KR100663803B1 - Constant current darlington transistor - Google Patents
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Abstract
Description
도 1a: 본 발명에 의한 유리관에 봉입한 정전류달링톤 트랜지스터 일 실시예1A: Embodiment of a constant current Darlington transistor encapsulated in a glass tube according to the present invention
도 1b: 본 발명에 의한 케이스에 봉입한 정전류달링톤 트랜지스터 일 실시예Figure 1b: an embodiment of a constant current darlington transistor encapsulated in a case according to the present invention
도 1c: 도 1a와 도 1b에 적용된 정전류달링톤 트랜지스터 회로도FIG. 1C: Circuit diagram of a constant current Darlington transistor applied to FIGS. 1A and 1B.
도 2a: 종전기술의 PCB 기판에 실장한 정전류달링톤 트랜지스터 일 실시예 Figure 2a: An embodiment of a constant current Darlington transistor mounted on a PCB substrate of the prior art
도 2b: 도 2a에 적용된 정전류달링톤 트랜지스터 회로도 FIG. 2B: Circuit diagram of a constant current Darlington transistor applied to FIG. 2A
도 3a: 금속관에 봉입한 정전류달링톤 트랜지스터 일 실시예 3A: Embodiment of a constant current Darlington transistor encapsulated in a metal tube
도 3b: 금속 케이스에 봉입한 정전류달링톤 트랜지스터 일 실시예FIG. 3B: One Embodiment of Constant Current Darlington Transistor Enclosed in a Metal Case
도 3c: 도 3a와 도 3b에 적용된 정전류달링톤 트랜지스터 회로도 FIG. 3C: Circuit diagram of a constant current Darlington transistor applied to FIGS. 3A and 3B.
도 4: 가스가 봉입된 정전류달링톤 트랜지스터를 이용한 증폭회로 일 실시예4 is an embodiment of an amplifying circuit using a gas-packed constant current Darlington transistor
도 5: 방열기가 설치된 정전류달링톤 트랜지스터 일 실시예 5: Constant Current Darlington Transistors Installed with a Radiator
본 발명은 고입력 임피던스 소자인 정전류달링톤 트랜지스터(Constant Current Darlington Transistor)의 회로 전극간 절연성 저하를 방지하기 위한 패케이징 방법과 고 입력 임피던스 특성을 이용한 증폭특성을 개선한 정전류달링톤 트랜지스터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a packaging method for preventing dielectric deterioration of circuit electrodes of a constant current darlington transistor, which is a high input impedance element, and a constant current darlington transistor having improved amplification characteristics using high input impedance characteristics. will be.
정전류달링톤 트랜지스터는 전류증폭 소자인 트랜지스터를 달링톤 회로로 구성하여 저항과 정전압원을 추가하여 복합화되어 전압증폭특성을 가지게 되는 고 입력 임피던스 증폭소자이다.The constant current Darlington transistor is a high input impedance amplifying device having a voltage amplification characteristic by composing a transistor, which is a current amplifying device, into a Darlington circuit and adding a resistor and a constant voltage source.
도 2a 와 같이 종전에는 회로기판 상에 전기적 도체로 그려진 패턴이 형성되어 있고 정전류달링톤 회로의 구성 소자인 제21트랜지스터(Q21), 제22트랜지스터(Q22)와 제21저항(R21)과 제21정전압원(CV21)이 도 2b 회로와 같이 접속되어 있다. In the past, as shown in FIG. 2A, a pattern drawn by an electrical conductor is formed on a circuit board, and the 21st transistor Q21, the 22nd transistor Q22, the 21st resistor Q21, and the 21st resistor R21 which are the constituent elements of the constant current Darlington circuit are formed. The constant voltage source CV21 is connected as in the circuit of FIG. 2B.
도 2a에서 제2베이스단자(B2)와 제22트랜지스터(Q22)의 베이스 전극 B의 임피던스가 높은 것이 특징이다. 이 제2베이스단자(B2)나 제22트랜지스터(Q22)의 베이스 전극 B는 주위의 다른 전극과 절연성이 좋아야 정상적인 동작을 하게된다. 만일에 제2베이스단자(B2)와 제21트랜지스터(Q21)의 콜랙터 전극 C와 절연성이 나쁘게 되거나, 제22트랜지스터(Q22)의 베이스 전극 B와 제22트랜지스터(Q22)의 콜렉터 전극 C와 절연성이 나쁘게 되면 증폭 동작에서 콜렉터 전극 C 의 출력 신호가 누설되어 고 입력임피던스인 제2베이스단자(B2)나 제22트랜지스터(Q22)의 베이스 전극 B로 역극성의 신호가 불규칙하게 유입되어 신호증폭 동작에 영향을 주게되어 증폭되는 신호가 변형된다. In FIG. 2A, the impedance of the base electrode B of the second base terminal B2 and the 22nd transistor Q22 is high. The base electrode B of the second base terminal B2 or the twenty-second transistor Q22 has good insulation with other electrodes around it to operate normally. If the insulation between the collector electrode C of the second base terminal B2 and the twenty-first transistor Q21 becomes poor, the insulation of the base electrode B of the twenty-second transistor Q22 and the collector electrode C of the twenty-second transistor Q22 In this amplification operation, the output signal of the collector electrode C is leaked in the amplification operation, and a reverse polarity signal flows irregularly into the base electrode B of the second base terminal B2 or the 22nd transistor Q22, which is a high input impedance, and thereby amplifies the signal. This affects the signal that is amplified and amplified.
그래서 도 2a에서 전극 C와 전극 B 사이 또는 전극 C 와 제2베이스단자(B2) 사이에는 절연성이 좋도록 청결한 상태를 유지해야 한다.Therefore, in FIG. 2A, a clean state must be maintained between the electrode C and the electrode B or between the electrode C and the second base terminal B2 for good insulation.
일상적으로 제품을 장시간 사용하다 보면 주위의 습기, 먼지 등에 의해서 전극사이에 절연성이 나빠지게 되어 고 입력임피던스 특성을 유지하지 못하게 된다. 이와 같이 고 입력임피던스를 유지하지 못하게 되면 증폭 특성이 변형되어 충실한 증폭을 할 수 없게 된다.If the product is used for a long time in daily life, the insulation between the electrodes will be deteriorated due to moisture, dust, etc. around it, and it will not be able to maintain high input impedance characteristics. If the high input impedance is not maintained in this manner, the amplification characteristics are deformed and faithful amplification cannot be achieved.
정전류달링톤 트랜지스터가 내장된 제품을 장시간 사용하다보면 제품내부에 먼지나 오물 등이 들어가 쌓이면 전극간 절연성이 나쁘게 되며 제품의 성능이 저하되는 증상이 나타나서 제품 수명이 단축될 수 있다. If a product with a constant current Darlington transistor is used for a long time, dust or dirt may accumulate inside the product, resulting in poor insulation between electrodes and deterioration of product performance, resulting in shortening of product life.
정전류달링톤 트랜지스터의 내부 전극을 외부 공기와 차단되게 밀폐 구조로 하여 절연성을 유지하도록 하며, 밀폐된 내부를 진공상태로 하거나 기타 가스 종류를 같이 봉입하여 증폭특성을 향상시킨 정전류달링톤 트랜지스터를 제시한다. Insulating the internal electrode of the constant current Darlington transistor to be sealed to the outside air to maintain insulation, and propose a constant current Darlington transistor that improves the amplification characteristics by making the sealed interior in a vacuum state or by encapsulating other gas types together. .
제1 실시예의 구성은 The configuration of the first embodiment is
도 1a 와 같이 제1트랜지스터(Q1), 제2트랜지스터(Q2)와 제1저항(R1)과 제1정전압원(CV1)으로 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 절연특성이 우수한 유리관 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 각 인출선을 베이스에 조립되어 있는 핀에 접속함으로서 외부의 소켓 등에 착탈할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다.As shown in FIG. 1A, a constant current Darlington transistor module including a first transistor Q1, a second transistor Q2, a first resistor R1, and a first constant voltage source CV1 is placed in an empty space inside a glass tube having excellent insulation characteristics. It is a structure that is made of parts so that it can be attached and detached to an external socket by sealing and connecting each lead wire to a pin assembled to the base.
제2 실시예의 구성은 The configuration of the second embodiment is
도 1b 와 같이 제1트랜지스터(Q1), 제2트랜지스터(Q2)와 제1저항(R1)과 제1정전압원(CV1)으로 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 절연특성이 우수한 케이스 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 각 인출단자를 케이스 밖으로 핀으로 형성하여 외부의 회로기판 등에 조립할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다.As shown in FIG. 1B, a constant current Darlington transistor module including a first transistor Q1, a second transistor Q2, a first resistor R1, and a first constant voltage source CV1 is placed in an empty space inside a case having excellent insulation characteristics. It is a structure that is made of parts so that it can be assembled and assembled to the outside circuit board by pinning each lead terminal out of the case.
제3 실시예의 구성은 The configuration of the third embodiment is
도 3a 와 같이 제31트랜지스터(Q31), 제32트랜지스터(Q32)와 제31저항(R31)과 제31정전압원(CV31)으로 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 외부에서 들어오는 노이즈를 차단할 수 있도록 금속관 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 각 인출선을 베이스에 조립되어 있는 핀에 접속함으로서 외부의 소켓 등에 착탈할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다.As shown in FIG. 3A, a constant current Darlington transistor module including a 31 transistor Q31, a 32 transistor Q32, a 31 resistor R31, and a 31 constant voltage source CV31 may be used to block noise from the outside. It is made of parts to be sealed in an empty space and connected to the pins assembled in the base so that they can be detached from an external socket or the like.
제4 실시예의 구성은 The configuration of the fourth embodiment is
도 3b 와 같이 제31트랜지스터(Q31), 제32트랜지스터(Q32)와 제31저항(R31)과 제31정전압원(CV31)으로 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 외부에서 들어오는 노이즈를 차단할 수 있도록 금속케이스 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 각 인출단자를 케이스 밖으로 핀으로 형성하여 외부의 회로기판 등에 조립할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다.As shown in FIG. 3B, the metal case may block a constant current Darlington transistor module including a 31 transistor Q31, a 32 transistor Q32, a 31 resistor R31, and a 31 constant voltage source CV31. It is sealed by putting it in the inner empty space and forming each outgoing terminal into a pin out of the case so that it can be assembled into an external circuit board.
제5 실시예의 구성은The configuration of the fifth embodiment is
제1 실시 구성에서부터 제4 실시 구성까지에서 내부 빈공간을 진공으로하여 절연성을 높이는 구조로 되어 있다.From the first embodiment to the fourth embodiment, the internal empty space is vacuumed to increase the insulation.
제6 실시예의 구성은The configuration of the sixth embodiment is
제1 실시 구성에서부터 제4 실시 구성까지에서 내부 빈공간을 네온이나 기타 가스를 봉입하여 증폭특성을 개선하는 구조로 되어 있다.In the first to fourth embodiments, the interior empty space is sealed with neon or other gas to improve amplification characteristics.
제 7실시예의 구성은 The configuration of the seventh embodiment is
제1 실시 구성에서부터 제4 실시 구성까지에서 정전류달링톤 트랜지스터의 구성 부품 중에서 발열이 있는 소자의 열을 밖으로 방출하기 위한 방열기를 외부와 인접되도록 설치하는 구조이다.It is a structure which installs the radiator for radiating the heat | fever of the element which has a heat | fever out of the component parts of a constant current darlington transistor from 1st Embodiment to 4th Embodiment so that it may be adjacent to the exterior.
제 1실시 예로서As a first embodiment
도 1a 와 같이 제1트랜지스터(Q1), 제2트랜지스터(Q2)와 제1저항(R1)과 제1정전압원(CV1)을 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 절연성이 우수한 기판이나 필름 위에 실장하고, 이 모듈을 절연특성이 우수한 유리관 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 각 인출선을 베이스에 조립되어 있는 핀에 접속함으로서 외부의 소켓 등에 착탈 할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다. As shown in FIG. 1A, a constant current Darlington transistor module including a first transistor Q1, a second transistor Q2, a first resistor R1, and a first constant voltage source CV1 is mounted on a substrate or a film having excellent insulation, The module is sealed in the empty space inside the glass tube with excellent insulation properties and connected to the pins assembled on the base to make the parts detachable to external sockets.
절연특성이 우수한 유리를 사용함으로서 정전류달링톤 트랜지스터의 단자간 절연성이 우수하고 전극간 사이는 빈 공간으로 되어있어 절연성이 좋다. 또한 외부로부터 습기, 먼지 등을 완벽하게 차단하며, 장시간 동작시에도 절연성이 유지되는 구조이다. By using glass with excellent insulation characteristics, the insulation between terminals of the constant current Darlington transistor is excellent, and the space between the electrodes is good, so the insulation is good. In addition, it completely blocks moisture, dust and the like from the outside, and maintains insulation even during long operation.
제2 실시 예로서As a second embodiment
도 1b 와 같이 제1트랜지스터(Q1), 제2트랜지스터(Q2)와 제1저항(R1)과 제1정전압원(CV1)을 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 절연성이 우수한 기판이나 필름 위에 실장하고, 이 모듈을 절연특성이 우수한 수지류 케이스 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 각 인출단자를 수지 케이스 밖으로 핀으로 형성하여 외부의 회로기판 등에 조립 할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다.As shown in FIG. 1B, a constant current Darlington transistor module including a first transistor Q1, a second transistor Q2, a first resistor R1, and a first constant voltage source CV1 is mounted on a substrate or a film having excellent insulation, The module is sealed in the empty space inside the resin case with excellent insulation properties, and each outgoing terminal is pinned out of the resin case to make an external circuit board.
절연특성이 우수한 수지류를 사용함으로서 정전류달링톤 트랜지스터의 단자간 절연성이 우수하고 전극간 사이는 빈 공간으로 되어있어 절연성이 좋다. 또한 외부로부터 습기, 먼지 등을 완벽하게 차단하며, 장시간 동작시에도 절연성이 유지되는 구조이다. By using resins having excellent insulation characteristics, the insulation between terminals of the constant current darlington transistor is excellent, and the space between the electrodes is good, so the insulation is good. In addition, it completely blocks moisture, dust and the like from the outside, and maintains insulation even during long operation.
제3 실시 예로서As a third embodiment
도 3a 에서 제31트랜지스터(Q31), 제32트랜지스터(Q32)와 제31저항(R31)과 제31정전압원(CV31)을 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 절연성이 우수한 기판이나 필름 위에 실장하고, 이 모듈을 외부에서 들어오는 전기적 노이즈 또는 자기적 노이즈를 차폐할 수 있는 금속관 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 금속관이 접속된 접지 인출선 G와 정전류달링톤 트랜지스터의 각 인출선을 절연성이 우수한 베이스에 조립되어 있는 핀에 접속함으로서 외부의 소켓 등에 착탈 할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다. In FIG. 3A, a constant current Darlington transistor module including a 31 transistor Q31, a 32 transistor Q32, a 31 resistor R31, and a 31 constant voltage source CV31 is mounted on a substrate or film having excellent insulation. The module is sealed in an empty space inside the metal tube to shield external or electrical noise from the outside, and the ground lead G connected to the metal tube and each lead of the constant current Darlington transistor are assembled on a base having excellent insulation. It is a structure made of parts so that it can be attached and detached to an external socket by connecting to a pin.
절연특성이 우수한 베이스를 사용하여 단자간 절연성이 우수하고 금속관의 내부 빈 공간에 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 설치함으로서 전극간 사이는 빈 공간으로 되어있어 절연성이 좋다. 또한 외부로부터 습기, 먼지 등을 완벽하게 차단하며, 장시간 동작시에도 절연성이 유지되는 구조이며, 외부에서 들어오는 전기적 노이즈 또는 자기적 노이즈를 차폐할 수 있는 구조이다. By using the base having excellent insulation characteristics, the insulation between terminals is excellent and the constant current Darlington transistor module is installed in the empty space inside the metal tube, so the space between the electrodes is good, the insulation is good. In addition, it completely blocks moisture, dust, etc. from the outside, and maintains insulation even after a long operation, and is a structure that can shield electric noise or magnetic noise from the outside.
제4 실시 예로서As a fourth embodiment
도 3b 에서 제31트랜지스터(Q31), 제32트랜지스터(Q32)와 제31저항(R31)과 제31정전압원31(CV31)을 구성된 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 절연성이 우수한 기판이나 필름 위에 실장하고, 이 모듈을 외부에서 들어오는 전기적 노이즈 또는 자기적 노이즈를 차폐할 수 있는 금속케이스 내부 빈 공간에 넣어 봉합하고 금속케이스가 접속된 접지 인출선 G와 정전류달링톤 트랜지스터의 각 인출선를 케이스 밖으로 핀으로 형성하여 외부의 회로기판 등에 조립 할 수 있도록 부품으로 제작하는 구조이다.In FIG. 3B, a constant current Darlington transistor module including a 31 transistor Q31, a 32 transistor Q32, a 31 resistor R31, and a 31 constant voltage source 31 (CV31) is mounted on a substrate or a film having excellent insulation, The module is sealed in an empty space inside the metal case to shield external or electrical noise from the outside, and each lead wire of the constant current Darlington transistor connected to the ground lead wire G connected to the metal case is pinned out of the case. It is a structure made of parts so that it can be assembled to an external circuit board.
절연특성이 우수한 베이스를 사용하여 단자간 절연성이 우수하고 금속 케이스의 내부 빈 공간에 정전류달링톤 트랜지스터 모듈을 설치함으로서 전극간 사이는 빈 공간으로 되어있어 절연성이 좋다. 또한 외부로부터 습기, 먼지 등을 완벽하게 차단 하며, 장시간 동작시에도 절연성이 유지되는 구조이며, 외부에서 들어오는 전기적 노이즈 또는 자기적 노이즈를 차폐할 수 있는 구조이다.By using the base having excellent insulation characteristics, the insulation between terminals is excellent and the constant current Darlington transistor module is installed in the internal empty space of the metal case. In addition, it completely blocks moisture, dust, etc. from the outside, and maintains insulation even for a long time, and it is a structure that can shield electric noise or magnetic noise from the outside.
제5 실시 예로서As a fifth embodiment
제1 실시 예에서부터 제4 실시 예까지에서 From the first embodiment to the fourth embodiment
내부 빈 공간을 진공으로 함으로서 전극간 절연성이 더욱 높게 된다.By making the internal empty space into a vacuum, the interelectrode insulation becomes higher.
제6 실시 예로서As a sixth embodiment
제1 실시 예에서부터 제4 실시 예까지에서 From the first embodiment to the fourth embodiment
내부 빈 공간을 네온과 같은 가스를 봉입하여 증폭특성을 개선하는 구조로 되어 있다. The interior empty space is filled with gas such as neon to improve amplification characteristics.
진공관에서는 자유전자 방출을 위해서 다른 가스를 봉입하지 못하지만 정전류달링톤 트랜지스터에서는 신호전류는 도선에 의해서 흐름으로 가스 봉입에 따른 전류흐름에는 전혀 지장을 주지 않는다. In a vacuum tube, no other gas is enclosed for free electron emission, but in a constant current Darlington transistor, the signal current flows through the wire, and thus does not interfere with the current flow due to the gas encapsulation.
두 전극이 형성된 네온 가스가 봉입된 네온등의 양단에 서서히 증가하는 직류전압을 가하면 네온등 양 단자 전압이 약 60V에서 두 전극간 전류가 흐르기 시작하며 빛을 낸다. When a DC voltage is gradually applied to both ends of a neon lamp enclosed with neon gas having two electrodes, current flows between the two electrodes at the voltage of both terminals of the neon lamp and starts to glow.
이와 같이 일정전압 이상이 되면 두 전극간 전류가 흐르는 것을 이용한 일 실시 예로서As such, when the voltage is greater than or equal to a predetermined voltage, the current flows between two electrodes.
도 1a에서 유리관 내부의 빈 공간에 네온가스를 봉입한 정전류달링톤 트랜지스터를 사용하여 구성된 도 4의 증폭회로에서 설명한다.In FIG. 1A, an amplification circuit of FIG. 4 constructed using a constant current Darlington transistor in which neon gas is sealed in an empty space inside a glass tube will be described.
입력신호가 IN4로 입력되면 정전류달링톤 트랜지스터 CCD41에서 증폭된 출력전압이 트랜지스터의 콜렉터 전극 C에서 출력된다. 이 출력신호는 봉입된 가스에 의해서 출력신호의 일부 전류가 트랜지스터 제42트랜지스터(Q42)의 베이스 전극 B 로 흘러 부궤환 동작을 함으로서 증폭 특성이 변화하게 된다. 이 변화하는 특성은 출력 신호전압과 가스의 종류와 가스의 압력에 따라 특성이 다르게 된다. 즉 새로운 증폭특성을 얻게되는 것이다. When the input signal is input to IN4, the output voltage amplified by the constant current darlington transistor CCD41 is output from the collector electrode C of the transistor. The amplification characteristics of the output signal are changed by a part of the current of the output signal flowing to the base electrode B of the transistor 42 in transistor Q42 by the enclosed gas. This changing characteristic varies depending on the output signal voltage, the type of gas, and the pressure of the gas. That is, a new amplification characteristic is obtained.
내부에 봉입하는 가스 종류에 따라 증폭특성에 변화를 줄 수 있다.The amplification characteristic can be changed depending on the type of gas enclosed therein.
제 7실시 예로서 As a seventh embodiment
정전류달링톤 트랜지스터의 구성품 중에서 발열이 있는 소자의 열을 밖으로 방출하기 위한 방열기를 외부와 인접되도록 설치하는 구조이다. Among the components of the constant current Darlington transistor, a radiator for dissipating the heat of a device having heat generation to the outside is installed adjacent to the outside.
도 5와 같이 정전류달링톤 트랜지스터의 구성품 중에서 트랜지스터와 같이 전력소모가 많은 부품은 발생하는 열을 밖으로 방출시켜야 할 필요가 있다. 이럴 때는 케이스의 한쪽 면을 알루미늄과 같은 열전도율이 높은 금속으로 대체하여 케이스와 밀봉하고 내부에서 발열되는 트랜지스터를 방열판에 접착시트 등을 사용하여 절연상태로 접합함으로서 트랜지스터에서 발생하는 열을 방열기에 의해서 외부로 방출할 수 있게된다.Among the components of the constant current Darlington transistor, as shown in FIG. 5, power-consuming parts such as transistors need to discharge heat generated. In this case, replace one side of the case with a metal with high thermal conductivity such as aluminum to seal it with the case, and bond the heat generated from the transistor to the heat sink by using an adhesive sheet, etc. To be released.
정전류달링톤 트랜지스터 모듈은 절연성이 우수한 기판이나 필름위에 실장하는 방법과, 리드프레임을 가공하여 각 제1트랜지스터(Q1), 제2트랜지스터(Q2)와 제1저항(R1)과 제1정전압원(CV1)을 접속하는 방법과, 반도체 베어칩을 직접 리드프레임에 와이어본딩하는 방법이 있다. The constant current Darlington transistor module is mounted on a substrate or a film having excellent insulation, and the lead frame is processed to process each of the first transistor Q1, the second transistor Q2, the first resistor R1, and the first constant voltage source. CV1) and a method of wire bonding a semiconductor bare chip directly to a lead frame.
본 발명에서는 정전류달링톤 트랜지스터를 예로 들었으나 정전류달링톤 트랜지스터 및 필터와 같은 관련된 구성부품을 포함하는 회로소자를 봉입하는 것도 가능하다. In the present invention, a constant current darlington transistor is taken as an example, but it is also possible to enclose a circuit element including related components such as a constant current darlington transistor and a filter.
1. 제품 생산시 절연특성을 높이기 위한 세정 공정이 줄어 생산성이 높다.1. Productivity is high because there is less cleaning process to improve insulation characteristics during product production.
2. 장시간 사용하거나 다습한 장소에서 사용하더라도 정전류달링톤 트랜지스터의 고 입력 임피던스특성을 유지하여 제품 수명이 길다.2. It maintains high input impedance characteristics of constant current Darlington transistor even if it is used for a long time or in a humid place, and it has a long product life.
3. 정전류달링톤 트랜지스터의 고 입력 임피던스 특성에 대한 외부 노이즈를 차단하여 깨끗한 신호증폭이 가능하다.3. Clean signal amplification is possible by blocking external noise to high input impedance characteristic of constant current Darlington transistor.
4. 정전류달링톤 트랜지스터를 독립된 부품으로 제작되어 증폭기 회로 구성이 간단해 진다.4. The constant current Darlington transistor is made of independent components, simplifying the amplifier circuit configuration.
5. 정전류달링톤 트랜지스터의 내부 빈 공간을 진공으로 하여 전극간 절연성을 높인다.5. Increase the inter-electrode insulation by vacuuming the internal empty space of the constant current Darlington transistor.
6. 정전류달링톤 트랜지스터의 내부 빈 공간에 가스를 충진하여 새로운 증폭특성을 얻을 수 있다.6. New amplification characteristics can be obtained by filling gas into the empty space of constant current Darlington transistor.
Claims (5)
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|---|---|---|---|
| KR1020050111271A KR100663803B1 (en) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Constant current darlington transistor |
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| KR100663803B1 true KR100663803B1 (en) | 2007-01-02 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4128802A (en) | 1976-03-11 | 1978-12-05 | Robert Bosch Gmbh | Solid state voltage regulated automotive-type electrical power supply system |
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2005
- 2005-11-21 KR KR1020050111271A patent/KR100663803B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
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