KR100616368B1 - Electroconductive resin composition and electronic parts using the same - Google Patents

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시미즈타케히로
마츠우라히데카즈
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys

Abstract

아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1)과, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물; 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)와 은분을 포함하는 도전성 분말(A2)과, 상기 열가소성 수지(B1)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물; 상기 도전성 분말(A1)과 폴리아미드실리콘수지, 폴리아미드이미드실리콘수지 및 폴리이미드실리콘수지로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물; 및 상기 도전성 분말(A2)과, 상기 열가소성 수지(B2)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물.A conductive powder (A1) containing silver plated copper powder (a1) having an aspect ratio of 1 to 20 and a silver powder, a thermoplastic resin (B1) having at least one functional group selected from the group consisting of an amide group, an ester group, an imide group and an ether group; , Conductive resin composition containing organic solvent (C); A conductive resin composition comprising a silver-plated copper powder (a2) having a copper exposed portion on a part of the surface and a conductive powder (A2) containing silver powder, the thermoplastic resin (B1), and an organic solvent (C); A conductive resin composition comprising a thermoplastic resin (B2) selected from the group consisting of the conductive powder (A1), a polyamide silicone resin, a polyamideimide silicone resin and a polyimide silicone resin, and an organic solvent (C); And the conductive powder (A2), the thermoplastic resin (B2), and an organic solvent (C).

Description

도전성 수지조성물 및 이것을 사용한 전자부품{ELECTROCONDUCTIVE RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC PARTS USING THE SAME}Conductive Resin Composition and Electronic Component Using Them {ELECTROCONDUCTIVE RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC PARTS USING THE SAME}

본 발명은, 도전성 수지조성물 및 이것을 사용한 전자부품에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive resin composition and an electronic component using the same.

전자부품의 분야에서는, 금속을 비롯한 도전성 물질을 수지에 혼합하여 페이스트상 수지조성물로 하고, 이것을 전기회로나 전극의 형성에 이용하는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 은은 그 중에서 가장 대표적인 도전성 물질이지만, 고습도 조건하에서 전압을 부하(負荷)한 경우, 상당히 이온화하기 쉽고, 마이그레이션(migration)이라 칭해지는 은의 이행현상이 자주 관찰된다. 마이그레이션이 발생하면 전극간에서 단락이 일어나서, 전자부품에 있어서 내습신뢰성 저하의 원인으로 된다.BACKGROUND OF THE INVENTION In the field of electronic components, it is generally performed to mix a conductive material including a metal with a resin to form a paste resin composition, which is used for forming an electric circuit or an electrode. Silver is the most representative conductive material among them, but when voltage is applied under high humidity conditions, silver is easily ionized, and migration of silver called migration is frequently observed. When migration occurs, a short circuit occurs between the electrodes, which causes a decrease in moisture resistance and reliability in the electronic component.

은분(銀粉) 대신에 니켈분말, 팔라듐분말, 또는 동분말을 첨가하는 것이나 각종 첨가제를 첨가하는 것이 검토되고 있었지만, 어느 경우도 전극재로서의 저항치가 높게 되는 등의 점에서, 개량이 요구되고 있었다.The addition of nickel powder, palladium powder, or copper powder instead of silver powder and the addition of various additives have been studied, but in all cases, improvement has been required in view of high resistance as an electrode material.

일본국특개평 2-283010호 공보 및 일본국특개평 6-151261호 공보에, 고체전해콘덴서에 있어서 마이그레이션 방지에 관한 종래기술이 개시되어 있다.Japanese Patent Laid-Open No. 2-283010 and Japanese Patent Laid-Open No. 6-151261 disclose a prior art relating to migration prevention in a solid electrolytic capacitor.

본 발명의 제 1의 측면에 의하면, 아스펙트비가 1∼20인 은도금(鍍銀)동분(銅粉)(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1)과, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물(이하, 「조성물 K」라 기재한다.)이 제공된다.According to the 1st aspect of this invention, the electroconductive powder (A1) containing silver plating copper powder (a1) and silver powder whose aspect ratio is 1-20, an amide group, ester group, and imide group And a conductive resin composition containing a thermoplastic resin (B1) having at least one functional group selected from the group consisting of an ether group, and an organic solvent (C) (hereinafter referred to as "composition K").

본 발명의 제 2의 측면에 의하면, 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2)과, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물(이하, 「조성물 L」이라 기재한다.)이 제공된다.According to the second aspect of the present invention, there is provided a silver-plated copper powder (a2) having a copper exposed portion on a part of the surface thereof, and a conductive powder (A2) containing silver powder, an amide group, an ester group, an imide group and an ether group. A conductive resin composition (hereinafter referred to as "composition L") containing a thermoplastic resin (B1) having one or more selected functional groups and an organic solvent (C) is provided.

본 발명의 제 3의 측면에 의하면, 아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1)과, 폴리아미드실리콘, 폴리아미드이미드실리콘 및 폴리이미드실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물(이하, 「조성물 M」이라 기재한다.)이 제공된다.According to the third aspect of the present invention, there is provided a silver-plated copper powder (a1) having an aspect ratio of 1 to 20 and an electrically conductive powder (A1) containing silver powder, and polyamide silicon, polyamideimide silicon, and polyimide silicon. A conductive resin composition (hereinafter referred to as "composition M") containing the selected thermoplastic resin (B2) and the organic solvent (C) is provided.

본 발명의 제 4의 측면에 의하면, 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2)과, 폴리아미드실리콘, 폴리아미드이미드실리콘 및 폴리이미드실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물(이하, 「조성물 N」이라 기재한다.)이 제공된다.According to the 4th aspect of this invention, the silver-plated copper powder (a2) which has a copper exposed part in a part of surface, and the electroconductive powder (A2) containing silver powder, polyamide silicone, polyamideimide silicone, and polyimide silicone A conductive resin composition (hereinafter referred to as "composition N") containing a thermoplastic resin (B2) selected from the group and an organic solvent (C) is provided.

본 발명의 제 5의 측면에 의하면, 상기 본 발명에 따른 도전성 수지조성물(조성물 K, L, M, N)을 사용하여 형성된 도전체층을 갖는 전자부품이 제공된다.According to the fifth aspect of the present invention, there is provided an electronic component having a conductor layer formed using the conductive resin composition (compositions K, L, M, N) according to the present invention.

발명의 실시의 형태Embodiment of invention

본 발명에 따른 도전성 수지조성물은, 페이스트상의 수지조성물이고, 이하의 설명에 있어서 간단히 「조성물」 또는 「페이스트」라 기재한다.The conductive resin composition according to the present invention is a paste-like resin composition, which is simply referred to as "composition" or "paste" in the following description.

조성물 K는 아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1), 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1) 및 유기용제(C)를 포함하는 조성물이다. 비늘편모양의 도전성 분말을 사용한 경우는, 형상이 복잡한 부재(다면체)에 대해서 도포한 경우의 에지의 커버성이 충분하지는 않고, 전기저항의 증가나 면간저항의 불균일이 발생하여, 전자부품의 전기특성에 결함이 생기기 쉽고, 수지로 외장한 경우에도 치수정밀도의 저하로 이어지는 경우가 있다. 특히, 양극에 밸브(弁)작용 금속을 사용한 고체전해콘덴서의 음극형성에 사용한 경우는, 제품의 누설전류(LC)가 증가하는 경향이 보인다. 이에 반해서, 조성물 K는, 도포성이 양호하고, 건조후에 양호한 도전성을 나타내며, 얻어진 도막은 고온ㆍ고습도하에서의 안정성(내마이그레이션 특성) 및 치수정밀도(에지커버링성)가 우수하다. 따라서, 조성물 K를 사용하는 것에 의해, 내습신뢰성 및 치수정밀도가 우수한 전자부품을 제공할 수 있고, 예컨대 이 조성물 K를 음극형성에 사용하여, 내습신뢰성이 양호하고 누설전류가 적은 고체전해콘덴서를 제공할 수 있다.Composition K is a thermoplastic resin (B1) having at least one functional group selected from the group consisting of silver-plated copper powder (a1) having an aspect ratio of 1 to 20 and conductive powder (A1) containing silver powder, an amide group, an ester group, an imide group and an ether group ) And an organic solvent (C). In the case of using a scale-like conductive powder, the coverability of the edge when applied to a member (polyhedron) having a complicated shape is not sufficient, and an increase in electrical resistance and nonuniformity of interfacial resistance occurs, thereby causing the electrical It is easy to produce a defect in a characteristic, and even when sheathed with resin, it may lead to the fall of dimensional accuracy. In particular, when used for the formation of the cathode of a solid electrolytic capacitor using a valve-action metal as the anode, the leakage current LC of the product tends to increase. On the other hand, the composition K has good applicability, shows good conductivity after drying, and the obtained coating film is excellent in stability (migration resistance) and dimensional accuracy (edge covering property) under high temperature and high humidity. Therefore, by using the composition K, it is possible to provide an electronic component having excellent moisture resistance and dimensional accuracy. For example, the composition K is used for forming a cathode to provide a solid electrolyte capacitor having good moisture resistance and low leakage current. can do.

조성물 L은, 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2), 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1), 및 유기용제(C)를 포함하는 조성물이다. 현재, 도전성 분말로서 동분말을 첨가하는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 그 경우, 저항치로서는 니켈분말이나 팔라듐분말을 사용한 경우에 비하여 양호하지만, 동분(銅粉)의 산화나 응집에 따른 페이스트점도 증가라는 경시안정성에 문제가 있다. 또한, 은분을 사용한 도전성 페이스트에 납땜을 행하는 경우, 납땜의 기구로서 바인더수지의 열분해를 이용하고 있으므로, 도막의 일부가 결손되어, 접합이 충분하게 행해지지 않는다는 문제가 있다. 더욱이, 은분과 동분을 사용한 종래의 도전성 페이스트는, 공기중 및 바인더수지중에 포함되는 산소와 동분이 반응하여, 그 표면에 산화막이 형성되어 버리므로, 납땜을 적용할 수 없다는 문제도 지적된다. 이에 반해서, 조성물 L은 페이스트점도의 경시안정성이 우수하고, 땜납접착 가능한 도막을 형성할 수 있다. 따라서, 이 조성물 L을 사용하여, 땜납 내열성이 우수한 전자부품, 땜납조성물 L을 음극형성에 사용하는 것에 의해, 음극취출부재와의 땜납접착성이 우수하고, 또한 땜납 내열성이 우수한 고체전해콘덴서를 제공할 수 있다.The composition L is a thermoplastic having a silver-plated copper powder (a2) having a copper exposed portion on a part of the surface and a conductive powder (A2) containing silver powder, at least one functional group selected from the group consisting of amide groups, ester groups, imide groups and ether groups It is a composition containing resin (B1) and the organic solvent (C). Currently, the addition of copper powder as the conductive powder is generally performed. In this case, the resistance value is better than that in the case of using nickel powder or palladium powder, but there is a problem in aging stability such that the paste viscosity increases due to oxidation or aggregation of copper powder. In addition, when soldering to a conductive paste containing silver powder, since thermal decomposition of the binder resin is used as a mechanism for soldering, there is a problem that a part of the coating film is missing and bonding is not performed sufficiently. Moreover, the conventional conductive paste using silver powder and copper powder also points out a problem that soldering cannot be applied because oxygen and copper powder in the air and the binder resin react and an oxide film is formed on the surface thereof. On the contrary, the composition L is excellent in aging stability of the paste viscosity and can form a solderable coating film. Therefore, by using the composition L, the electronic component and the solder composition L having excellent solder heat resistance are used for forming the cathode, thereby providing a solid electrolytic capacitor having excellent solder adhesion to the cathode extracting member and excellent solder heat resistance. can do.

조성물 M은, 아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1), 폴리아미드실리콘, 폴리아미드이미드실리콘 및 폴리이미드실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2), 및 유기용제(C)를 포함하는 조성물이다. 종래, 열경화성 수지를 바인더에 사용한 페이스트도 널리 사용되고 있지만, 얻어지는 도막은, 도막강도 및 인성(靭性)이 열세하고, 회로형성후의 내충격성 이 열세하다는 문제점이 있다. 또한, 이 페이스트를 고체전해콘덴서의 전극에 사용한 경우, 도막강도와 인성이 열세하므로, 과전압부하특성이 충분하지 않다는 문제점이 있다. 이에 반해서, 조성물 M은, 도막강도와 인성이 우수한 건조도막을 형성할 수 있고, 이것을 사용하여 특히 과전압부하특성이 우수한 고체전해콘덴서 등의 전자부품을 제공할 수 있다.The composition M is a thermoplastic resin (B2) selected from the group consisting of silver-plated copper powder (a1) having an aspect ratio of 1 to 20 and conductive powder (A1) containing silver powder, polyamide silicon, polyamideimide silicon, and polyimide silicon, And an organic solvent (C). Conventionally, pastes using thermosetting resins are also widely used, but the resulting coating film has a problem in that the coating film strength and toughness are inferior, and the impact resistance after circuit formation is inferior. Moreover, when this paste is used for the electrode of a solid electrolytic capacitor, since coating film strength and toughness are inferior, there exists a problem that the overvoltage load characteristic is not enough. On the contrary, the composition M can form a dry coating film excellent in coating film strength and toughness, and can provide an electronic component such as a solid electrolytic capacitor, which is particularly excellent in overvoltage load characteristics.

조성물 N은, 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2), 폴리아미드실리콘, 폴리아미드이미드실리콘 및 폴리이미드실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2), 및 유기용제(C)를 포함하는 조성물이다. 열경화성 수지를 바인더로 사용한 페이스트의 경우, 얻어지는 도막은 프렉시블(flexible)성이 열세하고, 프렉시블기판으로의 회로형성 등의 경우에, 굴곡률이 크면 도막에 균열이 생기고, 회로의 단선이 일어난다는 문제점이 있다. 이에 반해서, 조성물 N은, 프렉시블성이 우수한 건조도막을 형성할 수 있고, 이것을 사용하여, 특히 열충격성이 우수한 고체전해콘덴서 등의 전자부품을 제공할 수 있다.Composition N is a thermoplastic resin (B2) selected from the group consisting of silver-plated copper powder (a2) having a copper-exposed portion on a part of the surface, and conductive powder (A2) containing silver powder, polyamide silicon, polyamideimide silicon, and polyimide silicon. ), And an organic solvent (C). In the case of a paste using a thermosetting resin as a binder, the resulting coating film is inferior in flexibility, and in the case of forming circuits on the flexible substrate, if the bending rate is large, cracks are generated in the coating film and the circuit is disconnected. There is a problem that this happens. On the other hand, the composition N can form the dry coating film excellent in flexible property, and can use it, and can provide electronic components, such as a solid electrolytic capacitor, which was especially excellent in thermal shock.

조성물 K 및 조성물 M에 있어서는, 아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1)이 사용된다. 이 아스펙트비는, 은도금동분의 입자의 장경과 단경의 비율(장경/단경)을 말한다. 본 발명에 있어서는, 점도가 낮은 경화성 수지중에 은도금동분의 입자를 잘 혼합하고, 정치하여 입자를 침강시킴과 동시에 그 수지를 경화시키고, 얻어진 경화물을 수직방향으로 절단하여, 그 절단면에 나타난 입자의 형상을 현미경으로 확대하여 관찰하고, 적어도 100의 입자에 관 해서 하나하나의 입자의 장경/단경을 구하고, 그들의 평균치를 가지고 아스펙트비로 한다. 여기에서, 단경은, 상기 절단면에 나타난 입자에 관해서, 그 입자의 외측에 접하는 2개의 평행선의 조합을 입자를 끼우도록 선택하고, 그들의 조합중 최단간격으로 되는 2개의 평행선의 거리이다. 한편, 장경은, 상기 단경을 결정하는 평행선에 직각방향인 2개의 평행선으로서, 입자의 외측에 접하는 2개의 평행선의 조합중, 최장간격으로 되는 2개의 평행선의 거리이다. 이들 4개의 선으로 형성되는 장방형은, 입자가 정확히 가운데에 채워지는 크기로 된다. 본 발명에서 행한 구체적 방법에 관해서는 후술한다.In the composition K and the composition M, the silver-plated copper powder (a1) whose aspect ratio is 1-20, and the electroconductive powder (A1) containing silver powder are used. This aspect ratio means the ratio (long diameter / short diameter) of the long diameter and short diameter of the particle | grains of silver plating copper powder. In the present invention, the silver-plated copper powder particles are mixed well in a curable resin having a low viscosity, the particles are allowed to settle, the particles are cured, the resin is cured, the obtained cured product is cut in the vertical direction, and the particles appear on the cut surface. A shape is magnified and observed with a microscope, and the long diameter / short diameter of each particle is calculated | required about at least 100 particle | grains, and it is set as an aspect ratio with these average values. Here, the short diameter is a distance between two parallel lines which are selected to interpose particles with the two parallel lines which are in contact with the outside of the particles with respect to the particles shown on the cut surface, and which are the shortest intervals among those combinations. On the other hand, a long diameter is two parallel lines orthogonal to the parallel line which determines the said short diameter, and is the distance of the two parallel lines which become the longest interval among the combination of two parallel lines which contact | connect the outer side of particle | grains. The rectangle formed by these four lines becomes the size which a particle fills in the center exactly. The specific method performed in the present invention will be described later.

