KR100636510B1 - 기판의 면취장치 - Google Patents

기판의 면취장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100636510B1
KR100636510B1 KR1020050090135A KR20050090135A KR100636510B1 KR 100636510 B1 KR100636510 B1 KR 100636510B1 KR 1020050090135 A KR1020050090135 A KR 1020050090135A KR 20050090135 A KR20050090135 A KR 20050090135A KR 100636510 B1 KR100636510 B1 KR 100636510B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
magnet
abrasive stone
blocking member
chamfering device
Prior art date
Application number
KR1020050090135A
Other languages
English (en)
Inventor
이종우
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050090135A priority Critical patent/KR100636510B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100636510B1 publication Critical patent/KR100636510B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 면취장치에 관한 것으로, 본 발명의 기판 면취장치는 기판의 절단면을 연마하기 위한 연마석과, 상기 연마석에 설치되는 회전축과, 상기 회전축을 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 연마석의 연마영역과 기판의 액티브 영역을 분리시키기기 위해 설치되며 상기 기판이 유입가능한 간격을 두고 상하로 설치되는 차단부재를 포함하여 구성된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 기판의 면취 시 발생하는 파티클로부터 패턴의 액티브 영역을 확실하게 보호할 수 있는 효과가 있다.
기판, 면취, 자석, 자성유체, 파티클, 연마석

Description

기판의 면취장치{END FINISHING APPARATUS FOR SUBSTRATE}
도 1은 종래 기술에서 유리기판 면취장치의 일예를 나타내는 요부 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 면취장치의 제1 실시예를 나타내는 요부 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 면취장치의 제2 실시예를 나타내는 요부 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 면취장치의 제3 실시예를 나타내는 요부 구성도,
도 5 내지 도 6은 본 발명의 제3 실시예에 의해 기판이 면취되는 방법을 나타내는 도면.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
11 : 기판 13 : 패턴
14 : 스테이지 20 : 연마석
21 : 회전축 22, 23 : 자석
30 : 자성유체
본 발명은 기판의 면취장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 면취 시 발생하는 파티클로부터 기판 위에 형성된 패턴의 액티브 영역을 보호할 수 있는 기판의 면취장치에 관한 것이다.
평판표시소자인 유기 발광소자는 유기물의 자체 발광에 의해 컬러화상을 구현하는 초경박형 표시소자로서, 그 구조가 간단하면서 광효율이 높다는 점에서 차세대의 유망 디스플레이 장치로서 주목되고 있다.
일반적인 유기 발광소자에서는, 기판 상에 소정패턴의 양(+)전극층이 형성되어 있고, 이 양전극층 상부에는 홀수송층, 발광층 및 전자수송층이 순차적으로 형성되어 있으며, 상기 전자수송층 상에는 양전극층과 직교하는 방향으로 소정패턴의 음(-)전극층이 형성되어 있다. 여기에서 홀수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기박막들이다. 이와 같은 구조에 있어서, 기판 상에 순차적으로 형성된 양전극층, 홀수송층, 발광층, 전자수송층 및 음전극층을 포함하는 상기 유기 전계발광 소자를 구동하기 위해 양전극층과 음전극층간에 전압을 인가하면, 양전극층으로부터 주입된 홀은 홀수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고 음전극층으로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동하는데, 발광층 영역에서 홀과 전자의 캐리어들이 결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이와 같이 생성된 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 변화하면서 방출하는 에너지에 의해 발광층의 형광성 분자가 발광하여 화상을 형성하게 된다.
일반적으로 상기 기판으로는 유리(Glass) 기판을 많이 사용하는데, 기판을 레이저 또는 휠을 이용하여 절단을 하는 경우, 기판의 절단면이 날카롭게 되어 OLED 공정 중 기구부와 접촉하는 공정에서 기판이 파손되거나, 파티클이 발생하여 화소의 암점(불량)의 원인이 되므로, 이러한 불량을 해결하기 위해서는 절단면의 라운딩 처리가 필요하다.
즉, 기판의 절단면을 라운딩 처리하기 위한 면취공정을 별도로 진행해야 하는데, 이 경우 이미 패턴이 형성된 기판의 경우에는 물리적인 면취 공정 시 발생하는 파티클에 의해 화소 영역에 치명적인 손상을 입게 되어 불량의 원인이 된다.
이와 같은 파티클은 세정에 의해서도 제거하기가 어려운 바, 종래에는 도 1에 도시한 바와 같이, 연마석(10)을 이용해서 기판(11)의 절단면을 라운딩처리할 때, 기판(11)의 상면에 물을 이용하여 수막(12)을 형성하는 방법으로 기판(11)의 연마에 따르는 파티클이 패턴(13) 위에 박히는 것을 방지하거나, 추후 세정을 통해 일정 부분의 큰 사이즈의 파티클만을 제거하는 방법을 사용하였다.
그러나, OLED의 경우에는 매우 작은 파티클(1㎛ 이하)에도 불량이 발생하므로 파티클 방지대책이 매우 중요한 사항이며, 종래의 수막(12)을 형성하는 방법으로는 불량을 감소시키는데 한계가 있어서, 면취시 발생한 파티클이 기판(11)의 패턴(13)에 박히는 것을 방지할 수 있는 근본적인 해결책이 요구되어 왔다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 연마가 이루어지는 연마석과 패턴이 형성된 화소 영역이 존재하는 기판부분을 완전히 분리하여 기판의 면취 시 발생하는 파티클로부터 패턴의 액티브 영역을 보호할 수 있는 기판의 면취장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 기판의 절단면을 연마하기 위한 연마석과, 상기 연마석에 설치되는 회전축과, 상기 회전축을 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 연마석의 연마영역과 기판의 액티브 영역을 분리시키기기 위해 설치되며 상기 기판이 유입가능한 간격을 두고 상하로 설치되는 차단부재를 포함하는 기판의 면취장치가 제공된다.
상기 차단부재는 판형상의 차단판이며, 상기 연마석의 회전축과 평행하게 놓이는 것이 바람직하다.
상기 차단부재는 기판과 접하는 단부에 기판의 보호를 위한 연질부재가 더 설치될 수 있다.
또한, 상기 차단부재로 판형의 자석이 적용가능하며, 이 경우 상기 자석과 자석 사이의 기판 유입공간에는 자성유체가 구비된다.
여기서, 상기 차단부재는 자극이 서로 다른 자석이 상하로 설치되는 것이 바람직하며, 상기 자성유체가 구비되는 기판 유입공간의 간격은 0.7 ~ 1.5㎜인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
첨부한 도 2는 본 발명에 따른 기판 면취장치의 제1 실시예를 나타내는 요부 구성도로서, 본 발명의 기판 면취장치의 제1 실시예는 기판(11)의 절단면을 연마하기 위한 연마석(20)과, 상기 연마석(20)에 설치되는 회전축(21)과, 상기 회전축(21)을 회전시키기 위한 구동수단과, 상기 연마석(20)의 연마영역과 기판(11)의 액티브 영역을 분리시키기기 위해 설치되는 차단부재(15)(16)로 구성된다.
상기 연마석(20)은 통상적인 것이 사용가능하며, 연마석(20)의 회전축(21)을 회전시키기 위한 구동수단으로서 모터(도시안함) 등이 설치된다.
상기 차단부재(15)(16)는 판형상의 차단판으로서, 상기 기판(11)이 유입가능한 간격을 두고 기판(11)의 상하로 설치되어 상기 연마석(20)과 기판(11) 사이를 분리시킬 수 있도록 한다.
여기서, 상기 차단부재(15)(16)는 상기 연마석(20)의 회전축(21)과 평행하게 놓이는 것이 바람직하다.
또한, 상기 차단부재(15)(16)가 스테이지(14) 위에 놓인 기판(11)을 물은 후 상기 연마석(20)의 연마작업이 이루어져야 하므로, 상기 차단부재(15)(16)는 상하이동이 가능한 구조를 필요로하며, 상기 연마석(20)이 기판(11) 쪽으로 이동하는 연마석 주행구조가 적용되는 것이 바람직하다.
이와 같은 구조는 통상적인 것이 사용가능하므로, 본 발명에서는 이에 관한 구조의 설명은 생략한다.
이와 같은 본 발명의 제1 실시예는 상기 차단부재(15)(16)가 기판(11)의 상 면 및 하면에 접하도록 설치되어 상기 연마석(20)과 기판(11)의 액티브 영역 사이가 완전히 차단되므로, 상기 기판(11)의 연마가 이루어게 되어 파티클이 발생되어도 파티클이 기판(11)의 패턴(13) 위에 박히는 것을 방지할 수 있게 된다.
따라서, 파티클로부터 기판(11)을 보호할 수 있다.
첨부한 도 3은 본 발명에 따른 기판 면취장치의 제2 실시예를 나타내는 요부 구성도로서, 상기 차단부재(15)(16)의 단부에 기판(11)의 보호를 위한 연질부재(17)(18)가 더 설치될 수 있다.
상기 연질부재(17)(18)는 상기 차단부재(15)(16)가 스테이지(14) 위에 놓인 기판(11)을 물을 때 기판(11)이 손상되는 것을 방지하기 위해 설치되는 것으로, 부드러운 재질, 예를 들어 고무 등이 적용되는 것이 바람직하며, 그 외의 구성은 상술한 제1 실시예와 동일하다.
따라서, 본 발명의 제2 실시예도 상기 차단부재(15)(16)의 단부에 설치된 연질부재(17)(18)로 인해 상기 연마석(20)과 기판(11)의 액티브 영역 사이가 더욱 완전하게 차단되므로, 상기 기판(11)의 연마가 이루어게 되어 파티클이 발생되어도 파티클이 기판(11)의 패턴(13) 위에 박히는 것을 방지할 수 있게 된다.
한편, 상기 차단부재로 자력을 이용한 자석과, 자석 사이를 밀봉할 수 있는 자성유체를 적용하여 본 발명을 구성할 수 있다.
즉, 첨부한 도 4는 본 발명에 따른 기판 면취장치의 제3 실시예를 나타내는 요부 구성도로서, 본 발명의 제3 실시예는 기판의 절단면을 연마하기 위한 연마석(20)과, 상기 연마석(20)에 설치되는 회전축(21)과, 상기 연마석(20)의 연마영역과 기판의 액티브 영역을 분리시키기기 위해 설치되며 상기 기판이 유입가능한 간격을 두고 상하로 설치되는 자석(22)(23)과, 상기 자석(22)과 자석(23) 사이의 기판 유입공간에 구비되는 자성유체(30)로 구성된다.
상기 연마석(20)은 통상적인 것이 사용가능하며, 연마석(20)을 회전시키기 위한 회전축(21)은 모터(도시안함) 등에 의해 회전가능하게 설치된다.
상기 자석(22)(23)은 상기 연마석(20)의 연마영역과 기판(11)의 액티브 영역을 분리시키기기 위해 설치되는 차단부재로서, 판형상의 것이 적용되는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 자석(22)(23)은 자극이 서로 다른 자석이 기판의 상하로 설치되는 것이 바람직한데, 도 4에서 보는 바와 같이, 상부의 자석(22)이 N극이면 하부의 자석(23)은 S극을 설치하여 상기 자석(22)(23) 간에 형성된 자력에 의해 상기 자성유체(30)가 자석(22)과 자석(23) 사이에 존재할 수 있도록 한다. 물론, 상부의 자석(22)을 S극으로, 하부의 자석(23)을 N극으로 설치하는 것도 가능하다.
한편, 상기 자성유체(30)가 구비되는 기판 유입공간의 간격은 기판의 두께를 고려하여야 하는데, 기판이 자유롭게 유입되면서도 자성유체(30)가 흐르지 않고 자석(22)과 자석(23) 사이에 존재할 수 있는 크기로 되어야 한다.
통상 기판의 두께는 0.5 ~ 0.7㎜이므로 기판 유입공간의 크기는 기판의 두께보다 조금 더 크게 형성하며, 0.7 ~ 1.5㎜인 것이 바람직하다.
상기 자성유체(30)는 콜로이드사이즈(직경 10㎚이상, 100Å~200Å)의 마그네타이트(Magnetite). 망간페라이트, 니켈페라이트, 코발트페라이트, 바륨페라이트, 철, 니켈 등의 강자성 미립자의 표면에 올레인산이나 리놀산과 같은 불포화지방산으로 피복하고, 이를 계면활성제를 사용하여 지방족 탄화수소, 방향족 탄화수소, 물 또는 기름 등의 용매 중에 안정하게 분산시킨 콜로이드액체를 말한다.
이러한 자성유체는 분산성이 우수하여 중력, 원심력, 자장 등의 작용 하에서 침강이나 응집 등의 고액 분리 현상이 일어나지 않으며, 유체 자체가 균질하게 강한 자성을 가진 듯이 거동한다.
첨부한 도 5 내지 도 6은 본 발명의 제3 실시예에 의해 기판이 면취되는 방법을 나타내는 도면으로서, 기판(11)이 스테이지(14)에 놓인 상태에서 상기 자석(22)과 자석(23) 사이에 구비된 자성유체(30)로 유입되면, 상기 자성유체(30)가 상기 자석(22)과 기판(11)의 상면 및 상기 자석(23)과 기판(11)의 하면 사이를 밀봉하여, 기판(11)의 액티브 영역과 연마석(20)을 완전 차단할 수 있게 된다.
따라서, 도 6에서 보는 바와 같이, 상기 연마석(20)이 기판(11)을 연마하여 파티클(40)이 발생되어도 파티클(40)이 기판(11)의 패턴(13) 위에 박히는 것을 방지할 수 있게 된다.
따라서, 파티클(40)로부터 기판(11)을 보호할 수 있다.
또한, 이와 같은 제3 실시예는 상기 자석(22)(23)이 고정된 상태에서 기판(11)이 상기 자석(22)과 자석(23) 사이에 구비된 자성유체(30)로 유입된 후 연마석(20)에 의해 연마작업이 진행됨으로써, 연마석(20) 주행에서 기판(11)이 주행되는 기판 주행구조가 적용되는 것이 바람직하다.
이와 같은 구조는 통상적인 것이 사용가능하므로, 본 발명에서는 이에 관한 구조의 설명은 생략한다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 의하면 연마가 이루어지는 연마석과 패턴이 형성된 화소 영역이 존재하는 기판부분을 완전히 차단하여 기판의 면취 시 발생하는 파티클로부터 액티브 영역을 보호할 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 기판의 절단면을 연마하기 위한 연마석;
    상기 연마석에 설치되는 회전축;
    상기 회전축을 회전시키기 위한 구동수단;
    상기 연마석의 연마영역과 기판의 액티브 영역을 분리시키기기 위해 설치되며, 상기 기판이 유입가능한 간격을 두고 상하로 설치되는 차단부재;
    를 포함하는 기판의 면취장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차단부재는 판형상의 차단판인 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 차단부재는 상기 연마석의 회전축과 평행하게 놓이는 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 차단부재는 기판과 접하는 단부에 기판의 보호를 위한 연질부재가 더 설치되는 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 차단부재는 판형의 자석이며,
    상기 자석과 자석 사이의 기판 유입공간에는 자성유체가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 차단부재는 자극이 서로 다른 자석이 상하로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 자성유체가 구비되는 기판 유입공간의 간격은 0.7 ~ 1.5㎜인 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 차단부재는 상기 연마석의 회전축과 평행하게 놓이는 것을 특징으로 하는 기판의 면취장치.
KR1020050090135A 2005-09-27 2005-09-27 기판의 면취장치 KR100636510B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050090135A KR100636510B1 (ko) 2005-09-27 2005-09-27 기판의 면취장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050090135A KR100636510B1 (ko) 2005-09-27 2005-09-27 기판의 면취장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100636510B1 true KR100636510B1 (ko) 2006-10-18

Family

ID=37626653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050090135A KR100636510B1 (ko) 2005-09-27 2005-09-27 기판의 면취장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100636510B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101164331B1 (ko) * 2010-02-16 2012-07-09 에스티엑스조선해양 주식회사 초간편 두께 조절 면취기
KR20150134721A (ko) 2014-05-22 2015-12-02 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 면취 가공시스템
KR20150134722A (ko) 2014-05-22 2015-12-02 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 면취 가공시스템 및 면취 가공방법
KR20160127435A (ko) 2015-04-27 2016-11-04 주식회사 에스에프에이 면취 가공유닛 및 이를 이용한 면취 가공시스템
KR20170006040A (ko) 2015-07-07 2017-01-17 (주) 피엔피 3d 글라스 면취장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101164331B1 (ko) * 2010-02-16 2012-07-09 에스티엑스조선해양 주식회사 초간편 두께 조절 면취기
KR20150134721A (ko) 2014-05-22 2015-12-02 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 면취 가공시스템
KR20150134722A (ko) 2014-05-22 2015-12-02 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 면취 가공시스템 및 면취 가공방법
KR20160127435A (ko) 2015-04-27 2016-11-04 주식회사 에스에프에이 면취 가공유닛 및 이를 이용한 면취 가공시스템
KR20170006040A (ko) 2015-07-07 2017-01-17 (주) 피엔피 3d 글라스 면취장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636510B1 (ko) 기판의 면취장치
CN101889325B (zh) 用于衬底的两侧溅射蚀刻的系统和方法
JP6413045B2 (ja) 蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法
KR102606823B1 (ko) 레이저 식각 장치 및 이를 이용한 레이저 식각 방법
US20150079305A1 (en) Manufacturing method and manufacturing apparatus for printing magnetic orientation master and magnetic pigment presswork
US20210376302A1 (en) Method and apparatus for producing flexible oled device
CN1514675A (zh) 掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器
US20210005490A1 (en) Adsorption device, transferring system having same, and transferring method using same
KR20190062380A (ko) 기판을 지지하기 위한 기판 캐리어, 마스크 척킹 장치, 진공 프로세싱 시스템, 및 기판 캐리어를 동작시키는 방법
JP2007180511A (ja) 薄膜トランジスタ基板、その製造方法、及びこれを有する表示パネル
CN215700222U (zh) 一种可冲退磁的磁盘
KR20070036397A (ko) 기판 세정장치
KR101686100B1 (ko) 프린팅 장치
JP5890609B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101231841B1 (ko) 반송계
KR20080049359A (ko) 기판 연마 장치
JP2007227604A (ja) プラズマ処理方法及び電気光学装置の製造方法
JP6287635B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR101570073B1 (ko) 기판 이송캐리어 및 그를 이용하는 기판 이송장치
KR100798145B1 (ko) 회전 유닛 및 기판 세정 장치
KR100831988B1 (ko) 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법
KR100828590B1 (ko) 대기압 플라즈마 발생장치
CN110858542B (zh) 光阻处理系统
WO2016109975A1 (en) Method for coating thin metal substrates using pulsed or combustion coating processes
JP2010037594A (ja) スパッタリング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121008

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee