KR100646148B1 - Manufacturing method of plasma display panel, manufacturing method of plasma display apparatrus and plasma display panel - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 생산성을 향상시키고, 방전 개시 전압을 저하시켜 비용을 저감시키고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 향상시켜 표시 동작을 안정화시키는 데 있다.An object of the present invention is to improve productivity, lower the discharge start voltage, reduce the cost, and improve the brightness of the plasma display panel to stabilize the display operation.
접합한 전방면 기판 및 배면 기판을 가열로 내에 배치하고, 방전 공간 내의 배기를 개시하는 동시에, 가열을 개시하여 온도(T)가 300 내지 400 ℃에 도달하면, 환원성 가스를 도입을 개시하여 방전 공간 내에 충전한다. 환원성 가스의 도입으로부터 소정 시간 경과 후, 환원성 가스의 배기를 개시한다. 이 환원성 가스의 도입 및 배기에 의해 패널내 표면, 특히 보호막의 표층부에 존재하는 산화마그네슘이 제거된다. 다음에, 산화성 가스를 도입하여 방전 공간(13) 내에 충전한다. 산화성 가스의 도입으로부터 소정 시간 경과 후, 산화성 가스의 배기를 개시한다. 이 산화성 가스의 도입 및 배기에 의해 환원성 가스의 도입에 의한 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 존재하는 수소화물이나 탄소가 산화하여 제거된다. The bonded front and back substrates are arranged in a heating furnace to initiate exhaust in the discharge space, start heating, and when the temperature T reaches 300 to 400 ° C, introduction of reducing gas is initiated to initiate discharge. To charge. After a predetermined time elapses from the introduction of the reducing gas, the exhaust of the reducing gas is started. By introduction and exhaust of this reducing gas, magnesium oxide present in the surface of the panel, especially the surface layer portion of the protective film, is removed. Next, an oxidizing gas is introduced to fill the discharge space 13. After a predetermined time elapses from the introduction of the oxidizing gas, the exhaust of the oxidizing gas is started. By introduction and exhaust of this oxidizing gas, hydrides and carbons present in the surface of the panel by introducing the reducing gas, particularly in the surface layer portion of the protective film 6, are oxidized and removed.
플라즈마 디스플레이 패널, 보호막, 가스 유입구, 가열로, 배면 기판Plasma display panel, protective film, gas inlet, heating furnace, back substrate
Description
도1은 본 발명의 제1 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 중 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정을 설명하기 위한 처리 순서도. 1 is a processing flowchart for explaining a protective film cleaning process and a discharge gas filling process in a method of manufacturing a plasma display panel according to a first embodiment of the present invention.
도2는 상기 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정에 있어서의 시간과 가열 온도 사이의 관계를 나타내는 도면. Fig. 2 is a diagram showing a relationship between time and heating temperature in the protective film cleaning step and the discharge gas encapsulation step.
도3은 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해 이용되는 PDP 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 도면. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a PDP manufacturing apparatus used for manufacturing the plasma display panel.
도4는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 처리 순서도. 4 is a processing flowchart for explaining the method for manufacturing the plasma display panel.
도5는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 개략 구성을 도시하는 사시도. Fig. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of the plasma display panel.
도6은 본 발명의 제2 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 처리 순서도.Fig. 6 is a processing flowchart for explaining a method for manufacturing a plasma display panel as a second embodiment of the present invention.
도7은 본 발명의 제3 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 중 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정에 있어서의 시간과 가열 온도 사이의 관계를 나타내는 도면. Fig. 7 is a diagram showing a relationship between time and heating temperature in the protective film cleaning process and the discharge gas filling process in the method of manufacturing the plasma display panel according to the third embodiment of the present invention.
도8은 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해 이용되는 PDP 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 도면. Fig. 8 shows a schematic configuration of a PDP manufacturing apparatus used for manufacturing the plasma display panel.
도9는 상기 보호막 청정화 공정의 에이징 공정에 있어서의 시간과 전극에 인가하는 인가 전압 사이의 관계를 나타내는 도면. Fig. 9 is a diagram showing a relationship between time in an aging step of the protective film cleaning step and an applied voltage applied to an electrode.
도10은 본 발명의 제4 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 중 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정에 있어서의 시간과 가열 온도 사이의 관계를 나타내는 도면. Fig. 10 is a diagram showing a relationship between time and heating temperature in the protective film cleaning process and the discharge gas filling process in the method of manufacturing the plasma display panel according to the fourth embodiment of the present invention.
도11은 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해 이용되는 PDP 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 도면. Fig. 11 is a diagram showing a schematic configuration of a PDP manufacturing apparatus used for manufacturing the plasma display panel.
도12는 본 발명의 제5 실시예인 플라즈마 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 장치의 구성을 도시하는 블럭도. Fig. 12 is a block diagram showing the structure of a plasma display device manufactured by the method of manufacturing the plasma display device according to the fifth embodiment of the present invention.
도13은 종래 기술을 설명하기 위한 설명도이며, 면방전식 AC형의 플라즈마 디스플레이 패널의 구성을 도시하는 사시도. Fig. 13 is an explanatory diagram for explaining the prior art, and is a perspective view showing the structure of a surface discharge AC type plasma display panel.
도14는 종래 기술을 설명하기 위한 설명도이며, 면방전식 AC형의 플라즈마 디스플레이 패널의 구성을 도시하는 평면도. Fig. 14 is an explanatory diagram for explaining the prior art, and is a plan view showing the structure of a surface discharge AC type plasma display panel.
도15는 종래 기술을 설명하기 위한 설명도이며, 도14의 A-A선에 따른 단면도. FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining the prior art, and taken along line A-A in FIG. 14; FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 전방면 기판(제1 기판)1: front substrate (first substrate)
2 : 유리 기판(절연 기판)2: glass substrate (insulating substrate)
3 : 주사 전극(제1 전극층)3: scan electrode (first electrode layer)
4 : 유지 전극(제1 전극층)4: sustain electrode (first electrode layer)
5 : 투명 유전체층(유전체층)5: transparent dielectric layer (dielectric layer)
6 : 보호막6: protective film
8 : 배면 기판(제2 기판)8: back substrate (second substrate)
11 : 데이터 전극(제2 전극층)11: data electrode (second electrode layer)
13 : 방전 공간13: discharge space
23 : 플라즈마 디스플레이 패널23: plasma display panel
41 : 플라즈마 표시 장치41: plasma display device
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 플라즈마 표시 장치의 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 상세하게는 전방면 기판을 구성하여 MgO로 이루어지는 보호막에 포함되는 불순물을 제거하는 청정화 공정을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 플라즈마 표시 장치의 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널[이하, PDP(Plasma Display Panel)라고도 함]을 주요부로 하여 포함하는 플라즈마 표시 장치는 CRT(Cathode Ray Tube) 디스플레이나 액정 표시 장치 등에 비해 깜빡임이 없고, 표시 콘트라스트비가 커 박형 대화면화가 가능하고, 응답 속도가 빠른 등의 이점을 가져, 최근 대형 평면 텔레비전 수상기나, 정보 처리 기기의 디스플레이로서 이용되고 있다.
이 플라즈마 표시 장치는 방전에 의해 발생한 자외선을 형광체에 조사함으로써 가시광을 취출하여 표시를 행하는 디스플레이이고, 동작 방식에 의해 전극이 유전체로 피복되어 간접적으로 교류 방전의 상태에서 동작시키는 AC형인 것과, 전극이 방전 공간에 노출되어 직류 방전의 상태에서 동작시키는 DC형인 것으로 대략 크게 구별되고, 특히 AC형인 것은 고휘도를 얻을 수 있어 비교적 간단한 구조로 상술한 바와 같은 대화면화가 쉽게 실현 가능하므로 널리 이용되고 있다. 또한, AC형의 플라즈마 디스플레이 패널로서는, 전극 구조의 차이로부터 면방전 방식인 것과, 대향 전극 방식인 것이 제안되어 있다.
이와 같은 AC형의 플라즈마 표시 장치의 주요부를 구성하는 플라즈마 디스플레이 패널은 유리 등의 투명 재료로 이루어지는 전방면 기판과 배면 기판이 대향하도록 배치되어, 양 기판 사이에 플라즈마를 발생시키는 방전 가스 공간이 형성되어 개략 구성되어 있다.
또한, AC형의 플라즈마 표시 장치 중에서, 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서 도13 내지 도15에 도시한 바와 같이 방전 셀(이하, 셀이라고도 함)(101)을 형성하는 상술한 바와 같은 한 쌍의 기판 중 한 쪽의 기판인 전방면 기판(102)의 내면에 수평 방향에 따라서 평행하게 주사 전극(103)과 유지 전극(공통 전극)(104)으로 이루어지는 행 전극을 배치하는 동시에, 다른 쪽 기판인 배면 기판(105)의 내면에 상기 행 전극과 직교하도록 수직 방향에 따라서 데이터 전극(어드레스 전극)(106)으로 이루어지는 열 전극을 배치한 3전극 면방전형 구성의 플라즈마 디스플레이 패널(107)은 전방면 기판(102)에 있어서 행해지는 면방전시에 발생하는 고에너지의 이온에 의한 영향을 억제할 수 있으므로 장기 수명화를 도모할 수 있어 가장 널리 채용되고 있다.
이 3전극 면방전 방식 AC형의 플라즈마 디스플레이 패널(107)은 배면 기판(105)의 데이터 전극(106)과 전방면 기판(102)의 주사 전극(103) 사이에서 표시(발광)해야 할 방전 셀(101)을 선택하는 기입 방전을 행하고, 다음에 전방면 기판(102)의 주사 전극(103)과 유지 전극(104) 사이에서 선택한 셀의 면방전에 의한 유지 방전(표시 방전)을 행하도록 구성되어 있다. 주사 전극(103)과 유지 전극(104)은 전극쌍(115)을 구성하고 있다. 또, 도14 중 부호 116은 방전 갭을 나타내고 있다.