은도금동분(a1)은, 동분의 표면의 일부 또는 전부에 은을 피복한 도전성 분말을 말한다. 이것은 예컨대, 아토마이즈동분에, 은을 치환도금, 전기도금, 무전해도금 등의 방법으로 피복하는 것에 의해 얻어진다. 동분과 은의 부착력이 높은 것 및 러닝비용이 저렴한 것으로부터, 치환도금법으로 피복하는 것이 바람직하다.Silver-plated copper powder a1 means the electroconductive powder which coat | covered silver on one part or all part of the surface of copper powder. This is obtained by, for example, coating the atomized copper powder with silver by a method such as substitution plating, electroplating or electroless plating. It is preferable to coat | cover with a substitution plating method from the thing with the high adhesive force of copper powder and silver, and the low running cost.

조성물 K에 있어서, 은도금동분(a1)의 은의 피복량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성 및 내마이그레이션성을 고려하면, 동 100중량부에 대해서 0.5∼50중량부가 바람직하고, 1.0∼35중량부가 보다 바람직하며, 1.5∼25중량부가 한층 바람직하다. 은도금동분(a1)의 아스펙트비는, 페이스트의 도포성 등의 관점으로부터 1∼20이 선택된다. 이 아스펙트비가 20을 넘으면, 페이스트의 도포성이 악화되고, 특히 고체전해콘덴서의 음극에 사용한 경우는, 소자의 에지커버성이 낮고, 누설전류의 증가로 이어질 염려가 있다. 도막의 도전성을 고려하면, 아스펙트비는, 1.5∼18이 바람직하고, 2.5∼12가 보다 바람직하다, 은도금동분(a1)의 평균입경은, 페이스트의 분산성, 레벨링성, 에지커버성 및 피막의 도전성을 고려하면, 0.2㎛∼20㎛가 바람직하고, 1㎛∼12㎛가 보다 바람직하고, 1.5㎛∼8㎛가 한층 바람직하다. 평균입경이 0.2㎛ 미만이면 페이스트가 응집하기 쉽고, 20㎛를 넘으면 에지커버성 및 저항이 저하하는 경향이 있다. 이 평균입경은 레이저산란형 유동분포측정장치에 의해 측정할 수 있다.In the composition K, the coating amount of silver of the silver-plated copper powder (a1) is not particularly limited, but in consideration of conductivity and migration resistance, 0.5 to 50 parts by weight is preferable, and 1.0 to 35 parts by weight based on 100 parts by weight of copper. More preferably, 1.5-25 weight part is further more preferable. As for the aspect ratio of silver plating copper powder a1, 1-20 are chosen from a viewpoint of the applicability | paintability of a paste. If the aspect ratio exceeds 20, the applicability of the paste is deteriorated. In particular, when used for the cathode of the solid electrolytic capacitor, the edge cover property of the device is low, which may lead to an increase in leakage current. In consideration of the conductivity of the coating film, the aspect ratio is preferably from 1.5 to 18, more preferably from 2.5 to 12, and the average particle diameter of the silver-plated copper powder (a1) is the dispersibility of the paste, the leveling property, the edge cover property, and the film. In consideration of conductivity, 0.2 µm to 20 µm are preferable, 1 µm to 12 µm is more preferable, and 1.5 µm to 8 µm are further preferred. If the average particle diameter is less than 0.2 µm, the paste tends to aggregate, and if it exceeds 20 µm, the edge cover property and resistance tend to decrease. This average particle diameter can be measured by a laser scattering flow distribution measuring device.

조성물 M에 있어서, 은도금동분(a1)의 아스펙트비는, 1∼20이 선택된다. 이 아스펙트비가 20을 넘으면, 페이스트의 도포성, 도전성 도막의 강도 및 인성이 저하하고, 특히 고체전해콘덴서의 음극에 사용한 경우는, 과전압부하특성이 악화되고, 인피던스저하의 요인으로 될 염려가 있다. 도막의 도전성 등을 고려하면, 이 아스펙트비는 1.5∼18이 바람직하고, 2.5∼12가 보다 바람직하고, 은도금동분(a1)의 은의 피복량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성 및 내마이그레이션성을 고려하면, 동 100중량부에 대해서 0.5∼50중량부가 바람직하고, 1.0∼35중량부가 보다 바람직하고, 1.5∼25중량부가 한층 바람직하다. 은의 피복량이 1중량부 미만이면 도전성이 낮게 되는 경향이 있고, 30중량부를 넘으면 콘덴서의 과전압부하특성이 저하하는 경향이 있다. 은도금동분(a1)의 평균입경은, 페이스트의 분산성, 점도, 작업성 및 피막의 도전성을 고려하면, 0.2㎛∼20㎛가 바람직하고, 1㎛∼12㎛가 보다 바람직하고, 1.5㎛∼8㎛가 한층 바람직하다. 평균입경이 0.2㎛ 미만이면 페이스트가 응집하기 쉽고, 20㎛를 넘으면 도포성 및 저항이 저하하는 경향이 있다. 평균입경은 레이저산란형 유동분포측정장치에 의해 측정할 수 있다.In composition M, 1-20 are chosen as the aspect ratio of silver plating copper powder (a1). If the aspect ratio exceeds 20, the applicability of the paste, the strength and toughness of the conductive coating film are lowered, and in particular, when used for the cathode of the solid electrolytic capacitor, the overvoltage load characteristics may deteriorate and cause a decrease in the impedance. . Considering the conductivity of the coating film, the aspect ratio is preferably from 1.5 to 18, more preferably from 2.5 to 12, and the coating amount of silver of the silver-plated copper powder (a1) is not particularly limited, but the conductivity and migration resistance In consideration of this, 0.5 to 50 parts by weight is preferable, more preferably 1.0 to 35 parts by weight, and still more preferably 1.5 to 25 parts by weight with respect to 100 parts by weight of copper. If the coating amount of silver is less than 1 part by weight, the conductivity tends to be low, and if it exceeds 30 parts by weight, the overvoltage load characteristic of the capacitor tends to be lowered. The average particle diameter of the silver-plated copper powder (a1) is preferably 0.2 µm to 20 µm, more preferably 1 µm to 12 µm, more preferably 1.5 µm to 8 in view of the dispersibility, viscosity, workability and conductivity of the coating. Μm is further preferred. If the average particle diameter is less than 0.2 µm, the paste tends to aggregate, and if it exceeds 20 µm, the coating property and the resistance tend to decrease. The average particle diameter can be measured by a laser scattering flow distribution measuring device.

도전성 분말(A1)에 포함되는 은분은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 일반적 으로 사용되고 있는 비늘편모양, 구상 및 덩어리모양 등의 형상인 것을 사용할 수 있다. 도전성, 도포성 및 에지커버성을 고려하면, 비늘편모양 및 구상으로서 입경이 0.2㎛∼12㎛인 것이 바람직하고, 1㎛∼8㎛인 것이 보다 바람직하다.The silver powder contained in the electroconductive powder (A1) is not specifically limited, The thing of the shape, such as a scaly piece, a spherical form, and a lump, which are generally used, can be used. In consideration of conductivity, coatability, and edge cover properties, it is preferable that the particle size be 0.2 µm to 12 µm, more preferably 1 µm to 8 µm, as a scale piece shape and spherical shape.

도전성 분말(A1)에 있어서 은도금동분(a1)의 은분의 비율(중량비)은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 은도금동분(a1) 100중량부에 대한 은분의 비율이, 도막의 도전성의 관점에서 25중량부 이상이고, 누설전류 또는 콘덴서의 과전압부하특성의 관점에서 400중량부 이하인 것이 바람직하고, 42.8∼233.3중량부가 보다 바람직하고, 66.6∼150중량부가 한층 바람직하다.Although the ratio (weight ratio) of the silver powder of silver-plated copper powder (a1) in electroconductive powder (A1) is not specifically limited, The ratio of silver powder with respect to 100 weight part of silver-plated copper powder (a1) is 25 weight from a viewpoint of the electroconductivity of a coating film. It is preferably 400 parts by weight or less, more preferably 42.8 to 233.3 parts by weight, and even more preferably 66.6 to 150 parts by weight from the viewpoint of leakage current or overvoltage load characteristics of the capacitor.

조성물 L 및 조성물 N에 있어서는, 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2)이 사용된다. 이 은도금동분(a2)은, 동합금분(요컨대 은도금동분)의 일부를 노출시켜 표면이 대략 은으로 피복된 것이다. 은도금동분의 동의 일부를 노출시키지 않고 전면에 은을 피복한 것을 사용하면, 조성물 L에 있어서는 납땜성이 악화되고, 조성물 N에 있어서는 열충격성이 악화된다. 또한, 은분은 도전성을 향상시키기 위해서 사용되고, 은분을 포함하지 않은 조성물은 도전체층으로서의 사용에는 적합하지 않다.In the composition L and the composition N, the silver-plated copper powder (a2) which has a copper exposed part in a part of surface, and the electroconductive powder (A2) containing silver powder are used. This silver plating copper powder a2 exposes a part of copper alloy powder (ie, silver plating copper powder), and the surface is coat | covered with silver substantially. When using silver coated on the whole surface without exposing a part of copper of silver plating copper powder, solderability deteriorates in composition L, and thermal shock property deteriorates in composition N. FIG. In addition, silver powder is used in order to improve electroconductivity, and the composition which does not contain silver powder is not suitable for use as a conductor layer.

은도금동분(a2)의 동분으로서는, 구상, 비늘편모양, 덩어리모양, 파쇄상 등의 임의의 형상인 것을 사용할 수 있고, 바람직하게는 아토마이즈동분이 사용된다. 은도금동분(a2)에 있어서 동의 노출면적은, 페이스트점도의 경시안정성, 납땜성, 노출부의 산화, 도전성, 열충격성 등의 관점에서 10∼70%인 것이 바람직하고, 10∼50%의 범위가 보다 바람직하고, 10∼30%의 범위가 한층 바람직하다. 동의 노출 면적은, 은의 피복면적을 측정하고, 그것과 동분의 표면적과의 차이로부터 구할 수 있다.As copper powder of silver plating copper powder a2, what is arbitrary shape, such as spherical shape, scale shape, lump shape, and crushed shape, can be used, Preferably the atomized copper powder is used. In the silver-plated copper powder (a2), the copper exposed area is preferably 10 to 70% in terms of paste viscosity, time stability, solderability, oxidation of exposed parts, conductivity, thermal shock, and the like, and the range of 10 to 50% is more. Preferably, 10 to 30% of range is further more preferable. The copper exposure area can be obtained from the difference between the surface area of copper powder and the coating area of silver.

은도금동분(a2)은, 치환도금, 전기도금, 무전해도금 등의 방법으로 아토마이즈동분에 은을 피복하여 얻을 수 있다. 동분과 은의 부착력이 높은 것 및 러닝코스트(running costs)가 저렴한 것으로부터, 치환도금법으로 피복하는 것이 바람직하다.Silver-plated copper powder (a2) can be obtained by coat | covering silver with atomized copper powder by methods, such as substitution plating, electroplating, and electroless plating. It is preferable to coat with a substitution plating method because the adhesion between copper powder and silver is high and running costs are low.

동분의 표면으로의 은의 피복량은, 페이스트점도의 경시안정성, 땜납접착성, 비용, 도전성 향상 등의 점에서 동분 100중량부에 대해서 5∼25중량부의 범위가 바람직하고, 10∼23중량부의 범위가 더욱 바람직하다.The coating amount of silver on the surface of the copper powder is preferably in the range of 5 to 25 parts by weight with respect to 100 parts by weight of copper in terms of time stability of the paste viscosity, solder adhesion, cost, and conductivity improvement, and in the range of 10 to 23 parts by weight. More preferred.

도전성 분말(A2)에 포함되는 은분은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 일반적으로 사용되고 있는 비늘편모양, 구상 및 덩어리모양 등의 형상인 것을 사용할 수 있다. 도전성, 도포성 및 에지커버성을 고려하면, 비늘편모양 및 구상으로서 입경이 0.2㎛∼12㎛인 것이 바람직하고, 1㎛∼8㎛인 것이 보다 바람직하다.The silver powder contained in the electroconductive powder (A2) is not specifically limited, The thing of the shape, such as the scale piece shape, spherical shape, and lump shape which are generally used, can be used. In consideration of conductivity, coatability, and edge cover properties, it is preferable that the particle size be 0.2 µm to 12 µm, more preferably 1 µm to 8 µm, as a scale piece shape and spherical shape.

은도금동분(a2)과 은분의 혼합비율은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성을 고려하면, 은도금동분(a2) 100중량부에 대해서, 은분의 비율이 25중량부∼266중량부인 것이 바람직하고, 66중량부∼150중량부인 것이 보다 바람직하다.Although the mixing ratio of silver plating copper powder (a2) and silver powder is not specifically limited, When electroconductivity is considered, it is preferable that the ratio of silver powder is 25 weight part-266 weight part with respect to 100 weight part of silver plating copper powder (a2), 66 As for a weight part-150 weight part, it is more preferable.

은도금동분(a2)은, 분말끼리의 접촉점이 적으면, 얻어지는 도막의 저항이 높게 되기 쉽다. 은도금동분끼리의 접촉면적을 크게 하여 높은 도전성을 얻기 위해서, 은도금동분(a2)에 충격을 가하여 입자의 형상을 편평상으로 변형하는 것이 바람직하다. 은도금동분(a2)의 평균입경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 페이스트 의 도포성, 분산안정성 등을 고려하면 1∼20㎛가 바람직하고, 1∼10㎛가 더욱 바람직하다. 평균입경은 레이저산란형 유동분포측정장치에 의해 측정할 수 있다.When silver-plated copper powder (a2) has few contact points of powders, the resistance of the coating film obtained will become high easily. In order to increase the contact area between the silver-plated copper powders and to obtain high conductivity, it is preferable to apply a shock to the silver-plated copper powder a2 to deform the shape of the particles into a flat shape. Although the average particle diameter of silver plating copper powder (a2) is not specifically limited, 1-20 micrometers is preferable and 1-10 micrometers is more preferable in consideration of paste applicability | paintability, dispersion stability, etc. The average particle diameter can be measured by a laser scattering flow distribution measuring device.

조성물 K 및 조성물 L에 있어서는, 바인더수지로서, 밀착성, 필러의 분산성 및 유기용제로의 용해성 등의 관점에서 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1)가 사용된다. 이 열가소성 수지(B1)는, 복수종을 조합시켜 사용할 수도 있다.In the composition K and the composition L, a thermoplastic resin having at least one functional group selected from the group consisting of an amide group, an ester group, an imide group, and an ether group from the viewpoints of adhesiveness, filler dispersibility and solubility in an organic solvent, etc. (B1) is used. This thermoplastic resin (B1) can also be used in combination of multiple types.

