KR100618675B1 - Structure of x-ray mask and fabricating method thereof - Google Patents

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KR100618675B1
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Abstract

본 발명은 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 기술의 일 예는 다이아몬드 재질 버팀대의 두께에 따른 엑스-선의 투과율이 흡수체의 투과율에 미치지 못하는 문제점을 안고 있으며, 다른 예는 뒤틀림 보정막의 인장응력을 이용하는 것은 흡수체 패턴의 형성을 위해 보편적으로 사용되는 건식식각 방법과 양립할 수 없는 문제점이 있고, 또 다른 예는 x,y 방향의 배율을 보정하는 것이 불가능하며, 노광시에 엑스-선의 흡수에 의한 열상승으로 인해 배율이 변화할 수 있으며, 멤브레인이 사각형의 형태로 정의되는 경우에 방사방향의 배율을 조절하는 것에 한계가 있는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명은 흡수체 패턴의 주변영역에 해당하는 멤브레인 박막의 배면에 흡수체 패턴을 사각형으로 에워싸도록 4개의 지지용 버팀대를 이격 형성하여 각각에 신장부 및 압전 구동부와 배선을 접속시켜 형성함에 따라 압전 구동부 및 신장부를 통해 지지용 버팀대에 멤브레인 박막과 평행하게 힘을 인가하여 멤브레인 박막 상에 형성된 흡수체 패턴을 효과적으로 늘려주어 배율조절에 유리하며, 또한 멤브레인 박막에 대해 수직으로 힘을 인가하여 멤브레인 박막의 뒤틀림을 조절할 수 있고, 또한 지지용 버팀대를 통해 멤브레인 박막에 선택적으로 힘을 인가할 수 있으므로, 마스크 전체가 뒤틀리는 것을 방지할 수 있으며, 또한 x,y 방향 모두에 대해 배율을 조절할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a structure of the X-ray mask and a method of manufacturing the same, and one example of the prior art has a problem that the transmittance of the X-ray according to the thickness of the diamond brace does not reach the transmittance of the absorber, another example is the distortion Using the tensile stress of the compensation film is incompatible with the dry etching method commonly used for forming the absorber pattern. Another example is that it is impossible to correct the magnification in the x and y directions, The magnification may change due to the heat rise due to absorption of the line, and there is a limit in controlling the magnification in the radial direction when the membrane is defined in the shape of a rectangle. Therefore, according to the present invention, four support braces are formed on the back surface of the membrane thin film corresponding to the periphery region of the absorber pattern so as to surround the absorber pattern in a quadrangle so that the extension part and the piezoelectric drive part and the wiring are connected to each other. The force is applied to the support brace in parallel with the membrane thin film through the piezoelectric drive part and the extension part to effectively increase the absorber pattern formed on the membrane thin film, which is advantageous for scaling. The distortion can be adjusted, and the force can be selectively applied to the membrane thin film through the support brace, thereby preventing the entire mask from being warped, and also having the effect of adjusting the magnification in both x and y directions. .

Description

엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법{STRUCTURE OF X-RAY MASK AND FABRICATING METHOD THEREOF}Structure of X-Ray Mask and Manufacturing Method Thereof {STRUCTURE OF X-RAY MASK AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1은 종래 미국특허 제 5,111,491호의 엑스-선 마스크를 보인 단면도.1 is a cross-sectional view showing an X-ray mask of the prior US Patent No. 5,111,491.

도2는 종래 미국특허 제 5,124,561호의 엑스-선 마스크를 보인 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing an X-ray mask of the prior US Patent No. 5,124,561.

도3은 종래 미국특허 제 5,155,749호의 엑스-선 마스크를 보인 배면도.3 is a rear view showing an X-ray mask of US Patent No. 5,155,749.

도4a 및 도4b는 본 발명에 의한 엑스-선 마스크 구조의 일예를 보인 단면도 및 배면도.Figures 4a and 4b is a cross-sectional view and a rear view showing an example of the X-ray mask structure according to the present invention.

도4c는 본 발명에 의한 엑스-선 마스크 구조의 다른 예를 보인 배면도.Figure 4c is a rear view showing another example of the X-ray mask structure according to the present invention.

도5a 내지 도5e는 본 발명에 의한 엑스-선 마스크 제조방법의 일 실시예를 도시한 수순단면도.Figures 5a to 5e is a cross-sectional view showing an embodiment of an x-ray mask manufacturing method according to the present invention.

도6a 내지 도6f는 본 발명에 의한 엑스-선 마스크 제조방법의 다른 실시예를 도시한 수순단면도.6A to 6F are cross-sectional views showing another embodiment of the X-ray mask manufacturing method according to the present invention.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

31:멤브레인 박막 32:받침대31: membrane thin film 32: stand

33:흡수체 패턴 34:지지용 버팀대33: Absorber pattern 34: Supporting brace

35:신장부 36:배선35: Height 36: Wiring

37:압전 구동부 38:마스크 프레임37: piezoelectric drive part 38: mask frame

본 발명은 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 흡수체 패턴이 형성되어 있는 멤브레인의 원하는 영역을 국소적으로 뒤틀리게 하고 이를 압전막대 등을 통해 조작하여 배율을 적절히 조절하기에 적당하도록 한 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a structure of the X-ray mask and a method of manufacturing the same, and in particular, to locally distort a desired area of the membrane on which the absorber pattern is formed, and to manipulate it through a piezoelectric rod or the like to appropriately adjust the magnification. A structure of a X-ray mask and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 엑스-선 마스크는 멤브레인 지지층 위에 엑스-선을 잘 흡수하는 재료를 이용하여 패턴이 등배로 형성되기 때문에 배율을 조절하고자 멤브레인 자체를 미세하게 늘려주는 등의 노력이 시도되어 왔다. In general, since the pattern of the X-ray mask is formed by using a material that absorbs X-rays well on the membrane support layer, the efforts have been made to finely increase the membrane itself to control the magnification.

그러나, 상기한 바와같이 멤브레인을 미세하게 늘려주면, 멤브레인의 뒤틀림 등에 의해 패턴 전사시의 어려움이 있을 수 있으며, 마스크-웨이퍼 사이가 근접한 상태에서 웨이퍼를 움직여줄 때에도 발생하는 압력에 의해 멤브레인이 왜곡되면서 요동되어 파손되는 경우도 있다.However, if the membrane is finely stretched as described above, there may be a difficulty in transferring the pattern due to the warpage of the membrane, and the membrane is distorted by the pressure generated when the wafer is moved while the mask-wafer is in close proximity. It may rock and break.

이와같은 종래 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The structure of the conventional X-ray mask and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도1은 종래 기술의 일 예로 미국특허 제 5,111,491호의 엑스-선 마스크를 보인 단면도로서, 이에 도시한 바와같이 Si, Ge, GaAs, W, Mo 등과 같은 반도체기판(1) 상에 엑스-선을 비교적 작게 흡수하면서 기계적 성질이 우수한 다이아몬드 재질의 멤브레인(2)을 형성한 후, 그 멤브레인(2) 상에 엑스-선을 흡수하는 Au, W 등과 같은 재질의 흡수체 패턴(3)을 형성하고, 상기 반도체기판(1)의 배면 일부를 식각하여 멤브레인(2)의 일부를 노출시킨 후, 그 노출된 멤브레인(2) 상에 Mo 재질의 막을 형성하고, 일부를 식각한 다음 식각된 영역에 선택적으로 다이아몬드 재질의 버팀대(4)를 형성하고, 상기 Mo 재질의 막을 제거한 후, 상기 반도체기판(1)의 잔류하는 배면 상에 Al, stainless steel, ceramic 등과 같은 재질의 링 받침대(5)를 형성한다.First, FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an X-ray mask of US Pat. No. 5,111,491 as an example of the prior art, and as shown therein, X-rays on a semiconductor substrate 1 such as Si, Ge, GaAs, W, Mo, and the like. After forming a diamond membrane (2) having excellent mechanical properties while absorbing a relatively small amount, and then forming an absorber pattern (3) of a material such as Au, W, etc. to absorb X-rays on the membrane (2), A portion of the back surface of the semiconductor substrate 1 is etched to expose a portion of the membrane 2, and then a film of Mo material is formed on the exposed membrane 2, and a portion of the semiconductor substrate 1 is etched, and then selectively etched in the etched region. After forming the brace 4 of the diamond material, and removing the film of Mo material, to form a ring pedestal 5 of the material such as Al, stainless steel, ceramic, etc. on the remaining back of the semiconductor substrate (1).

상기한 바와같은 종래 기술의 일 예는 다이아몬드 재질의 멤브레인(2) 배면에 다이아몬드가 잘 자라지 않는 Mo 재질의 막을 통해 다이아몬드 재질의 버팀대(4)를 선택적으로 형성하여 멤브레인(2)을 기계적으로 강화한 것이다.One example of the prior art as described above is to mechanically reinforce the membrane 2 by selectively forming a diamond brace 4 on the back surface of the diamond membrane 2 of Mo, which is difficult to grow diamond. .

즉, 경우에 따라 높이가 80㎛에 달하는 다이아몬드 재질의 버팀대(4)가 멤브레인(2) 후면에 창살처럼 서로 얽혀 있게 되므로, 멤브레인(2)의 강화를 위한 효과적인 구조이며, 또한 다이아몬드는 열적인 성질이 가장 우수한 재료이므로, 멤브레인(2) 및 흡수체 패턴(3)에 의해 흡수되는 열을 방출시키는 데에도 효과적일 수 있으나, 다이아몬드 2㎛의 두께에 대하여 엑스-선 노광에 쓰이는 파장대의 엑스-선은 47% 정도 밖에 투과하지 못하므로, 버팀대(4)의 두께가 10㎛만 되어도 엑스-선의 투과율이 8% 정도로 감소하게 된다.That is, in some cases, the brace 4 made of a diamond having a height of 80 μm is entangled with each other like a grate on the back of the membrane 2, so that the diamond structure is an effective structure for strengthening the membrane 2. Since this is the best material, it can be effective for dissipating heat absorbed by the membrane 2 and the absorber pattern 3, but the X-ray of the wavelength band used for X-ray exposure for the thickness of diamond 2 탆 is Since only about 47% is transmitted, even if the thickness of the prop 4 is only 10 μm, the transmittance of the X-rays is reduced to about 8%.

이와같은 투과율은 흡수체로 쓰이는 Ta의 0.7㎛ 두께에 대한 투과율 7%와 유사하며, Ta의 0.35㎛ 두께에 대한 투과율 20%에는 훨씬 미치지 못하는 문제점을 안고 있다.This transmittance is similar to the transmittance of 7% for the 0.7㎛ thickness of Ta used as an absorber, and has a problem that is far less than 20% for the 0.35㎛ thickness of Ta.

그리고, 도2는 종래 기술의 다른 예로 미국특허 제 5,124,561호의 엑스-선 마스크를 보인 단면도로서, 이에 도시한 바와같이 Si와 같은 반도체기판(11)의 일부에 B가 도핑된 영역을 형성한 후, 그 B가 도핑된 영역 상에 엑스-선을 흡수하는 Au, W 등과 같은 재질의 흡수체 패턴(12)을 형성하고, B가 도핑된 영역의 반도체기판(11) 배면을 식각하여 박막의 멤브레인(13)을 형성한 다음 식각되지 않은 상기 반도체기판(11)의 배면에 W 재질의 뒤틀림 보정막(14) 및 파이렉스 글라스(pyrex glass)와 같은 재질의 링 받침대(15)를 형성한다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an X-ray mask of US Pat. No. 5,124,561 as another example of the prior art. As shown therein, after B is doped in a portion of a semiconductor substrate 11 such as Si, On the region doped with B, an absorber pattern 12 made of a material such as Au or W, which absorbs X-rays, is formed, and the back surface of the semiconductor substrate 11 in the region doped with B is etched to form a thin film membrane 13 ), And then, on the back surface of the semiconductor substrate 11 which is not etched, a distortion correction film 14 of W material and a ring pedestal 15 of a material such as pyrex glass are formed.

상기한 바와같은 종래 기술의 다른 예는 넓은 면적을 갖는 멤브레인(13) 형성시 중앙영역이 움푹 패이는 형태의 뒤틀림이 발생하는 것을 멤브레인(13) 후면에 강한 인장응력을 갖는 W 과 같은 재질의 뒤틀림 보정막(14)을 형성하여 억제하고자 한 것으로, 특히 Si과 같이 영계수(Young's modulus)가 크지 않은 멤브레인(13) 재료에 있어서, 뒤틀림을 일부 완화시키는데 기여할 수 있다.Another example of the prior art as described above is that the distortion of the central area in the form of the depression in the formation of a large area of the membrane 13, the distortion of the material such as W having a strong tensile stress on the back of the membrane 13 The correction film 14 is formed and suppressed. In particular, in the membrane 13 material having a small Young's modulus such as Si, it may contribute to partially alleviating the distortion.

즉, 뒤틀림 보정막(14) 내의 강한 인장응력으로 인해 뒤틀림 보정막(14)이 바깥쪽으로 멤브레인(13)을 밀어 올리게 되어 전반적으로 멤브레인(13)의 뒤틀림을 완화시킬 수 있게 되며, 이에 따라 약 1㎛ 정도의 뒤틀림이 개선된 것으로 관찰되었다고 한다.That is, due to the strong tensile stress in the distortion correction film 14, the distortion correction film 14 pushes the membrane 13 outward, thereby reducing the distortion of the membrane 13 as a whole, thereby about 1 It has been observed that the distortion of about 占 퐉 was improved.

그러나, 최근에 이르러 흡수체 패턴(12)의 형성에 건식식각 방법의 사용이 보편화됨에 따라 배율보정에 있어서 흡수체 패턴(12)의 열처리를 통한 응력조절이 관건으로 되면서 반도체기판(11) 배면에 형성되는 뒤틀림 보정막(14)의 인장응력을 이용하는 것은 흡수체 패턴(12)의 형성을 위한 건식식각 방법과 양립할 수 없는 문제점이 있다.However, in recent years, as the use of the dry etching method for the formation of the absorber pattern 12 is becoming more common, stress control through heat treatment of the absorber pattern 12 becomes a key factor in scaling correction, which is formed on the back surface of the semiconductor substrate 11. Using the tensile stress of the distortion correction film 14 has a problem that is incompatible with the dry etching method for the formation of the absorber pattern (12).

그리고, 도3은 종래 기술의 또 다른 예로 미국특허 제 5,155,749호의 엑스-선 마스크를 보인 배면도로서, 이에 도시한 바와같이 멤브레인(21) 상에 형성된 흡수체 패턴(22)과; 상기 멤브레인(21) 배면의 외부에 열선을 포함하여 형성되어 외부전원(24)을 인가받아 팽창되는 알루미늄 링(23)과; 상기 멤브레인(21)을 지지하는 링 받침대(25)로 구성된다.3 is a rear view showing an X-ray mask of US Pat. No. 5,155,749 as another example of the prior art, and an absorber pattern 22 formed on the membrane 21 as shown therein; An aluminum ring 23 formed to include a hot wire outside the rear surface of the membrane 21 and expanded by receiving an external power source 24; It consists of a ring pedestal 25 for supporting the membrane 21.

상기한 바와같은 종래 기술의 또 다른 예는 마스크가 완성된 후에 부가적으로 열선이 포함된 알루미늄 링(23)을 멤브레인(21) 배면의 외부에 형성하므로, 공정이 단순하다는 잇점이 있을 뿐만 아니라 외부전원(24)의 전력공급량을 조절함에 따라 열선을 일정하게 팽창시킬 수 있게 되므로, 멤브레인(21)을 일정하게 팽창시켜 멤브레인(21) 상에 형성된 흡수체 패턴(22)을 방사방향으로 서로 멀어지게 하여 양의 배율을 갖는 패턴을 웨이퍼에 전사할 수 있게 된다.Another example of the prior art as described above is that since the aluminum ring 23 including the additional heating wire is formed on the outside of the back surface of the membrane 21 after the mask is completed, the process is not only simple but also external. Since the heating wire can be uniformly inflated by adjusting the power supply amount of the power source 24, the membrane 21 is uniformly inflated so that the absorber patterns 22 formed on the membrane 21 are separated from each other in the radial direction. A pattern having a positive magnification can be transferred to the wafer.

또한, 마스크 제작시 음의 배율로 마스크 패턴을 그려준다면, 일정한 한도내에서 방사방향으로는 양,음의 배율을 모두 보정할 수 있는 장점이 있으며, 따라서 현재 적용되는 광학 스테퍼(stepper) 기종이 방사방향의 배율만 보정할 수 있고, x,y 방향의 배율을 따로 보정할 수 없는 것에 비추어볼때, 광학 스테퍼와 유사한 기능을 보일 수 있을 것으로 판단된다.In addition, if the mask pattern is drawn at a negative magnification when manufacturing the mask, there is an advantage that the positive and negative magnifications can be corrected in the radial direction within a certain limit, and thus, an optical stepper model currently applied is radiated. In view of the fact that only the magnification in the direction can be corrected and the magnification in the x and y directions cannot be corrected, it is judged that a function similar to the optical stepper can be shown.

그러나, 상기한 바와같이 x,y 방향의 배율을 보정하는 것이 불가능하며, 열에 의하여 멤브레인(21)을 팽창시켜 배율을 조절함에 따라 노광시에 엑스-선의 흡수에 의한 열상승으로 인해 멤브레인(21)의 팽창이 발생하여 배율이 변화할 수 있으며, 일반적으로 멤브레인(21)이 사각형의 형태로 정의되므로, 기대하는 바와같은 방사방향의 배율을 조절하는 것에 한계가 있는 문제점이 있다.However, as described above, it is impossible to correct the magnification in the x and y directions, and as the membrane 21 expands by adjusting the magnification by expanding the membrane 21 by heat, the membrane 21 may be caused by the heat rise due to absorption of X-rays during exposure. The expansion may occur and the magnification may change, and since the membrane 21 is generally defined in the form of a quadrangle, there is a problem in that it is limited to adjust the radial magnification as expected.

상술한 바와같이 종래 엑스-선 마스크의 일 예는 다이아몬드 재질 버팀대의 두께가 10㎛만 되어도 엑스-선의 투과율이 8% 정도로 감소하여 Ta 재질 흡수체의 0.7㎛ 두께에 대한 투과율 7%와 유사하며, Ta의 0.35㎛ 두께에 대한 투과율 20%에는 훨씬 미치지 못하는 문제점을 안고 있으며, 다른 예는 흡수체 패턴의 형성에 건식식각 방법의 사용이 보편화됨에 따라 흡수체 패턴의 열처리를 통한 응력조절이 배율 조절의 관건으로 되면서 뒤틀림 보정막의 인장응력을 이용하는 것은 흡수체 패턴의 형성을 위한 건식식각 방법과 양립할 수 없는 문제점이 있고, 또 다른 예는 x,y 방향의 배율을 보정하는 것이 불가능하며, 노광시에 엑스-선의 흡수에 의한 열상승으로 인해 멤브레인의 팽창이 발생하여 배율이 변화할 수 있으며, 일반적으로 멤브레인이 사각형의 형태로 정의되므로, 기대하는 바와같은 방사방향의 배율을 조절하는 것에 한계가 있는 문제점이 있다.As described above, one example of the conventional X-ray mask is that the X-ray transmittance decreases by about 8% even when the thickness of the diamond brace is only 10 μm, which is similar to the transmittance of 7% for the 0.7 μm thickness of the Ta material absorber. As the use of the dry etching method to form the absorber pattern becomes popular, the stress control through the heat treatment of the absorber pattern becomes a key factor of the magnification control. Using the tensile stress of the distortion correction film has a problem incompatible with the dry etching method for the formation of the absorber pattern, another example is impossible to correct the magnification in the x, y direction, the absorption of X-rays during exposure The thermal expansion caused by the expansion of the membrane may occur due to the change in magnification, generally the membrane in the form of a rectangle As defined, there is a limiting problem in controlling the radial magnification as expected.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 흡수체 패턴이 형성된 멤브레인의 원하는 영역을 국소적으로 뒤틀리게 하고 이를 압전막대 등을 통해 조작하여 배율을 적절히 조절할 수 있는 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.The present invention was devised to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to locally distort a desired region of the membrane on which the absorber pattern is formed, and manipulate it through a piezoelectric rod or the like to appropriately adjust the magnification. To provide a structure of the X-ray mask and a method of manufacturing the same.

상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 엑스-선 마스크의 구조는 엑스-선을 통과시키는 멤브레인 박막과; 상기 멤브레인 박막을 지지하는 받침대와; 상기 멤브레인 박막 상에 형성되어 엑스-선을 흡수하는 흡수체 패턴과; 상기 흡수체 패턴의 주변영역에 해당하는 멤브레인 박막의 배면에 흡수체 패턴의 배율 조절 및 멤브레인 박막의 뒤틀림 감소를 위해 형성된 지지용 버팀대와; 상기 멤브레인 박막의 배면과 평행하게 이격 형성되어 일측이 상기 지지용 버팀대에 의해 지지되는 신장부 및 그 신장부와 상기 받침대 사이의 멤브레인 박막 배면에 형성되어 신장부의 타측을 지지함과 아울러 배선을 통해 전원을 인가받아 신장부를 구동하는 압전 구동부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다. The structure of the X-ray mask for achieving the object of the present invention as described above comprises a membrane thin film for passing the X-ray; A pedestal for supporting the membrane thin film; An absorber pattern formed on the membrane thin film to absorb X-rays; A support brace formed on the rear surface of the membrane thin film corresponding to the peripheral region of the absorber pattern to adjust the magnification of the absorber pattern and reduce distortion of the membrane thin film; It is formed parallel to the rear surface of the membrane thin film is formed on one side of the extension portion supported by the support brace and the membrane thin film between the extension portion and the pedestal to support the other side of the extension portion and power through the wiring It is characterized in that the configuration is provided with a piezoelectric drive unit for driving the extension.

그리고, 상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 엑스-선 마스크 제조방법의 일 실시예는 기판의 상부에 지지용 버팀대가 형성될 영역이 패터닝된 마스크용 제1박막을 형성한 후, 이를 통해 기판을 식각하여 제1홈을 형성하는 공정과; 상기 제1홈에 금속물질을 채워 지지용 버팀대를 형성한 후, 상기 마스크용 제1박막을 제거하는 공정과; 상기 지지용 버팀대가 형성된 기판의 상부에 신장부와 압전 구동부가 형성될 영역이 패터닝된 마스크용 제2박막을 형성한 후, 이를 통해 기판을 상기 지지용 버팀대가 형성된 깊이만큼 식각하여 제2홈을 형성하는 공정과; 상기 제2홈 내에 신장부와 압전 구동부를 형성한 후, 상부전면에 제3박막을 형성하고 평탄화하는 공정과; 상기 제2홈 내에 형성된 제3박막을 식각해 내고, 상부에 평판의 멤브레인을 형성한 후, 기판에 후면 습식각을 실시하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, one embodiment of the X-ray mask manufacturing method for achieving the object of the present invention as described above after forming the first thin film for the mask patterned area to be formed a support brace on the substrate, Etching the substrate to form a first groove; Filling the first groove with a metal material to form a support brace, and then removing the mask first thin film; After forming a second thin film for a mask on which a region where an extension portion and a piezoelectric drive portion are to be formed is formed on an upper portion of the substrate on which the support brace is formed, the substrate is etched to the depth where the support brace is formed to form a second groove. Forming step; Forming an elongation portion and a piezoelectric driving portion in the second groove, and then forming and planarizing a third thin film on the upper front surface; And etching the third thin film formed in the second groove, forming a membrane on the top, and performing wet back etching on the substrate.

또한, 상기한 바와같은 본 발명에 의한 엑스-선 마스크 제조방법의 다른 실시예는 기판의 상부에 멤브레인을 형성한 후, 상기 멤브레인의 상부에 지지용 버팀 대가 형성될 영역이 패터닝된 마스크용 제1박막을 형성하는 공정과; 상기 패터닝된 마스크용 제1박막을 통해 노출된 멤브레인 상부에 다이아몬드를 선택적으로 형성하여 지지용 버팀대를 형성한 후, 마스크용 제1박막을 제거하는 공정과; 일측 면이 상기 지지용 버팀대와 접하도록 지지용 버팀대의 주변영역 멤브레인 상부에 제2박막 및 신장부를 적층 형성하는 공정과; 일측 면이 상기 적층된 제2박막 및 신장부의 타측면에 접하도록 멤브레인 상부에 압전 구동부를 형성하는 공정과; 상기 압전 구동부의 주변영역에 해당하는 멤브레인 상부에 압전 구동부를 지지하는 받침대를 형성하는 공정과; 상기 제2박막을 제거한 후, 기판에 후면 습식각을 실시하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, another embodiment of the X-ray mask manufacturing method according to the present invention as described above, after forming a membrane on the upper portion of the substrate, the first region for the mask patterned area in which the support brace is formed on the membrane Forming a thin film; Forming a support brace by selectively forming diamond on the membrane exposed through the patterned mask first thin film, and then removing the mask first thin film; Stacking a second thin film and an elongate portion on an upper portion of the peripheral membrane of the support brace so that one side thereof contacts the support brace; Forming a piezoelectric driver on the membrane so that one side thereof contacts the other side of the laminated second thin film and the extension part; Forming a pedestal for supporting the piezoelectric drive unit on the membrane corresponding to the peripheral area of the piezoelectric drive unit; After removing the second thin film, it characterized in that it comprises a step of performing a wet back etching on the substrate.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The structure of the X-ray mask and the method of manufacturing the same according to the present invention as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도4a 및 도4b는 본 발명에 의한 엑스-선 마스크의 구조를 보인 단면도 및 배면도로서, 이에 도시한 바와같이 엑스-선을 통과시키는 멤브레인 박막(31)과; 상기 멤브레인 박막(31)을 지지하는 받침대(32)와; 상기 멤브레인 박막(31) 상에 형성되어 엑스-선을 흡수하는 흡수체 패턴(33)과; 상기 흡수체 패턴(33)의 주변영역에 해당하는 멤브레인 박막(31)의 배면에 흡수체 패턴(33)의 배율 조절 및 멤브레인 박막(31)의 뒤틀림 감소를 위해 형성된 지지용 버팀대(34)와; 상기 멤브레인 박막(31)의 배면과 평행하게 형성되어 상기 지지용 버팀대(34)에 의해 일측이 지지되는 신장부(35) 및 그 신장부(35)와 상기 받침대(32) 사이의 멤브레인 박막(31) 배면에 형성되어 신장부(35)의 타측을 지지함과 아울러 배선(36)을 통해 전원을 인 가받아 신장부(35)를 구동하는 압전 구동부(37)와; 상기 받침대(32)에 추가로 부착되어 마스크를 견고하게 하는 파이렉스(pyrex) 또는 SiC 재질의 마스크 프레임(38)으로 구성된다.First, FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views and a rear view showing the structure of an X-ray mask according to the present invention, and as shown therein, a membrane thin film 31 through which X-rays are passed; A pedestal 32 for supporting the membrane thin film 31; An absorber pattern (33) formed on the membrane thin film (31) to absorb X-rays; A support brace 34 formed on the rear surface of the membrane thin film 31 corresponding to the peripheral area of the absorber pattern 33 to adjust the magnification of the absorber pattern 33 and reduce the distortion of the membrane thin film 31; It is formed in parallel with the back surface of the membrane thin film 31, one side is supported by the support brace 34 and the membrane thin film 31 between the extension portion 35 and the pedestal 32 A piezoelectric driving part 37 formed on the rear surface to support the other side of the extension part 35 and to receive power from the wiring 36 to drive the extension part 35; It is composed of a mask frame 38 made of pyrex or SiC, which is further attached to the pedestal 32 to secure the mask.

상기한 바와같은 구조를 갖는 본 발명에 의한 엑스-선 마스크는 도4b의 배면도에 도시한 바와같이 흡수체 패턴(33)의 주변영역에 해당하는 멤브레인 박막(31)의 배면에 상기 흡수체 패턴(33)을 사각형으로 에워싸도록 4개의 지지용 버팀대(34)를 이격 형성하여 각각에 신장부(35) 및 압전 구동부(37)와 배선(36)을 접속시켜 형성하거나 또는 도4c의 배면도에 도시한 바와같이 상기 흡수체 패턴(33)을 사각형으로 에워싸도록 다수의 지지용 버팀대(34)를 일정한 간격으로 이격시키고, 각각에 신장부(35) 및 압전 구동부(37)와 배선(36)을 접속하여 형성할 수 있으며, 또한 도면에 도시하지는 않았지만 상기 지지용 버팀대(34)를 사각형이 아닌 원형으로도 형성할 수 있다.In the X-ray mask according to the present invention having the structure as described above, the absorber pattern 33 is formed on the back surface of the membrane thin film 31 corresponding to the peripheral region of the absorber pattern 33 as shown in the rear view of FIG. 4B. ) Four support braces 34 are spaced apart so as to enclose a square in a quadrangular shape, and the extension portion 35 and the piezoelectric drive portion 37 and the wiring 36 are connected to each other, or shown in the rear view of FIG. 4C. As described above, a plurality of support braces 34 are spaced at regular intervals so as to surround the absorber pattern 33 in a quadrangle, and the extension part 35, the piezoelectric drive part 37, and the wiring 36 are connected to each other. Although not shown in the figure, the support brace 34 may be formed in a circular shape instead of a square shape.

따라서, 상기 압전 구동부(37) 및 신장부(35)를 통해 지지용 버팀대(34)에 멤브레인 박막(31)과 평행하게 힘을 인가하여 멤브레인 박막(31) 상에 형성된 흡수체 패턴(33)을 효과적으로 늘려줄 수 있게 되므로 배율조절에 유리하며, 또한 멤브레인 박막(31)에 대해 수직으로 힘을 인가하여 멤브레인 박막(31)의 뒤틀림을 조절할 수 있다.Accordingly, the force absorbing pattern 33 formed on the membrane thin film 31 is effectively applied to the support brace 34 through the piezoelectric driving part 37 and the extension part 35 in parallel with the membrane thin film 31. Since it is possible to increase, it is advantageous for the magnification control, and the distortion of the membrane thin film 31 can be controlled by applying a force perpendicular to the membrane thin film 31.

그리고, 상기 지지용 버팀대(34)를 통해 멤브레인 박막(31)에 선택적으로 힘을 인가하여 배율을 조절할 수 있으므로, 불필요한 영역에 힘이 인가되어 마스크 전체가 뒤틀리는 것을 방지할 수 있으며, 또한 엑스-선의 노광방식과 상관없이 x,y 방향 모두에 대해 배율을 조절할 수 있게 된다.Further, since the magnification can be adjusted by selectively applying a force to the membrane thin film 31 through the support brace 34, a force is applied to an unnecessary area to prevent the entire mask from twisting and also the X-ray of Regardless of the exposure method, the magnification can be adjusted in both the x and y directions.

이하, 상기한 바와같은 구조를 갖는 엑스-선 마스크 제조방법의 일 실시예를 도5a 내지 도5e에 도시한 수순단면도를 참조하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of an X-ray mask manufacturing method having the structure as described above will be described with reference to the cross-sectional view shown in FIGS. 5A to 5E.

먼저, 도5a에 도시한 바와같이 기판(41)의 상부에 소정의 영역이 패터닝된 마스크용 제1박막(42)을 형성한 후, 이를 통해 기판(41)을 식각하여 제1홈(43)을 형성한다. 이때, 기판(41)은 Si으로 형성하여 KOH 용액등을 통해 2㎛∼30㎛의 깊이로 식각하고, 마스크용 박막(42)은 SiN으로 형성하며, 후속 흡수체 패턴(51)이 형성될 영역과 중첩되지 않도록 마스크의 중심에서 35mm∼50mm 정도의 거리에 5㎛∼500㎛의 너비로 상기 도4b 및 도4c의 배면도에 도시한 바와같은 지지용 버팀대(34)가 형성될 수 있도록 사각형 형태로 형성하거나 또는 상술한 바와같이 원형 형태로 형성하여 기판(41)에 제1홈(43)을 형성한다.First, as shown in FIG. 5A, a first thin film 42 for mask having a predetermined area patterned is formed on the substrate 41, and then the substrate 41 is etched through the first groove 43. To form. At this time, the substrate 41 is formed of Si and etched to a depth of 2 μm to 30 μm through a KOH solution or the like, the mask thin film 42 is formed of SiN, and the region where the subsequent absorber pattern 51 is to be formed. In the shape of a rectangle so that a support brace 34 as shown in the back view of FIGS. 4B and 4C can be formed at a distance of 5 to 500 μm at a distance of about 35 mm to 50 mm from the center of the mask so as not to overlap. As described above, the first groove 43 is formed in the substrate 41 by forming a circular shape as described above.

그리고, 도5b에 도시한 바와같이 상기 제1홈(43)에 금속물질을 채워 지지용 버팀대(44)를 형성한 후, 상기 마스크용 제1박막(42)을 제거한다. 이때, 지지용 버팀대(44)는 Cr 또는 Ti등의 금속물질을 전기도금을 통해 형성하거나, 또는 다이아몬드, SiC등의 얇은 막 재질을 이용하여 형성할 수 있다.Then, as shown in FIG. 5B, the support brace 44 is formed by filling the first groove 43 with a metal material, and then the first thin film 42 for mask is removed. At this time, the support brace 44 may be formed by electroplating a metal material such as Cr or Ti, or may be formed using a thin film material such as diamond or SiC.

그리고, 도5c에 도시한 바와같이 상기 지지용 버팀대(44)가 형성된 기판(41)의 상부에 상기와는 다른 소정의 영역이 패터닝된 마스크용 제2박막(45)을 형성한 후, 이를 통해 기판(41)을 상기 지지용 버팀대(44)가 형성된 깊이만큼 식각하여 제2홈(46)을 형성한다. 이때, 마스크용 제2박막(45)은 Si 기판(41)과 20∼100:1 정도의 식각선택비를 갖는 산화막을 0.5㎛∼2㎛ 정도의 두께로 형성하며, 후속 신장 부(47) 및 압전 구동부(48)가 형성될 영역이 패터닝되도록 하여 기판(41)에 제2홈(46)을 형성한다.As shown in FIG. 5C, a second thin film 45 for mask having a predetermined area different from the above is formed on the substrate 41 on which the support brace 44 is formed. The substrate 41 is etched to the depth where the support brace 44 is formed to form a second groove 46. In this case, the second thin film 45 for the mask forms an oxide film having an etching selectivity of about 20 to 100: 1 with the Si substrate 41 to a thickness of about 0.5 μm to 2 μm, and the subsequent extension portion 47 and The second grooves 46 are formed in the substrate 41 by patterning the region where the piezoelectric driver 48 is to be formed.

그리고, 도5d에 도시한 바와같이 상기 제2홈(46) 내에 신장부(47) 및 압전 구동부(48)를 형성한 후, 상부전면에 제3박막(49)을 형성하고 평탄화한다. 이때, 신장부(47)를 금속막대로 형성하고, 압전 구동부(48)를 접착/배리어층인 Ti 및 전극층인 Pt가 압전막(예를 들어 PZT)을 사이에 두고 양측에 적층된 구조로 형성하여 수평방향(좌우방향)으로 기판(41)의 표면으로부터 0.5㎛ 깊이를 갖도록 제2홈(46) 내에 형성할 수 있다. 상기에서 제 2 홈(46) 내에 신장부(47)를 형성하지 않고 는 형성하지 않고 압전 구동부(48)만을 형성할 수도 있다. 그리고, 상기 제3박막(49)을 스퍼터링 방법으로 산화막을 증착하여 형성하는데, 이 증착된 산화막을 에치-백 또는 화학기계적 연마를 통해 평탄화하는 것이 바람직하다.Then, as shown in FIG. 5D, the elongation part 47 and the piezoelectric drive part 48 are formed in the second groove 46, and then the third thin film 49 is formed and planarized on the upper front surface. At this time, the extension portion 47 is formed with a metal rod, and the piezoelectric drive portion 48 is formed in a structure in which Ti as an adhesion / barrier layer and Pt as an electrode layer are laminated on both sides with a piezoelectric film (for example, PZT) interposed therebetween. Therefore, the second grooves 46 may be formed in the second grooves 46 to have a depth of 0.5 μm from the surface of the substrate 41 in the horizontal direction (left and right directions). In the above, only the piezoelectric driver 48 may be formed without forming the extension 47 in the second groove 46. The third thin film 49 is formed by depositing an oxide film by a sputtering method, and it is preferable to planarize the deposited oxide film through etch-back or chemical mechanical polishing.

그리고, 도5e에 도시한 바와같이 상기 평탄화된 구조물의 상부전면에 멤브레인 박막(50)을 형성한 후, 그 상부에 흡수체 패턴(51)을 형성하고, 기판(41)에 후면 습식각을 실시한다. 이때, 멤브레인 박막(50)은 SiN, SiC 또는 다이아몬드를 사용하여 형성하며, 상기 제2홈(46) 내에 채워진 제3박막(49)은 제거되어 신장부(47)는 멤브레인 박막(50)과 이격되어 압전 구동부(48)와 지지용 버팀대(44)에 의해서만 지지된다.As shown in FIG. 5E, after the membrane thin film 50 is formed on the upper surface of the planarized structure, the absorber pattern 51 is formed on the upper surface of the planarized structure, and the back surface wet etching is performed on the substrate 41. . At this time, the membrane thin film 50 is formed using SiN, SiC or diamond, the third thin film 49 filled in the second groove 46 is removed so that the extension portion 47 is spaced apart from the membrane thin film 50. And is supported only by the piezoelectric drive part 48 and the support brace 44.

또한, 흡수체 패턴(51)은 W, Ta 또는 Au와 그 합금으로 예를 들어 WNx, W:Ti, TaB, TaBN, TaCN, TaSi, TaSiN, TaGe등을 사용하여 형성한다.The absorber pattern 51 is formed of W, Ta, or Au and alloys thereof, for example, using WNx, W: Ti, TaB, TaBN, TaCN, TaSi, TaSiN, TaGe, and the like.

한편, 상기 기판(41)의 후면 습식각후에 잔류하는 기판(41)으로 마스크의 견고성이 불충분할 경우에는 파이렉스(pyrex) 또는 SiC등의 프레임을 추가로 부착할 수 있다.On the other hand, if the mask 41 is insufficient after the wet etching of the back surface of the substrate 41, a frame such as pyrex or SiC may be additionally attached.

한편, 본 발명에 의한 엑스-선 마스크 제조방법의 다른 실시예를 도6a 내지 도6f에 도시한 수순단면도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.On the other hand, another embodiment of the X-ray mask manufacturing method according to the present invention will be described with reference to the cross-sectional view shown in Figure 6a to 6f.

먼저, 도6a에 도시한 바와같이 기판(61)의 상부에 멤브레인(62)을 형성한 후, 상기 멤브레인(62)의 상부에 소정의 영역이 패터닝된 마스크용 제1박막(63)을 형성한다. 이때, 기판(61)은 Si으로 형성하고, 마스크용 제1박막(63)은 전하전달속도가 비교적 빠른 Fe, Pt 또는 Pd등으로 형성하며, 후속 흡수체 패턴이 형성될 영역과 중첩되지 않도록 마스크의 중심에서 35mm∼50mm 정도의 거리에 5㎛∼500㎛의 너비로 상기 도4b 및 도4c의 배면도에 도시한 바와같은 지지용 버팀대(34)가 형성될 수 있도록 사각형 형태로 형성하거나 또는 상술한 바와같이 원형 형태로 형성하며, 멤브레인(62)은 다이아몬드를 적용하여 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, a membrane 62 is formed on the substrate 61, and then a first thin film 63 for mask, in which a predetermined region is patterned, is formed on the membrane 62. . At this time, the substrate 61 is formed of Si, and the mask first thin film 63 is formed of Fe, Pt, or Pd having a relatively high charge transfer rate, and the mask is formed so as not to overlap with a region where a subsequent absorber pattern is to be formed. It is formed in a rectangular shape so that the support brace 34 as shown in the rear view of Figs. 4b and 4c can be formed at a distance of about 35 mm to 50 mm at a distance of about 35 mm to about 50 mm from the center. As shown in the figure, the membrane 62 is formed by applying diamond.

그리고, 도6b에 도시한 바와같이 상기 패터닝된 마스크용 제1박막(63)을 통해 노출된 멤브레인(62) 상부에 다이아몬드를 선택적으로 형성하여 지지용 버팀대(64)를 형성한 후, 마스크용 제1박막(63)을 제거한다.As shown in FIG. 6B, diamond is selectively formed on the membrane 62 exposed through the patterned mask first thin film 63 to form the support brace 64, and then the mask agent. One thin film 63 is removed.

그리고, 도6c에 도시한 바와같이 일측 면이 상기 상기 지지용 버팀대(64)와 접하도록 지지용 버팀대(64)의 주변영역 멤브레인(62) 상부에 제2박막(65) 및 신장부(66)를 적층 형성한다. 이때, 제2박막(65)은 스퍼터링 공정을 적용하여 SiN 또는 SiO2를 형성할 수 있으며, 신장부(66)는 스텐슬(stencil) 마스크를 이용하여 선택적인 스퍼터링 증착을 적용하거나 또는 전체적으로 스퍼터링 증착한 후, 선택적으로 식각하여 형성할 수 있다.As shown in FIG. 6C, the second thin film 65 and the extension part 66 are disposed on the peripheral region membrane 62 of the support brace 64 so that one side thereof is in contact with the support brace 64. To form a laminate. In this case, the second thin film 65 may be formed of SiN or SiO 2 by applying a sputtering process, and the extension portion 66 may be subjected to selective sputtering deposition using a stencil mask or to sputter deposition as a whole. After that, it can be selectively formed by etching.

그리고, 도6d에 도시한 바와같이 일측 면이 상기 적층된 제2박막(65) 및 신장부(66)의 타측면에 접하도록 멤브레인(62) 상부에 압전 구동부(67)를 형성한다. 이때, 압전 구동부(67)는 상기 본 발명의 일 실시예와 동일한 적층구조로 형성하여 수평방향(좌우방향)으로 형성한다.As shown in FIG. 6D, a piezoelectric driving part 67 is formed on the membrane 62 so that one side thereof contacts the other side surfaces of the stacked second thin film 65 and the extension part 66. At this time, the piezoelectric driving unit 67 is formed in the same laminated structure as in the embodiment of the present invention and is formed in the horizontal direction (left and right directions).

그리고, 도6e에 도시한 바와같이 상기 압전 구동부(67)의 주변영역에 해당하는 멤브레인(62) 상부에 압전 구동부(67)를 지지하는 받침대(68)를 형성한다.As shown in FIG. 6E, a pedestal 68 supporting the piezoelectric driver 67 is formed on the membrane 62 corresponding to the peripheral region of the piezoelectric driver 67.

그리고, 도6f에 도시한 바와같이 상기 제2박막(65)을 제거한 후, 기판(61)에 후면 습식각을 실시한다. 이때, 제2박막(65)이 제거됨에 따라 상기 신장부(66)는 멤브레인(62)과 이격되어 지지용 버팀대(64)와 압전 구동부(67)에 의해서만 지지되며, 이후에 멤브레인(62) 상부에 흡수체 패턴(미도시)을 형성한다. Then, as shown in FIG. 6F, after the second thin film 65 is removed, backside wet etching is performed on the substrate 61. In this case, as the second thin film 65 is removed, the extension part 66 is spaced apart from the membrane 62 and supported only by the support brace 64 and the piezoelectric drive part 67, and thereafter, the upper part of the membrane 62. An absorber pattern (not shown) is formed on the substrate.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법은 외부에서 인가되는 전원을 통해 압전 구동부 및 신장부에 힘을 가하여 멤브레인 영역을 선택적으로 변형시킬 수 있게 되므로, 엑스-선 마스크의 뒤틀림을 방지할 수 있고, x,y 방향의 배율조절이 자유로우며, 또한 양,음의 배율도 자유로이 조절할 수 있는 효과가 있다.As described above, the structure of the X-ray mask and the method of manufacturing the X-ray mask according to the present invention can selectively deform the membrane region by applying a force to the piezoelectric drive unit and the extension unit through an externally applied power source. It is possible to prevent the distortion, freely adjust the magnification in the x, y direction, and also has the effect of freely adjusting the magnification of the positive and negative.

Claims (13)

엑스-선을 통과시키는 멤브레인 박막과; 상기 멤브레인 박막을 지지하는 받침대와; 상기 멤브레인 박막 상에 형성되어 엑스-선을 흡수하는 흡수체 패턴과; 상기 흡수체 패턴의 주변영역에 해당하는 멤브레인 박막의 배면에 흡수체 패턴의 배율 조절 및 멤브레인 박막의 뒤틀림 감소를 위해 형성된 지지용 버팀대와; 상기 멤브레인 박막의 배면과 평행하게 이격 형성되어 일측이 상기 지지용 버팀대에 의해 지지되는 신장부 및 그 신장부와 상기 받침대 사이의 멤브레인 박막 배면에 형성되어 신장부의 타측을 지지함과 아울러 배선을 통해 전원을 인가받아 신장부를 구동하는 압전 구동부를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 구조.A membrane thin film passing through X-rays; A pedestal for supporting the membrane thin film; An absorber pattern formed on the membrane thin film to absorb X-rays; A support brace formed on the rear surface of the membrane thin film corresponding to the peripheral region of the absorber pattern to adjust the magnification of the absorber pattern and reduce distortion of the membrane thin film; It is formed parallel to the rear surface of the membrane thin film is formed on one side of the extension portion supported by the support brace and the membrane thin film between the extension portion and the pedestal to support the other side of the extension portion and power through the wiring The structure of the X-ray mask, characterized in that it comprises a piezoelectric drive unit for driving the extension by receiving. 제 1 항에 있어서, 상기 지지용 버팀대는 상기 흡수체 패턴의 주변영역에 해당하는 멤브레인 박막의 배면에 흡수체 패턴을 사각형 또는 원형으로 에워싸도록 수개를 이격 형성함과 아울러 각각에 상기 신장부 및 압전 구동부와 배선을 접속하여 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 구조.According to claim 1, wherein the support brace is formed on the back of the membrane thin film corresponding to the peripheral area of the absorber pattern to form a plurality of spaced apart to surround the absorber pattern in a square or circle, and each of the extension portion and the piezoelectric drive unit The structure of the X-ray mask formed by connecting and wiring. 제 1 항에 있어서, 상기 받침대에 부착되어 마스크를 견고하게 하는 마스크 프레임을 더 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 구조.The X-ray mask structure of claim 1, further comprising a mask frame attached to the pedestal to firm the mask. 기판의 상부에 지지용 버팀대가 형성될 영역이 패터닝된 마스크용 제1박막을 형성한 후, 이를 통해 기판을 식각하여 제1홈을 형성하는 공정과; 상기 제1홈에 금속물질을 채워 지지용 버팀대를 형성한 후, 상기 마스크용 제1박막을 제거하는 공정과; 상기 지지용 버팀대가 형성된 기판의 상부에 신장부와 압전 구동부가 형성될 영역이 패터닝된 마스크용 제2박막을 형성한 후, 이를 통해 기판을 상기 지지용 버팀대가 형성된 깊이만큼 식각하여 제2홈을 형성하는 공정과; 상기 제2홈 내에 신장부와 압전 구동부를 형성한 후, 상부전면에 제3박막을 형성하고 평탄화하는 공정과; 상기 제2홈 내에 형성된 제3박막을 식각해 내고, 상부에 평판의 멤브레인을 형성한 후, 기판에 후면 습식각을 실시하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.Forming a first thin film for a mask in which a region in which a support brace is to be formed is formed on the substrate, and then etching the substrate to form a first groove; Filling the first groove with a metal material to form a support brace, and then removing the mask first thin film; After forming a second thin film for a mask on which a region where an extension portion and a piezoelectric drive portion are to be formed is formed on an upper portion of the substrate on which the support brace is formed, the substrate is etched to the depth where the support brace is formed to form a second groove. Forming step; Forming an elongation portion and a piezoelectric driving portion in the second groove, and then forming and planarizing a third thin film on the upper front surface; And etching the third thin film formed in the second groove, forming a membrane on the top, and performing wet back etching on the substrate. 제 4 항에 있어서, 상기 제1홈은 기판을 2㎛∼30㎛의 깊이로 식각하여 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 4, wherein the first groove is formed by etching the substrate to a depth of 2 μm to 30 μm. 제 4 항에 있어서, 지지용 버팀대는 Cr, Ti등의 금속물질을 전기도금을 통해 형성하거나, 또는 다이아몬드, SiC등의 얇은 막 재질을 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 4, wherein the support brace is formed of an electroplated metal material such as Cr or Ti, or a thin film material such as diamond or SiC. . 제 4 항에 있어서, 상기 신장부를 금속막대로 형성하는 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 4, wherein the extension part is formed with a metal rod. 제 4 항에 있어서, 상기 압전 구동부를 접착/배리어층 및 전극층이 압전막을 사이에 두고 양측에 적층된 구조로 형성하여 수평방향(좌우방향)으로 제2홈 내에 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The X-ray according to claim 4, wherein the piezoelectric driving part is formed in a structure in which an adhesive / barrier layer and an electrode layer are laminated on both sides with a piezoelectric film interposed therebetween, and formed in the second groove in the horizontal direction (left and right directions). Method of manufacturing a mask. 제 4 항에 있어서, 상기 멤브레인을 SiN, SiC 또는 다이아몬드 중에 선택된 하나를 사용하여 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 4, wherein the membrane is formed using one selected from SiN, SiC, or diamond. 기판의 상부에 멤브레인을 형성한 후, 상기 멤브레인의 상부에 지지용 버팀대가 형성될 영역이 패터닝된 마스크용 제1박막을 형성하는 공정과; 상기 패터닝된 마스크용 제1박막을 통해 노출된 멤브레인 상부에 다이아몬드를 선택적으로 형성하여 지지용 버팀대를 형성한 후, 마스크용 제1박막을 제거하는 공정과; 일측 면이 상기 지지용 버팀대와 접하도록 지지용 버팀대의 주변영역 멤브레인 상부에 제2박막 및 신장부를 적층 형성하는 공정과; 일측 면이 상기 적층된 제2박막 및 신장부의 타측면에 접하도록 멤브레인 상부에 압전 구동부를 형성하는 공정과; 상기 압전 구동부의 주변영역에 해당하는 멤브레인 상부에 압전 구동부를 지지하는 받침대를 형성하는 공정과; 상기 제2박막을 제거한 후, 기판에 후면 습식각을 실시하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.Forming a membrane on top of the substrate, and then forming a first thin film for a mask on which a region for forming a support brace is formed on the membrane; Forming a support brace by selectively forming diamond on the membrane exposed through the patterned mask first thin film, and then removing the mask first thin film; Stacking a second thin film and an elongate portion on an upper portion of the peripheral membrane of the support brace so that one side thereof contacts the support brace; Forming a piezoelectric driver on the membrane so that one side thereof contacts the other side of the laminated second thin film and the extension part; Forming a pedestal for supporting the piezoelectric drive unit on the membrane corresponding to the peripheral area of the piezoelectric drive unit; And removing the second thin film, and performing wet back etching on the substrate. 제 10 항에 있어서, 상기 제2박막은 스퍼터링 공정을 적용하여 SiN 또는 SiO2를 증착한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 10, wherein the second thin film is formed by depositing SiN or SiO 2 by applying a sputtering process. 제 10 항에 있어서, 상기 신장부는 스텐슬(stencil) 마스크를 이용하여 선택적인 스퍼터링 증착을 적용하거나 또는 전체적으로 스퍼터링 증착한 후, 선택적으로 식각하여 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 10, wherein the extension part is formed by applying selective sputtering deposition using a stencil mask or by sputtering deposition as a whole, followed by selective etching. 제 10 항에 있어서, 상기 멤브레인은 다이아몬드를 사용하여 형성한 것을 특징으로 하는 엑스-선 마스크의 제조방법.The method of claim 10, wherein the membrane is formed using diamond.
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