KR100641550B1 - 연마 패드 컨디셔너 - Google Patents

연마 패드 컨디셔너 Download PDF

Info

Publication number
KR100641550B1
KR100641550B1 KR1020000049280A KR20000049280A KR100641550B1 KR 100641550 B1 KR100641550 B1 KR 100641550B1 KR 1020000049280 A KR1020000049280 A KR 1020000049280A KR 20000049280 A KR20000049280 A KR 20000049280A KR 100641550 B1 KR100641550 B1 KR 100641550B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive
polishing pad
coupling member
columnar
pad conditioner
Prior art date
Application number
KR1020000049280A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010050198A (ko
Inventor
오오모리히토시
Original Assignee
리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리켄 filed Critical 리켄
Publication of KR20010050198A publication Critical patent/KR20010050198A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100641550B1 publication Critical patent/KR100641550B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/001—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces involving the use of electric current
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 연마 패드 컨디셔너에 관한 것으로, 본 발명의 컨디셔너는 가공면으로 돌출되도록 규칙적으로 배치된 복수의 주상(柱狀) 다이아몬드(12)와, 주상 다이아몬드를 일체로 고정하는 도전성 결합부재(14)로 이루어진다. 또한 도전성 결합부재(14)는 주상 다이아몬드(12)를 매설하기 위한 복수의 구멍(15a)을 갖는 도전성 금속판(15)과, 상기 구멍과 주상 다이아몬드와의 사이에 충진되고 소결된 도전성 소결금속(16)으로 이루어진다. 도전성 결합부재는 간격을 두어서 대향하는 전극(22)과의 사이에 도전성 액체(24)를 흘리면서 전해 드레싱될 수 있다. 이것에 의해, 연마 패드면을 적당한 정도의 거칠기로 재가공(컨디셔닝)할 수 있고, 수명이 상당히 길어지며, 균일한 컨디셔닝을 안정하게 유지할 수 있고, 제조비용이 비교적 저렴하고 시리콘 웨이퍼를 오염할 우려가 없다.
연마 패드 컨디셔너, 주상 다이아몬드, 도전성 결합부재, 전해 드레싱, 도전성 금속판

Description

연마 패드 컨디셔너 {Polishing pad conditioner}
도 1은 종래의 CMP 장치의 구성도이다.
도 2a, 도 2b는 종래의 연마 패드 컨디셔너의 구성도이다.
도 3a, 도 3b는 본 발명의 연마 패드 컨디셔너의 구성도이다.
도 4a, 도 4b는 도 3a, 도 3b의 연마 패드 컨디셔너의 부분구성도이다.
도 5는 본 발명의 연마 패드 컨디셔너를 이용한 CMP 장치의 구성도이다.
도 6은 본 발명의 원리 설명도이다.
본 발명은 연마 패드를 컨디셔닝하기 위한 연마 패드 컨디셔너(polishing pad conditioner)에 관한 것이다.
도 1은 실리콘 웨이퍼의 최종 연마 프로세스에 사용되는 CMP 장치 (Chemical Mechanical Polishing Apparatus)의 개략도이다. CMP 장치는 상면에 연마 패드(2)를 갖는 회전 정반(定盤)(3)과, 하면에 실리콘 웨이퍼(1)를 부착한 회전판(4)으로 이루어지며, 회전 정반(3)과 회전판(4)을 각각의 축심을 중심으로 회전시키면서 그 사이에 콜로이드상 실리카를 함유하는 슬러리(5)를 공급하고, 콜로이드상 실리카 중의 SiO2의 초미립자(입자직경 수nm∼수십nm)와 실리콘 웨이퍼(Si)를 반응시켜 경화시키고 동시에 연마 패드상에 있는 콜로이드상 실리카 중의 SiO2로 실리콘 웨이퍼(1)의 하면을 연마(硏磨, polishing)시키도록 되어 있다.