열가소성 수지(B1)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 내열성 등의 관점으로부터, 방향환을 갖는 것이 바람직하다. 유기용제(C)로의 용해성의 관점에서는, 에테르결합을 갖는 것이 바람직하다. 예컨대, 주쇄에 페닐렌에테르(페닐렌옥사이드)결합과 아미드결합을 갖는 폴리페닐렌에테르아미드, 주쇄에 페닐렌에테르결합과 이미드결합을 갖는 폴리페닐렌에테르이미드, 주쇄에 페닐렌에테르결합과 아미드결합과 이미드결합을 갖는 폴리페닐렌에테르아미드이미드, 주쇄에 페닐렌결합과 아미드결합을 갖는 폴리페닐렌아미드, 주쇄에 페닐렌결합과 이미드결합을 갖는 폴리페닐렌이미드, 주쇄에 페닐렌결합과 아미드결합과 이미드결합을 갖는 폴리페닐렌아미드이미드, 주쇄에 크시릴렌결합과 아미드결합을 갖는 폴리크시릴렌아미드, 주쇄에 크시릴렌결합과 이미드결합을 갖는 폴리크시릴렌이미드, 주쇄에 크시릴렌결합과 아미드결합과 이미드결합을 갖는 폴리크시릴렌아미드이미드 등을 들 수 있고, 이들 중 어느 1종 이상을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들은 에스테르결합, 설피드결합 등을 더 포함하고 있어도 좋고, 벤젠고리가 임의의 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.Although it does not specifically limit as thermoplastic resin (B1), What has an aromatic ring from a viewpoint of heat resistance etc. is preferable. It is preferable to have an ether bond from a viewpoint of the solubility to the organic solvent (C). For example, polyphenylene etheramide having a phenylene ether (phenylene oxide) bond and an amide bond in the main chain, polyphenylene ether imide having a phenylene ether bond and an imide bond in the main chain, and a phenylene ether bond and an amide in the main chain. Polyphenylene etheramideimide having a bond and imide bond, polyphenyleneamide having a phenylene bond and an amide bond in the main chain, polyphenyleneimide having a phenylene bond and an imide bond in the main chain, and phenylene in the main chain Polyphenylene amideimide having a bond, an amide bond, and an imide bond, a polysilylene amide having a xylylene bond and an amide bond in a main chain, and a polysilylene having a xylylene bond and an imide bond in a main chain The polyxylene amideimide which has a xylylene bond, an amide bond, and an imide bond in a mid | membrane, a principal chain, etc. are mentioned, Any one or more of these can be used preferably. Can be. These may further contain an ester bond, a sulfide bond, etc., and the benzene ring may be substituted by arbitrary substituents.

더욱 구체적으로는, 열가소성 수지(B1)는 하기 일반식(I) 또는 (II)로 표시되는 반복단위를 갖는 수지인 것이 보다 바람직하다. (I)의 반복단위와 (II)의 반복단위의 양쪽을 갖는 수지인 것도 바람직하다.More specifically, the thermoplastic resin (B1) is more preferably a resin having a repeating unit represented by the following general formula (I) or (II). It is also preferable that it is resin which has both a repeating unit of (I) and a repeating unit of (II).

일반식(I):Formula (I):

Figure 112004015647753-pct00001
Figure 112004015647753-pct00001

(식중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소, 저급알킬기, 저급알콕시기 또는 할로겐원자를 나타내고, X1은 단결합, -O-, -S-, -CO-, -SO-2-, -SO-,Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen, a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, and X 1 represents a single bond, -O-, -S-, -CO-, -SO- 2- , -SO-,

Figure 112004015647753-pct00002
Figure 112004015647753-pct00002

을 나타내고, 여기에서 R5 및 R6은 각각 독립하여 수소, 저급알킬기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기 또는 페닐기를 나타내고, Y는,Wherein R 5 and R 6 each independently represent hydrogen, a lower alkyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group or a phenyl group, and Y represents

Figure 112004015647753-pct00003
Figure 112004015647753-pct00003

을 나타내고, 여기에서, Ar1은 방향족의 2가의 기를, Ar2는 방향족의 3가의 기를, Ar3은 방향족의 4가의 기를 나타낸다.)Wherein Ar 1 represents an aromatic divalent group, Ar 2 represents an aromatic trivalent group, and Ar 3 represents an aromatic tetravalent group.)

일반식(II):Formula (II):

Figure 112004015647753-pct00004
Figure 112004015647753-pct00004

(식중, R7, R8 및 R9는 각각 독립하여 저급알킬기, 저급알콕시기 또는 할로겐원자를 나타내고, s, t 및 u는 각각 독립하여 치환기 수를 나타내는 0∼4의 정수이고, R7, R8 및 R9는 각각 복수개 결합하고 있을 때에는, 각각에 있어서 동일하거나 다르더라도 좋고, X2 및 X3은 각각 독립하여 -O- 또는(Wherein R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, s, t and u are each independently an integer of 0 to 4 representing the number of substituents, R 7 , When two or more R <8> and R <9> couple | bonds, respectively, may be same or different in each, X <2> and X <3> respectively independently represent -O- or

Figure 112004015647753-pct00005
Figure 112004015647753-pct00005

를 나타내고, 여기에서 R10 및 R11은 각각 독립하여 수소원자, 저급알킬기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기 또는 페닐기를 나타내고, Y는 상기 일반식(I)에서 정의한 바와 같다.)Wherein R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group or a phenyl group, and Y is as defined in the general formula (I).)

상기 일반식(I) 및 (II)에 있어서, 저급알킬기, 저급알콕시기는, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수 1∼4의 알콕시기인 것이 바람직하다. 상기 일반식(I) 및 (II)의 R5, R6, R10, R11의 페닐기는, 무치환이어도 좋고, 메틸기, 에틸기, 설폰기 등의 임의의 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.In said general formula (I) and (II), it is preferable that a lower alkyl group and a lower alkoxy group are a C1-C4 alkyl group and a C1-C4 alkoxy group. The phenyl group of R 5 , R 6 , R 10 and R 11 in the general formulas (I) and (II) may be unsubstituted or substituted with arbitrary substituents such as methyl group, ethyl group and sulfone group.

상기 일반식(1)로 표시되는 반복단위는, 하기 일반식(III)으로 표시되는 바와 같이, 서로 1,4-위치에서 벤젠고리가 결합한 것이 바람직하다.As represented by the following general formula (III), the repeating unit represented by the said General formula (1), It is preferable that the benzene ring couple | bonded with each other in 1, 4-position.

Figure 112004015647753-pct00006
Figure 112004015647753-pct00006

상기 일반식(II)로 표시되는 반복단위도, 동일하게 하기 일반식(IV)로 표시되는 바와 같이, 서로 1,4-위치에서 벤젠고리가 결합한 것이 바람직하다.The repeating unit represented by the general formula (II) is also preferably the same as those represented by the following general formula (IV), in which benzene rings are bonded to each other at the 1,4-position.

Figure 112004015647753-pct00007
Figure 112004015647753-pct00007

상기의 반복단위를 갖는 열가소성 수지(B1)는, 이하에 설명하는 산성분(S) 즉, 방향족 디카본산, 방향족 트리카본산, 방향족 테트라카본산 또는 이들의 반응성 산유도체와, 이하에 설명하는 디아민을 반응시켜 제조할 수 있다. 산성분 및 디아민은 각각 복수종을 조합시켜 사용하여도 좋다.The thermoplastic resin (B1) having the above repeating unit is an acid component (S) described below, that is, an aromatic dicarboxylic acid, an aromatic tricarboxylic acid, an aromatic tetracarboxylic acid, or a reactive acid derivative thereof, and a diamine described below. It can be prepared by reacting. You may use an acid component and diamine in combination of multiple types, respectively.

상기의 일반식(I) 및 (III)으로 표시되는 반복단위는, 디아민으로서 예컨대, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[3,5-디메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[3,5-디브로모-4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]시클로헥산, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]시클로펜탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 4,4'-카르보닐비스(p-페닐렌옥시)디아닐린, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐 등의 1종 이상을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 이들 중에서는, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판이 특히 바람직하다.The repeating units represented by the general formulas (I) and (III) are diamines, for example, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-methyl -4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy Phenyl] butane, 2,2-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [3,5-dibromo-4- (4- Aminophenoxy) phenyl] butane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1 -Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] cyclohexane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] cyclopentane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4'-carbonylbis (p-phenyleneoxy) dianiline, It is preferable to form using 1 or more types, such as 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl. Among these, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane is particularly preferable.

상기의 일반식(II) 및 (IV)로 표시되는 반복단위는, 디아민으로서 예컨대, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 3,3'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린 등의 1종 이상을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.The repeating units represented by general formulas (II) and (IV) are diamines such as 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,4-phenyl It is preferable to form using one or more types, such as lenbis (1-methylethylidene)] bisaniline and 3,3 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline. Do.

일반식(I), (II), (III), (IV)의 반복단위를 형성함에 따라서, 예시된 상기 디아민 이외에도, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라에틸디페닐에테르, 2,2'-[4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐]프로판, 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐설폰, 피페라딘, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, p-크실렌디아민, m-크실렌디아민, o-크실렌디아민, 3-메틸헵타메틸렌디아민, 1,3-비스(3-아미노푸필)테트라메틸디실록산 등의 1종 이 상을 병용할 수 있다.In addition to the diamines exemplified above, as forming repeating units of general formulas (I), (II), (III), and (IV), 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodi Phenylmethane, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetramethyldiphenylether, 4,4'-diamino-3,3', 5,5'-tetramethyldiphenylmethane , 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraethyldiphenylether, 2,2'-[4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetra Methyldiphenyl] propane, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, piperadine, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, tetramethylenediamine, p-xylenediamine, m- One or more of these may be used in combination, such as xylenediamine, o-xylenediamine, 3-methylheptamethylenediamine, 1,3-bis (3-aminopupil) tetramethyldisiloxane, and the like.

방향족 디카본산은, 방향족고리에 2개의 카르복실기가 결합한 카본산이다. 방향족 트리카본산은, 방향족고리에 3개의 카르복실기가 결합한 카본산이고, 3개의 카르복실기 중 2개는 인접 탄소원자에 결합하고 있는 것이 바람직하다. 방향족 테트라카본산은 방향족고리에 4개의 카르복실기가 결합한 카본산이고, 4개의 카르복실기중 2개씩은 인접 탄소원자에 결합하고 있는 것이 바람직하다. 여기에서, 방향족고리는 헤테로원자가 도입된 것(방향족 복소환)이어도 좋고, 또는 방향족고리끼리가 알킬렌기, 산소, 단결합, 카르보닐기 등을 개재하여 결합되어도 좋다. 더욱이, 이들 방향족고리는, 알콕시기, 알킬옥시기, 알킬아미노기, 할로겐 등의 축합반응에 관여하지 않는 치환기를 포함하고 있어도 좋다.Aromatic dicarboxylic acid is a carboxylic acid which two carboxyl groups couple | bonded with the aromatic ring. The aromatic tricarboxylic acid is a carboxylic acid in which three carboxyl groups are bonded to an aromatic ring, and two of the three carboxyl groups are preferably bonded to adjacent carbon atoms. The aromatic tetracarboxylic acid is a carboxylic acid in which four carboxyl groups are bonded to an aromatic ring, and two of the four carboxyl groups are preferably bonded to adjacent carbon atoms. Here, the aromatic ring may be one in which a hetero atom is introduced (aromatic heterocycle), or the aromatic rings may be bonded via an alkylene group, oxygen, a single bond, a carbonyl group, or the like. Furthermore, these aromatic rings may contain substituents that do not participate in condensation reactions such as alkoxy groups, alkyloxy groups, alkylamino groups, and halogens.

방향족 디카본산으로서는, 예컨대 테레프탈산, 이소프탈산, 4,4'-디페닐에테르디카본산, 4,4'-디페닐설폰디카본산, 4,4'-디페닐디카본산, 1,5-나프탈렌디카본산 등을 들 수 있지만, 테레프탈산과 이소프탈산이 입수용이하고 염가이므로 바람직하다. 방향족 디카본산의 반응성 유도체로는, 상기의 방향족 디카본산의 디하이드라이드 또는 디브로마이드, 디에스테르 등을 의미한다.As aromatic dicarboxylic acid, For example, terephthalic acid, isophthalic acid, 4,4'- diphenyl ether dicarboxylic acid, 4,4'- diphenyl sulfone dicarboxylic acid, 4,4'- diphenyl dicarboxylic acid, 1, 5- naphthalenedicarboxylic acid Although etc. are mentioned, terephthalic acid and isophthalic acid are preferable because it is easy to obtain and inexpensive. As a reactive derivative of aromatic dicarboxylic acid, the dihydride, dibromide, diester, etc. of said aromatic dicarboxylic acid are meant.

방향족 트리카본산으로서는, 트리메리트산, 3,3',4-벤조페논트리카본산, 2,3,4'-디페닐트리카본산, 2,3,6-피리딘트리카본산, 3,4,4'-벤즈아닐리드트리카본산, 1,4,5-나프탈린트리카본산, 2'-클로로-3,4,4'-벤즈아닐리드트리카본산 등이 바람직하다. 방향족 트리카본산의 반응성 유도체로는, 상기의 방향족 트리카본산의 산무수물, 할라이드, 에스테르, 아미드, 암모늄염 등을 의미한다. 구체적으로는, 트리메리트산무수물, 트리메리트산무수물모노클로라이드, 1,4-디카르복시-3-N,N-디메틸카바모일벤젠, 1,4-디카르보메톡시-3-카르복시벤젠, 1,4-디카르복시-3-카르보페녹시벤젠, 2,6-디카르복시-3-카르보메톡시피리딘, 1,6-디카르복시-5-카바모일나프탈린, 상기 방향족 트리카본산염류와 암모니아, 디메틸아민, 트리메틸아민 등으로 이루어진 암모늄염 등이 적절한 예로서 들 수 있다. 이들 중, 트리메리트산무수물 및 트리메리트산무수물모노클로라이드가 입수용이하고 염가이므로 바람직하다.As aromatic tricarboxylic acid, trimellitic acid, 3,3 ', 4- benzophenone tricarboxylic acid, 2,3,4'- diphenyl tricarboxylic acid, 2,3,6-pyridine tricarboxylic acid, 3,4 , 4'-benzanilidetricarboxylic acid, 1,4,5-naphthalintricarboxylic acid, 2'-chloro-3,4,4'-benzanilidetricarboxylic acid, and the like are preferable. As a reactive derivative of aromatic tricarboxylic acid, it means the acid anhydride, halide, ester, amide, ammonium salt, etc. of said aromatic tricarboxylic acid. Specifically, trimellitic anhydride, trimellitic anhydride monochloride, 1,4-dicarboxy-3-N, N-dimethylcarbamoylbenzene, 1,4-dicarbomethoxy-3-carboxybenzene, 1, 4-dicarboxy-3-carbophenoxybenzene, 2,6-dicarboxy-3-carbomethoxypyridine, 1,6-dicarboxy-5-carbamoylnaphthalin, the aromatic tricarbonates and ammonia, Ammonium salt etc. which consist of dimethylamine, trimethylamine, etc. are mentioned as a suitable example. Among these, trimellitic anhydride and trimellitic anhydride monochloride are preferred because they are readily available and inexpensive.

방향족 테트라카본산으로서는, 예컨대 피로메리트산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카본산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카본산, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카본산, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카본산, 2,3,5,6-피리딘테트라카본산, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카본산, 3,4,9,10-페릴렌테트라카본산, 4,4'-설포닐디프탈산, m-터페닐-3,3",4,4"-테트라카본산, p-터페닐-3,3",4,4"-테트라카본산, 4,4'-옥시디프탈산, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2'-비스[4-(2,3-디카르복시페녹시)페닐]프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2'-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 등이 바람직하다. 방향족 테트라카본산의 반응성 유도체로는, 상기의 방향족 테트라카본산의 산이무수물, 할라이드, 에스테르, 아미드, 암모늄염 등을 의미한다.Examples of the aromatic tetracarboxylic acid include pyromellitic acid, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 1,2,5,6 Naphthalene tetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid, 3,4,9 , 10-perylenetetracarboxylic acid, 4,4'-sulfonyldiphthalic acid, m-terphenyl-3,3 ", 4,4" -tetracarboxylic acid, p-terphenyl-3,3 ", 4,4 "-Tetracarboxylic acid, 4,4'- oxydiphthalic acid, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane, 2,2 -Bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2'- Bis [4- (2,3-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2'-bis [4- (3,4-dicarboxy Phenoxy) phenyl] propane and the like are preferred. As a reactive derivative of aromatic tetracarboxylic acid, the acid dianhydride, halide, ester, amide, ammonium salt, etc. of said aromatic tetracarboxylic acid are meant.

