KR100649358B1 - 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법 - Google Patents

페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100649358B1
KR100649358B1 KR1020040092208A KR20040092208A KR100649358B1 KR 100649358 B1 KR100649358 B1 KR 100649358B1 KR 1020040092208 A KR1020040092208 A KR 1020040092208A KR 20040092208 A KR20040092208 A KR 20040092208A KR 100649358 B1 KR100649358 B1 KR 100649358B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
compound
organic solvent
derivative
preparing
Prior art date
Application number
KR1020040092208A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060045182A (ko
Inventor
김준섭
조동옥
Original Assignee
(주)유케이케미팜
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)유케이케미팜 filed Critical (주)유케이케미팜
Priority to KR1020040092208A priority Critical patent/KR100649358B1/ko
Publication of KR20060045182A publication Critical patent/KR20060045182A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100649358B1 publication Critical patent/KR100649358B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/22Sulfonamides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by singly-bound oxygen atoms
    • C07C311/29Sulfonamides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by singly-bound oxygen atoms having the sulfur atom of at least one of the sulfonamide groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C311/00Amides of sulfonic acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfo groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C311/15Sulfonamides having sulfur atoms of sulfonamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C07C311/16Sulfonamides having sulfur atoms of sulfonamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings having the nitrogen atom of at least one of the sulfonamide groups bound to hydrogen atoms or to an acyclic carbon atom

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 페녹시아세트아미드 유도체를 간단한 반응 공정을 통해 높은 수율로 얻을 수 있는 제조 방법에 관한 것으로, 가격이 매우 저렴한 할로 디에스테르를 출발 물질로 하여 페놀 화합물로부터 화학식 5의 페녹시아세테이트 유도체를 제조하고, 이로부터 화학식 7의 펜에틸아민 유도체 화합물을 제조한다.
[화학식 5]
Figure 112004052449417-pat00001
[화학식 7]
Figure 112004052449417-pat00002
위 화학식에서 R은 수소 또는 저급알킬을 나타낸다.
페녹시아세트아미드 유도체, 펜에틸아민 유도체, 할로 디에스테르.

