KR100672263B1 - Exposure method, exposure apparatus, and mask - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화면합성을 수반하는 노광처리를 행할 때에 적은 매수로 노광하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to expose a small number of sheets when performing an exposure process involving screen synthesis.

그 해결수단으로서, 패턴 (1a) 을 가지는 마스크 (A) 를 사용하여 기판에 제 1 패턴과 제 2 패턴을 연결 맞춤 노광한다. 마스크 (A) 의 패턴은 제 1 패턴과 제 2 패턴과의 공통패턴 (KP) 과, 공통패턴 (KP) 과 연속하여 형성되고 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 을 가진다. 공통패턴 (KP) 과, 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하여 연결 맞춤 노광하는 것을 특징으로 하는 것이다. As a solution, the first pattern and the second pattern are exposed to the substrate by using the mask A having the pattern 1a. The pattern of the mask A is formed of the common pattern KP between the first pattern and the second pattern, and the non-common patterns HP1 and HP2 which are formed in succession with the common pattern KP and are different from the common pattern KP. Have At least a portion of the common pattern KP and the non-common patterns HP1 and HP2 are selected and exposed to the connection fitting.

Description

노광방법, 노광장치, 및 마스크 {EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND MASK}Exposure method, exposure apparatus, and mask {EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND MASK}

도 1 은 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 공통패턴과 비공통패턴을 가지는 레티클의 평면도,1 is a view showing a first embodiment of the present invention, which is a plan view of a reticle having a common pattern and a non-common pattern,

도 2 는 동일 레티클에 의하여 전사되는 회로패턴이 복수로 분할된 유리기판의 패턴도,2 is a pattern diagram of a glass substrate having a plurality of circuit patterns transferred by the same reticle;

도 3 은 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 레티클 블라인드, 기판 스테이지에 구동제어장치가 접속된 노광장치의 개략 구성도,3 is a diagram showing a first embodiment of the present invention, which is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus in which a drive control device is connected to a reticle blind and a substrate stage;

도 4 는 본 발명의 노광장치를 구성하는 레티클 블라인드의, (a) 는 차광부, 투과부로 구성된 블라인드판의 평면도, (b) 는 차광부, 투과부 및 감광부로 구성된 블라인드판의 평면도,4 is a plan view of a blind plate composed of a light shielding portion and a transmission portion, (b) a plan view of a blind plate composed of a light shielding portion, a transmission portion and a photosensitive portion, of a reticle blind constituting the exposure apparatus of the present invention;

도 5 는 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 1 조명영역에 있는 레티클 패턴을 나타내는 평면도,5 is a view showing a first embodiment of the present invention, a plan view showing a reticle pattern in a first illumination region;

도 6 은 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 2 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,6 is a view showing a first embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern of a reticle in a second illumination region;

도 7 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,7 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;

도 8 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,8 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;

도 9 는 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 별도의 레티클의 조명영역에 있는 패턴을 나타내는 평면도,9 is a view showing a first embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern in an illumination region of another reticle;

도 10 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,10 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;

도 11 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,11 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;

도 12 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,12 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;

도 13 은 노광영역이 교차하는 교차부를 설명하기 위한 도면,13 is a view for explaining an intersection where an exposure area intersects;

도 14 는 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,14 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;

도 15 는 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,15 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;

도 16 는 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,16 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;

도 17 은 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,17 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;

도 18 은 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,18 is an exposure dose distribution diagram showing a distribution of exposure doses at the same intersection;

도 19 는 노광영역이 교차하는 교차부를 설명하기 위한 도면, 19 is a diagram for explaining an intersection where an exposure area intersects.

도 20 은 감광부를 가지는 블라인드판에 의하여 설정된 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,20 is a plan view showing a pattern of a reticle in an illumination region set by a blind plate having a photosensitive portion;

도 21 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,21 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;

도 22 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,22 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;

도 23 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,23 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;

도 24 는 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 21 인치의 액정 디스플레이 디바이스용 유리기판의 패턴도,FIG. 24 is a view showing a second embodiment of the present invention, and a pattern diagram of a glass substrate for a liquid crystal display device of 21 inches;

도 25 는 동일 유리기판을 노광할 때 사용되는 3 장의 레티클의 평면도,25 is a plan view of three reticles used when exposing the same glass substrate;

도 26 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 1 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,26 is a view showing a second embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern of a reticle in a first illumination region;

도 27 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 기타의 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,27 is a view showing a second embodiment of the present invention, which is a plan view showing a pattern of a reticle in other lighting regions;

도 28 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 별도의 레티클의 조명영역에 있는 패턴을 나타내는 평면도,28 is a view showing a second embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern in an illumination region of another reticle;

도 29 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,29 is a plan view showing a pattern of the reticle in the same other lighting area;

도 30 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 2 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,30 is a view showing a second embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern of a reticle in a second lighting area;

도 31 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 기타의 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,31 is a view showing a second embodiment of the present invention, which is a plan view showing a pattern of a reticle in other illumination regions;

도 32 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,32 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other illumination area;

도 33 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,33 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;

도 34 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,34 is a plan view showing a pattern of the reticle in the same other lighting area;

도 35 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,35 is a plan view showing a pattern of the reticle in the same other lighting area;

도 36 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,36 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;

도 37 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,37 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other illumination area;

도 38 은 분할된 회로패턴을 가지는 유리기판의 패턴도,38 is a pattern diagram of a glass substrate having a divided circuit pattern;

도 39 는 종래 기술에 의한 마스크의 일례를 나타내는 평면도,39 is a plan view showing an example of a mask according to the prior art;

도 40 은 분할된 회로패턴을 가지는 유리기판의 패턴도,40 is a pattern diagram of a glass substrate having a divided circuit pattern;

도 41 은 종래 기술에 의한 마스크의 일례를 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows an example of the mask by a prior art.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *

KP : 공통패턴 K1 : 교차부KP: common pattern K1: intersection

HP1, HP2 : 비공통패턴 P : 유리기판 (기판)HP1, HP2: Non-common pattern P: Glass substrate (substrate)

R, A, B, C : 레티클 (마스크) A1, C1 : 제 1 패턴R, A, B, C: reticle (mask) A1, C1: first pattern

A2, C2 : 제 2 패턴A2, C2: second pattern

SA1, SC1 : 조명영역 (제 1 조명영역)SA1, SC1: lighting area (first lighting area)

SA2, SC2 : 조명영역 (제 2 조명영역) SA2, SC2: lighting area (second lighting area)

1a, 4a : 회로패턴 (패턴) 5 : 노광장치 1a, 4a: circuit pattern (pattern) 5: exposure apparatus

7 : 조명광학계 9 : 기판 스테이지7 illumination optical system 9 substrate stage

10 : 레티클 스테이지 (마스크 스테이지) 10: reticle stage (mask stage)

11 : 구동제어장치 (제어장치) 11: drive control device (control device)

17 : 레티클 블라인드 (조명영역 설정장치) 17: reticle blind (lighting area setting device)

20 : 구동기구 (이동장치) 25 : 투과부20: drive mechanism (moving device) 25: transmission part

26 : 감광부(減光部)26: photosensitive part

본 발명은 조명되는 패턴이 전사영역에 전사되는 마스크 및 이 마스크의 패턴을 기판상의 전사영역에 전사하는 노광방법 및 노광장치에 관한 것으로, 특히 기판상의 전사영역에서 연결 맞춤 노광될 때 사용하는 것이 바람직한 노광방법, 노광장치, 및 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask in which an illuminated pattern is transferred to a transfer region, and to an exposure method and an exposure apparatus for transferring the pattern of the mask to a transfer region on a substrate. An exposure method, an exposure apparatus, and a mask are provided.

일반적으로 액정 표시소자 등을 제조하는 노광장치로는, 마스크상에 형성된 패턴을 감광기판의 소정 노광영역에 노광한 후, 감광기판을 일정 거리만큼 스텝핑시키고, 다시 마스크의 패턴을 노광하는 것을 반복하는 소위 스텝ㆍ앤드ㆍ리피트 방식의 것 (스텝퍼) 이 있다.In general, as an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display device or the like, after exposing a pattern formed on a mask to a predetermined exposure area of a photosensitive substrate, stepping the photosensitive substrate by a predetermined distance and repeating exposing the pattern of the mask again There is a so-called step-and-repeat type (stepper).

종래에는, 예를 들어 대면적의 액정 표시소자용의 LCD 패턴을 스텝퍼로 형성할 때에는 통상적으로 화면합성법이 사용되고 있었다.Conventionally, for example, when forming an LCD pattern for a large area liquid crystal display element with a stepper, the screen synthesis method is conventionally used.

이 화면합성법은, 각각의 분할된 LCD 패턴에 대응하는 복수의 마스크를 사용하여 1 장의 마스크에 대응하는 유리기판의 노광영역에 상기 마스크의 패턴을 노광시킨 후, 유리기판을 스텝시킴과 동시에 마스크를 별도의 것으로 교환하고, 이 마스크에 대응하는 노광영역에 상기 마스크의 패턴을 노광함으로써 유리기판에 복수의 패턴이 합성된 LCD 패턴을 형성하는 것이다.This screen synthesis method uses a plurality of masks corresponding to each divided LCD pattern to expose the pattern of the mask in the exposure area of the glass substrate corresponding to one mask, and then steps the glass substrate and simultaneously masks the mask. By exchanging with another one, the pattern of the mask is exposed to the exposure area corresponding to the mask to form an LCD pattern in which a plurality of patterns are synthesized on a glass substrate.

도 38 은 15 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조할 때에 사용되는 유리기판 (기판)(P) 의 회로패턴 (1) 이 복수 (도면에서는 6 개) 로 분할된 패턴도이 다.FIG. 38 is a pattern diagram in which circuit patterns 1 of a glass substrate (substrate) P used in manufacturing a 15-inch liquid crystal display device are divided into a plurality (6 in the drawing).

이 회로패턴 (1) 은 거의 장방형상을 하고, 표시부 (2) 와 주변부 (3) 로 구성되어 있다. 표시부 (2) 는 복수의 화소 (픽셀) 에 대응한 복수의 전극이 규칙적으로 배열된 패턴으로 구성되어 있다. 주변부 (3) 는 표시부 (2) 를 둘러싸듯이 형성되고, 표시부 (2) 의 각 전극의 패턴과 이들 각 전극을 구동하는 드라이버회로 (비도시) 를 각각 도통시키는 도통부를 가지고 있다. 그리고, 회로패턴 (1) 은 이들 표시부 (2) 및 주변부 (3) 를 포함하는 분할패턴 (A~F) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다.This circuit pattern 1 has a substantially rectangular shape and is composed of a display portion 2 and a peripheral portion 3. The display unit 2 is configured in a pattern in which a plurality of electrodes corresponding to the plurality of pixels (pixels) are regularly arranged. The peripheral part 3 is formed so as to surround the display part 2, and has a conduction part which electrically connects the pattern of each electrode of the display part 2, and the driver circuit (not shown) which drives each electrode. And the circuit pattern 1 is comprised by the division pattern A-F containing these display part 2 and the periphery part 3. As shown in FIG.

한편, 도 39 는 이들 분할패턴 (A~F) 에 각각 대응하는 패턴이 형성된 마스크 (RA~RF) 의 평면도이다. 그리고, 이들 마스크 (RA~RF) 를 사용하는 스텝퍼에서는, 예를 들어 먼저 마스크 (RA) 를 장착하고, 유리기판(P)을 분할패턴 (A) 에 대응하는 소정위치까지 이동시킨 후에 노광하여, 분할패턴 (A) 을 유리기판 (P) 에 전사한다.On the other hand, FIG. 39 is a plan view of the masks RA to RF on which patterns corresponding to the divided patterns A to F are formed. In the stepper using these masks RA to RF, for example, the mask RA is first mounted, the glass substrate P is moved to a predetermined position corresponding to the division pattern A, and then exposed. The division pattern A is transferred to the glass substrate P. FIG.

다음으로, 마스크 (RA) 를 마스크 (RB) 로 교환함과 동시에, 유리기판 (P) 을 분할패턴 (B) 에 대응하는 소정위치까지 이동시킨 후에 노광하여 분할패턴 (B) 를 유리기판 (P) 에 전사한다. 그리고, 이 동작을 순차적으로 반복함으로써 분할패턴 (A~F) 이 유리기판 (P) 에 전사된다.Next, the mask RA is replaced with the mask RB, the glass substrate P is moved to a predetermined position corresponding to the division pattern B, and the exposure is performed by exposing the division pattern B to the glass substrate P. Warrior) Then, by sequentially repeating this operation, the division patterns A to F are transferred to the glass substrate P. FIG.

또한, 도 40 은 21 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조할 때에 사용되는 유리기판(기판)(P) 의 회로패턴 (4) 이 복수 (도에서는 15) 로 분할된 패턴도이다. 그리고, 상기와 동일하게 회로패턴 (4) 은 표시부 (2) 및 주변부 (3) 를 포함하는 분할패턴 (A~F)(2) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다. 이 예에서는 표시부 (2) 의 1 부가 분할패턴 (A, B, C) 의 반복패턴으로 되어 있기 때문에동일한 마스크 (예를 들어, A 패턴을 가지는 마스크) 로 복수의 쇼트를 노광하고 있다. 또한, 도 41 에 이들 분할패턴 (A~F)(2) 에 대응하는 패턴이 형성된 마스크 (RA~RF) 를 나타낸다. 이 경우도, 상기와 동일하게 마스크를 순차적으로 교환함과 동시에, 유리기판 (P) 을 소정위치로 이동시켜 노광함으로써 회로패턴 (4) 이 화면합성된다.40 is a pattern diagram in which the circuit pattern 4 of the glass substrate (substrate) P used in manufacturing a 21-inch liquid crystal display device is divided into a plurality (15 in the figure). In the same manner as described above, the circuit pattern 4 is configured to be synthesized by the division patterns A to F including the display portion 2 and the peripheral portion 3. In this example, since one part of the display unit 2 is a repeating pattern of the divided patterns A, B, and C, a plurality of shots are exposed with the same mask (for example, a mask having an A pattern). 41 shows masks RA to RF on which patterns corresponding to the divided patterns A to F are formed. Also in this case, the circuit pattern 4 is screen-synthesized by replacing the masks sequentially and exposing the glass substrate P to a predetermined position in the same manner as described above.

그런데, 상기 화면합성법을 행함에 있어서, 마스크의 패턴묘화오차나 투영광학계의 렌즈의 수차 (收差), 유리기판을 스텝이동시키는 스테이지의 위치결정오차 등에 기인하여 패턴의 연결부에 단차가 발생하고, 디바이스의 특성이 손상되거나 또는 화면합성된 분할패턴을 다층으로 중첩시킨 경우, 각 층의 노광영역의 중복오차나 패턴의 선폭차가 패턴의 연결 부분에서 불연속적으로 변화하고, 디바이스의 품질이 저하하는 것을 회피하기 위하여 소위 연결 맞춤 노광이 실시되고 있다.However, in performing the above screen synthesis method, a step is generated at the connecting portion of the pattern due to the pattern drawing error of the mask, the aberration of the lens of the projection optical system, the positioning error of the stage for moving the glass substrate, and the like. When the characteristics of the device are impaired or when the screen-synthesized dividing pattern is superimposed in multiple layers, the overlapping error of the exposure area of each layer or the line width of the pattern is discontinuously changed at the connecting portion of the pattern, and the device quality is deteriorated. In order to avoid, what is called connection fitting exposure is implemented.

이 연결 맞춤 노광은 인접하는 노광영역에서 이 연결 부분을 연결 맞춤 노광하고, 또한 각 노광영역에서, 예를 들어 노광시간을 변화시킴으로써 이 연결 부분의 노광량 (노광 에너지량) 을 경계를 향하여 비례적으로 감소시킴으로써 중첩시켜 노광했을 때, 이 부분의 노광량을 다른 부분의 노광량과 거의 일치시키는 것으로, 예를 들어 일본 공개특허공보 평6-244077 호나 일본 공개특허공보 평7-235466 호에 개시되어 있다.In this exposure fitting connection, the connection fitting exposure is performed in the adjacent exposure area, and in each exposure area, the exposure amount (exposure energy amount) of this connection part is proportionally directed toward the boundary by changing the exposure time, for example. When exposed by overlapping by decreasing, the exposure amount of this part is made to substantially match the exposure amount of another part, for example, it is disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 6-244077 and Unexamined-Japanese-Patent No. 7-235466.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 노광방법, 노광장치, 및 마스크에는 아래와 같은 문제가 존재한다. However, the following problems exist in the conventional exposure method, exposure apparatus, and mask as described above.

각 마스크 (RA~RF) 에 형성된 패턴 중에서, 표시부 (2) 의 패턴은 화소에 맞는 복수의 전극이 규칙적으로 배열된 것이다. 그러므로, 복수로 분할된 경우라도 각 분할패턴 (A~F) 에는 부분적으로 공통된 배열패턴이 존재하고 있다.Of the patterns formed on each of the masks RA to RF, in the pattern of the display portion 2, a plurality of electrodes matching the pixels are regularly arranged. Therefore, even when divided into a plurality of parts, an arrangement pattern partially common to each of the division patterns A to F exists.

그러나, 분할패턴 (A~F) 은 분할된 표시부 (2) 의 위치에 따라서 주변부 (3) 의 유무 또는 주변부 (3) 가 접속하는 위치가 상이하다. 그러므로, 부분적으로 공통된 패턴을 가지고 있어도, 분할패턴 (A~F) 에 대응하는 마스크 (RA~RF) 를 준비해야 하므로 코스트면에서의 부하가 크게 되고 있었다. 또한, 마스크의 매수가 증대되면, 마스크 교환에 요하는 시간도 증가하여 스루풋의 향상에 지장을 가져오는 문제도 있었다.However, the dividing patterns A to F differ in the presence or absence of the peripheral portion 3 or the position to which the peripheral portion 3 is connected depending on the position of the divided display portion 2. Therefore, even if it has a partly common pattern, since the masks RA-RF corresponding to the division patterns A-F must be prepared, the load on the cost side was large. In addition, when the number of masks increases, the time required for mask replacement also increases, which causes a problem in improving throughput.

본 발명은 이상과 같은 점을 고려하여 이루어진 것으로서, 디바이스 제조에서 화면합성을 수반하는 노광처리를 행할 때에도 적은 매수로 노광함으로써 코스트다운 및 스루풋의 향상을 실현할 수 있는 마스크 및 이 마스크를 사용한 노광방법 및 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described aspects, and a mask capable of realizing cost reduction and throughput improvement by exposing a small number of sheets even when performing exposure processing involving screen synthesis in device manufacturing, and an exposure method using the mask, and It is an object to provide an exposure apparatus.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실시형태를 나타내는 도 1 내지 도 37 에 대응시킨 이하의 구성을 채용하고 있다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to achieve the said objective, this invention employ | adopts the following structures corresponding to FIGS. 1-37 which shows embodiment.

본 발명의 노광방법은 패턴 (1a) 을 가지는 마스크 (R,A,B,C) 를 사용하여 기판 (P) 에 제 1 패턴 (A1,C1) 과 제 2 패턴 (A2,C2) 을 연결 맞춤 노광하는 노광 방법에 있어서, 마스크 (A) 의 패턴은 제 1 패턴 (A1) 과 제 2 패턴 (A2) 과의 공통패턴 (KP) 과 공통패턴 (KP) 과 연속하여 형성된 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 을 가지고 있고, 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하여 연결 맞춤 노광하는 것을 특징으로 하는 것이다. The exposure method of the present invention connects the first pattern A1, C1 and the second pattern A2, C2 to the substrate P by using the masks R, A, B, and C having the pattern 1a. In the exposure method for exposing, the pattern of the mask (A) includes a common pattern (KP) formed continuously with the common pattern (KP) and the common pattern (KP) of the first pattern (A1) and the second pattern (A2); Has different non-common patterns HP1 and HP2, and at least a part of the common patterns KP and the non-common patterns HP1 and HP2 are selected and exposed for connection fitting.

따라서, 본 발명의 노광방법에서는, 기판 (P) 에 제 1 패턴 (A1) 을 노광한 후에, 제 2 패턴 (A2) 을 연결 맞춤 노광할 때에는 제 1 패턴 (A1) 과 공통인 공통패턴 (KP) 및 이 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP) 의 적어도 일부를 선택하여 사용할 수 있다. 그러므로, 제 2 패턴 (A2) 을 노광할 때에, 제 2 패턴 (A2) 을 가지는 마스크 (A) 를 별도로 준비할 필요가 없어진다.Therefore, in the exposure method of this invention, after exposing the 1st pattern A1 to the board | substrate P, when carrying out exposure exposure of the 2nd pattern A2, the common pattern KP common to 1st pattern A1 is common. ) And at least a part of the non-common pattern HP different from the common pattern KP can be selected and used. Therefore, when exposing the second pattern A2, it is not necessary to separately prepare the mask A having the second pattern A2.

또한, 조명영역 (SA1,SA2) 에 대응하는 기판 (P) 상의 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 직사각형으로 배열했을 때에는 조명영역 (SA1,SA2) 의 1 변에 투과율이 점차적으로 변화되는 감광영역을 형성하고, 각 노광영역에 대응하는 조명영역 (SA1,SA2) 을 노광중에 상기 1 변 (X 방향) 을 따라 각각 이동시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 감광영역(減光領域)에 대응하는 기판 (P) 상의 노광영역은 점차적으로 변화된 노광 에너지량으로 노광된다. 그리고, 이 노광영역과 인접하는 노광영역에 있어서는 감광영역에 있어서 중복시킴으로써 중복부의 노광 에너지량을 다른 부분과 동일하게 할 수 있다.In addition, when the exposure areas on the substrate P corresponding to the illumination areas SA1 and SA2 are arranged in a rectangle so that two sides overlap each other, a photosensitive area in which transmittance gradually changes on one side of the illumination areas SA1 and SA2 is provided. And the illumination areas SA1 and SA2 corresponding to the respective exposure areas can be moved along the one side (the X direction) during exposure. By doing so, the exposure area on the substrate P corresponding to the photosensitive area is exposed with the gradually changed exposure energy amount. In the exposure area adjacent to this exposure area, the overlapped exposure area can be made the same as other parts by overlapping in the photosensitive area.

또한, 상기와 같이 노광영역을 직사각형으로 배열했을 때에는 변이 중복되는 노광영역끼리로 쌍을 구성하고, 각 쌍에 있어서 노광영역에 대응하는 조명영역 (SA1,SA2) 을 노광중에 동일 방향 (대각 방향) 을 따라 각각 이동시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 직사각형으로 배열된 노광영역의 교차부 (K1) 에 있어서는 다른 절반의 에너지량으로 노광할 수 있다. 그리고, 나머지 쌍에 있어서도 조명영역 (SB1,SB2) 을 노광중에 동일 방향으로 이동시킴으로써 교차부 (K1) 를 다른 절반의 에너지량으로 노광할 수 있고, 이것들을 합친 노광량이 다른 것과 같아진다.When the exposure areas are arranged in a rectangular shape as described above, pairs are formed of overlapping exposure areas, and in each pair, the illumination areas SA1 and SA2 corresponding to the exposure areas are exposed in the same direction (diagonal direction) during exposure. Each can be moved along. By doing in this way, in the intersection part K1 of the exposure area arrange | positioned in a rectangle, it can expose with the other half energy amount. Also, in the remaining pairs, the crossing portions K1 can be exposed to the other half by the amount of energy by moving the illumination regions SB1 and SB2 in the same direction during exposure, and the combined amounts of these are the same.

또한, 본 발명의 마스크는, 패턴을 가지는 마스크 (A) 에 있어서, 마스크 (A) 에는 복수의 패턴에 맞도록 그 복수의 패턴의 공통패턴 (KP) 과, 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 이 연속하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, in the mask (A) having a pattern, the mask of the present invention has a ratio different from the common pattern (KP) and the common pattern (KP) of the plurality of patterns to match the plurality of patterns in the mask (A). The common patterns HP1 and HP2 are formed in succession.

따라서, 본 발명의 마스크에서는 공통패턴 (KP) 과, 이 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 을 조합함으로써 1 장의 마스크 (A) 로 복수의 패턴에 대응할 수 있다.Therefore, in the mask of the present invention, a plurality of patterns can be supported by one mask A by combining the common pattern KP and the non-common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP.

그리고, 본 발명의 노광장치는 패턴을 가지는 마스크 (R,A) 를 유지하는 마스크 스테이지 (10) 와, 마스크 (R,A) 를 조명하는 조명광학계 (7) 를 구비하고, 마스크 (R,A) 의 패턴을 기판 (P) 에 노광하는 노광장치 (5) 에 있어서, 마스크 스테이지 (10) 에는 청구항 8 또는 청구항 9 에 기재된 마스크 (A) 가 유지되어 있고, 마스크 (A) 의 조명영역을 적어도 제 1 조명영역 (SA1) 과 제 2 조명영역 (SA2) 에 설정하는 조명영역 설정장치 (17) 와, 제 1 조명영역 (SA1) 에 의하여 기판 (P) 에 노광되는 제 1 패턴 (A1) 과 제 2 조명영역 (SA2) 에 의하여 기판 (P) 에 노광되는 제 2 패턴 (A2) 을 연결하여 맞추는 제어장치 (11) 를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.And the exposure apparatus of this invention is provided with the mask stage 10 which hold | maintains the mask R, A which has a pattern, and the illumination optical system 7 which illuminates the mask R, A, and the mask R, A In the exposure apparatus 5 which exposes the pattern of) to the board | substrate P, the mask A of Claim 8 or 9 is hold | maintained in the mask stage 10, and the illumination area of the mask A is at least An illumination region setting device 17 set in the first illumination region SA1 and the second illumination region SA2, the first pattern A1 exposed to the substrate P by the first illumination region SA1, and The control apparatus 11 which connects and fits the 2nd pattern A2 exposed by the 2nd illumination area | region SA2 to the board | substrate P is provided. It is characterized by the above-mentioned.

따라서, 본 발명의 노광장치에서는 마스크 스테이지 (10) 에 유지된 마스크 (A) 의 조명영역을 조명영역 설정장치 (17) 를 이용하여 제 1 조명영역 (SA1) 에 설정함으로써, 적어도 공통패턴 (KP) 을 가지는 제 1 패턴 (A1) 을 기판 (P) 에 노광할 수 있다. 다음으로, 마스크 (A) 의 조명영역을 조명영역 설정장치 (17) 를 이용하여 제 2 조명영역 (SA2) 에 설정함으로써, 적어도 공통패턴 (KP) 을 가지는 제 2 패턴 (A2) 을 기판 (P) 에 노광할 수 있다. 이 때, 기판 (P) 에 노광된 제 1, 제 2 패턴 (A1,A2) 은 제어장치 (11) 의 제어에 의하여 연결 맞춤된다.Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, at least the common pattern KP is set by setting the illumination region of the mask A held on the mask stage 10 to the first illumination region SA1 using the illumination region setting device 17. ), The first pattern A1 having () can be exposed to the substrate P. Next, by setting the illumination area of the mask A to the second illumination area SA2 using the illumination area setting device 17, the second pattern A2 having at least the common pattern KP is formed by the substrate P. FIG. ) Can be exposed. At this time, the 1st, 2nd pattern A1, A2 exposed to the board | substrate P is connected-fit by the control of the control apparatus 11. As shown in FIG.

이하, 본 발명의 노광방법, 노광장치, 및 마스크의 제 1 의 실시형태를 도 1 내지 도 23 을 참조하면서 설명하기로 한다. 여기에서는, 상기와 동일하게 15 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조하기 위한 유리기판을 예로 들어 설명하기로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the 1st Embodiment of the exposure method, exposure apparatus, and mask of this invention is demonstrated, referring FIGS. Here, the glass substrate for manufacturing a 15-inch liquid crystal display device as described above will be described as an example.

이들 도면에 있어서, 종래예로서 제시한 도 38 내지 도 41 과 동일한 구성요소에는 동일 부호를 부여하고 그 설명을 간략하게 하기로 한다.In these drawings, the same components as those in Figs. 38 to 41 presented as conventional examples are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be simplified.

도 3 은 노광장치 (5) 의 개략 구성도이다.3 is a schematic configuration diagram of the exposure apparatus 5.

노광장치 (5) 는 레티클 (마스크)(R) 에 형성된 패턴 (예를 들어, 액정 표시소자패턴) 을 각형 (角形) 의 유리기판(기판)(P) 상에 투영전사하는 것으로서, 수은 램프 (6), 조명광학계 (7), 투영광학계 (8), 기판 스테이지 (9), 레티클 스테이지(마스크 스테이지)(10), 노광데이터 설정부 (21) 및 구동제어장치(제어장치)(11) 로 개략 구성되어 있다.The exposure apparatus 5 projects and transfers a pattern (for example, a liquid crystal display element pattern) formed on the reticle (mask) R onto a rectangular glass substrate (substrate) P. The mercury lamp ( 6) to the illumination optical system 7, the projection optical system 8, the substrate stage 9, the reticle stage (mask stage) 10, the exposure data setting unit 21 and the drive control unit (control unit) 11. It is composed roughly.

수은 램프 (6) 는 조명광으로서의 빔 (B) 을 발하는 것이다. 이 수은 램 프 (6) 에는 타원경 (6a) 이 부설되어 있다. 타원경 (6a) 은 수은 램프 (6) 가 발하는 조명광을 집광하는 것이다.The mercury lamp 6 emits a beam B as illumination light. The mercury lamp 6 is provided with an ellipsoidal mirror 6a. The ellipsoidal mirror 6a condenses the illumination light emitted by the mercury lamp 6.

조명광학계 (7) 는 셔터 (12) 와, 반사 미러 (13,14) 와, 파장선택 필터 (15) 와, 플라이 아이 인테그레이터 (16) 와, 레티클 블라인드 (조명영역 설정장치)(17) 와, 콘덴서렌즈 (18) 로 개략 구성되어 있다. 셔터 (12) 는 빔 (B) 의 광로를 소정 시간 개폐하는 것이다. 반사 미러 (13) 는 타원경 (6a) 으로 집광되어 셔터 (12) 의 오픈 동작에 응답하여 입사된 빔 (B) 을 파장선택 필터 (15) 를 향해 반사하는 것이다. 반사 미러 (14) 는 레티클 블라인드 (17) 를 통과한 빔 (B) 을 콘덴서렌즈 (18) 를 향해 반사하는 것이다.The illumination optical system 7 includes a shutter 12, reflective mirrors 13 and 14, a wavelength selective filter 15, a fly's eye integrator 16, and a reticle blind (lighting area setting device) 17 And a condenser lens 18 in outline. The shutter 12 opens and closes the optical path of the beam B for a predetermined time. The reflecting mirror 13 is condensed by the ellipsoidal mirror 6a and reflects the incident beam B toward the wavelength selective filter 15 in response to the opening operation of the shutter 12. The reflective mirror 14 reflects the beam B passing through the reticle blind 17 toward the condenser lens 18.

파장선택 필터 (15) 는 빔 (B) 중에서 노광에 필요한 파장 (g 선 또는 i 선) 만을 통과시키는 것이다.The wavelength selective filter 15 passes only the wavelength (g line or i line) required for exposure in the beam B. FIG.

플라이 아이 인테그레이터 (16) 는 파장선택 필터 (15) 를 통과한 빔 (B) 의 조도분포를 균일하게 하는 것이다.The fly's eye integrator 16 uniforms the illuminance distribution of the beam B that has passed through the wavelength selective filter 15.

콘덴서렌즈 (18) 는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에서 설정된 조명영역의 이미지를 레티클 (R) 에서 결상시키는 것이다.The condenser lens 18 forms an image of the illumination area set in the opening S of the reticle blind 17 in the reticle R.

레티클 블라인드 (17) 는 플라이 아이 인테그레이터 (16) 및 하프 미러 (13) 를 통과한 빔 (B) 이 레티클 (R) 을 조명하는 조명영역을 설정하는 것으로서, 도 4(a) 에 나타낸 바와 같이 빔 (B) 과 직교하는 평면내에서 상호 직교하는 방향으로 이동하고, 레티클 (R) 의 공액면을 사이에 두고 배치된 직사각형의 유리재로 형성된 블라인드판 (17a,17b) 으로 구성되어 있다. 각 블라인드판 (17a,17b) 에는 크롬이 증착되어 차광된 차광부 (24) 와, 빔 (B) 이 투과하는 직사각형의 투과부 (25) 가 형성되어 있다. 그리고, 레티클 블라인드 (17) 는 블라인드판 (17a,17b) 이 이동하여 각 투과부 (25) 가 조합됨으로써, 투과부 (25) 가 중첩된 범위에 따라서 개구 (S) 가 형성됨과 동시에, 노광할 때마다 개구 (S) 의 크기를 각각 교체할 수 있고, 또한 각 방향의 개구폭을 일정하게 유지하면서 이 상호 직교하는 방향으로 각각 자유롭게 이동될 수 있도록 되어 있다.The reticle blind 17 sets the illumination area in which the beam B passing through the fly-eye integrator 16 and the half mirror 13 illuminates the reticle R, as shown in Fig. 4A. Similarly, it is comprised by the blind plates 17a and 17b which move in the direction orthogonal to each other in the plane orthogonal to the beam B, and were formed with the rectangular glass material arrange | positioned with the conjugate surface of the reticle R interposed. Each of the blind plates 17a and 17b is provided with a light shielding portion 24 in which chromium is deposited and shielded from light, and a rectangular transmission portion 25 through which the beam B transmits. In addition, the reticle blinds 17 move the blind plates 17a and 17b so that the respective transmissive portions 25 are combined so that the opening S is formed in accordance with the overlapping range of the transmissive portions 25 and is exposed every time. The sizes of the openings S can be replaced, respectively, and they can be freely moved in the mutually orthogonal directions while keeping the opening widths in the respective directions constant.

또한, 레티클 블라인드 (17) 는 노광중에 일정한 속도로 이동함으로써, 개구 (S) 의 위치 변화에 수반하여 노광량을 변화시키고, 개구 (S) 의 위치 변화분에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역으로의 노광량, 즉 노광 에너지량을 일정한 비율로 감소시키는 구성으로 되어 있다. 또한, 이 레티클 블라인드 (17) 에는 서보모터와 볼 나사를 조합시킨 이송기구 (모두 도시 생략) 등에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 을 각각 구동시키는 구동기구 (이동장치)(20) 가 부설되어 있다.In addition, the reticle blind 17 moves at a constant speed during exposure, thereby changing the exposure amount with the change of the position of the opening S, and exposing the exposure area on the glass substrate P corresponding to the position change of the opening S. The exposure amount, ie, the exposure energy amount, is reduced at a constant rate. In addition, the reticle blind 17 includes a drive mechanism (moving device) for driving the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17, respectively, by a transfer mechanism (both not shown) that combines a servomotor and a ball screw ( 20) is installed.

투영광학계 (8) 는 레티클 (R) 의 조명영역에 존재하는 패턴의 이미지를 유리기판 (P) 상에 결상 (結像) 시키는 것이다.The projection optical system 8 forms an image of the pattern existing in the illumination region of the reticle R on the glass substrate P. FIG.

레티클 스테이지 (10) 는 레티클 (R) 을 유지하는 것이다. 그리고, 레티클 스테이지 (10) 에는 레티클 (R) 을 교환하는 레티클 교환장치 (도시 생략) 가 부설되어 있다.The reticle stage 10 is to hold the reticle R. The reticle stage 10 is provided with a reticle exchanger (not shown) for exchanging the reticle R.

기판 스테이지 (9) 는 유리기판 (P) 을 유지하는 것으로서, 상호 직교하는 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다. 이 기판 스테이지 (9) 상에는 이동경 (9a) 이 형성되어 있다. 이동경 (9a) 에는 위치계측장치인 도시하지 않은 레이저 간섭계에서 레이저광 (19) 이 사출되고, 그 반사광과 입사광의 간섭을 바탕으로 하여 이동경 (9a) 과 레이저 간섭계 사이의 거리, 즉 기판 스테이지 (9)(나아가서는 유리기판 (P)) 의 위치가 검출되는 구성으로 되어 있다. 또한, 기판 스테이지 (9) 에는 리니어 모터 등, 기판 스테이지 (9) 를 구동시키는 구동기구 (22) 가 부설되어 있다.The substrate stage 9 holds the glass substrate P, and can move freely in directions perpendicular to each other. The moving mirror 9a is formed on this substrate stage 9. The laser beam 19 is emitted from the laser interferometer (not shown) which is a position measuring device in the movable mirror 9a, and the distance between the movable mirror 9a and the laser interferometer, i.e., the substrate stage 9, is based on the interference between the reflected light and the incident light. (Going forward, the position of the glass substrate P) is detected. The substrate stage 9 is provided with a drive mechanism 22 for driving the substrate stage 9 such as a linear motor.

노광데이터 설정부 (21) 는, 노광데이터로서 하나의 노광영역을 분할한 분할영역의 각각의 좌표위치, 크기 등의 노광영역에 관한 데이터와, 인접하는 분할영역의 일부를 중복하여 노광하는 연결 맞춤 노광에 관한 데이터를 입력하는 것이다.The exposure data setting unit 21 connects the exposure data such as the coordinate position and the size of each of the divided areas in which one exposure area is divided as exposure data, and a part of the adjacent divided areas by overlapping exposure. The data relating to the exposure is input.

구동제어장치 (11) 는 노광데이터 설정부 (21) 에서 설정된 노광데이터에 기초하여 인접하는 분할영역이 연결 맞춤 노광되도록 구동기구 (20) 를 통하여 레티클 블라인드 (17) 를 구동시킴과 동시에, 구동기구 (22) 를 통하여 기판 스테이지 (9) 를 구동시키는 구성으로 되어 있다.The drive control device 11 drives the reticle blind 17 through the drive mechanism 20 so that the adjacent divided areas are connected and exposed on the basis of the exposure data set by the exposure data setting unit 21, and at the same time, the drive mechanism The substrate stage 9 is driven through the 22.

한편, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 유리기판 (P) 에 전사되는 회로패턴 (1) 은 표시부 (2) 와 주변부 (3) 으로 구성되어 있다. 표시부 (2) 는 복수의 화소 (픽셀) 에 따른 복수의 전극이 규칙적으로 배열된 패턴으로 구성되어 있다. 주변부 (3) 는 표시부 (2) 를 감싸듯이 형성되고, 표시부 (2) 의 각 전극의 패턴과 이들 각 전극을 구동시키는 드라이버 회로를 각각 도통시키는 도통부를 가지고 있다. 이 도통부는 표시부 (2) 의 X 방향 양단에 각각 1 개씩 배치된 사다리꼴의 탭 (X1,X2) 와, 표시부 (2) 의 Y 방향 양단에 각각 등간격으로 8 개씩, 각각 인접 하도록 배치된 사다리꼴의 탭 (Y1~Y8, Y9~Y16) 로 구성되어 있다.On the other hand, as shown in FIG. 2, the circuit pattern 1 transferred to the glass substrate P is composed of the display portion 2 and the peripheral portion 3. The display unit 2 is configured in a pattern in which a plurality of electrodes according to a plurality of pixels (pixels) are regularly arranged. The peripheral part 3 is formed so as to surround the display part 2, and has a conduction part which electrically connects the pattern of each electrode of the display part 2, and the driver circuit which drives each electrode. The conducting portions are trapezoidal tabs X1 and X2 arranged one at each end in the X-direction of the display portion 2, and eight trapezoids arranged at the same intervals at both ends of the Y-direction of the display portion 2, respectively. It consists of tabs Y1 to Y8 and Y9 to Y16.

그리고, 회로패턴 (1) 은 X 방향으로 소정 간격을 두고 Y 방향으로 연이어지는 분할라인 (V1~V3) 및 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H1) 에 의하여 분할된, 표시부 (2) 및 주변부 (3) 를 포함한 분할패턴 (A1~A4, B1~B4) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 분할라인 (V1) 은 탭 (Y3) 의 중심을 지나가도록, 분할라인 (V3) 은 탭 (Y6) 의 중심을 지나가도록 각각 설정되어 있다. 또한, 분할라인 (V2) 은 탭 (Y4) 와 탭 (Y5) 사이를 지나가도록 설정되어 있다.Then, the circuit pattern 1 is divided into the display portion 2 and the peripheral portion (divided by the division lines V1 to V3 extending in the Y direction at predetermined intervals in the X direction and the division lines H1 extending in the X direction). It consists of the structure synthesize | combined by the division pattern A1-A4, B1-B4 including 3). Here, the dividing line V1 is set so as to pass through the center of the tab Y3, and the dividing line V3 passes through the center of the tab Y6. In addition, the dividing line V2 is set to pass between the tab Y4 and the tab Y5.

그리고, 이 회로패턴 (1) 을 전사하기 위한 레티클 (R) 은 도 1(a) 에 나타낸 레티클 (마스크)(A) 와 도 1(b) 에 나타낸 레티클 (마스크)(B) 의 2 장을 사용하는 구성으로 되어 있다. 레티클 (A) 은 분할패턴 (A1~A4) 을 전사할 때 사용되는 것으로서, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (패턴)(1a) 과 크롬이 증착된 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정 투영 배율을 가지고 형성되어 있다.The reticle R for transferring the circuit pattern 1 is composed of two pieces of the reticle (mask) A shown in Fig. 1 (a) and the reticle (mask) B shown in Fig. 1 (b). It is a structure to be used. The reticle A is used to transfer the division patterns A1 to A4, and a circuit pattern (pattern) 1a consisting of a display portion 2a and a peripheral portion 3a and a light shielding band on which chromium is deposited is formed on the surface thereof. 23 is formed with a predetermined projection magnification with the glass substrate P. As shown in FIG.

주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 +Y 방향 단부에 형성된 3 개의 탭 (Y21~Y23) 으로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 -Y 방향을 약간 포함하는 +Y 방향의 절반 정도를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y21~Y23) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y1~Y8) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral part 3a is comprised from the tab X11, X12 formed in the X direction both ends of the display part 2a, and the three tabs Y21-Y23 formed in the + Y direction end part of the display part 2a. The tabs X11 and X12 have about half of the + Y direction which includes the -Y direction slightly than the dividing line H1 among the patterns to which the tabs X1 and X2 of the glass substrate P are transferred. Similarly, the tabs Y21 to Y23 have patterns to be transferred to the tabs Y1 to Y8 of the glass substrate P, respectively.

표시부 (2a) 는 유리기판 (P) 에 전사되는 표시부 (2) 의 패턴을 부분적으로 가지는 것이다. 표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y21~Y23) 의 3 개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 동일하게, 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 -Y 방향을 약간 포함하는 +Y 방향의 절반 정도에 상당하는 길이를 가지고 있다.The display portion 2a partially has a pattern of the display portion 2 to be transferred to the glass substrate P. FIG. As for the width | variety of the display part 2a, the division direction of the pattern to which the display part 2a is transferred is carried out so that the X direction becomes three lengths of the tabs Y21-Y23, and the Y direction is the same as the said tabs X11, X12. It has a length equivalent to about half of the + Y direction including the -Y direction rather than (H1).

차광대 (23) 는 연결 맞춤 노광할때 빔 (B) 을 차광하는 것으로서, 회로패턴 (1a) 의 -Y 방향의 변을 제외한 3 방향의 주변에 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태의 연결 맞춤 노광으로는, 인접하여 노광되는 패턴 (노광영역) 의 일부를 중복하여 노광하는 방식을 사용하는 것으로 한다.The light shielding stand 23 shields the beam B during the connection fitting exposure, and is formed around the three directions except for the side in the -Y direction of the circuit pattern 1a. In addition, as connection fitting exposure of this embodiment, the system of overlapping part of the pattern (exposure area) exposed adjacently shall be used.

또한, 레티클 (A) 에 있어서는, 도 1(a) 에 나타낸 바와 같이 좌단에 위치하는 탭 (Y21) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V11) 이, 또한 우단에 위치하는 탭 (Y23) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V14) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 또한, 좌단의 탭 (Y21) 과 중앙의 탭 (Y22) 사이를 지나가도록 분할라인 (V12) 이, 그리고 우단의 탭 (Y23) 과 중앙의 탭 (Y22) 와의 사이를 지나가도록 분할라인 (V13) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H1) 에 상당하는 위치에, 분할라인 (H11) 이 X 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다.In the reticle A, as shown in Fig. 1 (a), the division line V11 further defines the center of the tab Y23 located at the right end so as to pass through the center of the tab Y21 located at the left end. The dividing lines V14 are virtually set so as to be connected in the Y direction so as to pass by. Further, the dividing line V12 passes between the tab Y21 at the left end and the tab Y22 at the center, and the dividing line V13 passes between the tab Y23 at the right end and the tab Y22 at the center. Each of these is virtually set so as to be connected in the Y direction. Similarly, at the position corresponding to the dividing line H1, the dividing line H11 is virtually set so as to extend in the X direction.

그리고, 레티클 (A) 의 회로패턴 (1a) 은 인접하는 2 개의 분할패턴에 노광될 때, 공통패턴 (KP) 과 상기 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 으로 분리된다. 공통패턴 (KP) 은 이들 양분할패턴에 공통적으로 전사되도록 설정된다. 비공통패턴 (HP1,HP2) 은 공통패턴 (KP) 과 연속하여, 또한 공통패 턴 (P) 을 사이에 두고 형성되도록 설정된다. 그리고, 각 분할패턴을 노광할 때는 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하도록 설정된다.The circuit pattern 1a of the reticle A is separated into a common pattern KP and non-common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP when exposed to two adjacent divided patterns. . The common pattern KP is set to be transferred to these two divided patterns in common. The non-common patterns HP1 and HP2 are set to be formed continuously with the common pattern KP and with the common pattern P interposed therebetween. And when exposing each divided pattern, it is set so that at least one part of common pattern KP and non-common pattern HP1, HP2 may be selected.

레티클 (B) 은 분할패턴 (B1~B4) 을 전사할 때 사용되는 것으로서, 레티클 (A) 과 동일한 구성이므로 간단하게 설명하면, 주변부 (3a) 에는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 위치하여 탭 (X11,X12) 가 형성되고, 표시부 (2a) 의 -Y 방향 단부에 위치하여 3 개의 탭 (Y24~Y26) 가 형성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 +Y 방향을 약간 포함하는 -Y 방향의 절반 정도를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y24~Y26) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y9~Y16) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The reticle B is used to transfer the division patterns B1 to B4. Since the reticle B is the same configuration as the reticle A, the reticle B is simply located at both ends of the display portion 2a in the X direction at the tab 3a. (X11, X12) are formed, and the three tabs Y24-Y26 are formed in the edge part at the -Y direction of the display part 2a. The tabs X11 and X12 have about half of the -Y direction in which the tabs X1 and X2 of the glass substrate P are transferred, slightly including the + Y direction than the dividing line H1. Similarly, the tabs Y24 to Y26 have patterns to be transferred to the tabs Y9 to Y16 of the glass substrate P, respectively.

표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y24~Y26) 의 3개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 동일하게, 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 +Y 방향을 약간 포함하는 -Y 방향의 절반 정도에 상당하는 길이를 가지고 있다. 차광대 (23) 는 회로패턴 (1a) 의 +Y 방향의 변을 제외한 3 방향의 주변에 형성되어 있다.As for the width | variety of the display part 2a, the division direction of the pattern to which the display part 2a is transferred is carried out so that the X direction becomes three lengths of the tabs Y24-Y26, and the Y direction is the same as the said tabs X11, X12. It has a length equivalent to about half of the -Y direction which includes the + Y direction rather than (H1). The light shielding band 23 is formed in the periphery of three directions except the side of the + Y direction of the circuit pattern 1a.

또한, 레티클 (B) 에 있어서는, 도 1(b) 에 나타낸 바와 같이 좌단에 위치하는 탭 (Y24) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V15) 이, 또한 우단에 위치하는 탭 (Y26) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V18) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 또한, 좌단의 탭 (Y24) 와 중앙의 탭 (Y25) 사이를 지나가도록 분할라인 (V16) 이, 그리고 우단의 탭 (Y26) 와 중앙의 탭 (Y25) 와의사이를 지나 가도록 분할라인 (V17) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H1) 에 상당하는 위치에 분할라인 (H12) 이 X 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다.In the reticle B, as shown in Fig. 1 (b), the division line V15 further moves the center of the tab Y26 located at the right end so as to pass through the center of the tab Y24 at the left end. The dividing lines V18 are virtually set so as to extend in the Y direction so as to pass through them. Further, the dividing line V16 passes between the tab Y24 at the left end and the tab Y25 at the center, and the dividing line V17 passes between the tab Y26 at the right end and the tab Y25 at the center. Each of these is virtually set so as to be connected in the Y direction. Similarly, the dividing line H12 is virtually set so that the dividing line H12 may be continued in the X direction at a position corresponding to the dividing line H1.

그리고, 레티클 (B) 의 회로패턴 (1a) 은 인접하는 2 개의 분할패턴에 노광될 때, 공통패턴 (KP) 과 상기 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 으로 분리된다. 공통패턴 (KP) 은 이들 양분할패턴에 공통하여 전사되도록 설정된다. 비공통패턴 (HP1,HP2) 은 공통패턴 (KP) 과 연속하여, 또한 공통패턴 (P) 을 사이에 두고 형성되도록 설정된다. 그리고, 각 분할패턴을 노광할 때는 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하도록 설정된다. The circuit pattern 1a of the reticle B is separated into a common pattern KP and non-common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP when exposed to two adjacent divided patterns. . The common pattern KP is set to be transferred in common to these two division patterns. The non-common patterns HP1 and HP2 are set to be formed continuously with the common pattern KP and with the common pattern P interposed therebetween. And when exposing each divided pattern, it is set so that at least one part of common pattern KP and non-common pattern HP1, HP2 may be selected.

상기 구성의 노광장치 및 마스크를 이용하여 유리기판 (P) 에 회로패턴 (1) 을 전사하는 순서를 이하에서 설명하기로 한다. 여기에서는 분할패턴 (A1~A4, B1~B4) 을 순차적으로 전사하는 것으로써 설명하기로 한다.The procedure for transferring the circuit pattern 1 to the glass substrate P using the exposure apparatus and mask of the above configuration will be described below. Here, the division patterns A1 to A4 and B1 to B4 will be described by sequentially transferring the division patterns.

그리고, 노광데이터 설정부 (21) 에는 미리 분할패턴 (A1~A4, B1~B4) 이 각각 분할되어 노광되는 분할영역의 기준좌표위치, 크기 등의 노광영역 데이터와, 각 분할영역에 있어서 중첩노광을 행하는 변이 지정된 데이터가 입력되어 있다.Then, the exposure data setting unit 21 previously exposes exposure area data such as reference coordinate positions and sizes of the divided areas where the divided patterns A1 to A4 and B1 to B4 are divided and exposed, and overlapping exposure in each divided area. The data for which the side to perform the operation is specified.

우선, 레티클 (A) 이, 도시하지 않은 레티클 교환장치에 의하여 레티클 스테이지 (10) 에 얼라인먼트되어 세트되면, 구동제어장치 (11) 가 노광데이터 설정부 (21) 의 데이터를 판독하여 구동기구 (20) 를 통하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 을 구동시킨다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 5a 에 나타낸 바와 같이 제 1 패턴으로서의 분 할패턴 (A1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 1 조명영역)(SA1) 이 설정된다. 이 분할패턴 (A1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다.First, when the reticle A is aligned and set to the reticle stage 10 by a reticle exchanger (not shown), the drive control device 11 reads the data of the exposure data setting unit 21 to drive the drive mechanism 20 ), The blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 are driven. Thereby, the reticle A corresponds to the opening S of the reticle blind 17, and as shown in FIG. 5A, a rectangular illumination area corresponding to the division pattern A1 as the first pattern (first illumination area). SA1 is set. The division pattern A1 is composed of a part of the common pattern KP, the non-common pattern HP1, and the non-common pattern HP2.

여기에서, 레티클 (A) 의 분할라인 (V14) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Here, the dividing line V14 of the reticle A is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SA1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시의 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V14) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA1) 의 하변 (-Y 측의 변) 은, 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SA1) 의 좌변 (-X 측의 변) 및 상변 (+Y 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출하도록 설정된다.At this time, the right side (side on the + X side) of the illumination area SA1 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V14, corresponding to the overlapping width during the connection fitting exposure. Similarly, the lower side (side on the -Y side) of the illumination area SA1 is set to be offset on the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H11, corresponding to the width to be overexposed. In addition, the left side (side on the -X side) and the top side (side on the + Y side) of the illumination area SA1 are set to be exposed to a width equal to or more than the width that the light shielding band 23 overlaps.

한편, 구동제어장치 (11) 는 레티클 블라인드 (17) 를 구동시킴과 동시에, 구동기구 (22) 를 통하여 기판 스테이지 (9) 를 구동시킨다. 이로써 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 에서 설정된 조명영역 (SA1) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동한다. 이 기판 스테이지 (9) 의 이동시에는 도시하지 않은 레이저 간섭계가 기판 스테이지 (9) 상의 이동경 (9a) 을 향하여 레이저광 (19) 을 사출하고, 그 반사광과 입사광과의 간섭에 의하여 거리를 측정하여 기판 스테이지 (9)(즉, 유리기판 (P)) 의 위치를 정확하게 검출한다.On the other hand, the drive control device 11 drives the reticle blind 17 and drives the substrate stage 9 via the drive mechanism 22. Thus, the substrate stage 9 moves so that the glass substrate P is set at a position corresponding to the illumination area SA1 set in the reticle blind 17. When the substrate stage 9 is moved, a laser interferometer (not shown) emits the laser light 19 toward the moving mirror 9a on the substrate stage 9, and measures the distance by the interference between the reflected light and the incident light. The position of the stage 9 (ie, the glass substrate P) is accurately detected.

레티클 블라인드 (17) 및 기판 스테이지 (9) 가 소정 위치에 세트되면, 도 3 에 나타낸 바와 같이 노광장치 (5) 에서는, 수은 램프 (6) 로부터의 조명광인 빔 (B) 이 타원경 (6a) 에서 집광되고, 셔터 (12) 의 오픈 동작에 응답하여 반사 미러 (13) 로부터 파장선택 필터 (15) 에 입사된다. 파장선택 필터 (15) 에서 노광에 필요한 파장만이 통과된 빔 (B) 은 플라이 아이 인테그레이터 (16) 에서 균일한 조도분포로 조정된 후에 레티클 블라인드 (17) 에 도달한다.When the reticle blind 17 and the substrate stage 9 are set at predetermined positions, in the exposure apparatus 5, as shown in Fig. 3, the beam B, which is illumination light from the mercury lamp 6, is an ellipsoidal mirror 6a. Is focused on, and is incident on the wavelength selective filter 15 from the reflection mirror 13 in response to the opening operation of the shutter 12. The beam B, through which only the wavelength necessary for exposure in the wavelength selective filter 15 has passed, reaches the reticle blind 17 after being adjusted to the uniform illuminance distribution in the fly's eye integrator 16.

레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 를 통과한 빔 (B) 은 반사 미러 (14) 에서 반사되고 콘덴서렌즈 (18) 에 입사된다. 이 콘덴서렌즈 (18) 에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 의 이미지가 레티클 (A) 에 결상되고, 개구 (S) 에 대응하는 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 이 조명된다. 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상의 노광영역에 결상된다. 이로써 조명영역 (SA1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A1) 이 전사된다.The beam B passing through the opening S of the reticle blind 17 is reflected by the reflection mirror 14 and is incident on the condenser lens 18. The image of the opening S of the reticle blind 17 is formed by the condenser lens 18 on the reticle A, and the illumination area SA1 of the reticle A corresponding to the opening S is illuminated. The image of the pattern existing in the illumination area SA1 of the reticle A is imaged in the exposure area on the glass substrate P by the projection optical system 8. As a result, the division pattern A1 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SA1.

이 노광중에, 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 5(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA1) 은 우변이 분할라인 (14) 을 초과하도록 +X 방향측으로, 또한 하변이 분할라인 (H11) 을 초과하도록 -Y 방향측으로 (즉, 도 5 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다. 이 우변 및 하변의 이동에 의하여 유리기판 (P) 상의 노광영역에서는, 노광되는 노광 에너지량이 일정한 비율로 점차 감소된 상태에서 노광된다.During this exposure, the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11, so that the illumination area SA1 is divided on the right side of the illumination area SA1 as shown in FIG. It moves toward the + X direction side to exceed (14), and to the -Y direction side (that is, from the upper left to the lower right in FIG. 5) so that the lower side exceeds the dividing line H11 by a width which overlaps each exposure at a predetermined speed. By the movement of the right side and the lower side, the exposure area on the glass substrate P is exposed in a state where the amount of exposure energy to be exposed is gradually reduced at a constant rate.

계속해서, 제 2 패턴으로서 분할패턴 (A2) 을 노광한다. 분할패턴 (A2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 의 일부로 구성된다.Subsequently, the division pattern A2 is exposed as the second pattern. The division pattern A2 is composed of a part of the common pattern KP and the non-common pattern HP1.

상기와 동일하게, 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 및 기판 스테이지 (9) 가 이동한다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 6a 에 나타낸 바와 같이 제 2 패턴으로서의 분할패턴 (A2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 2 조명영역)(SA2) 이 설정된다. 또한, 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 에서 설정된 조명영역 (SA2) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동한다.In the same manner as above, the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 and the substrate stage 9 are moved by the control of the drive control device 11. Thereby, the reticle A corresponds to the opening S of the reticle blind 17 and, as shown in Fig. 6A, a rectangular illumination area (second illumination area) corresponding to the division pattern A2 as the second pattern. SA2 is set. Further, the substrate stage 9 moves so that the glass substrate P is set at a position corresponding to the illumination area SA2 set in the reticle blind 17.

여기에서, 레티클 (A) 의 분할라인 (V13) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (A) 의 분할라인 (V11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Here, the dividing line V13 of the reticle A is virtually set in the dividing line V2 in the glass substrate P. As shown in FIG. In addition, the dividing line V11 of the reticle A is set to the dividing line V1 in the glass substrate P virtually. At the same time, the dividing line H11 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SA2) 의 우변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V13) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA2) 의 하변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 설정된다. 또한, 좌변은 도 5a 에 나타낸 바와 같은 노광전의 조명영역 (SA1) 에서 설정된 우변의 위치와 합치하도록 분할라인 (V11) 을 초과하여 설정된다. 그리고, 조명영역 (SA2) 의 상변은, 상기와 동일하게 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.At this time, the right side of the illumination area SA2 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually set dividing line V13, corresponding to the width to be overexposed. Similarly, the lower side of the illumination area SA2 is set to be offset on the + Y side with respect to the virtually set dividing line H11, corresponding to the width for overlapping exposure. Further, the left side is set beyond the dividing line V11 to coincide with the position of the right side set in the illumination area SA1 before exposure as shown in Fig. 5A. And the upper side of illumination area | region SA2 is set so that it may be exposed by the width more than the width which the light shielding stand 23 overlaps and exposes similarly to the above.

이 조명영역 (SA2) 의 설정에 의하여, 도 1(a) 에 나타낸 바와 같이 레티클 (A) 의 회로패턴 (1a) 중, 분할라인 (V11,V13) 사이의 패턴이 제 1, 제 2 패턴인 분할패턴 (A1,A2) 의 공통패턴 (KP) 으로서 설정된다. 또한, 분할라인 (V11) 보다도 -X 측의 패턴 및 분할라인 (V13,V14) 사이의 패턴이 공통패턴 (KP) 을 사이에 끼우도록 비공통패턴 (HP,HP) 으로서 선택되게 된다.By setting this illumination area SA2, as shown to Fig.1 (a), in the circuit pattern 1a of the reticle A, the pattern between division lines V11 and V13 is a 1st, 2nd pattern. It is set as the common pattern KP of the division patterns A1 and A2. Further, the pattern on the -X side and the pattern between the division lines V13 and V14 than the division line V11 are selected as the non-common patterns HP and HP so as to sandwich the common pattern KP therebetween.

그리고, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면, 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하는 레티클 (A) 의 조명영역 (SA2) 이 조명된다. 레티클 (A) 의 조명영역 (SA2) 에 존재하는 패턴의 이미지는, 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SA2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A2) 이 전사된다. 여기에서도, 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 6(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA2) 은 우변이 +X 방향측으로, 또한 하변이 -Y 방향측으로 (즉, 도 6 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다. 이 결과, 인접하는 분할패턴 (A1,A2) 사이가 연결 맞춤 노광된다.And when the exposure process is performed similarly to the above, the illumination area SA2 of the reticle A corresponding to the opening S of the reticle blind 17 is illuminated. The image of the pattern existing in the illumination area SA2 of the reticle A is imaged on the glass substrate P by the projection optical system 8. As a result, the division pattern A2 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SA2. Here too, the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11 during the exposure process, so that the illumination area SA2 is on the right side as shown in Fig. 6B. The lower side moves to the + X direction side and the lower side moves by the width for overlapping exposure at a predetermined speed, respectively (that is, from the upper left to the lower right in FIG. 6). As a result, connection-adjustment exposure is performed between adjacent division patterns A1 and A2.

그 후, 상기와 동일한 순서로, 도 7(a), 도 7(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (A3) 및 도 8(a), 도 8(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (A4) 을, 각 분할패턴 (A3,A4) 에 대응하는 조명영역 (SA3,SA4) 을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 7, 도 8 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 이동시킴으로써, 각 조명영역 (SA3,SA4) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에, 인접하는 분할패턴 사이가 연결 맞춤 노광되도록 순차적으로 전사한다.Then, in the same order as described above, the divided pattern A3 set as shown in Figs. 7A and 7B and the divided pattern set as shown in Figs. 8A and 8B ( A4) is the illumination area SA3, SA4 corresponding to each division pattern A3, A4 from + Y, -X side to -Y, + X side (i.e., from top left to bottom right in FIGS. 7 and 8). ) Is sequentially transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to each of the illumination areas SA3 and SA4 so that the adjacent division patterns are connected and exposed.

그리고, 분할패턴 (A1~A4) 까지의 전사가 완료하면, 레티클 교환장치에 의하여 레티클 스테이지 (10) 상의 레티클 (A) 을 도 1(b) 에 나타낸 레티클 (B) 과 교환한다. 이 레티클 (B) 은 레티클 (A) 과 Y 방향으로 대칭으로 형성된 것이다. 레티클 (B) 에 대해서도 레티클 (A) 와 동일한 순서에 의하여 분할패턴 (B1~B4) 을 연결 맞춤 노광하면서 순차적으로 전사함으로써 유리기판 (P) 에 회로패턴 (1) 이 전사된다.When the transfer to the division patterns A1 to A4 is completed, the reticle A on the reticle stage 10 is exchanged with the reticle B shown in Fig. 1B by the reticle exchanger. This reticle B is formed symmetrically with the reticle A in the Y direction. Also in the reticle B, the circuit pattern 1 is transferred to the glass substrate P by sequentially transferring the division patterns B1 to B4 in the same order as the reticle A while connecting and exposing the divided patterns B1 to B4.

구체적으로는, 우선 레티클 (B) 에는, 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a, 17b) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 9(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB1) 이 설정된다. 이 분할패턴 (B1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V18) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Specifically, first, the reticle B corresponds to the opening pattern S of the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17, and corresponds to the division pattern B1 as shown in FIG. 9 (a). The rectangular illumination area SB1 is set. This divided pattern B1 is composed of a part of the common pattern KP, the non-common pattern HP1, and the non-common pattern HP2. Here, the dividing line V18 of the reticle B is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H12 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SB1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시의 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V18) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SB1) 의 상변 (+Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SB1) 의 좌변 (-X 측의 변) 및 하변 (-Y 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.At this time, the right side (side on the + X side) of the illumination area SB1 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V18, corresponding to the overlapping width during the connection fitting exposure. Similarly, the upper side (side on the + Y side) of the illumination area SB1 is set to be offset on the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H12, corresponding to the width to be overexposed. In addition, the left side (side on the -X side) and the lower side (side on the -Y side) of the illumination region SB1 are set to be exposed to a width equal to or more than the width that the light shielding band 23 overlaps with.

그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SB1) 에 대응하는 위치에 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SB1) 이 조명된다. 레티클 (B) 의 조명영역 (SB1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SB1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (B1) 이 전사된다. 여기에서도, 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 9(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB1) 은 우변이 +X 방향측으로, 또한 하변이 -Y 방향측으로 (즉, 도 9 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다. 이 결과, 인접하는 분할패턴 (A1,B1) 사이가 연결 맞춤 노광된다.Then, after the glass substrate P moves the substrate stage 9 to a position corresponding to the illumination region SB1, the illumination region SB1 is illuminated when the exposure treatment is performed in the same manner as above. The image of the pattern existing in the illumination area SB1 of the reticle B is imaged on the glass substrate P by the projection optical system 8. As a result, the division pattern B1 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB1. Here too, the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11 during the exposure process, so that the illumination region SB1 is on the right side as shown in Fig. 9B. The lower side moves to the + X direction side and the lower side moves to the -Y direction side (i.e., from the upper left to the lower right in FIG. 9) by the width for overlapping exposure at a predetermined speed. As a result, connection-adjustment exposure is performed between adjacent division patterns A1 and B1.

이 후, 상기와 동일한 순서로, 도 10(a), 도 10(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B2), 도 11(a), 도 11(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B3), 및 도 12(a), 도 12(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B4) 을, 각 분할패턴 (B2~B4) 에 대응하는 조명영역 (SB2~SB4) 을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 10 ~ 도 12 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 이동시킴으로써, 각 조명영역 (SB2~SB4) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에, 인접하는 분할패턴 사이가 연결 맞춤 노광되도록 순차적으로 전사한다.Subsequently, the division pattern B2 set as shown in Figs. 10 (a) and 10 (b), the division pattern set as shown in Figs. B3) and the divided pattern B4 set as shown in Figs. 12 (a) and 12 (b), and the illumination regions SB2 to SB4 corresponding to the respective divided patterns B2 to B4 are + Y,- By moving from the X side to the -Y and + X side (that is, from the upper left to the lower right in FIGS. 10 to 12), the exposure area adjacent to the exposure area on the glass substrate P corresponding to each illumination area SB2 to SB4 The division patterns are sequentially transferred so that the connection pattern is exposed.

여기에서 노광영역이 1 변에서만 중복되는 것이 아니라, 예를 들어 분할패턴 (A1, A2, B1, B2) 과 같이 각각 2 변 이상에서 중복되도록 직사각형으로 배열된 경우, 도 2 에 나타낸 바와 같이 이들 4 개의 노광영역의 교차부 (K1) 는 상기 노광방법에서는 조명영역의 이동방향에 따라서 3 개 이상의 노광영역에 의하여 중복 노 광된다.Here, when the exposure areas are not overlapped on only one side but are arranged in a rectangle so as to overlap on two or more sides, for example, as the division patterns A1, A2, B1, and B2, these four as shown in FIG. The intersection K1 of the two exposure areas is overlapped by three or more exposure areas according to the moving direction of the illumination area in the above exposure method.

상기와 같이 조명영역을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 2 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 이동시킨 경우의 교차부 (K1) 에 노광되는 에너지량에 대하여 도 13 부터 도 18 을 이용하여 설명하기로 한다.As described above, the amount of energy exposed to the intersection portion K1 when the illumination region is moved from the + Y, -X side to the -Y, + X side (that is, from the upper left to the lower right in FIG. This will be described with reference to FIG. 18.

도 13 에 나타낸 바와 같이, 각 조명영역 (SA1~SA2, SB1~SB2) 이 직선 L1 과 L2 의 사이, 및 직선 L3 과 L4 의 사이에서 각각 이동시킨 경우, 교차부 (K1) 는 직선 (L1~L4) 으로 둘러싸인 직사각형 영역이 된다. 또한, 직선 L1 과 L3 의 교점을 P1, 직선 L2 와 L4 의 교점을 P2, 직선 L2 와 L3 의 교점을 P3, 직선 L1 과 L4 의 교점을 P4 로 하면, 분할패턴 (A1) 을 노광할 때에 조명영역 (SA1) 의 단점 (端点) 은 교점 P1 에서 교점 P2 으로 직사각형 배열된 노광영역의 대각 방향으로 이동된다. 이 때, 1 회의 노광에서 중복되어 있지 않은 영역에 조사되는 노광량을 100 % 로 하면, 도 14 에 나타낸 바와 같이 교차부 (K1) 는 교점 P1 이 100 % 의 노광량이 되며, 교점 P2 ~ P4 가 0 % 의 노광량이 되는 사각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다.As shown in FIG. 13, when each illumination area | region SA1-SA2, SB1-SB2 is moved between the straight lines L1 and L2, and between the straight lines L3 and L4, respectively, the intersection part K1 is a straight line L1-S. A rectangular area surrounded by L4) is obtained. Also, when the intersection of the straight lines L1 and L3 is P1, the intersection of the straight lines L2 and L4 is P2, the intersection of the straight lines L2 and L3 is P3, and the intersection of the straight lines L1 and L4 is P4, the illumination is performed when exposing the divided pattern A1. A disadvantage of the area SA1 is shifted in the diagonal direction of the exposure area rectangularly arranged from the intersection P1 to the intersection P2. At this time, if the exposure amount irradiated to the area which is not overlapped by one exposure is made into 100%, as shown in FIG. 14, the intersection part K1 will have the exposure amount of 100% of intersection P1, and the intersection P2-P4 will be 0. The exposure amount distribution of the square weight which becomes the exposure amount of% is shown.

또한, 분할패턴 (A2) 을 노광시킬 때에 조명영역 (SA2) 의 단점은 교점 P1 에서 교점 P2 로 대각 방향으로 이동되나, 교점 P1, P2, P4 로 둘러싸인 삼각형상의 영역은 노광되지 않는다. 따라서, 교차부 (K1) 는 도 15 에 나타낸 바와 같이 교점 P3 이 100 % 의 노광량이 되며 교점 P1, P2 가 0 % 의 노광량이 되는 삼각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다. 마찬가지로, 분할패턴 (B1) 을 노광시킬 때에 조명영역 (SB1) 의 단점은 교점 P1 에서 교점 P2 로 대각 방향으로 이동되나, 교점 P1, P2, P3 으로 둘러싸인 삼각형상의 영역은 노광되지 않는다. 따라서, 교차부 (K1) 는 도 16 에 나타낸 바와 같이 교점 P4 가 100 % 의 노광량이 되고, 교점 P1, P2 가 0 % 의 노광량이 되는 삼각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다. 또한, 분할패턴 (B2) 을 노광시킬 때에도 조명영역 (SB2) 의 단점은 교점 P1 에서 교점 P2 로 대각 방향으로 이동되고, 도 17 에 나타낸 바와 같이 교차부 (K1) 는 교점 P2 가 100 % 의 노광량이 되고, 교점 P1, P3, P4 가 0 % 의 노광량이 되는 사각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다.Further, when exposing the dividing pattern A2, the disadvantage of the illumination area SA2 is shifted diagonally from the intersection point P1 to the intersection point P2, but the triangular area surrounded by the intersection points P1, P2, P4 is not exposed. Therefore, as shown in FIG. 15, the intersection part K1 shows the triangular-shaped exposure amount distribution in which intersection P3 becomes 100% of exposure amount and intersection P1, P2 becomes 0% of exposure amount. Similarly, the disadvantage of the illumination area SB1 when exposing the dividing pattern B1 is shifted diagonally from the intersection point P1 to the intersection point P2, but the triangular area surrounded by the intersection points P1, P2 and P3 is not exposed. Therefore, as shown in FIG. 16, the intersection part K1 shows the triangular-shaped exposure amount distribution which becomes the exposure amount of 100% of intersection P1, and the exposure amount of 0% of intersection P1 and P2. In addition, even when exposing the dividing pattern B2, the disadvantage of the illumination area SB2 is shifted diagonally from the intersection point P1 to the intersection point P2, and as shown in FIG. The cross-sectional exposure dose distribution is indicated by the intersections P1, P3, and P4 being 0% exposure doses.

그리고, 상기 4 회의 노광에 의하여 교차부 (K1) 에 조사되는 노광량은 도 18 에 나타낸 바와 같이 전체 영역이 100 % 가 되고 기타의 노광영역과 동일하게 된다. 다른 교차부도 교차부 (K1) 와 동일하게 조명영역을 이동시키고 있기 때문에 각 교차부에서도 100 % 의 노광량으로 노광되게 된다.The exposure amount irradiated to the intersection portion K1 by the four exposures is 100% in the total area as shown in FIG. 18 and becomes the same as other exposure areas. Since the other intersections move the illumination region in the same manner as the intersection K1, the respective intersections are exposed at an exposure amount of 100%.

또한 교차부에서의 노광량을 100 % 로 하기 위해서는 조명영역의 단점을 반드시 교점 P1 에서 교점 P2 로 이동시킬 필요는 없고, 교차부 (K1) 가 2 개의 사각추 형상의 노광량 분포와 2 개의 삼각추 형상의 노광량 분포를 나타내는 것과 같이 4 회 노광시키면 된다. 다시 말하면, 각각 2 변이 중복되도록 직사각형으로 배열된 4 개의 노광영역 중, 1 변이 중복되는 노광영역끼리 (인접하는 노광영역끼리) 쌍을 복수 (본 형태에서는 2 쌍) 로 구성하고, 각 쌍에서 각 노광영역에 대응하는 조명영역을 각각 동일 방향을 따라서 이동시키면, 각 쌍에서 교차부 (K1) 는 사각추 형상과 삼각추 형상의 노광량 분포로 노광되므로, 2 쌍을 합친 노광량 분포가 2 개의 사각추 형상과 2 개의 삼각추 형상이 되어 100 % 의 노광량으로 노광된다.In addition, in order to make the exposure amount at the intersection portion 100%, it is not necessary to move the shortcomings of the illumination area from the intersection point P1 to the intersection point P2, and the intersection portion K1 has an exposure distribution of two square weights and an exposure amount of two triangular weights. What is necessary is just to expose 4 times as showing distribution. In other words, among four exposure areas arranged in a rectangle so that two sides overlap each other, a pair of exposure areas (adjacent exposure areas) overlapping one side are constituted of a plurality (two pairs in this embodiment), and each pair When the illumination areas corresponding to the exposure areas are respectively moved along the same direction, the intersection portions K1 in each pair are exposed in the light weight distribution of the square weight and the triangular weight shape, so the exposure dose distribution of the two pairs is equal to the two square weight shapes and two. Triangular vertebral shapes are exposed at 100% exposure.

따라서 상기 대각 방향이면 쌍마다 조명영역의 이동방향이 달라도 되는데, 예를 들어 분할패턴 (A1, A2) 에 대응하는 노광영역에서 쌍을 구성하고 분할패턴 (B1,B2) 에 대응하는 노광영역에서 쌍을 구성한 경우, 분할패턴 (A1, A2) 에 대응하는 조명영역 (SA1, SA2) 의 단점을 각각 교점 P1 에서 교점 P2 로 이동시키고, 분할패턴 (B1,B2) 에 대응하는 조명영역 (SB1, SB2) 의 단점을 각각 교점 P3 에서 교점 P4 로 향하는 대각방향으로 이동시킬 수도 있다.Therefore, in the diagonal direction, the moving direction of the illumination area may be different for each pair. For example, a pair is formed in an exposure area corresponding to the division patterns A1 and A2 and is paired in an exposure area corresponding to the division patterns B1 and B2. In this case, the disadvantages of the illumination areas SA1 and SA2 corresponding to the division patterns A1 and A2 are moved from the intersection point P1 to the intersection point P2, respectively, and the illumination areas SB1 and SB2 corresponding to the division patterns B1 and B2 respectively. ) May be shifted diagonally from the intersection P3 to the intersection P4, respectively.

이 경우, 각 쌍에서는 각 대각 방향을 따라서 되어 있으면 완전히 동일 방향으로 이동시킬 필요가 전혀 없는데, 예를 들어 조명영역 (SA1) 의 단점을 교점 P1 에서 교점 P2 로 이동시키고, 조명영역 (SA2) 의 단점을 교점 P2 에서 교점 P1 로 이동시킬 수도 있다. 마찬가지로, 조명영역 (SB1) 의 단점을 교점 P3 에서 교점 P4 로 이동시키고, 조명영역 (SB2) 의 단점을 교점 P4 에서 교점 P3 으로 이동시킬 수도 있다. 또한, 쌍의 구성도 상기에 한정되지 않고 1 변이 중복되는 노광영역이면 분할패턴 (A1, B1) 에 대응하는 노광영역으로 쌍을 구성하고 분할패턴 (A2, B2) 에 대응하는 노광영역으로 쌍을 구성할 수도 있다.In this case, in each pair, there is no need to move in the same direction as long as it is along each diagonal direction. For example, the disadvantages of the lighting area SA1 are moved from the intersection point P1 to the intersection point P2, The shortcomings can also be shifted from the intersection P2 to the intersection P1. Similarly, the shortcomings of the illumination area SB1 may be moved from the intersection P3 to the intersection P4, and the shortcomings of the illumination area SB2 may be moved from the intersection P4 to the intersection P3. In addition, the configuration of the pair is not limited to the above, but if the exposure region overlaps one side, the pair is formed of an exposure area corresponding to the division patterns A1 and B1, and the pair is formed of an exposure area corresponding to the division patterns A2 and B2. It can also be configured.

상기의 연결 맞춤 노광은 차광부 (24) 및 투과부 (25)를 가지는 블라인드판 (17a,17b) 에 의하여 조명영역을 이동시키는 구성으로 하였으나, 이하에서 도 4(b) 에 나타낸 레티클 블라인드 (17) 를 이용하여 연결 맞춤 노광시키는 방법에 대하여 설명하기로 한다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 레티클 블라인드 (17) 는 레티클 (R) 의 공액면을 사이에 두고 배치된 직사각형의 유리재로 형성된 블라인드판 (17c,17d) 으로 구성되어 있다. 각 블라인드판 (17c,17d) 에는 차광부 (24) 와 투과부 (25) 와 이것들 사이에 형성된 감광부 (26) 가 형성되어 있다.The above connection fitting exposure is configured to move the illumination area by the blind plates 17a and 17b having the light shielding portion 24 and the transmission portion 25, but the reticle blind 17 shown in Fig. 4 (b) below. The method of exposing the connection fitting using the following will be described. As shown in this figure, the reticle blind 17 is composed of blind plates 17c and 17d formed of rectangular glass materials arranged with the conjugated surface of the reticle R interposed therebetween. Each of the blind plates 17c and 17d is provided with a light shielding portion 24, a transmission portion 25 and a photosensitive portion 26 formed therebetween.

감광부 (26) 에는, 크롬이 노광장치 (5) 의 해상 한계 이하의 크기의 도트형상으로 증착되어 있다. 그리고 이 도트형상의 크롬막의 밀도는 투과부 (25) 에서 차광부 (24) 로 향함에 따라서 점차 커지도록 설정됨으로써 빔 (B) 의 투과율이 점차 낮아지는 (변화되는) 구성으로 되어 있다. 또한 감광부 (26) 의 폭은 Y 방향에서 인접하는 노광영역의 중복길이, 즉 직선 L3 와 L4 간의 거리와 동일하게 설정된다. 이 감광부 (26) 는 블라인드판 (17c) 에서는 투과부 (25) 의 상변에 형성되며 블라인드판 (17d) 에서는 투과부 (25) 의 하변에 형성되어 있다. 그리고, 레티클 블라인드 (17) 는 블라인드판 (17c,17d) 이 이동하여 각 투과부 (25) 가 조합됨으로써 투과부 (25) 가 중복된 범위에 의하여 개구 (S) 가 형성됨과 동시에, 개구 (S) 에서 설정된 조명영역 중에서 감광부 (26) 에 대한 변에 감광영역을 형성하도록 되어 있다.In the photosensitive portion 26, chromium is deposited in the form of a dot having a size equal to or less than the resolution limit of the exposure apparatus 5. The dot-shaped chromium film is set so as to increase gradually from the transmissive portion 25 toward the light shielding portion 24 so that the transmittance of the beam B gradually decreases (changes). Further, the width of the photosensitive portion 26 is set equal to the overlapping length of the exposure areas adjacent in the Y direction, that is, the distance between the straight lines L3 and L4. This photosensitive part 26 is formed in the upper side of the permeation | transmission part 25 in the blind plate 17c, and is formed in the lower side of the permeation | transmission part 25 in the blind plate 17d. The reticle blind 17 is formed by opening the blind plates 17c and 17d so that the permeable portions 25 are combined so that the permeable portions 25 overlap each other, and at the same time the openings S are formed. A photosensitive area is formed on the side with respect to the photosensitive part 26 among the set illumination area | regions.

이 블라인드판 (17c,17d) 을 이용하여 노광시킬 때에는, 우선 레티클 (A) 에 있어서 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 20(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (A1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 1 조명영역)(SA1) 이 설정된다. 이 분할패턴 (A1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다. 여기에서 레티클 (A) 의 분할라인 (V14) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.When exposing using these blind plates 17c and 17d, first, in the reticle A, corresponding to the opening S of the reticle blind 17, as shown in FIG. The rectangular illumination area (first illumination area) SA1 corresponding to the above is set. The division pattern A1 is composed of a part of the common pattern KP, the non-common pattern HP1, and the non-common pattern HP2. Here, the dividing line V14 of the reticle A is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SA1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시킬 때 중 복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V14) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 유리기판 (P) 에서의 직선 (L1) 과 일치하도록 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA1) 의 하변 (-Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 -Y 측에 오프셋하여 직선 (L4) 에 일치하도록 설정된다. 이 때, 블라인드판 (17d) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SA1) 의 하변측 중, 유리기판 (P) 에서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 또한 조명영역 (SA1) 의 좌변 (-X 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.At this time, the right side (side of the + X side) of the illumination area SA1 is offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V14 in correspondence with the width overlapping when the connection fitting exposure is performed. It is set so as to coincide with the straight line L1 in. Similarly, the lower side (side on the -Y side) of the illumination area SA1 is set to correspond to the straight line L4 by offsetting on the -Y side with respect to the virtually divided dividing line H11, corresponding to the width to be overexposed. At this time, the photosensitive portion 26 of the blind plate 17d exposes the illumination region corresponding to the exposure region surrounded by the straight lines L3, L1, L4 on the glass substrate P among the lower sides of the illumination region SA1. It is set as an area. In addition, the left side (side on the -X side) of the illumination area SA1 is set so as to be exposed to a width equal to or more than the width that the light shielding band 23 overlaps with.

그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SA1) 에 대응하는 위치에 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SA1) 이 조명된다. 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SA1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A1) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동됨으로써, 도 20b 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA1) 은 우변이 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L2) 에 일치되도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 20 중에서 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다.Then, after the glass substrate P moves the substrate stage 9 to a position corresponding to the illumination area SA1, the illumination area SA1 is illuminated when the exposure process is performed in the same manner as described above. The image of the pattern existing in the illumination area SA1 of the reticle A is imaged on the glass substrate P by the projection optical system 8. As a result, the division pattern A1 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SA1. During the exposure process, the blind plates 17c and 17d of the reticle blind 17 are moved in accordance with the instruction of the drive control device 11, so that the illumination area SA1 has the right side glass substrate P as shown in FIG. 20B. ) Moves at a predetermined speed along the longitudinal direction of the photosensitive portion 26 along the longitudinal direction of the photosensitive portion 26 (ie, from left to right in FIG. 20).

이어서, 제 2 패턴으로서 분할패턴 (A2)을 노광한다. 분할패턴 (A2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 의 일부로 구성된다.Subsequently, the division pattern A2 is exposed as the second pattern. The division pattern A2 is composed of a part of the common pattern KP and the non-common pattern HP1.

상기와 동일하게 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 및 기판 스테이지 (9) 가 이동된다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 21(a) 에 나타낸 바와 같이 제 2 패턴으로서의 분할패턴 (A2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 2 조명영역)(SA2) 이 설정된다. 또한, 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 로 설정된 조명영역 (SA2) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동된다. 여기에서, 레티클 (A) 의 분할라인 (V13) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (A) 의 분할라인 (V11) 은 유리기판 (P) 에서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.As described above, the blind plates 17c and 17d of the reticle blind 17 and the substrate stage 9 are moved by the control of the drive control device 11. Thereby, the reticle A corresponds to the opening S of the reticle blind 17, and as shown in Fig. 21A, a rectangular illumination area corresponding to the dividing pattern A2 as the second pattern (second) Illumination area) SA2 is set. Further, the substrate stage 9 is moved so that the glass substrate P is set at a position corresponding to the illumination area SA2 set as the reticle blind 17. Here, the dividing line V13 of the reticle A is virtually set in the dividing line V2 in the glass substrate P. As shown in FIG. Further, the dividing line V11 of the reticle A is virtually set in the dividing line V1 on the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때 조명영역 (SA2) 의 우변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V13) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA2) 의 하변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 -Y 측에 오프셋하여 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L4) 에 일치되도록 설정된다. 또한, 좌변은 도 20(a) 에 나타낸 노광 전의 조명영역 (SA1) 에서 설정된 우변의 위치 (즉, 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L1)) 와 일치되도록 분할라인 (V11) 을 넘어서 설정된다. 이 때 블라인드판 (17d) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SA2) 의 하변측 중에서 유리기판 (P) 에 있어서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 또한 조명영역 (SA2) 의 상변은 상기와 동일하게 차광대 (23) 가 노출되도록 설정 된다.At this time, the right side of the illumination area SA2 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V13, corresponding to the width to be overexposed. Similarly, the lower side of the illumination area SA2 is set so as to correspond to the straight line L4 on the glass substrate P, offset on the -Y side with respect to the virtually set dividing line H11, corresponding to the width to be overexposed. . Further, the left side is set beyond the dividing line V11 so as to coincide with the position of the right side (that is, the straight line L1 in the glass substrate P) set in the illumination area SA1 before the exposure shown in Fig. 20A. do. At this time, the photosensitive portion 26 of the blind plate 17d includes an illumination region corresponding to the exposure region surrounded by the straight lines L3, L1, L4 on the glass substrate P from the lower side of the illumination region SA2. Set as. In addition, the upper side of the illumination area SA2 is set such that the light shielding band 23 is exposed as described above.

그리고, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면, 조명영역 (SA2) 이 조명되고 레티클 (A) 의 조명영역 (SA2) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SA2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A2) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동함으로써, 도 21(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA2) 은 좌변이 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L2) 에 일치하도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 21 중 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다. 이 후, 분할패턴 (A1, A2) 과 동일한 순서로 분할패턴 (A3, A4) 을, 각 조명영역을 +X 방향측으로 이동시키면서 순차적으로 유리기판 (P) 상에 전사한다.Then, when the exposure treatment is performed in the same manner as above, the image of the pattern illuminated in the illumination area SA2 and present in the illumination area SA2 of the reticle A is imaged on the glass substrate P by the projection optical system 8. Is imaged on. As a result, the division pattern A2 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SA2. During the exposure process, the blind plates 17c and 17d of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11, so that the illumination area SA2 is left-sided as shown in Fig. 21B. It moves at a predetermined speed along the longitudinal direction of the photosensitive portion 26 (ie, from left to right in FIG. 21) so as to coincide with the straight line L2 in the substrate P. FIG. Thereafter, the division patterns A3 and A4 are sequentially transferred onto the glass substrate P while moving the respective illumination regions toward the + X direction in the same order as the division patterns A1 and A2.

이어서, 레티클 (A) 을 레티클 (B) 로 교환하고, 레티클 (B) 에 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 22(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB1) 을 설정한다. 이 분할패턴 (B1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V18) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다. 이 때, 조명영역 (SB1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시에 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V18) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여, 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L1) 과 합치되도록 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SB1) 의 상변 (+Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 직선 (L3) 에 일치되도록 설정된다. 이 때, 블라인드판 (17c) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SB1) 의 상변측 중에서 유리기판 (P) 에 있어서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 또한, 조명영역 (SB1) 의 좌변 (-X 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.Subsequently, the reticle A is replaced with the reticle B, corresponding to the opening S of the reticle blind 17 in the reticle B, and corresponding to the division pattern B1 as shown in Fig. 22A. A rectangular illumination area SB1 is set. This divided pattern B1 is composed of a part of the common pattern KP, the non-common pattern HP1, and the non-common pattern HP2. Here, the dividing line V18 of the reticle B is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H12 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At this time, the right side (side of the + X side) of the illumination area SB1 is offset on the -X side with respect to the virtually set dividing line V18 in correspondence with the overlapping width during the connection fitting exposure, and the glass substrate P ) Is set to coincide with the straight line L1. Similarly, the upper side (side on the + Y side) of the illumination area SB1 is set so as to coincide with the straight line L3 by offsetting on the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H12, corresponding to the width for overlapping exposure. At this time, the photosensitive portion 26 of the blind plate 17c exposes the illumination region corresponding to the exposure region surrounded by the straight lines L3, L1, L4 on the glass substrate P from the upper side of the illumination region SB1. It is set as an area. In addition, the left side (side on the -X side) of the illumination region SB1 is set so as to be exposed to a width equal to or more than the width of the light shielding band 23 overlapping exposure.

그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SB1) 에 대응하는 위치에 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SB1) 이 조명된다. 레티클 (B) 의 조명영역 (SB1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써 조명영역 (SB1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (B1) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동함으로써, 도 22(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB1) 은 우변이 유리기판 (P) 에서의 직선 (L2) 에 일치하도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 22 중에서 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다.Then, after the glass substrate P moves the substrate stage 9 to a position corresponding to the illumination region SB1, the illumination region SB1 is illuminated when the exposure treatment is performed in the same manner as above. The image of the pattern existing in the illumination area SB1 of the reticle B is imaged on the glass substrate P by the projection optical system 8. Thereby, the division pattern B1 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB1. During the exposure process, the blind plates 17c and 17d of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11, so that the illumination area SB1 is right-sided as shown in Fig. 22B. It moves at a predetermined speed along the longitudinal direction of the photosensitive portion 26 (ie, from left to right in FIG. 22) so as to coincide with the straight line L2 in the substrate P. FIG.

이어서, 상기와 동일하게 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 및 기판 스테이지 (9) 가 이동한다. 이로써 레티클 (B) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 23(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB2) 이 설정된다. 또한, 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 로 설정된 조명영역 (SB2) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동한다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V17) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (B) 의 분할라인 (V15) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Subsequently, the blind plates 17c and 17d of the reticle blind 17 and the substrate stage 9 are moved by the control of the drive control apparatus 11 as described above. As a result, a rectangular illumination region SB2 corresponding to the division pattern B2 is set in the reticle B, corresponding to the opening S of the reticle blind 17, as shown in Fig. 23A. In addition, the substrate stage 9 moves so that the glass substrate P is set at a position corresponding to the illumination region SB2 set as the reticle blind 17. Here, the dividing line V17 of the reticle B is virtually set in the dividing line V2 in the glass substrate P. As shown in FIG. In addition, the dividing line V15 of the reticle B is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H12 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SB2) 의 우변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V17) 에 대하여 -X 측으로 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SB2) 의 상변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측으로 오프셋하여 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L3) 에 일치되도록 설정된다. 또한, 좌변은 도 22(a) 에 나타낸 노광전의 조명영역 (SB1) 에서 설정된 우변의 위치 (즉, 유리기판 (P) 에서의 직선 (L1)) 와 일치하도록 분할라인 (V15) 을 초과하여 설정된다. 이 때, 블라인드판 (17c) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SB2) 의 상변측 중, 유리기판 (P) 에 있어서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 그리고, 조명영역 (SB2) 의 하변은 상기와 동일하게 차광대 (23) 가 노출되도록 설정된다.At this time, the right side of the illumination area SB2 is set to be offset to the -X side with respect to the virtually divided dividing line V17 corresponding to the width to be overexposed. Similarly, the upper side of the illumination area SB2 is set to correspond to the straight line L3 on the glass substrate P, offset to the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H12, corresponding to the width to be overexposed. Further, the left side is set beyond the dividing line V15 so as to coincide with the position of the right side (that is, the straight line L1 on the glass substrate P) set in the pre-exposure illumination region SB1 shown in Fig. 22A. do. At this time, the photosensitive portion 26 of the blind plate 17c has an illumination area corresponding to the exposure area surrounded by the straight lines L3, L1, L4 on the glass substrate P among the upper sides of the illumination area SB2. It sets as a photosensitive area | region. And the lower side of illumination area SB2 is set so that the light shielding stand 23 may be exposed similarly to the above.

그리고, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SB2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (B2) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동함으로써, 도 23(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB2) 은 좌변이 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L2) 에 일치하도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 23 중에서 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다. 이 후, 분할패턴 (B1,B2) 과 동일한 순서로 분할패턴 (B3, B4) 을, 각 조명영역을 +X 방향측으로 이동시키면서 순차적으로 유리기판 (P) 상에 전사한다.When the exposure process is performed in the same manner as above, the division pattern B2 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB2. In this exposure process, the blind plates 17c and 17d of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11, so that the illumination region SB2 is left-sided as shown in Fig. 23B. The film is moved at a predetermined speed along the longitudinal direction of the photosensitive portion 26 (ie, from left to right in FIG. 23) so as to coincide with the straight line L2 in the substrate P. FIG. Thereafter, the division patterns B3 and B4 are sequentially transferred onto the glass substrate P while moving the respective illumination regions toward the + X direction in the same order as the division patterns B1 and B2.

여기에서, 유리기판 (P) 의 노광영역 중에서 분할패턴 (A1~A2, B1~B2) 이 직사각형으로 배열된 노광영역에 착안하면, 분할패턴 (A1, A2) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L3) 으로부터 +Y 측의 노광영역에서는 분할패턴 (A1) 을 전사할 때에 직선 (L1) 에서 직선 (L2) 로 향함에 따라서 100 % 에서 0 % 로 점차 감소하는 노광량으로 노광되고, 분할패턴 (A2) 을 전사할 때에 직선 (L1) 에서 직선 (L2) 을 향함에 따라서 0 % 에서 100 % 로 점차 증가하는 노광량으로 노광된다. 그 때문에, 이것들이 중복되는 노광영역에서는 중복 노광됨으로써 중복되지 않은 노광영역과 동일하게 100 % 의 노광량으로 노광된다. 이것은 분할패턴 (B1,B2) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L4) 으로부터 -Y 측도 동일하다.Here, when focusing on the exposure area where the division patterns A1 to A2 and B1 to B2 are arranged in a rectangular shape among the exposure areas of the glass substrate P, the straight lines L3 overlapped when transferring the division patterns A1 and A2 are taken into account. In the exposure area on the side of + Y from +), it is exposed at an exposure dose gradually decreasing from 100% to 0% as it goes from straight line L1 to straight line L2 when transferring the split pattern A1, and the split pattern A2 The exposure is performed at an exposure amount that gradually increases from 0% to 100% as it is directed from the straight line L1 to the straight line L2 at the time of transferring. Therefore, in the exposure areas in which these overlap, the exposures are overlapped and exposed at 100% of the exposure amount in the same manner as in the non-overlapping exposure areas. The same applies to the -Y side from the overlapping straight line L4 when transferring the division patterns B1 and B2.

또한, 분할패턴 (A1, B1) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L1) 으로부터 -X 측의 노광영역에서는, 분할패턴 (A1) 을 전사할 때에 직선 (L3) 으로부터 직선 (L4) 을 향함에 따라서 100 % 에서 0 % 로 점차 감소하는 노광량으로 노광되고, 분할패턴 (B1) 을 전사할 때에 직선 (L3) 으로부터 직선 (L4) 로 향함에 따라 0 % 에서 100 % 로 점차 증가하는 노광량으로 노광된다. 그 때문에, 이것들이 중복되는 노광영역에서는 중복 노광됨으로써 중복되지 않은 노광영역과 동일하게 100 % 의 노광량으로 노광된다. 이것은 분할패턴 (A2, B2) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L2) 으로부터 +X 측도 동일하다.Further, in the exposure area on the -X side from the overlapping straight line L1 when transferring the divided patterns A1 and B1, when the divided pattern A1 is transferred from the straight line L3 to the straight line L4 when the divided pattern A1 is transferred. It is exposed at an exposure dose that gradually decreases from 100% to 0%, and is exposed at an exposure dose that gradually increases from 0% to 100% as it goes from straight line L3 to straight line L4 when transferring the divided pattern B1. Therefore, in the exposure areas in which these overlap, the exposures are overlapped and exposed at 100% of the exposure amount in the same manner as in the non-overlapping exposure areas. This is the same on the + X side from the straight line L2 overlapped when transferring the division patterns A2 and B2.

한편, 도 19 에 나타낸 바와 같이 이들 분할패턴 (A1~A2, B1~B2) 이 전사되는 노광영역의 교차부 (K1), 즉 직선 (L1~L4) 으로 둘러싸인 직사각형 영역에서는 상기와 동일하게 직선 L1 과 L3 의 교점을 P1, 직선 L2 와 L4 의 교점을 P2, 직선 L2 와 L3 의 교점을 P3, 직선 L1 과 L4 의 교점을 P4 로 하고, 직선 L1 과 L2 의 거리를 S, 직선 L3 과 L4 의 거리를 T 로 하고, 교점 (P4) 을 원점으로 하는 xy 좌표계를 설정하면, 분할패턴 (A1) 의 전사시의 노광량 (D1)(%) 은 다음식으로 구해진다.On the other hand, as shown in FIG. 19, in the rectangular region surrounded by the intersection portion K1 of the exposure region to which these division patterns A1 to A2 and B1 to B2 are transferred, that is, the straight lines L1 to L4, the straight line L1 is the same as above. The intersection of L3 and L3 is P1, the intersection of straight lines L2 and L4 is P2, the intersection of straight lines L2 and L3 is P3, the intersection of straight lines L1 and L4 is P4, and the distance between straight lines L1 and L2 is S, and the straight lines L3 and L4 are If the distance is set to T and the xy coordinate system whose origin is the intersection point P4 is set, the exposure amount D1 (%) at the time of transferring the division pattern A1 is determined by the following equation.

D1 (%) = (100 ×y/T) ×(1 - x/S) ‥‥‥ (1)D1 (%) = (100 × y / T) × (1-x / S) ‥‥‥ (1)

또한, 분할패턴 (A2) 전사시의 노광량 (D2)(%) 은 다음식으로 구해진다.In addition, the exposure amount D2 (%) at the time of transferring the division pattern A2 is obtained by the following equation.

D2 (%) = (100 ×y/T) ×(x/S) ‥‥‥ (2)D2 (%) = (100 × y / T) × (x / S) ‥‥‥ (2)

또한, 분할패턴 (B1) 전사시의 노광량 (D3)(%) 은 다음식으로 구해진다.In addition, the exposure amount D3 (%) at the time of transferring the division pattern B1 is obtained by the following equation.

D3 (%) = 100 ×(1 - y/T) ×(1 - x/S) ‥‥‥ (3)D3 (%) = 100 × (1-y / T) × (1-x / S) ‥‥‥‥ (3)

또한, 분할패턴 (B2) 전사시의 노광량 (D4)(%) 은 다음식으로 구해진다.In addition, the exposure amount D4 (%) at the time of transferring the division pattern B2 is obtained by the following equation.

D4 (%) = 100 ×(1 - y/T) ×(x/S) ‥‥‥ (4)D4 (%) = 100 × (1-y / T) × (x / S) ‥‥‥‥ (4)

그리고, 교차부 (K1) 에서의 노광량 (D) 은 상기식 (1)~(4) 에서 구해지는 노광량 (D1~D4) 의 총합이 된다.And the exposure amount D in the intersection part K1 becomes the sum total of the exposure amount D1-D4 calculated | required by said formula (1)-(4).

D (%) = D1 + D2 + D3 + D4D (%) = D1 + D2 + D3 + D4

= 100      = 100

이와 같이, 교차부 (K1) 에서도 노광량이 100 % 가 되고, 유리기판 (P) 을 동일한 순서로 노광함으로써 유리기판 (P) 의 노광영역 전체면을 동일한 노광량으로 설정할 수 있다.In this manner, the exposure amount also becomes 100% in the intersection portion K1, and the entire exposure area of the glass substrate P can be set to the same exposure amount by exposing the glass substrate P in the same order.

그리고, 감광부 (26) 를 가지는 레티클 블라인드 (17) 를 사용하는 경우, 감광부 (26) 를 개구 (S) 의 상변 및 하변이 아니라 좌변 및 우변에 설치하고, 도 2 에 나타낸 유리기판 (P) 에서 Y 방향으로 연이어지는 중복 노광영역을 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역으로 설정하고, 조명영역을 Y 방향으로 이동시키도록 할 수도 있다.And when using the reticle blind 17 which has the photosensitive part 26, the photosensitive part 26 is installed in the left side and the right side instead of the upper side and the lower side of the opening S, and the glass substrate P shown in FIG. ), The overlapping exposure area extending in the Y direction may be set as the photosensitive area formed by the photosensitive portion 26, and the illumination area may be moved in the Y direction.

본 실시형태의 노광방법, 노광장치, 및 마스크에서는 레티클 (A) 에 형성된 회로패턴 (1a) 이, 노광시에 복수의 분할패턴 (A1, A2) 에서 공통으로 사용되는 공통패턴 (KP) 과, 이 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP) 으로 분리되므로, 노광할 때마다 조명영역을 조절함으로써 복수의 분할패턴에 따라 비공통패턴 (HP) 의 선택을 다르게 함으로써 제 1, 제 2 패턴을 여러 가지 임의로 선택하여 설정할 수 있고, 1 장의 레티클 (A) 로 복수의 분할영역 (A1~A4) 에 전사할 수 있게 된다. 종래, 연결 맞춤 노광을 실시하는 패턴을 1 장의 레티클에 넣을 때에는 차광대 (예를 들어 1.5 ㎜) 를 형성하여 개개의 패턴을 독립적으로 분리할 필요가 있었다. 이에 대하여, 본 실시형태와 같이 인접하는 패턴의 일부를 중복하여 노광하는 경우에는 차광대를 설치하지 않고 1 장의 레티클내의 패턴을 잘라낼 수 있다. 즉, 1 장의 레티클내의 공통부분, 비공통부분을 목적하는 패턴에 맞춰 반복 사용할 수 있다. 따라서, 특히 액정표시 디바이스나 반도체 메모리와 같이 동일 패턴을 반복 전사하는 경우에는 이 반복패턴을 공통패턴으로 함으로써 상기 효과가 현저하게 이루어진다.In the exposure method, the exposure apparatus, and the mask of this embodiment, the circuit pattern 1a formed on the reticle A is the common pattern KP commonly used in the plurality of division patterns A1 and A2 during exposure, and Since it is separated into a non-common pattern HP different from the common pattern KP, the first and the second are changed by changing the non-common pattern HP according to the plurality of division patterns by adjusting the illumination region each time the exposure is performed. Various patterns can be arbitrarily selected and set, and the reticle A can be transferred to a plurality of divided regions A1 to A4. Conventionally, when putting the pattern which performs connection fitting exposure into one reticle, it was necessary to form the light shielding band (for example, 1.5 mm), and to isolate each pattern independently. On the other hand, when exposing a part of adjacent patterns overlappingly like this embodiment, the pattern in one reticle can be cut out, without providing a light shielding stand. That is, the common and non-common parts in one reticle can be used repeatedly according to the desired pattern. Therefore, especially when the same pattern is repeatedly transferred, such as a liquid crystal display device or a semiconductor memory, the above-mentioned effect is remarkably achieved by making this repeating pattern a common pattern.

15 인치의 액정 디스플레이 디바이스용 유리기판 (P) 을 얻기 위해서는, 도 38 에 나타낸 종래의 분할패턴 (A~F) 및 도 39 에 나타낸 종래의 마스크 (RA~RF) 에 비교하여, 본 실시형태에서는 분할수가 6 에서 8 로 증가하여 노광시간이 증가되나, 사용하는 레티클이 6 장에서 2 장으로 감소하기 때문에 레티클 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있어, 결과적으로 처리시간을 단축할 수 있으며 스루풋을 향상시킬 수 있다. 부가적으로, 고가의 레티클 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감도 실현된다.In order to obtain the glass substrate P for a 15-inch liquid crystal display device, compared with the conventional division patterns A-F shown in FIG. 38 and the conventional masks RA-RF shown in FIG. 39, in this embodiment, The exposure time is increased by increasing the number of divisions from 6 to 8, but the reticle used is reduced from 6 to 2, which reduces the time required for changing the reticle, resulting in shorter processing time and throughput. Can be improved. In addition, cost reduction can be realized because the number of expensive reticles used can be reduced.

또한, 본 실시형태에서는 비공통패턴 (HP) 이 공통패턴 (KP) 을 사이에 끼워 형성되어 있기 때문에, 레티클 블라인드 (17) 를 이동시켜 소정 조명영역을 설정할 때에도 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키는 거리를 짧게 할 수 있고, 조명영역설정에 요하는 시간이 짧아져 더욱 스루풋의 향상을 실현할 수 있다.In addition, in this embodiment, since the non-common pattern HP is formed between the common patterns KP, the distance which moves the reticle blind 17 also when moving the reticle blind 17 and setting a predetermined illumination area | region Can be shortened, and the time required for setting the lighting area can be shortened, thereby further improving throughput.

또한, 본 실시형태에서는, 상기 복수의 분할패턴을 유리기판(P) 에 노광할때, 구동제어장치 (11) 가 인접하는 분할패턴사이에서 연결 맞춤 노광하도록 레티클 블라인드 (17) 및 기판 스테이지 (9) 를 구동시키므로, 회로 패턴 (1) 이 분할된 경우에도, 패턴의 연결부에 단차가 발생하여 디바이스의 특성이 손상되거나, 연결부가 불연속으로 변화하여 디바이스의 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the present embodiment, when the plurality of divided patterns are exposed on the glass substrate P, the reticle blind 17 and the substrate stage 9 are connected so that the drive control device 11 exposes the exposed fitting patterns between adjacent divided patterns. ), Even when the circuit pattern 1 is divided, it is possible to prevent a step from occurring in the connecting portion of the pattern, thereby impairing the characteristics of the device, or discontinuously changing the connecting portion, thereby degrading the quality of the device.

한편, 본 실시형태에서는, 레티클 블라인드 (17) 가 차광부 (24), 투과부 (25) 를 갖는 블라인드판 (17a, 17b) 로 구성되는 경우에는, 직사각형으로 배열된 노광영역을 변이 중복하는 노광 영역끼리 쌍을 구성하고, 각 쌍에 있어서의 노광 영역에 대응하는 조명영역을 대각방향의 동일방향을 따라 각각 이동킴으로써 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, when the reticle blind 17 is comprised by the blind plates 17a and 17b which have the light shielding part 24 and the permeation | transmission part 25, the exposure area | region which a side overlaps an exposure area arranged in a rectangle. By forming pairs with each other and moving the illumination areas corresponding to the exposure areas in each pair in the same direction in the diagonal direction, they are not overexposed even in areas where the exposure areas intersect, and the same exposure amount as other exposure areas. Can be exposed.

또한, 레티클 블라인드 (17) 가 차광부 (24), 투과부 (25) 및 감광부를 갖는 블라인드 (17c, 17d) 로 구성될때에는, 직사각형으로 배열된 노광영역에 대응하는 조명 영역을 감광부 (26) 의 길이방향을 따라 각각 이동시킴으로써 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버노광되지 않으므로, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다. 또한, 이 경우, 블라인드판 (17c, 17d) 의 이동이 일방향이므로, 블라인드판 (17c, 17d) 를 구동시키는 구동기구 (20) 를 간단한 것으로 할 수 있다.In addition, when the reticle blind 17 is composed of the blinds 17c and 17d having the light shield 24, the transmissive portion 25, and the photosensitive portion, the photosensitive portion 26 is provided with an illumination region corresponding to the exposure region arranged in a rectangular shape. Since the light is not overexposed in the areas where the exposure areas intersect by moving in the longitudinal direction, the exposure can be performed at the same exposure amount as other exposure areas. In addition, in this case, since the movement of the blind plates 17c and 17d is one direction, the drive mechanism 20 which drives the blind plates 17c and 17d can be made simple.

도 24 내지 도 37 은 본 발명의 노광 방법, 노광 장치, 및 마스크의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다. 24-37 is a figure which shows 2nd Embodiment of the exposure method, exposure apparatus, and mask of this invention.

이들의 도면에 있어서, 도 1 내지 도 23 에 표시된 제 1 실시형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일부호를 부여하고, 그 설명은 생략한다.In these drawings, the same reference numerals are given to the same elements as those in the first embodiment shown in Figs. 1 to 23, and the description thereof is omitted.

제 2 실시형태와 상기 제 1 실시형태가 다른 점은 유리 기판 (P) 에 전사되는 회로 패턴이다.A difference between the second embodiment and the first embodiment is a circuit pattern to be transferred to the glass substrate P. FIG.

즉, 도 24 에 나타낸 유리기판 (P) 은 상기 21 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조하기 위한 것이다. 유리기판 (P) 에 전사되는 회로패턴 (4) 중, 주변부 (3) 는 표시부 (2) 의 X 방향 양단에 1 개씩 배치된 사다리꼴의 탭 (X1,X2) 과 표시부 (2) 의 Y 방향 양단에 각각 등간격으로 10 개소씩 배치된 사다리꼴의 탭 (Y1~Y10, Y11~Y20) 로 구성되어 있다.That is, the glass substrate P shown in FIG. 24 is for manufacturing the 21-inch liquid crystal display device. Of the circuit patterns 4 transferred to the glass substrate P, the peripheral portion 3 is formed at one end of each of the trapezoidal tabs X1 and X2 arranged at both ends of the X direction of the display portion 2 and the Y direction of the display portion 2. It consists of trapezoidal taps (Y1 to Y10, Y11 to Y20) arranged at ten equal intervals on each other.

그리고, 회로패턴 (4) 은 X 방향으로 소정 간격을 두고 Y 방향으로 연이어지는 분할라인 (V1~V3), 및 Y 방향으로 소정 간격을 두고 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H1, H2) 에 의하여 분할된 분할패턴 (A1~A2, B1~B2 및 C1~C8) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 분할라인 (V1) 은 탭 (Y3) 의 우단 근방을 통과하도록, 분할라인 (V3) 은 탭 (Y8) 의 좌단 근방을 통과하도록 각각 설정되어 있다. 또한, 분할라인 (V2) 은 탭 (Y5) 와 탭 (Y6) 사이를 통과하도록 설정되어 있다.The circuit pattern 4 is divided by the dividing lines V1 to V3 extending in the Y direction at predetermined intervals in the X direction, and the dividing lines H1 and H2 extending in the X direction at predetermined intervals in the Y direction. It is a structure synthesize | combined by the division | segmentation division pattern A1-A2, B1-B2, and C1-C8. Here, the dividing line V1 is set to pass near the right end of the tab Y3, and the dividing line V3 is set to pass near the left end of the tab Y8. In addition, the dividing line V2 is set to pass between the tab Y5 and the tab Y6.

그리고, 이 회로패턴 (4) 을 전사하기 위한 레티클 (R) 은, 도 25(a) ~ 도 25(c) 에 나타낸 레티클 (A,B) 및 레티클 (마스크)(C) 의 3 장을 사용한 구성으로 되어 있다. 레티클 (A) 은 분할패턴 (A1,A2) 을 전사할 때 사용되는 것으로서, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (패턴)(4a) 과 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정의 투영배율로 형성되어 있다.And the reticle R for transferring this circuit pattern 4 used three sheets of the reticle (A, B) and the reticle (mask) C shown to FIG. 25 (a)-FIG. 25 (c). It is composed. The reticle A is used when transferring the division patterns A1 and A2, and the circuit pattern (pattern) 4a and the light shielding band 23 which consist of the display part 2a and the peripheral part 3a on the surface are glass It is formed at a predetermined projection magnification with the substrate P.

주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 +Y 방향 단부에 형성된 3 개의 탭 (Y21~Y23) 로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H1) 보다 -Y 방향을 약간 포함하는 범위를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y21~Y23) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y1~Y10) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral part 3a is comprised from the tabs X11 and X12 formed in the X direction both ends of the display part 2a, and the three tabs Y21-Y23 formed in the + Y direction end part of the display part 2a. The tabs X11 and X12 have a range slightly including the -Y direction than the dividing line H1 among the patterns to which the tabs X1 and X2 of the glass substrate P are transferred. Similarly, the tabs Y21 to Y23 have patterns to be transferred to the tabs Y1 to Y10 of the glass substrate P, respectively.

표시부 (2a) 는 유리기판 (P) 에 전사되는 표시부 (2) 의 패턴을 부분적으로 가지는 것이다. 표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y21~Y23) 의 3 개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 마찬가지로 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H1) 보다 -Y 방향을 약간 포함하는 정도에 상당하는 길이를 가지고 있다.The display portion 2a partially has a pattern of the display portion 2 to be transferred to the glass substrate P. FIG. As for the width | variety of the display part 2a, the X direction becomes length of three parts of the tabs Y21-Y23, and the division direction H1 among the patterns to which the display part 2a is transferred similarly to the said tabs X11 and X12 is carried out. It has a length equivalent to slightly including -Y direction.

또한 레티클 (A) 에 있어서는 도 25(a) 에 나타낸 바와 같이 탭 (Y21) 의 좌단근방을 통과하도록 분할라인 (V11) 이, 또한 탭 (Y23) 의 우단근방을 통과하도록 분할라인 (V12) 이 각각 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H1) 에 상당하는 위치에 분할라인 (H11) 이 X 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다.In the reticle A, as shown in Fig. 25A, the dividing line V11 passes through the left end of the tab Y21 and the dividing line V12 passes through the right end of the tab Y23. Each is virtually set to be connected in a Y direction. Similarly, the dividing line H11 is virtually set in the X direction at the position corresponding to the dividing line H1.

레티클 (B) 은 분할패턴 (B1,B2) 을 전사할 때에 사용되는 것으로서, 레티클 (A) 과 동일한 구성이므로 간단하게 설명하면, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (4a) 과 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정의 투영배율로 형성되어 있다.The reticle B is used to transfer the division patterns B1 and B2. The reticle B has the same configuration as the reticle A. Therefore, the reticle B will be described with a circuit pattern composed of the display portion 2a and the peripheral portion 3a on its surface. 4a) and the light shielding band 23 are formed at a predetermined projection magnification between the glass substrate P. As shown in FIG.

주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 -Y 방향 양단에 형성된 3 개의 탭 (Y24~Y26) 로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2)가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H2) 보다 +Y 방향을 약간 포함하는 분할라인 (H2) 보다 -Y 방향의 범위를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y24~Y26) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y11~Y20) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral portion 3a is composed of tabs X11 and X12 formed at both ends of the X direction of the display portion 2a and three tabs Y24 to Y26 formed at both ends of the -Y direction of the display portion 2a. The tabs X11 and X12 have a range in the -Y direction than the dividing line H2 that slightly includes the + Y direction than the dividing line H2 among the patterns in which the tabs X1 and X2 of the glass substrate P are transferred. Have. Similarly, the tabs Y24 to Y26 have patterns to be transferred to the tabs Y11 to Y20 of the glass substrate P, respectively.

표시부 (2a) 는 유리기판 (P) 에 전사되는 표시부 (2) 의 패턴을 부분적으로 가지는 것이다. 표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y24~Y26) 의 3 개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 마찬가지로 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H2) 보다 +Y 방향을 약간 포함하는 분할라인 (H2) 보다도 -Y 방향의 길이를 가지고 있다.The display portion 2a partially has a pattern of the display portion 2 to be transferred to the glass substrate P. FIG. As for the width | variety of the display part 2a, the X direction becomes length of three parts of the tabs Y24-Y26, and the division direction H2 among the patterns to which the display part 2a is transferred similarly to the said tabs X11 and X12 is carried out. ) Has a length in the -Y direction than the division line H2 which includes the + Y direction slightly.

또한, 레티클 (B) 에서는 도 25(b) 에 나타낸 바와 같이 탭 (Y24) 의 좌단근방을 통과하도록 분할라인 (V13) 이, 또한 탭 (Y26) 의 우단근방을 통과하도록 분할라인 (V14) 이 각각 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H2) 에 상당하는 위치에 분할라인 (H12) 이 X 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다.In the reticle B, as shown in Fig. 25B, the dividing line V13 passes through the left end of the tab Y24 and the dividing line V14 passes through the right end of the tab Y26. Each is virtually set to be connected in a Y direction. Similarly, the dividing line H12 is virtually set in the X direction at a position corresponding to the dividing line H2.

한편, 레티클 (C) 은 도 25(c) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (C1~C8) 을 전사할 때에 사용되는 것으로서, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (4a) 과 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정 투영배율로 형성되어 있다.On the other hand, the reticle C is used when transferring the division patterns C1 to C8 as shown in Fig. 25C, and the circuit pattern 4a including the display portion 2a and the peripheral portion 3a on its surface. And light shielding band 23 are formed at a predetermined projection magnification between glass substrate P.

레티클 (C) 의 주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 Y 방향 양단에 형성된 탭 (Y31~Y34, Y35~Y38) 로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H1) 보다 -Y 방향을 약간 포함하는 범위를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y31~Y38) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y1~Y20) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral portion 3a of the reticle C is composed of tabs X11 and X12 formed at both ends of the X direction of the display portion 2a and tabs Y31 to Y34 and Y35 to Y38 formed at both ends of the Y direction of the display portion 2a. have. The tabs X11 and X12 have a range slightly including the -Y direction than the dividing line H1 among the patterns to which the tabs X1 and X2 of the glass substrate P are transferred. Similarly, the tabs Y31 to Y38 have patterns to be transferred to the tabs Y1 to Y20 of the glass substrate P, respectively.

이 중에서 탭 (Y33) 는 레티클 (A) 의 탭 (Y23) 와의 사이에서 중복 노광이 가능한 길이만을 가지고 있다. 또한, 탭 (Y34) 는 레티클 (A) 의 탭 (Y21) 와의 사이에서 연결 맞춤 노광이 가능한 길이만을 가지고 있다. 탭 (Y37,Y38) 또한 동일하다.Among these, the tab Y33 has only the length which can overlap exposure with the tab Y23 of the reticle A. FIG. Moreover, the tab Y34 has only the length which can be connected-fitted exposure between the tab Y21 of the reticle A. FIG. The tabs Y37 and Y38 are also the same.

표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 레티클 (A) 의 표시부 (2a) 와 동일하게, Y 방향이 분할패턴 (C5~C8) 의 Y 방향의 폭에 대하여 중복 노광이 가능한 길이를 더한 것으로 되어 있다.The width of the display portion 2a is the same as the display portion 2a of the reticle A in the X direction, and the length in which the Y direction is overlapped with the width in the Y direction of the division patterns C5 to C8 is added. .

또한, 레티클 (C) 에 있어서는 레티클 (A) 의 탭 (Y23) 와 분할라인 (V12) 과의 위치관계에 합치되도록, 탭 (Y34) 를 통과하는 분할라인 (V21) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 레티클 (A) 의 탭 (Y21) 와 분할라인 (V11) 의 위치관계에 합치되도록 탭 (Y34) 를 통과하는 분할라인 (V22) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 또한, 탭 (Y31,Y33) 사이를 통과하는 분할라인 (V23) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 그리고, 탭 (Y32,Y34) 사이에는 분할라인 (V24) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다.Moreover, in the reticle C, the division line V21 passing through the tab Y34 is connected in the Y direction so as to match the positional relationship between the tap Y23 of the reticle A and the dividing line V12. Is set. Similarly, the dividing line V22 passing through the tab Y34 is virtually set to be continuous in the Y direction so as to match the positional relationship between the tab Y21 of the reticle A and the dividing line V11. Further, the dividing line V23 passing between the tabs Y31 and Y33 is virtually set so as to be continuous in the Y direction. Then, between the taps Y32 and Y34, the dividing line V24 is virtually set so as to be connected in the Y direction.

또한, 레티클 (C) 에서는 표시부 (2a) 의 상변에 대하여 -Y 방향으로 미소한 치수로 오프셋한 위치에 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H21) 이 가상 설정된다. 또한, 표시부 (2a) 의 하변에 대하여 +Y 방향으로 미소한 치수로 오프셋한 위치에 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H22) 이 가상 설정된다.In the reticle C, the dividing line H21 extending in the X direction is virtually set at a position offset by a small dimension in the -Y direction with respect to the upper side of the display portion 2a. In addition, the dividing line H22 which continues in the X direction is virtually set at the position offset by a small dimension in the + Y direction with respect to the lower side of the display portion 2a.

다른 구성은 상기 제 1 의 실시형태와 동일하다.The other structure is the same as that of the said 1st Embodiment.

상기 레티클 (A, B, C) 을 사용하여 유리기판 (P) 에 회로패턴 (4) 을 전사하는 수순에 대하여 설명하기로 한다. 여기에서는, 도 4(a) 에 나타낸 블라인 드판 (17a,17b) 으로 이루어지는 레티클 블라인드 (17) 에 의하여 조명영역을 설정하는 것으로 한다.The procedure for transferring the circuit pattern 4 to the glass substrate P using the reticles A, B, and C will be described. Here, the illumination area is set by the reticle blind 17 which consists of the blind plate 17a, 17b shown to Fig.4 (a).

먼저, 레티클 (A) 이 레티클 스테이지 (10) 에 세트되면 구동제어장치 (11) 가 노광데이터 설정부 (21) 의 데이터를 판독하여 구동기구 (20) 를 통하여 레이클블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 을 구동시킨다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 26(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (A1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SA1) 이 설정된다. 분할패턴 (A1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 으로 구성된다.First, when the reticle A is set in the reticle stage 10, the drive control device 11 reads out the data of the exposure data setting unit 21 and blind plate of the blind blind 17 through the drive mechanism 20. Drives 17a and 17b. As a result, a rectangular illumination area SA1 corresponding to the dividing pattern A1 is set in the reticle A, corresponding to the opening S of the reticle blind 17, as shown in Fig. 26A. The division pattern A1 is composed of a common pattern KP and a non-common pattern HP1.

여기에서, 도 25(a) 에 나타낸 레티클 (A) 의 분할라인 (V12) 은 도 24 에 나타낸 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 레티클 (A) 의 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Here, the dividing line V12 of the reticle A shown in FIG. 25A is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 of the reticle A is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SA1) 의 좌변은 중복 노광되는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V12) 에 대하여 -X 쪽으로 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA1) 의 하변은 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 +Y 측으로 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SA1) 의 좌변 및 상변은 차광대 (23) 가 중복 노광되는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정되어 있다.At this time, the left side of the illumination area SA1 is set by offsetting toward the -X side with respect to the virtually divided dividing line V12 in correspondence with the overlapping exposure width. Similarly, the lower side of the illumination area SA1 is set by offsetting to the + Y side with respect to the virtually set dividing line H11. In addition, the left side and the upper side of illumination area | region SA1 are set so that the light shielding stand 23 may be exposed by the width more than the width which overlaps exposure.

조명영역 (SA1) 의 설정이 완료되는 한편, 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 기판 스테이지 (9) 가, 설정된 조명영역 (SA1) 에 대응하는 위치로 이동한다. 그리고, 이 상태에서 노광처리가 이루어지면 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 에 존 재하는 패턴, 즉 분할패턴 (A1) 이 유리기판 (P) 위로 전사된다. 이 노광처리시에도 레티클 블라인드 (17) 가 +X 방향측 및 -Y 방향측으로 이동함으로써, 도 26(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA1) 이 중복 노광되는 폭 만큼 이동하여 이 부분의 노광 에너지의 양을 일정한 비율로 점차 감소시킨다.While the setting of the illumination area SA1 is completed, the substrate stage 9 moves to the position corresponding to the set illumination area SA1 under the control of the drive control device 11. When the exposure process is performed in this state, the pattern existing in the illumination area SA1 of the reticle A, that is, the division pattern A1, is transferred onto the glass substrate P. Even during this exposure process, the reticle blind 17 moves to the + X direction side and the -Y direction side, so that the illumination area SA1 is moved by the overlapping exposure width as shown in FIG. Gradually decrease the amount by

이어서, 상기와 동일하게 레티클 블라인드 (17) 를 구동시켜 도 27(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (A2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SA2) 을 설정한다. 분할패턴 (A2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP2) 로 구성된다. 여기에서는, 레티클 (A) 의 분할라인 (V11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V3) 에 가상 설정된다. 동시에, 레티클 (A) 의 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다. 그리고, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키면서 노광처리를 실시함으로써, 도 27(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA2) 이 이동하고 중복 노광부분을 가지는 분할패턴 (A2) 이 유리기판 (P) 위에 전사된다.Subsequently, the reticle blind 17 is driven in the same manner to the above to set the rectangular illumination area SA2 corresponding to the division pattern A2 as shown in Fig. 27A. The division pattern A2 is comprised of the common pattern KP and the non-common pattern HP2. Here, the dividing line V11 of the reticle A is virtually set in the dividing line V3 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 of the reticle A is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG. After the substrate stage 9 is moved, the exposure process is performed while the reticle blind 17 is moved, so that the divided pattern having the illumination area SA2 moved and having an overlapping exposure portion as shown in Fig. 27B. (A2) is transferred onto the glass substrate P. FIG.

이 후, 레티클 교환장치에 의하여 레티클 (A) 을 레티클 (B) 과 교환하고, 레티클 (A) 과 동일한 순서로 분할패턴 (B1,B2) 을 순차적으로 유리기판 (P) 위에 전사한다. 구체적으로는 먼저, 레티클 (B) 에 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 28(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB1) 을 설정한다. 이 분할패턴 (B1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V14) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정 정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H2) 에 가상 설정된다.Thereafter, the reticle A is exchanged with the reticle B by the reticle exchanger, and the division patterns B1 and B2 are sequentially transferred onto the glass substrate P in the same order as the reticle A. FIG. Specifically, first, the rectangle corresponding to the dividing pattern B1 corresponds to the opening S of the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 to the reticle B, as shown in Fig. 28 (a). The illumination area SB1 of the shape is set. This split pattern B1 is composed of a common pattern KP and a non-common pattern HP1. Here, the dividing line V14 of the reticle B is virtually set to the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H12 is virtually set in the dividing line H2 in the glass substrate P. As shown in FIG.

이 때, 조명영역 (SB1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시의 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V14) 에 대하여 -X 측으로 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로 조명영역 (SB1) 의 상변 (+Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여 가성설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측으로 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SB1) 의 좌변 (-X 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭을 가지며, 하변 (-Y 측의 변) 은 차광대 (23) 가 노출되도록 각각 설정된다.At this time, the right side (side on the + X side) of the illumination area SB1 is set to be offset to the -X side with respect to the virtually divided dividing line V14, corresponding to the overlapping width during the connection fitting exposure. Similarly, the upper side (side on the + Y side) of the illumination area SB1 is set to be offset to the + Y side with respect to the dividing line H12 provisionally set corresponding to the width for overlapping exposure. In addition, the left side (side on the -X side) of the illumination area SB1 has a width equal to or greater than that of the light shielding band 23 overlapping exposure, and the lower side (side on the -Y side) is exposed so that the light shielding band 23 is exposed. Is set.

그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SB1) 에 대응하는 위치로 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기한 바와 동일하게 노광처리가 실시되면 조명영역 (SB1) 에 존재하는 레티클 (B) 의 패턴의 이미지는 조명영역 (SB1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 전사된다. 여기에서도, 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 28b 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB1) 은 우변이 +X 방향측으로, 또한 하변이 -Y 방향측으로 (즉, 도 28 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다.Then, the glass substrate P moves the substrate stage 9 to a position corresponding to the illumination region SB1, and if the exposure treatment is performed in the same manner as described above, the reticle B present in the illumination region SB1. The image of the pattern of is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB1. Here too, the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 move in accordance with the instruction of the drive control device 11 during the exposure process, so that the illumination region SB1 has the right side + X as shown in FIG. 28B. The lower side moves toward the -Y direction side (that is, from the upper left to the lower right in FIG. 28) by the width for overlapping exposure at a predetermined speed.

이후, 상기한 바와 동일한 순서로 도 29(a), 도 29(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B2) 을, 분할패턴 (B2) 에 대응하는 조명영역 (SB2) 을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 29 중에서 왼쪽위에서 오른쪽위로) 이동시킴으로써 조명영역 (SB2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에, 인접하는 분할패턴 사이가 연결 맞춤 노광되도록 순차적으로 전사한다. 레티클 (B) 을 사용한 노광처리가 완료되면 레티클 (B) 을 레티클 (C) 로 교환한다.Subsequently, the division pattern B2 set as shown in Figs. 29A and 29B in the same order as described above, and the illumination region SB2 corresponding to the division pattern B2 are + Y, -X. By moving from the side to the -Y and + X side (that is, from the upper left to the upper right in FIG. 29), so that the exposure pattern on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB2 is sequentially exposed so as to connect and expose adjacent division patterns. Is warrior. When the exposure process using the reticle (B) is completed, the reticle (B) is replaced with the reticle (C).

레티클 (C) 이 세트되면 레티클 블라인드 (17) 가 구동되고, 레티클 (C) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 의 개구 (S) 에 대응하여 도 30a 에 나타낸 바와 같이 제 1 패턴인 분할패턴 (C1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SC1)(제 1 조명영역) 이 설정된다. 이 분할패턴 (C1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (C) 의 분할라인 (V21) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (C) 의 분할라인 (V24) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 동시에 분할라인 (H22) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.When the reticle C is set, the reticle blind 17 is driven, and the reticle C corresponds to the opening S of the blind plates 17a and 17b of the reticle blind 17 as shown in FIG. 30A. The rectangular illumination area | region SC1 (1st illumination area | region) corresponding to the division pattern C1 which is a pattern is set. This divided pattern C1 is composed of a common pattern KP and a non-common pattern HP1. Here, the dividing line V21 of the reticle C is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. In addition, the dividing line V24 of the reticle C is virtually set in the dividing line V2 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H22 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

그리고, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후에 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키면서 노광처리를 함으로써, 도 30b 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SC1) 이 이동하여 중복 노광부분을 가지는 분할패턴 (C1) 이 유리기판 (P) 상에 전사된다. 이로써, 상기 분할패턴 (A1) 과 분할패턴 (C1) 은 연결 맞춤 노광된다.After the substrate stage 9 is moved, the exposure process is performed while the reticle blind 17 is moved. As shown in Fig. 30B, the illumination pattern SC1 is moved so that the divided pattern C1 having the overlapping exposure portion is glass. It is transferred onto the substrate P. Thereby, the division pattern A1 and the division pattern C1 are exposed to the connection fitting.

계속해서 레티클 블라인드 (17) 를 구동시켜, 도 31a 에 나타낸 바와 같이 제 2 패턴인 분할패턴 (C2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 2 조명영역)(SC2) 을 설정한다. 이 분할패턴 (C2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP2) 로 구성된다. 여기에서, 레티클 (C) 의 분할라인 (V22) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V3) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (C) 의 분할라인 (V23) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 동시에 분할라인 (H22) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Subsequently, the reticle blind 17 is driven to set a rectangular illumination region (second illumination region) SC2 corresponding to the division pattern C2 which is the second pattern as shown in Fig. 31A. This divided pattern C2 is composed of a common pattern KP and a non-common pattern HP2. Here, the dividing line V22 of the reticle C is virtually set in the dividing line V3 in the glass substrate P. As shown in FIG. In addition, the dividing line V23 of the reticle C is virtually set in the dividing line V2 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H22 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.

그리고, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후에 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키면서 노광처리를 함으로써, 도 31(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (CS2) 이 이동하여 중복 노광부분을 가지는 분할패턴 (C2) 이 유리기판 (P) 상에 전사된다. 이로써, 상기 분할패턴 (C1) 과 분할패턴 (C2), 및 상기 분할패턴 (A2) 과 분할패턴 (C2) 은 연결 맞춤 노광된다.After the substrate stage 9 is moved, the exposure process is performed while the reticle blind 17 is moved. As shown in Fig. 31 (b), the illumination region CS2 is moved to have a divided pattern C2 having overlapping exposure portions. ) Is transferred onto the glass substrate P. FIG. As a result, the division pattern C1 and the division pattern C2, and the division pattern A2 and the division pattern C2 are exposed to each other.

이후, 레티클 블라인드 (17) 를 구동시켜 도 32(a) ~ 도 37(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (C5~C8, C3~C4) 의 분할라인에 대하여 상기 분할라인보다 +Y, -X 측 (각 도면 중에서 왼쪽위) 에 조명영역 (SC5~SC8, SC3~SC4) 을 순차적으로 설정함과 동시에, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후에 레티클 블라인드 (17) 를 이동시켜 도 32(b) ~ 도 37(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SC5~SC8, SC3~SC4) 을 -Y, +X 측 (각 도면 중에서 오른쪽아래) 으로 이동시키면서 순차적으로 노광을 실시함으로써, 각 분할패턴마다 레티클 (C) 의 공통패턴과 비공통패턴을 사용하여 분할패턴 (C5~C8, C3~C4) 을 순차적으로 유리기판 (P) 에 전사시킬 수 있다. 이로써, 유리기판 (P) 상에 연결 맞춤 노광된 회로패턴 (4) 이 전사된다.Thereafter, the reticle blind 17 is driven so that the division lines of the division patterns C5 to C8 and C3 to C4 are + Y, -X as shown in Figs. 32 (a) to 37 (a). The illumination regions SC5 to SC8 and SC3 to SC4 are sequentially set on the side (upper left in each drawing), and the reticle blind 17 is moved after the substrate stage 9 is moved, and FIG. 32 (b). As shown in Fig. 37 (b), the exposure area is sequentially exposed while moving the illumination areas SC5 to SC8 and SC3 to SC4 to the -Y and + X sides (lower right in each drawing), thereby reticle for each division pattern. By using the common pattern and the non-common pattern of (C), the division patterns C5 to C8 and C3 to C4 can be transferred to the glass substrate P sequentially. As a result, the circuit pattern 4 exposed and connected to the glass substrate P is transferred.

이 노광에 있어서도, 상기 제 1 의 실시형태와 마찬가지로 직사각형으로 배치된 노광영역에 대하여 1 변이 중복되는 노광영역끼리 (인접하는 노광영역끼리) 쌍을 복수 구성하고, 각 쌍에 있어서 각 노광영역에 대응하는 조명영역을 각각 동일 방향을 따라 이동시키면, 각 쌍에 있어서 교차부는 사각추 형상과 삼각추 형상의 노광량 분포로 노광되므로, 2 쌍을 합친 노광량 분포가 2 개의 사각추 형상과 2 개의 삼각추 형상으로 되어 100 % 의 노광량으로 노광할 수 있다.Also in this exposure, in the same manner as in the first embodiment, a plurality of pairs of exposure regions (adjacent exposure regions) overlapping each other with respect to the exposure regions arranged in a rectangle are formed, and each pair corresponds to each exposure region. When the illumination areas are moved in the same direction, the intersections of each pair are exposed with a light weight distribution of square weights and triangular weights, and thus the exposure dose distribution of the two pairs is divided into two square weights and two triangular weights. It can be exposed by the exposure amount of.

또한, 레티클 블라인드 (17) 로서 도 4(b) 에 나타낸 블라인드판 (17c,17d) 을 사용한 경우에는, 도 24 에 나타낸 바와 같이 하변측에 중복 노광영역이 설정되는 분할패턴 (A1~A2, C1~C2) 을 각각 전사할 때, 개구 (S) 의 하변에 블라인드판 (17d) 의 감광부 (26) 를 위치시키고, 또한 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역을 직선 (L1,L2) 사이의 중복 노광영역에 위치시켜 각 조명영역 (SA1~SA2, SC1~SC2) 을 설정하고, 노광중에 각 조명영역 (SA1~SA2, SC1~SC2) 을 감광부 (26) 의 길이방향 (X 방향) 으로 이동시킨다. 또한, 상변측에 중복 노광영역이 설정되는 분할패턴 (B1~B2, C3~C4) 을 각각 전사할 때, 개구 (S) 의 상변에 블라인드판 (17c) 의 감광부 (26) 를 위치시키고, 또한 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역을 직선 (L3,L4) 사이의 중복 노광영역에 위치시켜 각 조명영역 (SB1~SB2, SC3~SC4) 을 설정하고, 노광중에 각 조명영역 (SB1~SB2, SC3~SC4) 을 감광부 (26) 의 길이방향 (X 방향) 으로 이동시킨다. 그리고 상변측, 하변측의 쌍방에 중복 노광영역이 설정되는 분할패턴 (C5~C8) 을 각각 전사할 때, 개구 (S) 의 상변 및 하변에 블라인드판 (17c,17d) 의 감광부 (26) 를 위치시키고, 또한 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역을 직선 (L1,L2) 사이 및 직선 (L3,L4) 사이의 쌍방의 중복 노광영역에 위치시켜 각 조명영역 (SC5~SC8) 을 설정하고, 노광중에 각 조명영 역 (SC5~SC8) 을 감광부 (26) 의 길이방향 (X 방향) 으로 이동시킨다. 이로써, 변으로만 중복되는 중복 노광영역 및 직사각형으로 배열된 노광영역이 교차하는 중복 노광영역에서도 상기 제 1 의 실시형태와 마찬가지로 중복되지 않은 노광영역과 동일한 100 % 의 노광량으로 노광할 수 있다.In addition, when the blind plates 17c and 17d shown in FIG. 4 (b) are used as the reticle blind 17, as shown in FIG. 24, the division patterns A1 to A2 and C1 in which overlapping exposure areas are set on the lower side. When transferring ˜C2, respectively, the photosensitive portion 26 of the blind plate 17d is positioned on the lower side of the opening S, and the photosensitive region formed by the photosensitive portion 26 is straight line L1, L2. Each illumination area SA1 to SA2 and SC1 to SC2 is set by placing it in the overlapping exposure area between them, and the respective illumination areas SA1 to SA2 and SC1 to SC2 are set in the longitudinal direction (X direction) of the photosensitive part 26 during exposure. Move to). In addition, when transferring the division patterns B1 to B2 and C3 to C4 in which the overlapping exposure areas are set on the image side, the photosensitive portion 26 of the blind plate 17c is positioned on the image side of the opening S, Further, the photosensitive areas formed by the photosensitive section 26 are positioned in overlapping exposure areas between the straight lines L3 and L4 to set the respective illumination areas SB1 to SB2 and SC3 to SC4, and each illumination area SB1 during exposure. SB2 and SC3 to SC4 are moved in the longitudinal direction (X direction) of the photosensitive portion 26. The photosensitive portion 26 of the blind plates 17c and 17d is disposed on the upper side and the lower side of the opening S when transferring the divided patterns C5 to C8 in which the overlapping exposure areas are set on both the upper side and the lower side, respectively. Position, and the photosensitive area formed by the photosensitive portion 26 is placed in both overlapping exposure areas between the straight lines L1 and L2 and between the straight lines L3 and L4 so that each illumination area SC5 to SC8 is positioned. It sets and moves each illumination area SC5-SC8 to the longitudinal direction (X direction) of the photosensitive part 26 during exposure. Thereby, in the overlapping exposure area where the overlapping exposure area overlapping only the sides and the exposure area arranged in a rectangle intersect, it can be exposed at the same exposure amount as 100% as the non-overlapping exposure area as in the first embodiment.

그리고, 감광부 (26) 를 가지는 레티클 블라인드 (17) 를 사용하는 경우, 감광부 (26) 를 개구 (S) 의 상변 및 하변이 아니라 좌변 및 우변에 형성하고, 도 24 에 나타낸 유리기판 (P) 에 있어서 Y 방향으로 연이어지는 중복 노광영역을 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역에서 설정하여 조명영역을 Y 방향으로 이동시키도록 할 수도 있다.And when using the reticle blind 17 which has the photosensitive part 26, the photosensitive part 26 is formed in the left side and the right side instead of the upper side and the lower side of the opening S, and the glass substrate P shown in FIG. ), An overlapping exposure region extending in the Y direction may be set in the photosensitive region formed by the photosensitive section 26 to move the illumination region in the Y direction.

본 실시형태의 노광방법, 노광장치, 및 마스크에서는 상기 제 1 의 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 회로패턴이 클수록 공통패턴도 많아지기 때문에 레티클의 사용 매수의 감소에 수반되는 효과도 커진다. 즉, 도 40 에 나타낸 종래의 분할패턴 (A~F2) 및 도 41 에 나타낸 종래의 마스크 (RA~RF) 의 경우에 비교하여, 본 실시형태에서는 분할수가 15 에서 12 로 감소하여 노광시간을 단축할 수 있다. 또한, 사용하는 레티클이 6 장에서 3 장으로 감소되기 때문에, 레티클 교환에 요하는 시간도 단축할 수 있고 처리시간을 대폭 단축할 수 있어 스루풋이 향상된다.In the exposure method, the exposure apparatus, and the mask of the present embodiment, the same effects as those in the first embodiment can be obtained. In addition, the larger the circuit pattern, the larger the common pattern. Gets bigger That is, compared with the conventional division patterns A to F2 shown in FIG. 40 and the conventional masks RA to RF shown in FIG. 41, in this embodiment, the number of divisions is reduced from 15 to 12, thereby shortening the exposure time. can do. In addition, since the number of reticles used is reduced from six to three, the time required for reticle replacement can be shortened, and the processing time can be greatly reduced, thereby improving throughput.

그리고, 상기 실시형태에 있어서의 레티클의 매수, 유리기판 (P) 의 분할패턴수, 크기 등은 그 일례를 나타낸 것으로서 여기에 한정되는 것은 아니며 여러 가지 매수, 크기 등에 적용할 수 있다.The number of reticles, the number of division patterns of glass substrate P, the size, and the like in the above-described embodiments are not limited thereto, but can be applied to various numbers, sizes, and the like.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 레티클 블라인드 (17) 의 구성을 블라인드판 (17a,17b) 또는 블라인드판 (17c,17d) 으로 이루어지는 구성으로 하고, 일방의 블라인드판의 투과부 (25) 가 직교하는 2 변과 타방의 블라인드판의 투과부 (25) 가 직교하는 2 변의 조합으로 개구 (S) 를 형성하는 구성으로 하였으나, 블라인드판을 사용하지 않고 투과부 (25) 를 구성하는 복수의 변을, 각각 독립된 변 구성체로 구성하고 (직사각형의 투과부인 경우, 4 개의 변 구성체로 구성하고), 각 변 구성체를 각각 독립적으로 이동시키는 이동장치를 형성하는 구성일 수도 있다.In addition, in the said embodiment, the structure of the reticle blind 17 is comprised from the blind plates 17a and 17b or the blind plates 17c and 17d, and the two which the permeation | transmission part 25 of one blind plate orthogonally crosses Although the opening S was formed by the combination of the sides and the permeation | transmission part 25 of the other blind plate orthogonal, the some side which comprises the permeation | transmission part 25 without using a blind plate is respectively independent sides. It may be a structure which constitutes a structure (in the case of a rectangular transmission part, consists of four side structures), and forms a moving device which moves each side structure independently.

이와 같은 경우, 변 구성체를 블라인드판 (17a,17b) 과 동일하게 이동시킴으로써, 블라인드판 (17a,17b) 을 사용한 경우와 동일한 작용·효과를 얻을 수 있다. 또한, 변 구성체의 적어도 하나에 감광부를 형성함으로써, 블라인드판 (17c,17d) 을 사용한 경우와 동일한 작용·효과를 얻을 수 있다. 또한, 1 개의 변 구성체의 일부에 감광부를 형성하고, 기타의 변 구성체의 위치에 따라서 이 감광부가 노출, 은폐되도록 하면, 상기 감광부를 사용한 노광처리, 감광부를 사용하지 않은 노광처리 모두 적당히 선택할 수 있어 범용성이 큰 연결 맞춤 노광을 실시할 수 있다.In such a case, the same action and effect as the case where the blind plates 17a and 17b are used can be obtained by moving the edge member in the same manner as the blind plates 17a and 17b. In addition, by forming a photosensitive portion in at least one of the deformable structures, the same effects and effects as in the case of using the blind plates 17c and 17d can be obtained. In addition, if a photosensitive portion is formed in a part of one edge member and the photosensitive portion is exposed and concealed according to the position of other edge members, both the exposure treatment using the photosensitive portion and the exposure treatment without the photosensitive portion can be appropriately selected. Connection fitting exposure with large versatility can be performed.

또한, 기판으로는, 액정 디스플레이 디바이스용의 유리기판 (P) 뿐만아니라, 반도체 디바이스용의 반도체 웨이퍼, 박막 자기헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광장치로 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다.As the substrate, not only glass substrate P for liquid crystal display devices, but also semiconductor wafers for semiconductor devices, ceramic wafers for thin film magnetic heads, or original plates of masks or reticles used for exposure apparatus (synthetic quartz, silicon) Wafer) and the like.

노광장치 (5) 로는, 레티클 (R) 과 유리기판 (P) 을 정지한 상태로 레티클 (R) 의 패턴을 노광하여 유리기판 (P) 을, 순차적으로 스텝이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영노광장치 (스텝퍼) 에서도 레티클 (R) 과 감광기판 (P) 을 동기 이동하여 레티클 (R) 의 패턴을 노광하는 스텝·앤드·스캔방식의 주사형 투영노광장치 (스캐닝·스텝퍼) 에도 적용할 수 있다.The exposure apparatus 5 is a step-and-repeat method in which the pattern of the reticle R is exposed while the reticle R and the glass substrate P are stopped and the glass substrate P is sequentially moved. The projection exposure apparatus (stepper) also applies to a step-and-scan scanning projection exposure apparatus (scanning stepper) in which the reticle R and the photosensitive substrate P are moved synchronously to expose the pattern of the reticle R. Can be.

노광장치 (5) 의 종류로는, 상기 액정 디스플레이 디바이스제조용 뿐만아니라, 반도체제조용의 노광장치 또는 박막 자기헤드, 촬상소자 (CCD) 또는 레티클 (R) 등을 제조하기 위한 노광장치 등에도 폭넓게 적용할 수 있다.As the kind of the exposure apparatus 5, not only for the above-mentioned liquid crystal display device manufacture but also for the exposure apparatus for semiconductor manufacture or the exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head, an imaging element (CCD), a reticle (R), etc., it is widely applicable. Can be.

또한, 조명광학계 (7) 의 광원으로서 수은 램프 (6) 로부터 발생하는 휘선 (g 선(436 ㎚), i 선(365㎚), KrF 엑시머레이저 (248㎚), ArF 엑시머레이저 (193㎚), F2 레이저 (157㎚), X 선등을 사용할 수 있다. 또한, YAG 레이저나 반도체레이저 등의 고주파 등을 사용할 수도 있다.In addition, as a light source of the illumination optical system 7, bright lines generated from the mercury lamp 6 (g line (436 nm), i line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), A F 2 laser (157 nm), an X-ray, or the like can be used, or a high frequency wave such as a YAG laser or a semiconductor laser can be used.

투영광학계 (8) 의 배율은 축소계 뿐만아니라 등배 및 확대계의 어느 것일 수도 있다.The magnification of the projection optical system 8 may be any of the equal magnification and the magnification system as well as the reduction system.

또한, 투영광학계 (8) 로는, 엑시머레이저 등의 원자외선을 사용하는 경우에는 유리재로서 석영이나 형석 등의 원자외선을 투과하는 재료를 사용하고, F2 레이저를 사용하는 경우에는 반사굴절계 또는 굴절계의 광학계로 한다.As the projection optical system 8, when using far ultraviolet rays such as an excimer laser, a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as the glass material, and when using an F 2 laser, a refractometer or refractometer is used. The optical system of

기판 스테이지 (9) 나 레티클 스테이지 (10) 에 리니어 모터를 사용하는 경우에는, 에어 베어링을 사용한 에어 부상형 및 로렌츠력 또는 리액턴스력을 사용한 자기 부상형의 어느 것을 사용할 수도 있다.When using a linear motor for the board | substrate stage 9 or the reticle stage 10, any of the air floating type using an air bearing, and the magnetic floating type using a Lorentz force or reactance force can also be used.

또한, 각 스테이지 (9, 10) 는 가이드를 따라 이동하는 타입일 수도 있고, 가이드를 설치하지 않은 가이드레스 타입일 수도 있다.In addition, each stage 9 and 10 may be a type which moves along a guide, and may be a guideless type which does not install a guide.

기판 스테이지 (9) 의 이동에 의하여 발생하는 반력은 프레임부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빼낼 수도 있다.The reaction force generated by the movement of the substrate stage 9 may be mechanically taken out to the bottom (ground) using the frame member.

레티클 스테이지 (10) 의 이동에 의하여 발생하는 반력은, 프레임부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빼낼 수도 있다.The reaction force generated by the movement of the reticle stage 10 may be taken out to the bottom (ground) mechanically using a frame member.

복수의 광학소자로 구성되는 조명광학계 (7) 및 투영광학계 (8) 를 각각 노광장치 본체에 형성하여, 그 광학조정을 함과 동시에 다수의 기계부품으로 이루어지는 레티클 스테이지 (10) 또는 기판 스테이지 (9) 를 노광장치 본체에 장착하여 배선이나 배관을 접속하고, 다시 종합 조정 (전기 조정, 동작 확인 등) 을 함으로써 본 실시형태의 노광장치 (5) 를 제조할 수 있다. 또한, 노광장치 (5) 의 제조는 온도 및 청결도 등이 관리된 크린룸에서 실시하는 것이 바람직하다.An illumination optical system 7 and a projection optical system 8 composed of a plurality of optical elements are respectively formed in the exposure apparatus main body, and the optical adjustment is performed, and at the same time, the reticle stage 10 or the substrate stage 9 composed of a plurality of mechanical parts is provided. ), The exposure apparatus 5 of this embodiment can be manufactured by attaching to the exposure apparatus main body, connecting wiring and piping, and making comprehensive adjustment (electrical adjustment, operation | movement confirmation, etc.) again. In addition, it is preferable to manufacture the exposure apparatus 5 in the clean room in which temperature, cleanliness, etc. were managed.

액정 표시소자나 반도체디바이스 등의 디바이스는, 각 디바이스의 기능·성능설계를 실시하는 스텝, 이 설계스텝에 근거한 레티클 (R) 을 제작하는 스텝, 유리기판 (P), 웨이퍼 등을 제작하는 스텝, 전술한 실시형태의 노광장치 (5) 에 의하여 레티클 (R) 의 패턴을 유리기판, 웨이퍼에 노광하는 스텝, 각 디바이스를 조립하는 스텝, 검사 스텝 등을 거쳐 제조된다.A device such as a liquid crystal display device or a semiconductor device includes steps for designing the function and performance of each device, steps for producing a reticle R based on this design step, steps for manufacturing a glass substrate P, a wafer, and the like, By the exposure apparatus 5 of embodiment mentioned above, it manufactures through the step of exposing the pattern of the reticle R to a glass substrate and a wafer, the step of assembling each device, an inspection step, etc.

