KR100607769B1

KR100607769B1 - Apparatus for testing probe tip of the semiconductor device

Info

Publication number: KR100607769B1
Application number: KR1020040035588A
Authority: KR
Inventors: 조경수
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2004-05-19
Filing date: 2004-05-19
Publication date: 2006-08-01
Also published as: KR20050110771A

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치에 관한 것으로, 특히 프로브에 결합되며 반도체 소자의 패드에 접촉되어 전기적 신호를 전달하는 팁과, 팁이 삽입되는 홀이 형성된 세정 용기와, 팁으로 케미컬을 분사하는 케미컬 분사부와, 팁으로 초순수를 분사하는 초순수 분사부와, 팁으로 가스를 분사하는 가스 분사부를 포함하는 세정조와, 팁을 통한 프로브 테스트 및 세정조를 통한 팁 세정 동작을 제어하는 제어부를 포함한다. 그러므로 본 발명은 프로브 장치의 팁만을 세정조에서 세정한 후에 다시 테스트에 사용함으로써 반도체 소자의 테스트시 사용된 팁의 오염을 손쉽게 제거할 수 있다.The present invention relates to a device for testing a probe tip of a semiconductor device, and more particularly, to a tip coupled to a probe and contacting a pad of the semiconductor device to transmit an electrical signal, a cleaning container having a hole into which the tip is inserted, and a chemical injection into the tip. And a cleaning tank including a chemical spraying unit, an ultrapure water spraying unit spraying ultrapure water with a tip, and a gas spraying unit spraying gas with a tip, and a control unit controlling a tip cleaning operation through a probe test and a cleaning tank through the tip. do. Therefore, the present invention can easily remove the contamination of the tip used in the test of the semiconductor device by using only the tip of the probe device in the cleaning tank and then using it for the test again.

프로브 장치, 팁, 세정Probe Unit, Tip, Clean

Description

Probe tip test device for semiconductor devices {APPARATUS FOR TESTING PROBE TIP OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 일반적인 반도체 소자의 테스트용 프로브 장치를 나타낸 도면,1 is a view showing a probe device for testing a general semiconductor device;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치를 나타낸 구성도,2 is a block diagram showing a probe tip test apparatus of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명에 적용된 멀티 팁을 갖는 프로브 장치를 나타낸 도면,3 is a view showing a probe device having a multi-tip applied to the present invention,

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치를 나타낸 구성도.Figure 4 is a block diagram showing a probe tip test device of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

100 : 테스트 프로브 장치 104 : 프로브100: test probe device 104: probe

106 : 팁 110 : 세정 용기106: tip 110: cleaning container

112a, 112b, 112c : 분사 노즐 114 : 용액 배출구112a, 112b, 112c: injection nozzle 114: solution outlet

116 : 배기구 120a, 120b, 120c : 공급관116: exhaust port 120a, 120b, 120c: supply pipe

122 : 밸브 124 : 가스 공급부122: valve 124: gas supply

126 : 케미컬 공급부 128 : 초순수 공급부126: chemical supply unit 128: ultrapure water supply unit

130 : 제어부 130: control unit

본 발명은 반도체 소자의 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 테스트시 사용되는 프로브 팁에 묻어 있는 오염 물질을 깨끗하게 제거할 수 있는 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for a semiconductor device, and more particularly, to a probe tip test device for a semiconductor device capable of cleanly removing contaminants on a probe tip used when testing a semiconductor device.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정시 웨이퍼에 형성된 반도체 소자의 칩이 정상인지 또는 불량인지를 테스트하게 된다. 이러한 테스트는 반도체 소자의 패드에 전기적인 신호를 전달하고 이를 측정하는 프로브 장치에 의해 이루어진다. 좀더 상세하게는 반도체 소자의 최상부에 위치한 금속 패드의 일부를 대기중에 노출시킨 후에 노출된 패드에 프로브 장치의 프로브 팁을 접속시켜 팁을 통해 전기적인 신호를 패드로 전달함으로써 소자가 정상적으로 동작하는지를 측정하게 된다.In general, during the manufacturing process of the semiconductor device is tested whether the chip of the semiconductor device formed on the wafer is normal or bad. This test is performed by a probe device that transmits and measures an electrical signal to a pad of a semiconductor device. More specifically, after exposing a part of the metal pad located at the top of the semiconductor device to the atmosphere, the probe tip of the probe device is connected to the exposed pad to transmit an electrical signal through the tip to the pad to measure whether the device operates normally. do.

도 1은 일반적인 반도체 소자의 테스트용 프로브 장치를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 프로브 장치(30)는 웨이퍼 척(10) 위에 놓여 있는 웨이퍼(20)의 패드에 전달하기 위한 전기적인 신호를 발생하며 패드로부터의 응답 신호를 전달받아 이를 측정하는 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)(32)과, 신호를 패드 방향으로 전달하거나 인쇄회로기판(32)으로 전달하기 위한 프로브(34)와, 웨이퍼(20)의 패드에 접속되어 프로브(34)의 신호를 전달하며 패드의 신호를 프로브(34)로 전달하기 위한 팁(36)을 포함한다.1 is a view showing a probe device for testing a general semiconductor device. Referring to FIG. 1, a probe device 30 generates an electrical signal for transmitting to a pad of a wafer 20 on a wafer chuck 10 and receives a response signal from the pad and measures the printed circuit board. (PCB: Printed Circuit Board) 32, a probe 34 for transmitting a signal in a pad direction or to a printed circuit board 32, and a pad of a wafer 20 connected to a pad of a wafer 34 And a tip 36 for transmitting a signal of the pad to the probe 34.

그런데, 이와 같은 프로브 장치(30)는 웨이퍼내 각 반도체 칩의 패드에 하나의 팁(36)을 접속시켜 테스트를 진행하고 있다. 이러한 테스트 과정에 의해 프로 브 장치(30)의 팁(36) 끝부분에는 패드의 금속 물질이 묻게 될 경우 더 이상 오염된 팁(36)을 사용하여 반도체 칩내 소자의 전기적 특성을 정확하게 측정할 수 없었다.By the way, such a probe device 30 is testing by connecting one tip 36 to the pad of each semiconductor chip in the wafer. Due to this test procedure, when the tip 36 of the probe device 30 got on the metal material of the pad, it was no longer possible to accurately measure the electrical characteristics of the device in the semiconductor chip using the contaminated tip 36. .

따라서 종래 기술에 의한 프로브 장치(30)는 다수개의 웨이퍼 테스트 공정을 거치면서 팁(36)이 패드의 금속 물질로 인해 오염되어 정확하게 반도체 소자의 전기적 특성을 테스트하기 어렵기 때문에 일정 시간이 경과된 후에는 팁(36)을 교체하여 사용하여만 하였다.Therefore, the probe device 30 according to the related art has a plurality of wafer test processes, and thus, the tip 36 is contaminated by the metal material of the pad, which makes it difficult to accurately test the electrical characteristics of the semiconductor device. Was used only by replacing the tip (36).

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 프로브 장치의 팁만을 습식 또는 건식 세정하는 장치를 구비함으로써 반도체 소자의 테스트시 사용된 팁의 오염을 손쉽게 제거할 수 있는 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a device for wet or dry cleaning only the tip of the probe device in order to solve the problems of the prior art as described above can easily remove the contamination of the tip used in the test of the semiconductor device probe A tip test device is provided.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,프로브 장치의 팁을 테스트하는 장치에 있어서, 상기 프로브에 결합되며 상기 반도체 소자의 패드에 접촉되어 전기적 신호를 전달하는 팁과, 상기 팁이 삽입되는 홀이 형성된 세정 용기와, 상기 팁으로 케미컬을 분사하는 케미컬 분사부와, 상기 팁으로 초순수를 분사하는 초순수 분사부와, 상기 팁으로 가스를 분사하는 가스 분사부를 포함하는 세정조와, 상기 팁을 통한 프로브 테스트 및 상기 세정조를 통한 상기 팁 세정 동작을 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 팁은 서로 분리된 다수개의 멀티 팁으로 형성되며 회전 구동부를 통해 상기 프로브에 결합된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a device for testing a tip of a probe device, comprising: a tip coupled to the probe and contacting a pad of the semiconductor element to transmit an electrical signal, and a hole into which the tip is inserted A cleaning tank including a cleaning container, a chemical injector for injecting chemical into the tip, an ultrapure water injector for injecting ultrapure water into the tip, a gas injector for injecting gas into the tip, a probe test through the tip, and And a control unit for controlling the tip cleaning operation through the cleaning tank, wherein the tip is formed of a plurality of multi-tips separated from each other and coupled to the probe through a rotation driving unit.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치를 나타낸 구성도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 장치는 프로브 장치(100)와, 세정조와, 제어부(130)로 포함된다. 여기서, 세정조는 세정 용기(110)와, 다수개의 분사 노즐(112a, 112b, 112c)과, 다수개의 공급관(120a, 120b, 120c) 및 밸브(122a, 122b, 122c)와, 가스 공급부(124)와, 케미컬 공급부(126)와, 초순수 공급부(128)로 구성된다.2 is a block diagram illustrating an apparatus for testing a probe tip of a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, an apparatus according to an embodiment of the present invention includes a probe device 100, a cleaning tank, and a controller 130. Here, the cleaning tank includes a cleaning container 110, a plurality of injection nozzles 112a, 112b and 112c, a plurality of supply pipes 120a, 120b and 120c, valves 122a, 122b and 122c, and a gas supply unit 124. And a chemical supply unit 126 and an ultrapure water supply unit 128.

