KR100673758B1 - Donor film with out-gas trapping layer and the manufacturing method thereof - Google Patents
Donor film with out-gas trapping layer and the manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR100673758B1 KR100673758B1 KR1020050085410A KR20050085410A KR100673758B1 KR 100673758 B1 KR100673758 B1 KR 100673758B1 KR 1020050085410 A KR1020050085410 A KR 1020050085410A KR 20050085410 A KR20050085410 A KR 20050085410A KR 100673758 B1 KR100673758 B1 KR 100673758B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- degas
- degassing
- collection
- donor film
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래기술에 따른 유기막층을 형성하기 위한 레이저 전사용 도너 필름의 단면도,1 is a cross-sectional view of a donor film for laser transfer for forming an organic film layer according to the prior art,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름의 단면도,2 is a cross-sectional view of the donor film having a degassing collecting unit according to a preferred embodiment of the present invention,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름의 단면도.3 is a cross-sectional view of a donor film provided with a degassing collecting unit according to another embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
1, 3, 5... 도너 필름, 11, 31, 51...기재층,1, 3, 5 ... donor film, 11, 31, 51 ... substrate layer,
13, 33, 53...광-열 변환층, 34... 탈가스 포집층,13, 33, 53 ... light-to-heat conversion layer, 34 ... degassing layer,
15, 35, 55...전사층, P... 기공. 15, 35, 55 ... warrior layer, P ... pore.
본 발명은 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 전사공정 시에 발생되는 탈가스를 자체적으로 포집하여 이 탈 가스의 전사층에 끼치는 영향이 방지되도록 된 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a donor film provided with a degassing collecting unit and a method of manufacturing the same, and more particularly, desorption which is trapped by degassing generated during the transfer process by itself to prevent the influence of the degassing on the transfer layer. The present invention relates to a donor film provided with a gas collecting part and a method of manufacturing the same.
일반적으로, 유기전계 발광표시소자는 절연기판 상에 하부전극인 애노드전극이 형성되고, 애노드전극 상에 유기박막층이 형성되며, 유기박막층 상에 상부전극인 캐소드전극이 형성된다. 유기박막층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 적어도 하나를 포함한다.In general, in the organic light emitting display device, an anode electrode, which is a lower electrode, is formed on an insulating substrate, an organic thin film layer is formed on an anode electrode, and a cathode electrode, which is an upper electrode, is formed on an organic thin film layer. The organic thin film layer includes at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
유기박막층을 형성하는 방법으로는 증착법과 리소그라피법이 있다. 증착법은 새도우 마스크를 이용하여 유기발광물질을 진공증착하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 마스크의 변형 등에 의해 고정세의 미세패턴을 형성하기 어렵고, 대면적 표시장치에 적용하기 어렵다. 리소그라피법은 유기발광물질을 증착한 다음 포토레지스트를 이용해 패터닝하여 유기막층을 형성하는 방법으로, 고정세의 미세패턴을 형성하는 것은 가능하지만, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상액 또는 유기발광물질의 식각액 등에 의해 유기막층의 특성이 저하되는 문제점이 있다.As a method of forming the organic thin film layer, there are a vapor deposition method and a lithography method. The vapor deposition method is a method of forming an organic film layer by vacuum deposition of an organic light emitting material using a shadow mask, it is difficult to form a high-definition fine pattern by deformation of the mask, it is difficult to apply to a large-area display device. The lithography method is a method of forming an organic layer by depositing an organic light emitting material and then patterning the photoresist using a photoresist, but it is possible to form a high-definition fine pattern, but it is a developer or an etching solution of an organic light emitting material to form a photoresist pattern. There is a problem that the characteristics of the organic film layer are deteriorated due to the above.