여기서, 주사 전극(103)은 산화 주석이나 ITO(Indium Tin Oxide) 등으로 이루어지는 투명 전극(103a)과 저항치를 작게 하기 위한 Al, Cu, Ag 등으로 이루어지는 버스 전극(103b)으로 이루어져 있다. 또한, 유지 전극(104)은 투명 전극(104a)과 버스 전극(104b)으로 이루어져 있다.
또한, 전방면 기판(102) 및 배면 기판(105)의 투명 절연 기판(108, 109)으로서는, 예를 들어 두께 2 내지 5 ㎜의 저왜곡점 유리나 원료가 저렴한 소다라임유리 등이 이용된다.
또한, 전방면 기판(102)의 내면측에는 주사 전극(103) 및 유지 전극(104)을 덮는 저융점 유리로 이루어지는 투명 유전체층(110)이 형성되어 있다.
또한, 동작 중에 발생하는 방전으로부터 투명 유전체층(110)을 보호하기 위해 이차 전자 방출 계수가 크고, 내스패터성이 우수한 MgO(산화마그네슘) 등으로 이루어지는 보호막(111)이 형성된다. 이 보호막(111)의 형성은 일반적으로 전자 빔 증착 등에 의해 0.5 내지 2 ㎛인 두께로 성막이 행해진다.
또한, 배면 기판(105)의 데이터 전극(106)은 백색 유전체층(112)에 의해 덮여 있다. 또한, 백색 유전체층(112) 상에는 인접하는 방전 셀(101, 101) 사이의 전하의 이동을 제한하여 오등을 방지하기 위해 높이 100[㎛] 내지 150[㎛], 폭 30[㎛] 내지 150[㎛]의 격벽(113)이 형성되어 있다.
격벽(113)에 의해 구획되는 방전 셀(101)의 바닥부나 측부에는 적색, 녹색, 및 청색의 각 형광체층(114r, 114g, 114b)이 배치되고, 전방면 기판(102)의 내면의 상기 각 형광체층에 각각 대향하는 위치에 적색, 녹색 및 청색의 각 컬러 필터층을 배치하도록 구성하여 다색 발광이 가능하게 되어 있다.
여기서, 형광체 재료 중 적색 형광체로서는 (Y, Gd)BO : Eu, (Y, Gd)BO3 : Eu, 녹색 형광체로서는 Zn2SiO4 : Mn, 청색 형광체로서는 BaMgAl10O17 : Eu가 이용된다.
이 3전극 면방전 방식 AC형의 플라즈마 디스플레이 패널(107)의 제조 방법에 대해 설명한다.
전방면 기판(102) 및 배면 기판(105)을 각각 작성한 후, 조립 공정을 실시한다. 즉, 전방면 기판(102)과 배면 기판(105)을 소정의 갭을 두고 서로 대향한 상태에서, 또한 전극쌍(115)의 연장 방향(행 방향)과 데이터 전극(106)의 연장 방향(열 방향)이 서로 직교하도록 배치한다. 여기서, 격벽(113)에 의해 방전 셀(101)이 구획되어 있다.
다음에, 봉착 공정으로 이행한다. 즉, 배면 기판(105)의 주연부에 플리트 글래스를 도포한 후, 전방면 기판(102)과 배면 기판(105)을 부착한 상태에서 가열하고, 플리트 글래스를 녹여 전방면 기판(102)과 배면 기판(105)을 접합하여 패널형으로 한다.
다음에, 배기 공정을 실시한다. 즉, 패널형의 전방면 기판(102) 및 배면 기판(105)을 가열로 내로 도입하는 동시에, 통기관을 거쳐서 전방면 기판(102)과 배면 기판(105) 사이에 형성된 방전 공간과 접속하여 방전 공간 내의 배기를 행하면서 진공 가열을 행한다.
다음에, 팁 오프 공정으로 이행한다. 즉, 방전 공간에 예를 들어 크세논을 포함하는 혼합 희가스로 이루어지는 방전 가스를 20 ㎪ 내지 80 ㎪의 압력으로 도입하여 충전한 후, 통기관을 과열에 의해 팁 온하여 개구단부를 폐색한다. 이와 같이 하여, 방전 공간 내에 방전 가스가 충전된다.
다음에, 에이징 공정을 실시한다. 즉, 방전 셀 내에서 방전을 발생시켜 일정 시간 지속시킴으로써 방전을 안정화시킨다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
그러나, MgO는 흡습성을 갖기 위해 보호막(111) 내에 수산화마그네슘[Mg(OH)2]이나, 탄산마그네슘(MgCO3 등) 등의 불순물을 형성하고 있다.
배기 공정에서 이들 불순물의 대부분이 제거되지만 충분히 제거되지 않고, 특히 보호막(111) 내에 불순물이 잔존해 있으면 방전이 불안정해지므로 에이징을 장시간 행할 필요가 있었다. 이로 인해, 플라즈마 디스플레이 패널의 생산성이 악화된다는 문제가 있었다.
또한, 특히 탄산마그네슘은 제거되기 어려운 데다가, 보호막(111) 내에 불순물로서의 탄산마그네슘이 잔존해 있으면 방전 개시 전압이 높아지므로, 회로의 제조 비용이 비싸지는 문제가 있었다.
이로 인해, 배기 공정의 일부에 방전 공간에 산소를 도입하고, 탄산마그네슘 등의 불순물을 산화물로서 배출하여 보호막을 청정화하는 보호막 청정화 공정을 포함하는 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 2 참조).
또한, 방전 공간에 수소를 도입한 후에 배출하여 보호막(111)의 표층부에 잔존하는 과잉인 산소를 제거하는 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 2 참조).
[특허 문헌 1]
일본 특허 제3412570호 공보
[특허 문헌 2]
일본 특허 제2984015호 공보The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel, a method for manufacturing a plasma display device, and a plasma display panel. More particularly, the present invention relates to a plasma including a cleaning process for removing impurities contained in a protective film made of MgO by forming a front substrate. A method of manufacturing a display panel, a method of manufacturing a plasma display device, and a plasma display panel.
In general, a plasma display device including a plasma display panel (hereinafter also referred to as a plasma display panel (PDP)) as a main part has no flicker and a large display contrast ratio compared to a cathode ray tube (CRT) display or a liquid crystal display. It has been used as a large flat-panel television receiver and a display of an information processing device in recent years because of its advantages such as large screen and fast response speed.
The plasma display device is a display that displays visible light by irradiating ultraviolet light generated by discharge to a phosphor and displays the light. The AC display device is an AC type in which an electrode is covered with a dielectric material and indirectly operated in an alternating discharge state. The DC type which is exposed to the discharge space and operated in the state of direct current discharge is roughly largely classified. Especially, the AC type is widely used because the large screen as described above can be easily realized with a relatively simple structure. Moreover, as an AC type plasma display panel, what is surface discharge system and the counter electrode system is proposed from the difference of an electrode structure.
The plasma display panel constituting the main portion of the AC type plasma display device is disposed so that the front substrate and the back substrate made of a transparent material such as glass face each other, and a discharge gas space for generating plasma is formed between the two substrates. It is composed roughly.
In the AC type plasma display device, one of the pair of substrates described above that forms the discharge cells (hereinafter also referred to as cells) 101 in the plasma display panel as shown in Figs. On the inner surface of the
The three-electrode surface discharge type AC
Here, the
As the
In addition, a transparent
In addition, in order to protect the transparent
In addition, the
Red, green, and
Here, (Y, Gd) BO: Eu, (Y, Gd) BO 3 : Eu as the red phosphor in the phosphor material, Zn 2 SiO 4 : Mn as the green phosphor, and BaMgAl 10 O 17 : Eu as the blue phosphor are used.
A manufacturing method of the three-electrode surface discharge type AC
After each of the
Next, the process proceeds to a sealing step. That is, after the pleat glass is applied to the periphery of the
Next, an exhaust process is performed. That is, the panel-
Next, the process proceeds to a tip off process. That is, after filling and discharging the discharge gas which consists of mixed rare gas containing xenon, for example in the pressure of 20 kPa-80 kPa, the vent pipe is tip-on by overheating and the opening end part is occluded. In this way, the discharge gas is filled in the discharge space.
Next, an aging process is performed. That is, discharge is stabilized by generating a discharge in a discharge cell and continuing for a predetermined time (for example, refer patent document 1).
However, MgO forms impurities such as magnesium hydroxide [Mg (OH) 2 ], magnesium carbonate (MgCO 3, etc.) in the
Most of these impurities are removed in the exhaust process, but they are not sufficiently removed. In particular, when impurities remain in the
In addition, in particular, magnesium carbonate is difficult to remove, and when magnesium carbonate as an impurity remains in the
For this reason, the technique including the protective film cleaning process which introduce | transduces oxygen into a discharge space in a part of exhaust process, and discharges impurities, such as magnesium carbonate, as an oxide and cleans a protective film is proposed (for example, refer patent document 2). ).
Moreover, the technique of removing excess oxygen remaining in the surface layer part of the
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3412570
[Patent Document 2]
Japanese Patent No. 2984015
해결하고자 하는 제1 문제점은, 상기 종래 기술에서는 방전 공간에 단순히 산소를 도입한 후에 배출해도 불순물의 제거 효과가 불충분하고, 장시간의 에이징을 필요로 하여 여전히 생산성이 저하되는 점이다.
또한, 제2 문제점은, 상기 종래 기술에서는 불순물이 충분히 제거되지 않음으로써 방전 개시 전압이 증대해 비용이 상승하는 원인이 되고 있다는 점이다.
특히, 최근에는 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 향상을 위해 크세논의 혼합비를 높이고 있으므로, 그렇지 않아도 방전 개시 전압이 증대하고 있어 더욱 비용이 상승하는 원인이 되고 있다.
또한, 제3 문제점은, 상기 종래 기술에서 방전 공간에 수소를 도입한 경우, 고온에서 수소를 충전하므로 패널내 표면의 물질과 수소가 반응하여 수소화물이 생성되고, 수소화물을 잔존시킨 상태에서 플라즈마 디스플레이 패널로서 완성시키면, 장기간의 사용 중에는 표시 동작 중에 수소가 패널 내에 방출되어 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 저하나, 표시 동작의 불안정화의 원인이 되어 버린다는 점이다.