CMP 장치에 사용하는 연마 패드(2)의 상면에는, 적당한 양의 슬러리(5)를 실리콘 웨이퍼(1)와의 사이에 유지시키고 실리콘 웨이퍼(1)와의 사이에 적절한 마찰력을 발생시키기 위해 적당한 거칠기가 필요로 된다. 그러나, CMP 장치를 계속하여 사용하면, 서서히 연마 패드의 상면 거칠기가 손실되며 거울면과 같이 미끌미끌하게 되어 연마량이 대폭으로 저감되고 효율적인 연마가 불가능해진다.
이 때문에, 연마 패드면을 적당한 거칠기로 재가공(컨디셔닝(conditioning)이라 칭함)하기 위해, 종래부터 도 2a 및 도 2b에 예시된 연마 패드 컨디셔너가 사용되고 있다.
도 2a는 일종의 전착지석(電着砥石)이고, 기본금속(6)의 하면에 Ni도금(7) 등으로 숫돌입자(8)(예를 들어, 입자직경 수십㎛의 다이아몬드 숫돌입자)를 고정시킨 것이다. 그러나, 이 연마 패드 컨디셔너는 숫돌입자(8)가 한층밖에 고정되지 않고 또한 도금에 의한 유지력도 약한 문제점이 있었다. 그 때문에, 숫돌입자(8)가 조금이라도 떨어지면 균일한 컨디셔닝을 할 수 없게 되기 때문에, 수명이 짧고 반복 사용횟수가 적어질 뿐만 아니라, 떨어진 숫돌입자가 연마 패드(예를 들어 플라스틱재)의 내부에 매몰되어 남고, 실리콘 웨이퍼(1)에 손상을 주는 문제점이 있다. 또한, 도금공정에서 잔류하는 중금속에 의해 고순도의 실리콘 웨이퍼(1)를 오염시 킬 우려가 있다.
한편, 도 2b는 기본금속(6)의 하면을 미리 적당한 요철로 성형하고 또한 그 표면에 다이아몬드의 박막(9)을 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 코팅한 것이다. 그러나, 이 연마 패드 컨디셔너는 박막(9)의 밀착력은 높지만, 그 성장에 시간이 걸리기 때문에 제조비용이 상당히 비싼 문제가 있었다. 또한, 균일한 막두께를 얻기 어려우며, 또한 막두께가 극히 얇기(수십㎛) 때문에, 수명이 짧은 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 창안된 것이다. 즉, 본 발명의 목적은 연마 패드면을 적당한 거칠기로 재가공(컨디셔닝)할 수 있고, 수명이 상당히 길며 균일한 컨디셔닝을 안정하게 유지할 수 있고, 제조비용이 비교적 낮으며 실리콘 웨이퍼를 오염시킬 우려가 없는 연마 패드 컨디셔너를 제공하는데 있다.
한편, 근래의 과학기술의 발전에 따라, 초정밀 가공으로의 요구는 비약적으로 고도화되고 있고, 이 요구를 만족하는 경면연삭 수단으로서 전해 인프로세스 드레싱 연삭법(Electrolytic In-process Dressing: ELID 연삭법)이 본원출원인 등에 의해 개발되고 발표되었다(理硏 신포지움 「경면연삭의 최신기술동향」, 1991년 3월 5일 개최).
이 ELID 연삭법은 종래의 전해연삭에 있어서의 전극을 대신하여 도전성 지석을 이용하고, 또한 이 지석과 간격을 두어 대향하는(서로 마주보는) 전극을 설치하며, 지석과 전극 사이에 도전성 액체를 흘리면서 지석과 전극 사이에 전압을 인가 하고, 지석을 전해에 의해 드레싱하면서 지석에 의해 작업물을 연삭하는 것이다. 이 ELID 연삭법에서는 숫돌입자를 가늘게 해도 전해 드레싱으로 숫돌입자의 날세움이 되어 지석의 잼밍(jamming)이 발생하지 않기 때문에, 숫돌입자를 가늘게 함으로써 경면과 같은 극히 우수한 가공면을 연삭가공에 의해 얻을 수 있다. 따라서, ELID 연삭법은 고능률 연삭으로부터 경면연삭에 이르기까지 지석의 날카로움을 유지할 수 있고 또한 종래기술에서는 불가능하였던 고정밀한 표면을 단시간에 완성할 수 있는 수단으로서, 여러 연삭가공으로의 적용이 기대되고 있다.
본 발명은 이러한 ELID 연삭법의 원리를 응용하여, 연마 패드 컨디셔너의 성능을 큰폭으로 개선한 것이다. 즉, 본 발명에 따르면, 가공면으로 돌출되도록 규칙적으로 배치된 복수의 주상(柱狀) 다이아몬드(12)와, 상기 주상 다이아몬드를 일체로 고정하는 도전성 결합부재(14)로 이루어지며, 상기 도전성 결합부재는 간격을 두어서 대향하는 전극(22)과의 사이에 도전성 액체(24)를 흘리면서 전해 드레싱할 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드 컨디셔너가 제공된다.
상기 본 발명의 구성에 따르면, 주상 다이아몬드(Prismatic Diamond)를 일체로 고정하는 도전성 결합부재(14)가 간격을 두어 대향하는 전극(22)과의 사이에 도전성 액체(24)를 흘리면서 전해 드레싱될 수 있도록 되어 있기 때문에, 주상 다이아몬드(12)의 선단이 마모되고 도전성 결합부재로부터의 돌출량이 적어져서 컨디셔닝 상태가 변화하는 경우에는, 도전성 결합부재의 표면을 전해 드레싱에 의해 제거하고, 주상 다이아몬드의 돌출량을 증대시킬 수 있다. 따라서, 항상 돌출량을 최적화할 수 있고, 이 주상 다이아몬드의 선단이 절삭도로서의 기능을 하고, 연마 패드(예를 들어, 플라스틱재)를 적당한 거칠기로 재가공(컨디셔닝)할 수 있으며, 또한 균일한 컨디셔닝을 안정하게 유지할 수 있다. 또한, 주상 다이아몬드로서 예를 들어 2mm 전후 길이의 인조 다이아몬드가 이용될 수 있기 때문에, 종래의 숫돌입자나 박막 두께의 수십배의 상당히 긴 수명이 얻어진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 상기 도전성 결합부재(14)는 주상 다이아몬드(12)를 매설하기 위한 복수의 구멍(15a)을 갖는 도전성 금속판(15)과, 상기 구멍과 주상 다이아몬드 사이에 충진되고 소결된 도전성 소결금속(16)으로 이루어진다.
이 구성에 의해, 구멍(15a)에 주상 다이아몬드(12)를 삽입하고 그 간격에 도전성 금속분말을 충진하여 소결시킴으로써 주상 다이아몬드(12)를 강고하게 유지시킨 도전성 소결금속(16)을 형성할 수 있기 때문에, 성장이 느리고 고가인 CVD와 비교하면 큰폭으로 제조비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 불활성 가스중에서 고온유지하는 것으로 금속분말의 소결이 실시가능하기 때문에, 불순물 혼입의 우려가 없이, 실리콘 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
상기 도전성 결합부재(14)는 원판형상이고, 상기 복수의 주상 다이아몬드는 선단이 원판의 저면에 위치하고 있다. 이 구성에 의해, 원판상 연마 패드 컨디셔너로서 이용할 수 있다.
본 발명의 그 외의 목적 및 유리한 특징은 첨부도면을 참조하여 이하 설명에서 명백해질 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도에 있어서, 공통하는 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 중복한 설명을 생략한다.
도 3a, 도 3b는 본 발명의 연마 패드 컨디셔너의 구성도이며, 도 3a는 측면 단면도, 도 3b는 하면도이다. 이 도에 나타난 바와 같이, 본 발명의 연마 패드 컨디셔너(10)는 가공면(도에서는 하면)으로 돌출되도록 규칙적으로 배치된 복수의 주상 다이아몬드(12)와, 주상 다이아몬드(12)를 일체로 고정하는 도전성 결합부재(14)로 이루어진다. 도전성 결합부재(14)는 본 예에서는 원판형상이며, 복수의 주상 다이아몬드(12)는 원판의 하면에 균등하게 분포하여 본 예에서는 약 2000개가 매립되며 그 선단이 원판의 저면에 위치하고 있다.
도 4a, 도 4b는 도 3a, 도 3b의 연마 패드 컨디셔너의 부분 구성도이며, 도 4a는 도 3b의 단일의 주상 다이아몬드(12) 주위의 확대도, 도 4b는 단일의 주상 다이아몬드(12)의 사시도이다.
도 4b의 주상 다이아몬드(12)에는, 이 예에서는 한변이 약 0.2mm인 각주로, 길이 약 2∼2.5mm의 인조 다이아몬드를 사용한다. 이러한 인조 다이아몬드는 이미 비교적 싼값으로 대량생산되고 있다.
도 3a, 도 3b, 및 도 4a에 나타난 바와 같이, 도전성 결합부재(14)는 주상 다이아몬드(12)를 매설하기 위한 복수의 구멍(15a)을 갖는 도전성 금속판(15)과, 구멍(15a)과 주상 다이아몬드(12) 사이에 충진되고 소결되는 도전성 소결금속(16)으로 이루어진다.
도 3a, 도 3b의 연마 패드 컨디셔너는 이하와 같은 방법에 의해 제조된다.
우선, 도 3a, 도 3b의 예에서는, 도전성 금속판(15)으로 약 2mm 두께의 Ni금속판을 이용하고, 이 금속판에 직경 약 0.5mm의 관통구멍(15a)을 약 2000개 설치하고, 각각의 구멍에 주상 다이아몬드(12)를 매설한다.
다음에, 관통구멍(15a)과 주상 다이아몬드(12)의 사이에, 도전성 금속분말을 충진하고 도전성 금속판(15)의 전체를 불활성 가스중에서 고온으로 유지시켜 충진된 금속분말을 소결시키고, 주상 다이아몬드(12)를 강고하게 유지하는 도전성 소결금속(16)을 형성한다.
또한, 이 예에서는, 도전성 금속판(15)을 기본금속(base metal)(18)에 납땜등으로 접합하여 일체화시킨다. 또한, 접합에는 그 밖의 수단, 예를 들어 확산접합을 적용해도 좋다.
도 5는, 본 발명의 연마 패드 컨디셔너를 이용한 CMP 장치의 구성도이다. 이 도에 있어서, 이 CMP 장치는 도 1에 나타낸 종래 CMP 장치와 같이, 연마 패드(2)를 상면에 갖는 회전정반(3)과, 실리콘 웨이퍼(1)를 하면에 부착한 회전판(4)을 구비하고, 회전정반(3)과 회전판(4)을 각각의 축심을 중심으로 회전시키면서 그 사이에 콜로이드상 실리카를 함유하는 슬러리(5)를 공급하며, 콜로이드상 실리카 중의 SiO2의 초미립자(입자직경 수nm∼수십nm)와 실리콘 웨이퍼(Si)를 반응시켜서 경화시키고, 동시에 연마 패드상에 있는 콜로이드상 실리카 중의 SiO2로 실리콘 웨이퍼(1)의 하면을 연마(폴리싱)하도록 되어 있다.
도 5의 CMP 장치는, 또한 본 발명의 연마 패드 컨디셔너(10)를 하면에 부착 한 제2회전판(21)을 구비한다. 이 제2회전판(21)은, 그 축심을 중심으로 회전시키면서, 수직 및 수평방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 제2회전판(21)이 수평방향으로 옵셋한 위치(도 5에서 이중 점선으로 표시)에, 연마 패드 컨디셔너(10)의 도전성 결합부재(14)(15, 16으로 이루어짐)로부터 간격을 두고 대향한 전극(22)과, 그 사이에 도전성 액체(24)를 공급하는 도전성 액체 공급장치와, 도전성 결합부재(14)를 플러스로, 전극(22)을 마이너스로 인가하는 전원장치(26)를 구비하고 있다.
이 구성에 의해, 연마 패드 컨디셔너(10)를 하강시켜 연마 패드(2)의 하면에 바짝 대면서 회전시킴으로써, 연마 패드면을 적당한 거칠기로 재가공(컨디셔닝)하고, 필요에 따라 제2회전판(21)을 수평방향으로 옵셋시키고, 도전성 결합부재와 간격을 두어 대향한 전극(22)과의 사이에 도전성 액체(24)를 흘리면서 전해 드레싱할 수 있다.
도 6은 본 발명의 원리설명도이다. 이 도에 있어서, (A)는 연마 패드 컨디셔너로서 양호한 공구표면을 나타내고 있고, 각 주상 다이아몬드(12)가 도전성 결합부재(14)(15, 16으로 이루어짐)로부터 균일하게 돌출되어 있다. (B)는 주상 다이아몬드(12)의 마모 후의 공구표면, (C)는 전해 드레싱에 의한 주상 다이아몬드(12)의 돌출중을 나타내고 있다.
(A) 상술한 연마 패드 컨디셔너(10)를 이용하여 연마 패드의 컨디셔닝을 계속함에 따라 주상 다이아몬드(12)의 선단부가 마모된다. (B)와 같이, 주상 다이아몬드(12)의 도전성 결합부재(14) 크기의 돌출량이 불충분하면, 가공저항에 의해 부 하가 상승하고, 안정한 컨디셔닝이 불가능하게 된다. 이것을 피하기 위해, (C)와 같이, 전해 드레싱에 의해 도전성 결합부재(14)를 용해시키고, 각각의 주상 다이아몬드(12)의 선단을 도전성 결합부재(14)로부터 다시 돌출시켜서, (A)의 양호한 공구표면상으로 되돌아온다.
(A)∼(C)를 반복함으로써, 공구표면을 항상 연마 패드 컨디셔너로서 양호한 상태로 유지할 수 있다.
상술한 본발명의 구성에 따르면, 주상 다이아몬드(Prismatic Diamond)를 일체로 고정하는 도전성 결합부재(14)가 간격을 두어 대향하는 전극(22)과의 사이에 도전성 액체(24)를 흘리면서 전해 드레싱될 수 있도록 되어 있기 때문에, 주상 다이아몬드(12)의 선단이 마모되고, 도전성 결합부재로부터의 돌출량이 적어져서 컨디셔닝 상태가 변하는 경우에는, 도전성 결합부재의 표면을 전해 드레싱에 의해 제거하고, 주상 다이아몬드의 돌출량을 증대시킬 수 있다. 따라서, 항상 돌출량을 최적화할 수 있고, 상기 주상 다이아몬드의 선단이 절삭도로서의 기능을 하고, 연마 패드(예를 들어 플라스틱재)를 적당한 거칠기로 재가공(컨디셔닝)할 수 있으며, 또한 균일한 컨디셔닝을 안정하게 유지할 수 있다. 또한, 주상 다이아몬드로서 예를 들어 2mm 전후 길이의 인조 다이아몬드를 이용할 수 있기 때문에, 종래의 숫돌입자나 박막 두께의 수십배의 상당히 긴 수명이 얻어진다.
또한, 도전성 결합부재(14)를 복수의 구멍(15a)을 갖는 도전성 금속판(15)과, 상기 구멍과 주상 다이아몬드 사이에 충진되고 소결되는 전도성 소결금속(16)으로 구성하고, 상기 구멍(15a)에 주상 다이아몬드(12)를 삽입하고, 그 사이에 도 전성 금속분말을 충진시켜 소결시킴으로써, 주상 다이아몬드(12)를 강고하게 유지하는 도전성 소결금속(16)이 형성가능하기 때문에, 성장이 느리고 고가인 종래의 CVD에 비교하면 큰폭으로 제조비용을 절감할 수 있다. 또한, 불활성 가스중에서 고온유지하는 것으로, 금속분말의 소결이 실시가능하기 때문에, 불순물의 혼합 우려가 없고, 실리콘 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 다양히 변경할 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 상술한 예에서는, 실리콘 웨이퍼용의 CMP 장치(Chemical Mechanical Polishing Apparatus)에 대해 상술하였지만, 그 밖의 연마장치에도 그대로 적용할 수 있다.
또한, 본 발명을 몇 개의 바람직한 실시예에 의해 설명하였지만, 본 발명에 포함된 권리범위는 이러한 실시예에 한정되지 않음을 이해할 것이다. 반대로, 본 발명의 권리범위는 첨부한 청구범위에 포함된 모든 개량, 수정 및 균등물을 포함하는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 연마 패드 컨디셔너는 연마 패드면을 적당한 거칠기로 재가공(컨디셔닝)할 수 있고, 수명이 상당히 길며, 균일한 컨디셔닝을 안정하게 유지할 수 있고, 제조비용이 비교적 낮으며 실리콘 웨이퍼를 오염시킬 우려가 없는 등의 우수한 효과를 갖는다.

Claims (3)

  1. 가공면으로 돌출되도록 규칙적으로 배치된 복수의 주상(柱狀) 다이아몬드(12)와, 상기 주상 다이아몬드가 균등하게 분포되면서 매립되는 것에 의해 일체로 고정하는 도전성 결합부재(14)로 이루어지며, 상기 도전성 결합부재는 간격을 두어서 대향하는 전극(22)과의 사이에 도전성 액체(24)를 흘리면서 전해 드레싱될 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드 컨디셔너.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 결합부재(14)는 주상 다이아몬드(12)를 매설하기 위한 복수의 구멍(15a)을 갖는 도전성 금속판(15)과, 상기 구멍과 주상 다이아몬드 사이에 충진되고 소결되는 도전성 소결금속(16)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 패드 컨디셔너.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전성 결합부재(14)는 원판형상이고, 상기 복수의 주상 다이아몬드의 선단은 원판의 저면에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드 컨디셔너.
KR1020000049280A 1999-08-25 2000-08-24 연마 패드 컨디셔너 KR100641550B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP11-237745 1999-08-25
JP23774599A JP3387858B2 (ja) 1999-08-25 1999-08-25 ポリッシングパッドコンディショナー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010050198A KR20010050198A (ko) 2001-06-15
KR100641550B1 true KR100641550B1 (ko) 2006-10-31

Family

ID=17019853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000049280A KR100641550B1 (ko) 1999-08-25 2000-08-24 연마 패드 컨디셔너

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6540597B1 (ko)
JP (1) JP3387858B2 (ko)
KR (1) KR100641550B1 (ko)
TW (1) TW469209B (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502330B1 (ko) * 2000-04-29 2005-07-20 삼성에스디아이 주식회사 격벽이 마련된 기판 및 이를 이용한 플라즈마 표시장치
US8256091B2 (en) * 2000-11-17 2012-09-04 Duescher Wayne O Equal sized spherical beads
US7520800B2 (en) * 2003-04-16 2009-04-21 Duescher Wayne O Raised island abrasive, lapping apparatus and method of use
EP1207015A3 (en) * 2000-11-17 2003-07-30 Keltech Engineering, Inc. Raised island abrasive, method of use and lapping apparatus
US8062098B2 (en) 2000-11-17 2011-11-22 Duescher Wayne O High speed flat lapping platen
US8545583B2 (en) * 2000-11-17 2013-10-01 Wayne O. Duescher Method of forming a flexible abrasive sheet article
KR20030001033A (ko) * 2001-06-28 2003-01-06 동부전자 주식회사 다이아몬드 컨디셔너 세정 장치
TW524729B (en) * 2001-11-15 2003-03-21 Nanya Technology Corp Conditioner of chemical mechanical polishing machine and method of detecting diamond fall-off thereof
US20060130627A1 (en) * 2003-01-15 2006-06-22 Mitsubishi Materials Corporation Cutting tool for soft material
KR20040084153A (ko) * 2003-03-26 2004-10-06 (주)디디다이아 유리질 화합물을 사용하여 화학기계적 연마 패드콘디셔너를 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된화학기계적 연마 패드 콘디셔너
US7125324B2 (en) * 2004-03-09 2006-10-24 3M Innovative Properties Company Insulated pad conditioner and method of using same
US6945857B1 (en) * 2004-07-08 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner and methods of manufacture and recycling
US7066795B2 (en) * 2004-10-12 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels
TWI290337B (en) * 2005-08-09 2007-11-21 Princo Corp Pad conditioner for conditioning a CMP pad and method of making the same
TW200726582A (en) * 2005-10-04 2007-07-16 Mitsubishi Materials Corp Rotary tool for processing flexible materials
US7291799B2 (en) * 2005-10-27 2007-11-06 United Technologies Corporation Electrode dressing template
JP5095159B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-12 富士重工業株式会社 電解ドレッシング研削装置
US7815495B2 (en) * 2007-04-11 2010-10-19 Applied Materials, Inc. Pad conditioner
US9190310B2 (en) * 2010-04-16 2015-11-17 Lam Research Ag Grounded chuck
US20120028553A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Flexible abrasive grinding apparatus and related methods
KR102008782B1 (ko) * 2013-01-30 2019-08-08 새솔다이아몬드공업 주식회사 패드 컨디셔너 및 그의 제조방법
JP6968817B2 (ja) * 2016-04-06 2021-11-17 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド ダイヤモンド複合体ｃｍｐパッドコンディショナ
KR102674027B1 (ko) 2019-01-29 2024-06-12 삼성전자주식회사 재생 연마패드
USD1004393S1 (en) * 2021-11-09 2023-11-14 Ehwa Diamond Industrial Co., Ltd. Grinding pad
USD1000928S1 (en) * 2022-06-03 2023-10-10 Beng Youl Cho Polishing pad
TWI823456B (zh) * 2022-07-01 2023-11-21 詠巨科技有限公司 修整組件、其製造方法及應用其的組合式修整器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3244454B2 (ja) 1997-06-05 2002-01-07 理化学研究所 切削研削両用工具
JP3052896B2 (ja) * 1997-06-13 2000-06-19 日本電気株式会社 研磨布表面のドレス治具及びその製造方法
JP3527448B2 (ja) * 1999-12-20 2004-05-17 株式会社リード Ｃｍｐ研磨布用ドレッサー及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001062719A (ja) 2001-03-13
US6540597B1 (en) 2003-04-01
TW469209B (en) 2001-12-21
JP3387858B2 (ja) 2003-03-17
KR20010050198A (ko) 2001-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100641550B1 (ko) 연마 패드 컨디셔너
KR100530905B1 (ko) 연마직물용 드레서 및 이것을 이용한 연마직물의 드레싱방법
EP1722925B1 (en) Insulated pad conditioner and method of using same
KR101127256B1 (ko) 요철 패드 컨디셔너 및 그 사용법
JP5406890B2 (ja) ２つの加工層をトリミングするための方法およびトリミング装置
US20150306734A1 (en) Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods
US20140302756A1 (en) Chemical mechanical polishing conditioner
US20150087212A1 (en) Cmp conditioner pads with superabrasive grit enhancement
JPH0639729A (ja) 精研削砥石およびその製造方法
US20190091832A1 (en) Composite conditioner and associated methods
TW200821092A (en) Conditioning disk having uniform structures
JP2015520680A (ja) 両面化学機械平坦化パッドコンディショナと共に使用されるツール
WO2007120224A2 (en) Electroplated abrasive tools, methods, and molds
KR20190015204A (ko) 다이아몬드 복합 cmp 패드 조절기
US7399516B2 (en) Long-life workpiece surface influencing device structure and manufacturing method
CN109922924B (zh) Cmp垫修整组合件
JP4695236B2 (ja) Ｃｍｐコンディショナの製造方法
TWI383860B (zh) Modular dresser
KR100481577B1 (ko) 전기점성 유체를 이용하는 미세 부품의 연마 장치 및 연마방법
JP2000006034A (ja) 研削工具
JP2000246646A (ja) 電着砥石
KR20070015919A (ko) 절연된 패드 컨디셔너 및 이를 이용하는 방법
JP5145857B2 (ja) ウェハの製造方法
JP2001054867A (ja) 研磨砥石
JPH11156728A (ja) ダイヤモンド砥石

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee