KR100660041B1

KR100660041B1 - 공진형 유도가열 조리기

Info

Publication number: KR100660041B1
Application number: KR1020050039541A
Authority: KR
Inventors: 이영수
Original assignee: 이영수
Priority date: 2005-05-12
Filing date: 2005-05-12
Publication date: 2006-12-20
Also published as: KR20060116927A

Abstract

본 발명은 공진형 유도가열 조리기에 관한 것이다. 본 발명은 일반 발진소자로서 발진회로를 구성하여 공진시정수가 변동하더라도 그에 따라 발진 위상을 자동적으로 정확히 조절함과 동시에, 기 설정된 최고주파수와 최저주파수 사이에서 발진주파수를 임의로 변경하며, 또 하프-브리지 전용소자(IC)보다 소자 이용 효율을 향상시킨 공진형 유도가열 조리기를 제공한다.

유도가열, 발진, 공진시정수, 발진주파수, 조리기, 스위칭 소자.

Description

공진형 유도가열 조리기{Induction cooker for resonance type}

도 1은 본 발명에 의한 공진형 유도가열 조리기의 회로 구성을 나타내는 도면이다.

도 2는 도 1에 도시된 발진소자(13)의 본 발명에 의한 동작상태를 나타내는 그래프이다.

도 3은 도 1에 도시된 발진소자(13)의 진리치표이다.

도 4는 종래 하프-브리지형 전용소자(IC)를 채용한 공진형 유도가열 조리기의 회로 구성을 나타내는 도면이다.

도 5는 도 4에 도시된 전용소자(103)의 상세 회로도이다.

[도면의 주요 부분에 대한 간단한 부호의 설명]

3 바렉터 다이오드, 13 발진소자,

26 전력소자(IGBT), 17 위상비교기,

23 워크코일, 24 조리용기,

22 공진 캐패시터, 25 버퍼.

본 발명은 공진형 유도가열 조리기에 관한 것으로서, 특히 워킹코일과 공진 캐패시터의 병렬 공진회로에 공진전압을 공급하는 스위칭 소자의 온/오프를 제어하는 발진회로를 일반 발진소자를 이용하여 구성하는 공진형 유도가열 조리기에 관한 것이다.

일반적으로, 공진형 유도가열 조리기의 발진회로에서 가장 중요한 요소는, 발진 위상이 워크코일과 공진콘덴서의 병렬 조합에 의해 결정되는 공진시정수에 따라 자동적으로 조절되는 것이다. 비록, 워크코일의 L값과 공진콘텐서의 C값이 일정하다고 하더라도, 부하, 예컨대 조리용기의 상태, 재질, 높낮이, 밑면적, 온도 등에 따라 공진시정수가 수시로 변한다.

또한, 공진형 유도가열 조리기의 출력제어는 발진주파수를 변경시키는 방법을 사용하는데, 발진주파수를 높이면 출력이 감소하고, 반대로 발진주파수를 낮추면 출력이 증가한다. 유도가열 조리기에서 일반적으로 사용하는 주파수는 대략 20Khz~40Khz 범위이다

통상, 유도가열 조리기는 1석식 공진형과 2석식 하프-브리지형의 2가지 방식이 있다. 1석식 공진형 유도가열 조리기는 2석식 하프-브리지 방식에 비해 경제적이기는 하지만, 발진부가 대체로 개별부품(DISCRETE)으로 구성되어 있어, 회로가 복잡하고 생산성과 신뢰성이 떨어진다는 단점이 있었다. 이러한 단점을 해결한 것이 2석식 하프-브리지형 유도가열 조리기로서, 발진회로에 2석식 하프-브리지형 전용소자(IC)가 채용되어 사용되고 있었다.

또한, 보다 단순하고 간편한 1석식 공진형 유도가열 조리기의 발진부를 구성 하기 위해, 2석식 하프-브리지형 유도가열 조리기에만 사용되고 있는 전용소자(IC)를 활용하여 1석식 공진형 유도가열 조리기에 적용한 선행 고안(도 4 및 도 5)이 개발되어 사용되고 있다. 그 결과, 1석식 공진형 유도가열 조리기의 발진회로도 매우 간편해진 상태이다.

도 4는 종래 하프-브리지형 전용소자(IC)를 채용한 공진형 유도가열 조리기의 회로 구성을 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 전용소자(103)의 상세 회로도이다.

그러나. 도 4에 도시된 바와 같이, 하프-브리지형 전용소자(103)의 하측 드라이버(Q)만 사용하고, 상측 드라이버(VS, /Q, VB)는 오픈(open)하여 사용하지 않고 있다. 즉, 발진회로를 구성하는 전용소자(103)의 출력부가 '상측'과 '하측' 2부분으로 구성되어 있지만, 종래의 공진형 유도가열 조리기에서는 발진회로의 '하측' 출력부 하나만 사용함으로써, 소자 이용율이 떨어진다는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 일반 발진소자로서 발진회로를 구성하여 공진시정수가 변동하더라도 그에 따라 발진 위상을 자동적으로 정확히 조절할 수 있는 공진형 유도가열 조리기를 제공하는데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 일반 발진소자로서 발진회로를 구성하여 발진주파수를 변경할 수 있는 공진형 유도가열 조리기를 제공하는데 있다.

그리고, 본 발명의 또 다른 목적은, 하프-브리지 전용소자(IC)보다 소자 이용 효율을 향상시킨 공진형 유도가열 조리기를 제공하는데 있다.

본 발명의 상기 및 그 이외의 목적, 특징, 양상 및 이점은 첨부된 도면과 결합되는 다음의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.

본원에 있어서 개시되는 발명중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면, 이하와 같다.

상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 공진형 유도가열 조리기에 있어서,소정의 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 전원공급부에서 전원이 공급되어 유도 가열하는, 워크코일과 공진 캐패시터로 구성되는 가열부와; 상기 전원공급부에서 상기 가열부로 공급되는 전원을 온/오프 제어하는, 버퍼와 스위칭 소자로 구성되는 스위칭부와; 상기 스위칭부의 스위칭 소자를 제로 전압 스위칭하는 발진신호를 생성하여 출력하는, 발진소자로 구성되는 스위칭 발진부와; 상기 스위칭 소자의 온/오프에 따라 상기 스위칭 발진부의 발진소자를 트리거하는, 비교기와 저항으로 구성되는, 위상검출부와; 상기 스위칭 발진부의 발진소자 동작을 안정화시키는, 저항과 캐패시터로 구성되는 지연부와; 상기 스위칭 발진부를 리셋시키는, 트랜지스터 및 저항으로 구성되는 리셋부 및, 상기 스위칭 발진부에서 출력되는 최고주파수와 최저주파수 사이에서 발진주파수를 설정하는, 가변전원, 저항, 정전용량 다이오드, 제1 및 제2 캐패시터 및, VCC측 저항으로 구성되는 발진주파수 설정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 스위칭 발진부는, 상기 위상검출부 및 상기 지연부의 신호가 공급되는 입력단자, 상기 리셋부의 신호가 공급되는 입력단자 및 상기 발진주파 수 설정부의 신호가 공급되는 입력단자와, 상기 스위칭부의 버퍼로 신호가 출력되는 출력단자를 구비하는 발진소자로 구성되는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 스위칭 소자는, 전력소자(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 위상검출부의 출력은, 'L'상태일 때마다 다이오드에 의해 캐패시터의 전하가 주기적으로 빠져 나가, 상기 발진소자의 입력단자의 전압이 무릅전압 이하 상태로 유지되는 것을 특징으로 한다.

게다가, 상기 발진주파수 설정부의 정전용량 다이오드의 용량을 C3, 제1 캐패시터의 용량을 C4, 제2 캐패시터의 용량을 C5라 하는 경우, 최고주파수는 C5에 의해 결정되고, 최저주파수는 제1 및 제2 캐패시터의 합성용량인 C34 = 1/(1/C3 + 1/C4)에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 의한 공진형 유도가열 조리기의 회로 구성을 나타내는 도면, 도 2는 도 1에 도시된 발진소자(13)의 동작상태를 나타내는 그래프, 도 3은 도 1에 도시된 발진소자(13)의 진리치표이다.

도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 공진형 유도가열 조리기에 있어서, 전원공급부(100)와; 가열부(200)와; 스위칭부(300)와; 스위칭 발진부(400)와; 위상검출부(500)와; 지연부(600)와; 발진주파수 설정부(800) 및 리셋부(700)를 포함하고 있다. 먼저, 도 3에 도시된 발진소자(13)의 진리치표에 있어서, 그 상세는 다음과 같이 약칭한다. 즉, L:LOW, H:HIGH, X:DON'T CARE(무관),↑:LOW→HIGH, ↓:HIGH→LOW, ∏:펄스 출력이다.

상기 전원공급부(100)는, 소정의 전원(14), 바람직하게는 직류전원을 상기 가열부(200)로 공급하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 가열부(200)는, 워크코일(23)과 공진 캐패시터(22)로 구성되는 공진회로로 구성되며, 예건태 상기 전원공급부(100)에서 공급되는 전압을 받아 조리용기(24)를 유도 가열한다.

또, 상기 스위칭부(300)는, 버퍼(25)와 스위칭 소자(26), 예건대 전력소자(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)로 구성되며, 상기 전원공급부(100)에서 상기 가열부(200)로 공급되는 전원을 온/오프 제어하여 공진전압을 생성하여 상기 가열부(200)로 공급한다.

또한, 상기 스위칭 발진부(400)는, 상기 위상검출부(500) 및 상기 지연부(600)의 신호가 공급되는 입력단자(/R), 상기 리셋부(700)의 신호가 공급되는 입력단자(A) 및 상기 발진주파수 설정부(800)의 신호가 공급되는 입력단자(CxRx)와, 상기 스위칭부(300)의 버퍼(25)로 신호가 출력되는 출력단자(Q)를 구비하는 발진소자(13)로 구성되며, 상기 스위칭부의 스위칭 소자(26)를 제로 전압 스위칭하는 발진신호를 생성하여 상기 버퍼(25)를 통해 상기 스위칭 소자(26)로 공급한다.

또, 상기 위상검출부(500)는, 반전 입력단전압(V1)과 비반전 입력단전압(V2)이 입력되는 비교기(17)와, 상기 반전 입력단전압(V1)과 비반전 입력단전압(V2)을 설정하는 저항(18~21)으로 구성되며, 상기 스위칭부(300)의 온/오프에 따라 상기 스위칭 발진부(400)의 발진소자(13)를 트리거한다. 또한, 상기 위상검출부(500)의 출력은, 'L'일때마다 다이오드(10)에 의해 캐패시터(12)의 전하가 주기적으로 빠져 나가, 상기 발진소자(13)의 입력단자(A)의 전압이 무릅전압 이하 상태로 유지되게 된다.

또한, 상기 지연부(600)는, 저항(11)과 캐패시터(12)로 구성되며, 상기 스위칭 발진부(400)에서 발진소자(13)의 입력단자(/R)와 입력단자(A)가 'L'상태에서 공시에 'H'상태로 될때 발생할 수 있는 동작 불안정현상을 방지한다.

게다가, 상기 발진주파수 설정부(800)는, 발진주파수를 설정하는 가변전원(1), 저항(2), 정전용량 다이오드(3), 제1 및 제2 캐패시터(4, 5) 및 VCC측 저항(6)으로 구성되며, 상기 정전용량 다이오드(3)의 용량을 C3, 제1 캐패시터(4)의 용량을 C4, 제2 캐패시터(5)의 용량을 C5라 하는 경우, 최고주파수는 C5에 의해 결정되고, 최저주파수는 제1 및 제2 캐패시터의 합성용량인 C34 = 1/(1/C3 + 1/C4)에 의해 결정된다. 또한, 상기 가변전원(1)을 이용하여 최고주파수와 최저주파수 사이에서 임의의 발진주파수를 설정한다. 여기서, 상기 정전용량 다이오드(3)로는 바렉터 다이오드를 사용하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 리셋부(700)는, 트랜지스터(7) 및 저항(8)으로 구성되어, 상기 스위칭 발진부(400)의 발진소자(13)를 리셋시킨다.

이와 같이 구성되는 본 발명의 동작에 대해서 설명하면, 아래와 같다.

가) 리셋(Reset)

최초에, 온/오프(ON/OFF) 트랜지스터(7)의 베이스를 'H(HIGH)'로 하면 콜렉터가 'L(LOW)'이 되어 스위칭 발진부(400)의 발진소자(13)가 리셋(무동작) 상태로 된다. 이때, 발진소자(13)의 입력단자(A) 또는 입력단자(/B)가 어떤 상태를 갖더라도 발진소자(13)의 출력단자(Q)는 'L' 상태를 취하기 때문에, 발진은 정지된 상태로 되고, 이것은 도 3에 도시된 진리치표에서 논리번호 1에 해당한다.

도 3에 도시된 진리치표 중 본 발명에서 사용하는 논리번호는 1번, 4번 및 5번이며, 논리번호 2번 및 3번은 전혀 사용하지 않는다.

나) 스타트업(Start up)

상기 스위칭 발진부(400)의 발진소자(13)가 리셋 상태일때, 입력단자(/B)가 갖는 논리값은 'H'가 되도록 해야 한다. 그 이유는, 논리번호 5번의 조건을 갖추기 위함이다. 논리번호 5번 조건은, 리셋 상태로부터 최초 스타트업 할 때 한번만 동작하며, 그 이후로는 논리번호 4번 조건에 의해 연속적인 발진동작이 진행된다.

상기 발진소자(13)의 입력단자(/B)가 'H'값을 갖기 위해서는 위상검출부(500)의 위상비교기(17)의 출력이 'H'상태가 되어야 한다. 이렇게, 위상비교기(17)의 'H'상태가 되기 위해서는, 비반전 입력단전압(V2)이 반전 입력단전압(V1)보다 약간 높게 되도록 분배저항(18,19,21,20)들의 값이 설정된다. 또, 위상검출부(500)의 위상비교기(17)와 리셋부(700)의 온/오프 트랜지스터(7)의 출력은 오픈 콜렉터(OPEN COLLECTOR)이기 때문에, 풀업(PULL UP)저항(8, 16)을 필요로 한다.

논리번호 5번 조건에 의해 행해지는 스타트업은 다음과 같다. 먼저, 전술한 바와 같이, 리셋 상태에서 입력단자(/R)은 'L' 상태, 입력단자(/B)는 'H'상태에 있다. 이때, 리셋부(700)의 온/오프 트랜지스터(7)를 오프시켜 리셋 상태를 해제하면, 우선 입력단자(/R)이 'H'상태가가 되고, 잠시 후에 입력단자(A)도 'H'상태가 가 되어, 출력단자(Q)측에 1개의 펄스가 출력된다.

이때, 입력단자(A)가 잠시 후에 'H'상태로 되는 이유는 온/오프 트랜지스터(7)가 오프되어, 다이오드(9)를 통해 빠져나가는 전류가 없더라도 지연부(600)의 저항(11)을 통해 캐패시터(12)가 무릎전압까지 충전되는데는 시간이 걸리기 때문이다.

이와 같이, 입력단자(A)를 입력단자(/R)보다 지연(DELAY)시켜 'H'상태가 되도록 하는 이유는, 만일 입력단자(A)와 입력단자(/R)가 동시에 'H'상태가 되면, 발진소자(13)의 동작이 불안정해질 수 있기 때문이다.

다) 연속발진(RUN)

상기 스타트업 동작에 의해 1개의 펄스가 상기 발진소자(13)에서 상기 스위칭부(300)로 출력된 이후에는 연속적으로 발진하게 된다. 연속발진은 도 3에 도시된 논리번호 4번 조건에 의해 달성된다.

연속발진 동작을 이해하기 위해서는, 위상비교기(17)가 행하는 위상변별 동작을 살펴 보아야 하며, 여기에서는 위상비교기(17)의 출력을 편의상 위상출력(PH)이라 부르기로 한다.

우선, 스위칭 발진부(400)에 있어서, 발진소자(13)의 출력단자(Q)가 'H'상태가 되면 버퍼(25)를 통해 전력소자(IGBT)(26)가 턴온되고, 발진소자(13)의 출력단자(Q)가 'L'로 되면 전력소자(26)는 턴오프된다.

다음에, 전력소자(26)가 턴온되면 공진전압은 제로에 가깝게 되고, 가열부(200)의 워크코일(23)과 공진 캐패시터(22)의 병렬회로에 전원(14)의 전류가 흘러 에너지가 축적되는데, 이때의 상기 위상비교기(17)의 위상출력(PH)은 'L'상태를 유지하게 된다.

반면에, 전력소자(26)가 턴오프되면 가열부(200)의 워크코일(23)과 공진 캐패시터(22)의 병렬회로에 공급되는 전원(14)의 전류가 차단되고, 워크코일(23) 자체에서 발생한 역기전력이 공진 캐패시터(22)를 충전시키면서, 이로 인한 공진전압이 사인파 형태로 약 1,000V 이상 올라가는데, 이때 위상비교기(17)의 위상출력(PH)은 'H'상태가 된다. 공진전압이 상사점까지 상승했다가 하강하기 시작하여 제로 부근에 근접한 순간 위상비교기(17)의 위상출력(PH)은 'H'상태에서 'L' 상태로 천이하게 되며, 이때 전력소자(26)는 재차 턴온된다.

이상과 같은, 상기 위상비교기(17)의 위상변별 동작을 바탕으로 하여 연속발진 동작을 살펴보면 다음과 같다.

연속발진 동작은, 전술한 바와같이 논리번호 4번 조건에 의해 이루어진다. 논리번호 4번 조건에서 입력단자(/R은) 'H'상태, 입력단자(A)는 'L'상태로 되어야 한다. 이때, 입력단자(/R)은 리셋이 해제된 상태이기 때문에 당연히 'H' 상태로 되지만, 입력단자(A)는 위상비교기(17)의 위상출력(PH)이 'L'일때마다 다이오드(10)에 의해 캐패시터(12)의 전하가 주기적으로 방출되어, 무릅전압 이하 상태로 유지되기 때문에, 저항(11)이 있음에도 불구하고 'L'상태가 유지된다. 즉, 다이오드(10)의 펌프작용에 의해 입력단자(A)가 'L' 상태로 유지될 수 있다.

이 상태(입력단자 /R='H', A='L')에서 위상비교기(17)의 위상출력(PH)이 'H'에서 'L'상태로 전환되는 순간, 발진소자(13)는 출력단자(Q)를 통해 다시 1개의 펄 스를 출력한다. 이 펄스가 전력소자(26)를 턴온시키면, 위상비교기(17)의 위상출력(PH)은 다시 'H'상태로 되었다가, 전력소자(26)가 턴오프되고, 공진전압이 제로점 부근까지 하강하면 위상출력(PH)은 다시 'L'상태로 전환되어 발진소자(13)를 트리거 한다. 이와 같은 일련의 연속발진 동작이 수행되는 것이다.

라) 출력조절(발진주파수 변경)

일반적으로, 유도가열 조리기의 출력을 결정하는 요소는 발진주파수이다. 발진주파수를 높이면 워크코일(23)과 공진 캐패시터(22)의 병렬접속으로 구성된 공진회로에 축적되는 에너지가 줄어들어 출력이 감소하고, 반대로 발진주파수를 낮추면 축적 에너지가 증가하여 출력이 상승한다. 본 발명의 발진회로에 적용한 발진소자(13)의 발진주파수는 상기 발진소자(13)의 입력단자(CxRx)에 접속된 VCC측 저항(6), 정전용량 다이오드(3), 제1 및 제2 캐패시터(4, 5)의 합성용량에 의해 결정된다. 그러나, VCC측 저항(6)은 값이 고정되어 있으므로, 실질적인 발진주파수는 정전용량 다이오드(3), 제1 및 제2 캐패시터(4, 5)의 합성용량에 의해 정해진다.

정전용량 다이오드(3)는 일명 바렉터다이오드라고도 하는데, 캐소드측 인가 전압이 높으면 용량값이 감소하고, 인가 전압이 낮으면 용량값이 증가하는 특성을 갖고 있다. 따라서, 본 발명에서는 발진주파수 변경을 정전용량 다이오드(3)의 바렉터 특성을 이용하고자 한다.

가변전원(1)은, 정전용량 다이오드(3)의 용량값을 변경시키기 위한 전압원인데, 내부 임피던스가 매우 낮기 때문에, 저항(2)을 통해서 정전용량 다이오드(3)에 접속해 주어야 한다. 정전용량 다이오드(3)의 용량을 C3이라 하고, 제1 캐패시터 (4)의 용량을 C4라 하고, 제2 캐패시터(5)의 용량을 C5라 하고, 상기 C3과 C4의 합성용량을 C34라 하고, 전체용량을 Cx라 하면, C34 = 1/(1/C3 + 1/C4), Cx = C34 + C5 이다.

그러면, 이들 합성용량(C34)과 전체용량(Cx)이 발진주파수 결정에 어떻게 작용하는지 살펴 보기로 한다. 우선 가변전원(1) 전압이 최고일때 C3값은 무시할 수 있는 수준으로 적어지기 때문에, Cx≒C5로 볼 수 있으며, 이때 발진주파수는 최고가 된다. 즉, C5는 유도가열 조리기의 최고주파수를 결정한다.

다음에, 가변전원(1)의 전압이 최저일때 C3값은 최고가 되어 합성용량(C34)은 C5의 수배까지 증가하고, 이때의 발진주파수는 최저가 된다. 즉, C34는 유도가열 조리기의 최저주파수를 결정한다.

이와 같이 최고주파수와 최저주파수가 정해지면, 가변전원(1)을 조절하여 최고주파수와 최저주파수 사이에서 임의의 주파수를 선택함으로서, 결국 유도가열 조리기의 출력이 조절된다.

이상, 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전용소자가 아닌 일반 발진소자를 이용하여 발진회로를 구성함으로써, 공진시정수가 변동하더라도 그에 따라 발진 위상을 자동적으로 정확히 조절할 수 있고, 또 최고발진주파수와 최저발진주파수 사이에서 발진주파수를 임의로 변경할 수 있다는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 일반 발진소자를 이용하여 발진회로를 구성하기 때문에, 하프-브리지 전용소자(IC)보다 소자의 이용 효율을 향상시킬수 있다는 효과 도 있다.

Claims

공진형 유도가열 조리기에 있어서,

소정의 전원(14)을 공급하는 전원공급부(100)와;

상기 전원공급부(100)에서 전원이 공급되어 유도 가열하는, 워크코일(23)과 공진 캐패시터(22)로 구성되는 가열부(200)와;

상기 전원공급부(100)에서 상기 가열부(200)로 공급되는 전원을 온/오프 제어하는, 버퍼(25)와 스위칭 소자(26)로 구성되는 스위칭부(300)와;

상기 스위칭부의 스위칭 소자(26)를 제로 전압 스위칭하는 발진신호를 생성하여 출력하는, 발진소자(13)로 구성되는 스위칭 발진부(400)와;

상기 스위칭 소자(26)의 온/오프에 따라 상기 스위칭 발진부(400)의 발진소자(13)를 트리거하는, 비교기(17)와 저항(18~21)으로 구성되는, 위상검출부(500)와;

상기 스위칭 발진부(400)의 발진소자(13) 동작을 안정화시키는, 저항(11)과 캐패시터(12)로 구성되는 지연부(600)와;

상기 스위칭 발진부(400)를 리셋시키는, 트랜지스터(7) 및 저항(8)으로 구성되는 리셋부(700) 및;

상기 스위칭 발진부(400)에서 출력되는 최고주파수와 최저주파수 사이에서 발진주파수를 설정하는, 가변전원(1), 저항(2), 정전용량 다이오드(3), 제1 및 제2 캐패시터(4, 5) 및 VCC측 저항(6)으로 구성되는 발진주파수 설정부(800)를 포함하 는 것을 특징으로 하는 공진형 유도가열 조리기.
제 1 항에 있어서,

상기 스위칭 발진부(400)는, 상기 위상검출부(500) 및 상기 지연부(600)의 신호가 공급되는 입력단자(/B, A), 상기 리셋부(700)의 신호가 공급되는 입력단자(/R) 및 상기 발진주파수 설정부(800)의 신호가 공급되는 입력단자(CxRx)와, 상기 스위칭부(300)의 버퍼(25)로 신호가 출력되는 출력단자(Q)를 구비하는 발진소자(13)로 구성되는 것을 특징으로 하는 유도가열 조리기.
제 1 항에 있어서,

상기 스위칭 소자(26)는, 전력소자(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)인 것을 특징으로 하는 유도가열 조리기.
제 1 항에 있어서,

상기 위상검출부(500)의 출력은, 'L'상태일 때마다 다이오드(10)에 의해 캐패시터(12)의 전하가 주기적으로 빠져나가, 상기 발진소자(13)의 입력단자(A)의 전압이 무릅전압 이하 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 유도가열 조리기.
제 1 항에 있어서,

상기 발진주파수 설정부(600)의 정전용량 다이오드(3)의 용량을 C3, 제1 캐 패시터(4)의 용량을 C4, 제2 캐패시터(5)의 용량을 C5라 하는 경우, 최고주파수는 C5에 의해 결정되고, 최저주파수는 제1 및 제2 캐패시터의 합성용량인 C34 = 1/(1/C3 + 1/C4)에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 유도가열 조리기.