본 발명은 상술한 사정에 비추어 이루어진 것으로, 생산성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 플라즈마 표시 장치의 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 제1 목적으로 하고 있다.
또한, 방전 개시 전압을 저하시켜 비용을 저감시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 플라즈마 표시 장치의 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 제2 목적으로 하고 있다.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 향상시켜 표시 동작을 안정화시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 플라즈마 표시 장치의 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 제3 목적으로 하고 있다. The first problem to be solved is that in the above conventional technology, even when oxygen is simply introduced into the discharge space and then discharged, the effect of removing impurities is insufficient, and long-term aging is required, and productivity is still lowered.
In addition, the second problem is that in the above conventional technique, since the impurities are not sufficiently removed, the discharge start voltage increases, causing the cost to increase.
In particular, in recent years, the mixing ratio of xenon has been increased to improve the luminance of the plasma display panel. However, even if the discharge ratio is not increased, the cost has increased.
In addition, the third problem is that when the hydrogen is introduced into the discharge space in the prior art, the hydrogen is charged at a high temperature, so that the substance on the surface of the panel reacts with the hydrogen to form hydride, and the plasma remains in the state of remaining hydride. When it is completed as a display panel, hydrogen is released into the panel during the display operation during a long period of use, which causes a decrease in luminance of the plasma display panel and destabilization of the display operation.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide a method for manufacturing a plasma display panel, a method for manufacturing a plasma display device, and a plasma display panel which can improve productivity.
It is a second object of the present invention to provide a method for manufacturing a plasma display panel, a method for manufacturing a plasma display device, and a plasma display panel which can reduce the discharge start voltage to reduce the cost.
A third object of the present invention is to provide a method for manufacturing a plasma display panel, a method for manufacturing a plasma display device, and a plasma display panel capable of improving the brightness of the plasma display panel to stabilize the display operation.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 3 에 기재된 발명은 절연 기판에 제 1 전극층, 유전체층 및 상기 유전체층을 보호하는 보호막이 차례로 형성되어 이루어지는 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극층을 갖고 이루어지는 제 2 기판을 간극을 두고 서로 대향시킨 상태에서 배치하고, 상기 제 1 및 제 2 기판의 주연부를 밀봉하여 방전 공간을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 방전 공간 내에 환원성 가스를 충전하는 제 1 공정과, 상기 방전 공간 내에 상기 환원성 가스에 대체하여 산화성 가스를 충전하는 제 2 공정과, 상기 방전 공간 내에 상기 산화성 가스에 대체하여 방전 가스를 충전하는 제 3 공정을 포함하고, 상기 제 1 공정을 실시한 후에 상기 방전 공간 내에서 방전을 행하게 하는 제 4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 4 에 기재된 발명은 절연 기판에 제 1 전극층, 유전체층 및 상기 유전체층을 보호하는 보호막이 차례로 형성되어 이루어지는 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극층을 갖고 이루어지는 제 2 기판을 간극을 두고 서로 대향시킨 상태에서 배치하고, 상기 제 1 및 제 2 기판의 주연부를 밀봉하여 방전 공간을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 방전 공간 내에 환원성 가스를 충전하는 제 1 공정과, 상기 방전 공간 내에 상기 환원성 가스에 대체하여 산화성 가스를 충전하는 제 2 공정과, 상기 방전 공간 내에 상기 산화성 가스에 대체하여 방전 가스를 충전하는 제 3 공정을 포함하고, 상기 제 2 공정을 실시한 후에 상기 방전 공간 내에서 방전을 행하게 하는 제 5 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 27 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 2 공정에서는 상기 환원성 가스를 배출한 후에 상기 산화성 가스를 충전하고, 상기 제 3 공정에서는 상기 산화성 가스를 배출한 후에 상기 방전 가스를 충전하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 5 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 1 공정에서는 300 ℃ 이상 400 ℃ 이하의 온도 범위에서 상기 환원성 가스를 충전하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 6 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 2 공정에서는 300 ℃ 이상 400 ℃ 이하의 온도 범위에서 상기 산화성 가스를 충전하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 7 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 1 공정과 상기 환원성 가스의 배출을 반복하여 실시한 후에 상기 제 2 공정을 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 8 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 2 공정과 상기 산화성 가스의 배출을 반복하여 실시한 후에 상기 제 3 공정을 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 9 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 서로 대향시킨 상태에서 배치한 상기 제1 및 제 2 기판의 주연부를 밀봉하기 전에 상기 제 1 기판을 환원성 가스에 노출시키는 제 6 공정과, 상기 제 6 공정을 실시한 후에 상기 제 1 기판을 산화성 가스에 노출시키는 제 7 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 10 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 환원성 가스, 상기 산화성 가스 또는 상기 환원성 가스와 상기 산화성 가스 모두는 플라즈마화되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 11 에 기재된 발명은 청구항 9 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 6 공정, 상기 제 7 공정 또는 상기 제 6 공정과 상기 제 7 공정 모두는 300 ℃ 이상 600 ℃ 이하의 온도 범위에서 실시되는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 12 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 보호막은 산화마그네슘으로 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 13 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 환원성 가스는 수소와 희가스의 혼합 가스인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 14 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 산화성 가스는 산소와 희가스의 혼합 가스인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 15 에 기재된 발명은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 3 공정에서는 상기 방전 가스로서 크세논의 체적 혼합비가 25 % 이상인 혼합 희가스를 이용하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 16 에 기재된 발명은 절연 기판에 제 1 전극층, 유전체층 및 상기 유전체층을 보호하는 보호막이 차례로 형성되어 이루어지는 제 1 기판과, 적어도 제 2 전극층이 형성되어 이루어지는 제 2 기판을 간극을 두고 서로 대향시킨 상태에서 배치하고, 상기 제 1 및 제 2 기판의 주연부를 밀봉하여 방전 공간을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 서로 대향시킨 상태에서 배치한 상기 제 1 및 제 2 기판의 주연부를 밀봉하기 전에 상기 제1 기판을 환원성 가스에 노출시키는 제 6 공정과, 상기 제 6 공정을 실시한 후에 상기 제1 기판을 산화성 가스에 노출시키는 제 7 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 17 에 기재된 발명은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 환원성 가스, 상기 산화성 가스 또는 상기 환원성 가스와 상기 산화성 가스 모두는 플라즈마화되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 18 에 기재된 발명은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 6 공정, 상기 제 7 공정 또는 상기 제 6 공정과 상기 제 7 공정 모두는 300 ℃ 이상 600 ℃ 이하의 온도 범위에서 실시되는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 19 에 기재된 발명은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 보호막은 산화마그네슘으로 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 20 에 기재된 발명은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 환원성 가스는 수소와 희가스의 혼합 가스인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 21 에 기재된 발명은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 산화성 가스는 산소와 희가스의 혼합 가스인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 22 에 기재된 발명은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 1 및 제 2 기판의 주연부의 밀봉 후에 방전가스를 충전하는 상기 제 3 공정을 포함하고, 상기 제 3 공정에서는 상기 방전 가스로서 크세논의 체적 혼합비가 25 % 이상인 혼합 희가스를 이용하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 23 에 기재된 발명은 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 제 8 공정과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 회로와 함께 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 하나의 모듈로서 제조하는 제 9 공정과, 화상 신호의 포맷 변환을 행하고, 상기 모듈에 송신하는 인터페이스를 상기 모듈에 전기적으로 접속하는 제 10 공정을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 8 공정에서는 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이 실행되는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 24 에 기재된 발명은 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 제 8 공정과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 회로와 함께 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 하나의 모듈로서 제조하는 제 9 공정과, 화상 신호의 포맷 변환을 행하고, 상기 모듈에 송신하는 인터페이스를 상기 모듈에 전기적으로 접속하는 제 10 공정을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 제 8 공정에서는 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이 실행되는 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 25 에 기재된 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널은 청구항 3 또는 4 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하고 있다.
청구항 26 에 기재된 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널은 청구항 16 에 기재된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하고 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 최량의 형태에 대해 설명한다.
제1 공정에서 환원성 가스의 도입 및 배기 후에 제2 공정에서 산화성 가스의 도입 및 배기를 행함으로써, 보호막 중 불순물을 신속하면서 또한 확실하게 제거하여 에이징 시간을 짧게 할 수 있어 생산성을 향상시킨다는 제1 목적을 실현하였다.
또한, 불순물의 신속하면서 확실한 제거에 의해 방전 개시 전압을 저하시켜 비용을 저감시킨다는 제2 목적을 실현하였다.
또한, 제1 공정에서 환원성 가스의 도입 및 배기 후에 제2 공정에서 산화성 가스의 도입 및 배기를 행함으로써, 환원성 가스의 도입으로 패널내 표면, 특히 보호막의 표층부에 잔존하는 수소화물을 제거하여 방전 공간 내의 수소화물의 잔류에 의한 사용 중 수소의 발생에 의해 휘도의 저하를 초래하는 것을 억제할 수 있고, 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 향상시켜 표시 동작을 안정화시킨다는 제3 목적을 실현하였다.
(제1 실시예)
도1은 본 발명의 제1 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 중 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정을 설명하기 위한 처리 순서도, 도2는 상기 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정에 있어서의 시간과 가열 온도 사이의 관계를 나타내는 도면, 도3은 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해 이용되는 PDP 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 도면, 도4는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 처리 순서도, 또한 도5는 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 개략 구성을 도시하는 사시도이다.
본 예의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서는 도1에 도시한 바와 같이 배기 공정의 일부로서의 보호막 청정화 공정{스텝 SA11 내지 스텝 SA15[스텝 SD16(도4)]}과, 방전 가스 봉입 공정[스텝 SA16, 스텝 SA17(스텝 SD17)]을 보호막이 형성된 전방면 기판과, 배면 기판을 조립하여 봉착한 후에 실행한다. 여기서, 보호막 청정화 공정에서는 방전 공간 내에 환원성 가스를 도입한 후에 산화성 가스를 도입하여 보호막의 청정화를 행한다.
우선, 도5에 도시한 바와 같이 전방면 기판(1)을 제조하기 위해, 유리 기판(2)의 내면에 수평 방향(H)에 따라서 평행하게 투명 전극(3a, 4a)을 형성한다[스텝 SB11(도4)]. 여기서, 투명 전극(3a, 4a)은 산화주석이나 ITO(Indium Tin Oxide) 등으로 이루어져 있다.
다음에, 저항치를 작게 하기 위한 버스 전극(트레이스 전극)(3b, 4b)을 수평 방향(H)에 따라서 투명 전극(3a, 4a)의 하면측에 형성한다(스텝 SB12). 이리하여, 버스 전극(3b, 4b)은 Al, Cu, Ag 등으로 이루어져 있다. 이리하여, 투명 전극(3a, 4a) 및 버스 전극(3b, 4b)으로부터 주사 전극(3) 및 유지 전극(공통 전극)(4)이 형성된다.
다음에, 주사 전극(3) 및 유지 전극(4)을 피복하는 투명 유전체층(5)을 형성한다(스텝 SB13). 여기서, 투명 유전체층(5)은 예를 들어 PbO(산화납) 등의 저융점 유리로 되어 있다.
다음에, 투명 유전체층(5)을 방전으로부터 보호하기 위한 보호막(6)을 형성한다(스텝 SB14). 여기서, 보호막(6)은 MgO(산화마그네슘) 등으로 이루어져 있다. 이리하여, 전방면 기판(1)이 완성된다.
한편, 도5에 도시한 바와 같이 배면 기판(8)을 제조하기 위해 유리 기판(9)의 상면에 수직 방향(V)에 따라서 평행하게 데이터 전극(11)을 형성한다[스텝 SC11(도4)]. 여기서, 데이터 전극(11)은 Al(알루미늄), Cu(구리), Ag(은) 등으로 이루어져 있다.
다음에, 데이터 전극(11)을 피복하는 백색 유전체층(12)을 형성한다(스텝 SC12). 다음에, 백색 유전체층(12) 상에 방전 셀을 구획하기 위해 스트라이프형으로 격벽(14)을 형성한다(스텝 SC13). 격벽(14)은, 예를 들어 광경화 페이스트를 경화시켜 소정의 요철 패턴을 형성한 후, 소성 처리를 실시하여 작성된다.
다음에, 격벽(14, 14) 사이에 형광체층(15)을 형성한다(스텝 SC14). 형광체층(15), 방전 가스의 방전에 의해 발생하는 자외선을 가시광으로 변환하는 적색 형광체층, 녹색 형광체층 및 청색 형광체층으로 분할 도포되어 있다. 이리하여, 배면 기판(8)이 완성된다.
다음에, 전방면 기판(1)과 배면 기판(8)을 100 ㎛ 정도의 갭을 사이에 두고 서로 대향한 상태에서 양 기판(1, 8) 사이에 방전 공간(13)이 형성되도록 접합하여 배치하고, 그 주연부를 예를 들어 플리트 글래스로 이루어지는 밀봉재(17)에 의해 기밀 봉착한다[스텝 SD15(도4)].
다음에, 스텝 SD16으로 진행하여 보호막 청정화 공정으로 이행한다.
이 보호막 청정화 공정에서는, 우선 접합한 전방면 기판(1) 및 배면 기판(8)을 PDP 제조 장치(17) 내로 도입한다.
이 PDP 제조 장치(18)는 도3에 도시한 바와 같이 가열로(19)와, 통기관(21)을 거쳐서 전방면 기판(1)과 배면 기판(8) 사이에 형성된 방전 공간(13)과 접속하여 방전 공간(13) 내의 배기와, 방전 공간(13)에의 환원성 가스, 산화성 가스 및 방전 가스의 도입을 행하기 위한 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)를 갖고 이루어져 있다.
배면 기판(8)을 구성하고 있는 유리 기판(9)에는 소정의 부위에 통기 구멍(9a)이 형성되어 있고, 이 유리 기판(9)의 외측 표면에는 통기 구멍(9a)에 위치 맞춤한 상태에서 통기관(21)이 밀봉 상태하에서 부착되어 있다. 배면 기판(8)에 부착되어 있는 단부와는 반대측의 통기관(21)의 단부는 당초의 상태에서는 개구되어 있고, 이 단부를 거쳐서 통기관(21)이 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)에 접속된다.
접합한 전방면 기판(1) 및 배면 기판(8)을 가열로(19) 내에 배치하고, 통기관(21)을 거쳐서 방전 공간(13) 내의 배기를 개시하는 동시에, 가열을 개시한다[스텝 SA11(도1)].
도2에 도시한 바와 같이 가열을 개시하면(시각 t = t11) 실온으로부터 온도(T)가 상승하기 시작하고, 온도(T)가 300 내지 400 ℃에 도달하면, 통기관(21)을 거쳐서 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)로부터 환원성 가스를 도입을 개시하여(시각 t = t12, 스텝 SA12) 방전 공간(13) 내(패널 내)의 압력을 10 내지 45[㎪]로 한다. 여기서, 환원성 가스로서는 수소와 희가스의 혼합 가스를 이용한다.
다음에, 환원성 가스의 도입으로부터 30 내지 180분 경과 후(t = 시각 t13), 환원성 가스의 배기를 개시한다(스텝 SA13). 이 환원성 가스의 배기는 60 내지 300분 행한다.
이 환원성 가스의 도입 및 배기에 의해 패널내 표면의 보호막(6)의 표층부에 존재하는 탄산마그네슘이 제거된다.
다음에, 통기관(21)을 거쳐서 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)로부터 산화성 가스를 도입하여(시각 t = t14, 스텝 SA14), 방전 공간(13) 내의 압력을 10 내지 45[㎪]로 한다. 여기서, 산화성 가스로서는 산소와 희가스의 혼합 가스를 이용한다.
다음에, 산화성 가스의 도입으로부터 30 내지 180분 경과 후(시각 t = t15), 산화성 가스의 배기를 개시한다(스텝 SA15). 이 산화성 가스의 배기는 60 내지 300분 행한다.
이 산화성 가스의 도입 및 배기에 의해 환원성 가스의 도입에 의한 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 존재하고, 상기 환원성 가스의 도입에 의해 생성된 수소화물이나, 탄소가 산화되어 제거된다.
다음에, 가열을 정지하고 배기하면서 가열로(19) 내의 온도를 실온까지 저하시킨다. 실온으로 복귀하고(시각 t = t16), 또한 방전 가스 공간(13)이 진공으로 배기된 후(시각 t = t17에서), 스텝 SD17(도4)로 진행하여 방전 가스 봉입 공정으로 이행한다. 즉, 방전 가스 공간(13) 내에 방전 가스의 도입을 개시한다(스텝 SA15).
방전 가스의 충전이 종료된 후, 통기관(21)은 과열에 의해 팁 온되고, 개구단부가 폐색된다(스텝 SA16). 이 후, 에이징을 행한다[스텝 SD18(도4)].
이와 같이 하여, 방전 공간(13) 내에 방전 가스가 충전되어 도5에 도시한 바와 같은 플라즈마 디스플레이 패널(23)이 완성된다.
방전 가스로서는, He(헬륨), Ne(네온), Xe(크세논) 등은 단독이거나 또는 혼합되어 이용된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널(23)에 있어서 방전 개시 전압을 측정한 결과, Xe 혼합비가 큰 방전 가스를 이용한 경우에 종래 기술에 의해 제조한 플라즈마 디스플레이 패널에 비해 방전 개시 전압의 대폭적인 저하가 확인되고, 특히 Xe 혼합비 25 % 이상에서 방전 개시 전압의 저하의 비율이 높았다. 예를 들어, Xe 혼합비 30 % 이상의 혼합 희가스를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전 개시 전압이 50 내지 100 V 저감되었다.
이와 같이, 본 예의 구성에 따르면, 방전 공간(13) 내를 배기한 후에 환원성 가스의 도입 및 배기와, 산화성 가스의 도입 및 배기를 행하고 있으므로, 보호막(6)을 구성하는 MgO가 대기에 노출되는 일 없이, 보호막(6) 중의 MgCO3 등의 불순물을 신속하면서 또한 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 에이징 시간을 짧게 할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, MgCO3의 신속하면서 또한 확실한 제거에 의해 방전 개시 전압을 저하시킬 수 있으므로 비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 환원성 가스의 도입 및 배기 후에 산화성 가스의 도입 및 배기를 행하고 있으므로, 환원성 가스의 도입에 의해 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 잔존하는 수소화물을 제거할 수 있다.
따라서, 방전 공간(13) 내(패널 내)의 수소화물의 잔류에 의한 사용 중 수소의 발생에 의해 휘도의 저하를 초래하는 것을 억제할 수 있으므로, 고휘도의 방전을 행하게 할 수 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 동작을 안정화시킬 수 있다.
[제2 실시예]
도6은 본 발명의 제2 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 처리 순서도이다.
본 예가 상술한 제1 실시예와 크게 다른 부분은 환원성 가스의 도입 및 배기와, 산화성 가스의 도입 및 배기를 반복하여 실시하는 점이다.
이 이외의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성과 대략 동일하므로, 그 설명을 간략하게 한다.
본 예의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서는 도6에 도시한 바와 같이 보호막 청정화 공정에 있어서 환원성 가스의 도입 및 배기와, 산화성 가스의 도입 및 배기를 각각 규정 횟수 반복하여 실시한다. 우선, 환원성 가스의 도입 및 배기의 규정 반복수와, 산화성 가스의 도입 및 배기의 규정 반복수를 설정해 둔다.
다음에, 접합한 전방면 기판(1) 및 배면 기판(8)을 가열로(19) 내에 배치하고, 통기관(21)을 거쳐서 방전 공간(13) 내의 배기를 개시하는 동시에, 가열을 개시한다[스텝 SE11(도1)].
