KR100609438B1 - 멀티모드 섬유 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

850 nm 윈도우에서 220 MHz.km 이상의 제1 레이저 대역폭, 850 nm 윈도우에서 500 MHz. km 이상의 제2 레이저 대역폭 및 300 nm 윈도우에서 적어도 500 MHz.km의 제2 OFL 대역폭을 갖는 멀티모드 광섬유(10)를 개시한다. 멀티모드 섬유는 LED 동력 소스 및 고 동력 레이저 소스를 사용하는 원거리통신 시스템을 작동할 수 있다. 멀티모드 광섬유를 제조하고 시험하는 방법을 개시한다.

대역폭, 멀티모드 광섬유, LED 동력 소스, 레이저 소스, 원거리통신 시스템

Description

멀티모드 섬유 및 그 제조방법{A multimode fiber and method for forming it}

본 출원은 1999년 2월 22일에 출원된 미국 특허 출원 제 60/121,169 및 2000년 1월 6일에 출원된 미국 특허 출원 제 60/174,722의 우선권을 주장하여, 이 내용은 전체적으로 여기서 참고 문헌으로 포함되고, 미국 특허법 35 U.S.C. §120에 근거하여 우선권을 주장한다.

본 발명은 일반적으로 멀티모드 광섬유 및 높은 데이터 속도를 사용하는 시스템뿐만 아니라 낮은 데이터 속도를 사용하는 원거리통신 시스템에 사용하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 멀티모드 광섬유와 일반적인 발광 다이오드 소스뿐만 아니라 종래 레이저 소스의 상태를 위해 고안된 적용에 대해 최적화된 방법에 관한 것이다.

본 발명은 광범위한 적용이 가능하며, 특히, 1 기가바이트/초 이상의 속도로 데이터를 전송하는 원거리통신 시스템에서의 이용에 매우 적합하다.

원거리통신 산업의 목적은 일반적으로 단시간에 더 먼 거리로 더 많은 정보를 전송하는 것이다. 시간에 따라, 이 대상물은 시야에서 정해진 끝이 없는 움직이는 표적으로 보여지게 된다. 수많은 시스템 사용자들과 시스템 사용 빈도가 증가함 에 따라 시스템 소스에 대한 요구도 또한 증가하고 있다.

최근까지, 데이터 네트워크는 다소 낮은 데이터 속도를 사용하는 근거리지역통신망(LANs)으로 제공되었다. 이에 대해, 발광 다이오드(Light Emitting Diodes: LEDs)는 이들 적용에서 가장 일반적인 광원을 갖고 유지한다. 그러나, 데이터 속도가 LEDs의 변조 용량 이상으로 증가하기 시작할 때, 시스템 프로토콜은 LEDs로부터 레이저 소스로 이동한다. 이 이동은 1 기가바이트/초 이상의 속도에서 정보를 전달할 수 있는 최근의 이동 투워드 시스템(shift toward system)으로 확인되었다.

그 전송 속도는 LANs의 용량을 크게 증가시킬 것이고, 시스템 오너에 대해 직접적인 관심을 야기할 것이다. 현재 원거리통신 시스템에 사용되는 멀티모드 광섬유는 주로 LED 소스와 함께 사용되도록 고안되고, 일반적으로, 1 기가바이트/초 이상의 속도에서 정보를 전송하도록 고안된 시스템에서 작동되는 레이저와의 사용에 대해 최적화되지 않는다. 레이저 소스는 LED 소스와 비교하여 멀티모드 섬유 질과 디자인에 대한 다른 요구가 있다. 종래, 멀티모드 섬유의 코어에서 굴절률 프로파일은 LED 소스로 높은 대역폭을 생성하도록 변화되고, 이는 코어를 과충전하는 경향이 있다. LED 소스 입력 펄스로부터 광도 분포와 섬유의 굴절률 프로파일의 조합은 다소 평탄한 상승과 저하를 갖는 출력 펄스를 야기하는 과충전 모드 가중을 생성한다. 이상적 포물형 굴절률 프로파일로부터의 작은 이탈로 생성된 피크 또는 플라토가 발생할지라도, 그 크기는 낮은 데이터 속도에서 시스템 성능에 영향을 미치지 않는다. 그러나, 레이저를 기초로 한 시스템에서, 소스의 조도 분포는 멀티모드 섬유의 중심에 인접하여 그 동력을 집중시킨다. 결과로, 섬유 프로파일에서 작 은 이탈은 임펄스 상승 및 저하에서 상당한 섭동을 생성할 수 있고, 이는 시스템 성능에 큰 영향을 미친다. 이 효과는 과도하게 낮은 대역폭, 과도하게 높은 일시적 지터 또는 그 양쪽의 형태로 나타내어질 수 있다. 오프셋 런치 모드 조절 패치 코드 또는 레이저 빔 팽창기 등의 소스의 런치 조건을 변화시켜서 어느 정도로 이들 결함을 수정하는 것이 가능할 지라도, 대체로, 시스템 사용자에 대한 실제적인 해결은 없다.

LAN 시스템에 대한 전형적인 캠퍼스 레이아웃은 특정된 연결 길이를 충족하도록 고안된다. 캠퍼스 백본(빌딩 사이를 통하는)은 기본적으로 약 2 km의 연결 길이를 갖는다. 빌딩 백본 또는 라이저(빌딩의 바닥 사이를 통하는)는 대체로 약 500 m의 연결 길이를 갖는다. 수평 연결 길이(빌딩 바닥 위의 사무실 사이를 통과하는)는 대체로 약 100 m의 연결 길이를 갖는다. 10 메가바이트 이더넷 등의 종래의 LAN 기술은 표준 등급 멀티모드 광섬유로 2 km 연결 길이를 얻을 수 있다. 그러나, 기가바이트/초 및 더 높은 전속 속도가 가능한 차세대 시스템은 최근에 유용한 표준 멀티모드 섬유로 이들 연결 길이의 전체를 이룰 수 없다. 850 nm 윈도우에서, 표준 멀티모드 섬유는 대략 220 m의 연결 길이로 제한된다. 1300 nm 윈도우에서, 표준 등급 섬유는 단지 약 550 m의 연결 길이로 제한된다. 따라서, 최근의 기술은 많아야 세가지 캠퍼스 연결 길이 중 약 2개를 포함하는 것이 가능하다. 기가바이트/초, 전송 속도에 대한 LAN을 완전히 가능하게 하기 위해, 세가지 연결 길이의 각각 위에 정보를 전송할 수 있는 멀티모드 섬유가 필요하다.

