KR100642430B1 - 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 카테콜 에폭시 수지, 산무수물 경화제, 경화 촉매, 저응력화제, 실란커플링제, 및 무기충진재를 포함하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로 본 발명의 조성물은 우수한 유동성에 의한 간극 충진성을 갖고, 접착력이 우수하며 열 응력 완충성능이 개선되어 신뢰성이 향상된 플립 칩 패키지를 제공할 수 있다.
반도체 소자 언더필용, 카테콜 에폭시 수지, 유동성, 접착력, 열 응력
Description
본 발명은 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 카테콜 에폭시 수지, 산무수물 경화제, 경화 촉매, 저응력화제, 실란커플링제, 및 무기충진재를 포함하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로 저점도의 특정 구조를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써 우수한 유동성, 접착력 및 열 응력 완충성능을 제공할 수 있다.
최근 전자제품이 계속 소형화 및 박형화되면서 반도체 팩키징의 고집적화에 따라 반도체 소자의 봉지 및 실장방법이 종래의 DIP등의 고상 봉지재의 트랜스퍼 성형에서부터 표면 실장 형태로 이동하고 있다. 이와 같은 표면실장형 패키지의 하나로 플립 칩 실장 방식이 있다. 플립 칩 기술은 기판에 집적회로가 형성되어 있는 칩의 면이 기판을 마주 보도록 실장하며 다른 실장 방식에 비해서 높은 입출력 밀도, 짧은 연결 길이, 열 방출의 용이성 등의 장점이 있다. 플립 칩 실장 방식은 리드프레임을 사용하지 않아 칩 사이즈가 곧 패키지 사이즈가 되기 때문에 전자기기의 소형화 및 경량화에 유리하고 전송속도도 와이어 패키지에 비하여 20~30배 빠르다. 플립 칩 기술이 패키지 내에 사용될 경우 칩은 솔더 접합부를 통하여 연결되며, 이를 플립 칩 인 패키지(FCIP, flip chip in package)라고 부르고, 칩이 직접 인쇄회로기판에 연결되는 경우를 플립 칩 온 보드(FCOB, flip chip on board) 라고 부른다.
이러한 방식으로 실장된 플립 칩 패키지를 열충격 시험을 할 경우 회로기판과 솔더범프 간 연결에 대해 신뢰성이 취약한 여지가 있다. 칩, 배선기판 및 솔더 볼의 상이한 열팽창계수가 열적 스트레스를 유발하기 때문이다. 이러한 열에 의한 응력을 완화하기 위하여 칩을 기판에 장착한 후 소자와 기판 사이의 공간을 수지로 충진하는 공정이 언더필 공정이며 이에 사용되는 소재가 언더필이다. 작업성 측면에서 언더필로서의 필요 특성은 25 ~ 100μm 이내의 칩과 기판간 간극에 대한 빠른 침투에 의한 충진성을 들 수 있고, 신뢰성과 관련하여서는 열팽창 계수를 낮춰야 하며, 칩과 기판 계면에 밀착성, 즉 접착성이 좋아야 하고, 또한 위에 언급된 열응력을 완충시킬 수 있어야 한다. 언더필의 양호한 간극 충진성을 위해서는 언더필재의 점도가 충분히 낮아야 하며, 또한 기판과의 우수한 접착력이 요구되는데 이러한 목적에는 에폭시 조성물의 경화제로서 산무수물이 쓰이는 경우가 많다.(미국특허 제6,117,953호, 일본특허공개 11-256012호, 11-269250호, 2000-273149호, 2002-20587호, 2002-97257호 등)
그러나 상기의 산무수물의 경우 경화시 수축 등에 의한 열적 응력이 많이 발생하는 경향이 있어서 특히 대형 다이 패키지의 경우에는 내열충격성 열세에 의한 신뢰도 불량의 여지가 크며 그 불량은 주로 칩과 봉지재에 걸리는 응력이 증가하면서 봉지재와 칩, 기판의 계면에 박리가 생기거나 패키지에 균열이 일어나는 현상 등으로 나타난다. 이러한 열 충격에 의한 신뢰도 저하 및 불량발생을 방지하기 위해서는 언더필재와 칩, 기판 계면간의 밀착력이 우수하여야 하고 또한 언더필로 사용된 수지 조성물이 열에 의해 발생되는 응력을 그대로 전달하는 것이 아니고 완충작용을 할 수 있도록 충분히 낮은 탄성률을 유지하여야 한다. 