증착법과 리소그라피법의 문제점을 해결하기 위하여, 직접 유기막층을 패터닝하는 잉크젯 방식이 제안되었다. 잉크젯 방식은 발광재료를 용매에 용해 또는 분산시켜 토출액으로써 잉크젯 프린트 장치의 헤드로부터 토출시켜 유기막층을 형성하는 방법이다. 잉크젯 방식은 공정이 비교적 간단하지만, 수율저하나 막두께의 불균일성이 발생되고, 대면적의 표시장치에 적용하기 어려운 문제점이 있다.In order to solve the problems of the deposition method and the lithography method, an inkjet method of directly patterning the organic film layer has been proposed. The inkjet method is a method in which an organic film layer is formed by dissolving or dispersing a light emitting material in a solvent and discharging it from a head of an inkjet printing apparatus as a discharge liquid. The inkjet method has a relatively simple process, but has a problem of low yield and nonuniformity in film thickness, which is difficult to apply to a large-area display device.
한편, 레이저 전사법을 이용하여 유기막층을 형성하는 방법이 제안되었는데, 건식 공정이기 때문에 전사층의 용해성 특성에 영향을 받지 않는다는 장점이 있다. 따라서, 언더레이어와 같은 유기 가공성 정공 전사층을 도입하여 유기전계 발광표시소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 레이저 전사법은 광원에서 나온 빛을 열에너지로 변환하고, 변환된 열에너지에 의해 이미지 형성물질을 유기전계 발광표시소자의 기판으로 전사시켜 R, G, B 유기막층을 형성하는 방법이다. 레이저 전사법은 레이저로 유도된 이미징 프로세스로 고해상도의 패턴 형성, 필름 두께의 균일성, 멀티레이어 적층 능력, 대형 마더글래스로의 확장성과 같은 고유한 이점을 가지고 있다.On the other hand, a method of forming an organic film layer using a laser transfer method has been proposed, but there is an advantage that it is not affected by the solubility characteristics of the transfer layer because it is a dry process. Therefore, an organic processible hole transfer layer such as an underlayer may be introduced to improve performance of the organic light emitting display device. The laser transfer method converts light from a light source into thermal energy, and transfers an image forming material to a substrate of an organic light emitting display device by using the converted thermal energy to form R, G, and B organic film layers. Laser transfer is a laser-induced imaging process with inherent advantages such as high resolution pattern formation, film thickness uniformity, multilayer lamination capability, and scalability to large mother glass.
이러한 레이저 전사법은 액정표시소자용 컬러필터 제조에 이용되기도 하며, 또한 발광물질의 패턴을 형성하기 위하여 이용되는 경우도 있다.(미국특허 제 5,998,085호)Such a laser transfer method may be used to manufacture color filters for liquid crystal display devices, and may also be used to form patterns of light emitting materials. (US Patent No. 5,998,085)
이하에서는 도면을 참조하여 종래의 레이저 전사용 도너 필름을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings a conventional donor film for laser transfer will be described in detail.
도 1은 종래기술에 따른 유기막층을 형성하기 위한 레이저 전사용 도너 필름의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a donor film for laser transfer for forming an organic film layer according to the prior art.
도 1을 참조하면, 종래의 레이저 전사용 도너 필름(1)은 기재층(11), 기재층(11) 상에 형성된 광-열 변환층(13) 및 광-열 변환층(13) 상에 형성된 전사층(15)으로 이루어져 있다.Referring to FIG. 1, a conventional laser transfer donor film 1 is formed on a
이러한 종래의 도너 필름(1)은 전사층(15)의 전사 공정 시에 광-열 변환층(13)에서 레이저에 의해 열이 발생 되면, 그 자체 내에서 이 열로 인하여 탈가스 (out-gassing)가 발생된다. 이 열로써 발생되는 탈가스는 전사층(15)으로 전달되며, 이로 인하여 전사층(15) 내에 결함 등이 형성되고, 이는 전사 공정 시에 유기막층에 그대로 전사되어 제품의 불량률을 가중시키는 원인이 되어 왔고, 최종제품의 품질이 저하되는 문제점이 있어왔다.In the conventional donor film 1, when heat is generated by the laser in the light-to-
본 발명은 상기된 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 전사 공정 시 열에 의해 발생되는 탈기체를 포집하여 이 탈기체의 전사층으로의 전달을 방지할 수 있도록 된 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 및 이의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, it is provided with a degassing trap to capture the degassing generated by the heat during the transfer process to prevent the transfer of the degassing to the transfer layer. The purpose is to provide a donor film and a method for producing the same.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름은 기재층; 상기 기재층 상에 배치되는 광-열 변환층; 상기 광-열 변환층 상에 배치되는 탈가스 포집층; 및 상기 탈가스 포집층 상에 배치되는 전사층;을 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the donor film having a degassing collecting unit according to the present invention is a base layer; A light-to-heat conversion layer disposed on the base layer; A degassing layer disposed on the light-to-heat conversion layer; And a transfer layer disposed on the degas collection layer.
여기서, 상기 탈가스 포집층은 1 ㎛ 이하의 두께로 1~50㎚의 지름을 갖는 기공이 다수 개가 분포된 다공성으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 전사층이 전사 공정에 의하여 전사될 시, 동시 전사되지 않는 물질로 이루어진다.Here, the degas collection layer is preferably made of porous having a plurality of pores having a diameter of 1 ~ 50nm with a thickness of 1 ㎛ or less, when the transfer layer is transferred by a transfer process, is not simultaneously transferred Does not consist of material.
또한, 상기 탈가스 포집층은 세라믹 특히, 산화물계 세라믹 또는 금속으로 이루어지며, 상기 산화물계 세라믹은 알루미나(Al2O3)로 이루어지거나 실리카 겔 (silica gel)로 이루어질 수 있다.In addition, the degas collection layer is made of a ceramic, in particular an oxide-based ceramic or metal, the oxide-based ceramic may be made of alumina (Al 2 O 3 ) or may be made of silica gel (silica gel).
본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름은 기재층; 상기 기재층 상에 배치되며, 탈가스 포집영역이 구비되는 광-열 변환층; 및 상기 광-열 변환층 상에 배치되는 전사층;을 포함하여 이루어진다.A donor film provided with a degassing collecting unit according to the present invention is a base layer; A light-to-heat conversion layer disposed on the substrate layer and provided with a degassing collecting region; And a transfer layer disposed on the light-to-heat conversion layer.
여기서, 상기 탈가스 포집영역은 1 ㎛ 이하의 두께로 1~50㎚의 지름을 갖는 기공이 다수 개가 분포된 다공성으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 전사층에 밀접배치되어 이루어진다.Here, the degas collection region is preferably made of porous having a plurality of pores having a diameter of 1 ~ 50nm with a thickness of 1 ㎛ or less, is arranged closely to the transfer layer.
또한, 상기 탈가스 포집영역은 상기 전사층이 전사 공정에 의하여 전사될 시, 동시 전사되지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the degas collection region is preferably made of a material that is not simultaneously transferred when the transfer layer is transferred by a transfer process.
본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 제조방법은 기재층을 형성하는 단계; 상기 기재층 상에 광-열 변환층을 형성하는 단계; 상기 광-열 변환층 상에 탈가스 포집부를 형성하는 단계; 및 상기 광-열 변환층 상에 전사층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다.The method for producing a donor film provided with a degassing collecting unit according to the present invention comprises the steps of forming a base layer; Forming a light-to-heat conversion layer on the substrate layer; Forming a degassing collector on the light-to-heat conversion layer; And forming a transfer layer on the light-to-heat conversion layer.
여기서, 상기 탈가스 포집부는 다공성으로 이루어진다.Here, the degas collection unit is made of porous.
또한, 상기 탈가스 포집부는 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 탈가스 포집층으로 형성될 수 있으며, 상기 탈가스 포집층은 금속 또는 세라믹, 특히 산화물계 세라믹으로 형성될 수 있다.In addition, the degas collection unit may be formed as a degas collection layer between the light-to-heat conversion layer and the transfer layer, the degas collection layer may be formed of metal or ceramics, in particular oxide-based ceramics.
