. 이러한 안전 사고는 작업 효율을 저하시키는 문제점이 있다.However, when the gas distribution plate is taken out by the above method, the gas distribution plate is frequently broken by the excessive force of the operator or the gas distribution plate falls by mistake of the operator, which increases the manufacturing cost of the semiconductor device. There is a problem. In addition, since the gas distribution plate maintains a high temperature, the worker is always exposed to a safety accident. Such a safety accident has a problem of lowering work efficiency.

따라서, 본 발명의 목적은 에싱 장치의 유지 보수를 용이하게 수행하기 위한 가스 분배판을 취급하는 장치를 제공하는 데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide an apparatus for handling a gas distribution plate for easily performing the maintenance of the ashing apparatus.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 챔버 내로 가스를 분배하기 위한 다수의 공동이 형성된 가스 분배판을 구비하는 에싱 장치에서 상기 가스 분배판을 취급하기 위한 장치에 있어서, 양측에 나란하게 설치되는 한 쌍의 지지대와, 상기 한 쌍의 지지대가 대향하는 소정 부위에 각 단부가 연결되어 상기 지지대를 나란하게 고정시키고, 외부로부터 상기 지지대의 양쪽에 가해주는 힘에 의해 플랙시블하 게 움직이면서 상기 지지대 간의 이격거리를 변화시키는 고정부와, 상기 한 쌍의 지지대의 일 단부에서 연장되도록 부착되고, 상기 가스 분배판에 형성된 공동으로 삽입되어 상기 가스 분배판의 저면 아래까지 도달하고, 상기 가스 분배판의 저면과 면접하도록 하부의 소정 부위가 각각 대향하는 방향으로 돌출되는 구성을 갖는 파지부를 포함하는 에싱 장치에서 가스 분배판을 취급하는 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides an apparatus for handling the gas distribution plate in an ashing apparatus having a gas distribution plate having a plurality of cavities for distributing gas into the chamber, which is installed side by side on both sides. A pair of supports and each end is connected to a predetermined portion facing the pair of supports to secure the support side by side, and the space between the supports while moving flexibly by the force applied to both sides of the support from the outside A fixed portion for changing a distance, and attached to extend from one end of the pair of supports, inserted into a cavity formed in the gas distribution plate to reach below the bottom of the gas distribution plate, and with a bottom surface of the gas distribution plate. It includes a holding portion having a configuration in which a predetermined portion of the lower portion protrudes in the opposite direction so as to interview In the ashing apparatus provides an apparatus for handling the gas distribution plate.

따라서 상기 파지부를 상기 가스 분배판의 공동으로 각각 삽입한 다음 상기 파지부의 돌출된 부위를 상기 가스 분배판의 저면과 면접시킨 다음 들어 올림으로서, 상기 가스 분배판을 용이하게 상기 챔버로부터 꺼낼 수 있다. 그러므로 상기 가스 분배판의 파손이나 깨짐 등을 최소할 수 있고, 에싱 장치의 상기 유지 보수 시간도 단축시킬 수 있다. Accordingly, the gas distribution plate can be easily taken out of the chamber by inserting the gripping portions into the cavities of the gas distribution plate, respectively, and then interviewing the raised portions of the gripping portion with the bottom of the gas distribution plate, and then lifting them up. have. Therefore, breakage or cracking of the gas distribution plate can be minimized, and the maintenance time of the ashing device can be shortened.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 가스 분배판이 설치되는 에싱 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a configuration diagram for explaining an ashing apparatus in which a gas distribution plate is installed.

도 1를 참조하면, 반응 가스의 플라즈마에 의해 포토레지스트 패턴을 제거하는 에싱 공정이 수행되는 챔버(12)가 구비된다. 상기 챔버(12)의 하부에는 상기 포토레지스트 패턴이 형성되어 있는 웨이퍼(W)가 로딩되는 스테이지(16)가 구비된다. 그리고 상기 챔버(12)의 상부에는 상기 챔버(12)내로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(20)가 연결된다. 상기 가스 공급부(20)를 통해 프라즈마 상태의 반응 가스가 챔버내로 공급된다. 그리고, 상기 가스 공급부(20)로부터 공급되는 반응 가스를 상기 웨이퍼(W)상에 분배하여 제공하기 위한 가스 분배판(14)이 구비된다. Referring to FIG. 1, a chamber 12 in which an ashing process of removing a photoresist pattern by a plasma of a reaction gas is performed is provided. The stage 16 is provided under the chamber 12 in which the wafer W on which the photoresist pattern is formed is loaded. In addition, a gas supply unit 20 for supplying a reaction gas into the chamber 12 is connected to an upper portion of the chamber 12. The reaction gas in a plasma state is supplied into the chamber through the gas supply unit 20. In addition, a gas distribution plate 14 for distributing and providing the reaction gas supplied from the gas supply unit 20 onto the wafer W is provided.                     

도 2는 도1의 에싱 장치에 구비되는 가스 분배판의 사시도이다. FIG. 2 is a perspective view of a gas distribution plate provided in the ashing device of FIG. 1.

도 2에 도시한 바와 같이, 상기 가스 분배판(14)은 원판 형태를 갖고 상면에서 하면으로 관통하는 다수개의 공동(14a)이 형성되어 있다. 상기 공동(14a)은 상기 원판 상에 균일하게 분포되어 있다. 상기 가스 분배판(14)은 상기 웨이퍼(W)가 놓여지는 스테이지(16)에서 상방으로 이격되도록 설치되는데, 구체적으로 챔버의 측벽에 지지대(18)가 구비되고, 상기 지지대(18)의 상부에 놓여지는 형태로 설치된다. 따라서 상기 가스 공급부(20)로부터 공급되는 반응 가스는 상기 가스 분배판(14)에 형성되어 있는 공동(14a)을 통해 상기 웨이퍼(W)상에 균일하게 제공된다. 상기 웨이퍼(W)로 제공되는 반응 가스에 의해 상기 웨이퍼(W)상에 형성되어 있는 포토레지스트 패턴이 제거된다. As shown in FIG. 2, the gas distribution plate 14 has a disk shape and a plurality of cavities 14a penetrating from the upper surface to the lower surface are formed. The cavity 14a is uniformly distributed on the disc. The gas distribution plate 14 is installed to be spaced apart upward from the stage 16 on which the wafer W is placed. Specifically, the gas distribution plate 14 is provided with a support 18 on the side wall of the chamber, and an upper portion of the support 18. It is installed in the form of a place. Therefore, the reaction gas supplied from the gas supply part 20 is uniformly provided on the wafer W through the cavity 14a formed in the gas distribution plate 14. The photoresist pattern formed on the wafer W is removed by the reaction gas provided to the wafer W.

상기 에싱 장치(10)를 사용하여 상기 웨이퍼(W)상에 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정을 수행하면, 정기적으로 상기 에싱 장치(10)를 유지 보수하는 작업도 수행하여야 한다. 상기 에싱 장치(10)의 유지 보수를 위한 작업을 수행할 때, 상기 가스 분배판(14)을 꺼내어 상기 챔버로부터 분리시키는 작업이 선행된다. When the process of removing the photoresist pattern on the wafer W using the ashing apparatus 10 is performed, the operation of maintaining the ashing apparatus 10 on a regular basis should also be performed. When performing the work for the maintenance of the ashing apparatus 10, the operation of taking out the gas distribution plate 14 and separating it from the chamber is preceded.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치를 설명하기 위한 구성도이다.3 is a block diagram illustrating an apparatus for handling a gas distribution plate of an ashing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치는 상기 에싱 장치의 유지 보수를 위한 작업시에 상기 에싱 장치에 포함되는 가스 분배판을 챔버로 부터 분리시키기 위한 장치이다. Referring to FIG. 3, an apparatus for handling a gas distribution plate of an ashing device is a device for separating a gas distribution plate included in the ashing device from a chamber during an operation for maintenance of the ashing device.

상기 가스 분배판을 취급하는 장치(30)는 양측에 나란하게 놓여지는 한 쌍의 지지대(32)를 구비한다. 상기 지지대(32)는 길이 방향으로 서로 대향하도록 구비한다. The device 30 for handling the gas distribution plate has a pair of supports 32 placed side by side on both sides. The support 32 is provided to face each other in the longitudinal direction.

상기 지지대(32)를 나란하게 위치하도록 고정시키는 고정부(34)가 구비된다. 즉, 상기 고정부(34)의 각 단부는 상기 한 쌍의 지지대(32)에서 서로 대향하는 소정 부위에 각각 연결되어 상기 지지대(32)를 나란하게 고정한다. 이를 위해 상기 고정부(34)는 상기 각 지지대(32)의 동일한 위치에서 상기 각 단부가 연결되고, 상기와 같이 연결되어 있는 고정부(34)는 수평을 유지한다. Fixing part 34 is provided to fix the support 32 to be positioned side by side. That is, each end of the fixing part 34 is connected to predetermined portions facing each other in the pair of supporting members 32 to fix the supporting members 32 side by side. To this end, the fixing part 34 is connected to each end at the same position of each support 32, and the fixing part 34 connected as described above is horizontal.

