KR100672263B1 - Exposure method, exposure apparatus, and mask - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화면합성을 수반하는 노광처리를 행할 때에 적은 매수로 노광하는 것을 과제로 한다.An object of the present invention is to expose a small number of sheets when performing an exposure process involving screen synthesis.
그 해결수단으로서, 패턴 (1a) 을 가지는 마스크 (A) 를 사용하여 기판에 제 1 패턴과 제 2 패턴을 연결 맞춤 노광한다. 마스크 (A) 의 패턴은 제 1 패턴과 제 2 패턴과의 공통패턴 (KP) 과, 공통패턴 (KP) 과 연속하여 형성되고 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 을 가진다. 공통패턴 (KP) 과, 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하여 연결 맞춤 노광하는 것을 특징으로 하는 것이다. As a solution, the first pattern and the second pattern are exposed to the substrate by using the mask A having the pattern 1a. The pattern of the mask A is formed of the common pattern KP between the first pattern and the second pattern, and the non-common patterns HP1 and HP2 which are formed in succession with the common pattern KP and are different from the common pattern KP. Have At least a portion of the common pattern KP and the non-common patterns HP1 and HP2 are selected and exposed to the connection fitting.
Description
도 1 은 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 공통패턴과 비공통패턴을 가지는 레티클의 평면도,1 is a view showing a first embodiment of the present invention, which is a plan view of a reticle having a common pattern and a non-common pattern,
도 2 는 동일 레티클에 의하여 전사되는 회로패턴이 복수로 분할된 유리기판의 패턴도,2 is a pattern diagram of a glass substrate having a plurality of circuit patterns transferred by the same reticle;
도 3 은 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 레티클 블라인드, 기판 스테이지에 구동제어장치가 접속된 노광장치의 개략 구성도,3 is a diagram showing a first embodiment of the present invention, which is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus in which a drive control device is connected to a reticle blind and a substrate stage;
도 4 는 본 발명의 노광장치를 구성하는 레티클 블라인드의, (a) 는 차광부, 투과부로 구성된 블라인드판의 평면도, (b) 는 차광부, 투과부 및 감광부로 구성된 블라인드판의 평면도,4 is a plan view of a blind plate composed of a light shielding portion and a transmission portion, (b) a plan view of a blind plate composed of a light shielding portion, a transmission portion and a photosensitive portion, of a reticle blind constituting the exposure apparatus of the present invention;
도 5 는 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 1 조명영역에 있는 레티클 패턴을 나타내는 평면도,5 is a view showing a first embodiment of the present invention, a plan view showing a reticle pattern in a first illumination region;
도 6 은 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 2 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,6 is a view showing a first embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern of a reticle in a second illumination region;
도 7 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,7 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;
도 8 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,8 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;
도 9 는 본 발명의 제 1 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 별도의 레티클의 조명영역에 있는 패턴을 나타내는 평면도,9 is a view showing a first embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern in an illumination region of another reticle;
도 10 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,10 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;
도 11 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,11 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;
도 12 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,12 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;
도 13 은 노광영역이 교차하는 교차부를 설명하기 위한 도면,13 is a view for explaining an intersection where an exposure area intersects;
도 14 는 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,14 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;
도 15 는 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,15 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;
도 16 는 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,16 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;
도 17 은 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,17 is an exposure dose distribution diagram illustrating a distribution of exposure doses at the same intersection;
도 18 은 동일한 교차부에 있어서의 노광량의 분포를 나타내는 노광량 분포도,18 is an exposure dose distribution diagram showing a distribution of exposure doses at the same intersection;
도 19 는 노광영역이 교차하는 교차부를 설명하기 위한 도면, 19 is a diagram for explaining an intersection where an exposure area intersects.
도 20 은 감광부를 가지는 블라인드판에 의하여 설정된 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,20 is a plan view showing a pattern of a reticle in an illumination region set by a blind plate having a photosensitive portion;
도 21 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,21 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;
도 22 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,22 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;
도 23 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,23 is a plan view showing the pattern of the reticle in the same other illumination region;
도 24 는 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 21 인치의 액정 디스플레이 디바이스용 유리기판의 패턴도,FIG. 24 is a view showing a second embodiment of the present invention, and a pattern diagram of a glass substrate for a liquid crystal display device of 21 inches;
도 25 는 동일 유리기판을 노광할 때 사용되는 3 장의 레티클의 평면도,25 is a plan view of three reticles used when exposing the same glass substrate;
도 26 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 1 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,26 is a view showing a second embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern of a reticle in a first illumination region;
도 27 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 기타의 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,27 is a view showing a second embodiment of the present invention, which is a plan view showing a pattern of a reticle in other lighting regions;
도 28 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 별도의 레티클의 조명영역에 있는 패턴을 나타내는 평면도,28 is a view showing a second embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern in an illumination region of another reticle;
도 29 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,29 is a plan view showing a pattern of the reticle in the same other lighting area;
도 30 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 제 2 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,30 is a view showing a second embodiment of the present invention, a plan view showing a pattern of a reticle in a second lighting area;
도 31 은 본 발명의 제 2 의 실시형태를 나타내는 도면으로서, 기타의 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,31 is a view showing a second embodiment of the present invention, which is a plan view showing a pattern of a reticle in other illumination regions;
도 32 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,32 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other illumination area;
도 33 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,33 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;
도 34 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,34 is a plan view showing a pattern of the reticle in the same other lighting area;
도 35 는 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,35 is a plan view showing a pattern of the reticle in the same other lighting area;
도 36 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,36 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other lighting area;
도 37 은 동일한 기타 조명영역에 있는 레티클의 패턴을 나타내는 평면도,37 is a plan view showing a pattern of a reticle in the same other illumination area;
도 38 은 분할된 회로패턴을 가지는 유리기판의 패턴도,38 is a pattern diagram of a glass substrate having a divided circuit pattern;
도 39 는 종래 기술에 의한 마스크의 일례를 나타내는 평면도,39 is a plan view showing an example of a mask according to the prior art;
도 40 은 분할된 회로패턴을 가지는 유리기판의 패턴도,40 is a pattern diagram of a glass substrate having a divided circuit pattern;
도 41 은 종래 기술에 의한 마스크의 일례를 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows an example of the mask by a prior art.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *
KP : 공통패턴 K1 : 교차부KP: common pattern K1: intersection
HP1, HP2 : 비공통패턴 P : 유리기판 (기판)HP1, HP2: Non-common pattern P: Glass substrate (substrate)
R, A, B, C : 레티클 (마스크) A1, C1 : 제 1 패턴R, A, B, C: reticle (mask) A1, C1: first pattern
A2, C2 : 제 2 패턴A2, C2: second pattern
SA1, SC1 : 조명영역 (제 1 조명영역)SA1, SC1: lighting area (first lighting area)
SA2, SC2 : 조명영역 (제 2 조명영역) SA2, SC2: lighting area (second lighting area)
1a, 4a : 회로패턴 (패턴) 5 : 노광장치 1a, 4a: circuit pattern (pattern) 5: exposure apparatus
7 : 조명광학계 9 : 기판 스테이지7 illumination
10 : 레티클 스테이지 (마스크 스테이지) 10: reticle stage (mask stage)
11 : 구동제어장치 (제어장치) 11: drive control device (control device)
17 : 레티클 블라인드 (조명영역 설정장치) 17: reticle blind (lighting area setting device)
20 : 구동기구 (이동장치) 25 : 투과부20: drive mechanism (moving device) 25: transmission part
26 : 감광부(減光部)26: photosensitive part
본 발명은 조명되는 패턴이 전사영역에 전사되는 마스크 및 이 마스크의 패턴을 기판상의 전사영역에 전사하는 노광방법 및 노광장치에 관한 것으로, 특히 기판상의 전사영역에서 연결 맞춤 노광될 때 사용하는 것이 바람직한 노광방법, 노광장치, 및 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 액정 표시소자 등을 제조하는 노광장치로는, 마스크상에 형성된 패턴을 감광기판의 소정 노광영역에 노광한 후, 감광기판을 일정 거리만큼 스텝핑시키고, 다시 마스크의 패턴을 노광하는 것을 반복하는 소위 스텝ㆍ앤드ㆍ리피트 방식의 것 (스텝퍼) 이 있다.In general, as an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display device or the like, after exposing a pattern formed on a mask to a predetermined exposure area of a photosensitive substrate, stepping the photosensitive substrate by a predetermined distance and repeating exposing the pattern of the mask again There is a so-called step-and-repeat type (stepper).
종래에는, 예를 들어 대면적의 액정 표시소자용의 LCD 패턴을 스텝퍼로 형성할 때에는 통상적으로 화면합성법이 사용되고 있었다.Conventionally, for example, when forming an LCD pattern for a large area liquid crystal display element with a stepper, the screen synthesis method is conventionally used.
이 화면합성법은, 각각의 분할된 LCD 패턴에 대응하는 복수의 마스크를 사용하여 1 장의 마스크에 대응하는 유리기판의 노광영역에 상기 마스크의 패턴을 노광시킨 후, 유리기판을 스텝시킴과 동시에 마스크를 별도의 것으로 교환하고, 이 마스크에 대응하는 노광영역에 상기 마스크의 패턴을 노광함으로써 유리기판에 복수의 패턴이 합성된 LCD 패턴을 형성하는 것이다.This screen synthesis method uses a plurality of masks corresponding to each divided LCD pattern to expose the pattern of the mask in the exposure area of the glass substrate corresponding to one mask, and then steps the glass substrate and simultaneously masks the mask. By exchanging with another one, the pattern of the mask is exposed to the exposure area corresponding to the mask to form an LCD pattern in which a plurality of patterns are synthesized on a glass substrate.
도 38 은 15 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조할 때에 사용되는 유리기판 (기판)(P) 의 회로패턴 (1) 이 복수 (도면에서는 6 개) 로 분할된 패턴도이 다.FIG. 38 is a pattern diagram in which
이 회로패턴 (1) 은 거의 장방형상을 하고, 표시부 (2) 와 주변부 (3) 로 구성되어 있다. 표시부 (2) 는 복수의 화소 (픽셀) 에 대응한 복수의 전극이 규칙적으로 배열된 패턴으로 구성되어 있다. 주변부 (3) 는 표시부 (2) 를 둘러싸듯이 형성되고, 표시부 (2) 의 각 전극의 패턴과 이들 각 전극을 구동하는 드라이버회로 (비도시) 를 각각 도통시키는 도통부를 가지고 있다. 그리고, 회로패턴 (1) 은 이들 표시부 (2) 및 주변부 (3) 를 포함하는 분할패턴 (A~F) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다.This
한편, 도 39 는 이들 분할패턴 (A~F) 에 각각 대응하는 패턴이 형성된 마스크 (RA~RF) 의 평면도이다. 그리고, 이들 마스크 (RA~RF) 를 사용하는 스텝퍼에서는, 예를 들어 먼저 마스크 (RA) 를 장착하고, 유리기판(P)을 분할패턴 (A) 에 대응하는 소정위치까지 이동시킨 후에 노광하여, 분할패턴 (A) 을 유리기판 (P) 에 전사한다.On the other hand, FIG. 39 is a plan view of the masks RA to RF on which patterns corresponding to the divided patterns A to F are formed. In the stepper using these masks RA to RF, for example, the mask RA is first mounted, the glass substrate P is moved to a predetermined position corresponding to the division pattern A, and then exposed. The division pattern A is transferred to the glass substrate P. FIG.
다음으로, 마스크 (RA) 를 마스크 (RB) 로 교환함과 동시에, 유리기판 (P) 을 분할패턴 (B) 에 대응하는 소정위치까지 이동시킨 후에 노광하여 분할패턴 (B) 를 유리기판 (P) 에 전사한다. 그리고, 이 동작을 순차적으로 반복함으로써 분할패턴 (A~F) 이 유리기판 (P) 에 전사된다.Next, the mask RA is replaced with the mask RB, the glass substrate P is moved to a predetermined position corresponding to the division pattern B, and the exposure is performed by exposing the division pattern B to the glass substrate P. Warrior) Then, by sequentially repeating this operation, the division patterns A to F are transferred to the glass substrate P. FIG.
또한, 도 40 은 21 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조할 때에 사용되는 유리기판(기판)(P) 의 회로패턴 (4) 이 복수 (도에서는 15) 로 분할된 패턴도이다. 그리고, 상기와 동일하게 회로패턴 (4) 은 표시부 (2) 및 주변부 (3) 를 포함하는 분할패턴 (A~F)(2) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다. 이 예에서는 표시부 (2) 의 1 부가 분할패턴 (A, B, C) 의 반복패턴으로 되어 있기 때문에동일한 마스크 (예를 들어, A 패턴을 가지는 마스크) 로 복수의 쇼트를 노광하고 있다. 또한, 도 41 에 이들 분할패턴 (A~F)(2) 에 대응하는 패턴이 형성된 마스크 (RA~RF) 를 나타낸다. 이 경우도, 상기와 동일하게 마스크를 순차적으로 교환함과 동시에, 유리기판 (P) 을 소정위치로 이동시켜 노광함으로써 회로패턴 (4) 이 화면합성된다.40 is a pattern diagram in which the
그런데, 상기 화면합성법을 행함에 있어서, 마스크의 패턴묘화오차나 투영광학계의 렌즈의 수차 (收差), 유리기판을 스텝이동시키는 스테이지의 위치결정오차 등에 기인하여 패턴의 연결부에 단차가 발생하고, 디바이스의 특성이 손상되거나 또는 화면합성된 분할패턴을 다층으로 중첩시킨 경우, 각 층의 노광영역의 중복오차나 패턴의 선폭차가 패턴의 연결 부분에서 불연속적으로 변화하고, 디바이스의 품질이 저하하는 것을 회피하기 위하여 소위 연결 맞춤 노광이 실시되고 있다.However, in performing the above screen synthesis method, a step is generated at the connecting portion of the pattern due to the pattern drawing error of the mask, the aberration of the lens of the projection optical system, the positioning error of the stage for moving the glass substrate, and the like. When the characteristics of the device are impaired or when the screen-synthesized dividing pattern is superimposed in multiple layers, the overlapping error of the exposure area of each layer or the line width of the pattern is discontinuously changed at the connecting portion of the pattern, and the device quality is deteriorated. In order to avoid, what is called connection fitting exposure is implemented.
이 연결 맞춤 노광은 인접하는 노광영역에서 이 연결 부분을 연결 맞춤 노광하고, 또한 각 노광영역에서, 예를 들어 노광시간을 변화시킴으로써 이 연결 부분의 노광량 (노광 에너지량) 을 경계를 향하여 비례적으로 감소시킴으로써 중첩시켜 노광했을 때, 이 부분의 노광량을 다른 부분의 노광량과 거의 일치시키는 것으로, 예를 들어 일본 공개특허공보 평6-244077 호나 일본 공개특허공보 평7-235466 호에 개시되어 있다.In this exposure fitting connection, the connection fitting exposure is performed in the adjacent exposure area, and in each exposure area, the exposure amount (exposure energy amount) of this connection part is proportionally directed toward the boundary by changing the exposure time, for example. When exposed by overlapping by decreasing, the exposure amount of this part is made to substantially match the exposure amount of another part, for example, it is disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 6-244077 and Unexamined-Japanese-Patent No. 7-235466.
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 노광방법, 노광장치, 및 마스크에는 아래와 같은 문제가 존재한다. However, the following problems exist in the conventional exposure method, exposure apparatus, and mask as described above.
각 마스크 (RA~RF) 에 형성된 패턴 중에서, 표시부 (2) 의 패턴은 화소에 맞는 복수의 전극이 규칙적으로 배열된 것이다. 그러므로, 복수로 분할된 경우라도 각 분할패턴 (A~F) 에는 부분적으로 공통된 배열패턴이 존재하고 있다.Of the patterns formed on each of the masks RA to RF, in the pattern of the
그러나, 분할패턴 (A~F) 은 분할된 표시부 (2) 의 위치에 따라서 주변부 (3) 의 유무 또는 주변부 (3) 가 접속하는 위치가 상이하다. 그러므로, 부분적으로 공통된 패턴을 가지고 있어도, 분할패턴 (A~F) 에 대응하는 마스크 (RA~RF) 를 준비해야 하므로 코스트면에서의 부하가 크게 되고 있었다. 또한, 마스크의 매수가 증대되면, 마스크 교환에 요하는 시간도 증가하여 스루풋의 향상에 지장을 가져오는 문제도 있었다.However, the dividing patterns A to F differ in the presence or absence of the
본 발명은 이상과 같은 점을 고려하여 이루어진 것으로서, 디바이스 제조에서 화면합성을 수반하는 노광처리를 행할 때에도 적은 매수로 노광함으로써 코스트다운 및 스루풋의 향상을 실현할 수 있는 마스크 및 이 마스크를 사용한 노광방법 및 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described aspects, and a mask capable of realizing cost reduction and throughput improvement by exposing a small number of sheets even when performing exposure processing involving screen synthesis in device manufacturing, and an exposure method using the mask, and It is an object to provide an exposure apparatus.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실시형태를 나타내는 도 1 내지 도 37 에 대응시킨 이하의 구성을 채용하고 있다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to achieve the said objective, this invention employ | adopts the following structures corresponding to FIGS. 1-37 which shows embodiment.
본 발명의 노광방법은 패턴 (1a) 을 가지는 마스크 (R,A,B,C) 를 사용하여 기판 (P) 에 제 1 패턴 (A1,C1) 과 제 2 패턴 (A2,C2) 을 연결 맞춤 노광하는 노광 방법에 있어서, 마스크 (A) 의 패턴은 제 1 패턴 (A1) 과 제 2 패턴 (A2) 과의 공통패턴 (KP) 과 공통패턴 (KP) 과 연속하여 형성된 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 을 가지고 있고, 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하여 연결 맞춤 노광하는 것을 특징으로 하는 것이다. The exposure method of the present invention connects the first pattern A1, C1 and the second pattern A2, C2 to the substrate P by using the masks R, A, B, and C having the pattern 1a. In the exposure method for exposing, the pattern of the mask (A) includes a common pattern (KP) formed continuously with the common pattern (KP) and the common pattern (KP) of the first pattern (A1) and the second pattern (A2); Has different non-common patterns HP1 and HP2, and at least a part of the common patterns KP and the non-common patterns HP1 and HP2 are selected and exposed for connection fitting.
따라서, 본 발명의 노광방법에서는, 기판 (P) 에 제 1 패턴 (A1) 을 노광한 후에, 제 2 패턴 (A2) 을 연결 맞춤 노광할 때에는 제 1 패턴 (A1) 과 공통인 공통패턴 (KP) 및 이 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP) 의 적어도 일부를 선택하여 사용할 수 있다. 그러므로, 제 2 패턴 (A2) 을 노광할 때에, 제 2 패턴 (A2) 을 가지는 마스크 (A) 를 별도로 준비할 필요가 없어진다.Therefore, in the exposure method of this invention, after exposing the 1st pattern A1 to the board | substrate P, when carrying out exposure exposure of the 2nd pattern A2, the common pattern KP common to 1st pattern A1 is common. ) And at least a part of the non-common pattern HP different from the common pattern KP can be selected and used. Therefore, when exposing the second pattern A2, it is not necessary to separately prepare the mask A having the second pattern A2.
또한, 조명영역 (SA1,SA2) 에 대응하는 기판 (P) 상의 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 직사각형으로 배열했을 때에는 조명영역 (SA1,SA2) 의 1 변에 투과율이 점차적으로 변화되는 감광영역을 형성하고, 각 노광영역에 대응하는 조명영역 (SA1,SA2) 을 노광중에 상기 1 변 (X 방향) 을 따라 각각 이동시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 감광영역(減光領域)에 대응하는 기판 (P) 상의 노광영역은 점차적으로 변화된 노광 에너지량으로 노광된다. 그리고, 이 노광영역과 인접하는 노광영역에 있어서는 감광영역에 있어서 중복시킴으로써 중복부의 노광 에너지량을 다른 부분과 동일하게 할 수 있다.In addition, when the exposure areas on the substrate P corresponding to the illumination areas SA1 and SA2 are arranged in a rectangle so that two sides overlap each other, a photosensitive area in which transmittance gradually changes on one side of the illumination areas SA1 and SA2 is provided. And the illumination areas SA1 and SA2 corresponding to the respective exposure areas can be moved along the one side (the X direction) during exposure. By doing so, the exposure area on the substrate P corresponding to the photosensitive area is exposed with the gradually changed exposure energy amount. In the exposure area adjacent to this exposure area, the overlapped exposure area can be made the same as other parts by overlapping in the photosensitive area.
또한, 상기와 같이 노광영역을 직사각형으로 배열했을 때에는 변이 중복되는 노광영역끼리로 쌍을 구성하고, 각 쌍에 있어서 노광영역에 대응하는 조명영역 (SA1,SA2) 을 노광중에 동일 방향 (대각 방향) 을 따라 각각 이동시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 직사각형으로 배열된 노광영역의 교차부 (K1) 에 있어서는 다른 절반의 에너지량으로 노광할 수 있다. 그리고, 나머지 쌍에 있어서도 조명영역 (SB1,SB2) 을 노광중에 동일 방향으로 이동시킴으로써 교차부 (K1) 를 다른 절반의 에너지량으로 노광할 수 있고, 이것들을 합친 노광량이 다른 것과 같아진다.When the exposure areas are arranged in a rectangular shape as described above, pairs are formed of overlapping exposure areas, and in each pair, the illumination areas SA1 and SA2 corresponding to the exposure areas are exposed in the same direction (diagonal direction) during exposure. Each can be moved along. By doing in this way, in the intersection part K1 of the exposure area arrange | positioned in a rectangle, it can expose with the other half energy amount. Also, in the remaining pairs, the crossing portions K1 can be exposed to the other half by the amount of energy by moving the illumination regions SB1 and SB2 in the same direction during exposure, and the combined amounts of these are the same.
또한, 본 발명의 마스크는, 패턴을 가지는 마스크 (A) 에 있어서, 마스크 (A) 에는 복수의 패턴에 맞도록 그 복수의 패턴의 공통패턴 (KP) 과, 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 이 연속하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.In addition, in the mask (A) having a pattern, the mask of the present invention has a ratio different from the common pattern (KP) and the common pattern (KP) of the plurality of patterns to match the plurality of patterns in the mask (A). The common patterns HP1 and HP2 are formed in succession.
따라서, 본 발명의 마스크에서는 공통패턴 (KP) 과, 이 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 을 조합함으로써 1 장의 마스크 (A) 로 복수의 패턴에 대응할 수 있다.Therefore, in the mask of the present invention, a plurality of patterns can be supported by one mask A by combining the common pattern KP and the non-common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP.
그리고, 본 발명의 노광장치는 패턴을 가지는 마스크 (R,A) 를 유지하는 마스크 스테이지 (10) 와, 마스크 (R,A) 를 조명하는 조명광학계 (7) 를 구비하고, 마스크 (R,A) 의 패턴을 기판 (P) 에 노광하는 노광장치 (5) 에 있어서, 마스크 스테이지 (10) 에는 청구항 8 또는 청구항 9 에 기재된 마스크 (A) 가 유지되어 있고, 마스크 (A) 의 조명영역을 적어도 제 1 조명영역 (SA1) 과 제 2 조명영역 (SA2) 에 설정하는 조명영역 설정장치 (17) 와, 제 1 조명영역 (SA1) 에 의하여 기판 (P) 에 노광되는 제 1 패턴 (A1) 과 제 2 조명영역 (SA2) 에 의하여 기판 (P) 에 노광되는 제 2 패턴 (A2) 을 연결하여 맞추는 제어장치 (11) 를 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.And the exposure apparatus of this invention is provided with the
따라서, 본 발명의 노광장치에서는 마스크 스테이지 (10) 에 유지된 마스크 (A) 의 조명영역을 조명영역 설정장치 (17) 를 이용하여 제 1 조명영역 (SA1) 에 설정함으로써, 적어도 공통패턴 (KP) 을 가지는 제 1 패턴 (A1) 을 기판 (P) 에 노광할 수 있다. 다음으로, 마스크 (A) 의 조명영역을 조명영역 설정장치 (17) 를 이용하여 제 2 조명영역 (SA2) 에 설정함으로써, 적어도 공통패턴 (KP) 을 가지는 제 2 패턴 (A2) 을 기판 (P) 에 노광할 수 있다. 이 때, 기판 (P) 에 노광된 제 1, 제 2 패턴 (A1,A2) 은 제어장치 (11) 의 제어에 의하여 연결 맞춤된다.Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, at least the common pattern KP is set by setting the illumination region of the mask A held on the
이하, 본 발명의 노광방법, 노광장치, 및 마스크의 제 1 의 실시형태를 도 1 내지 도 23 을 참조하면서 설명하기로 한다. 여기에서는, 상기와 동일하게 15 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조하기 위한 유리기판을 예로 들어 설명하기로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the 1st Embodiment of the exposure method, exposure apparatus, and mask of this invention is demonstrated, referring FIGS. Here, the glass substrate for manufacturing a 15-inch liquid crystal display device as described above will be described as an example.
이들 도면에 있어서, 종래예로서 제시한 도 38 내지 도 41 과 동일한 구성요소에는 동일 부호를 부여하고 그 설명을 간략하게 하기로 한다.In these drawings, the same components as those in Figs. 38 to 41 presented as conventional examples are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be simplified.
도 3 은 노광장치 (5) 의 개략 구성도이다.3 is a schematic configuration diagram of the
노광장치 (5) 는 레티클 (마스크)(R) 에 형성된 패턴 (예를 들어, 액정 표시소자패턴) 을 각형 (角形) 의 유리기판(기판)(P) 상에 투영전사하는 것으로서, 수은 램프 (6), 조명광학계 (7), 투영광학계 (8), 기판 스테이지 (9), 레티클 스테이지(마스크 스테이지)(10), 노광데이터 설정부 (21) 및 구동제어장치(제어장치)(11) 로 개략 구성되어 있다.The
수은 램프 (6) 는 조명광으로서의 빔 (B) 을 발하는 것이다. 이 수은 램 프 (6) 에는 타원경 (6a) 이 부설되어 있다. 타원경 (6a) 은 수은 램프 (6) 가 발하는 조명광을 집광하는 것이다.The
조명광학계 (7) 는 셔터 (12) 와, 반사 미러 (13,14) 와, 파장선택 필터 (15) 와, 플라이 아이 인테그레이터 (16) 와, 레티클 블라인드 (조명영역 설정장치)(17) 와, 콘덴서렌즈 (18) 로 개략 구성되어 있다. 셔터 (12) 는 빔 (B) 의 광로를 소정 시간 개폐하는 것이다. 반사 미러 (13) 는 타원경 (6a) 으로 집광되어 셔터 (12) 의 오픈 동작에 응답하여 입사된 빔 (B) 을 파장선택 필터 (15) 를 향해 반사하는 것이다. 반사 미러 (14) 는 레티클 블라인드 (17) 를 통과한 빔 (B) 을 콘덴서렌즈 (18) 를 향해 반사하는 것이다.The illumination
파장선택 필터 (15) 는 빔 (B) 중에서 노광에 필요한 파장 (g 선 또는 i 선) 만을 통과시키는 것이다.The wavelength
플라이 아이 인테그레이터 (16) 는 파장선택 필터 (15) 를 통과한 빔 (B) 의 조도분포를 균일하게 하는 것이다.The fly's
콘덴서렌즈 (18) 는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에서 설정된 조명영역의 이미지를 레티클 (R) 에서 결상시키는 것이다.The
레티클 블라인드 (17) 는 플라이 아이 인테그레이터 (16) 및 하프 미러 (13) 를 통과한 빔 (B) 이 레티클 (R) 을 조명하는 조명영역을 설정하는 것으로서, 도 4(a) 에 나타낸 바와 같이 빔 (B) 과 직교하는 평면내에서 상호 직교하는 방향으로 이동하고, 레티클 (R) 의 공액면을 사이에 두고 배치된 직사각형의 유리재로 형성된 블라인드판 (17a,17b) 으로 구성되어 있다. 각 블라인드판 (17a,17b) 에는 크롬이 증착되어 차광된 차광부 (24) 와, 빔 (B) 이 투과하는 직사각형의 투과부 (25) 가 형성되어 있다. 그리고, 레티클 블라인드 (17) 는 블라인드판 (17a,17b) 이 이동하여 각 투과부 (25) 가 조합됨으로써, 투과부 (25) 가 중첩된 범위에 따라서 개구 (S) 가 형성됨과 동시에, 노광할 때마다 개구 (S) 의 크기를 각각 교체할 수 있고, 또한 각 방향의 개구폭을 일정하게 유지하면서 이 상호 직교하는 방향으로 각각 자유롭게 이동될 수 있도록 되어 있다.The
또한, 레티클 블라인드 (17) 는 노광중에 일정한 속도로 이동함으로써, 개구 (S) 의 위치 변화에 수반하여 노광량을 변화시키고, 개구 (S) 의 위치 변화분에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역으로의 노광량, 즉 노광 에너지량을 일정한 비율로 감소시키는 구성으로 되어 있다. 또한, 이 레티클 블라인드 (17) 에는 서보모터와 볼 나사를 조합시킨 이송기구 (모두 도시 생략) 등에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 을 각각 구동시키는 구동기구 (이동장치)(20) 가 부설되어 있다.In addition, the
투영광학계 (8) 는 레티클 (R) 의 조명영역에 존재하는 패턴의 이미지를 유리기판 (P) 상에 결상 (結像) 시키는 것이다.The projection
레티클 스테이지 (10) 는 레티클 (R) 을 유지하는 것이다. 그리고, 레티클 스테이지 (10) 에는 레티클 (R) 을 교환하는 레티클 교환장치 (도시 생략) 가 부설되어 있다.The
기판 스테이지 (9) 는 유리기판 (P) 을 유지하는 것으로서, 상호 직교하는 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다. 이 기판 스테이지 (9) 상에는 이동경 (9a) 이 형성되어 있다. 이동경 (9a) 에는 위치계측장치인 도시하지 않은 레이저 간섭계에서 레이저광 (19) 이 사출되고, 그 반사광과 입사광의 간섭을 바탕으로 하여 이동경 (9a) 과 레이저 간섭계 사이의 거리, 즉 기판 스테이지 (9)(나아가서는 유리기판 (P)) 의 위치가 검출되는 구성으로 되어 있다. 또한, 기판 스테이지 (9) 에는 리니어 모터 등, 기판 스테이지 (9) 를 구동시키는 구동기구 (22) 가 부설되어 있다.The
노광데이터 설정부 (21) 는, 노광데이터로서 하나의 노광영역을 분할한 분할영역의 각각의 좌표위치, 크기 등의 노광영역에 관한 데이터와, 인접하는 분할영역의 일부를 중복하여 노광하는 연결 맞춤 노광에 관한 데이터를 입력하는 것이다.The exposure
구동제어장치 (11) 는 노광데이터 설정부 (21) 에서 설정된 노광데이터에 기초하여 인접하는 분할영역이 연결 맞춤 노광되도록 구동기구 (20) 를 통하여 레티클 블라인드 (17) 를 구동시킴과 동시에, 구동기구 (22) 를 통하여 기판 스테이지 (9) 를 구동시키는 구성으로 되어 있다.The
한편, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 유리기판 (P) 에 전사되는 회로패턴 (1) 은 표시부 (2) 와 주변부 (3) 으로 구성되어 있다. 표시부 (2) 는 복수의 화소 (픽셀) 에 따른 복수의 전극이 규칙적으로 배열된 패턴으로 구성되어 있다. 주변부 (3) 는 표시부 (2) 를 감싸듯이 형성되고, 표시부 (2) 의 각 전극의 패턴과 이들 각 전극을 구동시키는 드라이버 회로를 각각 도통시키는 도통부를 가지고 있다. 이 도통부는 표시부 (2) 의 X 방향 양단에 각각 1 개씩 배치된 사다리꼴의 탭 (X1,X2) 와, 표시부 (2) 의 Y 방향 양단에 각각 등간격으로 8 개씩, 각각 인접 하도록 배치된 사다리꼴의 탭 (Y1~Y8, Y9~Y16) 로 구성되어 있다.On the other hand, as shown in FIG. 2, the
그리고, 회로패턴 (1) 은 X 방향으로 소정 간격을 두고 Y 방향으로 연이어지는 분할라인 (V1~V3) 및 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H1) 에 의하여 분할된, 표시부 (2) 및 주변부 (3) 를 포함한 분할패턴 (A1~A4, B1~B4) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 분할라인 (V1) 은 탭 (Y3) 의 중심을 지나가도록, 분할라인 (V3) 은 탭 (Y6) 의 중심을 지나가도록 각각 설정되어 있다. 또한, 분할라인 (V2) 은 탭 (Y4) 와 탭 (Y5) 사이를 지나가도록 설정되어 있다.Then, the
그리고, 이 회로패턴 (1) 을 전사하기 위한 레티클 (R) 은 도 1(a) 에 나타낸 레티클 (마스크)(A) 와 도 1(b) 에 나타낸 레티클 (마스크)(B) 의 2 장을 사용하는 구성으로 되어 있다. 레티클 (A) 은 분할패턴 (A1~A4) 을 전사할 때 사용되는 것으로서, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (패턴)(1a) 과 크롬이 증착된 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정 투영 배율을 가지고 형성되어 있다.The reticle R for transferring the
주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 +Y 방향 단부에 형성된 3 개의 탭 (Y21~Y23) 으로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 -Y 방향을 약간 포함하는 +Y 방향의 절반 정도를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y21~Y23) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y1~Y8) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral part 3a is comprised from the tab X11, X12 formed in the X direction both ends of the
표시부 (2a) 는 유리기판 (P) 에 전사되는 표시부 (2) 의 패턴을 부분적으로 가지는 것이다. 표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y21~Y23) 의 3 개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 동일하게, 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 -Y 방향을 약간 포함하는 +Y 방향의 절반 정도에 상당하는 길이를 가지고 있다.The
차광대 (23) 는 연결 맞춤 노광할때 빔 (B) 을 차광하는 것으로서, 회로패턴 (1a) 의 -Y 방향의 변을 제외한 3 방향의 주변에 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태의 연결 맞춤 노광으로는, 인접하여 노광되는 패턴 (노광영역) 의 일부를 중복하여 노광하는 방식을 사용하는 것으로 한다.The light shielding stand 23 shields the beam B during the connection fitting exposure, and is formed around the three directions except for the side in the -Y direction of the circuit pattern 1a. In addition, as connection fitting exposure of this embodiment, the system of overlapping part of the pattern (exposure area) exposed adjacently shall be used.
또한, 레티클 (A) 에 있어서는, 도 1(a) 에 나타낸 바와 같이 좌단에 위치하는 탭 (Y21) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V11) 이, 또한 우단에 위치하는 탭 (Y23) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V14) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 또한, 좌단의 탭 (Y21) 과 중앙의 탭 (Y22) 사이를 지나가도록 분할라인 (V12) 이, 그리고 우단의 탭 (Y23) 과 중앙의 탭 (Y22) 와의 사이를 지나가도록 분할라인 (V13) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H1) 에 상당하는 위치에, 분할라인 (H11) 이 X 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다.In the reticle A, as shown in Fig. 1 (a), the division line V11 further defines the center of the tab Y23 located at the right end so as to pass through the center of the tab Y21 located at the left end. The dividing lines V14 are virtually set so as to be connected in the Y direction so as to pass by. Further, the dividing line V12 passes between the tab Y21 at the left end and the tab Y22 at the center, and the dividing line V13 passes between the tab Y23 at the right end and the tab Y22 at the center. Each of these is virtually set so as to be connected in the Y direction. Similarly, at the position corresponding to the dividing line H1, the dividing line H11 is virtually set so as to extend in the X direction.
그리고, 레티클 (A) 의 회로패턴 (1a) 은 인접하는 2 개의 분할패턴에 노광될 때, 공통패턴 (KP) 과 상기 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 으로 분리된다. 공통패턴 (KP) 은 이들 양분할패턴에 공통적으로 전사되도록 설정된다. 비공통패턴 (HP1,HP2) 은 공통패턴 (KP) 과 연속하여, 또한 공통패 턴 (P) 을 사이에 두고 형성되도록 설정된다. 그리고, 각 분할패턴을 노광할 때는 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하도록 설정된다.The circuit pattern 1a of the reticle A is separated into a common pattern KP and non-common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP when exposed to two adjacent divided patterns. . The common pattern KP is set to be transferred to these two divided patterns in common. The non-common patterns HP1 and HP2 are set to be formed continuously with the common pattern KP and with the common pattern P interposed therebetween. And when exposing each divided pattern, it is set so that at least one part of common pattern KP and non-common pattern HP1, HP2 may be selected.
레티클 (B) 은 분할패턴 (B1~B4) 을 전사할 때 사용되는 것으로서, 레티클 (A) 과 동일한 구성이므로 간단하게 설명하면, 주변부 (3a) 에는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 위치하여 탭 (X11,X12) 가 형성되고, 표시부 (2a) 의 -Y 방향 단부에 위치하여 3 개의 탭 (Y24~Y26) 가 형성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 +Y 방향을 약간 포함하는 -Y 방향의 절반 정도를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y24~Y26) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y9~Y16) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The reticle B is used to transfer the division patterns B1 to B4. Since the reticle B is the same configuration as the reticle A, the reticle B is simply located at both ends of the
표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y24~Y26) 의 3개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 동일하게, 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴중, 분할라인 (H1) 보다도 +Y 방향을 약간 포함하는 -Y 방향의 절반 정도에 상당하는 길이를 가지고 있다. 차광대 (23) 는 회로패턴 (1a) 의 +Y 방향의 변을 제외한 3 방향의 주변에 형성되어 있다.As for the width | variety of the
또한, 레티클 (B) 에 있어서는, 도 1(b) 에 나타낸 바와 같이 좌단에 위치하는 탭 (Y24) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V15) 이, 또한 우단에 위치하는 탭 (Y26) 의 중심을 지나가도록 분할라인 (V18) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 또한, 좌단의 탭 (Y24) 와 중앙의 탭 (Y25) 사이를 지나가도록 분할라인 (V16) 이, 그리고 우단의 탭 (Y26) 와 중앙의 탭 (Y25) 와의사이를 지나 가도록 분할라인 (V17) 이 각각 Y 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H1) 에 상당하는 위치에 분할라인 (H12) 이 X 방향으로 연이어져 있도록 가상 설정된다.In the reticle B, as shown in Fig. 1 (b), the division line V15 further moves the center of the tab Y26 located at the right end so as to pass through the center of the tab Y24 at the left end. The dividing lines V18 are virtually set so as to extend in the Y direction so as to pass through them. Further, the dividing line V16 passes between the tab Y24 at the left end and the tab Y25 at the center, and the dividing line V17 passes between the tab Y26 at the right end and the tab Y25 at the center. Each of these is virtually set so as to be connected in the Y direction. Similarly, the dividing line H12 is virtually set so that the dividing line H12 may be continued in the X direction at a position corresponding to the dividing line H1.
그리고, 레티클 (B) 의 회로패턴 (1a) 은 인접하는 2 개의 분할패턴에 노광될 때, 공통패턴 (KP) 과 상기 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP1,HP2) 으로 분리된다. 공통패턴 (KP) 은 이들 양분할패턴에 공통하여 전사되도록 설정된다. 비공통패턴 (HP1,HP2) 은 공통패턴 (KP) 과 연속하여, 또한 공통패턴 (P) 을 사이에 두고 형성되도록 설정된다. 그리고, 각 분할패턴을 노광할 때는 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1,HP2) 의 적어도 일부를 선택하도록 설정된다. The circuit pattern 1a of the reticle B is separated into a common pattern KP and non-common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP when exposed to two adjacent divided patterns. . The common pattern KP is set to be transferred in common to these two division patterns. The non-common patterns HP1 and HP2 are set to be formed continuously with the common pattern KP and with the common pattern P interposed therebetween. And when exposing each divided pattern, it is set so that at least one part of common pattern KP and non-common pattern HP1, HP2 may be selected.
상기 구성의 노광장치 및 마스크를 이용하여 유리기판 (P) 에 회로패턴 (1) 을 전사하는 순서를 이하에서 설명하기로 한다. 여기에서는 분할패턴 (A1~A4, B1~B4) 을 순차적으로 전사하는 것으로써 설명하기로 한다.The procedure for transferring the
그리고, 노광데이터 설정부 (21) 에는 미리 분할패턴 (A1~A4, B1~B4) 이 각각 분할되어 노광되는 분할영역의 기준좌표위치, 크기 등의 노광영역 데이터와, 각 분할영역에 있어서 중첩노광을 행하는 변이 지정된 데이터가 입력되어 있다.Then, the exposure
우선, 레티클 (A) 이, 도시하지 않은 레티클 교환장치에 의하여 레티클 스테이지 (10) 에 얼라인먼트되어 세트되면, 구동제어장치 (11) 가 노광데이터 설정부 (21) 의 데이터를 판독하여 구동기구 (20) 를 통하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 을 구동시킨다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 5a 에 나타낸 바와 같이 제 1 패턴으로서의 분 할패턴 (A1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 1 조명영역)(SA1) 이 설정된다. 이 분할패턴 (A1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다.First, when the reticle A is aligned and set to the
여기에서, 레티클 (A) 의 분할라인 (V14) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Here, the dividing line V14 of the reticle A is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P. As shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.
이 때, 조명영역 (SA1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시의 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V14) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA1) 의 하변 (-Y 측의 변) 은, 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SA1) 의 좌변 (-X 측의 변) 및 상변 (+Y 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출하도록 설정된다.At this time, the right side (side on the + X side) of the illumination area SA1 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V14, corresponding to the overlapping width during the connection fitting exposure. Similarly, the lower side (side on the -Y side) of the illumination area SA1 is set to be offset on the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H11, corresponding to the width to be overexposed. In addition, the left side (side on the -X side) and the top side (side on the + Y side) of the illumination area SA1 are set to be exposed to a width equal to or more than the width that the
한편, 구동제어장치 (11) 는 레티클 블라인드 (17) 를 구동시킴과 동시에, 구동기구 (22) 를 통하여 기판 스테이지 (9) 를 구동시킨다. 이로써 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 에서 설정된 조명영역 (SA1) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동한다. 이 기판 스테이지 (9) 의 이동시에는 도시하지 않은 레이저 간섭계가 기판 스테이지 (9) 상의 이동경 (9a) 을 향하여 레이저광 (19) 을 사출하고, 그 반사광과 입사광과의 간섭에 의하여 거리를 측정하여 기판 스테이지 (9)(즉, 유리기판 (P)) 의 위치를 정확하게 검출한다.On the other hand, the
레티클 블라인드 (17) 및 기판 스테이지 (9) 가 소정 위치에 세트되면, 도 3 에 나타낸 바와 같이 노광장치 (5) 에서는, 수은 램프 (6) 로부터의 조명광인 빔 (B) 이 타원경 (6a) 에서 집광되고, 셔터 (12) 의 오픈 동작에 응답하여 반사 미러 (13) 로부터 파장선택 필터 (15) 에 입사된다. 파장선택 필터 (15) 에서 노광에 필요한 파장만이 통과된 빔 (B) 은 플라이 아이 인테그레이터 (16) 에서 균일한 조도분포로 조정된 후에 레티클 블라인드 (17) 에 도달한다.When the
레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 를 통과한 빔 (B) 은 반사 미러 (14) 에서 반사되고 콘덴서렌즈 (18) 에 입사된다. 이 콘덴서렌즈 (18) 에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 의 이미지가 레티클 (A) 에 결상되고, 개구 (S) 에 대응하는 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 이 조명된다. 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상의 노광영역에 결상된다. 이로써 조명영역 (SA1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A1) 이 전사된다.The beam B passing through the opening S of the
이 노광중에, 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 5(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA1) 은 우변이 분할라인 (14) 을 초과하도록 +X 방향측으로, 또한 하변이 분할라인 (H11) 을 초과하도록 -Y 방향측으로 (즉, 도 5 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다. 이 우변 및 하변의 이동에 의하여 유리기판 (P) 상의 노광영역에서는, 노광되는 노광 에너지량이 일정한 비율로 점차 감소된 상태에서 노광된다.During this exposure, the
계속해서, 제 2 패턴으로서 분할패턴 (A2) 을 노광한다. 분할패턴 (A2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 의 일부로 구성된다.Subsequently, the division pattern A2 is exposed as the second pattern. The division pattern A2 is composed of a part of the common pattern KP and the non-common pattern HP1.
상기와 동일하게, 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 및 기판 스테이지 (9) 가 이동한다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 6a 에 나타낸 바와 같이 제 2 패턴으로서의 분할패턴 (A2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 2 조명영역)(SA2) 이 설정된다. 또한, 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 에서 설정된 조명영역 (SA2) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동한다.In the same manner as above, the
여기에서, 레티클 (A) 의 분할라인 (V13) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (A) 의 분할라인 (V11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Here, the dividing line V13 of the reticle A is virtually set in the dividing line V2 in the glass substrate P. As shown in FIG. In addition, the dividing line V11 of the reticle A is set to the dividing line V1 in the glass substrate P virtually. At the same time, the dividing line H11 is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.
이 때, 조명영역 (SA2) 의 우변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V13) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA2) 의 하변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 설정된다. 또한, 좌변은 도 5a 에 나타낸 바와 같은 노광전의 조명영역 (SA1) 에서 설정된 우변의 위치와 합치하도록 분할라인 (V11) 을 초과하여 설정된다. 그리고, 조명영역 (SA2) 의 상변은, 상기와 동일하게 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.At this time, the right side of the illumination area SA2 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually set dividing line V13, corresponding to the width to be overexposed. Similarly, the lower side of the illumination area SA2 is set to be offset on the + Y side with respect to the virtually set dividing line H11, corresponding to the width for overlapping exposure. Further, the left side is set beyond the dividing line V11 to coincide with the position of the right side set in the illumination area SA1 before exposure as shown in Fig. 5A. And the upper side of illumination area | region SA2 is set so that it may be exposed by the width more than the width which the light shielding stand 23 overlaps and exposes similarly to the above.
이 조명영역 (SA2) 의 설정에 의하여, 도 1(a) 에 나타낸 바와 같이 레티클 (A) 의 회로패턴 (1a) 중, 분할라인 (V11,V13) 사이의 패턴이 제 1, 제 2 패턴인 분할패턴 (A1,A2) 의 공통패턴 (KP) 으로서 설정된다. 또한, 분할라인 (V11) 보다도 -X 측의 패턴 및 분할라인 (V13,V14) 사이의 패턴이 공통패턴 (KP) 을 사이에 끼우도록 비공통패턴 (HP,HP) 으로서 선택되게 된다.By setting this illumination area SA2, as shown to Fig.1 (a), in the circuit pattern 1a of the reticle A, the pattern between division lines V11 and V13 is a 1st, 2nd pattern. It is set as the common pattern KP of the division patterns A1 and A2. Further, the pattern on the -X side and the pattern between the division lines V13 and V14 than the division line V11 are selected as the non-common patterns HP and HP so as to sandwich the common pattern KP therebetween.
그리고, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면, 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하는 레티클 (A) 의 조명영역 (SA2) 이 조명된다. 레티클 (A) 의 조명영역 (SA2) 에 존재하는 패턴의 이미지는, 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SA2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A2) 이 전사된다. 여기에서도, 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 6(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA2) 은 우변이 +X 방향측으로, 또한 하변이 -Y 방향측으로 (즉, 도 6 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다. 이 결과, 인접하는 분할패턴 (A1,A2) 사이가 연결 맞춤 노광된다.And when the exposure process is performed similarly to the above, the illumination area SA2 of the reticle A corresponding to the opening S of the
그 후, 상기와 동일한 순서로, 도 7(a), 도 7(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (A3) 및 도 8(a), 도 8(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (A4) 을, 각 분할패턴 (A3,A4) 에 대응하는 조명영역 (SA3,SA4) 을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 7, 도 8 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 이동시킴으로써, 각 조명영역 (SA3,SA4) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에, 인접하는 분할패턴 사이가 연결 맞춤 노광되도록 순차적으로 전사한다.Then, in the same order as described above, the divided pattern A3 set as shown in Figs. 7A and 7B and the divided pattern set as shown in Figs. 8A and 8B ( A4) is the illumination area SA3, SA4 corresponding to each division pattern A3, A4 from + Y, -X side to -Y, + X side (i.e., from top left to bottom right in FIGS. 7 and 8). ) Is sequentially transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to each of the illumination areas SA3 and SA4 so that the adjacent division patterns are connected and exposed.
그리고, 분할패턴 (A1~A4) 까지의 전사가 완료하면, 레티클 교환장치에 의하여 레티클 스테이지 (10) 상의 레티클 (A) 을 도 1(b) 에 나타낸 레티클 (B) 과 교환한다. 이 레티클 (B) 은 레티클 (A) 과 Y 방향으로 대칭으로 형성된 것이다. 레티클 (B) 에 대해서도 레티클 (A) 와 동일한 순서에 의하여 분할패턴 (B1~B4) 을 연결 맞춤 노광하면서 순차적으로 전사함으로써 유리기판 (P) 에 회로패턴 (1) 이 전사된다.When the transfer to the division patterns A1 to A4 is completed, the reticle A on the
구체적으로는, 우선 레티클 (B) 에는, 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a, 17b) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 9(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB1) 이 설정된다. 이 분할패턴 (B1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V18) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Specifically, first, the reticle B corresponds to the opening pattern S of the
이 때, 조명영역 (SB1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시의 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V18) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SB1) 의 상변 (+Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SB1) 의 좌변 (-X 측의 변) 및 하변 (-Y 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.At this time, the right side (side on the + X side) of the illumination area SB1 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V18, corresponding to the overlapping width during the connection fitting exposure. Similarly, the upper side (side on the + Y side) of the illumination area SB1 is set to be offset on the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H12, corresponding to the width to be overexposed. In addition, the left side (side on the -X side) and the lower side (side on the -Y side) of the illumination region SB1 are set to be exposed to a width equal to or more than the width that the
그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SB1) 에 대응하는 위치에 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SB1) 이 조명된다. 레티클 (B) 의 조명영역 (SB1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SB1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (B1) 이 전사된다. 여기에서도, 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 9(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB1) 은 우변이 +X 방향측으로, 또한 하변이 -Y 방향측으로 (즉, 도 9 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다. 이 결과, 인접하는 분할패턴 (A1,B1) 사이가 연결 맞춤 노광된다.Then, after the glass substrate P moves the
이 후, 상기와 동일한 순서로, 도 10(a), 도 10(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B2), 도 11(a), 도 11(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B3), 및 도 12(a), 도 12(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B4) 을, 각 분할패턴 (B2~B4) 에 대응하는 조명영역 (SB2~SB4) 을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 10 ~ 도 12 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 이동시킴으로써, 각 조명영역 (SB2~SB4) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에, 인접하는 분할패턴 사이가 연결 맞춤 노광되도록 순차적으로 전사한다.Subsequently, the division pattern B2 set as shown in Figs. 10 (a) and 10 (b), the division pattern set as shown in Figs. B3) and the divided pattern B4 set as shown in Figs. 12 (a) and 12 (b), and the illumination regions SB2 to SB4 corresponding to the respective divided patterns B2 to B4 are + Y,- By moving from the X side to the -Y and + X side (that is, from the upper left to the lower right in FIGS. 10 to 12), the exposure area adjacent to the exposure area on the glass substrate P corresponding to each illumination area SB2 to SB4 The division patterns are sequentially transferred so that the connection pattern is exposed.
여기에서 노광영역이 1 변에서만 중복되는 것이 아니라, 예를 들어 분할패턴 (A1, A2, B1, B2) 과 같이 각각 2 변 이상에서 중복되도록 직사각형으로 배열된 경우, 도 2 에 나타낸 바와 같이 이들 4 개의 노광영역의 교차부 (K1) 는 상기 노광방법에서는 조명영역의 이동방향에 따라서 3 개 이상의 노광영역에 의하여 중복 노 광된다.Here, when the exposure areas are not overlapped on only one side but are arranged in a rectangle so as to overlap on two or more sides, for example, as the division patterns A1, A2, B1, and B2, these four as shown in FIG. The intersection K1 of the two exposure areas is overlapped by three or more exposure areas according to the moving direction of the illumination area in the above exposure method.
상기와 같이 조명영역을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 2 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 이동시킨 경우의 교차부 (K1) 에 노광되는 에너지량에 대하여 도 13 부터 도 18 을 이용하여 설명하기로 한다.As described above, the amount of energy exposed to the intersection portion K1 when the illumination region is moved from the + Y, -X side to the -Y, + X side (that is, from the upper left to the lower right in FIG. This will be described with reference to FIG. 18.
도 13 에 나타낸 바와 같이, 각 조명영역 (SA1~SA2, SB1~SB2) 이 직선 L1 과 L2 의 사이, 및 직선 L3 과 L4 의 사이에서 각각 이동시킨 경우, 교차부 (K1) 는 직선 (L1~L4) 으로 둘러싸인 직사각형 영역이 된다. 또한, 직선 L1 과 L3 의 교점을 P1, 직선 L2 와 L4 의 교점을 P2, 직선 L2 와 L3 의 교점을 P3, 직선 L1 과 L4 의 교점을 P4 로 하면, 분할패턴 (A1) 을 노광할 때에 조명영역 (SA1) 의 단점 (端点) 은 교점 P1 에서 교점 P2 으로 직사각형 배열된 노광영역의 대각 방향으로 이동된다. 이 때, 1 회의 노광에서 중복되어 있지 않은 영역에 조사되는 노광량을 100 % 로 하면, 도 14 에 나타낸 바와 같이 교차부 (K1) 는 교점 P1 이 100 % 의 노광량이 되며, 교점 P2 ~ P4 가 0 % 의 노광량이 되는 사각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다.As shown in FIG. 13, when each illumination area | region SA1-SA2, SB1-SB2 is moved between the straight lines L1 and L2, and between the straight lines L3 and L4, respectively, the intersection part K1 is a straight line L1-S. A rectangular area surrounded by L4) is obtained. Also, when the intersection of the straight lines L1 and L3 is P1, the intersection of the straight lines L2 and L4 is P2, the intersection of the straight lines L2 and L3 is P3, and the intersection of the straight lines L1 and L4 is P4, the illumination is performed when exposing the divided pattern A1. A disadvantage of the area SA1 is shifted in the diagonal direction of the exposure area rectangularly arranged from the intersection P1 to the intersection P2. At this time, if the exposure amount irradiated to the area which is not overlapped by one exposure is made into 100%, as shown in FIG. 14, the intersection part K1 will have the exposure amount of 100% of intersection P1, and the intersection P2-P4 will be 0. The exposure amount distribution of the square weight which becomes the exposure amount of% is shown.
또한, 분할패턴 (A2) 을 노광시킬 때에 조명영역 (SA2) 의 단점은 교점 P1 에서 교점 P2 로 대각 방향으로 이동되나, 교점 P1, P2, P4 로 둘러싸인 삼각형상의 영역은 노광되지 않는다. 따라서, 교차부 (K1) 는 도 15 에 나타낸 바와 같이 교점 P3 이 100 % 의 노광량이 되며 교점 P1, P2 가 0 % 의 노광량이 되는 삼각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다. 마찬가지로, 분할패턴 (B1) 을 노광시킬 때에 조명영역 (SB1) 의 단점은 교점 P1 에서 교점 P2 로 대각 방향으로 이동되나, 교점 P1, P2, P3 으로 둘러싸인 삼각형상의 영역은 노광되지 않는다. 따라서, 교차부 (K1) 는 도 16 에 나타낸 바와 같이 교점 P4 가 100 % 의 노광량이 되고, 교점 P1, P2 가 0 % 의 노광량이 되는 삼각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다. 또한, 분할패턴 (B2) 을 노광시킬 때에도 조명영역 (SB2) 의 단점은 교점 P1 에서 교점 P2 로 대각 방향으로 이동되고, 도 17 에 나타낸 바와 같이 교차부 (K1) 는 교점 P2 가 100 % 의 노광량이 되고, 교점 P1, P3, P4 가 0 % 의 노광량이 되는 사각추 형상의 노광량 분포를 나타낸다.Further, when exposing the dividing pattern A2, the disadvantage of the illumination area SA2 is shifted diagonally from the intersection point P1 to the intersection point P2, but the triangular area surrounded by the intersection points P1, P2, P4 is not exposed. Therefore, as shown in FIG. 15, the intersection part K1 shows the triangular-shaped exposure amount distribution in which intersection P3 becomes 100% of exposure amount and intersection P1, P2 becomes 0% of exposure amount. Similarly, the disadvantage of the illumination area SB1 when exposing the dividing pattern B1 is shifted diagonally from the intersection point P1 to the intersection point P2, but the triangular area surrounded by the intersection points P1, P2 and P3 is not exposed. Therefore, as shown in FIG. 16, the intersection part K1 shows the triangular-shaped exposure amount distribution which becomes the exposure amount of 100% of intersection P1, and the exposure amount of 0% of intersection P1 and P2. In addition, even when exposing the dividing pattern B2, the disadvantage of the illumination area SB2 is shifted diagonally from the intersection point P1 to the intersection point P2, and as shown in FIG. The cross-sectional exposure dose distribution is indicated by the intersections P1, P3, and P4 being 0% exposure doses.
그리고, 상기 4 회의 노광에 의하여 교차부 (K1) 에 조사되는 노광량은 도 18 에 나타낸 바와 같이 전체 영역이 100 % 가 되고 기타의 노광영역과 동일하게 된다. 다른 교차부도 교차부 (K1) 와 동일하게 조명영역을 이동시키고 있기 때문에 각 교차부에서도 100 % 의 노광량으로 노광되게 된다.The exposure amount irradiated to the intersection portion K1 by the four exposures is 100% in the total area as shown in FIG. 18 and becomes the same as other exposure areas. Since the other intersections move the illumination region in the same manner as the intersection K1, the respective intersections are exposed at an exposure amount of 100%.
또한 교차부에서의 노광량을 100 % 로 하기 위해서는 조명영역의 단점을 반드시 교점 P1 에서 교점 P2 로 이동시킬 필요는 없고, 교차부 (K1) 가 2 개의 사각추 형상의 노광량 분포와 2 개의 삼각추 형상의 노광량 분포를 나타내는 것과 같이 4 회 노광시키면 된다. 다시 말하면, 각각 2 변이 중복되도록 직사각형으로 배열된 4 개의 노광영역 중, 1 변이 중복되는 노광영역끼리 (인접하는 노광영역끼리) 쌍을 복수 (본 형태에서는 2 쌍) 로 구성하고, 각 쌍에서 각 노광영역에 대응하는 조명영역을 각각 동일 방향을 따라서 이동시키면, 각 쌍에서 교차부 (K1) 는 사각추 형상과 삼각추 형상의 노광량 분포로 노광되므로, 2 쌍을 합친 노광량 분포가 2 개의 사각추 형상과 2 개의 삼각추 형상이 되어 100 % 의 노광량으로 노광된다.In addition, in order to make the exposure amount at the
따라서 상기 대각 방향이면 쌍마다 조명영역의 이동방향이 달라도 되는데, 예를 들어 분할패턴 (A1, A2) 에 대응하는 노광영역에서 쌍을 구성하고 분할패턴 (B1,B2) 에 대응하는 노광영역에서 쌍을 구성한 경우, 분할패턴 (A1, A2) 에 대응하는 조명영역 (SA1, SA2) 의 단점을 각각 교점 P1 에서 교점 P2 로 이동시키고, 분할패턴 (B1,B2) 에 대응하는 조명영역 (SB1, SB2) 의 단점을 각각 교점 P3 에서 교점 P4 로 향하는 대각방향으로 이동시킬 수도 있다.Therefore, in the diagonal direction, the moving direction of the illumination area may be different for each pair. For example, a pair is formed in an exposure area corresponding to the division patterns A1 and A2 and is paired in an exposure area corresponding to the division patterns B1 and B2. In this case, the disadvantages of the illumination areas SA1 and SA2 corresponding to the division patterns A1 and A2 are moved from the intersection point P1 to the intersection point P2, respectively, and the illumination areas SB1 and SB2 corresponding to the division patterns B1 and B2 respectively. ) May be shifted diagonally from the intersection P3 to the intersection P4, respectively.
이 경우, 각 쌍에서는 각 대각 방향을 따라서 되어 있으면 완전히 동일 방향으로 이동시킬 필요가 전혀 없는데, 예를 들어 조명영역 (SA1) 의 단점을 교점 P1 에서 교점 P2 로 이동시키고, 조명영역 (SA2) 의 단점을 교점 P2 에서 교점 P1 로 이동시킬 수도 있다. 마찬가지로, 조명영역 (SB1) 의 단점을 교점 P3 에서 교점 P4 로 이동시키고, 조명영역 (SB2) 의 단점을 교점 P4 에서 교점 P3 으로 이동시킬 수도 있다. 또한, 쌍의 구성도 상기에 한정되지 않고 1 변이 중복되는 노광영역이면 분할패턴 (A1, B1) 에 대응하는 노광영역으로 쌍을 구성하고 분할패턴 (A2, B2) 에 대응하는 노광영역으로 쌍을 구성할 수도 있다.In this case, in each pair, there is no need to move in the same direction as long as it is along each diagonal direction. For example, the disadvantages of the lighting area SA1 are moved from the intersection point P1 to the intersection point P2, The shortcomings can also be shifted from the intersection P2 to the intersection P1. Similarly, the shortcomings of the illumination area SB1 may be moved from the intersection P3 to the intersection P4, and the shortcomings of the illumination area SB2 may be moved from the intersection P4 to the intersection P3. In addition, the configuration of the pair is not limited to the above, but if the exposure region overlaps one side, the pair is formed of an exposure area corresponding to the division patterns A1 and B1, and the pair is formed of an exposure area corresponding to the division patterns A2 and B2. It can also be configured.
상기의 연결 맞춤 노광은 차광부 (24) 및 투과부 (25)를 가지는 블라인드판 (17a,17b) 에 의하여 조명영역을 이동시키는 구성으로 하였으나, 이하에서 도 4(b) 에 나타낸 레티클 블라인드 (17) 를 이용하여 연결 맞춤 노광시키는 방법에 대하여 설명하기로 한다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 레티클 블라인드 (17) 는 레티클 (R) 의 공액면을 사이에 두고 배치된 직사각형의 유리재로 형성된 블라인드판 (17c,17d) 으로 구성되어 있다. 각 블라인드판 (17c,17d) 에는 차광부 (24) 와 투과부 (25) 와 이것들 사이에 형성된 감광부 (26) 가 형성되어 있다.The above connection fitting exposure is configured to move the illumination area by the
감광부 (26) 에는, 크롬이 노광장치 (5) 의 해상 한계 이하의 크기의 도트형상으로 증착되어 있다. 그리고 이 도트형상의 크롬막의 밀도는 투과부 (25) 에서 차광부 (24) 로 향함에 따라서 점차 커지도록 설정됨으로써 빔 (B) 의 투과율이 점차 낮아지는 (변화되는) 구성으로 되어 있다. 또한 감광부 (26) 의 폭은 Y 방향에서 인접하는 노광영역의 중복길이, 즉 직선 L3 와 L4 간의 거리와 동일하게 설정된다. 이 감광부 (26) 는 블라인드판 (17c) 에서는 투과부 (25) 의 상변에 형성되며 블라인드판 (17d) 에서는 투과부 (25) 의 하변에 형성되어 있다. 그리고, 레티클 블라인드 (17) 는 블라인드판 (17c,17d) 이 이동하여 각 투과부 (25) 가 조합됨으로써 투과부 (25) 가 중복된 범위에 의하여 개구 (S) 가 형성됨과 동시에, 개구 (S) 에서 설정된 조명영역 중에서 감광부 (26) 에 대한 변에 감광영역을 형성하도록 되어 있다.In the
이 블라인드판 (17c,17d) 을 이용하여 노광시킬 때에는, 우선 레티클 (A) 에 있어서 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 20(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (A1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 1 조명영역)(SA1) 이 설정된다. 이 분할패턴 (A1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다. 여기에서 레티클 (A) 의 분할라인 (V14) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.When exposing using these
이 때, 조명영역 (SA1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시킬 때 중 복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V14) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 유리기판 (P) 에서의 직선 (L1) 과 일치하도록 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA1) 의 하변 (-Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 -Y 측에 오프셋하여 직선 (L4) 에 일치하도록 설정된다. 이 때, 블라인드판 (17d) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SA1) 의 하변측 중, 유리기판 (P) 에서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 또한 조명영역 (SA1) 의 좌변 (-X 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.At this time, the right side (side of the + X side) of the illumination area SA1 is offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V14 in correspondence with the width overlapping when the connection fitting exposure is performed. It is set so as to coincide with the straight line L1 in. Similarly, the lower side (side on the -Y side) of the illumination area SA1 is set to correspond to the straight line L4 by offsetting on the -Y side with respect to the virtually divided dividing line H11, corresponding to the width to be overexposed. At this time, the
그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SA1) 에 대응하는 위치에 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SA1) 이 조명된다. 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SA1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A1) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동됨으로써, 도 20b 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA1) 은 우변이 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L2) 에 일치되도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 20 중에서 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다.Then, after the glass substrate P moves the
이어서, 제 2 패턴으로서 분할패턴 (A2)을 노광한다. 분할패턴 (A2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 의 일부로 구성된다.Subsequently, the division pattern A2 is exposed as the second pattern. The division pattern A2 is composed of a part of the common pattern KP and the non-common pattern HP1.
상기와 동일하게 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 및 기판 스테이지 (9) 가 이동된다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 21(a) 에 나타낸 바와 같이 제 2 패턴으로서의 분할패턴 (A2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 2 조명영역)(SA2) 이 설정된다. 또한, 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 로 설정된 조명영역 (SA2) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동된다. 여기에서, 레티클 (A) 의 분할라인 (V13) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (A) 의 분할라인 (V11) 은 유리기판 (P) 에서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.As described above, the
이 때 조명영역 (SA2) 의 우변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V13) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA2) 의 하변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 -Y 측에 오프셋하여 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L4) 에 일치되도록 설정된다. 또한, 좌변은 도 20(a) 에 나타낸 노광 전의 조명영역 (SA1) 에서 설정된 우변의 위치 (즉, 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L1)) 와 일치되도록 분할라인 (V11) 을 넘어서 설정된다. 이 때 블라인드판 (17d) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SA2) 의 하변측 중에서 유리기판 (P) 에 있어서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 또한 조명영역 (SA2) 의 상변은 상기와 동일하게 차광대 (23) 가 노출되도록 설정 된다.At this time, the right side of the illumination area SA2 is set to be offset on the -X side with respect to the virtually divided dividing line V13, corresponding to the width to be overexposed. Similarly, the lower side of the illumination area SA2 is set so as to correspond to the straight line L4 on the glass substrate P, offset on the -Y side with respect to the virtually set dividing line H11, corresponding to the width to be overexposed. . Further, the left side is set beyond the dividing line V11 so as to coincide with the position of the right side (that is, the straight line L1 in the glass substrate P) set in the illumination area SA1 before the exposure shown in Fig. 20A. do. At this time, the
그리고, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면, 조명영역 (SA2) 이 조명되고 레티클 (A) 의 조명영역 (SA2) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써, 조명영역 (SA2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (A2) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동함으로써, 도 21(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA2) 은 좌변이 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L2) 에 일치하도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 21 중 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다. 이 후, 분할패턴 (A1, A2) 과 동일한 순서로 분할패턴 (A3, A4) 을, 각 조명영역을 +X 방향측으로 이동시키면서 순차적으로 유리기판 (P) 상에 전사한다.Then, when the exposure treatment is performed in the same manner as above, the image of the pattern illuminated in the illumination area SA2 and present in the illumination area SA2 of the reticle A is imaged on the glass substrate P by the projection
이어서, 레티클 (A) 을 레티클 (B) 로 교환하고, 레티클 (B) 에 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 22(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB1) 을 설정한다. 이 분할패턴 (B1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 과 비공통패턴 (HP2) 의 일부분으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V18) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다. 이 때, 조명영역 (SB1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시에 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V18) 에 대하여 -X 측에 오프셋하여, 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L1) 과 합치되도록 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SB1) 의 상변 (+Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측에 오프셋하여 직선 (L3) 에 일치되도록 설정된다. 이 때, 블라인드판 (17c) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SB1) 의 상변측 중에서 유리기판 (P) 에 있어서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 또한, 조명영역 (SB1) 의 좌변 (-X 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정된다.Subsequently, the reticle A is replaced with the reticle B, corresponding to the opening S of the
그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SB1) 에 대응하는 위치에 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SB1) 이 조명된다. 레티클 (B) 의 조명영역 (SB1) 에 존재하는 패턴의 이미지는 투영광학계 (8) 에 의하여 유리기판 (P) 상에 결상된다. 이로써 조명영역 (SB1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (B1) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동함으로써, 도 22(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB1) 은 우변이 유리기판 (P) 에서의 직선 (L2) 에 일치하도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 22 중에서 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다.Then, after the glass substrate P moves the
이어서, 상기와 동일하게 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 및 기판 스테이지 (9) 가 이동한다. 이로써 레티클 (B) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 23(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB2) 이 설정된다. 또한, 기판 스테이지 (9) 는 레티클 블라인드 (17) 로 설정된 조명영역 (SB2) 에 대응하는 위치에 유리기판 (P) 이 세트되도록 이동한다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V17) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (B) 의 분할라인 (V15) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Subsequently, the
이 때, 조명영역 (SB2) 의 우변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V17) 에 대하여 -X 측으로 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SB2) 의 상변은 중복 노광시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측으로 오프셋하여 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L3) 에 일치되도록 설정된다. 또한, 좌변은 도 22(a) 에 나타낸 노광전의 조명영역 (SB1) 에서 설정된 우변의 위치 (즉, 유리기판 (P) 에서의 직선 (L1)) 와 일치하도록 분할라인 (V15) 을 초과하여 설정된다. 이 때, 블라인드판 (17c) 의 감광부 (26) 는 조명영역 (SB2) 의 상변측 중, 유리기판 (P) 에 있어서 직선 (L3, L1, L4) 으로 둘러싸인 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역으로서 설정한다. 그리고, 조명영역 (SB2) 의 하변은 상기와 동일하게 차광대 (23) 가 노출되도록 설정된다.At this time, the right side of the illumination area SB2 is set to be offset to the -X side with respect to the virtually divided dividing line V17 corresponding to the width to be overexposed. Similarly, the upper side of the illumination area SB2 is set to correspond to the straight line L3 on the glass substrate P, offset to the + Y side with respect to the virtually divided dividing line H12, corresponding to the width to be overexposed. Further, the left side is set beyond the dividing line V15 so as to coincide with the position of the right side (that is, the straight line L1 on the glass substrate P) set in the pre-exposure illumination region SB1 shown in Fig. 22A. do. At this time, the
그리고, 상기와 동일하게 노광처리가 이루어지면 조명영역 (SB2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 분할패턴 (B2) 이 전사된다. 이러한 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17c,17d) 이 이동함으로써, 도 23(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB2) 은 좌변이 유리기판 (P) 에 있어서의 직선 (L2) 에 일치하도록 감광부 (26) 의 길이방향을 따라서 +X 방향측으로 (즉, 도 23 중에서 좌에서 우로) 소정 속도로 이동한다. 이 후, 분할패턴 (B1,B2) 과 동일한 순서로 분할패턴 (B3, B4) 을, 각 조명영역을 +X 방향측으로 이동시키면서 순차적으로 유리기판 (P) 상에 전사한다.When the exposure process is performed in the same manner as above, the division pattern B2 is transferred to the exposure area on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB2. In this exposure process, the
여기에서, 유리기판 (P) 의 노광영역 중에서 분할패턴 (A1~A2, B1~B2) 이 직사각형으로 배열된 노광영역에 착안하면, 분할패턴 (A1, A2) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L3) 으로부터 +Y 측의 노광영역에서는 분할패턴 (A1) 을 전사할 때에 직선 (L1) 에서 직선 (L2) 로 향함에 따라서 100 % 에서 0 % 로 점차 감소하는 노광량으로 노광되고, 분할패턴 (A2) 을 전사할 때에 직선 (L1) 에서 직선 (L2) 을 향함에 따라서 0 % 에서 100 % 로 점차 증가하는 노광량으로 노광된다. 그 때문에, 이것들이 중복되는 노광영역에서는 중복 노광됨으로써 중복되지 않은 노광영역과 동일하게 100 % 의 노광량으로 노광된다. 이것은 분할패턴 (B1,B2) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L4) 으로부터 -Y 측도 동일하다.Here, when focusing on the exposure area where the division patterns A1 to A2 and B1 to B2 are arranged in a rectangular shape among the exposure areas of the glass substrate P, the straight lines L3 overlapped when transferring the division patterns A1 and A2 are taken into account. In the exposure area on the side of + Y from +), it is exposed at an exposure dose gradually decreasing from 100% to 0% as it goes from straight line L1 to straight line L2 when transferring the split pattern A1, and the split pattern A2 The exposure is performed at an exposure amount that gradually increases from 0% to 100% as it is directed from the straight line L1 to the straight line L2 at the time of transferring. Therefore, in the exposure areas in which these overlap, the exposures are overlapped and exposed at 100% of the exposure amount in the same manner as in the non-overlapping exposure areas. The same applies to the -Y side from the overlapping straight line L4 when transferring the division patterns B1 and B2.
또한, 분할패턴 (A1, B1) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L1) 으로부터 -X 측의 노광영역에서는, 분할패턴 (A1) 을 전사할 때에 직선 (L3) 으로부터 직선 (L4) 을 향함에 따라서 100 % 에서 0 % 로 점차 감소하는 노광량으로 노광되고, 분할패턴 (B1) 을 전사할 때에 직선 (L3) 으로부터 직선 (L4) 로 향함에 따라 0 % 에서 100 % 로 점차 증가하는 노광량으로 노광된다. 그 때문에, 이것들이 중복되는 노광영역에서는 중복 노광됨으로써 중복되지 않은 노광영역과 동일하게 100 % 의 노광량으로 노광된다. 이것은 분할패턴 (A2, B2) 을 전사할 때에 중복되는 직선 (L2) 으로부터 +X 측도 동일하다.Further, in the exposure area on the -X side from the overlapping straight line L1 when transferring the divided patterns A1 and B1, when the divided pattern A1 is transferred from the straight line L3 to the straight line L4 when the divided pattern A1 is transferred. It is exposed at an exposure dose that gradually decreases from 100% to 0%, and is exposed at an exposure dose that gradually increases from 0% to 100% as it goes from straight line L3 to straight line L4 when transferring the divided pattern B1. Therefore, in the exposure areas in which these overlap, the exposures are overlapped and exposed at 100% of the exposure amount in the same manner as in the non-overlapping exposure areas. This is the same on the + X side from the straight line L2 overlapped when transferring the division patterns A2 and B2.
한편, 도 19 에 나타낸 바와 같이 이들 분할패턴 (A1~A2, B1~B2) 이 전사되는 노광영역의 교차부 (K1), 즉 직선 (L1~L4) 으로 둘러싸인 직사각형 영역에서는 상기와 동일하게 직선 L1 과 L3 의 교점을 P1, 직선 L2 와 L4 의 교점을 P2, 직선 L2 와 L3 의 교점을 P3, 직선 L1 과 L4 의 교점을 P4 로 하고, 직선 L1 과 L2 의 거리를 S, 직선 L3 과 L4 의 거리를 T 로 하고, 교점 (P4) 을 원점으로 하는 xy 좌표계를 설정하면, 분할패턴 (A1) 의 전사시의 노광량 (D1)(%) 은 다음식으로 구해진다.On the other hand, as shown in FIG. 19, in the rectangular region surrounded by the intersection portion K1 of the exposure region to which these division patterns A1 to A2 and B1 to B2 are transferred, that is, the straight lines L1 to L4, the straight line L1 is the same as above. The intersection of L3 and L3 is P1, the intersection of straight lines L2 and L4 is P2, the intersection of straight lines L2 and L3 is P3, the intersection of straight lines L1 and L4 is P4, and the distance between straight lines L1 and L2 is S, and the straight lines L3 and L4 are If the distance is set to T and the xy coordinate system whose origin is the intersection point P4 is set, the exposure amount D1 (%) at the time of transferring the division pattern A1 is determined by the following equation.
D1 (%) = (100 ×y/T) ×(1 - x/S) ‥‥‥ (1)D1 (%) = (100 × y / T) × (1-x / S) ‥‥‥ (1)
또한, 분할패턴 (A2) 전사시의 노광량 (D2)(%) 은 다음식으로 구해진다.In addition, the exposure amount D2 (%) at the time of transferring the division pattern A2 is obtained by the following equation.
D2 (%) = (100 ×y/T) ×(x/S) ‥‥‥ (2)D2 (%) = (100 × y / T) × (x / S) ‥‥‥ (2)
또한, 분할패턴 (B1) 전사시의 노광량 (D3)(%) 은 다음식으로 구해진다.In addition, the exposure amount D3 (%) at the time of transferring the division pattern B1 is obtained by the following equation.
D3 (%) = 100 ×(1 - y/T) ×(1 - x/S) ‥‥‥ (3)D3 (%) = 100 × (1-y / T) × (1-x / S) ‥‥‥‥ (3)
또한, 분할패턴 (B2) 전사시의 노광량 (D4)(%) 은 다음식으로 구해진다.In addition, the exposure amount D4 (%) at the time of transferring the division pattern B2 is obtained by the following equation.
D4 (%) = 100 ×(1 - y/T) ×(x/S) ‥‥‥ (4)D4 (%) = 100 × (1-y / T) × (x / S) ‥‥‥‥ (4)
그리고, 교차부 (K1) 에서의 노광량 (D) 은 상기식 (1)~(4) 에서 구해지는 노광량 (D1~D4) 의 총합이 된다.And the exposure amount D in the intersection part K1 becomes the sum total of the exposure amount D1-D4 calculated | required by said formula (1)-(4).
D (%) = D1 + D2 + D3 + D4D (%) = D1 + D2 + D3 + D4
= 100 = 100
이와 같이, 교차부 (K1) 에서도 노광량이 100 % 가 되고, 유리기판 (P) 을 동일한 순서로 노광함으로써 유리기판 (P) 의 노광영역 전체면을 동일한 노광량으로 설정할 수 있다.In this manner, the exposure amount also becomes 100% in the intersection portion K1, and the entire exposure area of the glass substrate P can be set to the same exposure amount by exposing the glass substrate P in the same order.
그리고, 감광부 (26) 를 가지는 레티클 블라인드 (17) 를 사용하는 경우, 감광부 (26) 를 개구 (S) 의 상변 및 하변이 아니라 좌변 및 우변에 설치하고, 도 2 에 나타낸 유리기판 (P) 에서 Y 방향으로 연이어지는 중복 노광영역을 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역으로 설정하고, 조명영역을 Y 방향으로 이동시키도록 할 수도 있다.And when using the
본 실시형태의 노광방법, 노광장치, 및 마스크에서는 레티클 (A) 에 형성된 회로패턴 (1a) 이, 노광시에 복수의 분할패턴 (A1, A2) 에서 공통으로 사용되는 공통패턴 (KP) 과, 이 공통패턴 (KP) 과는 상이한 비공통패턴 (HP) 으로 분리되므로, 노광할 때마다 조명영역을 조절함으로써 복수의 분할패턴에 따라 비공통패턴 (HP) 의 선택을 다르게 함으로써 제 1, 제 2 패턴을 여러 가지 임의로 선택하여 설정할 수 있고, 1 장의 레티클 (A) 로 복수의 분할영역 (A1~A4) 에 전사할 수 있게 된다. 종래, 연결 맞춤 노광을 실시하는 패턴을 1 장의 레티클에 넣을 때에는 차광대 (예를 들어 1.5 ㎜) 를 형성하여 개개의 패턴을 독립적으로 분리할 필요가 있었다. 이에 대하여, 본 실시형태와 같이 인접하는 패턴의 일부를 중복하여 노광하는 경우에는 차광대를 설치하지 않고 1 장의 레티클내의 패턴을 잘라낼 수 있다. 즉, 1 장의 레티클내의 공통부분, 비공통부분을 목적하는 패턴에 맞춰 반복 사용할 수 있다. 따라서, 특히 액정표시 디바이스나 반도체 메모리와 같이 동일 패턴을 반복 전사하는 경우에는 이 반복패턴을 공통패턴으로 함으로써 상기 효과가 현저하게 이루어진다.In the exposure method, the exposure apparatus, and the mask of this embodiment, the circuit pattern 1a formed on the reticle A is the common pattern KP commonly used in the plurality of division patterns A1 and A2 during exposure, and Since it is separated into a non-common pattern HP different from the common pattern KP, the first and the second are changed by changing the non-common pattern HP according to the plurality of division patterns by adjusting the illumination region each time the exposure is performed. Various patterns can be arbitrarily selected and set, and the reticle A can be transferred to a plurality of divided regions A1 to A4. Conventionally, when putting the pattern which performs connection fitting exposure into one reticle, it was necessary to form the light shielding band (for example, 1.5 mm), and to isolate each pattern independently. On the other hand, when exposing a part of adjacent patterns overlappingly like this embodiment, the pattern in one reticle can be cut out, without providing a light shielding stand. That is, the common and non-common parts in one reticle can be used repeatedly according to the desired pattern. Therefore, especially when the same pattern is repeatedly transferred, such as a liquid crystal display device or a semiconductor memory, the above-mentioned effect is remarkably achieved by making this repeating pattern a common pattern.
15 인치의 액정 디스플레이 디바이스용 유리기판 (P) 을 얻기 위해서는, 도 38 에 나타낸 종래의 분할패턴 (A~F) 및 도 39 에 나타낸 종래의 마스크 (RA~RF) 에 비교하여, 본 실시형태에서는 분할수가 6 에서 8 로 증가하여 노광시간이 증가되나, 사용하는 레티클이 6 장에서 2 장으로 감소하기 때문에 레티클 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있어, 결과적으로 처리시간을 단축할 수 있으며 스루풋을 향상시킬 수 있다. 부가적으로, 고가의 레티클 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감도 실현된다.In order to obtain the glass substrate P for a 15-inch liquid crystal display device, compared with the conventional division patterns A-F shown in FIG. 38 and the conventional masks RA-RF shown in FIG. 39, in this embodiment, The exposure time is increased by increasing the number of divisions from 6 to 8, but the reticle used is reduced from 6 to 2, which reduces the time required for changing the reticle, resulting in shorter processing time and throughput. Can be improved. In addition, cost reduction can be realized because the number of expensive reticles used can be reduced.
또한, 본 실시형태에서는 비공통패턴 (HP) 이 공통패턴 (KP) 을 사이에 끼워 형성되어 있기 때문에, 레티클 블라인드 (17) 를 이동시켜 소정 조명영역을 설정할 때에도 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키는 거리를 짧게 할 수 있고, 조명영역설정에 요하는 시간이 짧아져 더욱 스루풋의 향상을 실현할 수 있다.In addition, in this embodiment, since the non-common pattern HP is formed between the common patterns KP, the distance which moves the
또한, 본 실시형태에서는, 상기 복수의 분할패턴을 유리기판(P) 에 노광할때, 구동제어장치 (11) 가 인접하는 분할패턴사이에서 연결 맞춤 노광하도록 레티클 블라인드 (17) 및 기판 스테이지 (9) 를 구동시키므로, 회로 패턴 (1) 이 분할된 경우에도, 패턴의 연결부에 단차가 발생하여 디바이스의 특성이 손상되거나, 연결부가 불연속으로 변화하여 디바이스의 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있다.Further, in the present embodiment, when the plurality of divided patterns are exposed on the glass substrate P, the
한편, 본 실시형태에서는, 레티클 블라인드 (17) 가 차광부 (24), 투과부 (25) 를 갖는 블라인드판 (17a, 17b) 로 구성되는 경우에는, 직사각형으로 배열된 노광영역을 변이 중복하는 노광 영역끼리 쌍을 구성하고, 각 쌍에 있어서의 노광 영역에 대응하는 조명영역을 대각방향의 동일방향을 따라 각각 이동킴으로써 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, when the
또한, 레티클 블라인드 (17) 가 차광부 (24), 투과부 (25) 및 감광부를 갖는 블라인드 (17c, 17d) 로 구성될때에는, 직사각형으로 배열된 노광영역에 대응하는 조명 영역을 감광부 (26) 의 길이방향을 따라 각각 이동시킴으로써 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버노광되지 않으므로, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다. 또한, 이 경우, 블라인드판 (17c, 17d) 의 이동이 일방향이므로, 블라인드판 (17c, 17d) 를 구동시키는 구동기구 (20) 를 간단한 것으로 할 수 있다.In addition, when the
도 24 내지 도 37 은 본 발명의 노광 방법, 노광 장치, 및 마스크의 제 2 실시형태를 나타내는 도면이다. 24-37 is a figure which shows 2nd Embodiment of the exposure method, exposure apparatus, and mask of this invention.
이들의 도면에 있어서, 도 1 내지 도 23 에 표시된 제 1 실시형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일부호를 부여하고, 그 설명은 생략한다.In these drawings, the same reference numerals are given to the same elements as those in the first embodiment shown in Figs. 1 to 23, and the description thereof is omitted.
제 2 실시형태와 상기 제 1 실시형태가 다른 점은 유리 기판 (P) 에 전사되는 회로 패턴이다.A difference between the second embodiment and the first embodiment is a circuit pattern to be transferred to the glass substrate P. FIG.
즉, 도 24 에 나타낸 유리기판 (P) 은 상기 21 인치의 액정 디스플레이 디바이스를 제조하기 위한 것이다. 유리기판 (P) 에 전사되는 회로패턴 (4) 중, 주변부 (3) 는 표시부 (2) 의 X 방향 양단에 1 개씩 배치된 사다리꼴의 탭 (X1,X2) 과 표시부 (2) 의 Y 방향 양단에 각각 등간격으로 10 개소씩 배치된 사다리꼴의 탭 (Y1~Y10, Y11~Y20) 로 구성되어 있다.That is, the glass substrate P shown in FIG. 24 is for manufacturing the 21-inch liquid crystal display device. Of the
그리고, 회로패턴 (4) 은 X 방향으로 소정 간격을 두고 Y 방향으로 연이어지는 분할라인 (V1~V3), 및 Y 방향으로 소정 간격을 두고 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H1, H2) 에 의하여 분할된 분할패턴 (A1~A2, B1~B2 및 C1~C8) 에 의하여 합성되는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 분할라인 (V1) 은 탭 (Y3) 의 우단 근방을 통과하도록, 분할라인 (V3) 은 탭 (Y8) 의 좌단 근방을 통과하도록 각각 설정되어 있다. 또한, 분할라인 (V2) 은 탭 (Y5) 와 탭 (Y6) 사이를 통과하도록 설정되어 있다.The
그리고, 이 회로패턴 (4) 을 전사하기 위한 레티클 (R) 은, 도 25(a) ~ 도 25(c) 에 나타낸 레티클 (A,B) 및 레티클 (마스크)(C) 의 3 장을 사용한 구성으로 되어 있다. 레티클 (A) 은 분할패턴 (A1,A2) 을 전사할 때 사용되는 것으로서, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (패턴)(4a) 과 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정의 투영배율로 형성되어 있다.And the reticle R for transferring this
주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 +Y 방향 단부에 형성된 3 개의 탭 (Y21~Y23) 로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H1) 보다 -Y 방향을 약간 포함하는 범위를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y21~Y23) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y1~Y10) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral part 3a is comprised from the tabs X11 and X12 formed in the X direction both ends of the
표시부 (2a) 는 유리기판 (P) 에 전사되는 표시부 (2) 의 패턴을 부분적으로 가지는 것이다. 표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y21~Y23) 의 3 개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 마찬가지로 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H1) 보다 -Y 방향을 약간 포함하는 정도에 상당하는 길이를 가지고 있다.The
또한 레티클 (A) 에 있어서는 도 25(a) 에 나타낸 바와 같이 탭 (Y21) 의 좌단근방을 통과하도록 분할라인 (V11) 이, 또한 탭 (Y23) 의 우단근방을 통과하도록 분할라인 (V12) 이 각각 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H1) 에 상당하는 위치에 분할라인 (H11) 이 X 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다.In the reticle A, as shown in Fig. 25A, the dividing line V11 passes through the left end of the tab Y21 and the dividing line V12 passes through the right end of the tab Y23. Each is virtually set to be connected in a Y direction. Similarly, the dividing line H11 is virtually set in the X direction at the position corresponding to the dividing line H1.
레티클 (B) 은 분할패턴 (B1,B2) 을 전사할 때에 사용되는 것으로서, 레티클 (A) 과 동일한 구성이므로 간단하게 설명하면, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (4a) 과 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정의 투영배율로 형성되어 있다.The reticle B is used to transfer the division patterns B1 and B2. The reticle B has the same configuration as the reticle A. Therefore, the reticle B will be described with a circuit pattern composed of the
주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 -Y 방향 양단에 형성된 3 개의 탭 (Y24~Y26) 로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2)가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H2) 보다 +Y 방향을 약간 포함하는 분할라인 (H2) 보다 -Y 방향의 범위를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y24~Y26) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y11~Y20) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral portion 3a is composed of tabs X11 and X12 formed at both ends of the X direction of the
표시부 (2a) 는 유리기판 (P) 에 전사되는 표시부 (2) 의 패턴을 부분적으로 가지는 것이다. 표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 탭 (Y24~Y26) 의 3 개분의 길이가 되고, Y 방향이 상기 탭 (X11,X12) 와 마찬가지로 표시부 (2a) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H2) 보다 +Y 방향을 약간 포함하는 분할라인 (H2) 보다도 -Y 방향의 길이를 가지고 있다.The
또한, 레티클 (B) 에서는 도 25(b) 에 나타낸 바와 같이 탭 (Y24) 의 좌단근방을 통과하도록 분할라인 (V13) 이, 또한 탭 (Y26) 의 우단근방을 통과하도록 분할라인 (V14) 이 각각 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 분할라인 (H2) 에 상당하는 위치에 분할라인 (H12) 이 X 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다.In the reticle B, as shown in Fig. 25B, the dividing line V13 passes through the left end of the tab Y24 and the dividing line V14 passes through the right end of the tab Y26. Each is virtually set to be connected in a Y direction. Similarly, the dividing line H12 is virtually set in the X direction at a position corresponding to the dividing line H2.
한편, 레티클 (C) 은 도 25(c) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (C1~C8) 을 전사할 때에 사용되는 것으로서, 그 표면에는 표시부 (2a), 주변부 (3a) 로 이루어지는 회로패턴 (4a) 과 차광대 (23) 가 유리기판 (P) 과의 사이의 소정 투영배율로 형성되어 있다.On the other hand, the reticle C is used when transferring the division patterns C1 to C8 as shown in Fig. 25C, and the circuit pattern 4a including the
레티클 (C) 의 주변부 (3a) 는 표시부 (2a) 의 X 방향 양단에 형성된 탭 (X11,X12) 와 표시부 (2a) 의 Y 방향 양단에 형성된 탭 (Y31~Y34, Y35~Y38) 로 구성되어 있다. 탭 (X11,X12) 는 유리기판 (P) 의 탭 (X1,X2) 가 전사되는 패턴 중, 분할라인 (H1) 보다 -Y 방향을 약간 포함하는 범위를 가지고 있다. 마찬가지로, 탭 (Y31~Y38) 는 유리기판 (P) 의 탭 (Y1~Y20) 에 전사하는 패턴을 각각 가지고 있다.The peripheral portion 3a of the reticle C is composed of tabs X11 and X12 formed at both ends of the X direction of the
이 중에서 탭 (Y33) 는 레티클 (A) 의 탭 (Y23) 와의 사이에서 중복 노광이 가능한 길이만을 가지고 있다. 또한, 탭 (Y34) 는 레티클 (A) 의 탭 (Y21) 와의 사이에서 연결 맞춤 노광이 가능한 길이만을 가지고 있다. 탭 (Y37,Y38) 또한 동일하다.Among these, the tab Y33 has only the length which can overlap exposure with the tab Y23 of the reticle A. FIG. Moreover, the tab Y34 has only the length which can be connected-fitted exposure between the tab Y21 of the reticle A. FIG. The tabs Y37 and Y38 are also the same.
표시부 (2a) 의 폭은 X 방향이 레티클 (A) 의 표시부 (2a) 와 동일하게, Y 방향이 분할패턴 (C5~C8) 의 Y 방향의 폭에 대하여 중복 노광이 가능한 길이를 더한 것으로 되어 있다.The width of the
또한, 레티클 (C) 에 있어서는 레티클 (A) 의 탭 (Y23) 와 분할라인 (V12) 과의 위치관계에 합치되도록, 탭 (Y34) 를 통과하는 분할라인 (V21) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 마찬가지로, 레티클 (A) 의 탭 (Y21) 와 분할라인 (V11) 의 위치관계에 합치되도록 탭 (Y34) 를 통과하는 분할라인 (V22) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 또한, 탭 (Y31,Y33) 사이를 통과하는 분할라인 (V23) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다. 그리고, 탭 (Y32,Y34) 사이에는 분할라인 (V24) 이 Y 방향으로 연이어지도록 가상 설정된다.Moreover, in the reticle C, the division line V21 passing through the tab Y34 is connected in the Y direction so as to match the positional relationship between the tap Y23 of the reticle A and the dividing line V12. Is set. Similarly, the dividing line V22 passing through the tab Y34 is virtually set to be continuous in the Y direction so as to match the positional relationship between the tab Y21 of the reticle A and the dividing line V11. Further, the dividing line V23 passing between the tabs Y31 and Y33 is virtually set so as to be continuous in the Y direction. Then, between the taps Y32 and Y34, the dividing line V24 is virtually set so as to be connected in the Y direction.
또한, 레티클 (C) 에서는 표시부 (2a) 의 상변에 대하여 -Y 방향으로 미소한 치수로 오프셋한 위치에 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H21) 이 가상 설정된다. 또한, 표시부 (2a) 의 하변에 대하여 +Y 방향으로 미소한 치수로 오프셋한 위치에 X 방향으로 연이어지는 분할라인 (H22) 이 가상 설정된다.In the reticle C, the dividing line H21 extending in the X direction is virtually set at a position offset by a small dimension in the -Y direction with respect to the upper side of the
다른 구성은 상기 제 1 의 실시형태와 동일하다.The other structure is the same as that of the said 1st Embodiment.
상기 레티클 (A, B, C) 을 사용하여 유리기판 (P) 에 회로패턴 (4) 을 전사하는 수순에 대하여 설명하기로 한다. 여기에서는, 도 4(a) 에 나타낸 블라인 드판 (17a,17b) 으로 이루어지는 레티클 블라인드 (17) 에 의하여 조명영역을 설정하는 것으로 한다.The procedure for transferring the
먼저, 레티클 (A) 이 레티클 스테이지 (10) 에 세트되면 구동제어장치 (11) 가 노광데이터 설정부 (21) 의 데이터를 판독하여 구동기구 (20) 를 통하여 레이클블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 을 구동시킨다. 이로써, 레티클 (A) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 26(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (A1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SA1) 이 설정된다. 분할패턴 (A1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 으로 구성된다.First, when the reticle A is set in the
여기에서, 도 25(a) 에 나타낸 레티클 (A) 의 분할라인 (V12) 은 도 24 에 나타낸 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 동시에, 레티클 (A) 의 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Here, the dividing line V12 of the reticle A shown in FIG. 25A is virtually set in the dividing line V1 in the glass substrate P shown in FIG. At the same time, the dividing line H11 of the reticle A is virtually set in the dividing line H1 in the glass substrate P. As shown in FIG.
이 때, 조명영역 (SA1) 의 좌변은 중복 노광되는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V12) 에 대하여 -X 쪽으로 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로, 조명영역 (SA1) 의 하변은 가상 설정된 분할라인 (H11) 에 대하여 +Y 측으로 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SA1) 의 좌변 및 상변은 차광대 (23) 가 중복 노광되는 폭 이상의 폭으로 노출되도록 설정되어 있다.At this time, the left side of the illumination area SA1 is set by offsetting toward the -X side with respect to the virtually divided dividing line V12 in correspondence with the overlapping exposure width. Similarly, the lower side of the illumination area SA1 is set by offsetting to the + Y side with respect to the virtually set dividing line H11. In addition, the left side and the upper side of illumination area | region SA1 are set so that the light shielding stand 23 may be exposed by the width more than the width which overlaps exposure.
조명영역 (SA1) 의 설정이 완료되는 한편, 구동제어장치 (11) 의 제어에 의하여 기판 스테이지 (9) 가, 설정된 조명영역 (SA1) 에 대응하는 위치로 이동한다. 그리고, 이 상태에서 노광처리가 이루어지면 레티클 (A) 의 조명영역 (SA1) 에 존 재하는 패턴, 즉 분할패턴 (A1) 이 유리기판 (P) 위로 전사된다. 이 노광처리시에도 레티클 블라인드 (17) 가 +X 방향측 및 -Y 방향측으로 이동함으로써, 도 26(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA1) 이 중복 노광되는 폭 만큼 이동하여 이 부분의 노광 에너지의 양을 일정한 비율로 점차 감소시킨다.While the setting of the illumination area SA1 is completed, the
이어서, 상기와 동일하게 레티클 블라인드 (17) 를 구동시켜 도 27(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (A2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SA2) 을 설정한다. 분할패턴 (A2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP2) 로 구성된다. 여기에서는, 레티클 (A) 의 분할라인 (V11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V3) 에 가상 설정된다. 동시에, 레티클 (A) 의 분할라인 (H11) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다. 그리고, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키면서 노광처리를 실시함으로써, 도 27(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SA2) 이 이동하고 중복 노광부분을 가지는 분할패턴 (A2) 이 유리기판 (P) 위에 전사된다.Subsequently, the
이 후, 레티클 교환장치에 의하여 레티클 (A) 을 레티클 (B) 과 교환하고, 레티클 (A) 과 동일한 순서로 분할패턴 (B1,B2) 을 순차적으로 유리기판 (P) 위에 전사한다. 구체적으로는 먼저, 레티클 (B) 에 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 의 개구 (S) 에 대응하여, 도 28(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (B1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SB1) 을 설정한다. 이 분할패턴 (B1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (B) 의 분할라인 (V14) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정 정된다. 동시에, 분할라인 (H12) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H2) 에 가상 설정된다.Thereafter, the reticle A is exchanged with the reticle B by the reticle exchanger, and the division patterns B1 and B2 are sequentially transferred onto the glass substrate P in the same order as the reticle A. FIG. Specifically, first, the rectangle corresponding to the dividing pattern B1 corresponds to the opening S of the
이 때, 조명영역 (SB1) 의 우변 (+X 측의 변) 은 연결 맞춤 노광시의 중복시키는 폭에 대응하여, 가상 설정된 분할라인 (V14) 에 대하여 -X 측으로 오프셋하여 설정된다. 마찬가지로 조명영역 (SB1) 의 상변 (+Y 측의 변) 은 중복 노광시키는 폭에 대응하여 가성설정된 분할라인 (H12) 에 대하여 +Y 측으로 오프셋하여 설정된다. 또한, 조명영역 (SB1) 의 좌변 (-X 측의 변) 은 차광대 (23) 가 중복 노광시키는 폭 이상의 폭을 가지며, 하변 (-Y 측의 변) 은 차광대 (23) 가 노출되도록 각각 설정된다.At this time, the right side (side on the + X side) of the illumination area SB1 is set to be offset to the -X side with respect to the virtually divided dividing line V14, corresponding to the overlapping width during the connection fitting exposure. Similarly, the upper side (side on the + Y side) of the illumination area SB1 is set to be offset to the + Y side with respect to the dividing line H12 provisionally set corresponding to the width for overlapping exposure. In addition, the left side (side on the -X side) of the illumination area SB1 has a width equal to or greater than that of the
그리고, 유리기판 (P) 이 조명영역 (SB1) 에 대응하는 위치로 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후, 상기한 바와 동일하게 노광처리가 실시되면 조명영역 (SB1) 에 존재하는 레티클 (B) 의 패턴의 이미지는 조명영역 (SB1) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에 전사된다. 여기에서도, 노광처리시에 구동제어장치 (11) 의 지시에 따라서 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 이 이동함으로써, 도 28b 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SB1) 은 우변이 +X 방향측으로, 또한 하변이 -Y 방향측으로 (즉, 도 28 중에서 왼쪽위에서 오른쪽아래로) 각각 소정 속도로 중복 노광시키는 폭만큼 이동한다.Then, the glass substrate P moves the
이후, 상기한 바와 동일한 순서로 도 29(a), 도 29(b) 에 나타낸 바와 같이 설정된 분할패턴 (B2) 을, 분할패턴 (B2) 에 대응하는 조명영역 (SB2) 을 +Y, -X 측에서 -Y, +X 측으로 (즉, 도 29 중에서 왼쪽위에서 오른쪽위로) 이동시킴으로써 조명영역 (SB2) 에 대응하는 유리기판 (P) 상의 노광영역에, 인접하는 분할패턴 사이가 연결 맞춤 노광되도록 순차적으로 전사한다. 레티클 (B) 을 사용한 노광처리가 완료되면 레티클 (B) 을 레티클 (C) 로 교환한다.Subsequently, the division pattern B2 set as shown in Figs. 29A and 29B in the same order as described above, and the illumination region SB2 corresponding to the division pattern B2 are + Y, -X. By moving from the side to the -Y and + X side (that is, from the upper left to the upper right in FIG. 29), so that the exposure pattern on the glass substrate P corresponding to the illumination area SB2 is sequentially exposed so as to connect and expose adjacent division patterns. Is warrior. When the exposure process using the reticle (B) is completed, the reticle (B) is replaced with the reticle (C).
레티클 (C) 이 세트되면 레티클 블라인드 (17) 가 구동되고, 레티클 (C) 에는 레티클 블라인드 (17) 의 블라인드판 (17a,17b) 의 개구 (S) 에 대응하여 도 30a 에 나타낸 바와 같이 제 1 패턴인 분할패턴 (C1) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (SC1)(제 1 조명영역) 이 설정된다. 이 분할패턴 (C1) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP1) 으로 구성된다. 여기에서, 레티클 (C) 의 분할라인 (V21) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V1) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (C) 의 분할라인 (V24) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 동시에 분할라인 (H22) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.When the reticle C is set, the
그리고, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후에 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키면서 노광처리를 함으로써, 도 30b 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SC1) 이 이동하여 중복 노광부분을 가지는 분할패턴 (C1) 이 유리기판 (P) 상에 전사된다. 이로써, 상기 분할패턴 (A1) 과 분할패턴 (C1) 은 연결 맞춤 노광된다.After the
계속해서 레티클 블라인드 (17) 를 구동시켜, 도 31a 에 나타낸 바와 같이 제 2 패턴인 분할패턴 (C2) 에 대응하는 직사각형형상의 조명영역 (제 2 조명영역)(SC2) 을 설정한다. 이 분할패턴 (C2) 은 공통패턴 (KP) 과 비공통패턴 (HP2) 로 구성된다. 여기에서, 레티클 (C) 의 분할라인 (V22) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V3) 에 가상 설정된다. 또한, 레티클 (C) 의 분할라인 (V23) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (V2) 에 가상 설정된다. 동시에 분할라인 (H22) 은 유리기판 (P) 에 있어서의 분할라인 (H1) 에 가상 설정된다.Subsequently, the
그리고, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후에 레티클 블라인드 (17) 를 이동시키면서 노광처리를 함으로써, 도 31(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (CS2) 이 이동하여 중복 노광부분을 가지는 분할패턴 (C2) 이 유리기판 (P) 상에 전사된다. 이로써, 상기 분할패턴 (C1) 과 분할패턴 (C2), 및 상기 분할패턴 (A2) 과 분할패턴 (C2) 은 연결 맞춤 노광된다.After the
이후, 레티클 블라인드 (17) 를 구동시켜 도 32(a) ~ 도 37(a) 에 나타낸 바와 같이 분할패턴 (C5~C8, C3~C4) 의 분할라인에 대하여 상기 분할라인보다 +Y, -X 측 (각 도면 중에서 왼쪽위) 에 조명영역 (SC5~SC8, SC3~SC4) 을 순차적으로 설정함과 동시에, 기판 스테이지 (9) 를 이동시킨 후에 레티클 블라인드 (17) 를 이동시켜 도 32(b) ~ 도 37(b) 에 나타낸 바와 같이 조명영역 (SC5~SC8, SC3~SC4) 을 -Y, +X 측 (각 도면 중에서 오른쪽아래) 으로 이동시키면서 순차적으로 노광을 실시함으로써, 각 분할패턴마다 레티클 (C) 의 공통패턴과 비공통패턴을 사용하여 분할패턴 (C5~C8, C3~C4) 을 순차적으로 유리기판 (P) 에 전사시킬 수 있다. 이로써, 유리기판 (P) 상에 연결 맞춤 노광된 회로패턴 (4) 이 전사된다.Thereafter, the
이 노광에 있어서도, 상기 제 1 의 실시형태와 마찬가지로 직사각형으로 배치된 노광영역에 대하여 1 변이 중복되는 노광영역끼리 (인접하는 노광영역끼리) 쌍을 복수 구성하고, 각 쌍에 있어서 각 노광영역에 대응하는 조명영역을 각각 동일 방향을 따라 이동시키면, 각 쌍에 있어서 교차부는 사각추 형상과 삼각추 형상의 노광량 분포로 노광되므로, 2 쌍을 합친 노광량 분포가 2 개의 사각추 형상과 2 개의 삼각추 형상으로 되어 100 % 의 노광량으로 노광할 수 있다.Also in this exposure, in the same manner as in the first embodiment, a plurality of pairs of exposure regions (adjacent exposure regions) overlapping each other with respect to the exposure regions arranged in a rectangle are formed, and each pair corresponds to each exposure region. When the illumination areas are moved in the same direction, the intersections of each pair are exposed with a light weight distribution of square weights and triangular weights, and thus the exposure dose distribution of the two pairs is divided into two square weights and two triangular weights. It can be exposed by the exposure amount of.
또한, 레티클 블라인드 (17) 로서 도 4(b) 에 나타낸 블라인드판 (17c,17d) 을 사용한 경우에는, 도 24 에 나타낸 바와 같이 하변측에 중복 노광영역이 설정되는 분할패턴 (A1~A2, C1~C2) 을 각각 전사할 때, 개구 (S) 의 하변에 블라인드판 (17d) 의 감광부 (26) 를 위치시키고, 또한 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역을 직선 (L1,L2) 사이의 중복 노광영역에 위치시켜 각 조명영역 (SA1~SA2, SC1~SC2) 을 설정하고, 노광중에 각 조명영역 (SA1~SA2, SC1~SC2) 을 감광부 (26) 의 길이방향 (X 방향) 으로 이동시킨다. 또한, 상변측에 중복 노광영역이 설정되는 분할패턴 (B1~B2, C3~C4) 을 각각 전사할 때, 개구 (S) 의 상변에 블라인드판 (17c) 의 감광부 (26) 를 위치시키고, 또한 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역을 직선 (L3,L4) 사이의 중복 노광영역에 위치시켜 각 조명영역 (SB1~SB2, SC3~SC4) 을 설정하고, 노광중에 각 조명영역 (SB1~SB2, SC3~SC4) 을 감광부 (26) 의 길이방향 (X 방향) 으로 이동시킨다. 그리고 상변측, 하변측의 쌍방에 중복 노광영역이 설정되는 분할패턴 (C5~C8) 을 각각 전사할 때, 개구 (S) 의 상변 및 하변에 블라인드판 (17c,17d) 의 감광부 (26) 를 위치시키고, 또한 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역을 직선 (L1,L2) 사이 및 직선 (L3,L4) 사이의 쌍방의 중복 노광영역에 위치시켜 각 조명영역 (SC5~SC8) 을 설정하고, 노광중에 각 조명영 역 (SC5~SC8) 을 감광부 (26) 의 길이방향 (X 방향) 으로 이동시킨다. 이로써, 변으로만 중복되는 중복 노광영역 및 직사각형으로 배열된 노광영역이 교차하는 중복 노광영역에서도 상기 제 1 의 실시형태와 마찬가지로 중복되지 않은 노광영역과 동일한 100 % 의 노광량으로 노광할 수 있다.In addition, when the
그리고, 감광부 (26) 를 가지는 레티클 블라인드 (17) 를 사용하는 경우, 감광부 (26) 를 개구 (S) 의 상변 및 하변이 아니라 좌변 및 우변에 형성하고, 도 24 에 나타낸 유리기판 (P) 에 있어서 Y 방향으로 연이어지는 중복 노광영역을 감광부 (26) 에 의하여 형성되는 감광영역에서 설정하여 조명영역을 Y 방향으로 이동시키도록 할 수도 있다.And when using the
본 실시형태의 노광방법, 노광장치, 및 마스크에서는 상기 제 1 의 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 회로패턴이 클수록 공통패턴도 많아지기 때문에 레티클의 사용 매수의 감소에 수반되는 효과도 커진다. 즉, 도 40 에 나타낸 종래의 분할패턴 (A~F2) 및 도 41 에 나타낸 종래의 마스크 (RA~RF) 의 경우에 비교하여, 본 실시형태에서는 분할수가 15 에서 12 로 감소하여 노광시간을 단축할 수 있다. 또한, 사용하는 레티클이 6 장에서 3 장으로 감소되기 때문에, 레티클 교환에 요하는 시간도 단축할 수 있고 처리시간을 대폭 단축할 수 있어 스루풋이 향상된다.In the exposure method, the exposure apparatus, and the mask of the present embodiment, the same effects as those in the first embodiment can be obtained. In addition, the larger the circuit pattern, the larger the common pattern. Gets bigger That is, compared with the conventional division patterns A to F2 shown in FIG. 40 and the conventional masks RA to RF shown in FIG. 41, in this embodiment, the number of divisions is reduced from 15 to 12, thereby shortening the exposure time. can do. In addition, since the number of reticles used is reduced from six to three, the time required for reticle replacement can be shortened, and the processing time can be greatly reduced, thereby improving throughput.
그리고, 상기 실시형태에 있어서의 레티클의 매수, 유리기판 (P) 의 분할패턴수, 크기 등은 그 일례를 나타낸 것으로서 여기에 한정되는 것은 아니며 여러 가지 매수, 크기 등에 적용할 수 있다.The number of reticles, the number of division patterns of glass substrate P, the size, and the like in the above-described embodiments are not limited thereto, but can be applied to various numbers, sizes, and the like.
또한, 상기 실시형태에 있어서, 레티클 블라인드 (17) 의 구성을 블라인드판 (17a,17b) 또는 블라인드판 (17c,17d) 으로 이루어지는 구성으로 하고, 일방의 블라인드판의 투과부 (25) 가 직교하는 2 변과 타방의 블라인드판의 투과부 (25) 가 직교하는 2 변의 조합으로 개구 (S) 를 형성하는 구성으로 하였으나, 블라인드판을 사용하지 않고 투과부 (25) 를 구성하는 복수의 변을, 각각 독립된 변 구성체로 구성하고 (직사각형의 투과부인 경우, 4 개의 변 구성체로 구성하고), 각 변 구성체를 각각 독립적으로 이동시키는 이동장치를 형성하는 구성일 수도 있다.In addition, in the said embodiment, the structure of the
이와 같은 경우, 변 구성체를 블라인드판 (17a,17b) 과 동일하게 이동시킴으로써, 블라인드판 (17a,17b) 을 사용한 경우와 동일한 작용·효과를 얻을 수 있다. 또한, 변 구성체의 적어도 하나에 감광부를 형성함으로써, 블라인드판 (17c,17d) 을 사용한 경우와 동일한 작용·효과를 얻을 수 있다. 또한, 1 개의 변 구성체의 일부에 감광부를 형성하고, 기타의 변 구성체의 위치에 따라서 이 감광부가 노출, 은폐되도록 하면, 상기 감광부를 사용한 노광처리, 감광부를 사용하지 않은 노광처리 모두 적당히 선택할 수 있어 범용성이 큰 연결 맞춤 노광을 실시할 수 있다.In such a case, the same action and effect as the case where the
또한, 기판으로는, 액정 디스플레이 디바이스용의 유리기판 (P) 뿐만아니라, 반도체 디바이스용의 반도체 웨이퍼, 박막 자기헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광장치로 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등이 적용된다.As the substrate, not only glass substrate P for liquid crystal display devices, but also semiconductor wafers for semiconductor devices, ceramic wafers for thin film magnetic heads, or original plates of masks or reticles used for exposure apparatus (synthetic quartz, silicon) Wafer) and the like.
노광장치 (5) 로는, 레티클 (R) 과 유리기판 (P) 을 정지한 상태로 레티클 (R) 의 패턴을 노광하여 유리기판 (P) 을, 순차적으로 스텝이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영노광장치 (스텝퍼) 에서도 레티클 (R) 과 감광기판 (P) 을 동기 이동하여 레티클 (R) 의 패턴을 노광하는 스텝·앤드·스캔방식의 주사형 투영노광장치 (스캐닝·스텝퍼) 에도 적용할 수 있다.The
노광장치 (5) 의 종류로는, 상기 액정 디스플레이 디바이스제조용 뿐만아니라, 반도체제조용의 노광장치 또는 박막 자기헤드, 촬상소자 (CCD) 또는 레티클 (R) 등을 제조하기 위한 노광장치 등에도 폭넓게 적용할 수 있다.As the kind of the
또한, 조명광학계 (7) 의 광원으로서 수은 램프 (6) 로부터 발생하는 휘선 (g 선(436 ㎚), i 선(365㎚), KrF 엑시머레이저 (248㎚), ArF 엑시머레이저 (193㎚), F2 레이저 (157㎚), X 선등을 사용할 수 있다. 또한, YAG 레이저나 반도체레이저 등의 고주파 등을 사용할 수도 있다.In addition, as a light source of the illumination
투영광학계 (8) 의 배율은 축소계 뿐만아니라 등배 및 확대계의 어느 것일 수도 있다.The magnification of the projection
또한, 투영광학계 (8) 로는, 엑시머레이저 등의 원자외선을 사용하는 경우에는 유리재로서 석영이나 형석 등의 원자외선을 투과하는 재료를 사용하고, F2 레이저를 사용하는 경우에는 반사굴절계 또는 굴절계의 광학계로 한다.As the projection
기판 스테이지 (9) 나 레티클 스테이지 (10) 에 리니어 모터를 사용하는 경우에는, 에어 베어링을 사용한 에어 부상형 및 로렌츠력 또는 리액턴스력을 사용한 자기 부상형의 어느 것을 사용할 수도 있다.When using a linear motor for the board |
또한, 각 스테이지 (9, 10) 는 가이드를 따라 이동하는 타입일 수도 있고, 가이드를 설치하지 않은 가이드레스 타입일 수도 있다.In addition, each
기판 스테이지 (9) 의 이동에 의하여 발생하는 반력은 프레임부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빼낼 수도 있다.The reaction force generated by the movement of the
레티클 스테이지 (10) 의 이동에 의하여 발생하는 반력은, 프레임부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빼낼 수도 있다.The reaction force generated by the movement of the
복수의 광학소자로 구성되는 조명광학계 (7) 및 투영광학계 (8) 를 각각 노광장치 본체에 형성하여, 그 광학조정을 함과 동시에 다수의 기계부품으로 이루어지는 레티클 스테이지 (10) 또는 기판 스테이지 (9) 를 노광장치 본체에 장착하여 배선이나 배관을 접속하고, 다시 종합 조정 (전기 조정, 동작 확인 등) 을 함으로써 본 실시형태의 노광장치 (5) 를 제조할 수 있다. 또한, 노광장치 (5) 의 제조는 온도 및 청결도 등이 관리된 크린룸에서 실시하는 것이 바람직하다.An illumination
액정 표시소자나 반도체디바이스 등의 디바이스는, 각 디바이스의 기능·성능설계를 실시하는 스텝, 이 설계스텝에 근거한 레티클 (R) 을 제작하는 스텝, 유리기판 (P), 웨이퍼 등을 제작하는 스텝, 전술한 실시형태의 노광장치 (5) 에 의하여 레티클 (R) 의 패턴을 유리기판, 웨이퍼에 노광하는 스텝, 각 디바이스를 조립하는 스텝, 검사 스텝 등을 거쳐 제조된다.A device such as a liquid crystal display device or a semiconductor device includes steps for designing the function and performance of each device, steps for producing a reticle R based on this design step, steps for manufacturing a glass substrate P, a wafer, and the like, By the
이상에서 설명한 바와 같이, 청구항 1 에 관련되는 노광방법은 마스크가 공통패턴과 비공통패턴을 가지고 있고, 이와 같이 연속하여 형성된 공통패턴과 비공 통패턴의 적어도 일부를 선택하여, 기판에 제 1 패턴과 제 2 패턴을 연결 맞춤 노광하는 구성으로 되어 있다.As described above, in the exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는, 1 장의 마스크로 복수의 노광영역에 마스크의 패턴을 패턴이 다르게 복수로 전사할 수 있게 되므로, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있고 스루풋을 향상시키는 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 고가의 마스크의 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감이 실현된다는 효과도 얻을 수 있다. 이것은 특히 액정표시 디바이스나 반도체 메모리와 같이 동일한 패턴을 반복 전사하는 경우에 현저하게 나타난다.By doing so, in this exposure method, the mask pattern can be transferred to the plurality of exposure areas in a plurality of patterns with one mask, so that the time required for mask replacement can be shortened and the throughput can be improved. In addition, since the number of expensive masks can be reduced, cost reduction can be realized. This is particularly noticeable when the same pattern is repeatedly transferred, such as a liquid crystal display device or a semiconductor memory.
청구항 2 에 관련되는 노광방법은 비공통패턴이 공통패턴을 사이에 두고 형성되는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 제 1, 제 2 패턴을 선택할 때 걸리는 시간을 단축할 수 있으므로, 더욱 스루풋의 향상을 실현할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing in this way, since the time which takes for selecting a 1st, 2nd pattern can be shortened in this exposure method, the effect which can improve the throughput further can be acquired.
청구항 3 에 관련되는 노광방법은, 비공통패턴의 선택이 제 1 패턴을 노광할 때와, 제 2 패턴을 노광할 때로 다른 구성으로 되어 있다.The exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 패턴이 다른 제 1, 제 2 패턴을 1 장의 마스크로 전사할 수 있으므로, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있어 스루풋을 향상시킨다는 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 고가인 마스크의 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감이 실현된다는 효과도 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, since the first and second patterns having different patterns can be transferred to one mask, the time required for mask replacement can be shortened and the effect of improving throughput can be obtained. Since the number of used masks can be reduced, the cost reduction can be realized.
청구항 4 에 관련되는 노광방법은, 패턴의 선택을 마스크의 조명영역에 의하 여 설정하고, 이 조명영역에 대응하는 기판상의 노광영역을 인접하는 노광영역과 중복시키는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 조명영역을 설정함으로써, 1 장의 마스크로 복수의 노광영역에 패턴이 다르게 복수로 전사할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, by setting the illumination region, it is possible to obtain the effect that a plurality of patterns can be transferred to a plurality of exposure regions differently with one mask.
청구항 5 에 관련되는 노광방법은 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수로 직사각형으로 배열했을 때, 각 노광영역에 대응하는 조명영역을 감광영역이 형성되는 1 변을 따라 각각 이동시키는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 이 경우에 조명영역 설정장치의 이동이 1 방향이므로, 조명영역 설정장치를 구동시키는 구동기구를 간단하게 할 수 있다는 효과도 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, it is possible to obtain the effect that the exposure can be performed at the same exposure amount as other exposure areas without over exposure even in the areas where the exposure areas intersect. Further, in this case, since the movement of the illumination area setting device is in one direction, the effect of simplifying the driving mechanism for driving the illumination area setting device can also be obtained.
청구항 6 에 관련되는 노광방법은, 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수의 직사각형으로 배열했을 때, 변이 중복되는 노광영역끼리 쌍을 복수로 구성하고, 각 쌍에서 노광영역에 대응하는 조명영역을 동일 방향을 따라 각각 이동시키는 구성으로 되어 있다.In the exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는, 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다. By doing in this way, in this exposure method, even if the area | region which an exposure area cross | intersects, it is possible to obtain the effect that it can expose with the same exposure amount as other exposure area | region.
청구항 7 에 관련되는 노광방법은, 조명영역을 이동시키는 동일 방향을 직사각형 배열의 대각 방향으로 하는 구성으로 되어 있다.The exposure method according to
이렇게 함으로써, 이 노광방법에서는, 직교하는 2 변을 인접하는 노광영역과 한번에 중복 노광할 때에도, 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure method, even when two orthogonal sides are overlapped with the adjacent exposure area at once, the exposure area is not overexposed even in the area where the exposure areas intersect, and the effect can be exposed at the same exposure amount as other exposure areas. You can get it.
청구항 8 에 관련되는 마스크는 복수의 패턴의 공통패턴과, 이 공통패턴과는 상이한 비공통패턴이 연속하여 형성되는 구성으로 되어 있다.The mask according to
이렇게 함으로써, 이 마스크에서는, 1 장의 마스크로 복수의 패턴을 설정할 수 있으므로, 사용하는 마스크의 매수가 감소되어 비용절감이 실현된다는 효과를 얻을 수 있다.In this mask, since a plurality of patterns can be set in one mask, the number of masks to be used can be reduced and the cost can be realized.
청구항 9 에 관련되는 마스크는 비공통패턴이 공통패턴을 사이에 두고 형성되는 구성으로 되어 있다.The mask according to
이렇게 함으로써, 이 마스크에서는, 공통패턴을 포함하는 패턴을 설정할 때에도 설정에 요하는 시간을 단축할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing in this way, in this mask, even when setting the pattern containing a common pattern, the time required for setting can be shortened.
청구항 10 에 관련되는 노광장치는, 마스크 스테이지에 청구항 8 또는 청구항 9 에 기재된 마스크가 지지되어 조명영역 설정장치가 마스크의 조명영역을 제 1, 제 2 조명영역에 설정하고, 제어장치가 제 1, 제 2 조명영역의 제 1, 제 2 패턴을 기판에 연결하여 맞추는 구성으로 되어 있다.In the exposure apparatus according to
이렇게 함으로써, 이 노광장치로는 조명명역 설정장치에 의하여 조명영역을 설정함으로써, 1 장의 마스크로 복수의 패턴을 설정할 수 있으므로, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축할 수 있어 스루풋을 향상시킨다는 효과가 얻을 수 있음에 더하여, 고가인 마스크의 사용 매수를 감소시킬 수도 있으므로 비용절감이 실현된다는 효과도 얻을 수 있다.By doing so, the exposure area can be set by a lighting area setting device in this exposure apparatus, so that a plurality of patterns can be set by one mask, so that the time required for mask replacement can be shortened, thereby improving the throughput. In addition, since the number of expensive masks can be reduced, cost reduction can be realized.
청구항 11 에 관계되는 노광장치는 조명영역 설정장치가 마스크의 조명영역을, 복수의 변으로 형성되는 투과부의 위치에 따라 제 1, 제 2 조명영역에 설정하고, 제어장치가 제 1, 제 2 조명영역의 제 1, 제 2 패턴을 기판에 서로 연결함과 동시에, 조명영역 설정장치가 복수의 변 구성체와, 변 구성체를 각각 독립적으로 이동시키는 이동장치를 구비하는 구성으로 되어 있다.In the exposure apparatus according to
이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 상황에 따라 크기, 위치가 상이한 조명영역을 여러 가지로 설정하고, 또한 감광부의 노출, 은폐도 용이하게 하여 범용성이 큰 연결 맞춤 노광을 실시할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.In this way, in this exposure apparatus, various illumination areas having different sizes and positions can be set depending on the situation, and the exposure and concealment of the photosensitive section can be easily performed, so that a highly versatile connection fitting exposure can be obtained. .
청구항 12 에 관계되는 노광장치는 투과부의 적어도 1 변에 투과율이 점차 감소되는 감광부가 형성되는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to
이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 노광중에 조명영역을 감광부가 형성되는 일변을 따라서 이동시킴으로써 노광영역이 교차하는 영역에서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한 이 경우에 조명영역 설정장치의 이동이 1 방향이므로 조명영역 설정장치를 구동시키는 구동기구를 간단한 것으로 할 수 있다는 효과도 얻을 수 있다.By doing this, in this exposure apparatus, the exposure area can be moved along one side where the photosensitive portion is formed during exposure, so that the exposure area can be exposed at the same exposure amount as other exposure areas without overexposure even in the area where the exposure areas intersect. . Further, in this case, since the movement of the lighting area setting device is one direction, the effect that the driving mechanism for driving the lighting area setting device can be made simple is also obtained.
청구항 13 에 관계되는 노광장치는 노광영역을 각각 2 변이 중복되도록 복수 로 직사각형 배열로 했을 때, 변이 중복되어 쌍을 이루는 노광영역에 대응하는 조 명영역을, 동일 방향을 따라서 각각 이동시키는 이동장치가 형성되는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to
이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.By doing in this way, in this exposure apparatus, even if the exposure area | region crosses, it is not overexposed and the effect which can expose with the same exposure amount as other exposure area can be acquired.
청구항 14 에 관계되는 노광장치는 노광영역을 이동시키는 동일 방향을 직사각형의 대각 방향으로 하는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to
이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 직교하는 2 변을 인접하는 노광영역과 한번에 중복 노광시킬 때에도 노광영역이 교차하는 영역에 있어서도 오버 노광되지 않고, 기타의 노광영역과 동일한 노광량으로 노광할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure apparatus, even when two orthogonal sides are overlapped with the adjacent exposure area at once, the exposure area is not overexposed even in the area where the exposure areas intersect, and the effect can be obtained at the same exposure amount as other exposure areas. Can be.
청구항 15 에 관계되는 노광장치는 제어장치가 조명영역 설정장치의 설정에 따라 기판 스테이지를 구동시키는 구성으로 되어 있다.The exposure apparatus according to
이렇게 함으로써, 이 노광장치에서는 기판 스테이지가 조명영역 설정장치의 설정에 따라 구동시킴으로써 1 장의 마스크로 복수의 패턴을 기판에 전사할 수 있고, 마스크 교환에 요하는 시간을 단축시킬 수 있어 스루풋을 향상시킨다는 효과를 얻을 수 있음에 더하여, 고가인 마스크 사용 매수를 감소시킬 수 있으므로 비용절감을 실현할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.By doing so, in this exposure apparatus, the substrate stage is driven in accordance with the setting of the illumination region setting apparatus so that a plurality of patterns can be transferred to the substrate with one mask, and the time required for mask replacement can be shortened, thereby improving throughput. In addition to achieving the effect, the number of expensive masks used can be reduced, resulting in cost reduction.
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