여기서, 상기 산화물계 세라믹으로 형성되는 탈가스 포집층은 졸-겔(sol- gel)법, 스핀 코팅법, 침지(dipping)법, 수계 용매(doctor blade)법과 같은 상압 막형성방법으로 이루어지며, 상기 금속으로 형성되는 탈가스 포집층은 발포금속성형법으로 이루어진다.Here, the degassing layer formed of the oxide-based ceramic is made of an atmospheric pressure film forming method such as sol-gel method, spin coating method, dipping method, a water-based solvent (doctor blade) method, The degassing trap layer formed of the metal is formed by foam metal forming method.
또한, 상기 탈가스 포집부는 상기 광-열 변환층의 상기 전사층과 접하는 영역에 탈가스 포집영역으로 형성되어 이루어질 수도 있다.The degassing collecting unit may be formed as a degassing collecting region in a region in contact with the transfer layer of the light-to-heat conversion layer.
또한, 상기 다공성으로 이루어진 탈가스 포집부는 1~50㎚의 지름을 갖는 기공이 다수 개가 분포하여 이루어지며, 그 두께는 1 ㎛ 이하로 이루어진다.In addition, the porous degassing collecting portion is made up of a plurality of pores having a diameter of 1 ~ 50nm, the thickness is made of 1 ㎛ or less.
이하, 본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the donor film having a degassing collecting unit according to the present invention will be described in detail.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a donor film provided with a degassing collecting unit according to a preferred embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구된 도너 필름(3)은 기재층(31), 이 기재층(31) 상에 배치되는 광-열 변환층(33), 이 광-열 변환층(33) 상에 배치되는 탈가스 포집층(34) 및 이 탈가스 포집층(34) 상에 배치되는 전사층(35)을 포함하여 이루어진다.The donor film 3 in which the degassing collecting portion according to the present invention is obtained is formed on the
기재층(31) 상에 배치되는 광-열 변환층(33)은 레이저 전사 시 레이저에 의한 빛에너지를 열에너지로서 변환해준다. 이때 열에너지에 의한 탈가스가 발생되는데 이의 전사층(35)으로의 확산을 방지하여 주기 위하여, 광-열 변환층(33) 상에 전사층(35)이 배치되기 이전에 즉, 광-열 변환층(33)과 전사층(35) 사이에 탈가스 포집층(34)이 배치된다.The light-to-
이 탈가스 포집층(34)은 1 ㎛ 이하의 두께로서, 1~50㎚의 지름을 갖는 기공(P)이 다수 개가 분포된 다공성으로 이루어진다. 이 다공성을 이루는 기공(P)의 분포로 인하여 열에너지에 의한 탈가스는 전사층(35)까지 확산되지 못하고 탈가스 포집층(34)의 기공(P)에 포집(trap)되는 것이다. The degassing
광-열 변환층(33)에서부터 전사층(35)으로의 효율적인 열에너지 전달을 위하여 이 탈가스 포집층(34)의 두께는 1 ㎛ 이하로 설정된다. 이보다 더 두꺼운 두께로 형성될 시에는 탈가스의 포집능이 더 우수할 수 있으나 전사층(35)으로의 열전달 효율이 더욱 저하될 수 있다. The thickness of the
또한, 효율적인 탈가스 포집 및 제작상의 편의를 위하여 기공(P)의 지름은 1~50㎚로 설정된다. 이보다 더 작은 지름의 기공(P)은 탈가스 포집능이 저하되며, 더 큰 지름의 기공(P)은 전사층(35) 전면적으로의 균일한 열전달을 방해한다. 즉, 기공(P)을 경유하는 열전달 경로에서는 기공(P)을 통과할 시에 전도에 의한 열전달이 아닌 복사 및 대류에 의한 열전달이 이루어지므로, 큰 지름을 가지는 기공(P)을 경유하는 열전달 경로는 다른 부분에서의 열전달 경로에 비하여 열전달 효율이 현저히 감소되므로 결과적으로 전사층(35)으로의 균일한 열전달이 달성될 수 없다.In addition, the diameter of the pores (P) is set to 1 ~ 50nm for efficient degassing collection and manufacturing convenience. Smaller diameter pores P deteriorate degassing capacity, and larger diameter pores P impede uniform heat transfer across the
