KR100630562B1 - 반도체 소자의 질화막 식각 방법 - Google Patents
반도체 소자의 질화막 식각 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 질화막 식각 방법에 관한 것으로, 인산액에 전체 부피의 0.05% 이하로 불산액을 첨가하여 질화막을 식각함에 기술적 특징이 있고, H3PO4를 이용한 질화막 제거시 상기 H3PO4액에 불산액을 첨가함으로써 산화막의 파티클을 방지하고, 필터의 세정이나 교체가 필요없으며, 비용이나 시간 또는 인력의 낭비를 막을 수 있는 효과가 있다.
질화막, 불산액, 인산액
Description
본 발명은 반도체 소자의 질화막 식각 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 H3PO4액에 불산(HF)액을 첨가하여 산화막 파티클을 방지할 수 있는 질화막 식각 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화막을 제거하기 위해 조(Bath) 형태의 전통적인 식각 장비에서는 인산(Orthophosphoric Acid, 이하 H3PO4라 칭함)을 사용하여 진행하고 있다. 상기 전통적인 식각 장비는 케미컬(Chemical)을 일정기간 사용한 후 변경해야 하고, 수차례의 공정 진행중에 발생하는 파티클(Particle) 등의 오염물질을 제거하기 위해 필터가 필요하다.
질화막을 제거하기 위해 H3PO4액과 상기 제거된 질화막이 반응하여 산화막 파티클이 생성되는데 장시간 사용하면서 상기 파티클이 필터를 막게 되고, 필터링이 안된 파티클은 케미컬 내에서 떠돌다가 기판 표면에 흡착되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, H3PO4를 이용한 질화막 제거시 상기 H3PO4액에 불산액을 첨가하여 산화막 파티클을 방지할 수 있는 반도체 소자의 질화막 식각 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 인산액을 사용하는 반도체 소자의 질화막 식각 방법에 있어서, 상기 인산액에 전체 부피의 0.05% 이하로 불산액을 첨가하여 질화막을 식각하는 반도체 소자의 질화막 식각 방법에 의해 달성된다.
본 발명에서 적용된 첨가제는 인산(H3PO4)과 불산(HF)이다.
상기 불산의 작용은 산화막 파티클을 제거하기 위한 이온이다. 상기 불산을 인산에 첨가하여 발생한 화학식은 다음과 같다.
상기 화학식 1과 같이 인산과 불산의 반응에 의한 생성물 H2PO3F에 의하여 최종적으로 생성된 산화막 파티클을 제거한다. 즉, 산화막 제거에 효과적인 불산액을 인산액에 소량 첨가하여 산화막을 제거하는 것이다. 상기 불산액은 전체 부피의 0.05% 이하로 첨가하여 식각한다.
따라서, 상기와 같이 불산액을 인산액에 첨가할 경우 공정 진행중에 발생하는 파티클의 오염물질을 제거하기 위한 필터의 교체나 세정이 필요하지 않다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 반도체 소자의 질화막 식각 방법은 H3PO4를 이용한 질화막 제거시 상기 H3PO4액에 HF액을 첨가함으로써 산화막의 파티클을 방지하고, 필터의 세정이나 교체가 필요없으며, 비용이나 시간 또는 인력의 낭비를 막을 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 인산액을 사용하는 반도체 소자의 질화막 식각 방법에 있어서,상기 인산액에 전체 부피의 0.05% 이하로 불산액을 첨가하여 질화막을 식각하며,상기 불산액과 인산액에 의하여 2HF + 2H3PO4 -> 2H2PO3F + 2H2O의 화학변화가 발생되고, 상기 2H2PO3F에 의하여 식각 과정에서 생성된 산화막 파티클이 제거되는 반도체 소자의 질화막 식각 방법.
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