상기의 이유로 탄성률을 낮추기 위해서 에폭시 수지 조성물에 에폭시 변성 폴리실록산(일본 2001-151994)을 사용하거나 우레탄과 부타디엔고무(미국특허 제 5,480,958호), 폴리실록산-에폭시수지 공중합체 (일본 특허공개 2002-20586호), 실리콘고무입자(일본 특허공개 2002-088224호) 등을 사용하기도 한다. 또한 아크릴로니트릴-부타디엔 러버(특개평 9-176287호)와 에폭시기를 갖는 부타디엔 러버가 사용된 경우(특개평 9-176294)도 알려져 있다. 그러나 위와 같이 반응기를 가지는 부타디엔 베이스 러버를 사용할 경우 폴리부타디엔의 주쇄상에 위치하는 불포화 이중결합의 불안정성 등으로 고온 다습 조건에서 신뢰성 불량의 소지를 줄 수 있다. 실록산 단량체와 에폭시 수지를 반응시킨 반응물(일본 11-256012)을 첨가제로서 사용하여 조성물의 경화 후 탄성률을 완화시키거나 폴리실록산과 에폭시 수지를 반응시킨 반응물(일본 특허공개 2002-97257호)을 사용한 경우도 알려져 있으나 이 경우에도 사용량에 따라 접착력의 저하나 비상용성 등의 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 에폭시 수지와 산무수물을 기본 구성으로 하되, 저점도의 특수한 에폭시수지를 사용하여 우수한 유동성 및 접착력을 제공하는 동시에 에폭시 변성 폴리올레핀 수지를 사용하여 열 응력 완충 성능을 개선함으로써 보다 신뢰성 높은 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물을 제공하고자 한다.
상기목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 측면은 카테콜계 에폭시 수지, 알킬화테트라 프탈산 무수물, 이미다졸계 경화 촉매, 폴리올레핀게 저응력화제, 실란 커플링제, 및 무기충진재를 포함하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명의 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물은 상기한 바와 같이, 하기 화학식 1의 에폭시 수지, 하기 화학식 2의 산무수물 경화제, 하기 화학식 3의 경화 촉매, 하기 화학식 4의 저응력화제, 하기 화학식 5의 실란 커플링제 및 무기충진재를 그 필수 구성 성분으로 한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 식에서, R1, R2, R3은 메틸기, 에틸기, 에테닐기 또는 프로필기이다.
[화학식 3]
상기 식에서, R1, R2, 및 R3은 수소, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 시아노에틸기, 또는 벤질기이다.
[화학식 4]
상기 식에서, l/(l＋m＋n)은 0.01 내지 0.2이고, m/(l＋m＋n)은 0.5 내지 0.9 이며, n/(l＋m＋n)은 0.01 내지 0.3이다.
[화학식 5]
상기 식에서, X는 글리시딜옥시프로필기, 메타크릴옥시프로필기, 아미노프로필기, 에폭시 시클로헥실기, N-β-아미노에틸-γ-아미노프로필기, N-페닐-γ-아미노프로필기, 또는 머캅토프로필기이고, R은 메틸기 또는 에틸기이다.
이하, 상기 각 성분에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명의 조성물에 사용되는 상기 에폭시 수지는 상기 화학식 1의 구조를 갖는 tert-부틸 카테콜 에폭시수지로서, 바람직하게는 에폭시 당량이 210 ~ 220이고, 그 점도는 1400 ~ 1800 cps이다. 이러한 카테콜 에폭시수지는 가수 분해성 염소의 함량이 낮은 고순도 에폭시 수지를 사용한 것으로, 수지 구조의 특성상 점도가 다른 일반 범용 에폭시 수지에 비해 낮기 때문에 조성물의 점도 조절의 폭을 넓힐 수 있는 장점을 갖는다. 또한 상기의 에폭시 수지는 구조상 중앙에 위치하는 수산기의 영향으로 기재에 대한 접착력을 증가시킬 수 있는 이점도 있다. 그러나 한편으로 수지 중앙에 위치하는 수산기의 내습성 열세에 따른 신뢰성 저하의 우려도 있는데, 이는 이하에서 설명할 산무수물 경화제의 병용으로 용이하게 극복될 수 있다.
