KR100612962B1 - 삼파장 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드 - Google Patents

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김창해
최경재
김재명
김경남
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한국화학연구원
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Abstract

본 발명은 삼파장 형광체를 이용한 백색 발광 다이오에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자외선 발광 다이오드칩에, 적색, 녹색 및 청색 형광체의 혼합 형광체를 도포한 후, 광을 투과하여 제조된 백색의 발광다이오드에 있어서, 상기 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광체로 특정의 380 ∼ 410 ㎚ 파장범위에서 발광하는 것을 선택 사용하고, 이를 특정 성분비로 혼합 제조한 형광체를 이용하여, 이를 상기 파장 범위에서 투과하여, 종래에 비해 발광 강도가 향상되고, 백색의 발현이 우수하며, 10 mW 이상의 고효율을 갖는 삼파장 형광체를 이용한 백색 발광 다이오에 관한 것이다.
380 ∼ 410 ㎚ 파장, 삼파장, 백색 발광 다이오드

Description

삼파장 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드{White light emitting diode based on the mixing of the tri-color phosphors}
도 1은 패키지 형태의 백색 발광 다이오드의 도면을 나타낸 것이다.
도 2는 탑 발광 다이오드의 도면을 나타낸 것이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 자외선 발광칩 2 : 은(Ag) 페이스트
3 : 삼원색 형광 물질 4 : 금(Au) 와이어
5 : 에폭시 6 : 리드 프레임
도 3은 본 발명의 적색, 녹색 및 청색 형광체를 405 nm 파장의 빛으로 여기될 때의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1 ∼ 3의 적색, 녹색 및 청색 형광체의 혼합비율에 따라 제조된 백색 발광 다이오드의 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=1:2:2 중량비)와 에폭시의 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=1:2:2 중량비)와 에폭시의 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 색좌표를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예 2에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=1.5:1:1.5 중량비)와 에폭시의 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예 2에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=1.5:1:1.5 중량비)와 에폭시의 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 색좌표를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예 3에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=1.5:1:2.5 중량비)와 에폭시의 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 실시예 3에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=1.5:1:2.5 중량비)와 에폭시의 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 색좌표를 나타낸 것이다.
도 11은 비교예 1에서 사용된 삼파장 형광체(적색:녹색:청색=4:3:3 중량비) 혼합비에 따른 백색 발광 다이오드의 스펙트럼을 나타낸 것이다.
본 발명은 삼파장 형광체를 이용한 백색 발광 다이오에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자외선 발광 다이오드칩에, 적색, 녹색 및 청색 형광체의 혼합 형광체를 도포한 후, 광을 투과하여 제조된 백색의 발광다이오드에 있어서, 상기 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광체로 특정의 380 ∼ 410 ㎚ 파장범위에서 발광하는 것을 선택 사용하고, 이를 특정 성분비로 혼합 제조한 형광체를 이용하여, 이를 상기 파장 범위에서 투과하여, 종래에 비해 발광 강도가 향상되고, 백색의 발현이 우수하며, 10 mW 이상의 고효율을 갖는 삼파장 형광체를 이용한 백색 발광 다이오에 관한 것이다.
반도체인 발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 기본적으로 PN 접합 다이오드이며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 광전자 소자이다. 실리콘 PN 접합이 전자정보혁명의 주역이였다면 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 PN 접합은 빛 혁명의 주역이다.
현재 InGaN 계열의 발광다이오드를 이용하여 백색을 구현하는 기술은 전 세계적으로 활발하게 진행되고 있는데 그 방법은 크게 두 가지로 구분하여 요약할 수 있다.
그 예로 단일 칩 형태의 청색이나 혹은 UV 발광다이오드 칩위에 형광물질을 결합하여 백색을 구현하는 기술과 멀티 칩 형태로 두 개나 세 개의 발광다이오드 칩을 서로 조합하여 백색을 얻는 방법으로 백색을 구현하는 기술이 주류를 이루고 있다.
하나의 칩에 형광체를 접목시키는 방법은 1990년대 후반에 들어 고휘도 청색 발광다이오드의 상용화가 이뤄짐에 따라 청색 발광다이오드를 기준 광원으로 사용 하여 노란색의 YAG(Yttrium Aluminum Garnet)형광체에 투사되면 입사된 빛이 여기되어 발광되는 빛은 500 ∼ 780 ㎚까지 발광하게 되며 이 빛들이 혼색에 의하여 백색 발광다이오드가 처음으로 등장하게 되었다. 백색 발광다이오드는 청색과 노란색의 파장 간격이 넓어서 색 분리로 인한 섬광효과를 일으키기 쉽다.
따라서, 색 좌표가 동일한 백색 발광다이오드의 양산이 어려우며, 조명 광원에서 중요한 변수인 색온도와 연색성 평가지수(CRI, Color Rendering Index)의 조절도 어렵다. 또한, 동작 환경 온도에 따라 색변환 현상이 치명적인 단점으로 되어 있다. 이에 따라 적색을 내는 형광물질을 첨가하여 발광 스펙트럼을 넓혀서 이러한 단점을 보완하고자 하는 시도도 있다.
UV 발광다이오드가 여기 광원으로 개발됨에 따라 단일 칩 방법으로 조명용 백색 발광다이오드 구현에 있어서 새로운 전기를 맞이하게 되었다.
이와 같은 방법은 전극 방전에 의해 254 ㎚, 185 ㎚ 또는 365 ㎚의 자외선으로 형광등 램프의 구현하는 방법과 매우 비슷한 것으로서 UV 발광다이오드 위에 청색, 녹색, 적색의 다층 형광물질을 도포하면, 백열전구와 같은 아주 넓은 파장 스펙트럼을 갖게 된다. 따라서 우수한 색 안정성을 확보할 수 있으며 색 온도와 연색성 평가지수를 어느 정도 마음대로 조절할 수 있어 조명용 발광다이오드 광원 구현을 위한 가장 우수한 방법으로 대두되고 있으나 휘도가 낮아 상용화되지 못하고 있다.
멀티 칩으로 백색 발광다이오드를 구현하는 방법으로 처음 시도된 것은 RGB의 3개 칩을 조합하여 제작하는 것이다. 그러나 각각 칩마다 동작 전압의 불균 일성, 주변온도에 따라 각각의 칩의 출력이 변해 색 좌표가 달라지는 현상 및 구동회로 추가 등의 문제점을 가지고 있다. 따라서 백색 발광다이오드의 구현보다는 회로 구성을 통해 각각의 발광다이오드 밝기를 조절하여 다양한 색상의 연출을 필요로 하는 특수 조명 목적에 적합한 것으로 판단된다. 색 좌표란 1931년 국제조명위원회(CIE)에서 정한 등색 함수에 따른 3색을 표시한 좌표로서, 색광 혼합량으로 시료의 색을 표시할 수 있으므로 산업계에 광범위하게 보급되어 색을 표시하는 기준으로 사용하고 있다. CIE에서 표시된 백색 영역은 때로 사용 목적에 따라 좁게 표시되는 경우가 있다. 한 예로 미국 자동차 엔지니어협회(SAE)에서는 규정서 J578에서 자동차에 쓰이는 백색의 범위를 좁게 정의하고 있다.
최근에는 보색 관계를 갖는 2개의 발광다이오드를 결합하여 만드는 BCW(Binary Complementary) 발광다이오드가 출현했다. 주황색과 청녹색을 4 : 1의 비율로 섞으면 백색광이 되는데 주황색에서 적색까지의 발광색을 조절할 수 있는 InGaAlP 발광다이오드의 경우 성능 지수가 100 lm/W를 초과함에 따라 현재 조합된 백색 발광다이오드의 조명 효율이 형광등과 가까운 정도이다. 그러나, 현재 발광다이오드의 적용분야가 연색성을 중요시하는 모니터 등의 디스플레이 백라이트에 집중됨에 따라 상용화에는 어려움이 있다.
이에, 본 발명자들은 단일칩을 이용하여 제조된 백색 발광 다이오드의 발광 효율을 보다 향상시키기 위하여 연구 노력하였다. 그 결과, 380 ∼ 410 ㎚범위 의 자색광을 내는 파장 범위에서 발광이 가능한 각각의 적색, 녹색 및 청색의 삼파장 형광물질을 일정 성분비로 혼합한 형광체 혼합물을 도포한 후, 상기 380 ∼ 410 ㎚범위의 자색광을 투과하여 제조한 백색 발광다이오드는, 상기 특정 범위의 파장에서 발광하는 각각 460 nm, 520 nm 및 580 nm의 삼파장 형광물질에 의해 우수한 연색성 평가지수(CRI)값과 색온도를 조절 할 수 있게 되고, 종래에 비해 380 ~ 700 nm의 파장범위에서 폭 넓게 발광하게 되므로 발광강도가 월등히 향상되고, 색상의 발현이 우수하게 된다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은 특정의 삼파장 형광체와 특정 범위의 자색광을 이용한 발광강도 및 색상의 발현성이 월등히 향상된 백색 발광다이오드를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명은 자외선 발광 다이오드칩에, 적색, 녹색 및 청색 형광체를 도포한 후, 광을 투과한 백색의 발광다이오드에 있어서,
상기 형광체는
(1) 실리케이트계, 황화물계 또는 이들이 혼합된 적색 형광체 10 ∼ 30 중량%;
(2) 알칼리토금속 실리케이트계, 알칼리토금속황화갈륨계 또는 이들이 혼합된 녹색 형광체 30 ∼ 50 중량%; 및
(3) 알칼리토금속 실리케이트계, 알칼리토금속 알루미네이트계, 할로인산염 계 또는 이들이 혼합된 청색 형광체 30 ∼ 50 중량%가 혼합된 혼합 형광체를 사용하고,
상기 혼합 형광체는 380 ∼ 410 ㎚범위의 자색광을 투과한 백색 발광다이오드에 그 특징이 있다.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 단일칩 및 삼색파장을 이용한 백색 발광다이오드에 관한 것으로, 특정의 380 ∼ 410 ㎚ 파장범위에서 발광특성을 갖는 적색, 녹색 및 청색의 형광체를 특정의 비로 혼합한 형광체를 사용하고, 이를 상기 파장을 갖는 자색광을 투과하여 제조된 백색 발광다이오드이다.
일반적으로 백색 발광다이오드는 청색 발광칩에 황색 형광체를 사용하거나, 자외선 발광칩에 적색, 녹색 및 청색의 혼합 형광체를 도포하여 제조하는 방법이 널리 사용되고 있다. 본 발명은 후자의 경우를 이용한 방법으로, 발광 및 색상의 발현을 향상시키기 위하여 특정의 파장 범위를 갖는 형광체를 선택하고 이의 혼합비를 한정한 것에 기술구성상의 특징이 있는 것이다. 종래의 혼합 형광체는 각각은 185 ㎚, 254 ㎚ 및 365 ㎚ 등의 파장을 갖는 것을 사용하였는 바, 이는 형광 램프를 제조하기 위해서였다. 그러나, 본 발명은 UV LED에 이용하기 위한 것으로, 각각의 형광체를 380 ∼ 410 ㎚ 파장범위를 갖는 것을 선택 사용하고, 또한 이를 특정의 혼합비를 유지하도록 한정함으로써 종래에 비해 향상된 발광강도 및 우수한 색상의 발현이 가능하게 된 것이다. 이와 같이 제조된 백색 발광다이오드는 10 mW 이상의 고효율을 갖게 된다.
본 발명의 백색 발광다이오드에 대하여 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1의 패키지 형태 및 도 2의 탑 형태에서 보여지는 바와 같이, 패키징 프레임 또는 리드 프레임 등으로 구성되는 자외선 발광 다이오드 칩에, 혼합 형광체를 직접 또는 간접적으로 도포한다. 이때, 패키징 프레임은 인쇄회로 프레임(Printed Circuit Board, PCB), 세라믹 프레임, 실리콘 프레임 및 금속 프레임 등을 사용할 수 있다.
상기 방법은 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 본 발명에서는 특별히 한정하지는 않는다.
본 발명은 상기 사용되는 혼합 형광체로, 각각 380 ∼ 410 ㎚ 파장범위에서 발광이 가능한 적색, 녹색 및 청색의 형광체를 선택 사용하며, 또한 이를 특정의 비로 혼합 사용한 것에 기술구성상의 특징이 있는 것이다.
이러한 형광체는 당 분야에서 일반적으로 사용되며, 상기 파장범위에서 발광이 가능한 것으로 특별히 한정하지는 않는다. 본 발명에서는 밴드 폭이 넓고 중심 파장이 580 nm의 특성을 갖는 실리케이트계 적색 형광체, 예를 들면 Si3SiO5:Eu, SrS:Eu 및 CaS:Eu 중에서 선택 사용하는 것이 좋으며, 녹색 형광체는 밴드 폭이 넓고 중심 파장이 520 nm의 특성을 갖는 것으로 알칼리토금속 실리케이트계, 알칼리토금속황화갈륨계 또는 이들이 혼합된 녹색 형광체, 예를 들면 Sr2SiO4:Eu, Ba2MgSi2O7:Eu, Ba2SiO4:Eu, Sr2SiO4:Eu, CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 및 BaGa2S4:Eu 중에서 선택 사용하는 것이 좋다. 또한, 청색 형광체는 밴드 폭이 넓고 중심 파장이 460 nm인 특성을 갖는 것으로 알칼리토금속 실리케이트계, 알칼리토금속 알루미네이트계, 할로인산염계 또는 이들이 혼합된 청색 형광체, 예를 들면 Ca3MgSi2O8:Eu, Ba3MgSi2O8:Eu, Sr3MgSi2O8:Eu, BaMgAl10O17:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu 및 Mg5(PO4)3Cl:Eu 중에서 선택 사용하는 것이 좋다. 상기 구체적인 형광체는 본 발명자들에 의해 이미 제조된 것으로 이들을 사용하는 것이 보다 효율적이다.
상기한 각각의 적색 : 녹색 : 청색 형광체는 10 ∼ 30 중량% : 30 ∼ 50 중량% : 30 ∼ 50 중량%의 비로 혼합 사용한다. 적색 형광체의 사용량이 10 중량% 미만이면 청녹색이 강한 백색이 구현되고, 50 중량%을 초과하는 경우에는 적색이 강한 백색이 구현되는 문제가 발생하며, 녹색 형광체의 사용량이 30 중량% 미만이면 백색 구현이 안 되고 50 중량%을 초과하는 경우에는 녹색이 강한 녹색이 구현되는 문제가 발생한다. 또한, 상기 청색 형광체의 사용량이 30 중량% 미만이면 녹적색이 강한 백색이 구현되고 50 중량%를 초과하는 경우에는 청색이 강한 백색이 구현되는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 범위는 종래의 혼합비에 의해 적색, 녹색, 청색의 형광체의 혼합비에 따른 효율, 색온도, CRI값을 결정 할 수 있다는 것으로 본 발명은 형광체의 선택 사용과 함께 이들의 혼합비가 중요인자로 작용하게 된다.
이러한 삼파장 형광체를 도포한 후, 상기 380 ∼ 410 ㎚ 범위의 자색광을 투 과하여 백색 발광다이오드를 제조한다. 상기 도포 시 일반적으로 에폭시 수지를 혼합 사용하는 것이 일반적이며, 삼파장의 혼합 형광체와 에폭시의 중량비의 변화는 효율과 색온도를 결정하는 중요한 요소이다. 본 발명에서는 삼파장의 혼합 형광체와 에폭시의 비를 에폭시에 대해서 혼합 형광체의 중량은 20 ∼ 50 중량%로 혼합 사용하는 것이 바람직하다. 상기 혼합 형광체의 사용량이 20 중량% 미만이면 혼합 형광체의 양이 적어 UV 칩에서 나오는 피크가 강하게 되고 50 중량%를 초과하는 경우에는 혼합 형광체의 양이 많아 효율이 저하되는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
상기에서 제조된 백색 발광다이오드는 특정의 파장범위에서 발광하는 적색, 녹색 및 청색 형광체를 선택 사용하고, 이를 특정의 비율로 혼합 사용하여, 종래에 비해 발광 강도가 향상되고, 백색의 발현이 우수하며, 10 mW 이상 바람직하기로는 10 ∼ 30 mW의 고효율을 갖게 된다. 이는 종래에 비해 월등히 향상된 것으로, 본 발명에 의해 구현이 가능하다.
이와 같은 본 발명을 실시예에 의거하여 상세하게 설명하겠는 바, 본 발명이 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 : 적색, 녹색, 청색 형광체의 삼파장을 이용한 백색 발광 다이오드
다음 도 1과 도 2는 각각 패키지형 백색 발광 다이오드와, 탑 백색 발광 다이오드를 나타낸 것이다. 이러한 백색 발광 다이오드는 전극을 가지며, 은(Ag) 페이스트로 접착 고정된 LED칩을 가지며, 상기 LED칩은 금(Au)와이어에 의해 전극에 전기적으로 접속되고 있다. 상기 LED칩은 홀컵내에 수용되고, 상기 홀컵은 수지와 삼파장 형광체의 혼합물이 경화 처리되어 혼합물 경화부를 이루고 있다. 이후에 380 ∼ 410 ㎚범위의 자색광을 투과하였다. 이렇게 형성된 것을 수지 몰딩를 형성하여 최종 제품으로 제조되었다. 이때, 도 2에서 혼합물 경화부는 리플레터내에 형성되었다.
실시예 2 ∼ 8 : 적색, 녹색, 청색 형광체의 삼파장을 이용한 백색 발광 다이오드
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 삼파장 형광체를 다음 표 1에 나타낸 조성과 함량으로 사용하여 백색 발광 다이오드 제조를 하였다.
상기에서 사용된 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광체의 발광광도를 측정하여 다음 도 3에 나타내었고, 이를 각각의 비율로 혼합하여 제조된 백색 발광 형광체의 발광강도를 측정하여 다음 도 4에 나타내었다.
구 분 적색형광체 녹색형광체 청색형광체 혼합비(중량%)
실시예 1 Sr3SiO5:Eu Sr2SiO4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 1:2:2
실시예 2 Sr3SiO5:Eu Sr2SiO4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 1.5:1:1.5
실시예 3 Sr3SiO5:Eu Sr2SiO4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 1.5:1:2.5
실시예 4 Sr3SiO5:Eu Ba2SiO4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 1:2:5
실시예 5 Sr3SiO5:Eu SrGa2S4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 1:2:5
실시예 6 Sr3SiO5:Eu CaGa2S4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 1:2:5
실시예 7 SrS:Eu Sr2SiO4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 0.5:1.5:3
실시예 8 CaS:Eu Sr2SiO4:Eu Sr3MgSi2O8:Eu 0.5:1.5:3
실시예 9 ∼ 11
상기 실시예 1 ∼ 3의 각각의 비율로 혼합된 삼파장 형광체와 에폭시 수지를 다음 표 2에 나타낸 비율로 혼합하여 백색 발광 다이오드를 제조하였다.
상기에서 제조된 백색 발광 다이오드의 발광강도 및 색좌표를 측정하여 다음 도 5 ∼ 10에 나타내었다.
구 분 삼파장 형광체 에폭시 수지 (대주정밀화학) 혼합비 (중량%)
실시예 9 실시예 1 경화제:주제 1:1로 혼합 0.164:1
0.334:1
실시예 10 실시예 2 경화제:주제 1:1로 혼합 0.135:1
0.308:1
0.428:1
실시예 11 실시예 3 경화제:주제 1:1로 혼합 0.128:1
0.159:1
0.278:1
0.338:1
상기 표 2의 혼합비로 제조된 백색 발광 형광체는 도 5, 7 및 9에서 살펴본 바와 같이, 삼파장 형광체의 함량이 증가할수록 발광강도가 향상됨을 알 수 있었다.
또한, 도 6, 8 및 10의 색좌표에서 나타낸 바와 같이, 적색, 녹색 및 청색의 삼색 형광체를 혼합하여 제조한 백색 LED는 흑체 복사 곡선을 따라 이동한다는 것을 확인할 수 있었다.
비교예 1
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 적색, 녹색 및 청색 형광체의 비율을 40 : 30 : 30 중량비로 혼합하고, 이를 이용하여 발광 다이오드를 제조하였다. 도 11에서와 같이 적색의 형광체가 많이 혼합된 경우에는 상대적으로 청색과 녹색의 빛이 적어 적색이 강한 백색이 구현된다.
상기 비교예 1은 각각의 형광체가 본 발명에서 한정된 범위를 벗어나는 경우에 해당되는 것으로 백색 LED를 구현하기 위해서는 삼색 형광체의 적절한 혼합이 필요하며 삼색 형광체의 혼합비를 변화시킴으로써 모든 백색 영역의 구현이 가능하다는 것을 확인할 수 있었다.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 특정의 파장범위에서 발광하는 적색, 녹색 및 청색 형광체를 선택 사용하고, 이를 특정의 비율로 혼합 사용하여, 종래에 비해 발광 강도가 향상되고, 백색의 발현이 우수하며, 10 mW 이상의 고효율을 갖는 백색 발광다이오드의 제조가 가능하게 된다.

Claims (5)

  1. 자외선 발광 다이오드칩에, 적색, 녹색 및 청색 형광체의 혼합 형광체를 도포한 후, 광을 투과한 백색의 발광다이오드에 있어서,
    상기 형광체는
    (1) 실리케이트계, 황화물계 또는 이들이 혼합된 적색 형광체 10 ∼ 30 중량%;
    (2) 알칼리토금속 실리케이트계, 알칼리토금속황화갈륨계 또는 이들이 혼합된 녹색 형광체 30 ∼ 50 중량%; 및
    (3) 알칼리토금속 실리케이트계, 알칼리토금속 알루미네이트계, 할로인산염계 또는 이들이 혼합된 청색 형광체 30 ∼ 50 중량%이 혼합된 혼합 형광체를 사용하고,
    상기 혼합 형광체는 380 ∼ 410 ㎚범위의 자색광을 투과한 것임을 특징으로 하는 백색 발광다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 적색 형광체는 Si3SiO5:Eu, SrS:Eu 및 CaS:Eu 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 백색 발광다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 녹색 형광체는 Sr2SiO4:Eu, Ba2MgSi2O7:Eu, Ba2SiO4:Eu, Sr2SiO4:Eu, CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 및 BaGa2S4:Eu 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 백색 발광다이오드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 청색 형광체는 Ca3MgSi2O8:Eu, Ba3MgSi2O8:Eu, Sr3MgSi2O8:Eu, BaMgAl10O17:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu, Sr5(PO4)3Cl:Eu 및 Mg5(PO4)3Cl:Eu 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 백색 발광다이오드.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제조된 백색 발광다이오드는 발광도가 10 ∼ 30 mW인 것임을 특징으로 하는 백색 발광다이오드.
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