여기서, 과충전된(OFL) 대역폭은 EIA/TIA 455-54A FOTP-54 "멀티모드 섬유에 과충전 런칭 조건에 대한 모드 스크램블러 요구"에 한정되 런치 조건으로 EIA/TIA 455-51 FOTP-51A, "멀티모드 유리 광섬유 정보 전송력의 펄스 왜곡 측정"에서 기술된 표준 측정 기술을 사용하여 대역폭으로 한정된다.

여기서, 레이저 대역폭은 EIA/TIA 455-51A FOTP-51 및 하기의 두 가지 런치 조건 방법 중 하나에 기술된 표준 측정 기술을 사용하여 한정되고, 측정되었다. 방법(a)는 1300에서 3 dB 대역폭을 측정하고, 방법(b)는 850 nm에서 3 dB를 측정하는데 사용된다. 1300 nm에서 3 dB를 측정하는 데 사용되는 방법(a)는 50 mm 직경 굴대 주위를 두 번 감싼 2 m 표준 스텝형 단일 모드 섬유 패치 코드의 접속으로 수정된 출력비 런치 연계된 카테고리 5로 4 nm RMS 분광 너비 1300 nm 레이저를 사용한다. 런치 조건은 또한, 단일 모드 섬유 패치 코드와 멀티모드 섬유의 코어의 중심축 사이에서 4 ㎛ 측면 오프셋이 시험 하에서 생성되는 방식으로 멀티모드 섬유의 그것으로부터 단일 모드 섬유의 중심축을 기계적으로 오프셋하여 수정된다. 주: 출력비에 연계된 카테고리 5는 TIA/EIA 526-14A OFSTP 14 부록 A "설비된 멀티모드 섬유 케이블 플랜트의 광 동력 로스 측정"에 기술되고, 그 과정을 사용하여 측정된다.

850 nm에서 3 dB 레이저 대역폭을 측정하는데 사용되는 방법(b)는 EIA/TIA 455-54A FOTP 54에 기술된 바와 같이, 0.208 개구수와 2의 알파로 규격화된 굴절률 프로파일을 갖는 특별히 고안된 멀티모드 섬유의 1 m 길이에 연결된 0.85 nm RMS 분광 너비 850 nm OFL 런치 조건을 사용한다. 그 섬유는 23.5 ㎛ 직경 코어에 1.3 굴절률 델타(델타=n_o ²-n_c ²/2n_on_c, 여기서, n_o=코어 굴절률 및 n_c=피복재 굴절률)를 갖는 표준 50 ㎛ 직경 코어 멀티모드 섬유를 생성하도록 제조될 수 있다.

오늘날, 거리를 증가시키기 위해, 제조자들은 대체로 굴절률 프로파일의 형태를 변화시켜서 두 개의 파장 윈도우 사이에서 대역폭을 이동시킨다. 이루어진 변화에 따라, 결과는 1300 nm 윈도우에서 낮은 OFL 대역폭을 갖는 850 nm 윈도우에서 높은 OFL 대역폭 또는 1300 nm 윈도우에서 높은 OFL 대역폭을 갖는 850 nm에서 낮은 대역폭이다. 예컨대, 표준 2% 델타 62.5 ㎛ FDDI-형 섬유에 대해 굴절률은 850 nm에서 1000 MHz.km 및 1300 nm에서 300 MHz.km의 OFL 대역폭을 야기하도록 조절될 수 있거나, 850 nm에서 250 MHz.km 및 1300 nm에서 4000 MHz. km의 OFL 대역폭을 야기하도록 조절될 수 있다. 표준 "알파' 프로파일을 갖는 멀티모드 광도파관 섬유에도 불구하고, 850 nm에서 1000 MHz.km 및 1300 nm에서 4000 MHz.km의 OFL 대역폭을 달성하는 것이 불가능하다. 더욱 일반적으로, 허용을 제조하는 것은 600 MHz.km/1000 MHz.km이 아닌 600 MHz.km/300 MHz.km 또는 200 MHz.km/1000 MHz.km의 850 nm/1300 nm OFL 대역폭을 가능하게 한다.

그러나, 기가바이트/초에 대해 필수적인 공지의 대역폭 이동 사이에서 단절이 있다. 고속 레이저는 기가바이트/초 이상의 속도에서 정보를 전달하도록 고안된 LANs에 대한 표준 광 소스이기 때문에, 850 nm와 1300 nm 윈도우 사이에서 증가된 대역폭을 갖는 멀티모드 광섬유가 바람직하다.

또한, 그 LANs이 초기 단계이기 때문에, 1 기가바이트/초 이상의 전송 속도 를 충족시키거나 능가하는 모든 필수적인 시스템 구성이 아직 완전히 적합되거나 실행, 및/또는 실험되지 않았다. 이에 대하여, 높은 데이터 속도를 충족시키거나 능가하도록 고려된 새로운 LAN 시스템으로 존재하는 LAN 시스템을 대치하는 것이 실행되지 않았다. 반면, 이 결과를 달성할 수 있을 지라도, 그 과정은 하기와 같이 시스템 및 잠재적으로 전체 시스템의 재생에 대해 비용을 증가시킬 것이다.

발명의 요약

본 발명은 상기 기술된 연결 길이 요구 이상이며, 제2 데이터 전송 당 1.0, 2.5 및 10 기가바이트 정도의 높은 속도 레이저 소스에 대해 최적화된 멀티모드 광섬유에 관한 것이다. 또한, 동일한 멀티모드 광섬유는 충분히 높은 OFL 대역폭을 유지하여 현재 LAN 시스템에서 사용되는 1300 nm 및 850 nm LED 소스에 의한 정보의 전송을 지지한다. 이 멀티모드 광섬유는 현재의 LAN 시스템 사용자가 그들의 현재 LED를 기초로 한 LAN 시스템을 유지할 수 있게 하고, 동시에 그들이 값비싼 멀티모드 섬유 업그레이드 없이 용이하게 "기가바이트 이더넷 시스템"으로 전송할 수 있게 한다. 여기 사용된 "기가바이트 이더넷 시스템"은 1 기가바이트/초 이상의 속도에서 데이터를 전송할 수 있는 LAN 등의 원거리통신 시스템으로 정의된다.

따라서, 본 발명의 한 관점은 850 nm 윈도우에서 220 MKHz.km 이상의 제1 레이저 대역폭, 1300 nm 윈도우에서 500 MHz.km 이상의 제2 레이저 대역폭, 850 nm 윈도우에서 적어도 160 MHz.km의 제1 OFL 대역폭 및 1300 nm 윈도우에서 적어도 500 MHz.km의 제2 OFL 대역폭을 갖는 멀티모드 섬유에 관한 것이다.

이 멀티모드 광섬유는 원거리통신 산업에서 다양한 용도를 갖고, 특히 고속 레이저 소스를 사용하는 원거리통신 시스템에서의 용도에 매우 적합하다. 섬유는 현재 LAN 시스템에서 사용되는 LED 소스에 대해 충분한 OFL 대역폭을 제공하는 추가된 이점을 갖는다.

다른 관점에서, 본 발명은 1 기가바이트/초 이상의 속도에서 데이터를 전송할 수 있는 멀티모드 전송 시스템에 관한 것이다. 멀티모드 전송 시스템은 적어도 1 기가바이트/초의 정보를 전송하는 레이저 소스와 레이저 소스와 통신하는 멀티모드 광섬유를 포함한다. 멀티모드 광섬유는 정보를 적어도 500 m 수송할 수 있는 850 nm 윈도우에서 적어도 385 MHz.km의 제1 레이저 대역폭을 갖는다. 멀티모드 광섬유는 또한, 정보를 적어도 1000 m 수송하기 위한 1300 nm 윈도우에서 적어도 746 MHz.km의 제2 레이저 대역폭을 갖는다. 또한, 멀티모드 광섬유는 850 nm와 1300 nm LED 소스로 사용될 정도의 충분히 높은 제1 및 제2 OFL 대역폭을 포함한다.

본 발명의 다른 관점은 62.5 ㎛ 코어 및 코어 결합 피복재를 갖는 멀티모드 광섬유에 관한 것이다. 피복재는 코어의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 갖고, 멀티모드 광섬유는 1300 nm의 파장에서 측정될 때, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제1 영역과 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제2 기울기 영역을 포함한다. 바람직하게는 제1 영역의 기울기는 제2 영역의 기울기 보다 크다. 더욱 바람직하게는, 제1 영역의 기울기는 제2 영역의 기울기의 1.5 배 이상이다.

다른 관점에서, 본 발명은 멀티모드 광섬유의 제조방법에 관한 것이다. 본 방법은 전구체 반응물과 적어도 하나의 도판트 반응물을 함유하는 실리카를 열화학적으로 반응시켜 수트를 형성하고, 특정 성질을 갖는 유리 예비성형품을 생성할 수 있는 적당한 방식으로 표적에 수트를 전달하는 단계들을 포함한다. 유리 예비성형품은 62.5 ㎛ 코어 영역과 코어 영역과 결합하는 피복재 영역을 갖는 멀티모드 광섬유로 인발한다. 반응 단계는 1300 nm의 파장에서 측정될 때, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 제1 영역 위에서 측정된 제1 평균 기울기 및 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 제2 영역 위에서 측정된 제2 평균 기울기를 갖고, 제1 평균 기울기가 제2 평균 기울기보다 큰 DMD 프로파일을 나타내는 멀티모드 광섬유를 생성하는데 적당한 수트 증착 처리법에 따라 전구체 반응물과 도판트 반응물을 선택하는 것을 포함한다.

본 발명의 멀티모드 광섬유는 종래 공지된 다른 멀티모드 광섬유 보다 많은 이점을 야기한다. 그 한 가지는 본 발명의 멀티모드 광섬유가 LED 소스뿐만 아니라 고속 레이저 소스와의 이용에 매우 적절하다는 것이다. 따라서, 본 발명의 멀티모드 광섬유는 LED 소스를 사용하는 종래 근거리지역통신망으로 사용될 수 있고, 고속 레이저 소스를 사용하는 기가바이트 이더넷 시스템으로 사용될 수 있다.

또한, 본 발명의 멀티모드 광섬유는 기가바이트 이더넷 시스템 프로토콜에 대한 1300 nm 작동 윈도우에서 작동이 가능하도록 사용되는 값비싼 모드 조절 패치 코드에 대한 요구를 없앤다. 많은 멀티모드 광섬유에 대해, 모드 조절 패치 코드는 대체로 일부 제조 공정으로부터 생긴 중심선 프로파일 결함을 제거하기 위해 멀티 모드 섬유의 중심으로부터 벗어나도록 동력을 움직이는데 사용된다. 본 발명의 바람직한 멀티모드 광섬유는 외부 증착 공정(OVD)을 사용하여 제작되기 때문에, 본 발명의 바람직한 멀티모드 광섬유는 중심선 프로파일 결함을 감소시킨다. 따라서, 모드 조절 패치 코드가 본 발명의 바람직한 섬유의 1300 nm 작동 윈도우에서 작동하도록 더 이상 요구되지 않고, 따라서, 중심 런치 위 또는 약간의 오프셋으로 접속기 허용을 느슨하게 하여 설비와 사용의 용이함을 야기한다.

게다가, 본 발명의 멀티모드 광섬유는 780 nm 패브리-페롯(Fabry-Perot) 레이저, 850 nm 버티칼 캐버티 서피스 에미팅 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting: VCSELs), 1300 nm 패브리-페롯 레이저 및 앞으로 고안될 저 비용 1300 nm 전송기에 제한되지 않는 다양한 레이저 소스로 레이저 성능을 최적화한다. 본 발명의 멀티모드 광섬유는 또한 더욱 진보된 원거리통신 시스템에서 고성능 레이저로 사용될 때 상당한 연결 길이에 걸쳐 2.5 및 10 기가바이트/초에서 작동을 지지하도록 고안된다.

본 발명의 추가 특징 및 이점은 하기 상세한 기술에서 나타낼 것이고, 부분적으로 기술로부터 종래 공지 기술로 쉽게 명확해지거나 또는 첨부된 도면과 기술 및 청구항에 기술된 본 발명을 실시하여 인식될 것이다.

이전의 일반적인 기술과 하기의 상세한 기술 모두는 본 발명의 단지 예시에 불과하고, 청구된 본 발명의 본질 및 특성을 이해하기 위한 전체적 구조를 제공하는 의도이다. 첨부 도면은 또한 본 발명의 이해를 제공하기 위해 포함되고, 이 명세서의 일부로 포함되고 구성된다. 도면은 본 발명의 하나 이상의 실시형태를 기술 하고, 상기 기술과 함께 본 발명의 원리 및 동작의 설명을 제공한다.

도 1은 본 발명의 멀티모드 광섬유의 바람직한 실시형태의 투시도이다.

도 2는 1300 nm에서 측정된 도 1의 멀티모드 광섬유의 DMD 프로파일 커브이다.

도 3은 850 nm에서 측정된 도 1의 멀티모드 광섬유의 DMD 프로파일 커브이다.

도 4는 1300 nm에서 측정된 본 발명의 멀티모드 광섬유의 제2의 바람직한 실시형태의 DMD 프로파일 커브이다.

도 5는 도 1의 멀티모드 광섬유의 DMD 프로파일 커브 및 1300 nm에서 측정된 제2의 바람직한 멀티모드 광섬유에 대한 DMD 프로파일 커브를 도시하는 그래프이다.

도 6은 다양한 레이저 소스에 대한 도1의 광섬유의 대역폭을 도시한다.

도 7은 도 2의 DMD 프로파일을 갖는 본 발명의 멀티모드 광섬유의 제1의 바람직한 실시형태의 굴절률 프로파일 커브이다.

도 8은 도 4의 DMD 프로파일을 갖는 본 발명의 멀티모드 광섬유의 제2의 바람직한 실시형태의 굴절률 프로파일 커브이다.

공지의 레이저 소스와 더욱 일반적인 LED 소스의 상태를 사용하는 적용에 대해 모두 최적화되는 멀티모드 광섬유에 대한 굴절률 프로파일이 개시된다. 알파 굴 절률 프로파일은 반지름에 따라 다양할 수 있는 프로파일 형태를 개시한다. 본 발명에서, 굴절률 프로파일은 일반적으로 심볼(α)로 표시되는 적어도 "알파" 지수들을 갖는 적어도 두 가지 영역을 포함하여, 굴절률 프로파일이 프로파일의 중심에 인접한 알파 또는 하나 이상의 레이저 소스(하나 이상의 파장에서)에 대해 최적화된 알파들에서 프로파일의 외부에 인접한 알파 또는 LEDs(하나 이상의 파장에서)에 대해 최적화된 알파들까지 평탄하게 변화한다. 그러한 굴절률 프로파일을 갖는 멀티모드 광섬유는 1 기가바이트/초 이상의 속도에서 정보를 전달할 수 있는 원거리통신 시스템에 대해 기록된 이상의 거리와 데이터 속력 사이로 연장한다.

레이저 소스는 LEDs 보다 더 작은 "스팟'을 갖기 때문에, 프로파일의 외부가 OFL 대역폭 요구(대체로, 62.5 ㎛ 코어를 갖는 멀티모드 섬유에 대해 850 nm에서 160-200 MHz.km 및 1300 nm에서 500+MHz.km)에 따라 최적화될 수 있고, 동시에, 레이저 대역폭 요구 및 소스 특성에 대한 프로파일의 내부를 최적화한다. 이는 1300 nm와 850 nm 윈도우에서 큰 스팟 LEDs 와 작은 스팟 레이저에 대해 동시에 최적화된 제1 프로파일로 생각된다. 1300 nm 레이저 스팟이 단파장(SX) 레이저 소스의 그것 보다 더 작기 때문에, 내부 프로파일 요구는 SX 대역폭 연구에 의해 바람직하게 측정된다. 단파장(예컨대, 선택된 780 nm CD 레이저 또는 850 nm VCSELs) 및 장파장(예컨대, 1300 nm 또는 1500 nm 패브리-패롯 레이저)에서 높은 레이저 대역폭이 내부 프로파일이 정확히 최적화될 때, 이루어질 수 있음이 확인되었다.

최적화된 굴절률 프로파일의 중요한 특성은 높은 1300 nm OFL 대역폭에 LED 소스를 제공하여 레이저로 우수한 성능을 이루기 위한 전체 프로파일에 대한 조정 이 적어지고, 프로파일의 영역에서 OFL 대역폭 성능에 영향을 미치지 않거나 그 중 하나를 한다. 이는 또한, 알파(r)가 가파른 전이 없는 r의 평활 함수일 것을 요구한다.

본 발명은 높은 대역폭 및 낮은 일시적 지터에 일반적인 단파장(예컨대, 780, 850 또는 980 nm) 레이저와 장파장(예컨대, 1300 nm 도는 1500 nm)을 제공하도록 특별히 고안된 굴절률 프로파일을 갖고, 종래 1300 nm와 850 nm로 사용될 때, 충분히 높은 대역폭 및 낮은 지터를 유지하는 멀티모드 광섬유에 관한 것이다.

본 발명의 멀티모드 광섬유의 굴절률 프로파일은 다양한 방법으로 기술될 수 있다. 첫째로, M 모드를 갖는 멀티모드 섬유에서, 산출 펄스는 P _out(t) = ∑P_mδ(τ_m-τ_ave)로 기술될 수 있고, 여기서, m^th 모드는 상대 동력 P_m 및 평균 τ_ava =∑P_mτ_m/∑P_m에 대해 모드 지연 τ_m을 갖는다. OFL 또는 레이저 대역폭은 P out(t)의 푸리에 변환의 크기로부터 측정되고, 모든 τ_m이 동일한 경우에 최적화된다.

모드 지연 τ_m은 굴절률 프로파일과 동작의 파장에 의해 측정된 모드 동력 P_m 은 소스의 특성(특이적 레이저 도는 LED 등)에 의존한다. 본 발명의 멀티모드 섬유는 일반적으로 사용되는 소스의 대부분 및 가장 바람직하게는 모두에 대한 OFL 또는 레이저 대역폭 요구를 충족시키도록 바람직하게 고안된다. 예컨대, 섬유 요구는 OFl 대역폭이 850 nm 및 1300 nm LED 소스에 대해 각각 160 MHz.km 및 500 MHz.km 이상이고, 레이저 대역폭은 850 nm VCSEL 및 1300 nm 패브리-페롯 레이저 소스에 대해 각각 385 MHz.km 및 746 MHz.km 이상일 것이다.

섬유의 굴절률 프로파일을 기술하는 제2 방법은 굴절률 또는 코어의 게르마니아 함량 측정에 관한 것이다. 일반적인 멀티모드 섬유는 방사상 위치의 함수로서 다양하고, 게르마니아 함량에 비례하는 굴절률을 갖도록 고안된다. 이 굴절률 프로파일, n(r)는 하기 식으로 기술된다:

For r<a, n(r) = n₁(1-2△(r/a)^g)^0.5

여기서, n₁은 코어의 중심에서 굴절률 값이고, r은 방사상 위치, a는 코어 피복 경계면, g는 프로파일 형상계수 및 △은 하기로 제한된다:

△ = (n₁ ²-n₀ ²)/2n₁ ²

여기서, n₀는 코어 피복 경계면에서 굴절률 값이다. 이 프로파일 설명은 알파(α)로 빈번하게 명시되는 지수 "g"를 갖는 문헌에서 일반적이다. 공지 기술은 혼동 없이 교환하여 두 가지 용어를 사용한다.

본 발명의 의도에 대해서, 굴절률 프로파일은 하기와 같이 제한된다:

For 0< r <a, n(r) = n₁(1-2△(r/a)^g(r))^0.5

여기서, g(r)은 반지름에 따라 연속적으로 변화하는 프로파일 형상계수로, 굴절률 프로파일을 기술하는 제1 방법에서 상기 기술된 OFL 및 레이저 대역폭 대상물이 충족된다. 개략적으로, 중심에 인접한 모드의 상대 동력은 LED 소스에 대한 것 보다 레이저 소스에 대해 더 크고, 단파장 레이저 소스(예컨대, 대체로, 850 nm VCSEL 소스)에 대한 것 보다 장파장 레이저(예컨대, 1300 nm 패브리-페롯 레이저)에 대해 더 크다. 따라서, 발견적으로 g(r)은 바로 중심의 1300 nm에서 최적화되는 것에서 중간 반경의 850 nm에 대해 최적화되고, 더 큰 반경의 1300 nm에서 최적화되는 것으로 다양할 수 있다. 실제로, g(r)이 중심부에서 더 큰 값(780-850에 근접하게 모드 지연을 균등화하는)에서 외부에서 더 낮은 값(1300 nm에 근접하게 균등화하는)으로 다양한 것이 적절하다. 실제로, g(r)은 1300 nm에 대한 적절한 값 이하로 의도적으로 통하지 않는다. OFL 대역폭에 대해 g(r)이 평활하고 연속적으로 다양한 것은 중요하다.

그러한 다양한 g(r)을 갖는 굴절률 프로파일은 아마도 굴절률 프로파일을 기술하는 제3 방법으로 매우 용이하게 가시화될 수 있다. 이 방법은 상이 유도 지연(DMD) 측정과 같은 공지된 기술을 사용한다. 간단히 기술된 본 발명은 멀티모드 섬유를 방사상으로 가로지르는 단일 모드 광섬유로부터 펄스를 스캐닝하고, 멀티모드 섬유의 코어에 대해 다른 착수 위치에서 런치된 펄스에 대한 산출 펄스 및 평균 지연 시간을 측정하는 것을 포함한다. 펄스 지연은 방사상 위치의 함수로서 나타내고, DMD 대 "r"은 멀티모드 코어의 중심에 대한 단일 모드 섬유의 방사상 오프셋으로 한정되고(즉, 단일 모드 섬유의 축 중심과 멀티모드 코어의 축 중심 사이의 거리), "a"는 멀티모드 섬유 코어의 반지름으로 한정되는 (r/a)²의 국부 기울기가 굴절률 프로파일 변수 g(r)에 근접한다. DMD 대 (r/a)²의 국부 기울기는 멀티모 드 광섬유의 주어진 파장 및 델타에 대한 최적 g(또는 알파)에 대해 국부 g(r) 오차에 비례한다. DMD, 굴절률 오차 및 "알파 오차" 사이의 상관은 종래 공지되어 있고, 하기 참고 문헌에 기술된다.

참고 문헌은 그 전체가 완전히 여기서 참고문헌으로 포함되는 마르쿠스, 광섬유 측정의 원리, pp. 255-310(Academic Press, 1981) 및 DMD 측정 및 기술의 더욱 상세한 설명에 대해 그 전체가 완전히 여기서 참고문헌으로 포함되는 올산스키, 알., " 유리 광도파관에서 전달", Rev. Mod. Phys., Vol. 51, No. 2, April 1979, pp. 341-367이다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 따라, 다른 굴절률 프로파일( 및 따라서 DMDs)을 갖는 다수의 섬유의 OFL 및 레이저 대역폭이 측정되고, 레이저와 LED 소스로 높은 대역폭을 달성하는 섬유가 확인되었다. 이들 최적 섬유의 DMD는 추가 멀티모드 광섬유에서 중복에 대한 소정의 또는 표적 프로파일 특성화한다. DMD를 사용하는 경험적 과정은 다른 소스의 P_m을 특성화한다. 다소, 소스와 작용하는 섬유를 특성화하도록 한다.

본 발명의 주요한 관점은 레이저 강도 분포가 일반적으로 LEDs 보다 더 작은 것이다. 이에 대하여, 이들 중에서, 레이저와 LED 작동에 대한 섬유 굴절률을 최적화하는 것이 가능하다. 본 발명의 제1 실시형태에 따라서, 굴절률 프로파일의 외부는 1300 nm LED에 대해 최적화되고, 따라서, 우수한 성능, 즉, 종래 시스템에 대해 500 MHz.km 이상의 OFL 대역폭을 갖는다. 굴절률 프로파일의 내부는 1300 nm 및 850 nm에서 더욱 일정한 레이저를 제공하도록 최적화된다. 평활한 굴절률 변화를 확보하는 제조 기술로 이 고안을 증가시켜서, 양 파장의 레이저에 대해 높은 레이저 대역폭과 낮은 지터를 갖는 멀티모드 광섬유가 반복적으로 제조될 수 있다.

참고문헌은 본 발명의 바람직한 실시형태에 상세히 기술될 것이고, 그 실시예들은 첨부 도면으로 기술된다. 가능한 한, 동일한 참조 부호가 동일한 또는 유사한 부분을 언급하도록 전체 도면을 통하여 사용될 것이다. 본 발명의 멀티모드 광섬유의 예시적 실시형태는 도1에 도시되고, 일반적으로 참조 부호 10으로 전체에 지시된다.

바람직한 멀티모드 광섬유(10)는 850 nm에서 220 MHz.km 이상의 제1 레이저 대역폭을 갖고, 1300 nm에서 500 MHz.km 이상의 제2 레이저 대역폭을 갖도록 최적화된다. 본 발명에 따른 멀티모드 섬유가 850 및 1300 nm 작동 창을 가로지르는 유사한 큰 대역폭 즉, 약 810 nm 및 890 nm 사이에서, 더욱 바람직하게는, 830 nm 및 870 nm 사이 및 약 1260 nm 및 1340 nm 사이에서 더욱 바람직하게는 1280 nm 및 1320 nm 사이를 갖는 것으로 이루어지는 것이 공지 기술로 이해될 것이다.

또한, 바람직한 멀티모드 광섬유(10)는 850 nm 윈도우에서 적어도 160 MHz. km의 제1 OFL 대역폭 및 1300 nm 윈도우에서 적어도 500 MHz.km의 제2 OFL 대역폭을 포함한다. 더욱 상세하게는, 멀티모드 광섬유(10)는 62.5 ㎛ 코어(12)를 갖고, 850 nm에서 385 MHz.km의 최소 레이저 대역폭 및 1300 nm에서 746 MHz.km의 최소 레이저 대역폭으로 고안된다. 상기 기술되고, 이 명세서 전반을 통하여 기술된 1300 nm 레이저 대역폭은 바람직하게는 표준 단일 모드 섬유와의 사용에 대해 1300 nm 레이저로 바람직하게 측정되어야 함이 명시된다. 1 기가바이트/초 이상의 속도 에서 데이터를 전송할 수 있는 원거리통신 시스템이 1300 nm에서 레이저 런치를 오프셋하는 모드 조건 패치 코드를 요구하는 것이 종래 공지 기술로 현재 여겨진다. 본 발명의 멀티모드 광섬유에 대해, 1300 nm에서 레이저 런치는 멀티모드 섬유의 중심축을 따라 런치된 동력의 대부분으로 측정된다. 이는 그러한 모드 조건 패치 코드에 대한 요구를 제거하고, 따라서 시스템 실행, 비용 및 복잡성을 감소시킨다. 50 ㎛ 코어를 갖는 멀티모드 광섬유(미도시)에 대해, 최소 레이저 대역폭은 단파장 윈도우에서 바람직하게는 500 MHz.km이고, 장파장 윈도우에서 1684 MHz.km이다. 고속 레이저 소스를 사용하는 적어도 1 기가바이트/초의 속도에서 데이터를 전송하도록 되어 있는 원거리통신 시스템 등의 멀티모드 전송 시스템에서 사용될 때, 62.5 ㎛ 코어(12)를 갖는 멀티모드 광섬유(10)는 단파장에서 적어도 500 m의 연결 길이 및 장파장에서 1000 m의 연결 길이에 걸쳐서 적어도 1 기가바이트/초의 정보를 수송할 수 있다. 이들 거리는 50 ㎛ 코어 멀티모드 광섬유에 대해 각각 600 m 및 2000 m 이상의 연결 길이로 증가된다. 그러나, 공지 기술의 당업자들은 바람직한 멀티모드 광섬유(10)가 1 기가바이트/초 전송 속도로 제한되지 않음을 인식할 것이다. 다소, 본 발명은 상당한 연결 길이에 걸쳐서 10 기가바이트/초 이상의 데이터 속도 전송이 가능하다. DMD 측정 커브는 도 2 내지 5에 도시된 상기 기술된 작동 변수를 충족하는데 적절한 성질을 갖는 62.5 ㎛ 코어 멀티모드 광섬유를 지시한다.

도 2는 본 발명에 따른 멀티모드 광섬유(10)의 DMD 측정 커브(20)을 도시한다. 멀티모드 광섬유(10)의 DMD 측정은 여기서 참고문헌으로 포함된 마르쿠스, 광섬유 측정의 원리, pp. 255-310(Academic Press, 1981) 및 올산스키, 알., " 유리 광도파관에서 전달", Rev. Mod. Phys., Vol. 51, No. 2, April 1979, pp. 341-367에서 기술된 것과 유사한 표준 펄스-계 측정 기술을 사용하여 1300 nm에서 이루어졌다. DMD 커브가 거의 편평한 영역에서, 굴절률 프로파일은 기본적으로 1300 nm에 대해 최적화된다.

상업적으로 시판되어 있는 포톤-카이네틱 모델 2500(Photon-Kinetics Model 2500) 광학 섬유 측정 벤치를 사용하여 850 nm에서 측정된 멀티모드 광섬유(10)의 DMD 측정 커브가 도 3에 도시된다. 또한, DMD 커브가 약간 증가하는 영역에서, 굴절률 프로파일은 850 nm 약간 미만의 파장에 대해 최적화되고, DMD 커브가 떨어지는 영역에서, 굴절률 프로파일이 850 nm 이상의 파장에 대해 최적화되는 것을 지시한다.

제2 바람직한 멀티모드 광섬유(미도시)의 1300 nm에서 측정된 DMD 프로파일 (40)은 도 4에 도시된다. DMD 프로파일(40)이 DMD 프로파일(20)과 약간 다를지라도, 이는 또한, 62.5 ㎛ 또는 50 ㎛ 코어를 갖는 멀티모드 광섬유에 대한 소정을 작동 변수를 충족하는데 충분한 성질을 갖는 멀티모드 광섬유를 기술한다.

DMD 프로파일(20 및 40)은 1300 nm에서 측정된 도5에서 동일한 그래프에 도시된다. 플롯이 각각 이동되어, 그들은 기울기가 유사한(다소, (r/a)² = 0) 일반적인 포인트에서 일치하고, 이 포인트는 임의로 제로(0) 지연으로 한정된다. 대체로, 1300 nm의 파장에서 측정될 때, 표적 DMD 프로파일은 (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제1 영역 및 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제2 영역을 포함하고, 제1 영역의 기울기가 제2 영역의 기울기 보다 크다. 상기 상이한 표적 DMD 프로파일은 직선상이 아니다. 더욱 바람직하게는, 제1 영역의 기울기는 제2 영역의 기울기 보다 적어도 1.5배이다. 가장 바람직하게는, 표적 DMD 프로파일은 (r/a)² = 0.4 내지 0.6으로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제3 영역을 포함하고, 여기서, (r/a)² = 0.4 내지 0.6으로부터의 변화는 +0.20 nsec/km이다.

본 발명에 따른 멀티모드 광섬유를 형성하고, 상기 기술된 표적 DMD 프로파일을 갖는 바람직한 방법은 전구체 반응물 및 적어도 하나의 도판트 반응물을 함유하는 실리카를 열화학적으로 반응시켜 수트를 형성하고, 상기 수트를 특정 성질을 갖는 유리 예비성형체를 생성하기에 충분한 방식으로 표적에 전달하고, 상기 유리 예비성형체를 62.5 ㎛ 또는 50 ㎛ 코어 영역을 갖는 멀티모드 광섬유로 인발하는 단계들을 포함한다. 상기 반응 단계는 또한, 표적 DMD 프로파일의 성질을 나타내는 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 수트 증착 처리법에 따라 전구체 반응물 및 적어도 하나의 도판트 반응물의 선택을 포함한다. 바람직한 실시형태에서, 수트 증착 처리법은 소정의 포적 프로파일의 요구를 충족하는 멀티모드 광섬유를 생성하는 SiCl₄ 및 GeCl₄의 요구된 비율을 포함한다. 1300 nm의 파장에서 측정될 때, 그러한 멀티모드 광섬유는 (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 제1 영역에 걸쳐서 측정된 제1 평균 기울기 및 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 제2 영역에 걸쳐서 측정된 제2 평균 기울기를 갖고, 제1 평균 기울기가 제2 평균 기울기 보다 크다. 그러나, 본 발명은 SiCl₄ 및 GeCl₄에 제한되는 것을 아니다.

도 7은 본 발명의 멀티모드 광섬유(도 2 및 도 3의 DMD 프로파일 커브를 나타내는 동일한 섬유)의 제1의 바람직한 실시형태의 실질적으로 포물상의 굴절률 프로파일 커브를 도시한다. 도 8은 본 발명의 멀티모드 광섬유(도 4의 DMD 프로파일을 나타내는 동일한 섬유)의 제2의 바람직한 실시형태의 실질적으로 포물상의 굴절률 프로파일을 도시한다. 이들 도면이 본 발명을 실시하는데 요구되지 않을 지라도, 하기 기술된 바와 같이, 그들은 본 발명에 따라 사용된 DMD 측정 기술의 이점을 명확히 증명할 것이다. 도 7 및 도 8에 도시된 굴절률 프로파일의 피크 영역에서 굴절률 프로파일 섭동에서 미세한 차이를 제외하고, 굴절률 프로파일의 다른 영역은 본 발명의 멀티모드 광섬유의 제1 및 제2의 바람직한 실시형태에 대해 현저하게 유사하다.

여기서 명확히 기술되지 않을 지라고, 50.0 ㎛ 코어를 갖는 멀티모드 광섬유가 유사하게 형성될 수 있다. 그러한 멀티모드 광섬유에 대한 표적 DMD 프로파일은 상기 기술된 바와 같이, 62.5 ㎛를 갖는 멀티모드 광섬유의 표적 DMD 프로파일과는 다를 것임은 종래 기술의 당업자들에게 이해될 것이다. 따라서, 수트 증착 처리법은 상당히 다를 것이다. 또한, 표적 DMD 프로파일은 (r/a)² = 0.0 내지 0.2로부터 제1 영역 및 (r/a)² = 0.2 내지 0.4로부터의 제2 영역으로 기울기의 영역을 한정하여 기술될 수 있다는 것이 또한 이해될 것이다.

본 발명은 또한, 본 발명의 예시적 의도인 하기 실시예를 통하여 명확해질 것이다.

실시예 1

레이저 최적화 멀티모드 섬유의 성능을 시험하는 한 방법은 소정의 DMD 특성을 갖는 섬유를 제조하고, 이를 다양한 레이저 소스로 시험하는 것이다. 그러한 시험 결과는 도 6에 도시된다.

도 2-3 및 7에 도시된 DMD 프로파일에 의해 특성화된 멀티모드 광섬유의 유효한 대역폭(MHz. km)이 780 내지 850 nm의 다양한 기가바이트 이더넷 시스템 레이저에 대해 도 6에 도시된다. 적용에서 이전의 표준 측정 및 런치 기술을 사용하여 측정된 섬유의 과충전(OFL) 대역폭은 850 nm에서 288 MHz.km 및 1300 nm에서 1054 MHz.km이었다. 이 적용에서 이전의 표준 측정 및 런치 기술을 사용하여 측정된 섬유의 레이저 대역폭은 850 nm에서 930 MHz.km(이전에 기술된 바와 같이, 0.85 nm 미만의 RMS 분광 너비를 갖는 850 nm 소스 레이저와 23.5 ㎛ 직경 코어를 갖는 패치 코드를 사용하여), 1300 nm에서 2028 MHz.km(단일 모드 섬유 적용에 대해 대체로 패브리-페롯 레이저 및 코어의 중심으로부터 런치 오프셋 4 ㎛를 확정하는 패치코드를 사용하여)이었다. 다양한 기가바이트 이더넷 시스템 레이저 소스에 대해 도 6에 도시된 "유효" 대역폭은 각 레이저가 거리상으로 인접한 필드와 먼 필드에서 다른 동력 분포를 갖기 때문에, 각 개별 기가바이트 이더넷 시스템으로 다양화하는 런치 조건을 제외하고는 23.5 ㎛ 패치코드로 한정된 850 nm 레이저 대역폭으 로서 동일한 측정 기술로 측정된다. 이는 큰 대역폭이 다양한 레이저 런치와 함께 본 발명의 섬유를 사용하여 나타낼 수 있음을 증명한다. 한정된 런치(930 MHz. km)를 갖는 측정된 레이저 대역폭은 다수의 실제 기가바이트 이더넷 시스템 레이저로 얻어진 것과 거의 동일하다. 단파장 기가바이트 이더넷 시스템 레이저 대역폭은 288 MHz.km의 850 nm OFL 대역폭 및 기가바이트 이더넷 시스템 연결 길이를 상당히 연장하도록 요구된 범위에서 보다 매우 우수하다. 또하, 4 ㎛ 오프셋을 갖는 1300 nm 패브리-페롯 레이저를 사용하여 측정된 1300 nm 레이저 대역폭은 1300 nm OFL 대역폭의 그것의 두 배 이상이었다.

실시예 2

두 번째 예로서, 도 4에 측정된 DMD, 도 8에 측정된 굴절률 프로파일이 도시된 섬유를 850 nm에서 23.5 ㎛ 패치코드 및 1300 nm에서 4 ㎛ 오프셋을 사용하여 "한정된" 레이저 대역폭에 대하여, 그리고, 13 기가바이트 이더넷 시스템 레이저 세트를 갖는 "유효한" 대역폭에 대하여, OFL 대역폭에 대해 시험되었다. 표준 OFL 대역폭은 850 nm에서 564 MHz.km 및 1300 nm에서 560MHz.km에서 측정되었다. 23.5 ㎛ 직경 코어를 갖는 패치코드를 사용하여 "한정된" 레이저 대역폭은 826 MHz.km이었고, 1300 nm에서 4 ㎛ 오프셋을 갖는 패브리-페롯 레이저를 사용하여 한정된 레이저 대역폭은 5279 MHz.km의 값을 가졌다. 850 nm 또는 780 nm에서 13 기가바이트 이더넷 시스템 레이저로 측정된 '유효한" 대역폭은 다음과 같다: 1214, 886, 880, 876, 792, 786, 754, 726, 614, 394, 376, 434 및 472 MHz.km.

또한, 23.5 ㎛ 직경 코어를 갖는 패치코드로 850 nm에 대한 한정된 레이저 런치는 다수의 실제 기가바이트 이더넷 레이저 소스로 나타낸 '유효한" 대역폭에 근접한 대역폭을 산출한다.

본 발명의 관점 또는 영역을 벗어나지 않는 종래 기술에서 다양한 수정과 변화가 본 발명에 대해 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항 및 그와 유사한 범위 내인 본 발명의 수정 및 변화를 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

1. 수트를 형성하기 위해 전구체 반응물과 적어도 하나의 도판트 반응물을 함유하는 실리카를 열화학적으로 반응시키는 단계;

   특정 성질을 갖는 유리 예비성형체를 생성하는데 적절한 방식으로 표적에 수트를 전달하는 단계; 및

   62.5 ㎛ 코어 영역 및 코어 영역에 결합한 피복재 영역을 갖는 멀티모드 광섬유 안으로 유리 예비성형품을 인발하는 단계;를 포함하며, 여기서, 상기 반응 단계는 1300 nm의 파장에서 측정될 때, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 제1 영역에 걸쳐서 측정된 제1 평균 기울기 및 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 제2 영역에 걸쳐서 측정된 제2 평균 기울기를 갖고, 제1평균 기울기가 제2평균 기울기 보다 큰 DMD 프로파일을 나타내는 멀티모드 광섬유를 생성하는데 적절한 수트 증착 처리법에 따라 상기 전구체 반응물과 상기 적어도 하나의 도판트 반응물을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도판트 반응물은 게르마늄을 포함하고, 여기서, 반응 단계는 상기 게르마늄을 열화학적으로 반응시켜 수트를 함유하는 게르마니아를 형성하고, 전달 단계는 제1영역 위의 평균 기울기가 제2 영역 위의 평균 기울기의 적어도 1.5 배가 되도록 충분한 양으로 수트를 함유하는 게르마니아를 선택적으로 표적에 전달하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 반응 단계는 제1 영역 위에 적어도 +0.3 nsec/km의 DMD에서 변화를 나타내는 상기 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 양의 상기 게르마늄을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 반응 단계는 제1 영역 위에 +1.25 nsec/km 이하의 DMD에서 변화를 나타내는 상기 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 양의 상기 게르마늄을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제1항에 있어서, 상기 반응 단계는 제2 영역 위에 +0.30 nsec/km 이하의 DMD에서 변화를 나타내는 상기 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 양의 상기 게르마늄을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제1항에 있어서, 상기 반응 단계는 (r/a)² = 0.4 내지 0.6으로부터의 제3 영역 위에 측정된 제3 평균 기울기를 갖는 DMD 프로파일을 포함하는 상기 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 양의 상기 게르마늄을 선택하는 단계를 포함하고, 여기서, 제3 영역 위의 DMD에서 변화는 +0.20 nsec/km 이하인 것을 특징으로 하는 멀 티모드 광섬유 제조방법.
7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도판트 반응물은 게르마늄을 포함하고, 여기서, 반응 단계는 상기 게르마늄을 열화학적으로 반응시켜 수트를 함유하는 게르마니아를 형성하고, 전달 단계는 제1 영역 위의 평균 기울기가 제2 영역 위의 평균 기울기의 적어도 2배가 되도록 충분한 양으로 수트를 함유하는 게르마니아를 표적에 선택적으로 전달하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제7항에 있어서, 상기 반응 단계는 제1 영역 위에 적어도 +0.40 nsec/km의 DMD에서 변화를 나타내는 상기 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 양의 상기 게르마늄을 선택하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

   제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도판트 반응물은 게르마늄을 포함하고, 여기서, 반응 단계는 상기 게르마늄을 열화학적으로 반응시켜 수트를 함유하는 게르마니아를 형성하고, 전달 단계는 제1 영역 상의 평균 기울기가 제2 영역 상의 평균 기울기 보다 적어도 3배가 되도록 충분한 양으로 수트를 함유하는 게르마니아를 표적에 선택적으로 전달하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제9항에 있어서, 상기 반응 단계는 제1 영역 위의 적어도 0.5 nsec/km의 DMD에서 변화를 나타내는 상기 멀티모드 광섬유를 생성하는데 충분한 양의 상기 게르 마늄을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유 제조방법.
11. 약 62.5㎛의 직경을 갖는 코어; 및

    상기 코어에 결합하고, 상기 코어 굴절률 보다 낮은 굴절률을 갖는 피복재;를 포함하고, 여기서, 상기 멀티모드 광섬유는 1300 nm의 파장에서 측정될 때, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제1 영역 및 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 측정된 평균 기울기를 갖는 제2 영역을 포함하고, 제1 영역의 평균 기울기가 제2 영역의 평균 기울기 보다 큰 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
12. 제11항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 DMD에서 변화는 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 DMD에서 변화의 적어도 1.5배인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
13. 제12항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 DMD에서 변화는 적어도 +0.3 nsec/km인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
14. 제13항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 DMD에서 변화는 +1.25 nsec/km 이하인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
15. 제12항에 있어서, (r/a)² = 0.25 내지 0.50로부터 DMD에서 변화는 +0.30 nsec/km 이하인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
16. 제11항에 있어서, 상기 DMD 프로파일은 (r/a)² = 0.4 내지 0.6로부터 측정된 제3 기울기를 포함하고, (r/a)² = 0.4 내지 0.6으로부터 DMD에서 변화는 +0.20 nsec/km 이하인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제11항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 DMD에서 변화는 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 DMD에서 변화의 적어도 2배인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
18. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제17항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25으로부터 DMD에서 변화는 적어도 0.4 nsec/km인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제12항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25로부터 DMD에서 변화는 (r/a)² = 0.25 내지 0.50으로부터 DMD에서 변화의 적어도 3배인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.
20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제19항에 있어서, (r/a)² = 0.0 내지 0.25으로부터 DMD에서 변화는 적어도 0.5 nsec/km인 것을 특징으로 하는 멀티모드 광섬유.

Images