방향족 디카본산, 방향족 트리카본산, 방향족 테트라카본산 또는 이들의 반응성 유도체로 이루어진 산성분(S)은, 얻어지는 중합체의 분자량, 기계강도, 내열성 등의 관점으로부터, 디아민의 총량 100몰%에 대해서 총량으로 80∼120몰% 사용 하는 것이 바람직하고, 특히 95∼105몰% 사용하는 것이 바람직하다.The acid component (S) composed of aromatic dicarboxylic acid, aromatic tricarboxylic acid, aromatic tetracarboxylic acid, or reactive derivatives thereof is based on the total amount of diamine in terms of molecular weight, mechanical strength, heat resistance, and the like based on 100 mol% of the total amount of diamine. It is preferable to use 80-120 mol%, and it is especially preferable to use 95-105 mol%.

조성물 M 및 조성물 N에 있어서는 바인더수지로서, 형성되는 도막의 내열성의 향상 및 저탄성율화 등의 관점으로부터, 폴리아미드실리콘수지, 폴리아미드이미드실리콘수지 및 폴리이미드실리콘수지로부터 선택된 열가소성 수지(B2)가 사용된다. 이 열가소성 수지(B2)는, 복수종을 조합시켜 사용할 수도 있다.In the composition M and the composition N, as the binder resin, a thermoplastic resin (B2) selected from polyamide silicone resin, polyamideimide silicone resin and polyimide silicone resin is selected from the viewpoints of improving the heat resistance and low elastic modulus of the coating film formed. Used. This thermoplastic resin (B2) can also be used in combination of multiple types.

이들 열가소성 수지(B2)는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 방향족 디카본산, 방향족 트리카본산, 방향족 테트라카본산, 또는 그들의 반응성 유도체 등의 산성분과 디아미노실리콘을 필수성분으로 하는 디아민을 중축합시켜 얻을 수 있다.Although these thermoplastic resins (B2) are not specifically limited, For example, they are obtained by polycondensing acid components, such as aromatic dicarboxylic acid, aromatic tricarboxylic acid, aromatic tetracarboxylic acid, or their reactive derivatives, and diamine which has diamino silicone as an essential component. Can be.

디아미노실리콘으로서는 예컨대, 하기 일반식(V):As diamino silicone, the following general formula (V) is mentioned, for example:

Figure 112004015647753-pct00008
Figure 112004015647753-pct00008

(식중, Y1은 2가의 탄화수소기, Y2는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 2개의 Y1은 서로 동일하거나 다르더라도 좋으며, 복수개의 Y2는 서로 동일하거나 다르더라도 좋고, m은 1 이상의 정수이다.)(Wherein Y 1 represents a divalent hydrocarbon group, Y 2 represents a monovalent hydrocarbon group, two Y 1 may be the same or different from each other, a plurality of Y 2 may be the same or different from each other, and m is an integer of 1 or more) .)

로 표시되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use what is represented by.

Y1으로 표시되는 2가의 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소원자수가 1∼10인 알 킬렌기, 치환 또는 무치환의 페닐렌기 등을 들 수 있고, Y2로 표시되는 1가의 탄화수소기로서는, 탄소원자수가 1∼10인 알킬기, 치환 또는 무치환의 페닐기 등을 들 수 있고, m은 1∼100의 정수인 것이 바람직하다. 이들 디아미노실리콘은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 사용될 수 있다.Examples of the divalent hydrocarbon group represented by Y 1 include an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenylene group, and the like. Examples of the monovalent hydrocarbon group represented by Y 2 include a carbon atom having a number of carbon atoms. The alkyl group which is 1-10, a substituted or unsubstituted phenyl group, etc. are mentioned, It is preferable that m is an integer of 1-100. These diamino silicon can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 디아미노실리콘과 함께 사용할 수 있는, 그 밖의 디아민으로서는, 특별히 제한은 없지만, 수지의 내열성, 유기용제로의 용해성 및 용해점도 등의 관점으로부터 방향족 디아민을 사용하는 것이 바람직하고, 또한 주쇄에 페닐렌에테르를 포함하는 폴리페닐렌에테르디아민을 사용하는 것이 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as other diamine which can be used with the said diamino silicon, It is preferable to use aromatic diamine from a viewpoint of heat resistance of resin, the solubility to an organic solvent, and a melt viscosity, and also phenylene in a principal chain Preference is given to using polyphenyleneetherdiamine comprising ether.

구체적으로는, 하기 일반식(VI)로 표시되는 방향족 디아민을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Specifically, it is more preferable to use aromatic diamine represented by the following general formula (VI).

Figure 112004015647753-pct00009
Figure 112004015647753-pct00009

(식중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수 1∼4의 알콕실기 또는 할로겐원자를 나타내고, X1은 단결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -SO-,Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogen atom, and X 1 represents a single bond, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -SO-,

Figure 112004015647753-pct00010
Figure 112004015647753-pct00010

을 나타내고, 여기에서 R5 및 R6은 각각 독립하여 수소, 탄소수 1∼4의 저급알킬기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 또는 치환 또는 무치환의 페닐기를 나타낸다).Wherein R 5 and R 6 each independently represent hydrogen, a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group, or a substituted or unsubstituted phenyl group).

상기 일반식(VI)의 폴리페닐렌에테르디아민은, 바람직하게는, 하기 일반식(VII)로 표시되는 바와 같이, 서로 1,4-위치에서 벤젠고리가 결합한 것이 바람직하다.As for the polyphenylene ether diamine of the said general formula (VI), Preferably, it is preferable that the benzene ring couple | bonded with each other in 1, 4-position as represented by following General formula (VII).

Figure 112004015647753-pct00011
Figure 112004015647753-pct00011

상기 일반식(VI)로 표시되는 에테르결합을 갖는 방향족 디아민(e1)으로서는, 예컨대 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[3,5-디메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 2,2-비스[3,5-디브로모-4-(4-아미노페녹시)페닐]부탄, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]시클로헥산, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]시클로펜탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 4,4'-카르보닐비스(p-페닐렌옥시)디아닐린, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 조합시켜 사용될 수 있다. 이들 중에서는, 2,2-비스[(4-아미노페녹시)페닐]프로판이 바람직하다.As aromatic diamine (e1) which has an ether bond represented by the said General formula (VI), For example, 2, 2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2, 2-bis [3-methyl- 4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy ) Phenyl] butane, 2,2-bis [3,5-dimethyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] butane, 2,2-bis [3,5-dibromo-4- (4-amino Phenoxy) phenyl] butane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis [3-methyl-4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1- Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] cyclohexane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] cyclopentane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone , Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4'-carbonylbis (p-phenyleneoxy) dianiline, 4 , 4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, and the like, and these may be used alone or in combination. . Among these, 2,2-bis [(4-aminophenoxy) phenyl] propane is preferable.

상기 (e1)을 제외한 방향족 디아민(e2)으로서, 예컨대 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 3,3'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 4,4'-디아미노페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라디메틸페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라에틸디페닐에테르, 2,2-[4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐]프로판, 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,3'-디아미노디페닐설폰, o-크시릴렌디아민, m-크시릴렌디아민, p-크시릴렌디아민 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로, 또는 조합시켜 사용할 수 있다.Examples of the aromatic diamines (e2) other than the above (e1) include 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, and 1,4-bis (4- Aminophenoxy) benzene, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,4-phenylenebis (1-methylethylli Den)] bisaniline, 3,3 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'- diaminophenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl Methane, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetramethyldiphenylether, 4,4'-diamino-3,3', 5,5'-tetradimethylphenylmethane, 4 , 4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraethyldiphenylether, 2,2- [4,4'-diamino-3,3', 5,5'-tetramethyldiphenyl ] Propane, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,3'- diaminodiphenyl sulfone, o-xylylenediamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, etc. are mentioned, These may be used alone or in combination.

상기 (e1) 및 (e2) 이외의 디아민, 즉 지방족 또는 지환식 디아민(e3)으로서는, 예컨대 피페라딘, 헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 3-메틸헵타메틸렌디아민 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 조합시켜 사용할 수 있다.As diamines other than said (e1) and (e2), ie, aliphatic or alicyclic diamine (e3), piperadine, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, tetramethylenediamine, 3-methylheptamethylenediamine, etc. are mentioned, for example. These can be used individually or in combination.

열가소성 수지(B2)를 합성하기 위해서 상기 디아미노실리콘을 필수성분으로 하는 디아민과 중축합시키는 산성분으로서는, 상술한 수지(B1)의 합성에 있어서 사용되는 상기 산성분(S)을 동일하게 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 방향족 디카본산, 방향족 트리카본산, 방향족 테트라카본산 또는 이들의 반응성 유도체로 이루어진 산성분(S)은, 얻어지는 중합체의 분자량, 기계강도, 내열성 등의 관점으로부터, 디아민의 총량 100몰%에 대해서 총량으로 80∼120몰% 사용하는 것이 바람직하 고, 특히 95∼105몰% 사용하는 것이 바람직하다.As an acid component which polycondenses with the diamine which makes the said diamino silicone an essential component in order to synthesize | combine a thermoplastic resin (B2), the said acid component (S) used in the synthesis | combination of resin (B1) mentioned above is equally preferable. Can be used. The acid component (S) composed of these aromatic dicarboxylic acids, aromatic tricarboxylic acids, aromatic tetracarboxylic acids or reactive derivatives thereof is based on 100 mol% of the total amount of diamine from the viewpoints of molecular weight, mechanical strength, heat resistance and the like of the obtained polymer. It is preferable to use 80-120 mol% in total amount, and it is especially preferable to use 95-105 mol%.

조성물 K에 있어서, 도전성 분말(A1)과 열가소성 수지(B1)의 혼합비율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 형성되는 도막의 도전성 등의 관점으로부터, (A1)성분 100중량부에 대해서, (B1)성분이 2∼25중량부인 것이 바람직하고, 4∼14중량부가 보다 바람직하다.In composition K, although the mixing ratio of electroconductive powder (A1) and a thermoplastic resin (B1) is not specifically limited, From a viewpoint of the electroconductivity of the coating film formed, etc., it is (B1) component with respect to 100 weight part of (A1) component. It is preferable that it is 2-25 weight part, and 4-14 weight part is more preferable.

조성물 L에 있어서, 도전성 분말(A2)과 열가소성 수지(B1)의 혼합비율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 형성되는 도막의 도전성 등의 관점으로부터, (A2)성분 100중량부에 대해서, (B1)성분이 2∼25중량부인 것이 바람직하고, 4∼14중량부가 보다 바람직하다. In composition L, although the mixing ratio of electroconductive powder (A2) and a thermoplastic resin (B1) is not specifically limited, From a viewpoint of the electroconductivity of the coating film formed, etc., it is (B1) component with respect to 100 weight part of (A2) component. It is preferable that it is 2-25 weight part, and 4-14 weight part is more preferable.

조성물 M에 있어서, 도전성 분말(A1)과 열가소성 수지(B2)의 혼합비율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도막강도, 인성 및 도전성 등의 관점으로부터, (A1)성분 100중량부에 대해서, (B2)성분이 2∼25중량부인 것이 바람직하고, 4∼14중량부가 보다 바람직하다.In composition M, although the mixing ratio of electroconductive powder (A1) and a thermoplastic resin (B2) is not specifically limited, From a viewpoint of coating film strength, toughness, electroconductivity, etc., with respect to 100 weight part of (A1) component, it is (B2) It is preferable that a component is 2-25 weight part, and 4-14 weight part is more preferable.

조성물 N에 있어서, 도전성 분말(A2)과 열가소성 수지(B2)의 혼합비율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도막의 프렉시블성, 도전성 등의 관점으로부터, (A)성분 100중량부에 대해서, (B)성분이 2∼25중량부인 것이 바람직하고, 4∼14중량부가 보다 바람직하다.In composition N, although the mixing ratio of electroconductive powder (A2) and a thermoplastic resin (B2) is not specifically limited, From a viewpoint of the flexibility, electroconductivity, etc. of a coating film, about 100 weight part of (A) component, (B) The component is preferably 2 to 25 parts by weight, and more preferably 4 to 14 parts by weight.

조성물 K, L, M, N에 사용되는 유기용제(C)로서는, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족용제; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용제; 디에틸에테르, 이소프로필에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산, 에틸렌글리 콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르계 용제; 아세트산에틸, 아세트산-n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산-n-부틸, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제를 들 수 있다. 이들 용제는, 페이스트 제작시의 수지의 용해 또는 페이스트의 점도조정에 사용되고, 단독으로 또는 2종 이상 조합시켜 사용될 수 있다.As an organic solvent (C) used for composition K, L, M, N, Aromatic solvents, such as benzene, toluene, xylene; Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; Ether solvents such as diethyl ether, isopropyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol colldimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol diethyl ether; Ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene Ester solvents such as glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate and γ-butyrolactone; Amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone. These solvents are used for melt | dissolution of resin at the time of paste preparation, or viscosity adjustment of a paste, and can be used individually or in combination of 2 or more types.

유기용제(C)의 첨가량은, 수지의 용해성, 페이스트로 했을 경우의 점도, 도전성 분말의 분산성 및 도막형성능 등의 관점으로부터, 열가소성 수지 100중량부에 대해서, 일반적으로 75∼4600중량부의 범위에서 사용되고, 바람직하게는 125∼3060중량부로 된다.The amount of the organic solvent (C) added is generally within the range of 75 to 4600 parts by weight based on 100 parts by weight of the thermoplastic resin, from the viewpoints of the solubility of the resin, the viscosity in the case of the paste, the dispersibility of the conductive powder, and the coating film forming ability. It is used, Preferably it is 125-3060 weight part.

이상과 같은 배합성분을 포함하는 각 조성물은, 예컨대 각 성분을 니더기, 3-롤, 볼밀, 디스퍼 등으로 혼련분산하는 것에 의해 제조할 수 있다. 도전성 분말(필러)의 분산성 및 도포성을 향상시키기 위해서, 분산제나 커플링제를 첨가하여도 좋다.Each composition containing the above-mentioned compounding components can be manufactured by kneading and dispersing each component with a kneader, 3-roll, a ball mill, a disper, etc., for example. In order to improve the dispersibility and coating property of an electroconductive powder (filler), you may add a dispersing agent and a coupling agent.

분산제로서는, 예컨대 탄소수 16∼20의 팔미틴산, 스테아린산 등의 포화지방산; 탄소수 16∼18의 올레인산, 리놀렌산 등의 불포화지방산; 이들 포화/불포화지 방산의 나트륨, 칼륨, 칼슘, 아연, 동 등과의 금속염의 1종 이상을 바람직하게 사용할 수 있다. 분산제의 배합량은, 도전성 분말의 분산성, 도막의 도전성, 도막과 기재와의 밀착성의 관점으로부터, 수지 100중량부에 대해서 0.2∼240중량부인 것이 바람직하고, 2∼120중량부의 범위가 보다 바람직하다.As a dispersing agent, For example, saturated fatty acids, such as palmitic acid and stearic acid of 16-20 carbon atoms; Unsaturated fatty acids such as oleic acid and linolenic acid having 16 to 18 carbon atoms; One or more types of metal salts with sodium, potassium, calcium, zinc, copper and the like of these saturated / unsaturated paper dispersants can be preferably used. It is preferable that it is 0.2-240 weight part with respect to 100 weight part of resin from a viewpoint of the dispersibility of electroconductive powder, the electroconductivity of a coating film, and the adhesiveness of a coating film and a base material, and, as for the compounding quantity of a dispersing agent, the range of 2-120 weight part is more preferable. .

커플링제로서는, 예컨대 비닐메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제나, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 지르코알루미네이트계 커플링제 등을 사용할 수 있고, 상기의 열가소성 수지 100중량부에 대해서 30중량부 이하의 첨가량으로 첨가하는 것이 바람직하다.Examples of the coupling agent include vinylmethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxy Propyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ- Silane coupling agents such as aminopropyltrimethoxysilane and γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, titanate coupling agents, aluminate coupling agents, zircoaluminate coupling agents and the like can be used. It is preferable to add in the addition amount of 30 weight part or less with respect to 100 weight part of thermoplastic resins.

본 발명에 따른 조성물은, 각종 전자부품의 도전체층, 예컨대 도전회로나 전극재료로서 적절하게 사용할 수 있다.The composition according to the present invention can be suitably used as a conductor layer of various electronic components, such as a conductive circuit or an electrode material.

