KR100662213B1 - 섬광 램프 점등용 충전 회로 - Google Patents

Abstract

본 발명은 에너지 충전용 커패시터에 고전위의 전하를 충전하였다가 충전된 전하를 섬광램프에 방전시킴으로써 막대형 광원매질에 상기 섬광램프가 강력한 섬광을 조사하여 상기 막대형 광원매질의 광자를 여기시킴으로써 레이저광을 발진시키는 레이저 발생장치에서의 섬광램프 점등용 충전회로에 관한 것으로 특히, 상용교류전원이 정류되어진 구동전원을 고주파 교류전원으로 변화시켜 출력하되 입력되는 제어신호에 따라 출력되는 교류전원의 주파수를 가변시켜 출력하는 고주파 고전압 발생부와; 상기 고주파 고전압 발생부에서 출력하는 교류전원을 정류하여 상기 커패시터에 전하를 충전하는 충전부와; 상기 커패시터에 충전되는 충전전하의 변화를 전압의 형태로 변환 검출하여 기 설정된 기준전압과 비교한 후 비교 값을 출력하는 충전전류 변동 감지부; 및 상기 충전전류 변동 감지부에서 출력되는 비교 값에 따라 상기 고주파 고전압 발생부에 제어신호를 입력하여 상기 고주파 고전압 발생부에서 출력하는 교류전원의 주파수를 제어하는 여진주파수 제어부를 제공하면 입력전원 전압의 변동에 유연하게 대처하면서 에너지 충전에 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 충전시간을 단축하면서도 전체적인 부피를 줄일 수 있다는 효과가 있다.

Description

섬광 램프 점등용 충전 회로{charging circuit for lighting of flash lamp}

도 1은 일반적인 레이저 발생원리를 설명하기 위한 예시도

도 2는 종래 섬광램프 점등용 충전회로의 구성 예시도

도 3은 종래 기술에 따른 에너지 충전 특성 그래프

도 4는 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로

도 5는 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 에너지 충전 특성 그래프와 종래 그래프의 비교 그래프

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 직렬공진 고주파 스위칭부 200 : 충전부

300 : 충전전류 변동 감지부 400 : 여진주파수 제어부

Q5, Q6 : 트랜지스터 C1, C2, C3 : 커패시터

L2 : 인덕터 K : 방형파 여진기

R1 : 저항 C : 비교기

G : 여진주파수 제어회로

본 발명은 레이저 광선을 생성하기 위한 섬광램프 점등용 충전회로에 관한 것으로 특히, 입력전원 전압의 변동에 유연하게 대처하면서 에너지 충전에 소요되는 시간을 단축할 수 있도록 하기 위한 섬광램프 점등용 충전회로에 관한 것이다.

일반적으로, 레이저란 들뜬 상태에 있는 원자ㅇ물질의 유도복사성질을 이용하여 발생되는 광(電磁波)을 통칭하는 것으로, 레이저 발생을 위한 기본적인 생성원리를 나타내는 구성은 첨부한 도 1에 도시되어 있는 바와 같으며, 그 원리를 살펴보면 다음과 같다.

원자집단(또는 물질)의 적당한 두 에너지준위(準位) 사이에서 반전분포(에너지가 높은 준위의 원자 분포수가 낮은 준위보다 많은 상태를 말하며, 음온도 상태라고도 한다)를 만든다. 두 준위 사이의 에너지 차에 주파수가 공명하는 빛에 유발되어 높은 준위의 원자가 낮은 준위로 전이하여 에너지를 광에 주는 유도복사가 일어난다. 그 결과 입사광은 주파수ㅇ위상이 같고 세기가 증대된다.

이를 간섭성인광의 증폭이라 하며, 음온도 매질을 광의 공진기 안에 넣고 증폭된 광을 반복하여 왕복시키면 광의 자려(自勵)발진이 일어나 레이저로 된다. 따라서 레이저광은 위상이 일치한 파가 되므로 보통의 빛과는 본질적으로 성질이 다르다. 광의 공진기는 기본적으로 반사율이 높은 2개의 평면거울을 서로 평행하게 놓은 것으로 면에 수직인 정상파가 공진모드이다.

레이저매질로서 증폭 가능한 주파수 범위에 많은 수의 광의 공진모드가 존재 하므로 여러 개의 모드에서 레이저가 동시에 발진하는 것이 보통이다. 특수한 방법에 의해 1개 모드에서 발진시킨 것을 단일주파수레이저라 한다. 연속적으로 광이 지속되는 연속파레이저 외에 일정 시간만 광이 지속되는 펄스레이저도 있다.

이때, 레이저 광선을 발생시키기 위해 널리 사용되는 방법으로 막대형 광원매질에 강력한 섬광을 조사하여 광자를 여기시킴으로써 레이저광을 발진시키는 방식이 있는 데, 이 경우 섬광램프로 사용되는 Xenon 또는 Crypton 램프 등을 점등하여 섬광을 발생시키기 위해서는 일반적으로 에너지 충전용 커패시터에 고전위의 전하를 충전하였다가 충전된 전하를 섬광램프에 방전시킴으로써 점등하도록 하는 방식을 사용한다.

상술한 바와 같은 기술을 적용하기 위한 종래 기술을 첨부한 도 1을 참조하여 살펴보면, 첨부한 도 1은 섬광램프 점등용 충전회로의 구성 예시도로서, 제 1 내지 제 4 트랜지스터(Q1~Q4)는 브릿지형으로 접속 구성된 고주파 스위칭 회로로서 방형파여진기(M)에서 발생되는 서로 대칭된 방형파 여진전압이 각 트랜지스터의 게이트 단자인 R과 S에 교대로 입력됨으로써, 제 1트랜지스터(Q1)와 제 4트랜지스터(Q4)가 동시에 온동작하면 제 2트랜지스터(Q2)와 제 3트랜지스터(Q3)가 동시에 오프동작하게 된다.

반면에 제 1트랜지스터(Q1)와 제 4트랜지스터(Q4)가 동시에 오프동작하면 제 2트랜지스터(Q2)와 제 3트랜지스터(Q3)가 동시에 온동작하게 되는데, 그에 따라 주 트랜스포머(T1)를 경유하는 전류의 방향이 순방향과 역방향으로 교번하게 된다.

상기 주 트랜스포머(T1)의 2차측 코일에 유도되어진 전압은 브릿지다이오드 (BD)에 정류되어진 후 섬광램프(L)에 병렬 연결되어있는 커패시터(C1)에 충전전압이 걸리게 되는 것이다.

이와 같이 커패시터(C)에 걸리는 충전전압에 의해 커패시터(C1)가 만충전 상태에 도달하게 되면 이를 감지하는 만충전 감지수단(도시하지 않았음)에 의해 방형파여진기(M)의 동작이 중지되고 그에 따라 제 1 내지 제 4 트랜지스터(Q1~Q4)의 게이트 단자에는 하이 임피던스상태가 되어 동작이 모두 오프되며, 그에 따라 커패시터(C1)에는 더 이상의 충전전압이 걸리지 않게 된다.

이후 스위치(S)의 온동작에 의해 커패시터(C1)에 충전되어 있던 전하가 섬광램프(L)측으로 짧은 시간동안 방전됨에 따라, 수백 암페어의 방전전류에 의해 섬광램프(L)는 섬광을 발생시키게 된다.

상술한 바와 같은 섬광램프를 이용한 방식은 섬광램프의 점등을 위한 커패시터의 충전방전에 따른 동작에 따라 펄스형태의 레이저 광선이 발생되어짐에 따라 충전용 커패시터에 레이저발생을 위해 요구되는 에너지까지 충전하는 시간에 따라 방전주기가 결정되어지는데 아래의 수학식 1과 같다.

일반적으로 방전시간은 충전시간에 비해 매우 짧으므로 충전 소요시간이 짧을수록 방전주기의 빈도를 높일 수 있다.

이러한 경우 커패시터에 충전하고자 하는 에너지가 클수록 또한 방전주기가 빠를수록 충전동작을 지원하는 전원공급 장치의 규모 및 용량은 커지게 된다.

또한, 일정한 에너지를 충전하는데 소요되는 시간이 비교적 길고 충전곡선의 형태가 첨부한 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 역 지수 함수적으로 증가하기 때문에 충전초기에는 단위시간당 전압상승치가 비교적 크기 때문에 충전전류의 피크치가 매우 높아짐에 따라 장치의 수명 신뢰도를 저하할 수 있다는 문제점이 있다.

더욱이, 첨부한 도 2에서 참조번호 D로 지칭되는 전원은 상용교류전원을 정류하여 만들어진 직류전압으로써 많은 맥동성분을 포함하고 있으며, 교류전원 입력전압의 변동에 따라 변동되는 비 정전압 전원이기 때문에 전원전압 하강에 의하여 반전 반복율이 저하된다거나 또는 전압의 상승으로 인한 서지전압의 발생시 스위칭 소자의 손상 등에 따른 신뢰성 및 수명의 저하 등이 발생되는 문제점을 내포하고 있었다.

상술한 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 목적은 레이저 광선을 생성하기 위한 섬광램프 점등용 충전회로에 관한 것으로 특히, 입력전원 전압의 변동에 유연하게 대처하면서 에너지 충전에 소요되는 시간을 단축할 수 있도록 하기 위한 섬광램프 점등용 충전회로를 제공하는 데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 특징은, 에너지 충전용 커패시터에 고전위의 전하를 충전하였다가 충전된 전 하를 섬광램프에 방전시킴으로써 막대형 광원매질에 상기 섬광램프가 강력한 섬광을 조사하여 상기 막대형 광원매질의 광자를 여기시킴으로써 레이저광을 발진시키는 레이저 발생장치에서의 섬광램프 점등용 충전회로에 있어서: 상용교류전원이 정류되어진 구동전원을 고주파 교류전원으로 변화시켜 출력하되 입력되는 제어신호에 따라 출력되는 교류전원의 주파수를 가변시켜 출력하는 고주파 고전압 발생부와; 상기 고주파 고전압 발생부에서 출력하는 교류전원을 정류하여 상기 커패시터에 전하를 충전하는 충전부와; 상기 커패시터에 충전되는 충전전하의 변화를 전압의 형태로 변환 검출하여 기 설정된 기준전압과 비교한 후 비교 값을 출력하는 충전전류 변동 감지부; 및 상기 충전전류 변동 감지부에서 출력되는 비교 값에 따라 상기 고주파 고전압 발생부에 제어신호를 입력하여 상기 고주파 고전압 발생부에서 출력하는 교류전원의 주파수를 제어하는 여진주파수 제어부를 포함하는 데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 부가적인 특징으로, 상기 고주파 고전압 발생부는 직렬공진방식에 따라 구동전원을 고주파 교류전원으로 변화시키는 데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 부가적인 다른 특징으로, 상기 여진주파수 제어부는 상기 충전전류 변동 감지부에서 출력되는 비교 값이 기 설정된 기준전압보다 커지는 경우 상기 고주파 고전압 발생부의 공진주파수를 기준주파수에서 높은 주파수대역으로 제어하도록 하는 데 있다.

본 발명의 상술한 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해, 첨부된 도면을 참조하여 후술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

첨부한 도 4는 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 구성예시도로서, 크게 직렬공진 고주파 스위칭부(100)와, 충전부(200)와, 충전전류 변동 감지부(300) 및 여진주파수 제어부(400)로 구성된다.

이때 첨부한 도 4에서도 역시 종래기술을 설명한 도 2에서와 같이 만충전 감지수단은 도시하지 않았다.

상기 구성의 세부구성을 살펴보면, 우선 직렬공진 고주파 스위칭부(100)는 상용교류전원이 정류되어진 구동전압(D)을 드레인 단자에 입력받는 제5 트랜지스터(Q5)와, 상기 제5 트랜지스터(Q5)의 소스 단자에 드레인 단자가 연결되며 소스 단자는 접지에 연결되는 제6 트랜지스터(Q6)와, 상기 제5 트랜지스터(Q5)의 드레인 단자에 일단이 연결되는 제 2커패시터(C2)와, 상기 제 2커패시터(C2)의 타단에 일차측 코일의 일단이 연결되는 주 트랜스포머(T2)와, 상기 주 트랜스포머(T2) 일차측 코일의 타단과 상기 제5 트랜지스터(Q5)의 소스 단자 사이에 직렬연결되는 제2 인덕터(L2) 및 도시하지 않은 만충전 감지수단에서 신호 인가시 동작을 중지하고 상기 여진주파수 제어부(400)에서 입력되는 신호에 따라 상기 제5, 제6 트랜지스터(Q5, Q6)의 게이트 단자에 서로대칭이 되는 여진전압을 인가하는 방형파 여진기(K)로 구성된다.

상기 충전부(200)는 기본적으로 종래의 구성과 동일하기에 세부구성의 설명을 생략한다.

또한, 상기 충전전류 변동 감지부(300)는 상기 충전부(200) 내부 충전전류가 흐르는 일측 경로상에 직렬로 연결되어 있는 전류측정용 저항(R1)과, 상기 저항(R1)에 걸리는 전압과 기 설정된 기준전압(Ref)을 비교한 후 상기 저항(R1)에 걸리는 전압이 기준전압 이상으로 높아지는 경우 그에 따른 비교값을 출력하는 비교기(C)로 구성된다.

또한, 상기 여진주파수 제어부(400)는 여진주파수 제어회로(G)로 지칭되는 구성을 갖는다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 동작을 살펴보면, 주 스위칭 소자인 제 5, 제6 트랜지스터(Q5, Q6)로 구성되는 하프 브릿지형 고주파 스위칭 방식으로 구성하였으며, 이들은 방형파 여진기(K)로부터 서로대칭이 되는 여진전압을 게이트 R과 S에 인가받아 상호 교번적으로 온/오프 동작을 반복하게 된다.

따라서 상용교류전원을 정류한 구동전압(D)을 고주파로 스위칭하여 고주파 교류전압으로 변환한 후 주 트랜스포머(T2)를 통해 2차측 코일로 전송한다.

2차측에서 연결되어 있는 고주파 정류기능을 수행하는 브릿지 다이오드(BD)에 의하여 에너지 충전용 커패시터(C1)에 충전전압을 인가하게 된다.

이때 충전전류가 흐르는 일 측 경로 상에 전류측정용 저항(R1)이 직렬로 연결되어지며, 상기 저항(R1)에 걸리는 전압과 기 설정된 기준전압(Ref)을 비교기(C) 에 의해 비교한 후 상기 저항(R1)에 걸리는 전압이 기준전압 이상으로 높아지는 경우 비교기(C)의 출력전압에 의해 방형파 여진기(K)의 발진주파수를 제어하는 여진주파수제어회로(G)가 구동하여 방형파 여진기(K)의 발진주파수를 높은 쪽으로 제어하게 된다.

한편 제 2인덕터(L2)와 제 2 커패시터(C2)를 주 트랜스포머(T2)의 1차측에 직렬 접속하였으며, 제 3커패시터(C3)를 상기 주 트랜스포머(T2)의 2차측에 병렬로 접속하였는데, 상기 구성에서 제 2인덕터(L2)와 제 2, 제 3커패시터(C2, C3)는 여진기의 기본 발진주파수(최저발진주파수) 부근에 직렬 공진점을 설정하는 직렬공진회로를 구성하는바, 제 2인덕터(L2)와 제 2, 제 3커패시터(C2, C3)에 의한 최저여진주파수를 수학식으로 정리하면 아래의 수학식 2와 같다.

상기 수학식 2에서 N은 주 트랜스포머(T2)의 일차측과 이차측 코일의 권선비를 의미하며, L2, C2 및 C3은 제 2인덕터(L2)와 제 2, 제 3커패시터(C2, C3)의 인덕턴스 값과 커패시턴스 값을 의미한다.

따라서 수학식 1에서 정리되어진 최저주파수(f_o)의 공진시 Q를 주 트랜스포머(T2)의 최대부하(예를 들어 3㎾)를 감안하여 1이상의 값으로 설정하는 경우, 최저주파수(f_o)에 공진시의 전체공진 임피던스(Z_T)는 아래의 수학식 3과 같이 정의할 수 있다.

따라서 상기 수학식 3에 나타나 있는 바와 같이 전체공진 임피던스(Z_T)는 제 2인덕터(L2)의 인덕턴스 값과 Q의 값에 의해 변화한다는 것을 알수 있는데, 제 2인덕터(L2)의 인덕턴스 값이 가지고 있는 최저주파수(f_o)에 대한 단독 리액턴스에 비하여 1/Q로 감소하여 임피던스의 최소값을 가지는 동작조건이 됨에 따라 고주파 스위칭 전류의 흐름을 돕는 동작상태가 된다는 것을 알 수 있다. ±

따라서 상용교류전원의 입력전압은 통상 정격전압에서 ± 10%의 변동분이 발생되므로, 정격전원전압의 -10% 조건에서의 동작상태는 상기 최저주파수(f_o)로 여진하도록 설정하게 된다.

또한, 정격전원전압이 -10% 보다 높아지는 경우 여진기(K)의 발진주파수는 상기 최저주파수(f_o)보다 높은 주파수 대역으로 진행하도록 비교기(C)가 작용하게 된다.

즉, 제 1저항(R1)을 통해 검출되는 전압이 정격전원전압의 -10% 조건일 경우에는 검출전압이 기준전압과 동일하거나 기준전압보다 조금 낮도록 설정되어 있으므로, 여진기(K)의 발진주파수는 최저주파수(f_o)상태를 유지하게 된다.

그러나 구동전원(D)의 소스가 상용교류전원이므로 필연적으로 제 1저항(R1) 을 통해 검출되는 전압이 정격전원전압의 -10% 조건을 벗어나서 커지게 되며, 그에 따라 상기 비교기(C)를 통해 출력되는 값이 점차 커지게 된다.

따라서 방형파 여진기(K)의 발진주파수를 제어하는 여진주파수제어회로(G)가 비교기(C)의 출력 값에 따라 구동하여 방형파 여진기(K)의 발진주파수를 최저주파수(f_o)보다 높은 주파수로 변동되도록 한다.

상기 방형파 여진기(K)의 발진주파수가 커짐에 따라 고주파 스위칭 주파수가 높게 변동됨에 따라 상기 제 2인덕터(L2)와 제 2, 제 3커패시터(C2, C3)의 일차측으로 환산된 전체공진용량간의 공진임피던스는 최저주파수(f_o)의 스위칭 주파수일경우에 비해 커지게 된다.

결과적으로 전원입력 전압의 변동에 관계없이 제1 커패시터(C1)에 충전되는 충전전류는 일정한 값을 유지할 수 있게 되어 첨부한 도 5에 도시되어 있는 참조번호 b로 지칭되는 그래프와 같이 선형적(ΔV/ΔT) 충전특성을 얻게 된다.

이와 같은 선형적인 충전특성을 얻게 되는 이유를 간략히 살펴보면, 커패시터의 용량이 C라고 가정하고 해당 커패시터에 충전하고자 하는 전압을 V라 가정하며 이에 따라 커패시터에 충전되어야 하는 전하량을 q라 가정할 때 각 변수들 간의 관계식은 아래의 수학식 4와 같이 정의할 수 있다.

이때 본 발명에서 얻고자 하는 충전곡선의 특성이 선형적이기 때문에 충전 속성이 임의의 기울기(ΔV/ΔT)가 되기 위해 필요한 변수의 특성을 살펴보기 위해 상기 수학식 4를 시간의 변화(ΔT)로 나누어 기울기와 연관시켜 정리하면 아래의 수학식 5와 같이 정의할 수 있다.

이때, 상기 수학식 5에서 단위시간(ΔT)당 흐르는 전하(q)는 전류이기 때문에 이를 정리하면 아래의 수학식 6과 같이 정의 할 수 있다.

따라서 변수 C는 커패시터의 용량 값이므로 항상 고정되어있으므로 결국 흐르는 전류를 일정하게 유지하면 충전곡선의 특성은 선형적으로 변화할 수 있게 된다는 것을 알 수 있다.

즉, 일정한 용량 값을 갖는 커패시터에 일정한 전류를 인가하여 충전하는 경우 단위시간당 충전전압의 값은 일정한 값을 갖기 때문에 선형적 충전특성을 얻을 수 있다.

또한, 이와 같은 충전특성에 의해 첨부한 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 충전시간을 단축할 수 잇게 된다.

첨부한 도 5는 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로의 에너지 충전 특성 그래프와 종래 그래프의 비교 그래프이다.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 섬광램프 점등용 충전회로를 제공하면 입력전원 전압의 변동에 유연하게 대처하면서 에너지 충전에 소요되는 시간을 단축할 수 있으며, 충전시간을 단축하면서도 전체적인 부피를 줄일 수 있다는 효과가 있다.

Claims (4)

1. 에너지 충전용 커패시터(C1)에 고전위의 전하를 충전하였다가 충전된 전하를 섬광램프(L)에 방전시킴으로써 막대형 광원매질에 상기 섬광램프(L)가 강력한 섬광을 조사하여 상기 막대형 광원매질의 광자를 여기시킴으로써 레이저광을 발진시키는 레이저 발생장치에서의 섬광램프 점등용 충전회로에 있어서:

   상용교류전원이 정류되어진 구동전원(D)을 고주파 교류전원으로 변화시켜 출력하되 입력되는 제어신호에 따라 출력되는 교류전원의 주파수를 가변시켜 출력하는 고주파 고전압 발생부(100)와;

   상기 고주파 고전압 발생부(100)에서 출력하는 교류전원을 정류하여 상기 커패시터(C1)에 전하를 충전하는 충전부(200)와;

   상기 커패시터(C1)에 충전되는 전하의 변화를 전압의 변화로 변환 검출하여 기 설정된 기준전압과 비교한 후 비교 값을 출력하는 충전전류 변동 감지부(300); 및

   상기 충전전류 변동 감지부(300)에서 출력되는 비교 값에 따라 상기 고주파 고전압 발생부(100)에 제어신호를 입력하여 상기 고주파 고전압 발생부(100)에서 출력하는 교류전원의 주파수를 제어하는 여진주파수 제어부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 섬광램프 점등용 충전회로.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 고주파 고전압 발생부(100)는 직렬공진방식에 따라 구동전원(D)을 고주파 교류전원으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 섬광램프 점등용 충전회로.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 여진주파수 제어부(400)는 상기 충전전압 변동 감지부(300)에서 출력되는 비교 값이 기 설정된 기준전압보다 커지는 경우 상기 고주파 고전압 발생부(100)의 공진주파수를 기준주파수에서 높은 주파수대역으로 제어하도록 하는 것을 특징으로 하는 섬광램프 점등용 충전회로.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 고주파 고전압 발생부(100)는 상용교류전원이 정류되어진 구동전압(D)을 드레인 단자에 입력받는 제5 트랜지스터(Q5)와;

   상기 제5 트랜지스터(Q5)의 소스 단자에 드레인 단자가 연결되며 소스 단자는 접지에 연결되는 제6 트랜지스터(Q6)와;

   상기 제5 트랜지스터(Q5)의 드레인 단자에 일단이 연결되는 제 2커패시터(C2)와;

   상기 제 2커패시터(C2)의 타단에 일차측 코일의 일단이 연결되는 주 트랜스 포머(T2)와;

   상기 주 트랜스포머(T2) 일차측 코일의 타단과 상기 제5 트랜지스터(Q5)의 소스 단자 사이에 직렬연결 되는 제2 인덕터(L2); 및

   상기 여진주파수 제어부(400)에서 입력되는 신호에 따라 상기 제5, 제6 트랜지스터(Q5, Q6)의 게이트 단자에 서로대칭이 되는 여진전압을 인가하는 방형파 여진기(K)로 구성되는 것을 특징으로 하는 섬광램프 점등용 충전회로.

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