프로브 장치(100)는 인쇄회로기판(102)과, 프로브(104)와, 팁(106)을 포함하며 이들 구성 요소 및 작용은 도 1과 동일하므로 생략하고자 한다.The probe device 100 includes a printed circuit board 102, a probe 104, and a tip 106, and these components and operations are the same as in FIG.

본 발명의 세정조내 세정 용기(110)는 프로브 장치(100)의 팁(106)이 용기 내부로 삽입되기 위한 홀(118)과, 용기 내부로 다수개의 공급관(120a, 120b, 120c)을 통해 각각 공급된 세정 가스, 세정 케미컬(chemical), 또는 초순수(deionized water)를 분사하기 위한 분사 노즐(112a, 112b, 112c)과, 챔버 내부의 용액을 외부로 배출하기 위한 배출구(114)와, 용기 내부의 가스를 외부로 배기하기 위한 배기구(116)를 포함한다. 여기서, 가스용 분사 노즐(112a)은 용기 내부에서 스프레이(spray)식 또는 플로우(flow)식으로 프로브 장치(100)의 팁(106)에 분사되는 구조를 갖는다. 그리고 세정 케미컬 및 초순수용 분사 노즐(112b, 112c) 역시 각각 용기 내부에서 스프레이식 또는 플로우식으로 프로브 장치의 팁(106)에 분사되는 구조를 갖는다. 혹은 각각의 노즐(112b, 112c)이 용기 내부에서 하나로 합쳐져 스프레이식 또는 플로우식으로 분사되는 구조를 갖는다.The cleaning vessel 110 in the cleaning tank of the present invention includes a hole 118 through which the tip 106 of the probe device 100 is inserted into the vessel, and a plurality of supply pipes 120a, 120b, and 120c into the vessel. Injection nozzles 112a, 112b and 112c for injecting supplied cleaning gas, cleaning chemical or deionized water, discharge ports 114 for discharging the solution inside the chamber to the outside, and a container And an exhaust port 116 for exhausting the gas inside. Here, the gas injection nozzle 112a has a structure that is sprayed to the tip 106 of the probe device 100 in the spray (spray) or flow (flow) method inside the container. In addition, the cleaning chemicals and the ultrapure water injection nozzles 112b and 112c also have a structure in which they are sprayed to the tip 106 of the probe device in a spray or flow manner inside the container, respectively. Alternatively, each of the nozzles 112b and 112c may be combined into one in the container and sprayed or flow-injected.

다수개의 공급관에서 가스 공급관(120a)은 해당 분사 노즐(112a)과 가스 공급부(124) 사이에 연결되며 이 가스 공급관(120a)에는 밸브(122a)가 설치되어 밸브(122a)의 온(on) 또는 오프(off)에 따라 분사 노즐(112a)에 가스를 공급하거나 공급하지 않는다. 그리고 케미컬 공급용 관(120b)은 해당 분사 노즐(112b)과 케미컬 공급부(126) 사이에 연결되며 케미컬 공급관(120b)에는 밸브(122b)가 설치되어 밸브(122b)의 온(on) 또는 오프(off)에 따라 분사 노즐(112b)에 케미컬을 공급하거나 공급하지 않는다. 또한 초순수 공급용 관(120c)은 해당 분사 노즐(112c)과 초순수 공급부(128) 사이에 연결되며 초순수 공급관(120c)에는 밸브(122c)가 설치되어 밸브(122c)의 온(on) 또는 오프(off)에 따라 분사 노즐(112c)에 초순수를 공급하거나 공급하지 않는다.In the plurality of supply pipes, the gas supply pipe 120a is connected between the corresponding injection nozzle 112a and the gas supply part 124, and a valve 122a is installed in the gas supply pipe 120a to turn on or off the valve 122a. According to the off, gas is not supplied to the injection nozzle 112a. In addition, the chemical supply pipe 120b is connected between the corresponding injection nozzle 112b and the chemical supply part 126, and the valve 122b is installed in the chemical supply pipe 120b to turn on or off the valve 122b. off), or do not supply the chemical to the spray nozzle (112b). In addition, the ultrapure water supply pipe 120c is connected between the corresponding injection nozzle 112c and the ultrapure water supply unit 128, and a valve 122c is installed in the ultrapure water supply pipe 120c to turn on or off the valve 122c. off) or ultrapure water is not supplied to the spray nozzle 112c.