Description

페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법{PROCESS FOR PREPARING PHENOXYACETAMIDE DERIVATIVES}
본 발명은 페녹시아세트아미드 유도체를 간단한 반응 공정을 통해 높은 수율로 얻을 수 있는 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 페놀 화합물로부터 페녹시아세테이트 유도체를 제조하고, 이로부터 펜에틸아민 유도체 화합물을 제조하는 방법에 관련된다.
페녹시아세트아미드 유도체로부터 제조되는 펜에틸아민 유도체 화합물 중에서 탐술로신(Tamsulosin; 5-[(2R)-2-[[2-(2-ethoxyphenoxy)ethyl]amino]propyl]-2-methoxybenzenesulfonamide)는 양성 전립선 비대, 항고혈압 및 울혈성 심부전의 치료제로 유용하게 사용되는 화합물이다.
이들 페녹시아세트아미드 유도체 화합물을 제조하는 종래의 방법은 일본특허 제2295967호 및 일본특허 제2306958호에 개시되어 있는데, 다음 반응식 1에 나타낸 바와 같이 할로아세트아미드 화합물을 알콕시페놀 유도체 화합물과 반응시켜 제조하고 있다.
Figure 112004052449417-pat00003
그러나, 상기 방법은 알콕시페놀 유도체 화합물이 할로아세트아미드 화합물의 설폰아미드기와도 반응할 수 있어 원하지 않는 부산물이 생길 수 있으므로(Jerry March., Advanced Organic Chemistry, 3rd ed., P 378) 그 수율이 매우 낮아진다는 문제점이 있다.
한편, 대한민국 특허공개 제2002-0085278호에서는 다음 반응식 2에 나타난 바와 같이, 긴 반응공정을 통해 아지리딘을 수소화 반응시켜 펜에틸아민 유도체 화합물을 제조하는 방법을 예시하고 있다.
Figure 112004052449417-pat00004
그러나, 이 방법에서는 아지리딘의 수소화 반응시에 목적 생성물과는 전혀 다른 부산물이 생길 수 있으며, 그 부산물과 원하는 화합물의 분리가 어렵다는 문제점이 있다.
이와 같은 종래 방법의 문제점을 고려할 때, 페톡시아세트아미드 유도체 화합물을 제조하는 과정에서 반응 단계를 줄이고, 부반응을 억제하여 공정 수율을 극대화할 수 있는 페녹시아세트아미드 유도체의 새로운 제조방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명에서는 종래의 문제점을 해결하여, 전체 공정이 간단하고 부반응이 수반되지 않은 경제적인 반응 단계를 통해 페녹시아세트아미드 유도체 및 이로부터 펜에틸아민 유도체 화합물을 고수율로 얻을 수 있는 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는,
화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물을 염기 하에서 반응시켜 화학식 4의 화합물을 제조하고; 그리고
화학식 4의 화합물과 화학식 1의 화합물을 아미드화 반응시켜 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는, 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법을 제공한다.
Figure 112004052449417-pat00005
Figure 112004052449417-pat00006
Figure 112004052449417-pat00007
Figure 112004052449417-pat00008
Figure 112004052449417-pat00009
위 화학식에서, R은 수소 또는 저급 알킬이고, X는 할로겐 또는 술폰기를 나타낸다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는,
화학식 5의 화합물을 탈카르복시화하여 화학식 6의 화합물을 제조하고;
화학식 6의 화합물을 환원하여 화학식 7의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 펜에틸아민 유도체의 제조방법을 제공한다.
[화학식 5]
Figure 112004052449417-pat00010
Figure 112004052449417-pat00011
Figure 112004052449417-pat00012
위 화학식에서, R은 수소 또는 저급 알킬을 나타낸다.
본 발명에서는 가격이 매우 저렴한 할로 디에스테르를 출발 물질로 함으로써, 전체 공정이 간단하고 반응 공정 중 부 반응을 수반하지 않는 경제적인 방법으로 목적 화합물을 제조할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
다음 반응식 3는 본 발명의 방법에 따라 화학식 2의 할로 디에스테르를 출발물질로 하여 화학식 5의 페녹시아세트아미드 유도체와 화학식 7의 펜에틸아민 유도체를 제조하는 전체 반응 공정을 나타낸 것이다.
Figure 112004052449417-pat00013
위 반응식 3 및 아래 반응식 4 내지 7에서 R은 수소 또는 저급 알킬이고, X는 이탈기로서 클로로, 브로모, 요오도와 같은 할로겐 또는 술폰기를 나타낸다.
본 발명에 따른 반응 단계를 각각 살펴보면, 먼저 다음 반응식 4와 같이, 화학식 2의 할로디에스테르 유도체를 화학식 3의 화합물과 염기 하에서 반응시켜 화학식 4a의 알콕시페녹시디에스테르 화합물을 제조한다. 염기는 유기염기로서 트리에틸아민, 피리딘 등의 일반적인 유기염기와, 무기염기로서 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 플루오르화칼륨 등의 일반적인 무기염기를 모두 사용할 수 있다. 반응 용매로는 디클로로메탄, 테트라히드로퓨란, 디옥산, 에틸에테르, 디메틸포름아미드 등의 일반적인 유기용매를 모두 사용할 수 있다. 반응 온도는 -30∼100 ℃가 가능하다.
Figure 112004052449417-pat00014
화학식 4a의 알콕시페녹시디에스테르 화합물은 염기 처리 후 산성화하여 화학식 4의 모노에스테르 화합물을 제조한다.
이어서, 다음 반응식 5에서 보듯이, 화학식 4의 화합물과 화학식 1의 화합물을 염기와 디시클로헥실카르보디이미드(DCC) 존재 하에 유기용매 중에서 아미드화 반응시켜 화학식 5a의 알콕시페녹시설파모일말론산아미드에스테르 화합물을 제조한다. 염기는 유기염기로서 트리에틸아민, 피리딘 등의 일반적인 유기염기와, 무기염기로서 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬 등의 일반적인 무기염기를 모두 사용할 수 있다. 반응 용매로는 테트라히드로퓨란, 디옥산, 에틸에테르, 디메틸포름아미드 등의 일반적인 유기용매를 모두 사용할 수 있다. 반응 온도는 -30∼100 ℃가 가능하다.
Figure 112004052449417-pat00015
위 반응식 5에서 반응물로 사용되는 화학식 1의 화합물은 유럽특허 EP 257785호 및 EP 380144호 등에 개시된 방법에 따라 제조할 수 있다.
화학식 5a의 화합물은 염기 처리 후 산성화하여 화학식 5의 화합물을 제조한다.
다음에, 반응식 6에서와 같이, 화학식 5의 카르복시 화합물을 산 촉매 하에 물 또는 물이 함유된 유기용매 중에서 환류함으로써 탈카르복시화하여 화학식 6의 알콕시페녹시설파모일아미드 유도체 화합물을 제조한다. 탈카르복시화 반응은 테트라히드로퓨란, 에틸에테르 또는 디옥산과 같은 일반적인 유기용매 중에서 염산, 탄산, 황산 등과 같은 일반적인 무기 또는 유기산을 사용하여 이루어질 수 있으며, 반응 온도는 80∼150 ℃가 적당하다.
Figure 112004052449417-pat00016
다음 반응식 7과 같이, 화학식 7의 펜에틸아민 유도체 또는 그의 염산염은 화학식 6의 화합물을 환원함으로 얻을 수 있다. 환원 반응은 테트라히드로퓨란, 에틸에테르 또는 디옥산과 같은 일반적인 유기용매 하에서 수소화리튬과 염소화알루미늄을 첨가하여 반응시키거나, 테트라히드로퓨란, 에틸에테르 또는 디옥산과 같은 일반적인 유기용매 하에서 포스포러스 펜타설피드와 라니 니켈을 첨가하여 반응시키거나, 또는 에탄올, 테트라히드로퓨란, 에틸에테르 또는 디옥산과 같은 일반적인 유기용매 하에서 포스포러스 옥시클로리드와 아연을 첨가하여 반응시킴으로써 수행될 수 있다. 반응 온도는 -30∼100 ℃가 가능하다.
Figure 112004052449417-pat00017
이하, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 따른 제조 방법을 구체적으로 설명한다. 단, 이들 실시예는 본 발명의 예시일 뿐, 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1: 2-(2-에톡시페녹시)-말론산디에스테르(화학식 4a)의 제조
Figure 112004052449417-pat00018
R이 에틸인 화학식 3의 화합물 12.80 g을 상온에서 디메틸포름아미드 60 ㎖에 녹이고 플루오르화칼륨 13.2 g을 적가하였다. 30 분간 교반 후, X가 브롬인 화학식 2의 화합물 25.3 g을 서서히 가하고 상온 내지 60 ℃에서 6 내지 7 시간 동안 교반하였다. 반응이 완결된 후 에테르 500 ㎖로 추출하고 계속해서 물 50 ㎖로 5 회 세척하고, 포화식염수 150 ㎖로 탈수하였다. 탈수된 에테르 용액을 황산나트륨으로 건조하고 여과, 농축하였다. 농축물을 칼럼크로마토그라피하여 순수한 표제화 합물(화학식 4a) 18.7 g(68.2 %)을 얻었다.
1H NMR(CDCl3) δ1.25-1.28(3H, t), 1.29-1.31(3H, t), 1.37-1.42(3H, t), 3.99-4.06(2H, q), 4.02-4.32(4H, m), 5.18(1H, s), 6.79-6.87(2H, m), 6.96-6.99(1H, dd), 7.06-7.09(1H, dd)
실시예 2: 2-(2-에톡시페녹시)-말론산모노에스테르(화학식 4)의 제조
상온에서 85 % 수산화칼륨 1.23 g을 에탄올 40 ㎖에 녹이고 0 ℃로 냉각하였다. 위 실시예 1에서 제조한 화학식 4a의 화합물 5.52 g을 에탄올 40 ㎖에 녹인 용액을 수산화칼륨 용액에 적가하고, 상온에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응이 완결되면 0 ℃에서 6 N 염산을 적가하여 혼합 용액을 산성화시키고 농축하였다. 농축액에 에테르 500 ㎖를 가하고 증류수 100 ㎖로 세척한 후, 다시 포화 식염수 100 ㎖로 탈수하였다. 탈수된 에테르 용액을 황산나트륨으로 건조하고 여과, 농축하여 표제 화합물(화학식 4) 4.5 g(91.8 %)을 얻었다.
실시예 3: 2-(2-에톡시페녹시)-N-[2-(4-메톡시-3-설파모일페닐)-1-메틸에틸]말론산아미드에틸에스테르(화학식 5a)의 제조
Figure 112004052449417-pat00019
위 실시예 2에서 제조한 화학식 4의 화합물 18.63 g을 상온에서 테트라히드 로퓨란 20 ㎖와 디메틸술폭사이드(DMSO) 20 ㎖에 녹이고, 여기에 화학식 1의 화합물 4.6 g과 디시클로헥실카르보디이미드(DCC) 3.4 g을 가하였다. 상온에서 6 시간 교반 후, 0 내지 5 ℃로 냉각하였다. 반응이 완결되면 0 ℃에서 1 N HCl을 반응액에 적가하여 산성화시킨 후 농축하고, 에틸아세트산 300 ㎖로 추출하고 계속해서 물 50 ㎖로 2 회 세척한 다음 포화식염수 50 ㎖로 탈수하였다. 탈수된 에틸아세트산 용액을 황산나트륨으로 건조하고 여과, 농축하였다. 농축물을 칼럼크로마토그라피하여 순수한 표제 화합물(화학식 5a) 6.45 g(21.0 %)을 얻었다.
1H NMR(CD3OD) δ1.17-1.44(9H, d), 2.65-2.84(2H, m), 3.84(3H, s), 4.05-4.11(2H, q), 4.20-4.29(2H, q), 4.91(1H, m), 5.24-5.27(1H, s), 6.84-7.05(4H, m), 7.09-7.13(1H,m), 7.26-7.38(1H, dd), 7.65-7.70(1H, dd)
실시예 4: 2-(2-에톡시페녹시)-N-[2-(4-메톡시-3-설파모일페닐)-1-메틸에틸]아세트-아미드(화학식 6)의 제조
위 실시예 3에서 제조한 화학식 5a의 화합물 5.0 g을 상온에서 메탄올 20 ㎖와 테트라히드로퓨란 10 ㎖에 녹이고, 6 N 수산화나트륨 수용액을 가한 후 40 ℃에서 2 시간 가량 반응시켰다. 반응 후, 유기 용매를 감압 제거하고 진한 염산 수용액을 적가하여 3 시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완결되면 0 ℃에서 포화 중탄산나트륨 수용액을 반응액에 적가하여 중성화시킨 후 농축하고, 에틸아세트산 300 ㎖로 추출하고 계속해서 포화식염수 100 ㎖로 탈수하였다. 탈수된 에틸아세트산 용액을 황산나트륨 으로 건조하고 여과, 농축하였다. 농축물을 칼럼크로마토그라피하 여 순수한 표제 화합물(화학식 6) 3.85 g(92.1 %)을 얻었다.
1H NMR(CDCl3) δ1.12-1.14(3H, d), 1.41-1.43(3H, t), 2.65-2.68(1H,dd), 2.85-2.87(1H, dd), 3.83(3H, s),4.02-4.09(2H, q), 4.24(1H, m), 4.49(1H, s), 6.66(2H, d), 6.71(2H,d), 7.0(2H, m), 7.68(1H, s)
실시예 5: 탐술로신 염산염(화학식 7)의 제조
위 실시예 4에서 제조한 화학식 6의 화합물 42.25 g을 상온에서 테트라히드로퓨란 200 ㎖에 녹이고, 0 ℃에서 수소화리튬 7.16 g과 염소화알루미늄 40.0 g을 적가하였다. 2 시간 동안 환류 교반하고, 반응이 완결되면 0 ℃에서 10 % 수산화나트륨 수용액을 반응액에 적가한 후 셀라이트로 여과하였다. 여과액을 농축하고, 에틸아세트산 300 ㎖로 추출한 후 계속해서 포화식염수 100 ㎖로 탈수하였다. 탈수된 에틸아세트산 용액을 황산나트륨으로 건조하고 여과, 농축하였다. 농축물을 에탄올 300 ㎖에 녹이고 2 M 염산 농도의 에탄올 200 ㎖를 가하여 순수한 표제화합물(화학식 7) 35.71g(77.3 %)을 얻었다.
1H NMR(DMSO-d6) δ1.12-1.14(3H, d), 1.24-1.26(3H, t), 2.65-2.68(1H,dd), 3.27-3.29(1H, dd), 3.39(2H, m), 3.52(1H, m), 3.86(3H, s), 4.02-4.09(2H, q), 4.24(2H, t), 6.87-7.00(4H, m), 7.17(2H,s), 7.26-7.62(3H, m), 9.22(2H, s)
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 제조방법에서는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 가격이 매우 저렴한 할로 디옥산 디에스테르를 출발 물질로 함으로써 제조 가격을 낮추고 부반응을 수반하지 않으며 경제적인 반응 공정을 통해 목적 화합물인 페녹시아세트아미드 유도체 화합물과 펜에틸아민 유도체 화합물을 높은 수율로 제조할 수 있다.

Claims (10)

  1. 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물을 염기 하에서 반응시켜 화학식 4의 화합물을 제조하고; 그리고
    화학식 4의 화합물과 화학식 1의 화합물을 아미드화 반응시켜 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는, 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure 112004052449417-pat00020
    [화학식 2]
    Figure 112004052449417-pat00021
    [화학식 3]
    Figure 112004052449417-pat00022
    [화학식 4]
    Figure 112004052449417-pat00023
    [화학식 5]
    Figure 112004052449417-pat00024
    위 화학식에서, R은 수소 또는 저급 알킬이고, X는 할로겐 또는 술폰기를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서, 화학식 2의 화합물과 화학식 3의 화합물을 유기용매 중에 -30∼100 ℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 화학식 4의 화합물과 화학식 1의 화합물을 염기 하에서 유기용매 중에 -30∼100 ℃에서 아미드화 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 화학식 5의 화합물을 탈카르복시화하여 화학식 6의 화합물을 제조하고;
    화학식 6의 화합물을 환원하여 화학식 7의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 펜에틸아민 유도체의 제조방법.
    [화학식 5]
    Figure 112004052449417-pat00025
    [화학식 6]
    Figure 112004052449417-pat00026
    [화학식 7]
    Figure 112004052449417-pat00027
    위 화학식에서, R은 수소 또는 저급 알킬을 나타낸다.
  5. 제 4 항에 있어서, 화학식 5의 화합물을 산 촉매 하에 탈카르복시화하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 화학식 5의 탈카르복시화 반응이 유기용매 중에 80∼150 ℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 화학식 6의 화합물을 유기용매 하에서 수소화리튬과 염소화알루미늄을 첨가하여 환원 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 화학식 6의 화합물을 유기용매 하에서 포스포러스 펜타설피드와 라니 니켈을 첨가하여 환원 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 4 항에 있어서, 화학식 6의 화합물을 유기용매 하에서 포스포러스 옥시클로리드와 아연을 첨가하여 환원 반응시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 4 항에 있어서, 화학식 6의 화합물의 환원이 -30∼100 ℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020040092208A 2004-11-12 2004-11-12 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법 KR100649358B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040092208A KR100649358B1 (ko) 2004-11-12 2004-11-12 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040092208A KR100649358B1 (ko) 2004-11-12 2004-11-12 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060045182A KR20060045182A (ko) 2006-05-17
KR100649358B1 true KR100649358B1 (ko) 2006-11-28

Family

ID=37149216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040092208A KR100649358B1 (ko) 2004-11-12 2004-11-12 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100649358B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100525493B1 (ko) 2001-02-23 2005-11-02 연성정밀화학(주) 설파모일 치환 페네틸아민 유도체의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100525493B1 (ko) 2001-02-23 2005-11-02 연성정밀화학(주) 설파모일 치환 페네틸아민 유도체의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060045182A (ko) 2006-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009054004A2 (en) Process for the preparation of sorafenib
KR940007746B1 (ko) 치환된 펜에틸아민 유도체의 제조방법
NO331372B1 (no) Fremgangsmate for fremstilling av combretastatiner
JP2010537957A (ja) 新規な化合物及び製造方法
KR101100064B1 (ko) 나프록센의 니트로옥시유도체 제조방법
KR100649358B1 (ko) 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법
JP2771994B2 (ja) プロペン酸誘導体の製造法
JP3241889B2 (ja) シアノアシルシクロプロパン化合物の製造方法とそれに用いる2−シアノアシル−4−ブタノリド化合物
US8097746B2 (en) Method for producing 2-isopropenyl-5-methyl-4-hexen-1-yl 3-methyl-2-butenoate
US5942640A (en) Process for the manufacture of N-(1-cyanoalkyl)-2-phenoxypropionamide derivatives
JPS621392B2 (ko)
CA2295912A1 (en) Process for the preparation of 2-alkylthio benzoic acid derivatives
KR100586664B1 (ko) N-[5-(디페닐포스피노일메틸)-4-(4-플루오로페닐)-6-이소프로필피리미딘-2-일]-n-메틸메탄술폰아미드의 제조방법
WO1999062874A1 (fr) Derives de trifluoro methylthiomethyl benzene et leur procede de production
JP4239473B2 (ja) ピリドン化合物の製造法およびその中間体
CN105189467A (zh) 制备哒嗪酮化合物的方法
KR100466079B1 (ko) 페녹시아세트아미드 유도체의 제조방법
JP4336913B2 (ja) アミド誘導体の製造方法
JP2006298872A (ja) 1−フルオロ−1−フェニルチオエテンの製造方法
JP2003286285A (ja) ピリドン化合物の製造法およびその中間体
KR100596373B1 (ko) 광학적으로 순수한 펜에틸 아민 유도체의 제조방법
CA2381011A1 (en) Method for preparing cyclohexane carboxylic acids
JP2024522900A (ja) イソオキサゾリンカルボン酸誘導体の製造方法
KR100201582B1 (ko) 제초성 피리미딜옥시벤조산 옥심에스테르 유도체의제조방법
TW201833067A (zh) 製備3-取代的2-乙烯基苯基磺酸鹽之方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130218

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141117

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151116

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161117

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181119

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191118

Year of fee payment: 14