본 발명에 따른 전자부품은, 본 발명에 따른 조성물을 사용하여 형성된 도전체층을 갖는 것이다. 각종 전자부품으로서는, 전극재료로서 이 조성물을 사용한 알루미늄전해콘덴서, 탄탈고체전해콘덴서, 세라믹콘덴서 등; 스크린인쇄에 의해 본 발명의 조성물로 이루어진 도전회로가 그 위에 형성된 각종 기판; 본 발명의 조성물로 이루어진 도전회로가 안테나용 회로로서 형성된 IC카드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 양극에 밸브작용 금속을 사용한 고체전해콘덴서의 음극재료로서, 본 발 명의 조성물을 적절하게 사용할 수 있다.The electronic component which concerns on this invention has a conductor layer formed using the composition which concerns on this invention. As various electronic components, aluminum electrolytic capacitor, tantalum solid electrolytic capacitor, ceramic capacitor, etc. which used this composition as an electrode material; Various substrates on which a conductive circuit made of the composition of the present invention is formed by screen printing; An IC card etc. in which the electrically conductive circuit which consists of compositions of this invention were formed as a circuit for antennas are mentioned. Especially, the composition of this invention can be used suitably as a negative electrode material of the solid electrolytic capacitor which used the valve action metal for the positive electrode.

따라서, 본 발명의 전자부품은, 바람직하게는, 밸브작용 금속으로 이루어진 양극기체상에, 유전체산화막과, 고체전해질층과, 본 발명의 조성물을 사용하여 형성된 도전체층을 포함하는 음극층이 형성된 고체전해콘덴서이다.Therefore, the electronic component of the present invention is preferably a solid on which a cathode layer including a dielectric oxide film, a solid electrolyte layer, and a conductor layer formed using the composition of the present invention is formed on an anode gas made of a valve action metal. It is an electrolytic capacitor.

도 1에 그 일예가 나타나 있는 바와 같이, 고체전해콘덴서(10)는, 양극선(1)이 매립된 양극기체(基體)(2)와, 양극기체(2)상에 순차 형성된 유전체산화막(양극산화피막)(3)과, 고체전해질층(반도체층)(4)과, 카본층(51) 및 도전체층(52)으로 이루어진 음극층(5)을 포함하는 콘덴서소자를 구비하고 있다. 양극기체(2)에는, 탄탈, 알루미늄, 티탄, 니오븀 등의 밸브작용 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 양극기체(2)의 형상은, 상자모양, 판모양 또는 봉모양인 것이 바람직하다. 이 양극기체(2)는 탄탈리드 등의 양극선(1)을 매립한 형태로, 상기 밸브작용 금속분말을 압축성형하고, 진공중, 2000℃ 정도의 온도에서 수10분간 가열하여 소결체로 하므로써 형성된다.As an example is shown in FIG. 1, the solid electrolytic capacitor 10 includes a positive electrode substrate 2 in which an anode line 1 is embedded, and a dielectric oxide film (anode oxidation) sequentially formed on the positive electrode substrate 2. Film) 3, a solid electrolyte layer (semiconductor layer) 4, and a capacitor element including a cathode layer 5 composed of a carbon layer 51 and a conductor layer 52. It is preferable to use a valve action metal such as tantalum, aluminum, titanium, niobium or the like for the positive electrode body 2. The shape of the positive electrode body 2 is preferably a box, a plate or a rod. The positive electrode body 2 is formed by embedding a positive electrode wire 1 such as tantalum and the like by compression molding the valve-action metal powder and heating it for 10 minutes at a temperature of about 2000 ° C. in a vacuum to form a sintered body. .

다음에, 얻어진 소결체(양극기체(2))를, 질산이나 인산 등의 화성(化成)액중에서, 전압을 인가하여 화성하고, 양극기체(2)의 표면에, Ta2O5 등의 유전체산화막(3)을 형성한다. 이 산화막(3)은, 양극기체 금속 자체의 산화물로 이루어진 층인 것이 바람직하지만, 양극기체로는 다른 유전체산화물의 층이어도 좋다. 유전체산화막(3)을 형성후, 소결체를 질산망간용액 등의 반도체모액중에 침지하여 액을 함침시키고, 200℃∼350℃의 온도에서 소성하여, 열분해에 의해 소결체 내부(소결체의 표면)에 이산화망간층 등을 주로 한 고체전해질층(4)을 형성한다. 열분해후, 다시 화성하여 소결에 의해 손상된 유전체산화막(3)을 수복한다. 이상의 침지, 소성 및 재화성의 공정을 필요에 따라서 5∼10회 반복하여, 소망의 두께의 고체전해질층(4)을 형성한다. 이 고체전해질층은, 유기반도체로 지칭되는 TCNQ(7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄)착체나 도전성 고분자인 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린 등을 사용하여 형성할 수도 있다.Next, the obtained sintered body (positive electrode body 2) is formed by applying a voltage in a chemical solution such as nitric acid or phosphoric acid, and a dielectric oxide film such as Ta 2 O 5 is formed on the surface of the positive electrode body 2. (3) is formed. The oxide film 3 is preferably a layer made of an oxide of the anode gas metal itself, but may be a layer of another dielectric oxide as the anode gas. After the dielectric oxide film 3 is formed, the sintered body is immersed in a semiconductor mother liquor such as a manganese nitrate solution, and the liquid is impregnated, and then calcined at a temperature of 200 ° C to 350 ° C. The solid electrolyte layer 4 mainly formed etc. is formed. After pyrolysis, chemical conversion is performed to repair the dielectric oxide film 3 damaged by sintering. The above immersion, firing, and recyclability steps are repeated 5 to 10 times as necessary to form the solid electrolyte layer 4 having a desired thickness. This solid electrolyte layer can also be formed using a TCNQ (7,7,8,8-tetracyanoquinomethane) complex, which is referred to as an organic semiconductor, or polypyrrole, polythiophene, polyaniline, or the like, which is a conductive polymer.

고체전해질층(4)을 형성후, 카본페이스트를 도포하여 건조시켜, 음극층(5)의 일부로서의 카본층(51)을 형성하고, 그 위에 음극층의 또 다른 일부로서의 도전체층(은층 또는 은페이스트층)(52)을 본 발명의 조성물을 사용하여 형성한다. 얻어진 도전체층(52)에 음극취출용의 리드프레임(7)을, 땜납 또는 도전성 접착제(6) 등을 사용하여 접속하고, 한편, 소결체(2)로부터 나온 음극선(1)을 리드프레임(7) 등에 용접한다. 최후에 전체를, 수지딥법이나 수지몰드법 등에 의해 외장수지(8)로 봉지하여 외장한다. 이와 같이 하여 얻어지는 고체전해콘덴서는, 일반적으로는 세로 2∼7mm, 가로 1.25∼4.3mm, 높이 1.2∼2.8mm 정도의 크기인 것이다.After the solid electrolyte layer 4 is formed, carbon paste is applied and dried to form a carbon layer 51 as part of the cathode layer 5, and thereon a conductor layer (silver layer or silver as another part of the cathode layer) thereon. Paste layer) 52 is formed using the composition of the present invention. The lead frame 7 for negative electrode extraction is connected to the obtained conductor layer 52 using solder, a conductive adhesive 6, or the like, while the cathode wire 1 from the sintered body 2 is connected to the lead frame 7. Weld on the back. Finally, the whole is encapsulated by the external resin 8 by the resin dip method, the resin molding method, or the like. The solid electrolytic capacitor obtained in this way is generally a magnitude | size of about 2-7 mm in length, 1.25-4.3 mm in width, and about 1.2-2.8 mm in height.

도 1은, 본 발명에 따른 전자부품의 일실시형태인 고체전해콘덴서의 일예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically an example of the solid electrolytic capacitor which is one Embodiment of the electronic component which concerns on this invention.

다음에, 본 발명을 실시예에 의해 더 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에 있어서 각종 특성의 측정 및 평가방법은 이하와 같다.Next, an Example demonstrates this invention further in detail. In the following example, the measurement and evaluation method of various characteristics are as follows.

[아스펙트비] [Aspect Ratio]                 

저점도의 에폭시수지(뷰러사제)의 주제(主劑)(No.10-8130) 8g과 경화제(No.10-8132) 2g을 혼합하고, 여기에 측정해야할 분체 2g을 혼합하여 잘 분산시키고, 그대로 30℃에서 진공탈포한 후, 10시간 30℃에서 정치하여 입자를 침강시키고, 수지를 경화시켰다. 그 후, 얻어진 경화물을 수직방향으로 절단하고, 절단면을 전자현미경으로 1000배로 확대하여, 절단면에 나타난 150개의 입자에 관해서 장경/단경을 구하고, 그들의 평균치를 가지고, 아스펙트비로 하였다.8 g of the main material (No. 10-8130) of the low-viscosity epoxy resin (manufactured by Burr Corporation) and 2 g of the curing agent (No. 10-8132) are mixed, and 2 g of the powder to be measured are mixed and dispersed well. After vacuum degassing at 30 degreeC as it is, it left still at 30 degreeC for 10 hours to precipitate a particle | grain and harden resin. Then, the obtained hardened | cured material was cut | disconnected to the vertical direction, the cut surface was enlarged 1000 times with the electron microscope, the long diameter / short diameter was calculated | required about 150 particle | grains which showed on the cut surface, and it was set as the aspect ratio with those average values.

[평균입경][Average particle diameter]

마스터사이저(맬번사제)를 사용하여, 분체의 평균입경을 측정하였다.The average particle diameter of the powder was measured using the master sizer (made by Malvern).

[동노출면적][Exposure area]

제작한 은도금동분의 입자를 무작위로 5개 취출하고, 주사형 오제전자분광분석장치로 관찰한 오제상으로부터 귀금속(은) 및 비귀금속(동)의 정량분석을 행하여 동점유비율을 계산하고, 측정입자 5개의 평균치를 동노출면적(%)으로 하였다.Five particles of silver-plated copper powder were randomly taken out, and quantitative analysis of precious metals (silver) and non-noble metals (copper) was carried out from the Auger phase observed with a scanning-type Auger Electron Spectroscopy apparatus to calculate the kinematic share ratio. The average value of 5 particles was made into copper exposure area (%).

[페이스트점도][Paste viscosity]

동경계기제 E형 점도계의 3°콘을 사용하고, 항온층내의 온도를 25℃로 설정하고, 측정개시로부터 10분후의 값을 페이스트의 점도로 하였다.The temperature in a constant temperature layer was set to 25 degreeC using the 3 degree cone of the E-type viscosity meter made from a copper boundary, and the value 10 minutes after the measurement start was made into the viscosity of a paste.

[페이스트점도의 경시변화][Time Change of Paste Viscosity]

페이스트제작후, 30℃의 항온조내에 6개월간 방치하고, 그 후 점도측정을 행하였다.After the paste was produced, it was left to stand in a thermostat bath at 30 DEG C for 6 months, and then viscosity measurement was performed.

[체적저항율][Volume resistivity]

페이스트를 사용하여 얻어진 건조도막의 체적저항율을, 더블브리지식 저항측 정기(횡하전기사제 TYPE2769)에 의해 측정하였다.The volume resistivity of the dry coating film obtained using the paste was measured by the double bridge type resistance side device (TYPE2769 by a transverse electric company).

[마이그레이션특성][Migration characteristics]

체적저항율의 측정에 사용한 건조도막을 사용하여, 건조도막의 중앙에 간격 2mm의 전극을 형성하고, 전극 전체를 덮도록 순수를 적하한 후, 양단에 7V의 전압을 인가하고, 은이 이행하여 전극간이 단락할때까지의 시간을 측정하는 것에 의해, 마이그레이션특성을 평가하였다.Using a dry coating film used for measuring the volume resistivity, an electrode having a spacing of 2 mm was formed at the center of the dry coating film, pure water was added dropwise so as to cover the entire electrode, and a voltage of 7 V was applied to both ends, and silver was transferred to the electrodes. The migration characteristics were evaluated by measuring the time until short circuit.

[에지커버링성][Edge covering property]

1mm×1mm×1.5mm의 입방체모양의 탄탈소결체를, 측정해야할 페이스트중에 침지하고, 건조하였다. 얻어진 소자를 투명한 에폭시수지로 외장하고, 실온에서 10시간 방치하여 경화시켰다. 그 후, 다이아몬드커터로 입방체의 장변 중앙부를 절단하여, 샌드페이퍼 및 연마입자를 사용하여 연마하여, 평가용 소자로 하였다. 평가용 소자에 있어서 네모서리의 페이스트의 커버링상태를 전자현미경으로 관찰하였다. 평가 A : 양호, B : 에지부의 도막두께가 1㎛ 이하, C : 에지부에 결손부가 있음.A cubic tantalum sintered body of 1 mm x 1 mm x 1.5 mm was immersed in the paste to be measured and dried. The obtained device was sheathed with a transparent epoxy resin and allowed to stand at room temperature for 10 hours to cure. Then, the long side center part of the cube was cut | disconnected with the diamond cutter, and it grind | polished using sandpaper and abrasive grains, and it was set as the element for evaluation. In the device for evaluation, the covering state of the four corners of the paste was observed with an electron microscope. Evaluation A: Good, B: The coating film thickness of the edge part is 1 micrometer or less, C: The edge part has a defect part.

[도막강도] [Film Strength]

테프론판상에 애플리케이터를 사용하여, 180℃, 1시간 건조후의 막두께가 50㎛로 되도록 은필름을 제작하였다. 필름을 테프론판으로부터 박리하고, 폭 5mm×40mm의 단책상의 시험편을 제작하였다.Using an applicator on a Teflon plate, the silver film was produced so that the film thickness after drying at 180 degreeC for 1 hour may be set to 50 micrometers. The film was peeled off from the Teflon plate, and a single test piece of 5 mm x 40 mm in width was produced.

그 후, 인장강도시험기(금전제작소제:인장압축시험기 SL-2001)를 사용하여, 도막강도를 측정하였다.Thereafter, the coating film strength was measured using a tensile strength tester (manufactured by Money Maker: Tensile Compression Tester SL-2001).

[도막의 프렉시블성] [Flexibility of coating]                 

두께 125㎛, 폭 1cm, 길이 10cm의 PET필름상에 2밀리폭으로 페이스트를 도포하고, 180℃, 1시간 건조한 후, 필름의 말단과 말단의 표면끼리를 접촉시키고, 다음에 이면끼리를 접촉시키는 조작을 반복하여 행하고, 몇회째에 도막에 균열이 생기는가를 측정하였다.The paste was applied on a PET film having a thickness of 125 μm, a width of 1 cm, and a length of 10 cm in 2 millimeter widths, and after drying at 180 ° C. for 1 hour, the ends of the film were brought into contact with each other, and then the back surfaces were brought into contact with each other. The operation was repeated to determine how many times a crack formed in the coating film.

[콘덴서특성][Capacitor Characteristics]

JIS C 5102-1994(전자기기용 고정콘덴서의 시험방법)에 따라서, 탄탈콘덴서의 특성을 측정하였다. 등가직렬저항(ESR)은 LCR미터를 사용하여 측정하였다. 누설전류(LC)에 관해서는, 디지탈미소전류계(어드반테스트;R8340A)를 사용하고, 측정해야할 페이스트를 도전체층에 사용하여 탄탈콘덴서를 제작하고, 85℃ 85%RH 분위기하에서 1000시간 및 2000시간 방치했을 때의 값을 측정하였다. tanδ, 인피던스는 휴렛패커드사제 LCR미터(4284A)를 사용하여 측정하였다. Cap(정전용량)는, LCR미터(휴렛패커드제 4284A)를 사용하여 측정하였다.According to JIS C 5102-1994 (Testing method of fixed capacitor for electronic equipment), the characteristic of the tantalum capacitor was measured. Equivalent series resistance (ESR) was measured using an LCR meter. Regarding the leakage current LC, a tantalum capacitor was produced using a digital microammeter (advanced test; R8340A) and a paste to be measured in the conductor layer, and left for 1000 hours and 2000 hours in an 85 ° C 85% RH atmosphere. The value at time was measured. tan δ and inductance were measured using a Hewlett-Packard Co. LCR meter (4284A). Cap (capacitance) was measured using an LCR meter (4284A manufactured by Hewlett-Packard).

[콘덴서의 과전압부하특성][Overvoltage Load Characteristics of Capacitors]

탄탈콘덴서의 정격전압에 대해서, 과전압을 인가하여, 그 후의 콘덴서특성을 측정하고, 콘덴서의 파괴수를 확인하였다.An overvoltage was applied to the rated voltage of the tantalum capacitor, the subsequent capacitor characteristics were measured, and the breakdown number of the capacitor was confirmed.

[땜납접착성][Solder Adhesiveness]

폭 1cm, 길이 2cm, 두께 0.5mm의 알루미늄판을, 측정해야할 페이스트중에 1cm침지시켜 꺼내고, 오븐건조기에서 180℃ 1시간 건조하여, 평가용 시료를 작성하였다. 평가용 시료를 플럭스에 침지시킨 후, 각 설정온도의 땜납욕에 침지시키고, 땜납의 접착상태를 관찰하였다. 땜납의 코팅면적이 80% 이상인 것을 A, 50% 이상, 80% 미만인 것을 B, 30% 이상, 50% 미만인 것을 C, 30% 미만인 것을 D로 하여 평가하였다.An aluminum plate having a width of 1 cm, a length of 2 cm, and a thickness of 0.5 mm was immersed in 1 cm in the paste to be measured, and dried at 180 ° C. for 1 hour in an oven dryer to prepare a sample for evaluation. After the sample for evaluation was immersed in the flux, it was immersed in the solder bath of each preset temperature, and the adhesion state of the solder was observed. The coating area of the solder was evaluated as A, 50% or more, less than 80%, B, 30% or more, and less than 50%, C, less than 30%, and D.

Figure 112004015647753-pct00012
Figure 112004015647753-pct00012

[콘덴서의 땜납내열성] [Solder Heat Resistance of Capacitor]

탄탈콘덴서를 땜납욕에 10초 침지한 후의 용량변화율을 측정하였다. 땜납욕 온도 : 230℃, 260℃, 290℃The rate of change in capacity after the tantalum capacitor was immersed in the solder bath for 10 seconds was measured. Solder bath temperature: 230 ℃, 260 ℃, 290 ℃

[콘덴서의 내열충격성][Heat resistance of capacitor]

탄탈콘덴서를 열충격시험기에 투입하고, 그 1000사이클마다에 취출하여 콘덴서특성을 측정하였다. 열충격조건은 -50℃∼80℃에서 행하였다. 즉, -50℃의 조(槽)에서 30분간 방치후, 3분 이내에 80℃의 조로 옮겨서 30분간 방치하고, 그 후 3분 이내에 -50℃의 조로 옮긴다. 이것을 1사이클로 하였다.The tantalum capacitor was put into a thermal shock tester, and it was taken out every 1000 cycles, and the capacitor characteristic was measured. Thermal shock conditions were performed at -50 degreeC-80 degreeC. That is, after leaving for 30 minutes in a bath at -50 ° C, it is transferred to an 80 ° C bath within 3 minutes, and left for 30 minutes, and then transferred to a bath at -50 ° C within 3 minutes. This was 1 cycle.

<열가소성 수지(B1)의 합성예 1><Synthesis example 1 of the thermoplastic resin (B1)>

디아민으로서 BAPP(2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판) 100g(0.24몰)을 사용하고, 이것을 온도계, 교반기, 질소도입관 및 냉각관을 장착한 1리터 4구 플라스크중, 질소가스분위기하에서, N-메틸-2-피롤리돈 400g에 용해하였다. 얻어진 용액을 -10℃로 냉각하고, 용액의 온도가 -5℃를 넘지 않도록 하여, 이소프탈산디 클로라이드 49.5g(0.24몰)을 첨가하였고, 그 후 프로필렌옥사이드 56.6g을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하였다. 반응액을 순수중에 투입하여 중합체를 단리하고, 건조한 후, 다시 N-메틸-2-피롤리돈에 용해하고, 얻어진 용액을 순수중에 투입하여 폴리아미드중합체를 정제하였다.100 g (0.24 mole) of BAPP (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane) was used as the diamine, and this was a 4-liter, one-liter four-hole equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen introduction tube, and a cooling tube. In the flask, it was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone under a nitrogen gas atmosphere. The resulting solution was cooled to −10 ° C. and 49.5 g (0.24 mol) of isophthalic acid dichloride was added so that the temperature of the solution did not exceed −5 ° C., then 56.6 g of propylene oxide was added, followed by 3 hours at room temperature. Stirred. The reaction solution was poured into pure water to isolate the polymer, dried, and then dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone. The resulting solution was poured into pure water to purify the polyamide polymer.

<열가소성 수지(B1)의 합성예 2><Synthesis example 2 of thermoplastic resin (B1)>

디아민으로서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 205g(500밀리몰)을 사용하고, 이것을 온도계, 교반기, 질소도입관 및 냉각관을 장착한 3리터의 4구 플라스크중, 질소가스분위기하에서, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 11177g에 용해하였다. 얻어진 용액을 -10℃로 냉각하고, 용액의 온도가 -5℃를 넘지 않도록 하여, 트리메리트산무수물모노클로라이드 105.3g을 첨가하였다. 그 후 프로필렌옥사이드 87g을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하고, 반응액의 점도가 상승하여 액이 투명하게 된 때에, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 841g을 추가하고, 1시간 더 교반하였다. 그 후, 무수아세트산 128g 및 피리딘 64g을 가하고, 60℃에서 하룻밤 액교반을 계속하였다. 얻어진 반응액을 메탄올 250g중에 투입하여 폴리아미드이미드 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N,N-디메틸포름아미드에 다시 용해하고, 메탄올중에 투입하여 폴리아미드이미드 중합체의 생성물을 얻었다.205 g (500 mmol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane was used as the diamine, which was used in a 3-liter four-necked flask equipped with a thermometer, agitator, nitrogen introduction tube and cooling tube. It was dissolved in 11177 g of diethylene glycol dimethyl ether under a nitrogen gas atmosphere. The obtained solution was cooled to -10 ° C, and 105.3 g of trimellitic anhydride monochloride was added so that the temperature of the solution did not exceed -5 ° C. After that, 87 g of propylene oxide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. When the viscosity of the reaction solution was increased and the liquid became transparent, 841 g of diethylene glycol dimethyl ether was added, followed by further stirring for 1 hour. Then, 128 g of acetic anhydride and 64 g of pyridine were added, and the liquid stirring was continued overnight at 60 degreeC. The obtained reaction solution was poured into 250 g of methanol to isolate the polyamideimide polymer. After drying, it was dissolved in N, N-dimethylformamide again, and poured into methanol to obtain a product of a polyamideimide polymer.

<열가소성 수지(B2)의 합성예 1><Synthesis example 1 of the thermoplastic resin (B2)>

온도계, 교반기, 질소도입관 및 냉각관을 장착한 4구 플라스크중에, 질소가스분위기하에서 디아민으로서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 65.6g(160밀리몰), 및 상기 일반식(V)로 표시되는 디아미노실록산(신월화학공업(주)제, X- 22-161B; 일반식(V)에 있어서, m=38, Y1=-C3H6-, Y2=-CH3 ) 64g(40밀리몰)(몰비로 80몰%/20몰%)을 넣고, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 335g에 용해하였다.65.6 g (160 mmol) 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane as a diamine in a nitrogen gas atmosphere in a four-necked flask equipped with a thermometer, agitator, nitrogen introduction tube and cooling tube, and Diamino siloxane represented by said general formula (V) (made by Shinwol Chemical Co., Ltd., X-22-161B; In general formula (V), m = 38, Y < 1 > -C <3> H <6> -, Y 2 = -CH 3 ) 64 g (40 mmol) (80 mol% / 20 mol% in molar ratio) was added and dissolved in 335 g of diethylene glycol dimethyl ether.

얻어진 용액을 -10℃로 냉각하고, 용액의 온도가 -5℃를 넘지 않도록 하여 이소프탈산디클로라이드 40.6g(200밀리몰)을 첨가하였다. 그 후, 프로필렌옥사이드 23.2g을 첨가하여, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 96g을 추가하고, 실온에서 3시간 교반하였다. 반응액을 메탄올중에 투입하여 중합체를 단리하고, 이것을 건조한 후, 다시 디메틸포름아미드에 용해하고, 이것을 메탄올중에 투입하여 폴리아미드실리콘 공중합체를 정제하였다.The obtained solution was cooled to -10 占 폚, and 40.6 g (200 mmol) of isophthalic acid dichloride was added so that the temperature of the solution did not exceed -5 占 폚. Then, 23.2 g of propylene oxide was added, 96 g of diethylene glycol dimethyl ether was added, and it stirred at room temperature for 3 hours. The reaction solution was poured into methanol to isolate the polymer, dried and dissolved in dimethylformamide, which was then poured into methanol to purify the polyamide silicone copolymer.

<열가소성 수지(B2)의 합성예 2><Synthesis example 2 of thermoplastic resin (B2)>

온도계, 교반기, 질소도입관 및 냉각관을 장착한 4구 플라스크에, 질소가스분위기하에서, 디아민으로서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 174.3g(425밀리몰), 및 디아미노프로필테트라메틸디실록산 18.6g(신월화학공업(주)제, LP7100(75밀리몰)(몰비로 85몰%/15몰%)을 넣고, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 1177g으로 용해하였다.174.3 g (425 mmol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane as a diamine in a four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen introducing tube and a cooling tube under a nitrogen gas atmosphere, And 18.6 g of diaminopropyltetramethyldisiloxane (manufactured by Shinwol Chemical Co., Ltd., LP7100 (75 mmol) (85 mol% / 15 mol% in molar ratio) were added and dissolved in 1177 g of diethylene glycol dimethyl ether.

얻어진 용액을 -10℃로 냉각하고, 용액의 온도가 -5℃를 넘지 않도록 하여 트리메리트산무수물모노클로라이드 105.3g(500밀리몰)을 첨가하였다. 그 후, 프로필렌옥사이드 87g을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하여, 반응액의 점도가 상승하고, 액이 투명하게 된 때에 디에틸렌글리콜디메틸에테르 841g을 추가하고, 1시간 더 교반하였다. 그 후, 무수아세트산 128g 및 피리딘 64g을 가하고, 60℃에서 하룻 밤 액교반하였다. 얻어진 반응액을 n-헥산/메탄올=1/1(중량비)의 대량의 혼합용제중에 투입하여, 중합체를 단리시키고, 이것을 건조한 후, N,N-디메틸포름아미드에 용해하고, 메탄올중에 투입하여 폴리아미드이미드실리콘 공중합체를 정제하여, 감압건조하였다.The obtained solution was cooled to -10 占 폚, and 105.3 g (500 mmol) of trimellitic anhydride monochloride was added so that the temperature of the solution did not exceed -5 占 폚. Thereafter, 87 g of propylene oxide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours to increase the viscosity of the reaction solution, and when the liquid became transparent, 841 g of diethylene glycol dimethyl ether was added, followed by further stirring for 1 hour. Then, 128 g of acetic anhydride and 64 g of pyridine were added, and the solution was stirred overnight at 60 ° C. The obtained reaction solution was poured into a large amount of mixed solvent of n-hexane / methanol = 1/1 (weight ratio), the polymer was isolated, dried, dissolved in N, N-dimethylformamide, and poured into methanol to obtain poly The amideimide silicone copolymer was purified and dried under reduced pressure.

<은도금동분(a1)의 제작예><Production example of silver plated copper powder (a1)>

아토마이즈법으로 제작한 평균입경 5.1㎛의 구상 동분(일본아토마이즈가공(주)제, 상품명 SFR-Cu)을 희염산 및 순수로 세정한 후, 물 1리터당 AgCN 80g 및 NaCN 75g을 포함하는 도금용액에서, 구상 동분에 대해서 은의 양이 15중량%로 되도록 치환도금을 행하고, 수세, 건조하여 은도금동분을 얻었다.Spheroidal copper powder (SFR-Cu, manufactured by Nippon Atomizing Processing Co., Ltd., trade name SFR-Cu) having an average particle diameter of 5.1 µm prepared by the atomizing method was washed with dilute hydrochloric acid and pure water, and then a plating solution containing 80 g of AgCN and 75 g of NaCN per liter of water. In the above, spherical copper powder was subjected to substitution plating so that the amount of silver was 15% by weight, washed with water and dried to obtain silver-plated copper powder.

2리터의 볼밀용기내에, 얻어진 은도금동분 750g 및 직경 5mm의 지르코니아볼 3kg을 투입하고, 40분간 회전시켜, 아스펙트비가 평균 1.3, 장경의 평균입경이 5.5㎛인 은도금동분을 얻었다.In a 2 liter ball mill container, 750 g of the obtained silver-plated copper powder and 3 kg of a zirconia ball having a diameter of 5 mm were charged and rotated for 40 minutes to obtain a silver-plated copper powder having an average aspect ratio of 1.3 and a long diameter of 5.5 µm.

<은도금동분(a2)의 제작예><Production example of silver plated copper powder (a2)>

아토마이즈법으로 제작한 평균입경 5.1㎛의 구상 동분(일본아토마이즈가공(주)제, 상품명 SFR-Cu)을 희염산 및 순수로 세정한 후, 물 1리터당 AgCN 80g 및 NaCN 75g을 포함하는 도금용액을 사용하여, 구상 동분에 대해서 은의 양이 20중량%로 되도록 치환도금을 행하고, 수세, 건조하여 은도금동분을 얻었다.Spheroidal copper powder (SFR-Cu, manufactured by Nippon Atomizing Processing Co., Ltd., trade name SFR-Cu) having an average particle diameter of 5.1 µm prepared by the atomizing method was washed with dilute hydrochloric acid and pure water, and then a plating solution containing 80 g of AgCN and 75 g of NaCN per liter of water. Substituted plating was carried out so that the amount of silver was 20% by weight with respect to the spherical copper powder, washed with water and dried to obtain a silver-plated copper powder.

2리터의 볼밀용기내에 얻어진 은도금동분 750g 및 직경이 5mm인 지르코니아볼 3kg을 투입하고, 40분간 회전시켜 평균입경 8.1㎛의 은도금동분을 얻었다.750 g of silver-plated copper powder and 3 kg of zirconia ball having a diameter of 5 mm were charged in a 2 liter ball mill container, and then rotated for 40 minutes to obtain a silver-plated copper powder having an average particle diameter of 8.1 µm.

실시예 K1Example K1

상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 1에서 얻어진 폴리아미드 중합체 22.2중량부에 디에틸렌글리콜디메틸에테르 222.2중량부를 가하여 용해한 니스에, 상기 은도금동분(a1)의 제작예에서 얻어진 은도금동분 및 은분(데구자사제 SF#7 비늘편모양 평균입경 6.8㎛)을 표 1에 나타낸 비율로 배합하고, 20분간 디스퍼로 분산하여 조성물(페이스트) K를 얻었다. 얻어진 페이스트를 탈포한 후, 스크린인쇄법으로 그 일정량을 슬라이드글래스상에 도포하고(도포면적:1cm×7.5cm, 도포압:40±10㎛), 뱃치식 건조로에서 180℃, 1시간 건조시켜 건조도막을 얻었다. 얻어진 건조도막에 관해서, 체적저항율, 마이그레이션특성을 측정하였다. 이 페이스트를 사용하여 탄탈콘덴서를 작성하고, 등가 직렬저항과 누설전류를 측정하여, 에지커버링성을 평가하였다.Silver-plated copper powder and silver powder (deguza) obtained in the preparation examples of the silver-plated copper powder (a1) were added to 22.2 parts by weight of diethylene glycol dimethyl ether in 22.2 parts by weight of the polyamide polymer obtained in Synthesis Example 1 of the thermoplastic resin (B1). SF # 7 scale piece average particle diameter 6.8 micrometers made from Corporation were mix | blended in the ratio shown in Table 1, and it disperse | distributed for 20 minutes with the disper, and the composition (paste) K was obtained. After degassing the obtained paste, a predetermined amount was applied on the slide glass by screen printing (coating area: 1 cm × 7.5 cm, coating pressure: 40 ± 10 μm), and then dried in a batch drying furnace at 180 ° C. for 1 hour and dried. A coating film was obtained. The volume resistivity and the migration characteristics of the obtained dried coating film were measured. Using this paste, tantalum capacitors were prepared, and the equivalent series resistance and leakage current were measured to evaluate edge covering properties.

실시예 K2Example K2

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛이고, 은도금동분의 아스펙트비가 1.5, 평균입경이 6.7㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 5.9 micrometers, it carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio of silver-plated copper powder 1.5 and an average particle diameter of 6.7 micrometer.

실시예 K3Example K3

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛이고, 볼밀의 회전시간이 60분이고, 은도금동분의 아스펙트비가 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 5.9 micrometers, the rotation time of the ball mill was 60 minutes, and it carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio of silver-plated copper powder of 2.5 and an average particle diameter of 8.0 micrometers.

실시예 K4Example K4

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 4.2㎛, 볼밀의 회전시간이 120분이고, 은도금동분의 아스펙트비 12, 평균입경 7.2㎛인 것 이외에는 실시예 K1 과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 4.2 micrometers, the rotation time of the ball mill was 120 minutes, and it carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio 12 and an average particle diameter of 7.2 micrometers of silver-plated copper powder.

실시예 K5Example K5

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 3.5㎛이고, 볼밀의 회전시간이 180분이고, 은도금동분의 아스펙트비 20, 평균입경 6.2㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 3.5 micrometers, the rotation time of the ball mill was 180 minutes, and it carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio of silver-plated copper powder and an average particle diameter of 6.2 micrometers.

실시예 K6Example K6

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 0.1㎛이고, 은도금동분의 아스펙트비 3.2, 평균입경 0.2㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 0.1 micrometer, it carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio of silver-plated copper powder 3.2 and an average particle diameter of 0.2 micrometer.

실시예 K7Example K7

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 0.6㎛이고, 은도금동분의 아스펙트비 3, 평균입경 1.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 0.6 micrometers, and it carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio 3 and an average particle diameter 1.0 micrometer of silver-plated copper powder.

실시예 K8Example K8

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 1.0㎛, 은도금동분의 아스펙트비 3.1, 평균입경 1.5㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example K1 except having the average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomizing method being 1.0 micrometer, the aspect ratio of silver-plated copper powder 3.1, and the average particle diameter 1.5 micrometer.

실시예 K9Example K9

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.5㎛, 은도금동분의 아스펙트비 3.1, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example K1 except having the average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method being 5.5 micrometers, the aspect ratio of silver-plated copper powder 3.1, and the average particle diameter 8.0 micrometers.

실시예 K10Example K10

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 8.2㎛, 은도금동분의 아스펙트비 3.2, 평균입경 12㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다. It carried out similarly to Example K1 except having the average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method being 8.2 micrometers, the aspect ratio of silver-plated copper powder 3.2, and the average particle diameter 12 micrometers.                 

실시예 K11Example K11

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 13.6㎛, 은도금동분의 아스펙트비 3.0, 평균입경 20㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example K1 except having the average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomizing method being 13.6 micrometers, the aspect ratio 3.0 of silver-plated copper powder, and an average particle diameter of 20 micrometers.

실시예 K12Example K12

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 4.6㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 0.5중량%, 은도금동분의 아스펙트비 3.5, 평균입경 6.7㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 0.5 weight%, the aspect ratio of silver plating copper powder 3.5, and the average particle diameter 6.7 micrometers with respect to spherical copper powder.

실시예 K13Example K13

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 3.8㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 1.0중량%, 은도금동분의 아스펙트비 3.1, 평균입경 5.3㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomizing method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 1.0 weight%, the aspect ratio of silver-plated copper powder 3.1, and the average particle diameter of 5.3 micrometers with respect to spherical copper powder.

실시예 K14Example K14

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 3.6㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 1.5중량%, 은도금동분의 아스펙트비 3.5, 평균입경 5.2㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomizing method was 3.6 µm, and the substitution plating amount of silver was 1.5% by weight, the aspect ratio of the silver-plated copper powder was 3.5, and the average particle diameter was 5.2 µm, except for the spherical copper powder.

실시예 K15Example K15

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 4.3㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 25중량%, 은도금동분의 아스펙트비 3.4, 평균입경 6.2㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 4.3 µm, and the same as in Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 25% by weight, the aspect ratio 3.4 of the silver-plated copper powder, and the average particle diameter of 6.2 µm.

실시예 K16Example K16

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.0㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 35중량%, 은도금동분의 아스펙트비 3.8, 평균입경 7.5㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was 5.0 µm, and the same as in Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 35% by weight, the aspect ratio of the silver-plated copper powder, and the average particle diameter of 7.5 µm.

실시예 K17Example K17

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 4.7㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 50중량%, 은도금동분의 아스펙트비 4.0, 평균입경 7.1㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomizing method was 4.7 µm, and the same as in Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 50% by weight, the aspect ratio 4.0 of the silver-plated copper powder, and the average particle diameter of 7.1 µm.

실시예 K18Example K18

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛이고, 은분(덕력화학 TCG-1)의 형상이 구상이고, 평균입경이 2.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 5.9 µm, and the substitution plating amount of silver was 20% by weight with respect to the spherical copper powder, the aspect ratio of the silver-plated copper powder was 2.5, and the average particle diameter was 8.0 µm. The shape was the same as that of Example K1 except that the shape was spherical and the average particle diameter was 2.0 m.

실시예 K19Example K19

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 20 weight%, the aspect ratio 2.5 and the average particle diameter 8.0 micrometer of silver plating copper powder with respect to spherical copper powder.

실시예 K20Example K20

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다. The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 20 weight%, the aspect ratio 2.5 and the average particle diameter 8.0 micrometer of silver plating copper powder with respect to spherical copper powder.                 

실시예 K21Example K21

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 20 weight%, the aspect ratio 2.5 and the average particle diameter 8.0 micrometer of silver plating copper powder with respect to spherical copper powder.

실시예 K22Example K22

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 20 weight%, the aspect ratio 2.5 and the average particle diameter 8.0 micrometer of silver plating copper powder with respect to spherical copper powder.

실시예 K23Example K23

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 20 weight%, the aspect ratio 2.5 and the average particle diameter 8.0 micrometer of silver plating copper powder with respect to spherical copper powder.

실시예 K24Example K24

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 20중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method was the same as Example K1 except that the substitution plating amount of silver was 20 weight%, the aspect ratio 2.5 and the average particle diameter 8.0 micrometer of silver plating copper powder with respect to spherical copper powder.

실시예 K25Example K25

상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드 중합체를 사용하고, 아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 5.9㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 15중량%, 은도금동분의 아스펙트비 2.5, 평균입경 8.0㎛ 인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method using the polyamideimide polymer obtained in Synthesis Example 2 of the thermoplastic resin (B1) was 5.9 µm, and the substitution plating amount of silver was 15 wt%, It carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio of 2.5 and an average particle diameter of 8.0 µm.

실시예 K26Example K26

상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드 중합체를 사용하고, 아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 4.4㎛, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 15중량%, 은도금동분의 아스펙트비 3.2, 평균입경 6.5㎛인 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The average particle diameter of the spheroidal copper powder produced by the atomization method using the polyamideimide polymer obtained in Synthesis Example 2 of the thermoplastic resin (B1) was 4.4 µm, and the substitution plating amount of silver was 15 wt%, It carried out similarly to Example K1 except having an aspect ratio of 3.2 and an average particle diameter of 6.5 mu m.

비교예 K1Comparative Example K1

아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 13.8㎛이고, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 15중량%, 볼밀의 회전시간이 240분이고, 아스펙트비 25, 평균입경 26㎛인 은도금동분을 사용한 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.The spheroidal copper powder produced by the atomization method had an average particle diameter of 13.8 µm, and the silver-plated copper powder having a substitution plating amount of silver of 15% by weight and a ball mill rotation time of 240 minutes, an aspect ratio of 25 and an average particle diameter of 26 µm was used for the spherical copper powder. Except that, it carried out similarly to Example K1.

비교예 K2Comparative Example K2

상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드 중합체를 사용하고, 아토마이즈법으로 제작한 구상 동분의 평균입경이 13.8㎛이고, 구상 동분에 대해서 은의 치환도금량이 15중량%, 볼밀의 회전시간이 240분이고, 아스펙트비 25, 평균입경 26㎛인 은도금동분을 사용한 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.Using the polyamide-imide polymer obtained in Synthesis Example 2 of the thermoplastic resin (B1), the average particle diameter of the spherical copper powder produced by the atomization method was 13.8 µm, and the substitution plating amount of silver was 15% by weight with respect to the spherical copper powder, and the ball mill was used. It carried out similarly to Example K1 except having used the silver plating copper powder whose rotation time is 240 minutes, aspect ratio 25, and an average particle diameter of 26 micrometers.

비교예 K3Comparative Example K3

은도금동분 대신에 구상의 동분(삼정금속광산 MFP1110 평균입경 1.1㎛)을 사용한 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example K1 except having used spherical copper powder (Samjung Metal Mine MFP1110 average particle diameter 1.1 micrometer) instead of silver plating copper powder.

비교예 K4Comparative Example K4

은분을 포함하지 않은 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example K1 except not containing silver powder.

비교예 K5Comparative Example K5

은도금동분을 포함하지 않은 것 이외에는 실시예 K1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example K1 except not containing silver plating copper powder.

얻어진 결과를 표 K1 및 K2에 나타낸다.The results obtained are shown in Tables K1 and K2.

실시예 L1Example L1

상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 1에서 얻어진 폴리아미드 중합체 22.2중량부에 디에틸렌글리콜디메틸에테르 222.2중량부를 가하여 용해한 니스에, 은도금동분(a2) 제작예에서 얻어진 은도금동분(동노출면적 20%) 118.8중량부 및 은분(데구자사제 SF#7 비늘편모양 평균입경 6.8㎛) 79.2중량부를 배합하고, 20분 디스퍼로 분산하여, 점도 2000mPaㆍs의 조성물(페이스트) L을 얻었다. 얻어진 페이스트를 탈포한 후, 스크린인쇄법으로 일정량 슬라이드글래스상에 도포하고(도포면적:1cm×7.5cm 도포압:40±10㎛), 뱃치식 건조로에서 180℃, 1시간 건조시켜 건조도막을 얻었다. 얻어진 건조도막의 체적저항율을 측정하였다. 또한, 페이스트점도의 경시변화를 측정하기 위해서, 페이스트의 일부를 50ml의 폴리용기에 옮기고, 30℃의 고온조에 방치하고, 6개월후에 다시 점도를 측정하여, 그 변화율을 산출하였다. 또한, 얻어진 페이스트의 땜납접착성을 평가하였다. 더욱이, 이 페이스트를 음극에 사용하여 탄탈콘덴서를 제작하여, 땜납내열성을 시험하였다.Silver-plated copper powder (copper exposure area 20%) obtained in the silver-plated copper powder (a2) preparation example to the varnish which added 222.2 weight part of diethylene glycol dimethyl ether to 22.2 weight part of polyamide polymers obtained by the synthesis example 1 of the said thermoplastic resin (B1), and melt | dissolved. 118.8 parts by weight and 79.2 parts by weight of silver powder (SF # 7 scale piece average particle diameter of Deguza Co., Ltd. 6.8 mu m) were combined and dispersed in a 20-minute disper to obtain a composition (paste) L having a viscosity of 2000 mPa · s. After degassing the obtained paste, it was applied on a certain amount of slide glass by screen printing (coating area: 1 cm × 7.5 cm coating pressure: 40 ± 10 μm), and dried in a batch drying furnace for 1 hour to obtain a dry coating film. . The volume resistivity of the obtained dry coating film was measured. In addition, in order to measure the time-dependent change in paste viscosity, a part of the paste was transferred to a 50 ml polycontainer, left in a high temperature bath at 30 ° C., and after six months, the viscosity was measured, and the change rate was calculated. Moreover, the solder adhesiveness of the obtained paste was evaluated. Furthermore, this paste was used for the cathode to produce a tantalum capacitor, and the solder heat resistance was tested.

실시예 L2Example L2

은도금동분 제작시의 볼밀 회전시간이 60분에서 얻어진 은도금동분의 동노출면적이 30%인 것 이외에는, 실시예 L1과 동일하게 하였다. It carried out similarly to Example L1 except having the copper-exposed area of the silver-plated copper powder obtained in 60 minutes for the ball mill rotation time at the time of silver-plated copper powder production.                 

실시예 L3Example L3

은도금동분 제작시의 은의 치환도금량이 15중량%이고, 얻어진 은도금동분의 동노출면적이 40%인 것 이외에는, 실시예 L1과 동일하게 하였다.The substitution plating amount of silver at the time of preparation of silver plating copper powder was 15 weight%, and it carried out similarly to Example L1 except having the copper exposure area of the obtained silver plating copper powder being 40%.

실시예 L4Example L4

은도금동분 제작시의 볼밀 회전시간이 80분이고, 얻어진 은도금동분의 동노출면적이 60%인 것 이외에는, 실시예 L3과 동일하게 하였다.The ball mill rotation time in the production of silver-plated copper powder was 80 minutes, and the same as in Example L3 except that the copper exposure area of the obtained silver-plated copper powder was 60%.

실시예 L5Example L5

상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드 중합체를 사용한 것 이외에는, 실시예 L2와 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example L2 except having used the polyamide-imide polymer obtained by the synthesis example 2 of the said thermoplastic resin (B1).

비교예 L1Comparative Example L1

은도금동분 제작시의 은치환도금량이 30중량부이고, 볼밀의 회전시간이 20분이고, 얻어진 은도금동분의 동노출면적이 0%인 것 이외에는 실시예 L1과 동일하게 하였다.The silver substitution plating amount in production of silver-plated copper powder was 30 parts by weight, the rotation time of the ball mill was 20 minutes, and the same as in Example L1 except that the copper exposure area of the obtained silver-plated copper powder was 0%.

비교예 L2Comparative Example L2

은도금동분을 사용하지 않고, 은분을 198중량부 사용한 것 이외에는, 실시예 L1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example L1 except having used silver plating copper powder and 198 weight part of silver powders.

비교예 L3Comparative Example L3

은도금동분 대신에 아토마이즈법으로 제작한 구상 동분을 사용한 것 이외에는, 실시예 L1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example L1 except having used spherical copper powder produced by the atomization method instead of silver plating copper powder.

이상, 얻어진 결과를 표 L1에 나타낸다. The result thus obtained is shown in Table L1.                 

실시예 M1Example M1

상기 열가소성 수지(B2)의 합성예 1에서 얻어진 폴리아미드실리콘공중합체 22.2중량부에 디에틸렌글리콜디메틸에테르 222.2중량부를 가하여 용해한 니스에, 은도금동분(a1) 제작예에서 얻어진 은도금동분 118.8중량부 및 은분(데구자사제 SF#7 비늘편모양 평균입경 6.8㎛) 79.2중량부를 배합하고, 20분 디스퍼로 분산하여, 점도 2000mPaㆍs의 조성물(페이스트) M을 얻었다. 얻어진 페이스트를 탈포한 후, 스크린인쇄법으로 일정량 슬라이드글래스상에 도포하고(도포면적:1cm×7.5cm 도포압:40±10㎛), 뱃치식 건조로에서 180℃, 1시간 건조시켜 건조도막을 얻었다. 얻어진 건조도막의 체적저항율을 측정하였다. 또한, 얻어진 페이스트를 사용하여, 도막강도측정용 시료를 제작하여, 도막강도를 측정하였다. 더욱이, 이 페이스트를 음극에 사용하여 탄탈콘덴서를 제작하고(정격전압 4V), 인래쉬시험을 행한 후의 콘덴서 특성을 측정하여, 콘덴서의 파괴를 확인하였다.118.8 parts by weight of silver-plated copper powder obtained in the preparation example of silver-plated copper powder (a1) and silver powder were added to 22.2 parts by weight of diethylene glycol dimethyl ether in 22.2 parts by weight of the polyamide silicone copolymer obtained in Synthesis Example 1 of the thermoplastic resin (B2). (SF # 7 scale piece average particle diameter of 6.8 micrometers made by Deguza Co., Ltd.) 79.2 weight part was mix | blended, and it disperse | distributed with 20 minutes of dispers, and obtained the composition (paste) M of viscosity 2000mPa * s. After degassing the obtained paste, it was applied on a certain amount of slide glass by screen printing (coating area: 1 cm × 7.5 cm coating pressure: 40 ± 10 μm), and dried in a batch drying furnace for 1 hour to obtain a dry coating film. . The volume resistivity of the obtained dry coating film was measured. Moreover, using the obtained paste, the sample for coating-film strength measurement was produced and the coating-film strength was measured. Further, this paste was used as a cathode to produce a tantalum capacitor (nominal voltage 4V), and the capacitor characteristics after the inlash test were measured to confirm the destruction of the capacitor.

실시예 M2Example M2

은도금동분의 제작시의 볼밀 회전시간이 80분이고, 얻어진 은도금동분의 아스펙트비가 6.8인 것 이외에는 실시예 M1과 동일하게 하였다.The ball mill rotation time at the time of preparation of silver-plated copper powder was 80 minutes, and it carried out similarly to Example M1 except having an aspect ratio of obtained silver-plated copper powder.

실시예 M3Example M3

은도금동분의 제작시의 볼밀 회전시간이 120분이고, 얻어진 은도금동분의 아스펙트비가 12인 것 이외에는 실시예 M1과 동일하게 하였다.The ball mill rotation time at the time of preparation of silver-plated copper powder was 120 minutes, and it carried out similarly to Example M1 except having an aspect ratio of the obtained silver-plated copper powder.

실시예 M4Example M4

은도금동분의 제작시의 볼밀 회전시간이 150분이고, 얻어진 은도금동분의 아 스펙트비가 19.3인 것 이외에는 실시예 M1과 동일하게 하였다.The ball mill rotation time at the time of preparation of silver-plated copper powder was 150 minutes, and it carried out similarly to Example M1 except having an aspect ratio of the obtained silver-plated copper powder 19.3.

실시예 M5Example M5

상기 열가소성 수지(B2)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드실리콘 공중합체를 사용한 것 이외에는, 실시예 M2와 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example M2 except having used the polyamide-imide silicone copolymer obtained by the synthesis example 2 of the said thermoplastic resin (B2).

비교예 M1Comparative Example M1

은도금동분의 제작시의 볼밀 회전시간이 180분이고, 얻어진 은도금동분의 아스펙트비가 23.0인 것 이외에는, 실시예 M1과 동일하게 하였다.The ball mill rotation time at the time of preparation of silver-plated copper powder was 180 minutes, and it carried out similarly to Example M1 except the aspect ratio of the obtained silver-plated copper powder is 23.0.

비교예 M2Comparative Example M2

폴리아미드실리콘 공중합체 대신에, 상기 열가소성 수지(B1)의 합성예 1에서 얻어진 폴리아미드 중합체를 사용한 것 이외에는, 실시예 M2와 동일하게 하였다.Instead of the polyamide silicone copolymer, it carried out similarly to Example M2 except having used the polyamide polymer obtained by the synthesis example 1 of the said thermoplastic resin (B1).

비교예 M3Comparative Example M3

은도금동분 대신에, 아스펙트비 3.5의 은분을 사용한 것 이외에는 실시예 M1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example M1 except having used the silver powder of aspect ratio 3.5 instead of silver plating copper powder.

비교예 M4Comparative Example M4

은도금동분 대신에, 아스펙트비 1의 동분을 사용한 것 이외에는 실시예 M1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example M1 except having used the copper powder of aspect ratio 1 instead of silver plating copper powder.

비교예 M5Comparative Example M5

폴리아미드실리콘 공중합체 대신에 에폭시수지(삼정화학(주)제, 상품명 140C) 60중량부, 지방족 디글리시딜에테르(욱전화공업(주)제, 상품명 ED-503) 40중량부, 2P4MHZ(사국화성(주)제, 큐어졸) 3중량부 및 디시안디아미드(화광순약공업( 주)) 3중량부를 가한 것 이외에는 실시예 M2와 동일하게 하였다.60 parts by weight of an epoxy resin (Samsung Chemical Co., Ltd., brand name 140C) instead of a polyamide silicone copolymer, 40 parts by weight of aliphatic diglycidyl ether (manufactured by Wookku Kogyo Co., Ltd., trade name ED-503), 2P4MHZ ( The same procedure as in Example M2 was carried out except that 3 parts by weight of tetrachambering agent, cured sol, and 3 parts by weight of dicyandiamide (Hwagwang Pure Chemical Co., Ltd.) were added.

얻어진 결과를 표 M1에 나타낸다.The results obtained are shown in Table M1.

실시예 N1Example N1

열가소성 수지(B1)의 합성예 1에서 얻어진 폴리아미드실리콘 공중합체 22.2중량부에 디에틸렌글리콜디메틸에테르 222.2중량부를 가하여 용해한 니스에, 은도금동분(a2) 제작예에서 얻어진 은도금동분(동노출면적 30%) 118.8중량부 및 은분(데구자사제 SF#7 비늘편모양 평균입경 6.8㎛) 79.2중량부를 배합하고, 20분 디스퍼로 분산하여, 점도 2000mPaㆍs의 조성물(페이스트) N을 얻었다. 얻어진 페이스트를 탈포한 후, 스크린인쇄법으로 일정량 슬라이드글래스상에 도포하고(도포면적:1cm×7.5cm 도포두께:40±10㎛), 뱃치식 건조로에서 180℃, 1시간 건조시켜 건조도막을 얻었다. 얻어진 건조도막의 체적저항율을 측정하였다. 또한, 얻어진 페이스트의 프렉시블성을 측정하였다. 더욱이, 이 페이스트 조성물을 음극에 사용하여 탄탈콘덴서를 제작하고, 열충격성 시험을 행하여, 콘덴서의 누설전류(LC)를 측정하였다.Silver-plated copper powder (copper exposure area 30%) obtained in the silver-plated copper powder (a2) preparation example to the varnish which added 222.2 parts by weight of diethylene glycol dimethyl ether to 22.2 parts by weight of the polyamide silicone copolymer obtained in Synthesis Example 1 of the thermoplastic resin (B1). ) 118.8 parts by weight and silver powder (SF # 7 scale piece average particle diameter of 6.8 μm manufactured by Deguza Co., Ltd.) were blended and dispersed in a 20-minute disper to obtain a composition (paste) N having a viscosity of 2000 mPa · s. After degassing the obtained paste, it was applied on a slide glass by a screen printing method (coating area: 1 cm × 7.5 cm coating thickness: 40 ± 10 μm) and dried in a batch drying furnace for 1 hour to obtain a dry coating film. . The volume resistivity of the obtained dry coating film was measured. In addition, the flexibility of the obtained paste was measured. Furthermore, the tantalum capacitor was produced using this paste composition for the negative electrode, the thermal shock test was done, and the leakage current (LC) of the capacitor was measured.

실시예 N2Example N2

열가소성 수지(B2)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드실리콘 공중합체를 사용한 것 이외에는, 실시예 N1과 동일하게 하였다.It carried out similarly to Example N1 except having used the polyamide-imide silicone copolymer obtained by the synthesis example 2 of the thermoplastic resin (B2).

실시예 N3Example N3

열가소성 수지(B2)의 합성예 2에서 얻어진 폴리아미드이미드실리콘 공중합체를 사용하고, 은도금동분 제작시의 은의 치환도금량이 15중량%이고, 볼밀 회전시간 이 80분이고, 얻어진 은도금동분의 동 노출면적이 50%인 것 이외에는, 실시예 N1과 동일하게 하였다.Using the polyamideimide silicone copolymer obtained in Synthesis Example 2 of the thermoplastic resin (B2), the substitution plating amount of silver at the time of preparation of silver-plated copper powder was 15% by weight, the ball mill rotation time was 80 minutes, and the copper-exposed area of the obtained silver-plated copper powder was Except for 50%, it carried out similarly to Example N1.

비교예 N1Comparative Example N1

은도금동분 제작시의 은치환도금량이 30중량부이고, 볼밀의 회전시간이 20분이며, 얻어진 은도금동분의 동 노출면적이 0%인 것 이외에는, 실시예 N1과 동일하게 하였다.The silver substitution plating amount at the time of preparation of silver plating copper powder was 30 weight part, the rotation time of the ball mill was 20 minutes, and it carried out similarly to Example N1 except having the copper exposure area of the obtained silver plating copper powder being 0%.

비교예 N2Comparative Example N2

폴리아미드실리콘 공중합체 대신에 에폭시수지(삼정화학(주)제, 상품명 140C) 60중량부, 지방족 디글리시딜에테르(욱전화공업(주)제, 상품명 ED-503) 40중량부, 2P4MHZ(사국화성(주)제, 큐어졸) 3중량부 및 디시안디아미드(화광순약공업(주)) 3중량부를 가한 것 이외에는 실시예 N1과 동일하게 하였다.60 parts by weight of an epoxy resin (Samsung Chemical Co., Ltd., brand name 140C) instead of a polyamide silicone copolymer, 40 parts by weight of aliphatic diglycidyl ether (manufactured by Wookku Kogyo Co., Ltd., trade name ED-503), 2P4MHZ ( The same procedure as in Example N1 was carried out except that 3 parts by weight of tetrachambering agent, cured sol, and 3 parts by weight of dicyandiamide (Hwagwang Pure Chemical Co., Ltd.) were added.

얻어진 결과를 표 N1에 나타낸다.The results obtained are shown in Table N1.

본원의 개시는, 2001년 10월 19일에 출원된 일본국특원 2001-322320호, 2001년 10월 19일에 출원된 일본국특원 2001-322321호, 2001년 10월 31일에 출원된 일본국특원 2001-333649호, 및 2001년 10월 31일에 출원된 일본국특원 2001-333650호에 기재된 주제와 관련되어 있고, 그들 전부의 개시내용은 인용에 의해서 여기에 원용된다.The present disclosure discloses Japanese Patent Application No. 2001-322320, filed October 19, 2001, Japanese Patent Application No. 2001-322321, filed October 19, 2001, and Japanese Patent Application, Oct. 31, 2001. It is associated with the subject matter of Japanese Patent Application No. 2001-333649, and Japanese Patent Application No. 2001-333650, filed October 31, 2001, the disclosures of all of which are incorporated herein by reference.

이미 기술된 것 이외에, 본 발명의 신규하고 또한 유리한 특징으로부터 벗어나지 않고, 상기의 실시형태에 다양한 수정이나 변경을 가하여도 좋다는 것에 주의해야한다. 따라서, 그와 같은 모든 수정이나 변경은, 첨부된 청구의 범위에 포함 되는 것이 의도되어 있다. It should be noted that, in addition to those already described, various modifications or changes may be made to the above embodiments without departing from the novel and advantageous features of the present invention. Accordingly, all such modifications and changes are intended to be included in the appended claims.

[표 K1] 배합표Table K1 Formulation Table

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[표 K2]TABLE K2

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[표 L1]TABLE L1

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[표 M1]TABLE M1

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[표 N1]TABLE N1

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Claims (9)

아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1)과, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물.A conductive powder (A1) containing silver plated copper powder (a1) having an aspect ratio of 1 to 20 and a silver powder, a thermoplastic resin (B1) having at least one functional group selected from the group consisting of an amide group, an ester group, an imide group and an ether group; , Conductive resin composition containing organic solvent (C). 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2)과, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 및 에테르기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 관능기를 갖는 열가소성 수지(B1)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물.A silver-plated copper powder (a2) having a copper exposed portion on a part of its surface and a conductive powder (A2) containing silver powder, and a thermoplastic resin (B1) having at least one functional group selected from the group consisting of amide groups, ester groups, imide groups and ether groups ) And an organic solvent (C). 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열가소성 수지(B1)가, 폴리페닐렌에테르아미드, 폴리페닐렌에테르이미드, 폴리페닐렌에테르아미드이미드, 폴리페닐렌아미드, 폴리페닐렌이미드, 폴리페닐렌아미드이미드, 폴리크시릴렌아미드, 폴리크시릴렌이미드, 폴리크시릴렌아미드이미드로 이루어진 군으로부터 선택된 도전성 수지조성물.The said thermoplastic resin (B1) is a polyphenylene etheramide, polyphenylene etherimide, polyphenylene etheramideimide, polyphenylene amide, polyphenylene imide, and polyphenyl of Claim 1 or 2 A conductive resin composition selected from the group consisting of renamideimide, polyxylyleneamide, polyxylyleneimide, and polyxyleneyleneimide. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 열가소성 수지(B1)가, 하기 일반식(I):The said thermoplastic resin (B1) is a following general formula (I):
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(식중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소, 저급알킬기, 저급알콕시기 또는 할로겐원자를 나타내고, X1은 단결합, -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -SO-,Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen, a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, and X 1 represents a single bond, -O-, -S-, -CO-, -SO 2- , -SO-,
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을 나타내고, 여기에서 R5 및 R6은 각각 독립하여 수소, 저급알킬기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기 또는 페닐기를 나타내고, Y는,Wherein R 5 and R 6 each independently represent hydrogen, a lower alkyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group or a phenyl group, and Y represents
Figure 112004015728225-pct00020
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을 나타내고, 여기에서, Ar1은 방향족의 2가의 기를, Ar2는 방향족의 3가의 기를, Ar3은 방향족의 4가의 기를 나타낸다.)Wherein Ar 1 represents an aromatic divalent group, Ar 2 represents an aromatic trivalent group, and Ar 3 represents an aromatic tetravalent group.) 로 표시되는 반복단위, 및 하기 일반식(II):A repeating unit represented by the following general formula (II): (식중, R7, R8 및 R9는 각각 독립하여 저급알킬기, 저급알콕시기 또는 할로겐원자를 나타내고, s, t 및 u는 각각 독립하여 치환기 수를 나타내는 0∼4의 정수이고, R7, R8 및 R9는 각각 복수개 결합하고 있을 때에는, 각각에 있어서 동일하거나 다르더라도 좋고, X2 및 X3은 각각 독립하여 -O- 또는(Wherein R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, s, t and u are each independently an integer of 0 to 4 representing the number of substituents, R 7 , When two or more R <8> and R <9> couple | bonds, respectively, may be same or different in each, X <2> and X <3> respectively independently represent -O- or
Figure 112004015728225-pct00022
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를 나타내고, 여기에서 R10 및 R11은 각각 독립하여 수소원자, 저급알킬기, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기 또는 페닐기를 나타내고, Y는 상기 일반식(I)에서 정의된 바와 같다.)Wherein R 10 and R 11 each independently represent a hydrogen atom, a lower alkyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group, or a phenyl group, and Y is as defined in the general formula (I).) 로 표시되는 반복단위중의 적어도 하나를 갖는 수지인 도전성 수지조성물.A conductive resin composition which is a resin having at least one of the repeating units represented by.
아스펙트비가 1∼20인 은도금동분(a1)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A1)과, 폴리아미드실리콘수지, 폴리아미드이미드실리콘수지 및 폴리이미드실리콘수지로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2)와, 유기용제(C)를 포함하는 도 전성 수지조성물.A conductive powder (A1) containing silver plated copper powder (a1) having an aspect ratio of 1 to 20 and silver powder, a thermoplastic resin (B2) selected from the group consisting of polyamide silicone resin, polyamideimide silicone resin and polyimide silicone resin; , Conductive resin composition comprising an organic solvent (C). 표면의 일부에 동의 노출부분을 갖는 은도금동분(a2)과 은분을 포함하는 도전성 분말(A2)과, 폴리아미드실리콘수지, 폴리아미드이미드실리콘수지 및 폴리이미드실리콘수지로 이루어진 군으로부터 선택된 열가소성 수지(B2)와, 유기용제(C)를 포함하는 도전성 수지조성물.Silver-plated copper powder (a2) having a copper exposed portion on a part of its surface and conductive powder (A2) containing silver powder, and a thermoplastic resin (B2) selected from the group consisting of polyamide silicone resin, polyamideimide silicone resin and polyimide silicone resin ) And an organic solvent (C). 제 2항 또는 제 6항에 있어서, 상기 은도금동분(a2)에 있어서 동의 노출면적이 10∼70%인 도전성 수지조성물.The conductive resin composition according to claim 2 or 6, wherein an exposed area of copper in the silver plated copper powder (a2) is 10 to 70%. 제 1항, 제 2항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 수지조성물을 사용하여 형성된 도전체층을 갖는 전자부품.An electronic component having a conductor layer formed using the conductive resin composition according to any one of claims 1, 2, 5, and 6. 제 8항에 있어서, 밸브작용 금속으로 이루어진 양극 기체(基體)상에, 유전체 산화막과, 고체전해질층과, 제 1항, 제 2항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 수지조성물을 사용하여 형성된 도전체층을 포함하는 음극층이 형성된 고체전해콘덴서인 것을 특징으로 하는 전자부품.A dielectric oxide film, a solid electrolyte layer, and the electroconductor according to any one of claims 1, 2, 5 and 6, on an anode base made of a valve action metal. An electronic component comprising a solid electrolytic capacitor having a negative electrode layer including a conductor layer formed using a resin composition.
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