KR100628736B1

KR100628736B1 - 화학기계적 연마를 위한 리테이닝 링

Info

Publication number: KR100628736B1
Application number: KR1020050021248A
Authority: KR
Inventors: 강준모
Original assignee: 강준모
Priority date: 2004-09-02
Filing date: 2005-03-15
Publication date: 2006-09-29
Also published as: KR20050071381A; KR20060050785A

Abstract

본 발명은 화학기계적 연마 장치에서 연마 공정 중 웨이퍼의 이탈을 억제하는 리테이닝 링에 관한 것으로, 본 발명에 따른 리테이닝 링은 웨이퍼의 측면을 지지하여 연마 공정 중 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 다수개의 리테이닝 조각들과, 상기 다수개의 리테이닝 조각들이 부착된 대체로 환형인 베이스 링에 의해 구성된다. 이상과 같이 본 발명은 다수개의 조각들에 의해 리테이닝 링을 구성하기 때문에 리테이닝 링의 재사용에 필요한 재료비 및 재사용 시 버려지는 폐품에 의한 환경오염을 감소시킨다.

연마, CMP, 리테이닝 링

Description

화학기계적 연마를 위한 리테이닝 링{RETAINING RING FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING}

도 1은 화학기계적 연마 공정을 도시한 단면도,

도 2는 종래 기술에 의한 리테이닝 링의 일예를 도시한 도면,

도 3a 내지 도 3d는 종래 기술에 의한 리테이닝 링의 다른 예를 도시한 도면들,

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 리테이닝 링의 일예를 도시한 도면들,

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 리테이닝 링을 구성하는 리테이닝 조각의 일예를 도시한 사시도들,

도 6a 및 도 6b는 압축성이 큰 물질로 만들어진 리테이닝 조각의 두께에 따른 변형을 개략적으로 비교하는 단면도들,

도 7은 본 발명에 따른 리테이닝 링의 다른 예를 도시한 도면,

도 8a 내지 도 8f는 본 발명에 따른 리테이닝 링에서 리테이닝 조각과 베이스 링에 함몰부와 돌출부를 형성하는 예를 도시한 도면들,

도 9a 내지 도 9d는 본 발명에 따른 리테이닝 링에서 리테이닝 조각의 크기에 따른 리테이닝 조각의 모양과 리테이닝 조각의 모양에 따른 리테이닝 조각 사이의 틈의 방향을 도시한 하면도들,

도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 리테이닝 링에서 베이스 링에 홈을 형성하는 예를 도시한 도면들.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞

100, 104 : 리테이닝 조각

140, 142 : 리테이닝 조각 돌출부 150, 152 : 리테이닝 조각 함몰부

200 : 베이스 링 220 : 베이스 링 함몰부

230 : 베이스 링 돌출부 350 : 틈

본 발명은 웨이퍼의 화학기계적 연마 장치에 관한 것으로, 특히 연마 공정 중 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 웨이퍼 리테이닝 링(retaining ring)에 관한 것이다.

반도체 집적회로의 미세화와 다층화가 요구되면서, 반도체 제조 공정 중 소정의 단계에 웨이퍼 표면을 평탄화 하거나 웨이퍼 표면에 형성된 도전층을 선택적으로 제거할 필요가 생겼다. 이와 같은 필요성에 의해 최근 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 "CMP")가 반도체 제조 공정에 널리 사용되고 있다. 일반적으로 CMP 공정은 연마 패드에 슬러리를 도포하고 웨이퍼에 압력을 가한 상태에서 연마 패드와 웨이퍼를 상대적으로 움직여줌으로써 웨이퍼 표면을 평탄화 하거나 도전층을 선택적으로 제거한다.

도 1은 CMP 장치에 의한 웨이퍼 연마 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 이를 구체적으로 설명하면, 플래튼(platen)(10) 상면에 연마 패드(12)를 부착한 다음 슬러리(14)를 연마 패드(12) 상부에 도포하고 웨이퍼(16)를 연마 패드(12) 그리고 슬러리(14)와 접촉 시킨 상태에서 회전 내지는 오비탈 운동을 하는 연마 패드와 마찰을 일으킴으로써 웨이퍼 표면의 평탄화가 이루어진다. 여기서, CMP 공정 중 웨이퍼에 연마 압력을 인가하고 또 회전 운동을 시키며 경우에 따라 웨이퍼를 이송하는 역할을 하는 부분을 폴리싱 헤드(polishing head) 혹은 캐리어(carrier)(18)라 한다. 기본적으로, 캐리어(18)는 회전축(20)으로부터 동력을 전달 받고 다른 캐리어 부품들을 고정할 수 있는 공간을 제공하는 캐리어 베이스(22), 웨이퍼(16) 상부면과 접촉하여 웨이퍼를 회전시키고 또한 웨이퍼에 연마 압력을 인가하는 플레이트(plate) 혹은 블래더(bladder)로 이루어진 압력전달 수단(24), 그리고 연마 시 마찰력에 의한 웨이퍼(16)의 이탈을 방지하는 리테이닝 링(retaining ring)(26)으로 구성되어 있다. 리테이닝 링(26)의 역할은 CMP 공정 중 웨이퍼(16)의 측면을 지지하여 웨이퍼의 이탈을 방지할 뿐만 아니라 연마 패드(12)를 소정의 압력으로 눌러주어 웨이퍼(16) 에지(edge) 부근에서 연마 패드(12)의 변형을 고르게 유지함으로써 연마 균일도(uniformity)를 향상시킨다. 그러므로 리테이닝 링(26) 역시 연마 패드(12) 및 슬러리(14)와 마찰을 일으키게 되어 리테이닝 링(26)의 하부면에 마모가 일어나게 된다.

도 2는 종래 기술에 의한 리테이닝 중에 일예를 도시한 것으로 리테이닝 링(30) 전체가 하나의 몸체로 되어있다. 리테이닝 링(30)을 캐리어 베이스에 고정하 기 위하여 일반적으로 나사를 이용하는데 이를 위하여 리테이닝 링(30) 상부에 나사 외장(screw sheath)을 가지는 나사공(32)을 형성한다. 리테이닝 링의 크기는, 연마되는 웨이퍼에 따라 내경이 결정되며 폭 w는 10mm 내지는 40mm 그리고 두께 h는 10mm 내지는 30mm 정도의 값을 갖는다. 리테이닝 링은 일반적으로 높은 내구성과 낮은 마모율을 나타내는 폴리페닐렌설파이드 (polyphenylene sulfide; 이하 "PPS")나 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone; 이하 "PEEK")과 같은 플라스틱으로 만들어진다.

리테이닝 링의 교체는 연마 패드와 접촉하는 리테이닝 링 하부면의 마모로 인한 연마 균일도의 악화 혹은 웨이퍼 리테이닝(retaining) 능력의 저하로 인한 것이 대부분이다. 일반적으로 하부면의 마모가 500㎛ 정도 되면 연마 균일도가 악화되기 시작하므로 이 시점을 전후로 리테이닝 링을 교체한다. 그러므로 리테이닝 링의 두께를 고려하면, 리테이닝 링의 극히 일부분만을 이용하고 버리게 되어 불필요한 자원의 낭비와 환경오염을 일으키게 된다.

도 3a는 종래 기술에 의한 리테이닝 중에 다른 예를 도시한 것으로 리테이닝 링(40)이 크게 두 부분으로 구성되어 있는데, 하나는 캐리어 베이스에 연결되는 상부 링(50)이고 또 다른 하나는 웨이퍼 측면을 지지함으로써 실제적으로 웨이퍼 리테이닝 역할을 하는 하부 링(60)이다. 상부 링(50)에는 캐리어 베이스에 리테이닝 링(40)을 고정할 때 필요한 나사공(52)이 형성되어 있고 하부 링(60)에는 슬러리의 흐름을 촉진시킬 수 있는 홈(62)을 형성하기도 한다. 상부 링(50)은 일반적으로 스테인레스 스틸과 같은 내식성과 가공성이 좋은 금속으로 만들어지며 하부 링은 PPS 나 PEEK와 같은 플라스틱으로 형성된다. 도 3b는 도 3a에서 AA'의 단면도로서, 상부 링(50)과 하부 링(60)의 부착은 에폭시와 같은 접착제(70)에 의해 이루어진다. 하부 링(60)의 두께 t는 5mm 정도의 값을 갖는다. 이 경우에도, 연마 패드와 접촉하는 하부 링의 하부 면의 마모가 500㎛ 정도가 되면 링을 교체하여야 하므로 하부 링(60)의 두께를 고려하면 일부분만 사용하고 버리게 되는 것이다.

두 부분으로 이루어진 리테이닝 링(40)이 도 2에 도시된 하나의 몸체로 이루어진 리테이닝 링(30)과 다른 점은, 도 3c에 도시된 바와 같이 하부 링(60)이 마모되면 상부 링(50)과 하부 링(60)을 분리한 다음 하부 링(60) 만을 버리고 상부 링(50)은 재사용이 가능하다는 것이다. 이때, 상부 및 하부 링을 분리하는 방법 중 하나는 소정의 온도(예컨대 200℃ 내지 300℃)로 가열하여 상기 두 링을 접착하고 있는 접착제를 유연하게 하거나 열적 분해(thermal decomposition) 하는 것이다. 이때, 상부 링(50)과 하부 링(60)이 다른 물질인 경우에는 열팽창계수(thermal expansion coefficient)가 다르기 때문에 도 3d에 도시한 바와 같이 상온에서는 상부 링(50)과 하부 링(60)의 크기가 같지만 가열된 온도에서는 도면에 점선으로 표시된 바와 같이 상부 링(50')과 하부 링(60')의 크기가 달라진다. 이러한 열팽창의 차이 때문에 상부 링과 하부 링을 가열하여 분리할 때 상기 두 링에 변형이 생길 수 있다. 특히 재사용이 가능한 상부 링(50)의 변형은, 재사용 시 제품의 정밀도를 떨어트려 연마균일도를 저하시키는 원인이 될 수 있다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 측면 및 연마 패드와 접촉하게 되는 리테이닝 링의 밑 부분을 다수개의 조각들로 구성하여 리테이닝 링의 재사용 시 버려지는 부분을 최소화 하여 낭비를 막고 밑 부분의 교체 시 생길 수 있는 열팽창 차이에 의한 변형을 제거함으로써 리테이닝 링의 재사용 시 연마균일도를 향상시키는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, CMP 장치의 웨이퍼 리테이닝 링에 있어서, 웨이퍼의 측면을 지지하여 CMP 공정 중 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 다수개의 리테이닝 조각들과, 상기 다수개의 리테이닝 조각들이 부착된 대체로 환형인 베이스 링을 포함하는 웨이퍼 리테이닝 링을 제공한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 리테이닝 링에 대해 상세히 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 웨이퍼 리테이닝 링(90)을 도시한 것으로 다수개의 리테이닝 조각(100)이 대체로 환형인 베이스 링(200)에 부착되어 있다. 리테이닝 조각(100)은 CMP 공정 중 웨이퍼의 측면을 지지하여 웨이퍼의 이탈을 방지하는 역할을 하며 베이스 링(200)은 리테이닝 조각들이 부착되어 있는 곳으로 도 4a를 뒤집어 놓은 도면인 도 4b에 도시된 바와 같이 상부면에 나사공(210)들이 형성되어 나사를 이용하여 캐리어 베이스(도시하지 않음)에 고정될 수 있도록 한다. 리테이닝 조각(100)의 다른 역할은 CMP 공정 중 연마 패드를 소정의 압력으로 눌러주어 웨이퍼 에지(edge) 부근에서 연마 패드의 변형을 균일하게 하는 것이다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 리테이닝 링을 구성하는 리테이닝 조각의 일예를 도시한 사시도들이다. 먼저 도 5a를 참조하면, 리테이닝 조각(100)은 내측 반경이 R_i인 호와 외측 반경이 R_o인 호에 의해 정의되는 면들을 포함한다. 여기서, 내측 반경 R_i인 호에 의해 정의되는 리테이닝 조각(100)의 안쪽 면은 CMP 공정 중 웨이퍼의 측면과 접촉하게 된다. 그러므로 내측 반경 R_i는 연마되는 웨이퍼의 반경보다 0.5mm 내지 2mm 정도 큰 것이 바람직하다. 외측 반경 R_o는 내측 반경 R_i보다 10mm 내지 40mm 정도 클 수 있다. 리테이닝 조각(100)의 두께 t는 0.5mm 내지 5mm 정도의 값을 가질 수 있다. 도 5b는 리테이닝 조각(102)의 다른 예를 도시한 것으로, 리테이닝 조각(102)의 안쪽 면은 상술한 바와 같이 반경 R_i인 호에 의해 정의되는 면으로 이루어지지만 리테이닝 조각(102)의 바깥쪽 면은 호에 의해 정의되지 않고 도시된 바와 같이 평면(예컨대 P₁ 및 P₂)으로 구성될 수 있다. 도 5c는 리테이닝 조각(103)의 또 다른 예를 도시한 것으로, 리테이닝 조각(103)의 안쪽과 바깥쪽 면들이 호에 의해 정의 되지 않고 각각 평면 P₃및 P₄에 의해 구성된 경우를 나타낸다. 이와 같이 리테이닝 조각(103)의 안쪽 면이 하나 이상의 평면(예컨대 P₃)으로 구성되려면 리테이닝 링(도시하지 않음)의 중심 C에서 리테이닝 조각(103)의 양단까지 이르는 두 직선(점선으로 도시됨)이 이루는 각도 θ가 20°보다 작은 것이 바람직 하다. 달리 말하면, 약 18개 이상의 리테이닝 조각들로 리테이닝 링을 구성할 때, 도 5c에 도시된 바와 같이 리테이닝 조각(103)의 안쪽 면이 하나 이상의 평면(예컨대 P₃)으로 이루어질 수 있다.

조각의 형태는 종래 기술인 링의 형태와 비교하여 크기가 작기 때문에 가공하기 쉽다. 특히 두께가 얇은 경우, 링 형태로는 제작하기도 어렵고 또 제작 이후에도 쉽게 파손될 수 있지만 조각의 형태로 제작하게 되면 이러한 문제점들이 줄어든다. 리테이닝 링의 교체 시기가 500㎛ 정도의 마모가 일어났을 때이므로 리테이닝 링을 얇은 리테이닝 조각들과 베이스 링으로 구성하여 사용한 후, 마모된 리테이닝 조각들만 교체하면 버려지는 부분을 줄일 수 있게 된다. 리테이닝 조각을 얇게 했을 때 얻을 수 있는 다른 장점은, 연마 시 리테이닝 링에 가해지는 압력에 의한 크기 변화가 작기 때문에 내마모성은 뛰어나나 압축성(compressibility)이 커서 쉽게 변형되는 물질도 리테이닝 조각으로 사용할 수 있다. 이를 도면을 통해 설명하면, 도 6a에 도시된 바와 같이 압축성이 큰 물질로 이루어진 리테이닝 조각(120)이 압력 P 하에선 압력 방향 및 압력에 수직한 방향으로 변형된 리테이닝 조각(120')이 되는데 리테이닝 조각이 두꺼울 경우에는 압축되는 두께 및 측면의 부풀어 오름의 정도가 커서 CMP 공정 시 웨이퍼 리테이닝에 문제점을 일으킨다. 반면에, 도 6b에 도시된 바와 같이 리테이닝 조각(130)이 얇은 경우에는 압력 P에 의해 변형된 리테이닝 조각(130')의 압축된 두께 및 측면 부풀어 오름이 작기 때문에 웨이퍼 리테이닝에 문제를 일으키지 않는다.

리테이닝 조각은 내마모성이 뛰어나며 화학적으로 불활성 물질인, PPS, PEEK, 폴리에스테르(polyester), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide) 또는 폴리우레탄(polyurethane) 등의 플라스틱으로 형성될 수 있다.

리테이닝 조각들이 부착되어지는 베이스 링은 내식성이 뛰어난 스테인리스 스틸과 같은 금속, PPS와 같은 플라스틱 혹은 알루미나와 같은 세라믹으로 이루어질 수 있다. 베이스 링은, 상기 도 4a에 도시된 바와 같이 하나의 몸체로 이루어질 수도 있고, 도 7에 도시된 바와 같이 하부 베이스 링(202)과 상부 베이스 링(204)이 부착되어 베이스 링(206)을 이루듯이 2개 이상의 링이 부착되어 이루어질 수 있다. 이때, 리테이닝 조각들(100)이 부착되고 슬러리와 접촉하게 되는 상부 베이스 링(204)은 PPS와 같은 플라스틱으로 이루어지고 캐리어 베이스와 연결되어지는 하부 베이스 링(202)은 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이후의 도면들에서는 도면의 단순화를 위해 하나의 몸체로 이루어진 베이스 링만을 도시하기로 한다.

리테이닝 조각들을 베이스 링에 부착하는 방법으로는 에폭시, 실리콘 혹은 파라핀과 같은 접착제를 이용하는데, 베이스 링을 재사용하기 위해서는 마모된 리테이닝 조각들을 분리해야 하며 이를 위해 고온에서 녹거나 분해가 가능한 접착물질 혹은 특정 용제에 용해되는 접착물질을 사용하는 것이 바람직하다. 리테이닝 조각들을 베이스 링에 부착할 때, 빠른 시간 내에 조각들을 베이스 링에 얼라인(align) 하기 위하여 도 8a와 같이 리테이닝 조각(104)의 부착면에 하나 이상의 돌출부(140)나 도 8b와 같은 함몰부(150)를 형성한다. 이에 대응하는 베이스 링의 구 조는 도 8c 및 도 8d에 도시된 바와 같이, 리테이닝 조각들이 부착되는 베이스 링(200)의 부착면에 함몰부들(220)이나 돌출부들(230)을 형성하여 리테이닝 조각(104)의 돌출부(140)와 베이스 링(200)의 함몰부(220)가 일치하면 혹은 리테이닝 조각(104)의 함몰부(150)와 베이스 링(200)의 돌출부(230)가 일치하면 얼라인이 이루어지도록 한다. 리테이닝 조각(104)과 베이스 링(200)에 형성되는 함몰부 및 돌출부의 모양은 원통형이나 사각기둥형 혹은 도 8e 및 8f에 도시된 바와 같이 용마루 형태의 돌출부(142)나 도랑 형태의 함몰부(152)를 가질 수 있다.

도 9a 및 도 9c는 베이스 링(200)에 부착되는 리테이닝 조각(106, 108, 109)의 개수에 따른 모양의 일예를 도시한 하면도 들로, 리테이닝 조각의 개수는 리테이닝 링(90)의 크기, 리테이닝 조각(106, 108, 109)의 두께 및 재질 등에 따라 4개 내지 72개가 되도록 한다. 리테이닝 링(90)의 크기가 커질수록, 즉 연마하려는 웨이퍼가 커질수록, 또한 리테이닝 조각의 두께가 얇아질수록 리테이닝 조각의 크기를 줄이고 개수는 늘리는 것이 바람직하다. 특히, 많은 개수(예컨대 18개 이상)의 리테이닝 조각들로 리테이닝 링을 구성할 때, 도 9c에 도시된 바와 같이 웨이퍼와 접촉하게 되는 리테이닝 조각(109)의 안쪽면을 평면으로 이룰 수 있다. 리테이닝 조각들을 베이스 링(200)에 모두 부착하였을 때, 리테이닝 조각(106, 108, 109) 사이에 틈(350)이 생기도록 리테이닝 조각의 크기를 정하는 것이 바람직한데 이는 리테이닝 조각(106, 108, 109)을 베이스 링(200)에서 떼어낼 때 쉽게 작업할 수 있는 공간과 리테이닝 조각(106, 108, 109)이 열팽창에 의해 늘어날 수 있는 여유 공간을 제공하기 위함이고 또 CMP 공정 시 슬러리의 유입을 촉진하기 위해서이다. 틈(350)의 폭은 1mm 내지는 5mm 사이의 값을 갖는 것이 바람직하다. 리테이닝 조각(106, 108, 109) 사이의 틈(350)은 도 9a 및 도 9c에 도시된 바와 같이 리테이닝 링(90)의 중심을 향할 수도 있고 도 9d와 같이 비대칭형의 리테이닝 조각(110)을 부착하면 틈(360)은 리테이닝 링(90)의 중심에서 벗어 난 곳을 향할 수 있다.

도 10a는 베이스 링(250)의 부착면에 형성된 홈(260)을 도시한 것이다. 리테이닝 조각이 얇을 경우, 리테이닝 조각들이 평평한 베이스 링의 부착면에 부착되면 리테이닝 조각 사이에 형성되는 틈의 깊이도 얕게 되며 이로 인해 CMP 공정 시 슬러리가 내부로 충분히 공급되지 않을 수 있다. 이를 개선하기 위하여 상기 도면과 같이 베이스 링(250)의 부착면에 먼저 홈(260)을 형성하고 도 10b와 같이 리테이닝 조각(100)을 부착하면, 리테이닝 조각(100) 사이의 틈(270)의 깊이는 리테이닝 조각(100)의 두께보다 크게 된다.

한편, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명을 실시함으로써 리테이닝 링의 재사용 시 교체, 폐기되는 부분을 조각들로 형성하여 가공성을 증대 시키고 또한 교체 되는 부분의 두께를 줄여 재료비를 감소시키고 환경오염을 줄일 수 있다. 또한 리테이닝 링에서 연마 패드와 접촉하는 부분을 조각들로 구성 함으로써 다양한 소재를 리테이닝 링의 제작에 이용할 수 있도록 한다.

Claims

화학기계적 연마 장치의 웨이퍼 리테이닝 링에 있어서,

웨이퍼의 측면을 지지하여 화학기계적 연마 공정 중 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 다수개의 플라스틱 리테이닝 조각들과;

상기 다수개의 플라스틱 리테이닝 조각들이 부착된 환형인 베이스 링;

을 포함하며,

상기 플라스틱 리테이닝 조각들의 부착면에 하나 이상의 돌출부가 형성되고 상기 베이스링의 부착면에 상기 돌출부에 대응하는 함몰부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
제 1항에 있어서,

상기 리테이닝 조각들의 개수는 4개 내지 72개인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
삭제
삭제
제 1항에 있어서,

상기 리테이닝 조각들의 두께는 0.5mm 내지 5mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
제 1항에 있어서,

상기 리테이닝 조각들은 접착 물질에 의하여 상기 베이스링에 부착되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
제 6항에 있어서,

상기 접착 물질은 에폭시, 실리콘 또는 파라핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
제 1항에 있어서,

상기 베이스 링은 하나의 몸체로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
제 1항에 있어서,

상기 베이스 링은 복수개의 링이 서로 부착되어 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
제 9항에 있어서,

상기 복수개의 링은 금속으로 이루어진 링과 플라스틱으로 이루어진 링인 것 을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝 링.
삭제
삭제
삭제
화학기계적 연마 장치의 웨이퍼 리테이닝 링에 있어서,

웨이퍼의 측면을 지지하여 화학기계적 연마 공정 중 상기 웨이퍼의 이탈을 방지하는 다수개의 플라스틱 리테이닝 조각들과;

상기 다수개의 플라스틱 리테이닝 조각들이 부착된 환형인 베이스 링;

을 포함하며,

상기 플라스틱 리테이닝 조각들의 부착면에 하나 이상의 함몰부가 형성되고 상기 베이스링의 부착면에 상기 함몰부에 대응하는 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 리테이닝.