또한 상기 고정부(34)는 상기 지지대(32)의 양쪽으로 외부에서 힘을 가해주면, 힘에 의해 플랙시블하게 움직이면서 상기 지지대(32)간의 이격거리를 변화시킨다. 이를 위해, 상기 고정부(34)는 압축 스프링으로 형성할 수 있다. 따라서 상기 압축 스프링의 양단부를 상기 지지대(32)에서 서로 대향하는 소정 부위에 각각 연결함으로서 상기 지지대(32)를 나란히 위치하도록 하고, 힘을 가하여 상기 지지대(32)간의 이격 거리를 변화하도록 할 수 있다. In addition, when the fixing part 34 exerts a force from both sides of the support 32 from the outside, it moves flexibly by the force to change the separation distance between the support 32. To this end, the fixing part 34 may be formed of a compression spring. Therefore, by connecting both ends of the compression spring to each of the predetermined portions facing each other in the support 32, the support 32 can be positioned side by side, and a force can be applied to change the separation distance between the support 32. .

상기 고정부(34)는 상기 설명한 바와 같이 전체를 압축 스프링으로 형성하지 않고 일부분만을 압축 스프링으로 사용할 수도 있다. 즉, 도시된 바와 같이 하나의 지지대(32)와 연결되는 부분은 힘을 가해도 움직이지 않는 고정체(34a)로 형성하고, 상기 고정체(34a)와 다른 하나의 지지대(32)에 상기 압축 스프링(34b)이 장착한다. 그러면, 상기 압축 스프링(34b)이 형성된 부분이 플레시블하게 움직여서 지지대(32)간의 이격 거리를 조절할 수 있다. As described above, the fixing part 34 may use only a part of the compression spring without forming the whole of the compression spring. That is, as shown, the portion connected to one support 32 is formed of a fixture 34a that does not move even when a force is applied, and the compression is applied to the support 32 that is different from the fixture 34a. A spring 34b is mounted. Then, the portion where the compression spring 34b is formed may be moved flexibly to adjust the separation distance between the supports 32.

상기 고정부(34)는 복수개를 구비하여, 상기 지지대(32)가 흔들리지 않고 나 란하게 위치하도록 한다. 즉 상기 지지대(32)에 복수개의 고정부(34)를 연결시켜 상기 지지대(32)가 안정감 있게 서로 나란히 위치하도록 한다. The fixing part 34 is provided with a plurality, so that the support 32 is positioned side by side without shaking. That is, the support 32 is connected to the support 32 so that the support 32 is positioned side by side with stability.

상기 지지대(32)와 상기 고정부(34)는 도시된 바와 같이 상기 지지대(32)의 외측에서 내측으로 관통하는 고정 나사(36)에 의해 연결시킬 수 있다. The support 32 and the fixing portion 34 may be connected by a fixing screw 36 penetrating inward from the outside of the support 32 as shown.

상기 한 쌍의 지지대(32)의 일 단부에서 길이 방향으로 연장되도록 부착되고, 상기 가스 분배판(14)의 공동(14a)에 삽입하여 상기 가스 분배판(14)의 저면과 면접하여 상기 가스 분배판(14)을 파지하는 파지부(38)를 구비한다. The gas distribution plate is attached to extend in the longitudinal direction at one end of the pair of supports 32 and is inserted into the cavity 14a of the gas distribution plate 14 to interview the bottom surface of the gas distribution plate 14. A holding part 38 for holding the plate 14 is provided.

상기 파지부(38)는 상기 가스 분배판(14)에 형성된 공동(14a)으로 삽입할 수 있고, 상기 공동(14a)으로 삽입하였을 때 상기 가스 분배판(14)의 저면 아래까지 도달하는 크기를 갖는다. 그리고, 상기 파지부(38)의 끝부분은 상기 파지부(38)가 서로 대향하는 방향으로 돌출된다. 이를 위해 상기 파지부(38)의 끝부분이 돌출하도록 돌출부를 더 형성시키거나 또는 도시된 바와 같이, 상기 파지부(38)에서 서로 대향되는 면의 중간 부위에 각각 소정 크기의 홈(38a)을 구비하여 상기 파지부(38)의 끝부분이 돌출되는 형상을 갖도록 한다. The gripping portion 38 may be inserted into a cavity 14a formed in the gas distribution plate 14, and may have a size reaching down to the bottom of the gas distribution plate 14 when inserted into the cavity 14a. Have The end of the gripping portion 38 protrudes in a direction in which the gripping portion 38 faces each other. To this end, a protrusion is formed to further protrude so that the end of the grip portion 38 protrudes, or as illustrated, grooves 38a having a predetermined size are respectively formed in the middle portions of the surfaces facing each other in the grip portion 38. It is provided so as to have a shape that the end portion of the gripping portion 38 protrudes.

상기 파지부(38)에 돌출부를 형성할 경우에는, 상기 돌출부도 상기 가스 분배판의 공동으로 삽입될 수 있도록 상기 돌출부의 크기를 조절한다. 따라서 상기 돌출부가 걸리지 않으면서 상기 파지부(38)를 상기 가스 분배판(14)의 공동(14a)으로 삽입하고, 상기 지지대(32)간의 이격 거리를 좁혀 상기 돌출부를 상기 가스 분배판(14)의 저면과 면접한다. In the case of forming a protrusion on the gripping portion 38, the protrusion is adjusted so that the protrusion can be inserted into the cavity of the gas distribution plate. Accordingly, the gripping portion 38 is inserted into the cavity 14a of the gas distribution plate 14 without being caught by the protrusion, and the separation distance between the supports 32 is narrowed, so that the protrusion is separated from the gas distribution plate 14. Interview with the bottom of the.

상기 파지부(38)의 중간 부위에 홈(38a)을 형성시킬 경우에는, 상기 홈(38a) 의 저면의 길이는 상기 가스 분배판(14)의 측면의 높이에 비해 길도록 형성한다. 따라서 상기 홈(38a)이 형성된 파지부(38)를 상기 가스 분배판(14)의 공동(14a)으로 삽입하고 상기 지지대(32)간의 이격 거리를 좁히면, 상기 홈(38a)의 일측벽과 상기 가스 분배판(14)의 저면이 면접한다. In the case where the groove 38a is formed in the middle portion of the gripping portion 38, the length of the bottom surface of the groove 38a is formed to be longer than the height of the side surface of the gas distribution plate 14. Therefore, when the gripping portion 38 in which the groove 38a is formed is inserted into the cavity 14a of the gas distribution plate 14 and the separation distance between the supports 32 is narrowed, one side wall of the groove 38a is formed. The bottom surface of the gas distribution plate 14 is interviewed.

상기 파지부(38)는 각각의 상기 지지대(32)로부터 동일한 길이만큼 연장된다. 그리고 상기 파지부(38)에서 상기 가스 분배판(14)의 저면과 면접되는 돌출 부위는 서로 수평한 위치에 형성되어 있다. 따라서 상기 파지부(38)와 상기 가스 분배판(14)의 저면이 면접되면, 상기 가스 분배판(14)은 수평을 유지하면서 지지되어 있다. The gripping portion 38 extends from each of the supports 32 by the same length. In addition, the protruding portions that are in contact with the bottom surface of the gas distribution plate 14 in the gripping portion 38 are formed at positions horizontal to each other. Therefore, when the holding part 38 and the bottom face of the gas distribution plate 14 are interviewed, the gas distribution plate 14 is supported while keeping the level.

또한 상기 파지부(38)는 우레탄 물질로 형성된다. 이는 상기 파지부(38)가 직접 상기 가스 분배판(14)의 공동(14a)으로 삽입할 때 상기 파지부(38)에 의해 상기 가스 분배판(14)이 손상되는 것을 방지하기 위해 약간의 탄성을 갖는 우레탄 물질로 형성하는 것이다. In addition, the gripping portion 38 is formed of a urethane material. This is slightly resilient to prevent damage to the gas distribution plate 14 by the gripping portion 38 when the gripping portion 38 is inserted directly into the cavity 14a of the gas distribution plate 14. It is formed of a urethane material having.

도 4는 도 3의 장치를 사용하여 가스 분배판을 취급하는 상태를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a state of handling the gas distribution plate using the apparatus of FIG.

도 4에 도시된 도면은 에싱 장치(10)의 가스 분배판(14)을 상기에서 상술한 장치(30)를 이용하여 상기 챔버(12)로부터 분리시키는 상태를 나타내고 있다. 도시된 바와 같이, 파지부(38)의 돌출된 부위를 상기 가스 분배판(14)의 저면과 면접시킨 후에 작업자가 상부로 상기 가스 분배판을 취급하는 장치(30)를 들어올리면, 상기 가스 분배판(14)이 용이하게 분리된다. 4 shows a state in which the gas distribution plate 14 of the ashing apparatus 10 is separated from the chamber 12 using the apparatus 30 described above. As shown, after the protruding portion of the gripping portion 38 is interviewed with the bottom surface of the gas distribution plate 14, the operator lifts the device 30 for handling the gas distribution plate upwards. The plate 14 is easily separated.                     

상기 장치(30)를 사용하여 상기 가스 분배판(14)을 꺼내어 챔버(12)와 분리시키는 방법은 다음과 같다. The method of removing the gas distribution plate 14 from the chamber 12 using the apparatus 30 is as follows.

상기 가스 분배판(14)은 챔버(12)의 측벽에 구비되는 지지대(18)의 상부면에 놓여져있다. 상기 놓여 있는 가스 분배판(14)에 형성되어 있는 다수개의 공동(14a) 중에서 일정 거리만큼 이격되어 있는 2개의 공동(14a)을 선택하고, 상기 선택한 2개의 공동(14a)으로 상기 장치(30)의 파지부(38)를 각각 삽입시킨다. 이 때 상기 장치(30)에 구비되는 파지부(38)가 이격되어 있는 거리를 고려하여, 상기 가스 분배판(14)에서 적당한 위치의 공동(14a)을 선택하여 삽입한다. The gas distribution plate 14 is placed on the upper surface of the support 18 provided on the side wall of the chamber 12. Among the plurality of cavities 14a formed in the lying gas distribution plate 14, two cavities 14a spaced by a predetermined distance are selected, and the device 30 is selected by the selected two cavities 14a. The gripping portion 38 of each is inserted. At this time, in consideration of the distance between the gripping portion 38 provided in the device 30, the cavity 14a at an appropriate position is selected and inserted in the gas distribution plate 14.

상기 파지부(38)가 상기 가스 분배판(14)의 공동(14a)으로 완전히 삽입되면, 상기 파지부(38)의 돌출된 부위와 상기 가스 분배판(14)의 저면이 면접하도록 상기 각각의 지지대(32)를 내측으로 잡아당겨 상기 지지대(32)간의 이격 거리를 좁힌다. When the gripping portion 38 is fully inserted into the cavity 14a of the gas distribution plate 14, the protruding portion of the gripping portion 38 and the bottom surface of the gas distribution plate 14 are interviewed. The support 32 is pulled inward to narrow the separation distance between the supports 32.

상기 파지부(38)의 돌출된 부위와 상기 가스 분배판(14)의 저면이 면접하도록 상기 지지대(32)를 잡아당긴 상태에서 상기 지지대(32)를 상부로 끌어올린다. 그러면, 상기 가스 분배판(14)은 상기 파지부(38)의 돌출된 부위에 의해 저면이 지지된 상태로 끌어 올려져서 상기 챔버(12)와 분리된다.The support 32 is pulled upward while the protruding portion of the gripping portion 38 and the bottom surface of the gas distribution plate 14 are pulled out to be interviewed. Then, the gas distribution plate 14 is pulled up with the bottom surface supported by the protruding portion of the gripping portion 38 to be separated from the chamber 12.

이 때 상기 가스 분배판에 가해지는 힘이 편중되지 않기 때문에 상기 가스 분배판은 수평을 유지하면서 끌어올려지게 되고, 이에 따라 종래에 빈번히 발생되었던 가스 분배판의 손상이나 깨짐을 최소화할 수 있다. At this time, since the force applied to the gas distribution plate is not biased, the gas distribution plate is pulled up while maintaining horizontality, thereby minimizing damage or breakage of the gas distribution plate which has been frequently generated in the past.

따라서, 본 발명에 의하면 상기 장치를 사용하여 에싱 장치의 가스 분배판을 챔버로부터 용이하게 분리할 수 있어서 상기 에싱 장치의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있다. 또한 상기 가스 분배판의 손상이나 깨짐 등이 최소화되어 반도체 장치의 제조 원가를 감소시키는 효과를 기대할 수 있다. 상기 장치를 사용할 경우 가스 분배판을 분리하는 시간을 단축하여, 상기 에싱 장치의 유지 보수를 위한 작업 시간이 단축되는 효과를 가져올 수 있어 반도체 장치의 제조에 따른 생산성의 기대할 수 있다. Therefore, according to the present invention, the gas distribution plate of the ashing apparatus can be easily separated from the chamber using the apparatus, so that the maintenance of the ashing apparatus can be easily performed. In addition, damage or cracking of the gas distribution plate may be minimized, thereby reducing the manufacturing cost of the semiconductor device. When the device is used, it is possible to shorten the time for separating the gas distribution plate, thereby reducing the working time for the maintenance of the ashing device, thereby increasing the productivity of the semiconductor device.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

Claims (6)

챔버 내로 가스를 분배하기 위한 다수의 공동이 형성된 가스 분배판을 구비하는 에싱 장치에서 상기 가스 분배판을 취급하기 위한 장치에 있어서, An apparatus for handling said gas distribution plate in an ashing apparatus having a gas distribution plate having a plurality of cavities formed therein for distributing gas into the chamber, 양측에 나란하게 설치되는 한 쌍의 지지대;A pair of supports installed side by side on both sides; 상기 한 쌍의 지지대가 서로 대향하는 소정 부위에 각 단부가 연결되어 상기 지지대를 나란하게 고정시키고, 외부로부터 상기 지지대의 양쪽에 가해주는 힘에 의해 플랙시블하게 움직이면서 상기 지지대 간의 이격거리를 변화시키는 고정부; 및Each end of the pair of supports is connected to a predetermined portion facing each other to fix the support side by side, while moving flexibly by the force applied to both sides of the support from the outside to change the separation distance between the support government; And 상기 한 쌍의 지지대의 일 단부에서 연장되도록 부착되고, 상기 가스 분배판에 형성된 공동으로 삽입되어 상기 가스 분배판의 저면 아래까지 도달하는 크기를 갖고, 끝부분은 서로 대향하는 방향으로 돌출되는 구성을 갖는 파지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치. It is attached so as to extend from one end of the pair of supports, is inserted into the cavity formed in the gas distribution plate has a size reaching down to the bottom of the gas distribution plate, the ends protrude in a direction facing each other And a gripping portion having a gas distribution plate. 제1항에 있어서, 상기 고정부는 전체가 압축 스프링으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치. The apparatus of claim 1, wherein the fixing part is entirely formed of a compression spring. 제1항에 있어서, 상기 고정부는 하나의 지지대와 연결되는 부분은 유동하지 않는 고정체로 구성되고, 상기 고정체 및 다른 하나의 지지대와 연결되는 부분은 압축 스프링으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하 는 장치.The ashing apparatus of claim 1, wherein the fixing portion is formed of a fixture that does not flow, and the portion connected to the fixture and the other support is formed of a compression spring. Device for handling gas distribution plates. 제1항에 있어서, 상기 고정부는 상기 각각의 지지대 상에 복수개를 구비하는 것을 특징으로 하는 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치.An apparatus for handling a gas distribution plate of an ashing apparatus according to claim 1, wherein said fixing portion is provided with a plurality on said support. 제1항에 있어서, 상기 파지부는 우레탄 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 에싱 장치의 가스 분배판을 취급하는 장치.The apparatus of claim 1, wherein the gripping portion is formed of a urethane material. 제1항에 있어서, 상기 파지부는 각각의 상기 지지대로부터 동일한 길이만큼 연장되고, 상기 지지대에서 돌출되는 부위는 서로 수평한 위치에 설치하는 것을 특징으로 하는 에싱 장치에서의 가스 분배판을 취급하는 장치. An apparatus for handling a gas distribution plate in an ashing apparatus according to claim 1, wherein the gripping portion extends from each of the supports by the same length, and the portions protruding from the supports are installed in horizontal positions with each other.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100211654B1 (en) * 1996-06-05 1999-08-02 윤종용 Gas distribution plate of dry etching apparatus of semiconductor
KR19990076006A (en) * 1998-03-26 1999-10-15 윤종용 Etching Device for Semiconductor Device Manufacturing
KR20010000132U (en) * 1999-06-03 2001-01-05 박재성 Forceps for the valve stem of the Automobile Engine

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100211654B1 (en) * 1996-06-05 1999-08-02 윤종용 Gas distribution plate of dry etching apparatus of semiconductor
KR19990076006A (en) * 1998-03-26 1999-10-15 윤종용 Etching Device for Semiconductor Device Manufacturing
KR20010000132U (en) * 1999-06-03 2001-01-05 박재성 Forceps for the valve stem of the Automobile Engine

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