다음에, 가열을 개시하여 온도(T)가 300 내지 400 ℃에 도달하면, 통기관(21)을 거쳐서 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)로부터 환원성 가스를 도입을 행한다(스텝 SE12). 다음에, 환원성 가스의 배기를 행한다(스텝 SE13).
다음에, 스텝 SE14에서 진공 배기 및 가스 도입 장치 본체의 구성 각 부를 제어하는 제어기(도시 생략)가 규정 반복수에 도달하였는지 판단하여, 규정 반복수에 도달하였다고 판단한 경우에는 스텝 SE15로 진행하고, 규정 반복수에 도달하고 있지 않다고 판단한 경우에는 스텝 SE12로 복귀한다.
다음에, 통기관(21)을 거쳐서 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)로부터 산화성 가스를 도입한다(스텝 SE15). 다음에, 산화성 가스의 배기를 개시한다(스텝 SE16).
다음에, 스텝 SE17에서 상기 제어기가 규정 반복수에 도달하였는지 판단하여, 규정 반복수에 도달하였다고 판단한 경우에는 스텝 SE18로 진행하고, 규정 반복수에 도달하고 있지 않다고 판단한 경우에는 스텝 SE15로 복귀한다..
이 산화성 가스의 도입 및 배기에 의해 환원성 가스의 도입에 의한 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 존재하는 수소화물이나 탄소가 산화하여 제거된다.
다음에, 가열을 정지하고 배기하면서 가열로(19) 내의 온도를 실온까지 저하시킨다. 실온으로 복귀하고, 또한 방전 가스 공간(13)이 진공으로 배기된 후, 방전 가스 공간(13) 내에 방전 가스의 도입을 개시한다(스텝 SE18).
방전 가스의 충전이 종료된 후, 통기관(21)은 과열에 의해 팁 온되어 개구단부가 폐색된다(스텝 SE19).
본 예의 구성에 따르면, 상술한 제1 실시예와 대략 같은 효과를 얻을 수 있다.
(제3 실시예)
도7은 본 발명의 제3 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 중 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정에 있어서의 시간과 가열 온도 사이의 관계를 나타내는 도면, 도8은 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해 이용되는 PDP 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 도면, 또한 도9는 상기 보호막 청정화 공정의 에이징 공정에 있어서의 시간과 전극에 인가하는 인가 전압 사이의 관계를 나타내는 도면이다.
본 예가 상술한 제1 실시예와 크게 다른 부분은 배기를 행한 후에 환원성 가스의 도입 및 에이징과 산화성 가스의 도입 및 에이징을 행하는 점이다.
이 이외의 구성은 상술한 제1 실시예의 구성과 대략 동일하므로, 그 설명을 간략하게 한다.
본 예의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서는, 도6에 도시한 바와 같이 보호막 청정화 공정에 있어서 방전 공간(13) 내를 배기한 후에 환원성 가스의 도입 및 에이징을 행하여 배기하고, 산화성 가스의 도입 및 에이징을 행하여 배기한다.
이 보호막 청정화 공정에서는, 우선 접합한 전방면 기판(1) 및 배면 기판(8)을 PDP 제조 장치(25) 내로 도입한다.
이 PDP 제조 장치(25)는 도8에 도시한 바와 같이 가열로(19)와, 통기관(21)을 거쳐서 방전 공간(13)과 접속하여 방전 공간(13) 내의 배기와, 방전 공간(13)에의 환원성 가스, 산화성 가스 및 방전 가스의 도입을 행하기 위한 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)와, 펄스 전압 발생 회로(26)를 갖고 이루어져 있다.
*전방면 기판(1)의 주사 전극(3) 및 유지 전극(4)은 펄스 전압 발생 회로(26)에 접속되고, 각각 소정의 타이밍에서 펄스 전압이 인가된다.
접합한 전방면 기판(1) 및 배면 기판(8)을 가열로(19) 내에 배치하고, 통기관(21)을 거쳐서 방전 공간(13) 내의 배기를 개시하는 동시에, 가열을 개시한다.
도2에 도시한 바와 같이 가열을 개시하면(시각 t = t21) 실온에서부터 온도(T)가 상승하기 시작하고, 온도(T)가 300 내지 400 ℃에 도달하면 일정 시간 이 온도를 유지하고, 이 후 가열을 정지하고 배기하면서 가열로(19) 내의 온도를 실온까지 저하시킨다. 그리고, 실온으로 복귀하여(시각 t = t22) 통기관(21)을 거쳐서 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)로부터 환원성 가스를 도입을 개시하여(시각 t = t23) 방전 공간(13) 내(패널 내)의 압력을 10 내지 45[㎪]로 한다.
다음에, 이 상태에서 에이징을 행한다. 즉, 펄스 전압 발생 회로(26)에 의해 도9에 도시한 바와 같이 유지 전극(4)에 펄스(pb)를 주사 전극(3)에 펄스(pa)를 인가한다. 여기서, 펄스 폭(t0)은 대략 4[㎲]이다. 또한, 유지 전압(VS) = 180 V, 주파수(f) = 125 ㎑이다. 이에 의해, 방전을 발생시킨다.
다음에, 환원성 가스의 배기를 개시한다(시각 t = t24). 이 환원성 가스의 도입 및 배기에 의해 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 존재하는 탄산마그네슘이 제거된다.
다음에, 통기관(21)을 거쳐서 진공 배기 및 가스 도입 장치(22)로부터 산화성 가스를 도입하여(시각t=t25) 방전 공간(13) 내의 압력을 10 내지 45[㎪]로 한다.
다음에, 이 상태에서 에이징을 행한다. 즉, 펄스 전압 발생 회로(26)에 의해 유지 전극(4)에 펄스(pb)를, 주사 전극(3)에 펄스(pa)를 인가한다.
다음에, 산화성 가스의 배기를 개시한다(시각 t = t26).
이 산화성 가스의 도입 및 배기에 의해 환원성 가스의 도입에 의한 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 존재하는 수소화물이나 탄소가 산화하여 제거된다.
이 후, 가열을 개시하여(시각 t = t27), 실온으로부터 온도(T)가 상승하기 시작하여 온도(T)가 300 내지 400 ℃에 도달하면 일정 시간 이 온도를 유지하고, 이 후 가열을 정지하여 배기하면서 가열로(19) 내의 온도를 실온까지 저하시킨다. 실온으로 복귀하면(시각 t = t28), 다음에 방전 가스 봉입 공정으로 이행한다.
방전 가스 봉입 공정에서는 실온으로 복귀하고, 또한 방전 가스 공간(13)이 진공으로 배기된 후 방전 가스 공간(13) 내에 방전 가스의 도입을 개시한다(시각 t = t29).
방전 가스의 충전이 종료된 후, 통기관(21)은 과열에 의해 팁 온되어 개구단부가 폐색된다(스텝 SA16).
본 예의 구성에 따르면, 상술한 제1 실시예와 대략 같은 효과를 얻을 수 있다.
게다가, 이 에이징에 의해 스텝 SD18에 있어서의 에이징을 짧게 할 수 있고, 또한 플라즈마 디스플레이 패널의 동작을 한층 더 안정화시킬 수 있다.
게다가, 방전시켜 환원성 가스 분위기, 산화성 가스 분위기를 플라즈마화시키고 있으므로, 활성화된 입자에 의해 보호막(6)의 청정도를 높일 수 있다.
[제4 실시예]
도10은 본 발명의 제4 실시예인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 중 보호막 청정화 공정 및 방전 가스 봉입 공정에 있어서의 시간과 가열 온도 사이의 관계를 나타내는 도면, 또한 도11은 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해 이용되는 PDP 제조 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
본 예가 상술한 제1 실시예와 크게 다른 부분은 보호막이 형성된 전방면 기판에 대해 배면 기판과 대향시켜 고정하기 전에, 환원성 가스의 도입 및 산화성 가스의 도입을 행하여 보호막의 청정화를 행하고, 조립 후의 보호막 청정화 공정을 생략한 점이다.
이 이외의 구성은, 상술한 제1 실시예의 구성과 대략 동일하므로 그 설명을 간략하게 한다.
본 예의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서는 스텝 SB14(도4)에서 전방면 기판(1)에 보호막(6)을 형성한 후에 보호막 청정화 공정으로 이행한다.
이 보호막 청정화 공정에서는, 우선 전방면 기판(1)을 PDP 제조 장치(28) 내로 도입한다.
PDP 제조 장치(28)는 도11에 도시한 바와 같이 가열로(29)와, 가스 유출구(29a)를 거쳐서 가열로(29) 내의 배기를 행하기 위한 진공 배기 장치(31)와, 가스 유입구(29b)를 거쳐서 가열로(29) 내로의 환원성 가스, 산화성 가스 및 방전 가스의 도입을 행하기 위한 가스 도입 장치(32)를 갖고 이루어져 있다.
도11에 도시한 바와 같이, 전방면 기판(1)을 가열로(29) 내에 배치하여 가열로(29) 내의 배기를 개시하는 동시에, 가열을 개시한다.
도10에 도시한 바와 같이, 가열을 개시하면(시각 t = t31) 실온으로부터 온도(T)가 상승하기 시작하고, 온도(T)가 300 내지 600 ℃에 도달하면 가스 유입구(29b)로부터 환원성 가스를 도입을 개시한다(시각 t = t32). 여기서, 환원성 가스 분위기에서 전방면 기판(1)을 30 내지 180분 가열한다.
*다음에, 환원성 가스의 가스 유출구(29a)로부터의 배기를 개시한다(시각 t = t33). 이 환원성 가스의 도입 및 배기에 의해 전방면 기판(1)의 보호막(6)의 표층부에 존재하는 탄산마그네슘이 제거된다.
다음에, 가스 유입구(29b)로부터 산화성 가스의 도입을 개시한다(시각 t = t34). 다음에, 산화성 가스의 가스 유출구(298)로부터의 배기를 개시한다.
이 산화성 가스의 도입 및 배기에 의해 환원성 가스의 도입에 의한 패널내 표면, 특히 보호막(6)의 표층부에 존재하는 수소화물이나 탄소가 산화하여 제거된다.
