KR100671485B1 - Temperature maintenance System of Probe Card for Wafer Burn-In Test - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치에 관한 것으로, 제어프로그램이 기록된 플래시 메모리를 구비한 마이크로프로세서와, 프로브카드의 온도를 설정하기 위한 온도설정스위치와, 온도설정스위치를 통해 설정된 온도를 마이크로프로세서로 입력하기 위한 설정온도입력부와, 프로브카드의 온도를 감지하는 온도센서와, 온도센서에 의해 감지된 온도신호를 마이크로프로세서로 전송하는 온도신호입력부와, 온도신호를 설정온도입력부를 통해 마이크로프로세서로 미리 입력된 설정온도와 비교하여 온도차에 해당하는 전압을 변환한 후, 증폭하는 온도제어부와, 온도제어부로부터 인가된 전압을 큰 전류로 변환하기 위한 열전소자드라이버와, 프로브카드에 설치되며 열전소자드라이버를 통해 프로브카드를 설정온도입력부를 통해 미리 입력/설정된 온도로 유지시키기 위한 다수의 열전소자와, 온도센서에 의해 감지된 온도에 따라 마이크로프로세서의 작동신호를 인가받아 작동되는 솔레노이드에 의해 냉각장치를 구동시켜 프로브카드의 방열판에 연결된 한쌍의 피팅으로 냉각된 압축공기를 순환시킴에 따라 방열판을 냉각시키기 위한 냉각장치구동부로 구성되는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermostat of a probe card for wafer burn-in test, comprising: a microprocessor having a flash memory in which a control program is recorded; a temperature setting switch for setting a temperature of a probe card; and a temperature set through a temperature setting switch. A set temperature input unit for inputting the microprocessor to a microprocessor, a temperature sensor for sensing the temperature of the probe card, a temperature signal input unit for transmitting the temperature signal detected by the temperature sensor to the microprocessor, and a temperature signal through the set temperature input unit After converting the voltage corresponding to the temperature difference compared to the preset temperature input by the microprocessor, it is installed in the temperature controller to amplify, the thermoelectric driver for converting the voltage applied from the temperature controller into a large current, and a probe card. The thermocouple driver provides a probe card A pair of thermoelectric elements for maintaining the input / set temperature and a pair of thermocouples connected to the heat sink of the probe card by driving the cooling device by a solenoid operated by a microprocessor operating signal according to the temperature sensed by the temperature sensor. It is characterized by consisting of a cooling device drive unit for cooling the heat sink by circulating the compressed air cooled by the fitting.
웨이퍼 번 인, 프로브카드, 열전소자, 항온, 냉각 Wafer Burn-in, Probe Card, Thermoelectric, Constant Temperature, Cooling
Description
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치를 나타내는 블록도,1 is a block diagram showing a constant temperature device of a probe burn-in probe card according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따른 열전소자를 구비한 프로브카드를 나타내는 분리사시도,2 is an exploded perspective view showing a probe card having a thermoelectric device according to the present invention;
도 3은 도 2의 프로브카드를 결합한 상태를 나타내는 측면도이다.3 is a side view illustrating a state in which the probe card of FIG. 2 is coupled.
* 도면의 주요부분에 대한 부호설명 ** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings *
10: 마이크로프로세서 11: 플래시 메모리10: microprocessor 11: flash memory
21: 온도설정스위치 23: 설정온도입력부21: temperature setting switch 23: set temperature input unit
31: 온도센서 33: 온도센서입력부31: temperature sensor 33: temperature sensor input
33a, 41a: 선형증폭기 33b: A/D변환기33a, 41a:
41: 열전소자온도제어부 41b: D/A변환기41: thermoelectric element
43: 열전소자드라이버 45: 열전소자43: thermoelectric driver 45: thermoelectric device
51: 냉각장치구동부 53: 솔레노이드51: cooling device drive unit 53: solenoid
61: 디스플레이부 63: LCD표시창61: display unit 63: LCD display window
100: 프로브카드 110: 스터프너100: probe card 110: stuffer
120: 방열판 130: 개스킷120: heat sink 130: gasket
140: 커버 150: 스크류140: cover 150: screw
161, 162: 피팅161, 162: fitting
본 발명은 웨이퍼 번 인 테스트용 프로브카드의 냉각장치에 관한 것으로, 특히 프로브카드(probe card) 상측에 배치되는 스터프너(stiffener)에 열전소자를 부착하여 프로브카드의 온도를 유지하고, 프로브카드의 온도를 감지하여 열전소자의 방열판을 냉각함에 따라 웨이퍼 번 인(wafer burn-in) 테스트 시 고온의 웨이퍼 척(chuck)에 인접하게 위치하는 프로브카드의 휨 변형을 방지하여 프로브카드 하단에 설치된 다수의 검침바늘이 웨이퍼와의 접촉분포 및 접촉강도를 균일하게 하여 검침바늘에 의해 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 이로써, 웨이퍼 번 인 공정의 효과를 극대화할 수 있는 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cooling apparatus for a probe burn-in test card. In particular, a thermoelectric element is attached to a stiffener disposed above the probe card to maintain a temperature of the probe card. By sensing the temperature and cooling the heat sink of the thermoelectric element, the wafer burn-in test prevents bending deformation of the probe card located adjacent to the high temperature wafer chuck to prevent bending deformation of the probe card. It is possible to prevent the needle from being damaged by the metering needle by uniformly distributing the contact needle and the contact strength with the wafer. Thus, the constant temperature of the probe burn-in probe card for maximizing the effect of the wafer burn-in process. Relates to a device.
일반적으로, 반도체 공정의 하나로써 FAB OUT된 디바이스에 대하여 실사용 조건보다 열악한 환경(예를 들면, 고온 및 고전압)을 조성하여 이를 디바이스에 인가함으로써 웨이퍼 번 인(Wafer Burn-In) 공정상에 수율 향상은 물론 양, 불량의 한계선상에 있는 디바이스 중 양품에 대해서는 후 공정에서의 테스트를 생략 혹은 시간 단축하고 불량품에 대해서는 그 내용을 조기에 인증하여 후 공정에서의 불필 요한 작업을 제거시킴으로써 생산성의 향상과 제조원가를 절감시킬 수 있는 공정이다.In general, as a semiconductor process, yields on a wafer burn-in process may be generated by applying to the device an environment (for example, high temperature and high voltage) that is worse than actual conditions for a device that is FAB OUT. In addition, improvement of productivity by eliminating or reducing time in the post-process for the good products among the devices that are on the limit line of good and bad and eliminating unnecessary work in the post-process by early certification of the defective products. It is a process that can reduce production costs.
상기 웨이퍼 번인 공정은 종래의 패키지 번 인(Package Burn-In) 공정을 웨이퍼 단계에서 실현하는 웨이퍼 번 인 레벨공정의 도입을 목적으로 개발된 미래지향적 공정이다.The wafer burn-in process is a future-oriented process developed for the purpose of introducing a wafer burn-in level process that realizes a conventional package burn-in process at the wafer stage.
그런데, 이와 같은 종래의 웨이퍼 번 인 시스템에서는 프로브카드 상단에 스터프너(Stiffener)만을 장착하고 상온에서 냉각하는 방법을 사용하였다. 그러나 시스템 기능의 향상과 원가절감의 목적으로 시스템별 테스트하는 측정 디바이스 파라미터 수가 늘어남으로써 프로브카드의 크기 및 검침바늘의 수가 늘어나는 경향이다.However, in the conventional wafer burn-in system, only a stiffener is mounted on the top of the probe card, and a method of cooling at room temperature is used. However, as the number of measurement device parameters tested for each system increases for the purpose of improving system functions and reducing costs, the size of the probe card and the number of probe needles tend to increase.