또한, 탈가스 포집층(34)은 전사층(35)이 전사 공정에 의하여 전사될 시, 동시 전사되지 않는 물질로 이루어진다. 만약, 탈가스 포집층(34)의 일부가 전사층(35)의 전사 시 동시에 전사될 경우, 이는 곧 제품 불량의 원인이 되며 고품질의 제품을 양산하기 위하여 제시되는 본 발명의 취지에 반하는 결과를 초래한다. 따라 서, 탈가스 포집층(34)은 전사층(35)의 전사 시에 동시 전사되지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the
또한, 탈가스 포집층(34)은 세라믹 또는 금속으로 이루어진다. 여기서, 세라믹은 산화물계 세라믹일 수 있다. 이 산화물계 세라믹은 알루미나(Al2O3) 또는 실리카 겔(silica gel)일 수 있으나, 이외의 공지된 및/또는 다공성 제작이 가능한 다른 산화물계 세라믹일 수도 있다. 일반적으로 이러한 산화물계 세라믹 물질들은 상압 막형성방법의 적용이 가능하므로, 본 발명에서 요구되는 다공성의 탈가스 포집층(34) 형성에 있어서 매우 바람직하다.In addition, the
그러나, 상술한 산화물계 세라믹 물질 이외에 금속물질 또한 그 적용이 가능하다. 통상의 지식에 있어서, 산화물계 세라믹 보다는 금속물질이 열전달능이 현저히 뛰어나므로 광-열 변환층(33)에서 변환된 열에너지가 보다 효율적으로 전사층(35)으로 전달되도록 하기 위하여, 탈가스 포집층(34)을 금속으로 형성할 수도 있다. 이때의 탈가스 포집층(34)은 다공성 형태의 금속이며 이러한 형태의 일 예로서 발포금속(form metal)이 있다.However, in addition to the above-described oxide-based ceramic material, a metal material is also applicable. In the common knowledge, since the metallic material is significantly superior in heat transfer ability than the oxide-based ceramics, in order to more efficiently transfer the thermal energy converted from the light-to-
이하, 본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름의 다른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the donor film provided with a degassing collecting unit according to the present invention will be described in detail.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a donor film provided with a degassing collecting unit according to another embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구된 도너 필름(5)은 기재층(51), 이 기재층(51) 상에 배치되며, 탈가스 포집영역이 구비되는 광-열 변환층(53) 및 이 광-열 변환층(53) 상에 배치되는 전사층(55)을 포함하여 이루어진다.The donor film 5 in which the degassing collecting portion according to the present invention is obtained is disposed on the
기재층(51) 상에 배치되는 광-열 변환층(53)은 레이저 전사 시 레이저에 의한 빛에너지를 열에너지로서 변환해준다. 이때 열에너지에 의한 탈가스가 발생되는데 이의 전사층(55)으로의 확산을 방지하여 주기 위하여, 탈가스 포집영역이 구비되는 광-열 변환층(53)이 배치된다. 더 상세하게는, 탈가스 포집영역이 전사층(55)에 밀접되게 구비되는 광-열 변환층(53)이 배치된다.The light-to-
이 탈가스 포집영역은 1 ㎛ 이하의 두께로서, 1~50㎚의 지름을 갖는 기공(P)이 다수 개가 분포된 다공성으로 이루어진다. 이 다공성을 이루는 기공(P)의 분포로 인하여 열에너지에 의한 탈가스는 전사층(55)까지 확산되지 못하고 탈가스 포집영역의 기공(P)에 포집(trap)되는 것이다. This degassing area | region is 1 micrometer or less in thickness, Comprising: The pore P which has a diameter of 1-50 nm consists of porosity in which many pieces were distributed. Due to the distribution of pores P forming the porosity, degassing due to thermal energy is trapped in the pores P of the degassing collection region without being diffused to the
광-열 변환층(53)에서부터 전사층(55)으로의 효율적인 열에너지 전달을 위하여 이 광-열 변환층(53)의 탈가스 포집영역 두께는 1 ㎛ 이하로 설정된다. 이보다 더 두꺼운 두께로 형성될 시에는 탈가스의 포집능이 더 우수할 수 있으나 전사층(55)으로의 열전달 효율이 더욱 저하될 수 있다. For efficient heat energy transfer from the light-to-
또한, 효율적인 탈가스 포집 및 제작상의 편의를 위하여 기공(P)의 지름은 1~50㎚로 설정된다. 이보다 더 작은 지름의 기공(P)은 탈가스 포집능이 저하되며, 더 큰 지름의 기공(P)은 전사층(55) 전면적으로의 균일한 열전달을 방해한다. 즉, 기공(P)을 경유하는 열전달 경로에서는 기공(P)을 통과할 시에 전도에 의한 열전달이 아닌 복사 및 대류에 의한 열전달이 이루어지므로, 큰 지름을 가지는 기공(P)을 경유하는 열전달 경로는 다른 부분에서의 열전달 경로에 비하여 열전달 효율이 현저히 감소되므로 결과적으로 전사층(55)으로의 균일한 열전달이 달성될 수 없다.In addition, the diameter of the pores (P) is set to 1 ~ 50nm for efficient degassing collection and manufacturing convenience. Smaller diameter pores P deteriorate degassing capacity, and larger diameter pores P impede uniform heat transfer across the
또한, 탈가스 포집영역은 전사층(55)이 전사 공정에 의하여 전사될 시, 동시 전사되지 않는 물질로 이루어진다. 만약, 탈가스 포집영역의 일부가 전사층(55)의 전사 시 동시에 전사될 경우, 이는 곧 제품 불량의 원인이 되며 고품질의 제품을 양산하기 위하여 제시되는 본 발명의 취지에 반하는 결과를 초래한다. 따라서, 탈가스 포집영역은 전사층(55)의 전사 시에 동시 전사되지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the degas collection region is made of a material which is not simultaneously transferred when the
이하, 본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the donor film manufacturing method provided with a degassing collecting unit according to the present invention will be described in detail.
본 발명에 따른 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 제조방법은 기재층을 형성하는 단계, 이 기재층 상에 광-열 변환층을 형성하는 단계, 이 광-열 변환층 상에 탈가스 포집부를 형성하는 단계 및 이 광-열 변환층 상에 전사층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a donor film having a degassing collecting part, forming a base layer, forming a light-heat conversion layer on the base layer, and forming a degassing collecting part on the light-heat conversion layer. And forming a transfer layer on the light-to-heat conversion layer.
먼저, 통상적인 방식으로 기재층이 형성된 뒤, 이 기재층 상에 광-열 변환층이 형성된다. 이후, 이 광-열 변환층 상에는 전사층이 형성되기에 앞서 탈가스 포집부가 형성된다. 이 탈가스 포집부는 다공성으로 이루어진다. 이후, 탈가스 포집부 상에 전사층이 형성되어 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름이 완성되는 것이다.First, a base layer is formed in a conventional manner, and then a light-to-heat conversion layer is formed on the base layer. Thereafter, a degassing trap is formed on the light-to-heat conversion layer before the transfer layer is formed. This degas collection part is made porous. Thereafter, a transfer layer is formed on the degassing collecting portion to complete the donor film provided with the degassing collecting portion.
상기 탈가스 포집부는 광-열 변환층과 전사층 사이에 탈가스 포집층으로 추가적인 적층을 이루어 형성될 수 있다. 이때, 탈가스 포집층은 금속 또는 세라믹으로 형성될 수 있다. The degas collection unit may be formed by further stacking the degas collection layer between the light-to-heat conversion layer and the transfer layer. At this time, the degas collection layer may be formed of a metal or a ceramic.
여기서, 이 세라믹은 산화물계 세라믹이고, 이 산화물계 세라믹은 알루미나(Al2O3) 또는 실리카 겔(silica gel)일 수 있으며, 이외의 공지된 및/또는 다공성 제작이 가능하며 본 발명의 취지와 부합될 수 있는 다른 산화물계 세라믹일 수도 있다.Here, the ceramic is an oxide-based ceramic, the oxide-based ceramic may be alumina (Al 2 O 3 ) or silica gel (silica gel), other known and / or porous fabrication is possible and It may be another oxide-based ceramic that can be matched.
일반적으로, 이러한 산화물계 세라믹 물질들은 졸-겔(sol-gel)법, 스핀 코팅법, 침지(dipping)법, 수계 용매(doctor blade)법과 같은 상압 막형성방법의 적용이 가능하며, 본 발명에서 또한 상기 예시로 열거된 상압 막형성방법이 적용된다.In general, such oxide-based ceramic materials are applicable to atmospheric pressure film formation methods such as sol-gel, spin coating, dipping, and doctor blade methods. In addition, the atmospheric pressure film forming method listed as the above example is applied.
또한, 금속으로 형성되는 탈가스 포집부는 발포금속성형법으로 이루어지며, 이 또한 통상의 발포금속성형법이 적용된다.In addition, the degassing collecting portion formed of a metal is made of a foamed metal molding method, and also a conventional foamed metal molding method is applied.
상기와 같은 방법으로 탈가스 포집부를 형성하는 방법 이외에도, 탈가스 포집부는 광-열 변환층의 전사층과 접하는 영역에 탈가스 포집영역으로 형성되어 이루어질 수도 있다.In addition to the method of forming the degas collection unit by the above method, the degas collection unit may be formed as a degas collection region in a region in contact with the transfer layer of the light-to-heat conversion layer.
탈가스 포집부는 1 ㎛ 이하의 두께로서, 1~50㎚의 지름을 갖는 기공이 다수 개가 분포된 다공성으로 이루어진다. 이 다공성을 이루는 기공의 분포로 인하여 열에너지에 의한 탈가스는 전사층까지 확산되지 못하고 탈가스 포집부의 기공에 포집되는 것이다. The degassing collecting portion has a thickness of 1 μm or less, and is made of porous having a plurality of pores having a diameter of 1 to 50 nm. Due to the distribution of pores constituting the porosity, degassing due to thermal energy is not diffused to the transfer layer, but is collected in the pores of the degassing unit.
광-열 변환층에서부터 전사층으로의 효율적인 열에너지 전달을 위하여 이 탈가스 포집부의 두께는 1 ㎛ 이하로 설정된다. 이보다 더 두꺼운 두께로 형성될 시에는 탈가스의 포집능이 더 우수할 수 있으나 전사층으로의 열전달 효율이 더욱 저하될 수 있다. The thickness of the degassing unit is set to 1 μm or less for efficient heat energy transfer from the light-to-heat conversion layer to the transfer layer. When formed to a thicker thickness than this, the degassing capacity may be better, but the heat transfer efficiency to the transfer layer may be further reduced.
또한, 효율적인 탈가스 포집 및 제작상의 편의를 위하여 기공의 지름은 1~50㎚로 설정된다. 이보다 더 작은 지름의 기공은 탈가스 포집능이 저하되며, 더 큰 지름의 기공은 전사층 전면적으로의 균일한 열전달을 방해한다. 즉, 기공을 경유하는 열전달 경로에서는 기공을 통과할 시에 전도에 의한 열전달이 아닌 복사 및 대류에 의한 열전달이 이루어지므로, 큰 지름을 가지는 기공을 경유하는 열전달 경로는 다른 부분에서의 열전달 경로에 비하여 열전달 효율이 현저히 감소되므로 결과적으로 전사층으로의 균일한 열전달이 달성될 수 없다.In addition, the pore diameter is set to 1 ~ 50nm for efficient degassing collection and manufacturing convenience. Smaller diameter pores degrade degassing capacity, and larger diameter pores interfere with uniform heat transfer across the transfer layer. In other words, in the heat transfer path through the pores, heat transfer is caused by radiation and convection rather than conduction when conducting through the pores, so that the heat transfer path through the pores having a large diameter is larger than the heat transfer path in other parts. Since the heat transfer efficiency is significantly reduced, as a result, uniform heat transfer to the transfer layer cannot be achieved.