다음에, 이 전방면 기판(1)과 배면 기판(8)을 접합하여 배치하고, 봉착한다.
본 예의 구성에 따르면, 상술한 제1 실시예와 대략 같은 효과를 얻을 수 있다.
게다가, 조립 전에도 보호막(6)을 청정화하여 보호막(6)의 표층부에 형성된 예를 들어 수소화물을 제거해 둠으로써, 조립 후의 보호막(6)의 청정화를 한층 더 확실하면서 또한 신속하게 행할 수 있다.
또한, 배기 온도를 플리트 글래스의 용해 온도보다도 낮게 설정할 필요가 없으므로, 이 배기 온도를 비교적 높게 설정하여 불순물을 한층 더 확실하게 제거할 수 있다.
또한, 형광체층이 환원성 가스 분위기나 산화성 가스분위기에 노출되는 일이 없다.
또한, 배기 공정에서의 배기 시간이나, 팁 오프 후의 에이징을 단시간에 끝낼 수 있다.
[제5 실시예]
도12는 본 발명의 제5 실시예인 플라즈마 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 플라즈마 표시 장치의 구성을 도시하는 블럭도이다.
본 예의 플라즈마 표시 장치(41)는 도12에 도시한 바와 같이 모듈 구조를 갖는 것으로서 설계되어 있고, 구체적으로는 아날로그 인터페이스(이하, IF라 함)(42)와 PDP 모듈(43)로 구성되어 있다.
아날로그 IF(42)는 도12에 도시한 바와 같이 크로마 디코더를 갖는 Y/C 분리 회로(44)와, A/D 변환 회로(45)와, PLL 회로를 갖는 동기 신호 제어 회로(46)와, 화상 포맷 변환 회로(47)와, 역γ(감마) 변환 회로(48)와, 시스템 제어 회로(49)와, PLE 제어 회로(51)로 구성되어 있다.
개략적으로는, 아날로그 IF(42)는 수신한 아날로그 영상 신호를 디지털 영상 신호로 변환한 후, 이 디지털 영상 신호를 PDP 모듈(43)에 공급한다. 예를 들어, 텔레비전 튜너로부터 발신된 아날로그 영상 신호는 Y/C 분리 회로(44)에 있어서 RGB의 각 색의 휘도 신호로 분해된 후, A/D 변환 회로(45)에 있어서 디지털 영상 신호로 변환된다.
이 후, PDP 모듈(43)의 화소 구성과 영상 신호의 화소 구성이 다른 경우에는, 화상 포맷 변환 회로(47)에 있어서 필요한 화상 포맷의 변환이 행해진다. PDP의 입력 신호에 대한 표시 휘도의 특성은 선형적으로 비례하지만, 통상의 영상 신호는 CRT의 특성에 맞추어 미리 보정되어 있다(γ 변환되어 있음).
이로 인해, A/D 변환 회로(45)에 있어서 영상 신호의 A/D 변환을 행한 후, 역γ 변환 회로(48)에 있어서 영상 신호에 대해 역γ 변환을 실시하여 선형 특성으로 복원된 디지털 영상 신호를 생성한다. 이 디지털 영상 신호는 RCB 영상 신호로서 PDP 모듈(43)에 출력된다.
아날로그 영상 신호에는 A/D 변환용 샘플링 클럭 및 데이터 클럭 신호가 포함되어 있지 않으므로, 동기 신호 제어 회로(4) 등에 내장되어 있는 PLL 회로가 아날로그 영상 신호와 동시에 공급되는 수평 동기 신호를 기준으로 하여 샘플링 클럭 및 테이터 클럭 신호를 생성하고, PDP 모듈(43)에 출력한다.
아날로그 IF(42)의 PLE 제어 회로(51)는 휘도 제어를 행한다. 구체적으로는, 평균 휘도 레벨이 소정치 이하인 경우에는 표시 휘도를 상승시키고, 평균 휘도 레벨이 소정치를 넘는 경우에는 표시 휘도를 저하시킨다.
시스템 제어 회로(49)는 각종 제어 신호를 PDP 모듈(73)에 출력한다. PDP 모듈(43)은, 또한 디지털 신호 처리 및 제어 회로(52)와, 패널부(53)와, D/D 컨버터를 내장하는 모듈내 전원 회로(54)로 구성되어 있다.
디지털 신호 처리 및 제어 회로(52)는 입력 IF 신호 처리 회로(55)와, 프레임 메모리(56)와, 메모리 제어 회로(57)와, 드라이버 제어 회로(58)로 구성되어 있다.
예를 들어, 입력 IF 신호 처리 회로(55)에 입력된 영상 신호의 평균 휘도 레벨은 입력 IF 신호 처리 회로(55) 내의 입력 신호 평균 휘도 레벨 연산 회로(도시 생략)에 의해 계산되어, 예를 들어 5 비트 데이터로서 출력된다. 또한, PLE 제어 회로(51)는 평균 휘도 레벨에 따라서 PLE 제어 데이터를 설정하여 입력 IF 신호 처리 회로(55) 내의 휘도 레벨 제어 회로(도시 생략)에 입력한다.
패널부(53)는 PDP(23)와, 주사 전극을 구동하는 주사 드라이버(59)와, 데이터 전극을 구동하는 데이터 드라이버(61)와, PDP(23) 및 주사 드라이버(59)에 펄스 전압을 공급하는 고압 펄스 회로(62)와, 고압 펄스 회로(62)로부터의 잉여 전력을 회수하는 전력 회수 회로(63)로 구성되어 있다.
PDP(23)는, 예를 들어 1365개 × 768개로 배열된 화소를 갖는 것으로서 구성되어 있다. PDP(23)에서는 주사 드라이버(59)가 주사 전극을 제어하고, 데이터 드라이버(61)가 데이터 전극을 제어함으로써, 이들 화소 중 소정의 화소 점등 또는 비점등이 제어되어 원하는 표시가 행해진다.
또, 로직용 전원이 디지털 신호 처리 및 제어 회로(52) 및 패널부(53)에 로직용 전원을 공급하고 있다. 또한, 모듈 내 전원 회로(54)는 표시 전원으로부터 직류 전력이 공급되고, 이 직류 전력의 전압을 소정의 전압으로 변환한 후, 패널부(53)에 공급하고 있다.
다음에, 도12를 참조하여 본 예의 플라즈마 표시 장치(41)의 제조 방법에 대해 개략적으로 설명한다.
우선, PDP(23)와, 주사 드라이버(59)와, 데이터 드라이버(61)와, 고압 펄스 회로(62)와, 전력 회수 회로(63)를 일기판 상에 배치하여 패널부(53)를 형성한다. 또한, 패널부(53)와는 별개로 디지털 신호 처리 및 제어 회로(52)를 형성한다.
이와 같이 하여 형성된 패널부(53) 및 디지털 신호 처리 및 제어 회로(52)를 하나의 모듈로서 조립하여 PDP 모듈(43)을 형성한다. 또한, PDP 모듈(73)과는 별개로 아날로그 IF(74)를 형성한다.
이와 같이, PDP 모듈(43)과는 별개로 아날로그 IF(42)를 형성한 후, 양방을 전기적으로 접속함으로써 플라즈마 표시 장치(41)가 완성된다.
이와 같이, 플라즈마 표시 장치(41)를 모듈화함으로써, 플라즈마 표시 장치(41)를 구성하는 다른 구성 부품과는 별개로 독립적으로 플라즈마 표시 장치(41)를 제조하는 것이 가능해지고, 예를 들어 플라즈마 표시 장치(41)가 고장난 경우에는 PDP 모듈(43)마다 교환함으로써 보수의 간소화 및 신속화를 도모할 수 있다.
본 예의 구성에 따르면, 플라즈마 표시 장치를 모듈화함으로써, 예들 들어 고장시에 PDP 모듈마다 교환하여 보수의 간소화 및 신속화를 도모할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 서술해 왔지만, 구체적인 구성은 본 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 설계의 변경 등이 있어도 본 발명에 포함된다.
예를 들어, 상술한 실시예에서는 산화성 가스로서 산소와 희가스의 혼합 가스를 이용하는 경우에 대해 서술하였지만, 산소 대신에 오존을 이용해도 좋다.
또한, 보호막으로서 산화마그네슘막을 형성하는 경우에 대해 서술하였지만, 산화마그네슘에 한정되지 않고, 산화바륨 등 다른 알칼리 토류 금속의 산화물을 이용해도 좋다. 이 경우라도, 상술한 청정화 공정의 실시에 의해, 예를 들어 탄산바륨 등을 제거할 수 있다.
또한, 예를 들어 산화성 가스를 배기한 후에 방전 가스를 충전하는 경우에 대해 서술하였지만, 방전 가스의 도입에 의해 산화성 가스를 몰아내면서 방전 가스를 충전해 가도록 해도 좋다.
또한, 제3 실시예에서는 에이징을 실온에서 행하는 경우에 대해 서술하였지만, 배기 온도(예를 들어, 300 내지 400 ℃)에서 에이징을 행해도 좋다.
또한, 제4 실시예에서는 보호막이 형성된 조립 전의 전방면 기판에 대해, 보호막 청정화 공정을 실시하여 조립 후의 보호막 청정화 공정을 생략하는 경우에 대해 서술하였지만, 조립 후에도 보호막 청정화 공정을 실시하도록 해도 좋다. 이에 의해, 한층 더 확실히 보호막(6) 중 MgCO3 등의 불순물을 제거할 수 있다.
또한, 조립 후에도 상술한 보호막 청정화 공정을 실시하는 동시에, 보호막이 형성된 조립 전의 전방면 기판을 환원성 가스에만 노출되도록 해도 좋고, 산화성 가스에만 노출되도록 해도 좋다.
또한, 유전체층이 형성되어 보호막이 형성되기 전의 전방면 기판을, 예를 들어 환원성 가스에 노출되도록 해도 좋다. 이 경우, 제1 실시예나 제4 실시예에서 서술한 보호막 청정화 공정에서 환원성 가스의 도입 및 배출을 생략해도 좋다.
방전 가스로서 크세논 외에 헬륨이나 네온을 이용하는 경우에 적용할 수 있다.In order to solve the said subject, invention of
In addition, the invention as set forth in claim 4 has a first substrate formed by sequentially forming a first electrode layer, a dielectric layer, and a protective film for protecting the dielectric layer, and a second substrate having at least a second electrode layer facing each other with a gap therebetween. A method of manufacturing a plasma display panel which is disposed in a state and seals peripheral portions of the first and second substrates to form a discharge space, comprising: a first step of filling a reducing gas into the discharge space; A second step of filling an oxidizing gas in place of the gas, and a third step of filling a discharge gas in the discharge space by replacing the oxidizing gas, and performing discharge in the discharge space after performing the second step. It is characterized by including the 5th process which makes it carry out.
The invention according to claim 27 relates to the plasma display panel manufacturing method according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to claim 7 relates to the plasma display panel manufacturing method according to
The invention according to
In addition, the invention as set forth in
The invention according to claim 10 relates to the method for manufacturing a plasma display panel according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
In addition, the invention described in claim 16 opposes each other with a gap between the first substrate on which the first electrode layer, the dielectric layer, and the protective film for protecting the dielectric layer are sequentially formed on the insulating substrate, and the second substrate on which the at least second electrode layer is formed. And a peripheral portion of the first and second substrates to seal the periphery of the first and second substrates, thereby forming a discharge space. And a sixth step of exposing the first substrate to a reducing gas before sealing, and a seventh step of exposing the first substrate to oxidizing gas after the sixth step.
The invention according to
In addition, the invention described in
The invention according to
The invention according to claim 20 relates to the method for manufacturing a plasma display panel according to claim 16, wherein the reducing gas is a mixed gas of hydrogen and rare gas.
The invention according to
The invention according to
The invention according to claim 23 further includes an eighth step of manufacturing a plasma display panel, a ninth step of manufacturing the plasma display panel as a module together with a circuit for driving the plasma display panel, and a format conversion of an image signal. And a tenth step of electrically connecting an interface transmitted to the module to the module, wherein the eighth step is a method of manufacturing a plasma display panel according to
The invention as set forth in claim 24 further includes an eighth step of manufacturing a plasma display panel, a ninth step of manufacturing the plasma display panel as a module together with a circuit for driving the plasma display panel, and a format conversion of an image signal. And a tenth step of electrically connecting an interface transmitted to the module to the module, wherein the eighth step executes the plasma display panel manufacturing method according to claim 16. It is characterized by.
A plasma display panel according to the invention according to
A plasma display panel according to the invention described in
EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the best form for implementing this invention with reference to drawings is demonstrated.
The first object of improving productivity by introducing and evacuating the reducing gas in the first step and then introducing and evacuating the oxidizing gas in the second step to quickly and reliably remove impurities in the protective film to shorten the aging time. Realized.
In addition, a second object of reducing the cost by reducing the discharge start voltage by prompt and reliable removal of impurities is realized.
In addition, by introducing and evacuating the oxidizing gas in the second step after the introduction and the evacuation of the reducing gas in the first step, the introduction of the reducing gas removes the hydride remaining in the surface of the panel, particularly the surface layer portion of the protective film, thereby discharging the space. The third object of stabilizing the display operation by improving the luminance of the plasma display panel can be suppressed from causing the lowering of the luminance due to the generation of hydrogen during use due to the residual of the hydride within.
(First embodiment)
1 is a processing flowchart for explaining a protective film cleaning process and a discharge gas filling process in the method of manufacturing a plasma display panel according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a time and heating process in the protective film cleaning process and the discharge gas filling process. 3 is a diagram showing a relationship between temperatures, FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a PDP manufacturing apparatus used for manufacturing the plasma display panel, FIG. 4 is a process flowchart for explaining a method of manufacturing the plasma display panel; Fig. 5 is a perspective view showing a schematic configuration of the plasma display panel.
In the method of manufacturing the plasma display panel of this example, as shown in Fig. 1, the protective film cleaning process (step SA11 to SA15 (step SD16 (Fig. 4))) as part of the exhaust process and the discharge gas encapsulation process (step SA16, step). SA17 (step SD17)] is executed after assembling and sealing the front substrate and the rear substrate on which the protective film is formed. Here, in the protective film cleaning step, the reducing film is introduced into the discharge space and then the oxidizing gas is introduced to clean the protective film.
First, in order to manufacture the
Next, bus electrodes (trace electrodes) 3b and 4b for reducing the resistance value are formed on the lower surface side of the
Next, the
Next, a
On the other hand, as shown in FIG. 5, in order to manufacture the
Next, a
Next, the
Next, the
Next, the flow advances to step SD16 to the protective film cleaning process.
In this protective film cleaning process, first, the bonded
This
In the
The bonded
As shown in Fig. 2, when heating is started (time t = t11), the temperature T starts to rise from room temperature, and when the temperature T reaches 300 to 400 ° C, the vacuum is exhausted through the
Next, after 30 to 180 minutes have elapsed from the introduction of the reducing gas (t = time t13), the exhaust gas of the reducing gas is started (step SA13). This reducing gas is evacuated for 60 to 300 minutes.
By introducing and reducing this reducing gas, magnesium carbonate present in the surface layer portion of the
Next, the oxidizing gas is introduced from the vacuum exhaust and
Next, after 30 to 180 minutes have elapsed from the introduction of the oxidizing gas (time t = t15), the exhaust of the oxidizing gas is started (step SA15). The exhaust of this oxidizing gas is performed for 60 to 300 minutes.
The introduction and exhaust of this oxidizing gas are present on the surface of the panel by the introduction of the reducing gas, particularly in the surface layer portion of the
Next, the temperature in the
After the charge of the discharge gas is completed, the
In this way, the discharge gas is filled in the
As the discharge gas, He (helium), Ne (neon), Xe (xenon) and the like are used alone or in combination.
As a result of measuring the discharge start voltage in the
Thus, according to the structure of this example, since exhaust gas is introduce | transduced and discharge | emitted and exhaust gas is introduce | transduced and exhausted after exhausting the inside of
In addition, MgCO 3 By quickly and reliably removing, the discharge start voltage can be lowered, thereby reducing the cost.
In addition, since the introduction and exhaust of the oxidizing gas are performed after the introduction and the evacuation of the reducing gas, the introduction of the reducing gas makes it possible to remove the hydride remaining in the surface of the panel, particularly the surface layer portion of the
Therefore, it is possible to suppress the reduction in the luminance caused by the generation of hydrogen during use due to the residual of the hydride in the discharge space 13 (in the panel), so that the discharge of high brightness can be performed. In addition, the display operation of the plasma display panel can be stabilized.
Second Embodiment
6 is a process flowchart for explaining the manufacturing method of the plasma display panel according to the second embodiment of the present invention.
A large part of this example differs from the above-described first embodiment in that the introduction and exhaust of reducing gas and the introduction and exhaust of oxidizing gas are repeated.
Since the configuration other than this is substantially the same as the configuration of the above-described first embodiment, the description is simplified.
In the manufacturing method of the plasma display panel of this example, as shown in Fig. 6, the introduction and exhaust of the reducing gas and the introduction and exhaust of the oxidizing gas are repeated a prescribed number of times in the protective film cleaning process. First, the prescribed repetition number of introduction and exhaust of reducing gas and the prescribed repetition number of introduction and exhaust of oxidizing gas are set.
Next, the bonded
Next, when heating is started and temperature T reaches 300-400 degreeC, reducing gas is introduce | transduced from the vacuum exhaust and
Next, in step SE14, it is determined whether the controller (not shown) that controls each component of the main body of the vacuum evacuation and gas introduction device has reached the specified number of iterations, and when it is determined that the specified number of iterations has been reached, the process proceeds to step SE15. If it is determined that the number of repetitions has not been reached, the process returns to Step SE12.
Next, the oxidizing gas is introduced from the vacuum exhaust and
Next, in step SE17, it is determined whether the controller has reached the specified number of repeats, and when it is determined that the specified number of repeats has been reached, the process proceeds to step SE18. When it is determined that the specified number of repeats has not been reached, the process returns to step SE15. .
By introduction and exhaust of this oxidizing gas, hydrides and carbons present in the surface of the panel by introducing the reducing gas, particularly in the surface layer portion of the
Next, the temperature in the
After the charging of the discharge gas is completed, the
According to the configuration of this example, the same effects as in the above-described first embodiment can be obtained.
(Third Embodiment)
FIG. 7 is a view showing a relationship between time and heating temperature in the protective film cleaning process and the discharge gas filling process in the method of manufacturing the plasma display panel according to the third embodiment of the present invention. FIG. 8 is a view for manufacturing the plasma display panel. FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of a PDP manufacturing apparatus used, and FIG. 9 is a diagram showing a relationship between time in an aging process of the protective film cleaning process and an applied voltage applied to an electrode.
A large part of this example differs from the above-described first embodiment in that the exhaust gas is evacuated and the aging gas is introduced and aged, and the oxidizing gas is introduced and aged.
Since the configuration other than this is substantially the same as the configuration of the above-described first embodiment, the description is simplified.
In the manufacturing method of the plasma display panel of this example, as shown in Fig. 6, after exhausting the inside of the
In this protective film cleaning process, first, the bonded
This
The
The bonded
As shown in Fig. 2, when the heating is started (time t = t21), the temperature T starts to rise from room temperature, and when the temperature T reaches 300 to 400 ° C, the temperature is maintained for a predetermined time. After the heating is stopped and exhausted, the temperature in the
Next, aging is performed in this state. In other words, as shown in Fig. 9, the pulse
Next, exhaust of reducing gas is started (time t = t24). The introduction and exhaust of this reducing gas remove the magnesium carbonate present in the surface of the panel, especially the surface layer portion of the
Next, the oxidizing gas is introduced from the vacuum exhaust and
Next, aging is performed in this state. In other words, the pulse
Next, the exhaust of the oxidizing gas is started (time t = t26).
