KR100614044B1 - 막-전극 어셈블리 및 이를 포함하는 연료전지 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하고, 미세 기공이 형성된 고분자 전해질 막을 포함하고,
Claims (16)
- 서로 대향하여 위치한 애노드 전극 및 캐소드 전극; 및상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 위치하고, 미세 기공이 형성된 고분자 전해질 막을 포함하고,상기 미세기공은 친수성 가소제를 이용하여 형성되는 것인 막-전극 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 미세 기공은 그 크기가 5 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 막-전극 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고분자 전해질막은 다공도가 5 내지 50%인 것을 특징으로 하는 막-전극 어셈블리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막은 퍼플루오로계 고분자, 벤즈이미다졸 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌설파이드 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 및 이들의 술폰산기 치환체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 막-전극 어셈블리.
- a) 수소 이온 전도성 고분자 및 친수성 가소제를 용매에 용해하는 단계;b) 얻어진 용액을 캐스팅하여 고분자 전해질 막을 제조하는 단계;c) 상기 고분자 전해질 막을 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 게재하고 가압 성형하여 막-전극 어셈블리를 제조하는 단계; 및d) 상기 막-전극 어셈블리를 용매에 함침시켜 고분자 전해질 막의 친수성 가소제를 추출함과 동시에 미세 기공을 형성하는 단계를 포함하는 막-전극 어셈블리의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 수소 이온 전도성 고분자는 퍼플루오로계 고분자, 벤즈이미다졸 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌설파이드 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 및 이들의 술폰산기 치환체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 친수성 가소제는 디부틸프탈레이트(dibutylphthalte; DBP), 디옥틸프탈레이트(dioctylphthalte; DOP), 인산 에스테르계(phosphoric esters) 및 디옥틸아세테이트(dioctylacetate; DOA)로 이루어진 군에서 선택되는 유기 화합물과; 수산기(-OH), 술폰산기(-SO3H) 및 아세트산기(-COOH)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 관능기를 포함하는 친수성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 친수성 고분자는 C1 내지 C10의 폴리알킬렌글리콜; C1 내지 C10의 폴리알킬렌옥사이드; C1 내지 C10의 폴리(알킬)아크릴산; 술폰산기를 가지는 방향족 또는 플루오르 고분자; 및 셀룰로오스계 고분자 단독 및 적어도 이들의 2종 이상의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 친수성 고분자는 수평균 분자량이 200 내지 50,000 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 수소 이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 친수성 가소제를 5 내지 50 중량부 혼합하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 단계 a) 및 단계 d)의 유기 용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 및 이소프로판올, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈 및 이소포론으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 단계 d)의 함침은 60 ℃ 미만의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법
- 서로 대향하여 형성된 애노드 및 캐소드 전극과, 상기 전극 사이에 형성되며, 나노 사이즈의 미세 기공이 형성된 고분자 전해질 막이 구비된 상기 제 1항 내지 제 4 항의 어느 한 항에 따른 막-전극 어셈블리와, 상기 막-전극 어셈블리의 양측에 세퍼레이터가 장착된 전기 발생부;수소를 함유한 연료를 상기 전기 발생부로 공급하는 연료 공급부; 및산소를 상기 전기 발생부로 공급하는 산소 공급부를 포함하는 연료 전지 시스템.
- 제 13 항에 있어서, 상기 미세 기공은 그 크기가 5 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 연료 전지 시스템.
- 제 13 항에 있어서, 상기 고분자 전해질막은 다공도가 5 내지 50%인 것을 특징으로 하는 연료 전지 시스템.
- 제 13 항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막은 퍼플루오로계 고분자, 벤즈이미다졸 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌설파이드 고분자, 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자, 폴리에테르-에테르케톤계 고분자, 폴리페닐퀴녹살린계 고분자 및 이들의 술 폰산기 치환체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종 이상의 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료 전지 시스템.
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KR1020040093429A KR100614044B1 (ko) | 2004-11-16 | 2004-11-16 | 막-전극 어셈블리 및 이를 포함하는 연료전지 시스템 |
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KR101093703B1 (ko) * | 2009-06-25 | 2011-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연료전지용 고분자 전해질막 및 그 제조방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20010061632A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 손재익 | 고분자 연료전지용 복합체 고분자막과 복합체고분자막/전극 접합체의 제조 방법 |
-
2004
- 2004-11-16 KR KR1020040093429A patent/KR100614044B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR20010061632A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 손재익 | 고분자 연료전지용 복합체 고분자막과 복합체고분자막/전극 접합체의 제조 방법 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
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한국공개특허공보 제2001-0061632호 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101093703B1 (ko) * | 2009-06-25 | 2011-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연료전지용 고분자 전해질막 및 그 제조방법 |
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