상기 내용은 본 발명의 바람직한 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 첨부된 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 요지로부터 벗어나지 않고 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다는 것을 인식하여야 한다.The foregoing is merely illustrative of the preferred embodiments of the present invention and those skilled in the art to which the present invention pertains recognize that modifications and variations can be made to the present invention without departing from the spirit and gist of the invention as set forth in the appended claims. shall.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표면 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 및 이의 제조방법에 의하여, 전사 공정 시 열에 의해 발생되는 탈기체를 포집하여 이 탈기체의 전사층으로의 전달을 방지함으로써, 제품 불량율을 저감시키고 고품위 전사막의 제조가 가능하다.As described above, according to the donor film provided with the surface degassing collecting unit according to the present invention and a method for manufacturing the same, by collecting the degassing gas generated by heat during the transfer process to prevent the transfer of the degassing gas to the transfer layer, It is possible to reduce product defect rate and manufacture high quality transfer film.
Claims (24)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050085410A KR100673758B1 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | Donor film with out-gas trapping layer and the manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050085410A KR100673758B1 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | Donor film with out-gas trapping layer and the manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100673758B1 true KR100673758B1 (en) | 2007-01-24 |
Family
ID=38014730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050085410A KR100673758B1 (en) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | Donor film with out-gas trapping layer and the manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100673758B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002216957A (en) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | Manufacturing method of organic led display panel by using transcription method and organic led display panel manufactured by it |
JP2003077658A (en) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | Donor film for manufacturing organic el element and substrate for organic el element |
KR20050023001A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | donor film for flat panel display device and method of fabricating OLED using the same |
KR20050063534A (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor film for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same film |
-
2005
- 2005-09-13 KR KR1020050085410A patent/KR100673758B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002216957A (en) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | Manufacturing method of organic led display panel by using transcription method and organic led display panel manufactured by it |
JP2003077658A (en) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | Donor film for manufacturing organic el element and substrate for organic el element |
KR20050023001A (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | donor film for flat panel display device and method of fabricating OLED using the same |
KR20050063534A (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor film for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100745332B1 (en) | Organic light emitting display and method for fabricating the same | |
KR101529111B1 (en) | Patterning method, device manufacturing method using the patterning method, and device | |
US7999839B2 (en) | Laser irradiation apparatus and method of fabricating organic light emitting display using the same | |
KR100707601B1 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
WO2019033481A1 (en) | Polymer mask and manufacturing method therefor and use thereof | |
US7686052B2 (en) | Lamination apparatus and laser-induced thermal imaging method using the same | |
KR20050052303A (en) | Thermal transfer element with lthc having gradient concentration | |
KR100579191B1 (en) | Thermal Transfer Element | |
JP2002140979A (en) | Field electron emitting device and its manufacturing method | |
KR100646936B1 (en) | Organic light emitting diode and method for fabricating the same | |
KR100673758B1 (en) | Donor film with out-gas trapping layer and the manufacturing method thereof | |
KR20070024285A (en) | Laser induced thermal imaging donor film, organic light emitting diode display using thereof and fabricating method the same | |
JP5413180B2 (en) | Patterning method and device manufacturing method using the same | |
JP3833404B2 (en) | Emitter and manufacturing method thereof | |
US7388325B2 (en) | Flat display device | |
KR100673750B1 (en) | Manufacturing method of organic thin-film using ion beam sputtering | |
KR100812027B1 (en) | Laser induced transfer imaging and fabricating method of organic light emitting diode using the same | |
JP2006059792A (en) | Manufacturing method of organic electroluminescent element | |
KR20130138174A (en) | Donor substrate for transfer, device manufacturing method using the substrate, and organic el element | |
KR100731727B1 (en) | Device for framing donor substrate for Laser Induced Thermal Imaging | |
KR100745350B1 (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method using it | |
KR20090080336A (en) | Conductive thin film pattern and method for manufacturing the same | |
KR20070030618A (en) | Laser induced thermal imaging apparatus and laser induced thermal imaging method using the apparatus | |
US7108575B2 (en) | Method for fabricating mesh of tetraode field-emission display | |
KR101049803B1 (en) | Manufacturing method of organic light emitting display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130102 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |