KR100631968B1

KR100631968B1 - 파장변환형 발광장치

Info

Publication number: KR100631968B1
Application number: KR1020050016518A
Authority: KR
Inventors: 강형동
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2005-02-28
Filing date: 2005-02-28
Publication date: 2006-10-11
Also published as: KR20060095115A; JP5020512B2; US7214969B2; US20060192208A1; JP2006245543A

Abstract

본 발명은 파장변환형 발광장치에 관한 것으로서, 제1 및 제2 도전형 클래드층과 그 사이에 특정 파장광을 방출하는 활성층을 가지며, 대향하는 제1 및 제2 면을 갖는 반도체 발광다이오드와, 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면 중 적어도 한 면에 배치되어 인가전압에 따라 두께가 증감되는 압전체층과, 탄성이 거의 없는 강체물질로 이루어지며, 상기 압전체층의 두께증가가 상기 반도체 발광다이오드에 압력으로 인가되도록 상기 제1 및 제2 압전체층의 상기 반도체 발광다이오드를 둘러싸는 강성 프레임과, 상기 제1 및 제2 도전형 클래드층과 상기 압전체층에 각각 접속되며 상기 강성 프레임 상에 형성된 복수개의 단자부를 포함하는 파장변환형 발광장치를 제공한다.

격자상수(lattice constant), 압전체(piezoelectric material), 발광다이오드(light emitting diode)

Description

파장변환형 발광장치{WAVELENGTH-CONVERTED LIGHT EMITTING DEVICE}

도1은 본 발명에 따른 파장변환형 발광장치를 나타내는 개략도이다.

도2a 및 도2b는 본 발명에서 채용되는 파장변환원리를 설명하기 위한 그래프로서, 특정 반도체물질의 압력에 따른 에너지밴드갭 변화를 나타낸다.

도3a 및 도3b는 각각 본 발명의 일실시형태에 따른 파장변환형 발광장치의 일부분해도 및 개략사시도를 나타내는 그래프이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

30: 반도체 발광다이오드 31: 도전성 기판

32: 활성층 33a: 제1 도전형 클래드층

33b: 제2 도전형 클래드층 36a: 제1 전극

36b: 제2 전극 45a: 제1 압전체층

45b: 제2 압전체층 47: 강성 프레임

본 발명은 파장변환형 발광장치에 관한 것으로서, 특히 완성된 하나의 반도체 발광다이오드에서 에너밴드갭을 조정함으로써 발광파장을 변화시킬 수 있는 파장변환형 발광장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 발광다이오드는 우수한 단색성 피크파장을 가지며 광효율성이 우수하고 소형화가 가능하다는 장점을 가지므로, 다양한 디스플레이의 광원으로서 널리 사용되고 있다.

이러한 디스플레이분야에서는 다양한 색의 광원이 요구된다. 주로, 반도체 발광다이오드는 그 구성물질(특히, 활성층물질)의 에너지밴드갭에 따라 고유한 발광파장이 결정된다. 따라서, 다른 파장의 광을 얻기 위해서는, 반도체 발광다이오드 구성물질을 변경해야 한다. 예를 들어, GaN계 반도체에서는 Al 및/또는 In성분을 변경하여 에너지밴드갭을 증감시킬 수 있다.

이와 달리, 구성물질에 의해 결정된 발광다이오드의 고유파장을 추가적인 형광체를 이용하여 원하는 파장광으로 변환시키는 방법도 있다. 이러한 형광체 변환 발광다이오드는 그 광방출영역에 특정의 형광체페이스트를 도포하고 경화시킴으로써 제조된다. 이러한 고정된 요소인 형광체막에 의해 발광다이오드의 파장광이 결정되며, 이는 주로 백색광을 얻기 위한 방법으로 사용된다.

이와 같이, 하나의 발광다이오드는 정해진 특정파장광을 방출할 수 밖에 없다. 따라서, 다양한 색을 구현하기 위해서는, 서로 다른 색의 발광다이오드, 즉 빨 간(R), 초록(G) 및 파랑(G)을 발광하는 여러 반도체 발광다이오드를 조합하여 사용하는 것으로 인식되어 왔다. 하지만, 여러 다른 반도체 발광다이오드를 조합하는 경우에는 복잡한 구동회로가 요구될 뿐만 아니라, 색의 혼합으로 인한 손실을 감수해야 한다.

따라서, 완성된 하나의 발광다이오드에서 얻어지는 파장광을 특정조건에 따라 변화시킬 수 있는 기술이 보다 바람직한 방안으로 고려될 수 있으나, 앞서 설명한 바와 같이, 발광다이오드의 광파장은 그 구성물질의 밴드갭(및 형광체막 특성)에 따라 결정되므로, 이미 완성된 하나의 발광다이오드에서 파장광을 조정하는 기술은 현재까지 제안된 바 없다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 반도체 발광다이오드에 적용되는 압력을 이용하여 그 활성층의 에너지밴드갭을 조정함으로써 파장광을 가변시킬 수 있는 파장변환형 발광다이오드를 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 제1 및 제2 도전형 클래드층과 그 사이에 특정 파장광을 방출하는 활성층을 가지며, 대향하는 제1 및 제2 면을 갖는 반도체 발광다이오드와, 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면 중 적어도 한 면에 각각 배치되어 인가전압에 따라 두께가 증감되는 압전체층과, 탄성이 거의 없는 강체물질로 이루어지며, 상기 압전체층의 두께증가가 상기 반도체 발광다이오드에 압력으로 인가되도록 상기 압전체층의 상기 반도체 발광다이오드를 둘러싸는 강성 프레임과, 상기 제1 및 제2 도전형 클래드층과 상기 압전체층에 각각 접속되며 상기 강성 프레임 상에 형성된 복수개의 단자부를 포함하는 파장변환형 발광장치을 제공한다.

충분한 압력을 얻기 위해서, 상기 압전체층은 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 압전체층으로 이루어질 수 있다.

구체적으로, 상기 반도체 발광다이오드는 GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, 및 AlGaInN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 반도체 물질일 수 있다.

적용압력의 증가에 따라 에너지밴드갭은 증가하는 경향을 가지므로, 풀컬러 구현을 위해서, 상기 반도체 발광다이오드는 상기 압전체층에 의한 압력이 인가되지 않은 상태에서 약 500㎚ ∼ 약 800㎚의 파장광을 방출하는 활성층을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 상기 압전체층에 의해 상기 반도체 발광다이오드에 인가되는 최대 압 력은 약 100 Kbar ∼ 약 300 Kbar인 것이 바람직하다. 통상의 반도체 물질에서는, 적어도 100 Kbar이어야 충분한 에너지밴드갭의 변화를 나타내며, 300 Kbar이상인 경우에는 상기 강성 프레임의 기계적 안정성이 문제될 수 있기 때문이다. 이러한 최대압력범위 내에서 압력을 조절하여 다양한 파장광을 구현할 수 있다.

구체적인 실시형태에서, 상기 반도체 발광다이오드는 상기 제1 도전형 클래드층과, 활성층 및 제2 도전형 클래드층이 순차적으로 형성된 도전성 기판을 더 포함하며, 상기 반도체 발광다이오드는 상기 제1 도전형 클래드층과, 활성층 및 제2 도전형 클래드층이 순차적으로 형성된 도전성 기판을 더 포함하고, 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면은 각각 상기 도전성 기판의 하면과 상기 제2 도전형 클래드층의 상면일 수 있다.

본 실시형태에서, 상기 복수개의 단자부는, 상기 압전체층의 일면과 그와 접촉한 상기 제1 및 제2 면 중 어느 한 면 사이에 연결된 공통단자와, 상기 압전체층의 타면에 연결된 압전체구동단자와, 상기 제1 및 제2 면 중 다른 한 면에 연결된 발광다이오드 구동단자를 포함할 수 있다.

이와 달리, 상기 압전체층이 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 압전체층으로 이루어진 경우에, 상기 복수개의 단자부는, 상기 제1 면에 위치한 압전체층 하면에 연결된 제1 압전체구동단자와, 상기 제2 면에 위치한 압전체층 상면에 연결된 제2 압전체구동단자와, 상기 제1 면과 그와 접촉하는 상기 압전체층 사이에 연결된 제1 공통단자와, 상기 제2 면과 그와 접촉하 는 상기 압전체층 사이에 연결된 제2 공통단자일 수 있다.

바람직하게, 상기 강성 프레임은 상기 발광다이오드의 활성층 측면이 노출되도록 적어도 일면이 개방된 구조일 수 있다.

또한, 상기 강성프레임은 구조적 안정성을 위해 필연적으로 발광다이오드의 많은 면적을 덮는 경우에, 이로 인해 발광효율이 저하되지 않도록, 상기 강성 프레임은 투명한 물질로 구성할 수 있다.

본 발명은 단일한 발광다이오드에 압전체를 이용하여 큰 압력을 적용함으로써 활성층의 격자상수변환을 유도하고, 이를 통해 에너지밴드갭을 증가시킬 수 있다는 원리에 기초한다. 본 발명에 따르면, 완성된 단일 발광다이오드의 특정광을 압전체의 인가전압에 따라 변경시키는 것이 가능하며, 풀컬러용 디스플레이의 디스플레이에 적용할 경우에, 다양한 색 구현을 위해 사용되던 다른 복수개의 발광다이오드와 복잡한 구동회로 대신에, 간단히 인가전압을 조정하는 것만으로 다양한 색을 구현할 수 있으며, 보다 빠른 스위칭 속도를 기대할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 살명한다.

도1은 본 발명에 따른 파장변환형 발광장치를 나타내는 개략도이다. 본 도면은 본 발명의 발광장치의 작동원리를 보다 명료하게 설명하기 위한 개략적 구성만 을 나타내는 것으로서, 일부의 구성요소는 도시되지 않고 간단한 설명으로 대신한다.

도1을 참조하면, 본 발명에 따른 파장변환형 발광장치(20)는 크게 반도체 발광다이오드(10), 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)과 강성 프레임(17)을 포함한다.

상기 반도체 발광다이오드(10)는 제1 및 제2 도전형 클래드층(3a,3b)과 그 사이에 형성된 활성층(2)을 포함한다. 상기 발광다이오드(10)의 각층은 Ⅱ-Ⅴ족 반도체 또는 Ⅲ-Ⅳ족 반도체와 같은 통상의 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 바람직하게 GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, 및 AlGaInN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 반도체 물질일 수 있다.

본 실시형태에서, 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)은 상기 반도체 발광다이오드(10)의 활성층(2)에 높은 압력을 적용하여 격자상수를 변화시킴으로써 에너지밴드갭을 증감시키는 수단으로 사용되며, 각각 상기 발광다이오드의 대향하는 양면에 배치된다.

바람직하게, 공통단자를 통해 전원연결구조를 간소하게 구현하기 위해서, 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)은 도시된 바와 같이 각각 제1 도전형 클래드층(3a)의 하면과 상기 제2 도전형 클래드층(b)의 상면에 배치된다. 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)으로는 인가되는 전압에 따라 두께(또는 체적)가 변화되는 물질로서, 수정, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산염과 같은 압전물질이 사용될 수 있다.

상기 강성 프레임(17)은 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)과 그 사이에 개재된 발광다이오드(10)를 일체로 둘러싼 구조를 가지며, 탄성이 거의 없는 강체물질로 이루어진다. 따라서, 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)의 두께변화가 직접 발광다이오드(10)에 적용되는 압력원으로 작용할 수 있다. 또한, 상기 활성층(2)의 에너지밴드갭 변화를 위한 압력은 수 내지 수백 Kbar수준이므로, 이러한 높은 압력에 기계적 안정성을 유지할 수 있는 재료를 선택하는 것이 바람직하다.

상기 강성 프레임(17)은 상기 활성층(2)으로부터의 광이 방출될 수 있도록 적절한 구조 및/또는 재질로 형성한다. 즉, 본 실시형태와 같이, 측면방출형 발광소자를 적용할 경우에, 적어도 일면(대향하는 양면일 수 있음)이 개방되어 활성층의 측면을 노출시키는 구조를 가질 수 있다. 재질 측면에서, 상기 강성 프레임을 투명한 물질로 구성할 수도 있다. 상기 강성 프레임(17)은 구조적 안정성을 위해 발광다이오드의 보다 많은 면적을 덮게 되는 경우에, 발광효율의 저하를 방지하기 위해서, 상기 강성 프레임(17)은 투명한 물질로 구성하는 것이 바람직하다.

도1에 도시된 발광장치의 구조에서, 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)은 상기 발광다이오드와 별도로 구동될 수 있는 전원(V1,V2a,V2b)을 갖는다. 특히, 발광다이오드(10)에 연결된 전원(V1)은 거의 정해진 구동전압을 제공하지만, 상기 제1 및 제2 압전체층(15a,15b)에 연결된 전원 (V2a,V2b)은 인가압력을 조정하기 위해서 그 구동전압을 높은 수준에서 가변될 수 있도록 구성된다.

이와 같이, 본 발명은 구동전압에 따른 압전체층의 가변압력을 이용하여 활성층의 밴드갭을 조정하고, 그에 따라 발광다이오드의 특정파장광을 변화시킬 수 있다는 특징이 있다.

본 실시형태에서는, 상기 압전체층은 활성층에 보다 높은 압력이 적용될 수 있도록 양면에 각각 제1 및 제2 압전체층을 배치한 형태를 예시하였으나, 적어도 하나의 압전체층을 발광다이오드의 제1 및 제2 면 중 하나에 배치하는 방안이 고려될 수도 있다.

본 발명에서 채용되는. 압력에 의한 밴드갭 조정원리를 도2a 및 도2b를 참조하여 보다 상세히 설명한다.

도2a 및 도2b는 본 발명에서 채용되는 파장변환원리를 설명하기 위한 그래프이다. 도2a는 특정조성을 갖는 AlGaInN계 반도체물질의 압력에 따른 에너지밴드갭 변화를 나타내는 그래프이다.

도2a를 참조하면, InN, In₀₅₈₃Ga_0.17N, In_0.68Ga_0.32N, In_0.75Al_0.25N, In_0.5Ga_0.5N 물질의 에너지밴드갭을 나타낸다. 대기압 조건에서는 각각 0.6eV, 0.95eV, 1.25eV, 1.35eV, 1.7eV의 에너지밴드갭을 가지만, 70Kbar(또는 80Kbar)의 압력을 적용할 경우에, 에너지밴드갭이 약 0.2eV정도 증가된다. 이러한 높은 압력은 결정구조에 영 향을 미쳐 격자상수 변화가 발생되고, 이로 인해 에너지 밴드갭이 변화하기 때문이다.

도2b는 다른 반도체 물질인 ZnSeTe계 반도체물질의 압력에 따른 에너지밴드갭 변화를 나타내는 그래프이다.

도2b를 참조하면, ZnSe_1-xTe_x에서 조성비x를 각각 0, 0.09, 0.65, 0.96, 1로 한 반도체물질에 대한 압력변화에 따른 에너지밴드갭변화를 나타내는 그래프이다. 그 변화의 폭은 조성에 따라 다소 달리하지만, 대체적으로 80Kbar의 압력을 적용할 경우에 에너지밴드갭이 약 0.5eV정도 증가하는 것을 확인할 수 있다.

이와 같이, 일반적으로 반도체물질의 에너지밴드갭은 3∼6 meV/Kbar정도의 압력의존성을 갖는다. 따라서, 약 100 Kbar를 적용할 경우에는 약 100∼300㎚의 파장변화를 유도할 수 있으며, 다양한 색의 가시광선을 구현할 수 있다.

이러한 에너지밴드갭의 압력의존성은 경우에 따라 압력의 증가에 따라 에너지밴드갭이 감소될 수도 있으나, 일반적인 반도체물질의 경우에는 압력의 증가에 따라 에너지밴드갭이 증가하는 경향을 갖는다. 따라서, 압력증가에 의해 발광다이오드의 발광파장은 단파장화되는 경향을 갖는다. 따라서, 압력이 인가되지 않은 상 태에서 발광다이오드의 파장광은 약 500㎚ ∼ 약 800㎚의 파장광을 갖는 것이 풀컬러 구현에 바람직하다.

도3a은 본 발명의 파장변환형 발광장치의 내부구조를 상세히 설명하기 위해서, 강성 프레임을 생략한채로, 반도체 발광다이오드와 제1 및 제2 압전체층을 분해하여 나타낸 사시도이다.

도3a를 참조하면, 본 발명에 채용되는 반도체 발광다이오드(30)는 도전성 기판(31) 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층(33a), 활성층(32) 및 제2 도전형 클래드층(33a,33b)을 포함하며, 상기 도전성 기판(31)의 하면과 상기 제2 도전형 클래드층(33b)의 상면에는 제1 및 제2 전극(36a,36b)이 각각 형성된 직방체구조를 갖는다. 상기 발광다이오드(30)는 활성층(32)에 높은 압력을 전달해야 하므로, 이와 같이 구조적 안정성이 높은 단순한 직방체구조를 갖는 것이 바람직하다.

제1 및 제2 압전체층(45a,45b)은 상기 도전성 기판(31)의 하면 (특히, 제2 전극)과 상기 제2 도전형클래드층(33b)의 상면(특히, 제2 전극)에 각각 배치된다.

도3b와 같이, 상기 제1 및 제2 압전체층(45a,45b)과 그 사이에 개재된 발광다이오드(30)는 탄성이 거의 없는 강체물질로 이루어진 강성 프레임(47)의 내부공간에 장착된다. 이 때에, 상기 4개의 단자부(48a,48b,49a,49b)는 도3a와 같이 각각 적절한 위치에 삽입되거나 위치한 상태로 장착되며, 도3b와 같이 강성 프레임(47)의 일면으로 각각 연장되어 외부회로와 접속이 용이하도록 구성될 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 반도체 발광다이오드(30)는 상기 제1 압전체층(45a)과 상기 도전성 기판(31) 사이에 연결된 제1 공통단자(48a)와, 상기 제2 압전체층(45b)과 상기 제2 도전형 클래드층(33b) 사이에 연결된 제2 공통단자(48b)에 연결된다. 또한, 제1 압전체구동단자(49a)와 제2 압전체 구동단자(49b)는 상기 제1 압전체층(45a) 하면과 상기 제2 압전체층(45b) 상면에 연결된다. 이러한 단자패턴구조를 통해, 제1 및 제2 압전체층(45a,45b)과 상기 발광다이오드(30)를 다른 구동전압으로 독립적으로 구동시킬 수 있다.

이러한 구조에서, 4개의 단자를 통해 고전압을 제1 및 제2 압전체층(45a,45b)에 인가하면, 상기 제1 및 제2 압전체층(45a,45b)의 두께가 증가하며, 그로 인한 압력 모두가 강성 프레임(47)에 의해 발광다이오드(30)에 높은 압력으로 전달된다. 이러한 압력은 활성층(32)에 집중되어 그 밴드갭을 증가시키고 원래의 파장보다 낮은 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(32)이 680㎚파장광(근적색)을 갖는 InGaN으로 구성된 경우에, 100Kbar의 압력을 적용함으로써 약 570㎚파장광(황색)을 발광시킬 수 있다.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시형태로서 적어도 하나의 압전체층을 발광다이오드의 양면 중 하나에 배치하는 방안이 고려될 수도 있다. 이 경우에는 상기 압전체층들의 일면과 그와 접촉한 발광다이오드의 일 면 사이에 연결된 공통단자와, 상기 압전체층들의 타면에 연결된 압전체구동단자와, 상기 발광다이오드 중 다른 한 면에 연결된 발광다이오드 구동단자를 포함한 형태로 변경할 수 있다.

상술한 실시형태 및 첨부된 도면은 바람직한 실시형태의 예시에 불과하며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 완성된 단일 발광다이오드의 특정광을 압전체의 인가전압에 따라 변경시키는 것이 가능하며, 풀컬러용 디스플레이의 디스플레이에 적용할 경우에, 다양한 색 구현을 위해 사용되던 다른 복수개의 발광다이오드와 복잡한 구동회로 대신에, 간단한 전압인가만을 통해 다양한 색을 구현할 수 있으며, 보다 빠른 스위칭 속도를 기대할 수 있다.

Claims

제1 및 제2 도전형 클래드층과 그 사이에 특정 파장광을 방출하는 활성층을 가지며, 대향하는 제1 및 제2 면을 갖는 반도체 발광다이오드;

상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면 중 적어도 한 면에 배치되어 인가전압에 따라 두께가 증감되는 압전체층;

탄성이 거의 없는 강체물질로 이루어지며, 상기 압전체층의 두께증가가 상기 반도체 발광다이오드에 압력으로 인가되도록 상기 압전체층이 배치된 상기 반도체 발광다이오드를 둘러싸는 강성 프레임; 및

상기 제1 및 제2 도전형 클래드층과 상기 압전체층에 각각 접속되며 상기 강성 프레임 상에 형성된 복수개의 단자부를 포함하는 파장변환형 발광장치.
제1항에 있어서,

상기 압전체층은 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 압전체층으로 이루어지며,

상기 복수개의 단자부는 제1 및 제2 압전체층에 연결되는 단자부를 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.
제1항에 있어서,

상기 반도체 발광다이오드는 GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, 및 AlGaInN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.
제1항에 있어서,

상기 반도체 발광다이오드의 활성층은 상기 압전체층에 의한 압력이 인가되지 않은 상태에서 500㎚ ∼ 800㎚의 파장광을 방출하는 것을 특징으로 파장변환형 발광장치.
제4항에 있어서,

상기 압전체층에 의해 상기 반도체 발광다이오드에 인가되는 최대 압력은 100Kbar ∼ 300Kbar범위인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.
제1항에 있어서,

상기 반도체 발광다이오드는 상기 제1 도전형 클래드층과, 활성층 및 제2 도전형 클래드층이 순차적으로 형성된 도전성 기판을 더 포함하고,

상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면은 각각 상기 도전성 기판의 하면과 상기 제2 도전형 클래드층의 상면인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.
제6항에 있어서

상기 복수개의 단자부는, 상기 압전체층의 일면과 그와 접촉한 상기 제1 및 제2 면 중 어느 한 면 사이에 연결된 공통단자와, 상기 압전체층의 타면에 연결된 압전체구동단자와, 상기 제1 및 제2 면 중 다른 한 면에 연결된 발광다이오드 구동단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.
제6항에 있어서,

상기 압전체층은 상기 반도체 발광다이오드의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 압전체층으로 이루어지며,

상기 복수개의 단자부는, 상기 제1 압전체층 하면에 연결된 제1 압전체구동단자와, 상기 제2 압전체층 상면에 연결된 제2 압전체구동단자와, 상기 도전성 기판과 상기 제1 압전체층 사이에 연결된 제1 공통단자와, 상기 제2 도전형 클래드층과 상기 제2 압전체층 사이에 연결된 제2 공통단자인 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.
제1항에 있어서,

상기 강성 프레임은 상기 발광다이오드의 활성층 측면이 노출되도록 적어도 한면이 개방된 구조를 갖는 것을 특징으로 파장변환형 발광장치.
제1항에 있어서,

상기 강성 프레임은 투명한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 파장변환형 발광장치.