그리고 웨이퍼를 올려놓는 척(Chuck)의 온도가 공정상의 특성상 약 130℃에서 150℃까지 가해지며 프로브카드와 척과의 간격이 10mm 미만이며 프로브카드의 검침바늘은 항상 접촉이 되어야만 테스트가 진행되므로, 상기 고온의 척에 의해 프로브카드에 휨 변형 발생하고 이로 인해 검침바늘의 일부는 웨이퍼를 향해 아래쪽으로 내려온다.And the temperature of the chuck (Chuck) to put the wafer is applied from about 130 ℃ to 150 ℃ due to the characteristics of the process and the distance between the probe card and the chuck is less than 10mm and the probe needle of the probe card is always in contact with the test, Bending deformation occurs on the probe card by the hot chuck, which causes a portion of the needle to descend downward toward the wafer.
이로 인해 적당량만 웨이퍼에 접촉되어야 할 검침바늘이 일정치 않게 특정부위는 접촉이 되며 다른 부위는 접촉이 안 되는 부분이 발생하는 것은 물론, 웨이퍼의 휨 변형 의해 원위치보다 하방향으로 이동한 일부 검침바늘이 웨이퍼를 가압하게 되어 결국 웨이퍼가 손상되는 되는 문제점이 있었다.As a result, a certain amount of the needle that should be in contact with the wafer is not in constant contact with a specific part, and other parts may not be in contact with each other, as well as a part of the needle that moves downward from the original position due to the warpage deformation of the wafer. Pressurizing the wafer has a problem that the wafer is eventually damaged.
따라서 본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 그 목적은 프로브카드(probe card) 상측에 배치되는 스터프너(stiffener)에 열전소자를 부착하여 프로브카드의 온도를 유지하고, 프로브카드의 온도를 감지하여 열전소자의 방열판을 냉각함에 따라 웨이퍼 번 인(wafer burn-in) 테스트 시 고온의 웨이퍼 척(chuck)에 인접하게 위치하는 프로브카드의 휨 변형을 방지하여 프로브카드 하단에 설치된 다수의 검침바늘이 웨이퍼와의 접촉분포 및 접촉강도를 균일하게 하여 검침바늘에 의해 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 이로써, 웨이퍼 번 인 공정의 효과를 극대화할 수 있는 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the problems of the prior art, the object of which is to attach a thermoelectric element to a stiffener disposed on the probe card (probe card) to maintain the temperature of the probe card, probe card By detecting the temperature of the thermoelectric element and cooling the heat sink, the wafer burn-in test prevents the deformation of the probe card located adjacent to the high temperature wafer chuck during the wafer burn-in test. Of the probe burner test probe card, which can prevent the wafer from being damaged by the probe needle by uniformly distributing the contact needle and contact strength with the wafer, thereby maximizing the effect of the wafer burn-in process. It is to provide a thermostat.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제어프로그램이 기록된 플래시 메모리를 구비한 마이크로프로세서와, 프로브카드의 온도를 설정하기 위한 온도설정스위치와, 상기 온도설정스위치를 통해 설정된 온도를 입력받아 버퍼링하여 상기 마이크로프로세서로 입력하기 위한 설정온도입력부와, 상기 프로브카드에 부착되어 프로브카드의 온도를 감지하는 온도센서와, 상기 온도센서에 의해 감지된 아날로그 온도신호를 증폭시켜 디지털 신호로 변환한 뒤 상기 마이크로프로세서로 전송하는 온도신호입력부와, 상기 온도신호를 설정온도입력부를 통해 마이크로프로세서로 미리 입력된 설정온도와 비교하여 온도차에 해당하는 전압을 디지털에서 아날로그 신호로 변환하는 전압으로 변환한 후, 이 신호를 증폭하는 온도제어부와, 상기 온도제어부로부터 인가된 전압을 큰 전류로 변환하기 위한 열전소자드라이버와, 상기 프로브카드에 설치되며 열전소자드라이버를 통해 온도가 변화되어 상기 프로브카드를 설정온도입력부를 통해 미리 입력/설정된 온도로 유지시키기 위한 다수의 열전소자와, 온도센서에 의해 감지된 온도에 따라 마이크로프로세서의 작동신호를 인가받아 작동되는 솔레노이드에 의해 냉각장치를 구동시켜 프로브카드의 방열판에 연결된 한쌍의 피팅으로 냉각된 압축공기를 순환시킴에 따라 방열판을 냉각시키기 위한 냉각장치구동부로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a microprocessor having a flash memory in which a control program is recorded, a temperature setting switch for setting a temperature of a probe card, and a temperature set through the temperature setting switch. A set temperature input unit for inputting to the microprocessor, a temperature sensor attached to the probe card to sense the temperature of the probe card, and an analog temperature signal detected by the temperature sensor to amplify and convert the signal into a digital signal. The temperature signal input unit for transmitting to the microprocessor and the temperature signal is compared with the preset temperature input to the microprocessor through the set temperature input unit, and converts the voltage corresponding to the temperature difference into a voltage for converting the digital signal into an analog signal. A temperature controller for amplifying the signal, and the temperature controller And a thermoelectric device driver for converting the applied voltage into a large current, and installed in the probe card, and a temperature is changed through a thermoelectric device driver to maintain the probe card at a preset input / set temperature through a set temperature input unit. The cooling device is circulated through a pair of fittings connected to the heat sink of the probe card by driving the cooling device by the thermoelectric element of the sensor and the solenoid operated by the operation signal of the microprocessor according to the temperature sensed by the temperature sensor. According to the present invention, there is provided a constant temperature device for a probe burn-in probe card, characterized in that the cooling device driving unit for cooling the heat sink.
이 경우 상기 본 발명은, 상기 온도설정스위치에 의해 입력된 온도 및 온도센서입력부를 통해 입력된 온도를 표시하기 위한 디스플레이부를 더 포함한다.In this case, the present invention further includes a display unit for displaying the temperature input by the temperature setting switch and the temperature input through the temperature sensor input unit.
또한, 상기 프로브카드는 프로브카드 상측에 다수의 열전소자가 배치되고 프로브카드의 온도를 감지하기 위한 온도센서가 배치되는 스터프너를 구비하고, 상기 다수의 열전소자 상측에는 상기 스터프너에 대응하는 직경으로 이루어진 방열판 및 상기 방열판 상측에는 개스킷에 의해 기밀이 유지됨과 동시에 방열판과의 사이에 소정의 공간부를 형성하는 커버를 구비하며; 상기 방열판과 커버 사이의 공간부는 상기 냉각부에 의해 제공되는 저온의 압축공기를 한쌍의 피팅을 통해 순환시켜 방열판을 냉각하는 것을 특징한다.In addition, the probe card has a stuffer having a plurality of thermoelectric elements disposed on the probe card and a temperature sensor for sensing the temperature of the probe card, and a diameter corresponding to the stuffer on the plurality of thermoelectric elements. A heat dissipation plate and a cover formed on an upper side of the heat dissipation plate while maintaining airtightness by a gasket and forming a predetermined space between the heat dissipation plate; The space part between the heat sink and the cover is characterized in that the heat sink is cooled by circulating low temperature compressed air provided by the cooling part through a pair of fittings.
따라서, 본 발명에서는 척의 온도에 의해 발생하는 프로브카드의 온도 상승을 스터프너 내부의 열전소자를 통해, 원하는 온도로 유지할 수 있어, 고온에 노출된 프로브카드가 휘어지는 현상을 미연에 방지하여 프로브카드 하단에 설치되는 다수의 검침바늘이 웨이퍼와의 접촉분포 및 접촉강도를 균일하게 하여 검침바늘에 의 해 웨이퍼가 손상되는 것을 방지함에 따라 웨이퍼의 손상 없이 안전하게 테스트를 진행할 수 있어 전체적인 웨이퍼 번 인 공정의 효율을 극대화시킬 수 있다.Therefore, in the present invention, the temperature rise of the probe card generated by the temperature of the chuck can be maintained at a desired temperature through the thermoelectric element inside the stuffer, so that the phenomenon of the probe card exposed to high temperature can be prevented in advance. The number of probe needles installed on the wafer uniformizes the contact distribution and contact strength with the wafers, thereby preventing the wafers from being damaged by the probe needles, so that the test can be safely performed without damaging the wafers. Can be maximized.
