KR100674938B1 - 멀티칩 테스트용 프로브 카드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 멀티칩 테스트용 프로브 카드에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들 중 일부를 동시에 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배열되며, 전체적인 모양이 상기 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들의 전체적인 모양과 유사하도록 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며, 상기 프로브 블록들의 전체적인 모양을 구성하는 다수개의 변들 중에서 2개의 변들의 길이가 상기 반도체 칩들의 전체적인 모양을 구성하는 다수개의 변들 중에서 대응되는 2변들의 길이보다 짧게 구성됨으로써, 웨이퍼에 대한 테스트 시간이 대폭적으로 감소된다.

Description

멀티칩 테스트용 프로브 카드{Probe card for testing multi-chips}
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 종래의 멀티칩 테스트용 프로브 카드의 평면도이다.
도 2는 반도체 칩들이 형성된 웨이퍼의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 프로브 카드를 이용하여 도 2에 도시된 웨이퍼를 테스트할 때 프로브 카드의 프로브 니들들에 접속되는 반도체 칩들의 범위를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티칩 테스트용 프로브 카드의 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 프로브 카드의 측면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 프로브 카드를 이용하여 도 2에 도시된 웨이퍼를 테스트할 때 프로브 카드의 프로브 니들들에 접속되는 반도체 칩들의 범위를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 4에 도시된 프로브 카드를 이용하여 도 2에 도시된 웨이퍼를 테스트하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101,401; 프로브 카드들, 111,411; 회로 기판들
121,421; 고정판들, 131,431; 프로브 에어리어들
141,441; 프로브 블록들, 151,451; 프로브 니들들
211; 웨이퍼, 221; 반도체 칩
511; 체결 수단들, 711; 테스트 장비
721; 테스트 헤드, 731; 프로브 카드 홀더
741; 프로브 스테이션, 751; 척
본 발명은 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하는 프로브 카드(probe card)에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들 중 일부를 동시에 테스트함으로써 테스트 타임을 감소시키는 멀티칩(multi-chip) 테스트용 프로브 카드에 관한 것이다.
웨이퍼 상에 반도체 칩들의 제조가 완료되면, 패키징(packaging) 작업의 전 단계로서, 웨이퍼 상태에서 상기 반도체 칩들의 전기적 특성을 테스트하는 EDS(Electrical Die Sort; 이하, EDS로 약칭) 테스트가 수행된다. EDS 테스트를 수행하기 위해서는 테스트 장비로부터 전기 신호를 받아서 상기 반도체 칩들에 전달하는 프로브 카드가 있어야 한다. 최근에는 EDS 테스트 타임을 줄이기 위해 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들 중 일부 또는 전부를 동시에 테스트하는 기술 이 개발되었으며, 그 중에 하나가 멀티칩 테스트용 프로브 카드이다.
도 1은 종래의 멀티칩 테스트용 프로브 카드의 평면도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 프로브 카드(101)는 회로 기판(111), 고정판, 다수개의 프로브 블록(121)들 및 다수개의 프로브 니들(131)들을 구비한다.
회로 기판(111)에는 다수개의 콘택 패드(113)들과 프로브 에어리어(probe area)(131)가 형성되어 있다. 회로 기판(111)은 고정판(121)에 의해 고정된다.
프로브 에어리어(131) 내에는 다수개의 프로브 블록(141)들이 동일한 모양으로 인접하여 구성되어 있다.
프로브 블록(141)들에는 프로브 니들(151)들이 설치되어 있다. 하나의 프로브 블록(141)에 설치된 프로브 니들(151)들은 웨이퍼(도 211)에 형성된 반도체 칩(221)들의 패드들(미도시)에 대응되도록 구성된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 프로브 블록(121)들의 전체 모양은 사각형을 이루고 있다.
도 2는 반도체 칩들이 형성된 웨이퍼의 평면도이다. 도 2를 참조하면, 웨이퍼(211)에는 다수개의 반도체 칩(221)들이 형성되어 있다. 반도체 칩(221)들의 크기에 따라 하나의 웨이퍼(211)에 형성되는 반도체 칩(221)들의 수가 달라진다.