한편 상기 화학식 1의 에폭시 수지는 필요에 따라, 즉, 유리전이온도의 증가 등 물성 향상을 위해 나프탈렌, 페놀-노볼락, 아민계 다관능성 에폭시 수지 등의 기타 에폭시 수지와 병용할 수 있다. 다만, 나프탈렌계 에폭시 수지 또는 페놀-노볼락계 에폭시 수지 등과 병용 시에는 점도가 많이 상승할 수 있으므로 용도에 맞도록 점도 범위를 선정하고 혼합 비율을 조절하여 사용할 필요가 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 경화제로는 상기 화학식 2의 구조를 갖는 알킬화 테트라하이드로프탈산 무수물이 사용되며, 바람직하게는 무수물 당량이 210 ~ 250인 고순도의 산무수물을 사용하는 것이 효과적이다.
일반적으로 산무수물을 경화제로 사용할 경우 구조상의 고유특성으로 흡습에 의한 물성 저하가 우려되지만 상기 화학식 2의 알킬화 테트라하이드로프탈산 무수물의 경우 통상 널리 쓰이는 메틸테트라하이드로프탈산 무수물 등에 비하여 월등히 우수한 내습 특성을 제공한다. 알킬화 테트라하이드로프탈산 무수물 경화제가 산무수물로서 비교적 낮은 흡습율을 보이는 이유로는 상기 화학식 2의 구조에서 보는 바와 같이 안하이드라이드 기(anhydride group)에 인접한 알킬기 등이 카르보닐기에 대한 수분의 접근을 어렵게 하기 때문으로 이해된다. 또한 이러한 내습특성은 상기한 바와 같이 본 발명의 카테콜계 에폭시 수지의 상대적으로 취약한 내습특성을 보완해주는 역할을 할 수 있으므로 본 발명의 에폭시 수지 조성물에서 중요한 구성 요소이다
한편, 바람직하게는 상기 에폭시 수지와 상기 산무수물 경화제는 에폭시 반응기와 산무수물 반응기의 당량비가 0.9 - 1.1의 비를 유지하는 것이 본 발명의 효 과를 달성하는데 보다 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 경화반응 촉진제로서는 상기 화학식 3의 이미다졸계 촉매를 사용한다. 촉매 종류에 따라서 같은 양을 사용하더라도 그 활성이 다르기 때문에 겔화 시간에 차이는 발생하나, 사용량의 증감을 통하여 겔화 시간을 조절할 수 있으므로 촉매의 종류에 특별히 제한되지 않는다. 상기 경화 반응 촉진제는 0.4 ~ 0.6 중량%로 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 경화 후 저탄성률을 얻기 위한 목적으로 상기 화학식 4의 폴리올레핀계 저응력화제를 사용한다. 에폭시 조성물의 탄성률 감소를 목적으로 변성 폴리실록산, 즉 유기반응기를 가지는 실리콘 오일 또는 엘라스토머를 사용하는 방법은 오래 전부터 이미 잘 알려져 있다. 통상적으로 에폭시기, 아민기나 카르복실기 등으로 말단 또는 주쇄가 치환된 폴리 실록산이 잘 알려져 있는데, 실리콘 수지의 고유 성질 때문에 에폭시 수지와의 비상용성 및 이형효과가 발생하여 수지 조성물에 잘 분산이 되지 않고 표면에 부유하는 등 외관 및 접착력에 불량의 소지가 발생할 우려가 있다. 상기 화학식 4에 나타나는 바와 같이, 실리콘 오일과는 구조적으로 달라서 실리콘에 비해 에폭시 베이스 수지에 대해 상용성이 양호한 특성이 있다. 특히 본 발명에서 사용된 불포화 이중 결합이 없는 구조의 에폭시 변성 폴리에틸렌-부틸렌 엘라스토머의 경우는 -53℃의 유리전이온도를 가짐으로써 저온에서부터 엘라스토머 성상을 갖는다. 또한 상기의 에폭시 변성 폴 리에틸렌-부틸렌 엘라스토머는 말단에 하이드록시기를 가지고 주쇄 상에 이소프렌기의 에폭시 변성에 따른 에폭시 반응기를 약 7~10개를 가지므로 경화반응에 참여하게 되고 그 결과 경화 후에 조성물의 내부로부터 응력 완충에 기여하므로 플립 칩 BGA 패키지에 적용한 결과 우수한 작업성 및 신뢰성을 제공할 수 있다.
본 발명에서 사용된 상기 화합물의 에폭시 당량은 600~700인 것이 바람직하고, 수산기 당량은 약 5,000~10,000 g/mol인 것이 바람직하다. 이러한 탄화수소 또는 폴리 올레핀계 엘라스토머 사용시의 장점으로는 상기한 바와 같이 양호한 상용성을 들 수 있는데, 그 결과 실리콘 오일의 문제점인 누설(leak)이나 부유 문제는 없지만 유리전이온도가 -120℃ 이하인 실리콘에 비해서는 저온 안정성이 떨어지는 단점이 있다. 본 발명에서 사용된 폴리 올레핀계 엘라스토머로는 에폭시 변성 부타디엔, 카르복실산 변성 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체 등이 알려져 있으나, 이들 역시 실리콘보다는 내한성이 떨어지고, 특히 부타디엔 공중합 수지의 경우 주쇄에 있는 다중결합이 열, 수분 등의 환경적 요인에 취약한 약점이 있기 때문에 본 발명에서는 사용하기에는 난점이 있다.
상기 올레핀계 엘라스토머 에폭시 수지 개질제의 경우 조성물 전체 중량에 대하여 0.1~10 중량%를 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1~5 중량%를 사용하는 것이 효과적이다. 이는 0.1 중량% 미만으로 사용시에는 저응력화 효과를 기대하기가 힘들고, 10 중량%를 초과할 경우 상용성이 실리콘보다 우수하더라도 아릴기가 많이 포함되어 있으므로, 조성물의 고점도화나 성형성 불량 등의 문제를 야기시킬 우려가 있기 때문이다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 상기 화학식 5의 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기충진재 사이의 밀착성을 향상시키거나 또는 에폭시 수지 조성물과 기판, 기재, 금속재료에 대한 접착을 향상시킬 목적으로 첨가된다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 실란 커플링제는 에폭시기나 아미노기, 머캅토기를 가지면서 동시에 알콕시기를 함유하는 것을 특징으로 하며, 상기 실란 커플링제는 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용하는 것도 가능하다. 보다 구체적인 실란 커플링제의 예로서는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)-에틸트리메톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란과 γ-머캅토프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 상기의 실란 커플링제는 실리카에 미리 전처리하여 사용할 수도 있고, 수지 조성물 혼합 시에 첨가될 수도 있는데, 본 발명의 조성물에서 그 사용 방법에는 제한이 없다.
상기 실란 커플링제는 전체 조성물 대비 0.1~0.5 중량%로 사용하는 것이 보다 바람직한데, 이 범위를 벗어나는 경우 수지와 충진재 간의 밀착력 향상 효과를 얻지 못하거나 오염 등의 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 사용되는 무기충진재는 조성물의 강도를 높이고, 열팽창 계수를 감소시키기 위한 목적으로 사용되는 것으로 용융 또는 합성 구상 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 그 제법은 합성 제법에 한정되는 것은 아니므로 용융 또는 결정성 실리카도 사용할 수 있다. 그러나 고신뢰성이 요구되는 패키지에 사용될 경우 수지 조성물 중 실리카가 차지하는 상대적 함량이 크므로 실리카 자체의 순도는 중요하다. 따라서 제법상 불순물, 특히 우라늄 또는 토륨 함량이 가장 적은 합성 실리카를 사용하는 것이 바람직하며, 봉지하고자 하는 패키지의 간극 크기나 점도 특성에 대해서 실리카의 입경, 입도분포, 비표면적 등이 미치는 영향이 크므로 그 특성에 맞는 무기충진재를 선정하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게, 본 발명의 조성물에서는 최대입경 10 ㎛, 평균입도가 1 ~ 5 ㎛인 실리카를 사용하는 것이 효과적이고, 그 사용량은 조성물 전체에 대해 50 ~ 70 중량% 사용하는 것이 좋다. 이는 조성물 내 무기충진재를 전체 조성물의 50 중량% 미만으로 사용할 경우에는 충분한 강도와 낮은 열팽창계수를 기대하기가 어려우며, 무기충진재 함량이 70 중량%을 초과하여 사용될 경우 수지 및 경화제의 점도에 따라 정도는 다르나 유동특성이 저하되어 언더필(underfill) 충진 및 성형성의 불량이 발생할 우려가 있기 때문이다. 한편, 실리카보다 우수한 방열 특성이 요구되는 경우에는 산화 알루미늄이나 질화 알루미늄을 사용할 수도 있다.
본 발명의 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물은 상기 개시된 필수 성분 외에 기포 제거를 용이하게 하는 소포제, 제품 외관 등을 위한 카본블랙 또는 유·무기염료 등의 착색제, 필요에 따라 난연제 등을 첨가하여 구성될 수도 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면 에폭시 수지, 경화제, 무기충진재, 저응력화제와 커플링제 등과 경화반응 촉매를 동시에 또는 원료별 순차적으로 필요에 따라 가열처리를 하면서 교반, 혼합, 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 이들 혼합물의 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 교반, 가열장치를 구비한 혼합 분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 진공유발기, 유성형 혼합기 등을 사용할 수 있으며, 또한 이들 장치를 적절하게 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명에서의 완성된 에폭시수지 조성물의 점도는 25℃ 에서 5,000 cps 이상 25,000 cps 이하인 것이 바람직한데, 이 점도 범위에서는 언더필 공정시 칩과 기판 간의 간극 크기에 따라 다르지만, 유동성이나 간극 충진성이 보다 양호하기 때문이다. 성형공정은 통상의 디스펜싱 공정을 사용할 수 있으며, 경화는 120℃ 에서 0.5시간 이상 경화 후 150℃에서 1시간 이상 오븐에서 경화하는 것이 바람직하다.
이하, 실시예를 통해 본 발명에 관하여 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
실시예
하기 표 1에 나타난 성분 및 조성으로 에폭시수지 조성물을 제조하고, 이에 대하여 물성과 신뢰성 평가결과를 표 1에 나타내었다.
(물성 및 신뢰성 평가)
상기 실시예 및 비교예에서 물성 및 신뢰성은 하기 방법으로 평가하였다.
1) 점도
Cone & Plate 형 Brookfield 점도계를 사용하여 25℃에서 측정함.
2) 열팽창계수
TMA(Thermomechanical Analyser)로 평가함(승온 속도 10℃/min).
3) 접착력
DIE SHEAR TEST로 평가 2mm×2mm의 질화 실리콘 코팅된 칩을 FR4 기판에 언더필재를 도포한 위에 붙이고 120℃ 에서 0.5시간, 150℃에서 1시간 경화시킨 시편을 DIE SHEAR TESTER를 사용하여 접착력을 측정함.
4) 토출성
DISPENSER에서 NEEDLE 18G, 토출압 30ps에서 토출, 끊어짐 없이 일정량 토출 여부 확인함.
5) 간극 충진성
12mm×12mm ×0.3mm의 칩을 BT레진 기판에 간극 90μm으로 탑재한 패키지의 칩 한쪽 가장자리에 90℃에서 언더필재를 도포하여 5분간 주입기를 둔 후 150℃에서 1시간 경화시킨 패키지를 C-SAM 을 활용하여 패키지 내부의 충진성을 확인함.
6) 신뢰성 평가(Precon Test)
JEDEC, JESD22-A113 시험방법으로 Level 3에서 평가, C-SAM으로 박리여부 확인함.
7) 열충격 시험(Temperature Cycle Test)
JEDEC, JESD22-A104 시험조건 C (-65℃/+150℃)으로 평가한 후 C-SAM으로 박리 발생 여부 확인함.
상기 표 1의 물성 및 신뢰성 평가 결과로부터 베이스 수지로 저점도의 카테 콜 에폭시수지를 사용하고 알킬화 테트라프탈산 무수물에 실리카 충진재를 사용함으로써 기판에 대한 접착력이 우수하고 토출성 및 간극 충진성이 양호한 결과를 얻었음을 알 수 있다. 비교예 1 내지 3에서는 카테콜 에폭시수지를 사용하지 않아 실시예의 경우보다 접착력이 열세함을 알 수 있고, 비교예 1에서는 실리카 충진재를 70 중량부 이상 사용함으로써 점도가 너무 높아 토출성 및 간극충진성 등 작업성의 불량 발생을 볼 수 있었다. 경화제로는 산무수물을 사용하였으며 알킬기로 치환된 테트라하이드로프탈산 무수물을 사용하여 양호한 내습성을 얻었고, 실시예 1 내지 3에서 에폭시변성 폴리에틸렌-부틸렌 수지를 조성물의 경화 후 탄성률 감소 및 열응력 완화를 목적으로 사용하였는데, 비교예 1 및 3과 비교했을 때 열충격 시험 결과로부터 알 수 있듯이 조성물의 향상된 내열특성을 확인할 수 있고, 비교예 2에서는 과량의 저응력화제를 사용하여 토출성 및 간극 충진성에서 작업성 불량을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따른 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물은 접착력, 유동특성 및 내열성이 우수하여 이를 플립 칩 패키지에 언더필 재료로 이용할 경우 안정된 작업성 및 우수한 신뢰도 특성을 제공할 수 있다.
Claims (8)
- 하기 화학식 1의 에폭시 수지의 에폭시 반응기와 하기 화학식 2의 산무수물 경화제의 산무수물 반응기의 당량비가 0.9 ~ 1.1의 비로 사용되며, 하기 화학식 3의 경화 촉매 0.4 ~ 0.6 중량%, 하기 화학식 4의 저응력화제 0.1 ~ 10 중량%, 하기 화학식 5의 실란 커플링제 0.1 ~ 0.5 중량% 및 무기충진재 50~70 중량%를 포함하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.[화학식 1]
[화학식 2]
상기 식에서, R1, R2, 및 R3은 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 에테닐기 또는 프로필기이다.[화학식 3]
상기 식에서, R1, R2, 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 시아노에틸기, 또는 벤질기이다.[화학식 4]
상기 식에서, l/(l＋m＋n)은 0.01 내지 0.2이고, m/(l＋m＋n)은 0.5 내지 0.9 이며, n/(l＋m＋n)은 0.01 내지 0.3이다.[화학식 5]
상기 식에서, X는 글리시딜옥시프로필기, 메타크릴옥시프로필기, 아미노프로필기, 에폭시 시클로헥실기, N-β-아미노에틸-γ-아미노프로필기, N-페닐-γ-아미노프로필기, 또는 머캅토프로필기이고, R은 메틸기 또는 에틸기이다. - 제 1항에 있어서, 상기 무기충진재는 평균 입경이 1 ~ 5μm이고, 최대 입경은 10μm인 용융 구상 또는 합성 구상 실리카로서 전체 조성물에 대하여 50 ~ 70 중량%로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 에폭시 당량이 210~220이고, 점도가 1400~1800cps인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 에폭시 수지와 나프탈렌계 에폭시 수지, 페놀 노볼락계 에폭시 수지 및 아민계 다관능성 에폭시 수지로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상을 병용하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 저응력화제가 에폭시 당량이 600-700이고, 수산기 당량은 약 5,000~10,000g/mol인 에폭시 변성 폴리올레핀계 엘라스토머인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 조성물이 추가로 소포제, 착색제, 또는 난연제를 기타첨가제로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 조성물의 점도가 25℃에서 5000~25000cps인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물.
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