(실시예)(Example)
이하에 상기한 본 발명을 바람직한 실시예가 도시된 첨부도면을 참고하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
첨부된 도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치를 나타내는 블록도이고, 도 2는 본 발명에 따른 열전소자를 구비한 프로브카드를 나타내는 분리사시도이고, 도 3은 도 2의 프로브카드를 결합한 상태를 나타내는 측면도이다.1 is a block diagram showing a constant temperature device of a probe burn-in test card according to the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view showing a probe card having a thermoelectric device according to the present invention, Figure 3 is A side view showing a state in which a probe card is coupled.
먼저, 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 제어프로그램이 기록된 플래시 메모리(11)를 구비한 마이크로프로세서(10)를 구비하고 있다.First, the constant temperature device of the wafer burn-in test probe card according to the present invention includes a
또한, 프로브카드(100)의 온도를 사전에 사용자에 의해 임의대로 설정하기 위해 마이크로프로세서(10)의 입력단에 접속된 온도설정스위치(21)는 예를 들면, 로터리 디지트방식으로 이루어진다.In addition, the
더욱이, 상기 마이크로프로세서(10)는 일측에 온도설정스위치(21)를 통해 사용자에 의해 설정된 온도 즉, 로터리 디지트 스위치의 이진화 십진법으로 되어 있는 입력을 받아 버퍼링한 후, 마이크로프로세서로 입력하기 위한 설정온도입력부(23)와 연결되어 있다.In addition, the
한편, 도 2와 같이 상기 프로브카드(100)의 상측에 접촉한 상태로 배치된 스 터프너(stiffener)(110)에 부착된 온도센서(31)는 검침 시 웨이퍼(도시하지 않음)를 파지하기 위한 척(도시하지 않음)과 인접하게 위치하는 프로브카드(100)의 온도를 감지한다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, the
또한, 상기 온도센서(31) 및 마이크로프로세서(10) 사이에 연결된 온도센서입력부(33)는 온도센서(31)에 의해 감지된 프로브카드(100)의 온도에 대응하는 저항 값의 변화를 선형증폭기(33a)를 통해 일정한 전압으로 변환한 후, 12bit 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D변환기(33b)를 통해 마이크로프로세서가(10) 인식할 수 있는 디지털 신호로 변환하여, 상기 마이크로프로세서(10)로 전송한다.In addition, the temperature
아울러, 상기 마이크로프로세서(10)의 출력단에 접속된 열전소자온도제어부(41)는 12bit 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하는 D/A변환기(41a)를 통해 스터프너(110)에 설치되어 있는 온도센서(31)에 의해 감지된 온도를 확인하여, 전압으로 변환한 후, 선형증폭기(41a)를 통해 증폭한 후, 이를 열전소자 드라이버(43)로 공급한다.In addition, the thermoelectric
또한, 상기 열전소자드라이버(43)는 상기 열전소자온도제어부(41)에 접속되어 열전소자온도제어부(41)로부터 인가된 전압을 큰 전류로 변환하는 역할을 한다.In addition, the
상기 열전소자드라이버(43)에 접속됨과 동시에 도 2와 같이 프로브카드(100)에 설치된 다수의 열전소자(45)는 상기 열전소자드라이버(43)를 통해 온도가 변화되며, 이에 따라 사용자에 의해 상기 설정온도입력부(23)를 통해 미리 입력/설정된 온도로 프로브카드(100)를 유지시킴에 따라, 웨이퍼 검침 시 고온의 척에 인접하게 위치하는 프로브카드(100)의 온도를 저하시킴에 따라 프로브카드(100)가 열에 의해 발생할 수 있는 휨 현상을 근본적으로 차단시킬 수 있다.A plurality of
한편, 상기 마이크로프로세서(10)에 연결된 냉각장치구동부(51)는 상기 온도센서(31)에 의해 감지된 온도에 따라 마이크로프로세서(10)의 작동신호를 인가받아 작동되는 솔레노이드(53)에 의해 프로브카드(100)의 방열판(120)에 연결된 한쌍의 피팅(161, 162)을 통해 냉각된 압축공기를 순환시켜 상기 방열판(120)을 냉각시키기 위한 릴레이 드라이브(51a)를 구비하고 있다.Meanwhile, the
더욱이, 상기 마이크로프로세서(10)에 연결된 디스플레이부(61)는 LCD표시창(53)을 통해 상기 온도설정스위치(21)에 의해 입력된 온도 및 설정온도입력부(23)를 통해 입력된 온도를 사용자에게 알려주는 역할을 한다.In addition, the
한편 도 2 및 도 3을 참조하여, 프로브카드(100)에 설치된 다수의 열전소자(45)의 결합구조를 상세히 설명하면 다음과 같다.2 and 3, the coupling structure of the plurality of
먼저, 원판의 프로브카드(100)의 상측에는 스터프너(110)가 결합되고, 상기 스터프너(110)에는 상술한 바와 같이 프로브카드(100)의 온도를 감지하기 위한 온도센서(31) 예를 들면, RTD 센서가 배치된다.First, the
또한, 상기 스터프너(110)의 상측에는 다수의 열전소자(45)가 원주방향으로 대략 동일한 각도로 배치되는데, 여기서 열전소자는 열과 전기가 서로 변환되는 현상을 이용한 소자로서, 전기저항의 온도변화를 이용한 소자(thermistor), 온도차에 의해 기전력이 발생하는 현상(제베크효과)을 이용한 소자, 전류에 따라 열의 흡수 또는 발생이 생기는 현상(Pelletier Effect: 펠티에효과)을 이용한 소자(펠티에소자) 등이 있다.In addition, on the upper side of the
본 발명에서는, 열전소자로써, 펠티에소자를 사용하고 있으며, 이러한 펠티에소자는 열전반도체 N, P 타입에 직류전류를 가해주면 음극(Negative)으로 대전된 금속/반도체 접점에서는 주위로부터 열에너지를 흡수한 전자가 열전 반도체 내부로 이동하여 냉각현상이 일어나며 양극(Positive)으로 대전된 접점에서는 전자의 열에너지 방출에 의해서 발열이 일어나는 펠티에효과를 이용하는 방식이다.In the present invention, a Peltier element is used as the thermoelectric element. The Peltier element absorbs heat energy from the surroundings at a metal / semiconductor contact charged with a negative electrode when a direct current is applied to the thermoelectric semiconductors N and P types. Cooling phenomenon occurs by moving inside the thermoelectric semiconductor, and the Peltier effect is used to generate heat at the positively charged contact point by the release of electron thermal energy.
한편, 상기 다수의 열전소자(45) 상측에는 상기 스터프너(110)에 대응하는 직경으로 이루어진 방열판(120)과 상기 방열판(120) 상측에는 개스킷(130)에 의해 기밀이 유지됨과 동시에 도 3과 같이 방열판(120)과의 사이에 소정의 공간부(S)를 형성하는 커버(140)가 다수의 스크류(150)에 의해 방열판(120)에 결합되어 있다.Meanwhile, the
이 경우, 상기 공간부(S)에는 상기 냉각장치구동부(51)에 의해 작동하는 통상의 냉각장치(도시하지 않음)를 통해 제공되는 저온의 압축공기가 한쌍의 피팅(161, 162)을 통해 순환됨에 따라 방열판(120)을 효과적으로 냉각시킬 수 있다.In this case, the space S is circulated through a pair of
상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention made of the above configuration as follows.
먼저, 웨이퍼 번 인 테스트를 실시 전에 온도설정스위치(21)를 통해 미리 설정온도를 세팅하면, 세팅된 이진화 십진법으로 되어 있는 온도신호는 상기 설정온도입력부(23)를 통해 마이크로프로세서(10)에 입력되며, 이때, 상기 설정온도입력부(23)는 마이크로프로세서(10)가 인식할 수 있도록 상기 온도신호를 이진수로 변환한다.First, if the preset temperature is set in advance through the
그 후, 웨이퍼 번 인 테스트를 실시하게 되며, 실시 중에 스터프너(110)에 배치된 온도센서(31)는 미리 설정된 시각만큼 프로브카드(100)와 접촉된 스터프너 (110)의 온도를 감지하며, 이 감지된 온도신호는 온도센서입력부(33)는 온도에 따른 저항 값의 변화를 선형증폭기(33a)를 통해 일정한 전압으로 변환한 후, 12bit 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D변환기(33b)를 통해 마이크로프로세서(10)가 인식할 수 있는 디지털 신호로 변환하여 감지된 온도신호를 마이크로프로세서(10)로 입력한다.Thereafter, the wafer burn-in test is performed, and the
이때, 디스플레이부(61)는 상기 마이크로프로세서(10)로부터 전송된 설정온도 신호 및 감지온도 신호를 각각 LCD표시창(63)으로 디스플레이 하며, 이에 따라 사용자는 현재 설정된 온도 및 프로브카드 온도를 일목요연하게 파악할 수 있다.At this time, the
한편, 마이크로프로세서(10)는 플래시 메모리(11)에 미리 설정된 제어프로그램을 통해 온도센서(31)에 의해 감지된 온도가 설정온도보다 높거나 또는 낮으면 열전소자온도제어부(41)로 열전소자(45)를 제어하기 위한 12bit의 디지털 신호를 전송한다.Meanwhile, when the temperature detected by the
상기 열전소자온도제어부(41)는 상기 12bit의 제어신호를 D/A변환기(41b)를 통해 전압으로 변환하고, 이를 선형증폭기(41a)를 통해 증폭한 후, 열전소자드라이버(43)로 전송한다.The thermoelement
이에 따라 열전소자드라이버(43)는 상기 열전소자온도제어부(41)로부터 전송된 전압을 큰 전류로 변환하여 다수의 열전소자(45)에 공급함에 따라 열전소자(45)의 온도를 변화시킨다. 이로써, 프로브카드의 온도를 항상 균일하게 유지할 수 있다.Accordingly, the
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, 척의 온도에 의해 발생하는 프로브카드의 온도 상승을 스터프너 내부의 열전소자를 통해, 원하는 온도로 유지할 수 있는 장점이 있다.
또, 본 발명에 따르면, 고온에 노출된 프로브카드가 휘어지는 현상을 원하는 온도로 유지하는 구성으로 함으로써 방지할 수 있어, 프로브카드 하단에 설치되는 다수의 검침바늘이 웨이퍼와의 접촉분포 및 접촉강도를 균일하게 하여 검침바늘에 의해 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있는 탁월한 효과가 있다. 따라서, 본 발명에 의한 웨이퍼 번인 테스트용 프로브카드의 항온장치에 의하면 웨이퍼의 손상 없이 안전하게 테스트를 진행할 수 있어 전체적인 웨이퍼 번 인 공정의 효율을 극대화시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, according to the present invention, the temperature rise of the probe card generated by the temperature of the chuck can be maintained at a desired temperature through the thermoelectric element inside the stuffer.
In addition, according to the present invention, it is possible to prevent the phenomenon in which the probe card exposed to high temperature is kept at a desired temperature, so that a plurality of probe needles installed at the lower end of the probe card can prevent contact distribution and contact strength with the wafer. The uniform effect is to prevent the wafer from being damaged by the metering needle. Therefore, according to the constant temperature device of the wafer burn-in test probe card according to the present invention, the test can be safely performed without damaging the wafer, thereby maximizing the efficiency of the overall wafer burn-in process.
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