By introduction and exhaust of this oxidizing gas, hydrides and carbons present in the surface of the panel by introducing the reducing gas, particularly in the surface layer portion of the
Thereafter, heating is started (time t = t27), and when the temperature T starts to rise from room temperature and the temperature T reaches 300 to 400 ° C, the temperature is maintained for a predetermined time, after which the heating is stopped. The temperature in the
In the discharge gas encapsulation step, the discharge gas is returned to room temperature, and after the
After the charging of the discharge gas is completed, the
According to the configuration of this example, the same effects as in the above-described first embodiment can be obtained.
In addition, this aging can shorten the aging in step SD18 and further stabilize the operation of the plasma display panel.
In addition, since the reducing gas atmosphere and the oxidizing gas atmosphere are discharged by plasma discharge, the cleanliness of the
[Example 4]
FIG. 10 is a view showing a relationship between time and heating temperature in a protective film cleaning process and a discharge gas filling process in a method of manufacturing a plasma display panel according to a fourth embodiment of the present invention; FIG. It is a figure which shows schematic structure of the PDP manufacturing apparatus used for the purpose.
The part which differs significantly from the first embodiment described above is introduced into the reductive gas and the introduction of the oxidizing gas to clean the protective film before the front substrate on which the protective film is formed to face the rear substrate and to fix the protective film. The cleansing step is omitted.
Since the configuration other than this is substantially the same as the configuration of the above-described first embodiment, the description is simplified.
In the method of manufacturing the plasma display panel of this example, after the
In this protective film cleaning process, the
As shown in Fig. 11, the
As shown in Fig. 11, the
As shown in Fig. 10, when heating is started (time t = t31), the temperature T starts to rise from room temperature, and when the temperature T reaches 300 to 600 ° C, the reducing gas from the
Next, the exhaust gas from the
Next, the introduction of the oxidizing gas from the
By introduction and exhaust of this oxidizing gas, hydrides and carbons present in the surface of the panel by introducing the reducing gas, particularly in the surface layer portion of the
Next, the
According to the configuration of this example, the same effects as in the above-described first embodiment can be obtained.
In addition, the
In addition, since the exhaust temperature does not have to be set lower than the melting temperature of the pleated glass, impurities can be removed more reliably by setting this exhaust temperature relatively high.
In addition, the phosphor layer is not exposed to a reducing gas atmosphere or an oxidizing gas atmosphere.
In addition, the exhaust time in the exhaust process and the aging after tip off can be completed in a short time.
[Example 5]
Fig. 12 is a block diagram showing the structure of a plasma display device manufactured by the method of manufacturing the plasma display device according to the fifth embodiment of the present invention.
The
As shown in Fig. 12, the analog IF 42 includes a Y /
In general, the analog IF 42 converts the received analog video signal into a digital video signal, and then supplies the digital video signal to the
After that, when the pixel configuration of the
For this reason, the A /
Since the analog video signal does not include the sampling clock and data clock signal for A / D conversion, the PLL circuit built in the synchronization signal control circuit 4 or the like is sampled on the basis of the horizontal synchronization signal supplied simultaneously with the analog video signal. The clock and data clock signals are generated and output to the
The
The
The digital signal processing and
For example, the average luminance level of the video signal input to the input IF
The
The
The logic power supply supplies the logic power to the digital signal processing and
Next, with reference to FIG. 12, the manufacturing method of the
First, the
The
Thus, after forming the analog IF 42 separately from the
In this manner, by modularizing the
According to the structure of this example, by modularizing the plasma display device, it is possible to simplify and speed up maintenance by, for example, replacing each PDP module at the time of failure.
As mentioned above, although the Example of this invention was described in detail with reference to drawings, a specific structure is not limited to this Example, Even if there exist a change of a design, etc. within the range which does not deviate from the summary of this invention, Included.
For example, in the above-described embodiment, the case where a mixed gas of oxygen and rare gas is used as the oxidizing gas has been described, but ozone may be used instead of oxygen.
In addition, although the case where a magnesium oxide film is formed as a protective film was described, it is not limited to magnesium oxide, You may use oxides of other alkaline earth metals, such as barium oxide. Even in this case, barium carbonate or the like can be removed, for example, by the above-described cleaning step.
In addition, although the case where the discharge gas is filled after exhausting the oxidizing gas has been described, for example, the discharge gas may be filled while driving off the oxidizing gas by introduction of the discharge gas.
In addition, although the case where aging is performed at room temperature was demonstrated in 3rd Example, you may perform aging at exhaust temperature (for example, 300-400 degreeC).
In the fourth embodiment, the protective film cleaning step is omitted for the front substrate before the assembly with the protective film, and the protective film cleaning step after the assembly is omitted. However, the protective film cleaning step may be performed even after the assembly. Thereby, MgCO in the
In addition, after the assembling, the above-described protective film cleaning process may be performed, and the front substrate before the assembling with the protective film may be exposed only to the reducing gas, or may be exposed only to the oxidizing gas.
The front substrate before the dielectric layer is formed and the protective film is formed may be exposed to, for example, a reducing gas. In this case, the introduction and discharge of reducing gas may be omitted in the protective film cleaning step described in the first or fourth embodiment.
It is applicable to the case of using helium or neon other than xenon as the discharge gas.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법의 구성에 따르면, 제1 공정에서 환원성 가스의 도입 및 배기 후에 제2 공정에서 산화성 가스의 도입 및 배기를 행하고 있으므로, 보호막 중의 불순물을 신속하면서 또한 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 에이징 시간을 짧게 할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 불순물의 신속하면서 또한 확실한 제거에 의해 방전 개시 전압을 저하시킬 수 있으므로 비용을 저감시킬 수 있다.
특히, 적어도 제2 공정에서는 방전 공간 내를 배기한 후에 산화성 가스의 도입 및 배기를 행함으로써, 보호막을 구성하는 예를 들어 MgO가 대기에 노출되는 일 없이, 보호막 중의 MgCO3 등의 불순물을 신속하면서 또한 확실하게 제거할 수 있다. 따라서, 에이징 시간을 한층 더 짧게 할 수 있으므로, 생산성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 공정에서 환원성 가스의 도입 및 배기 후에, 제2 공정에서 산화성 가스의 도입 및 배기를 행하고 있으므로, 환원성 가스의 도입에 의해 패널내 표면, 특히 보호막의 표층부에 잔존하는 수소화물을 제거할 수 있다.
따라서, 방전 공간 내의 수소화물의 잔류에 의한 사용 중 수소의 발생에 의해 휘도의 저하를 초래하는 것을 억제할 수 있으므로, 고휘도의 방전을 행하게 할 수 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 동작을 장기간 안정화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구성에 따르면, 제1 기판을 구성하는 보호막은 불순물이 충분히 제거되어 있으므로, 고휘도로, 또한 표시 동작이 안정된 높은 신뢰성을 확보 할 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 표시 장치의 제조 방법의 구성에 따르면, 플라즈마 표시 장치를 모듈화함으로써 부품 교환의 필요가 발생한 경우에 모듈마다 교환함으로써 보수의 간소화 및 신속화를 도모할 수 있다. According to the structure of the plasma display panel manufacturing method of the present invention, since the introduction and exhaust of the oxidizing gas are performed in the second step after the introduction and exhaust of the reducing gas in the first step, impurities in the protective film can be removed quickly and reliably. Can be. Therefore, the aging time can be shortened and the productivity can be improved.
In addition, since the discharge start voltage can be lowered by the rapid and reliable removal of impurities, the cost can be reduced.
In particular, at least in the second step, the exhaust gas is discharged into the discharge space and then the oxidizing gas is introduced and exhausted, thereby quickly removing impurities such as MgCO 3 in the protective film, without exposing MgO to the atmosphere. It can also be removed reliably. Therefore, the aging time can be further shortened, so that the productivity can be further improved.
In addition, since introduction and exhaust of the oxidizing gas are carried out in the second step after the introduction and exhaust of the reducing gas in the first step, the hydride remaining in the surface of the panel, particularly the surface layer of the protective film, can be removed by introduction of the reducing gas. Can be.
Therefore, since the fall of brightness | luminance can be suppressed by generation | occurrence | production of hydrogen in use by the residual | restoration of the hydride in discharge space, high brightness discharge can be made to be performed. In addition, the display operation of the plasma display panel can be stabilized for a long time.
In addition, according to the configuration of the plasma display panel of the present invention, since the protective film constituting the first substrate is sufficiently free from impurities, it is possible to ensure high reliability with high brightness and stable display operation.
Further, according to the configuration of the plasma display device manufacturing method of the present invention, when the need for component replacement occurs by modularizing the plasma display device, it is possible to simplify and speed up maintenance by exchanging for each module.
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JP2007080607A (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing plasma display panel |
US20120064795A1 (en) * | 2010-02-12 | 2012-03-15 | Hideji Kawarazaki | Process for production of plasma display panel |
WO2013021581A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | Method of manufacturing plasma display panel |
CN104658835B (en) * | 2015-02-12 | 2016-09-14 | 九江世明玻璃有限公司 | A kind of glass lamp automatic aerofluxus experienced process |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992161A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Fujitsu Ltd | Plasma display panel |
KR19990043620A (en) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | Method for discharging a plasma display element |
KR20020022196A (en) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | 김순택 | Plasma display panel |
JP2002134021A (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing plasma display panel and plasma display panel manufactured by the same |
JP2003051259A (en) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas discharge panel and manufacturing method therefor |
KR20040108268A (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | 엘지전자 주식회사 | Method of fabricating plasma display panel |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992161A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Fujitsu Ltd | Plasma display panel |
KR19990043620A (en) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | Method for discharging a plasma display element |
KR20020022196A (en) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | 김순택 | Plasma display panel |
JP2002134021A (en) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing plasma display panel and plasma display panel manufactured by the same |
JP2003051259A (en) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas discharge panel and manufacturing method therefor |
KR20040108268A (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | 엘지전자 주식회사 | Method of fabricating plasma display panel |
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