일 예로, 웨이퍼(211)의 직경이 8인치이고, 반도체 칩(221)의 크기가 X(9,100[㎛])×Y(16,040[㎛])인 플래시 메모리 칩이라고 하면, 웨이퍼(211)에는 175개의 반도체 칩(221)들이 형성된다.
여기서, 도 1에 도시된 프로브 카드(101)의 프로브 에어리어(131)의 사이즈 가 X(16[㎝])×Y(16[㎝])라고 할 때, 8인치 웨이퍼(211)에 형성된 175개의 반도체 칩(221)들에 대해 EDS 테스트를 수행하기 위해서는 프로브 카드(101)에는 아래 수학식 1에 의하여 128개의 프로브 블록(141)들이 설치된다.
X×Y = 16×8 = 128 (개)
이와 같이, 16[㎝]×16[㎝] 크기의 프로브 에어리어(131)를 갖는 프로브 카드(101)로는 175개의 반도체 칩(221)들이 형성된 8인치 웨이퍼(211)를 한번에 테스트할 수가 없다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 3번(311,321,331)에 걸쳐 EDS 테스트를 수행할 수밖에 없다. 이 때, 하나의 반도체 칩(221)을 EDS 테스트하는데 걸리는 시간이 1시간이라고 가정하면, 웨이퍼(211)를 한번 EDS 테스트하는데 걸리는 시간도 역시 1시간이다. 그러므로, 하나의 웨이퍼(211)를 3번 EDS 테스트하는데 걸리는 전체 시간은 3시간이다.
이와 같이, 종래의 멀티칩 테스트용 프로브 카드(101)를 사용하여 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(221)들을 EDS 테스트할 경우, 여러번에 걸쳐서 EDS 테스트를 수행해야함으로 EDS 테스트 타임이 매우 길어진다. 특히, 반도체 칩(221)의 사이즈가 커서 반도체 칩(221)의 EDS 테스트 타임이 긴 경우에는 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(221)들 전체를 EDS 테스트하는데 걸리는 훨씬 더 길어질 수밖에 없다.
따라서, 웨이퍼(211)에 대한 EDS 테스트 타임을 줄일 수 있다면, 이는 곧 대 폭적인 생산성 향상을 가져오게 될 것이며, 그 결과, 수익률은 매우 높아지게 될 것이다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 반도체 칩들이 형성된 웨이퍼의 EDS 테스트 타임을 감소시키기 위한 멀티칩 테스트용 프로브 카드를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은
웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배열되며, 전체적인 모양이 상기 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들의 전체적인 모양과 유사하도록 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며, 상기 프로브 블록들의 전체적인 모양을 구성하는 다수개의 변들 중에서 2개의 변들의 길이가 상기 반도체 칩들의 전체적인 모양을 구성하는 다수개의 변들 중에서 대응되는 2변들의 길이보다 짧은 멀티칩 테스트용 프로브 카드를 제공한다.
바람직하기는, 상기 프로브 블록들의 전체 모양과 상기 반도체 칩들의 전체 모양은 모두 8각형을 이루며, 상기 기판은 상기 니들들을 외부 시스템과 연결시키기 위한 회로가 구성된 인쇄 회로 기판을 구비한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 또한,
웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 길이보다 짧은 멀티칩 테스트용 프로브 카드를 제공한다.
바람직하기는, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성되며, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양과 유사하게 구성된다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 또한,
웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 길이보다 짧은 멀티칩 테스트용 프로브 카드를 제공한다.
바람직하기는, 제7항에 있어서, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성되며, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양과 유사하게 구성된다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 또한,
웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성되고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하 변들의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하 변들의 길이보다 짧은 멀티칩 테스트용 프로브 카드를 제공한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 또한,
웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및 상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성되고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌우 변들의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌우 변들의 길이보다 짧은 멀티칩 테스트용 프로브 카드를 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티칩 테스트용 프로브 카드의 평면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 프로브 카드의 측면을 개략적으로 보여준다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 프로브 카드(401)는 기판(411), 고정판(421), 프로브 블록(441)들 및 프로브 니들(451)들을 구비한다.
기판(411)은 체결 수단들(511)에 의해 고정판(421)과 결합된다. 고정판(421)은 기판(411)이 휘지 않도록 고정시킨다. 기판(411)에는 콘택 패드(contact pad)(413)들과 프로브 니들(451)들이 형성되어 있다. 기판(411)은 콘택 패드(413)들과 프로브 니들(451)들을 전기적으로 연결시키는 회로가 구성된 인쇄 회로 기판(printed circuit board)으로 구성하는 것이 바람직하다. 콘택 패드(413)들은 프로브 니들(451)들을 테스트 장비(도 7의 711)에 전기적으로 연결시킬 때 사용된다. 상기 회로는 기판(411)의 양면 또는 일면에 구성된다. 또한, 기판(411)은 상기 회로가 구성된 다수개의 기판들이 적층되어 구성될 수도 있다. 이와 같이, 기판(411)은 다양한 형태로 구성될 수 있으며, 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 얼마든지 변형 제작이 가능하다.
도 4에 도시된 바와 같이, 프로브 블록(441)들의 전체적인 모양은 웨이퍼(도 2의 211)에 형성된 반도체 칩(도 2의 221)들의 전체적인 모양과 유사하도록 구성된다. 즉, 프로브 블록(441)들의 전체적인 모양은 변형된 8각형으로 이루어져 있으 며, 이것은, 웨이퍼(도2의 211)에 형성된 반도체 칩(도 2의 221)들의 전체적인 모양이 변형된 8각형으로 이루어져 있는 것과 유사하다. 구체적으로, 프로브 블록(441)들의 상하좌우 변들(461∼464)은 직선으로 구성되어 있는데, 이는 반도체 칩(도 2의 221)들의 상하좌우 변들(261∼264)이 직선으로 구성되어 있는 것과 동일하다. 또한, 프로브 블록(441)들의 좌상 변(471)과 우하 변(472)의 모양은 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 좌상 변(271)과 우하 변(272)의 모양과 일치한다. 그러나, 프로브 블록(441)들의 좌하 변(473)과 우상 변(474)의 모양은 도 2에 도시된 반도체 칩(2210들의 좌하 변(273)과 우상 변(274)의 모양과 유사하기는 하지만 동일하지는 않는다.
다른 실시예로서, 프로브 블록(441)들의 상하좌우 변들(461∼464)은 직선으로 구성되고, 프로브 블록(441)들의 좌하 변(473)과 우상 변(474)의 모양은 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 좌하 변(273)과 우상 변(274)의 모양과 동일하게 구성되며, 프로브 블록(441)들의 좌상 변(471)과 우하 변(472)의 모양은 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 좌상 변(271)과 우하 변(272)의 모양과 유사하게 구성될 수 있다.
또 다른 실시예로서, 프로브 블록(441)들의 상하좌우 변들(461∼464)은 직선으로 구성되고, 프로브 블록(441)들의 좌상 변(471), 우하 변(472), 좌하 변(473) 및 우상 변(474)의 모양은 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 좌상 변(271), 우하 변(272), 좌하 변(273) 및 우상 변(274)의 모양과 동일하게 구성되며, 다만, 프로브 블록(441)들의 상하 변들(461,462)의 길이는 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 상하 변들(261,262)의 길이보다 짧게 구성될 수 있다.
또 다른 실시예로서, 프로브 블록(441)들의 상하좌우 변들(461∼464)은 직선으로 구성되고, 프로브 블록(441)들의 좌상 변(471), 우하 변(472), 좌하 변(473) 및 우상 변(474)의 모양은 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 좌상 변(271), 우하 변(272), 좌하 변(273) 및 우상 변(274)의 모양과 동일하게 구성되며, 다만, 프로브 블록(441)들의 좌우 변들(463,464)의 길이는 도 2에 도시된 반도체 칩(221)들의 좌우 변들(263,264)의 길이보다 짧게 구성될 수 있다.
이들로 인한 효과는 모두 동일하다.
프로브 니들(451)들은 프로브 블록(441)들 내에 설치된다. 프로브 블록(441)들 각각에 설치된 프로브 니들(451)들은 반도체 칩(도 2의 221)들 각각에 형성된 패드들(미도시)에 대응하도록 배열된다. 즉, 프로브 블록(441) 내에 설치된 다수개의 프로브 니들(451)들의 배열 형태는 반도체 칩(도 2의 221)에 형성된 다수개의 패드들의 배열 형태와 동일하게 구성된다. 예컨대, 반도체 칩(도 2의 221)들 각각에 형성된 패드들이 좌측과 우측에 각각 일렬로 배열되어 있을 경우, 프로브 니들(451)들도 이에 대응하도록 프로브 블록(441)들 각각의 좌측과 우측에 일렬로 배열된다. 이 때, 프로브 블록(441) 내에 설치된 다수개의 프로브 니들(451)들의 수는 반도체 칩(도 2의 221)에 형성된 다수개의 패드들의 수와 같거나 그보다 많게 형성된다.
도 6은 도 4에 도시된 프로브 카드(401)를 이용하여 웨이퍼(도 2의 211)를 테스트할 때 프로브 카드(401)의 프로브 니들(451)들에 접속되는 반도체 칩(도 2의 221)들의 범위를 설명하기 위한 도면이다. 도 2 및 도 4 내지 도 6을 참조하여 프로브 카드(401)를 이용한 반도체 칩(221)들의 EDS 테스트 방법에 관해 설명하기로 한다.
웨이퍼(211)의 직경이 8인치이고, 반도체 칩(221)의 크기가 X(9,100[㎛])×Y(16,040[㎛])라고 하면, 웨이퍼(211)에는 175개의 반도체 칩(221)들이 형성된다.
이 때, 프로브 카드(401)의 프로브 에어리어(431)의 사이즈가 X(16[㎝])×Y(16[㎝])라고 할 때, 프로브 에어리어(431)에는 125개의 프로브 블록(441)들이 구성될 수가 있다. 구체적으로, 프로브 에어리어(431)의 X축으로 17개의 프로브 블록(441)들을 배열하고, 프로브 에어리어(431)의 Y축으로는 9개의 프로브 블록(441)들을 배열한다. 이렇게 하더라도, 프로브 블록(441)들은 프로브 에어리어(431)를 벗어나지 않는다. 즉, 아래 수학식 2 및 수학식 3에 의하여 프로브 블록(441)들은 (16[㎝]×16[㎝])의 사이즈를 갖는 프로브 에어리어(431)에 모두 포함된다.
17×0.91[㎝] = 15.47[㎝]
9×1.604[㎝] = 14.436[㎝]
수학식 2의 0.91[㎝]와 수학식 3의 1.604[㎝]는 각각 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(221)의 X축과 Y축의 길이를 나타낸다.
이와 같이, 프로브 에어리어(431) 내에 구성된 프로브 블록(441)들의 모양이 변형된 8각형을 이루고 있기 때문에 프로브 블록(441)들의 숫자는 125개밖에 되지 않는다. 이는 종래의 프로브 에어리어(131)에 구성된 128개의 프로브 블록(441)들의 숫자보다 적다. 또한, 프로브 블록(441)들의 전체 갯수는 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(221)들의 전체 갯수보다 적다. 따라서, 프로브 카드(401)로는 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(221)들을 한번에 EDS 테스트할 수가 없다.
그러나, 본 발명에 따른 프로브 카드(401)는 프로브 블록(441)들의 전체 모양이 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(221)들의 전체 모양과 유사하기 때문에 도 6에 도시된 바와 같은 테스트 방법에 의해 2번(611,621)만에 웨이퍼(211)에 대한 EDS 테스트가 완료된다.
만일, 하나의 반도체 칩(221)을 EDS 테스트하는데 걸리는 시간이 1시간이라고 가정할 때, 하나의 웨이퍼(211)를 한번 EDS 테스트하는데 걸리는 시간도 역시 1시간이다. 따라서, 하나의 웨이퍼(211)에 대해 2번 EDS 테스트하는데 걸리는 전체 시간은 2시간이다.
이와 같이, 결과적으로, 하나의 웨이퍼(211)를 EDS 테스트할 때, 종래의 프로브 카드(101)를 이용할 경우에는 3시간이 걸리지만, 본 발명에 따른 프로브 카드(101)를 이용할 경우에는 2시간밖에 걸리지 않는다. 결과적으로, 본 발명에 따르면, 하나의 웨이퍼(211)를 EDS 테스트하는데 걸리는 시간이 33.3% 절약된다. 이것은 곧 생산성이 33.3% 증가되는 것이므로, 이로 인한 수익성은 대잔히 높아지게 된다.
현재 사용되는 프로브 카드는 프로브 에어리어의 사이즈에 따라 PA85(8.5[㎝]×8.5[㎝]), PA120(12[㎝]×12[㎝]), PA160(16[㎝]×16[㎝]), PA200(20[㎝]× 20[㎝]) 등으로 구분되며, 이들 모두에 본 발명이 적용될 수가 있다.
도 7은 도 4에 도시된 프로브 카드(401)를 이용하여 도 2에 도시된 웨이퍼(211)를 EDS 테스트하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 7을 참조하면, EDS 테스트를 수행하기 위해서는, 먼저, 프로브 스테이션(741)에 설치된 척(chuck)(751) 위에 웨이퍼(211)를 올려놓고, 케이블(713)을 통해 테스트 장비(711)에 연결된 테스트 헤드(723)의 포고 핀들(723)에 프로브 카드 홀더(731)에 장착된 프로브 카드(401)를 결합시킨다. 이어서, 프로브 카드(401)를 아래로 이동시켜서 프로브 니들(451)들을 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(도2의 221)들의 패드들에 접촉시킨다. 이 상태에서, 테스트 장비(711)는 전기 신호를 프로브 니들(451)들을 통해서 반도체 칩(도 2의 221)들에 인가하여, 반도체 칩(도 2의 221)들의 성능을 테스트한다. 이 때, 성능이 불량인 반도체 칩이 발견되면 이에 소정의 표시를 하여 상기 반도체 칩에 대해서는 패키징 작업이 이루어지지 않도록 하여 손실을 방지한다.
도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었으며, 여기서 사용된 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능할 것이므로, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 프로브 블록(441)들의 전체적인 모양이 웨이퍼(211)에 형성된 반도체 칩(211)들의 전체적인 모양과 유사하도록 구성됨으로써, 웨이퍼(211)에 대한 EDS 테스트 타임이 대폭적으로 감소된다. 따라서, 웨이퍼(211)의 생산성이 대폭적으로 향상되어 수익이 크게 늘어난다.

Claims (11)

  1. 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배열되며, 전체적인 모양이 상기 웨이퍼에 형성된 반도체 칩들의 전체적인 모양과 유사하도록 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및
    상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며,
    상기 프로브 블록들의 전체적인 모양을 구성하는 다수개의 변들 중에서 2개의 변들의 길이가 상기 반도체 칩들의 전체적인 모양을 구성하는 다수개의 변들 중에서 대응되는 2변들의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로브 블록들의 전체 모양과 상기 반도체 칩들의 전체 모양은 모두 8각형을 이루는 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 상기 니들들을 외부 시스템과 연결시키기 위한 회로가 구성된 인쇄 회로 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  4. 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및
    상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며,
    상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  5. 제4항에 있어서, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성된 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  6. 제4항에 있어서, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양과 유사하게 구성 된 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  7. 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및
    상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며,
    상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌하 변과 우상 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  8. 제7항에 있어서, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성된 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  9. 제7항에 있어서, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변의 모양과 유사하게 구성된 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  10. 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및
    상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며,
    상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성되고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하 변들의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하 변들의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
  11. 웨이퍼에 형성된 다수개의 반도체 칩들을 테스트하기 위한 프로브 카드에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배열된 다수개의 프로브 블록들; 및
    상기 프로브 블록들 내에 설치되며, 상기 반도체 칩들에 형성된 다수개의 패드들에 대응하도록 배열된 다수개의 프로브 니들들을 구비하며,
    상기 프로브 블록들의 전체 모양의 상하좌우 변들과 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 상하좌우 변들은 모두 직선으로 구성되고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양은 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌상 변과 우하 변과 좌하 변 및 우상 변의 모양과 동일하고, 상기 프로브 블록들의 전체 모양의 좌우 변들의 길이는 상기 반도체 칩들의 전체 모양의 좌우 변들의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 멀티칩 테스트용 프로브 카드.
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