이상에서 설명한 바와 같이, 청구항 1 에 관련되는 노광방법은 마스크가 공통패턴과 비공통패턴을 가지고 있고, 이와 같이 연속하여 형성된 공통패턴과 비공 통패턴의 적어도 일부를 선택하여, 기판에 제 1 패턴과 제 2 패턴을 연결 맞춤 노광하는 구성으로 되어 있다.As described above, in the exposure method according to claim 1, the mask has a common pattern and a non-common pattern, and at least a part of the common pattern and the non-common pattern which are continuously formed in this way is selected, and the first pattern and It is a structure which connects and exposes a 2nd pattern.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는, 1 장의 마스크로 복수의 노광영역에 마스크의 패턴을 패턴이 다르게 복수로 전사할 수 있게 되므로, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있고 스루풋을 향상시키는 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 고가의 마스크의 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감이 실현된다는 효과도 얻을 수 있다. 이것은 특히 액정표시 디바이스나 반도체 메모리와 같이 동일한 패턴을 반복 전사하는 경우에 현저하게 나타난다.By doing so, in this exposure method, the mask pattern can be transferred to the plurality of exposure areas in a plurality of patterns with one mask, so that the time required for mask replacement can be shortened and the throughput can be improved. In addition, since the number of expensive masks can be reduced, cost reduction can be realized. This is particularly noticeable when the same pattern is repeatedly transferred, such as a liquid crystal display device or a semiconductor memory.

청구항 2 에 관련되는 노광방법은 비공통패턴이 공통패턴을 사이에 두고 형성되는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to claim 2 has a configuration in which a non-common pattern is formed with a common pattern interposed therebetween.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 제 1, 제 2 패턴을 선택할 때 걸리는 시간을 단축할 수 있으므로, 더욱 스루풋의 향상을 실현할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing in this way, since the time which takes for selecting a 1st, 2nd pattern can be shortened in this exposure method, the effect which can improve the throughput further can be acquired.

청구항 3 에 관련되는 노광방법은, 비공통패턴의 선택이 제 1 패턴을 노광할 때와, 제 2 패턴을 노광할 때로 다른 구성으로 되어 있다.The exposure method according to claim 3 has a different configuration when the selection of the non-common pattern exposes the first pattern and when the second pattern is exposed.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 패턴이 다른 제 1, 제 2 패턴을 1 장의 마스크로 전사할 수 있으므로, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있어 스루풋을 향상시킨다는 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 고가인 마스크의 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감이 실현된다는 효과도 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, since the first and second patterns having different patterns can be transferred to one mask, the time required for mask replacement can be shortened and the effect of improving throughput can be obtained. Since the number of used masks can be reduced, the cost reduction can be realized.

청구항 4 에 관련되는 노광방법은, 패턴의 선택을 마스크의 조명영역에 의하 여 설정하고, 이 조명영역에 대응하는 기판상의 노광영역을 인접하는 노광영역과 중복시키는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to claim 4 has a configuration in which the selection of the pattern is set by the illumination area of the mask, and the exposure area on the substrate corresponding to the illumination area is overlapped with the adjacent exposure area.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 조명영역을 설정함으로써, 1 장의 마스크로 복수의 노광영역에 패턴이 다르게 복수로 전사할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, by setting the illumination region, it is possible to obtain the effect that a plurality of patterns can be transferred to a plurality of exposure regions differently with one mask.

청구항 5 에 관련되는 노광방법은 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수로 직사각형으로 배열했을 때, 각 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역이 형성되는 1 변을 따라 각각 이동시키는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to claim 5 is configured to move the illumination area corresponding to each exposure area along one side where the photosensitive area is formed, when the exposure areas are arranged in a plurality of rectangles so that two sides overlap each other.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이 경우에 조명영역 설정장치의 이동이 1 방향이므로, 조명영역 설정장치를 구동시키는 구동기구를 간단하게 할 수 있다는 효과도 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, it is possible to obtain the effect that the exposure can be performed at the same exposure amount as other exposure areas without over exposure even in the areas where the exposure areas intersect. Further, in this case, since the movement of the illumination area setting device is in one direction, the effect of simplifying the driving mechanism for driving the illumination area setting device can also be obtained.

청구항 6 에 관련되는 노광방법은, 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수의 직사각형으로 배열했을 때, 변이 중복되는 노광영역끼리 쌍을 복수로 구성하고, 각 쌍에서 노광영역에 대응하는 조명영역을 동일 방향을 따라 각각 이동시키는 구성으로 되어 있다.In the exposure method according to claim 6, when the exposure areas are arranged in a plurality of rectangles so that two sides overlap each other, a plurality of pairs of exposure areas overlapping sides are formed, and in each pair, an illumination area corresponding to the exposure area is the same. Each structure moves along the direction.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는, 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다. By doing in this way, in this exposure method, even if the area | region which an exposure area cross | intersects, it is possible to obtain the effect that it can expose with the same exposure amount as other exposure area | region.                     

청구항 7 에 관련되는 노광방법은, 조명영역을 이동시키는 동일 방향을 직사각형 배열의 대각 방향으로 하는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to claim 7 has a configuration in which the same direction for moving the illumination region is a diagonal direction of a rectangular array.

이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는, 직교하는 2 변을 인접하는 노광영역과 한번에 중복 노광할 때에도, 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, even when two orthogonal sides are overlapped with the adjacent exposure area at once, the exposure area is not overexposed even in the area where the exposure areas intersect, and the effect can be exposed at the same exposure amount as other exposure areas. You can get it.

청구항 8 에 관련되는 마스크는 복수의 패턴의 공통패턴과, 이 공통패턴과는 상이한 비공통패턴이 연속하여 형성되는 구성으로 되어 있다.The mask according to claim 8 has a configuration in which a common pattern of a plurality of patterns and a non-common pattern different from the common pattern are formed continuously.

이렇게 함으로써, 이 마스크에서는, 1 장의 마스크로 복수의 패턴을 설정할 수 있으므로, 사용하는 마스크의 매수가 감소되어 비용절감이 실현된다는 효과를 얻을 수 있다.In this mask, since a plurality of patterns can be set in one mask, the number of masks to be used can be reduced and the cost can be realized.

청구항 9 에 관련되는 마스크는 비공통패턴이 공통패턴을 사이에 두고 형성되는 구성으로 되어 있다.The mask according to claim 9 has a configuration in which a non-common pattern is formed with a common pattern interposed therebetween.

이렇게 함으로써, 이 마스크에서는, 공통패턴을 포함하는 패턴을 설정할 때에도 설정에 요하는 시간을 단축할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing in this way, in this mask, even when setting the pattern containing a common pattern, the time required for setting can be shortened.

청구항 10 에 관련되는 노광장치는, 마스크 스테이지에 청구항 8 또는 청구항 9 에 기재된 마스크가 지지되어 조명영역 설정장치가 마스크의 조명영역을 제 1, 제 2 조명영역에 설정하고, 제어장치가 제 1, 제 2 조명영역의 제 1, 제 2 패턴을 기판에 연결하여 맞추는 구성으로 되어 있다.In the exposure apparatus according to claim 10, the mask according to claim 8 or 9 is supported by the mask stage, and the illumination region setting apparatus sets the illumination region of the mask in the first and second illumination regions, and the control apparatus is the first, The first and second patterns of the second illumination region are connected to the substrate and fitted together.

이렇게 함으로써, 이 노광장치로는 조명명역 설정장치에 의하여 조명영역을 설정함으로써, 1 장의 마스크로 복수의 패턴을 설정할 수 있으므로, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있어 스루풋을 향상시킨다는 효과가 얻을 수 있음에 더하여, 고가인 마스크의 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감이 실현된다는 효과도 얻을 수 있다.By doing so, the exposure area can be set by a lighting area setting device in this exposure apparatus, so that a plurality of patterns can be set by one mask, so that the time required for mask replacement can be shortened, thereby improving the throughput. In addition, since the number of expensive masks can be reduced, cost reduction can be realized.

청구항 11 에 관계되는 노광장치는 조명영역 설정장치가 마스크의 조명영역을, 복수의 변으로 형성되는 투과부의 위치에 따라 제 1, 제 2 조명영역에 설정하고, 제어장치가 제 1, 제 2 조명영역의 제 1, 제 2 패턴을 기판에 서로 연결함과 동시에, 조명영역 설정장치가 복수의 변 구성체와, 변 구성체를 각각 독립적으로 이동시키는 이동장치를 구비하는 구성으로 되어 있다.In the exposure apparatus according to claim 11, the illumination region setting apparatus sets the illumination region of the mask in the first and second illumination regions according to the positions of the transmissive portions formed by the plurality of sides, and the control apparatus first and second illumination. The first and second patterns of the area are connected to each other on the substrate, and the illumination area setting device includes a plurality of side members and a moving device for independently moving the side members.

이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 상황에 따라 크기, 위치가 상이한 조명영역을 여러 가지로 설정하고, 또한 감광부의 노출, 은폐도 용이하게 하여 범용성이 큰 연결 맞춤 노광을 실시할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.In this way, in this exposure apparatus, various illumination areas having different sizes and positions can be set depending on the situation, and the exposure and concealment of the photosensitive section can be easily performed, so that a highly versatile connection fitting exposure can be obtained. .

청구항 12 에 관계되는 노광장치는 투과부의 적어도 1 변에 투과율이 점차 감소되는 감광부가 형성되는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to claim 12 has a configuration in which a photosensitive portion having a gradually reduced transmittance is formed on at least one side of the transmissive portion.

이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 노광중에 조명영역을 감광부가 형성되는 일변을 따라서 이동시킴으로써 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한 이 경우에 조명영역 설정장치의 이동이 1 방향이므로 조명영역 설정장치를 구동시키는 구동기구를 간단한 것으로 할 수 있다는 효과도 얻을 수 있다.By doing this, in this exposure apparatus, the exposure area can be moved along one side where the photosensitive portion is formed during exposure, so that the exposure area can be exposed at the same exposure amount as other exposure areas without overexposure even in the area where the exposure areas intersect. . Further, in this case, since the movement of the lighting area setting device is one direction, the effect that the driving mechanism for driving the lighting area setting device can be made simple is also obtained.

청구항 13 에 관계되는 노광장치는 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수 로 직사각형 배열로 했을 때, 변이 중복되어 쌍을 이루는 노광영역에 대응하는 조 명영역을, 동일 방향을 따라서 각각 이동시키는 이동장치가 형성되는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to claim 13 is characterized in that, when the exposure areas are arranged in a plurality of rectangular arrays so that two sides overlap each other, a moving device for moving the illumination areas corresponding to the exposure areas in which the sides overlap and pairs in the same direction, respectively; It is a structure formed.

이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.By doing in this way, in this exposure apparatus, even if the exposure area | region crosses, it is not overexposed and the effect which can expose with the same exposure amount as other exposure area can be acquired.

청구항 14 에 관계되는 노광장치는 노광영역을 이동시키는 동일 방향을 직사각형의 대각 방향으로 하는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to claim 14 has a configuration in which the same direction for moving the exposure area is a diagonal diagonal direction.

이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 직교하는 2 변을 인접하는 노광영역과 한번에 중복 노광시킬 때에도 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure apparatus, even when two orthogonal sides are overlapped with the adjacent exposure area at once, the exposure area is not overexposed even in the area where the exposure areas intersect, and the effect can be obtained at the same exposure amount as other exposure areas. Can be.

청구항 15 에 관계되는 노광장치는 제어장치가 조명영역 설정장치의 설정에 따라 기판 스테이지를 구동시키는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to claim 15 is configured such that the controller drives the substrate stage in accordance with the setting of the illumination region setting device.

이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 기판 스테이지가 조명영역 설정장치의 설정에 따라 구동시킴으로써 1 장의 마스크로 복수의 패턴을 기판에 전사할 수 있고, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축시킬 수 있어 스루풋을 향상시킨다는 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 고가인 마스크 사용 매수를 감소시킬 수 있으므로 비용절감을 실현할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure apparatus, the substrate stage is driven in accordance with the setting of the illumination region setting apparatus so that a plurality of patterns can be transferred to the substrate with one mask, and the time required for mask replacement can be shortened, thereby improving throughput. In addition to achieving the effect, the number of expensive masks used can be reduced, resulting in cost reduction.

Claims (19)

패턴을 가진 마스크를 사용하여 기판에 제 1 패턴과 제 2 패턴을 연결 맞춤 노광하는 노광방법에 있어서,In the exposure method of connecting and exposing the first pattern and the second pattern on the substrate using a mask having a pattern, 상기 마스크의 패턴은, 상기 제 1 패턴과 제 2 패턴과의 공통패턴과, 이 공통패턴과 연속하여 형성되고 이 공통패턴과는 상이한 비공통패턴을 가지고 있고,The pattern of the mask has a common pattern between the first pattern and the second pattern, and a non-common pattern that is formed in succession with the common pattern and is different from the common pattern, 상기 공통패턴과, 상기 비공통패턴의 적어도 일부를 선택하여 상기 연결 맞춤 노광하는 것을 특징으로 하는 노광방법.And at least a portion of the common pattern and the non-common pattern to select the exposure. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비공통패턴은 상기 공통패턴을 사이에 두고 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광방법.The non-common pattern is formed with the common pattern interposed therebetween. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 비공통패턴의 상기 선택은, 상기 제 1 패턴을 노광할 때와 상기 제 2 패턴을 노광할 때 상이하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 노광방법.The selection of the non-common pattern is different when exposing the first pattern and exposing the second pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패턴의 선택을 상기 마스크의 조명영역에 의하여 설정하고, The selection of the pattern is set by the illumination area of the mask, 이 조명영역에 대응하는 상기 기판상의 노광영역을, 인접하는 노광영역과 중 복시켜 상기 연결 맞춤를 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.The exposure method on the said board | substrate corresponding to this illumination area | region is overlapped with the adjacent exposure area | region, and the said exposure method characterized by performing said connection fitting. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 조명영역의 1 변에 투과율이 점차 변화되는 감광(減光)영역을 형성하고,Forming a photosensitive region in which transmittance gradually changes on one side of the illumination region, 상기 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수 구형(矩形) 배열했을 때에, 각 노광영역에 대응하는 상기 조명영역을 상기 노광중에 상기 1 변을 따라 각각 이동시키는 것을 특징으로 하는 노광방법.And the illumination area corresponding to each exposure area is moved along the one side during the exposure, when the exposure areas are arranged so that two sides overlap each other. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수 구형 배열했을 때에, 이 복수의 노광영역 중에, 상기 변이 중복되는 노광영역끼리로 쌍을 복수 구성하고,When a plurality of spheres are arranged so that two sides overlap each of the exposure areas, a plurality of pairs are formed among the exposure areas in which the sides overlap, among the plurality of exposure areas, 각 쌍에 있어서 상기 노광영역에 대응하는 상기 조명영역을 상기 노광중에 동일 방향을 따라 각각 이동시키는 것을 특징으로 하는 노광방법.And the illumination area corresponding to the exposure area in each pair is moved in the same direction during the exposure, respectively. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 동일 방향은 상기 구형 배열의 대각 방향인 것을 특징으로 하는 노광방법.And said same direction is a diagonal direction of said spherical arrangement. 패턴을 갖고, 상기 패턴은 기판에 복수의 분할패턴을 연결하여 노광하기 위하여 사용되는, 마스크에 있어서,In a mask having a pattern, the pattern is used to connect and expose a plurality of divided patterns to a substrate, 상기 마스크에는, 상기 복수의 분할패턴의 노광시에 공통으로 전사되는 공통패턴과, The mask includes a common pattern which is commonly transferred when the plurality of divided patterns are exposed; 상기 공통패턴과는 상이하고, 상기 복수의 분할패턴의 노광시에 공통으로 전사되지 않는 비공통패턴이 연속하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.A mask, characterized in that a non-common pattern which is different from the common pattern and which is not transferred in common at the time of exposing the plurality of divided patterns is formed continuously. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 비공통패턴은 상기 공통패턴을 사이에 두는 위치 관계로 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크.And the non-common pattern is formed so as to be in a positional relationship having the common pattern therebetween. 패턴을 가진 마스크를 유지하는 마스크 스테이지와, 상기 마스크를 조명하는 조명광학계를 구비하고, 상기 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a mask stage for holding a mask having a pattern, and an illumination optical system for illuminating the mask, and exposing the pattern of the mask to a substrate. 상기 마스크 스테이지에는 제 8 항에 기재된 마스크가 유지되어 있고,The mask according to claim 8 is held in the mask stage, 상기 마스크의 조명영역을 적어도 제 1 조명영역과 제 2 조명영역에 설정하는 조명영역 설정장치와,An illumination region setting device for setting an illumination region of the mask to at least a first illumination region and a second illumination region; 상기 제 1 조명영역에 의하여 상기 기판에 노광되는 제 1 패턴과, 상기 제 2 조명영역에 의하여 상기 기판에 노광되는 제 2 패턴을 연결 맞춤시키는 제어장치를 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.And a control device for connecting and fitting the first pattern exposed to the substrate by the first illumination region and the second pattern exposed to the substrate by the second illumination region. 패턴을 가진 마스크를 유지하는 마스크 스테이지와, 상기 마스크를 조명하는 조명광학계를 구비하고, 상기 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 노광장치에 있어서,An exposure apparatus comprising a mask stage for holding a mask having a pattern, and an illumination optical system for illuminating the mask, and exposing the pattern of the mask to a substrate. 복수의 변으로 형성되는 투과부의 위치에 따라 상기 마스크의 조명영역을 적어도 제 1 조명영역과 제 2 조명영역에 설정하는 조명영역 설정장치와,An illumination region setting device for setting the illumination region of the mask to at least the first illumination region and the second illumination region according to the position of the transmissive portion formed by the plurality of sides; 상기 제 1 조명영역에 의하여 상기 기판에 노광되는 제 1 패턴과, 상기 제 2 조명영역에 의하여 상기 기판에 노광되는 제 2 패턴을 연결 맞춤시키는 제어장치를 구비하고,And a control device for connecting and fitting a first pattern exposed to the substrate by the first illumination region and a second pattern exposed to the substrate by the second illumination region, 상기 조명영역 설정장치는, 상기 복수의 변을 각각 구성하는 복수의 변구성체(邊構成體)와, 이 변구성체를 각각 독립적으로 이동시키는 이동장치를 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.The illumination area setting device includes a plurality of deformable bodies constituting the plurality of sides, and a moving device for independently moving the deformable members, respectively. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 조명영역 설정장치는, 상기 조명영역을 설정하는 투과부를 가지고, 이 투과부의 적어도 1 변에는 투과율이 점차 변화하는 감광부(減光部)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.And said illumination region setting device has a transmission portion for setting said illumination region, and at least one side of said transmission portion is formed with a photosensitive portion having a gradually changing transmittance. 제 10 항 또는 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 조명영역 설정장치에는, 상기 조명영역에 대응하는 상기 기판상의 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수 구형 배열했을 때에, 상기 변이 중복되어 쌍을 이루는 상기 노광영역에 대응하는 상기 조명영역을, 상기 노광중에 동일 방향을 따라 각각 이동시키는 이동장치가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.In the illumination area setting device, when the exposure areas on the substrate corresponding to the illumination area are arranged in a plurality of spheres so that two sides overlap each other, the illumination area corresponding to the exposure area where the sides overlap and form a pair is exposed to the exposure area. An exposure apparatus is provided with a moving device for moving in the same direction, respectively. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 동일 방향은 상기 구형 배열의 대각 방향인 것을 특징으로 하는 노광장치.And said same direction is a diagonal direction of said spherical arrangement. 제 10 항 또는 11 항에 있어서,The method of claim 10 or 11, 상기 기판을 유지하여 이동하는 기판 스테이지를 가지고,Having a substrate stage for holding and moving the substrate, 상기 제어장치는, 상기 조명영역 설정장치의 설정에 따라 상기 기판 스테이지를 구동시키는 것을 특징으로 하는 노광장치.And the control device drives the substrate stage in accordance with the setting of the illumination area setting device. 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 기판에 제 1 패턴과 제 2 패턴의 일부를 중복 노광하여, 상기 기판에 소망의 패턴을 연결 맞춤 노광하는 노광방법에 있어서,In the exposure method which overlaps part of a 1st pattern and a 2nd pattern on a board | substrate using the mask which has a pattern, and connects and exposes a desired pattern to the said board | substrate, 상기 마스크의 패턴은, 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴의 공통 패턴과, 이 공통 패턴과 연속하여 형성되고 이 공통 패턴과는 상이한 비공통 패턴을 갖고 있고,The pattern of the said mask has the common pattern of the said 1st pattern and the said 2nd pattern, and has a non-common pattern formed continuously in this common pattern, and different from this common pattern, 상기 제 1 패턴으로서 상기 공통 패턴과 상기 비공통 패턴의 적어도 일부를 선택하고,Selecting at least a portion of the common pattern and the non-common pattern as the first pattern, 상기 제 2 패턴으로서 상기 공통 패턴과 상기 비공통 패턴의 적어도 일부를 선택하고,Selecting at least a portion of the common pattern and the non-common pattern as the second pattern, 상기 제 1 패턴과 상기 제 2 패턴의 상기 중복 노광 부분과 당해 중복 노광을 행하지 않은 부분과의 노광량이 동일하게 되도록 노광하는 것을 특징으로 하는 노광방법.The exposure method characterized by exposing so that the exposure amount of the said overlapping exposure part of the said 1st pattern and the said 2nd pattern may be equal to the part which has not performed the said overlapping exposure. 제 8 항 또는 제 9 항에 기재된 마스크에 있어서,The mask according to claim 8 or 9, 상기 공통 패턴 및 상기 비공통 패턴은 액정 표시 디바이스의 패턴인 것을 특징으로 하는 마스크.And said common pattern and said non-common pattern are patterns of liquid crystal display devices. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 공통 패턴은 상기 액정 표시 디바이스의 표시부의 패턴인 것을 특징으로 하는 마스크.And said common pattern is a pattern of a display portion of said liquid crystal display device. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 비공통 패턴은 상기 액정 표시 디바이스의 표시부를 둘러싸도록 형성되는 주위부의 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.And the non-common pattern includes a pattern of peripheral portions formed to surround the display portion of the liquid crystal display device.
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