마지막으로 제어부(130)는 건식 또는 습식 세정(dry cleaning, wet cleaning) 방식에 따라 다수개의 밸브(122a, 122b, 122c) 중에서 선택된 어느 하나의 밸브를 온(on)으로 하고 다른 나머지 밸브를 오프(off)로 하도록 제어한다. 또한 제어부(130)는 이들 밸브(122a, 122b, 122c)의 온(on) 또는 오프(off)의 주기 제어 등으로 밸브를 통해 흐르게 되는 가스, 케미컬, 또는 초순수의 유량을 제어한다.Finally, the controller 130 turns on one of the valves selected from the plurality of valves 122a, 122b, and 122c, and turns off the other valves according to a dry or wet cleaning method. off). In addition, the controller 130 controls the flow rate of the gas, chemical, or ultrapure water flowing through the valve by controlling the on or off period of the valves 122a, 122b, and 122c.

이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치는 웨이퍼내 반도체 칩의 패드와의 접속으로 인해 오염된 프로브 장치(100)의 팁(106)이 세정조내 세정 용기(110)의 홀(118)에 삽입되면, 제어부(130)에서 설정된 세정 방식에 따라 다수개의 밸브(122a, 122b, 122c)의 온(on) 또는 오프(off)를 제어하도록 한다.In the probe tip test apparatus of the semiconductor device according to the exemplary embodiment configured as described above, the tip 106 of the probe device 100 contaminated by the connection with the pad of the semiconductor chip in the wafer is cleaned in the cleaning tank 110. When inserted into the hole 118 of the), it controls the on (on) or off (off) of the plurality of valves (122a, 122b, 122c) according to the cleaning method set by the controller 130.

예를 들어, 세정 공정이 건식 세정일 경우 제어부(130)는 밸브(122a)를 온(on)으로 하고 나머지 밸브들(122b, 122c)을 오프하도록 한다. 이에 따라 가스 공급부(124)의 세정 가스, 예컨대 N2 가스가 가스 공급관(120a)을 통해 분사 노즐(112a)에 공급되고, 분사 노즐(112a)을 통해 세정 용기(110) 내부에 있는 팁(106)에 N2 가스가 분사된다. N2 가스에 의해 팁(106)에 묻은 오염 물질이 제거된다. 그리고 세정 용기(110)의 배기구(116)에서는 용기내 가스를 배기시킨다.For example, when the cleaning process is dry cleaning, the controller 130 turns on the valve 122a and turns off the remaining valves 122b and 122c. Accordingly, the cleaning gas of the gas supply unit 124, for example, N2 gas, is supplied to the injection nozzle 112a through the gas supply pipe 120a, and the tip 106 inside the cleaning container 110 through the injection nozzle 112a. N2 gas is sprayed on. Contaminants on the tip 106 are removed by the N2 gas. The exhaust port 116 of the cleaning vessel 110 exhausts the gas in the vessel.

만약 세정 공정이 습식 세정일 경우 제어부(130)는 밸브(122b)를 온(on)으로 하고 나머지 밸브들(122a, 122c)을 오프하도록 한다. 이에 따라 케미컬 공급부(126)의 세정 케미컬, 예컨대 H3PO4가 케미컬 공급관(120b)을 통해 분사 노즐(112b)에 공급되고, 분사 노즐(112b)을 통해 세정 용기(110) 내부에 있는 팁(106)에 H3PO4가 분사된다. H3PO4 분사에 의해 팁(106)에 묻은 오염 물질이 제거된다. 그리고 제어부(130)는 밸브(122b)와 다른 밸브(122a)를 오프(off)로 하고 초순수용 밸브(122c)를 온(on)으로 제어한다. 이에 따라 초순수 공급부(128)의 초순수가 해당 공급관(120c)을 통해 분사 노즐(112c)에 공급되고, 분사 노즐(112c)을 통해 팁(106)에 초순수가 분사된다. 초순수 분사에 의해 팁(106)에 묻어 있는 케미컬이 세정된다. 그 다음 제어부(130)는 팁(106)에 묻어 있는 물기를 제거하기 위하여 밸브(122a)를 온(on)으로 하고 나머지 밸브들(122b, 122c)을 오프(off)로 한다. 이에 따라 가스 공급부(124)의 세정 가스, 예컨대 N2가 가스 공급관(120a)을 통해 분사 노즐(112a)에 공급되어 팁(106)에 분사한다. N2 분사에 의해 팁(106)에 묻어 있는 물기가 제거된다. 이후 세정 용기(110)의 용액 배출구(114)에서는 용기내 케미컬, 초순수 등의 용액을 배출시킨다.If the cleaning process is wet cleaning, the controller 130 turns on the valve 122b and turns off the remaining valves 122a and 122c. Accordingly, the cleaning chemical of the chemical supply unit 126, for example, H 3 PO 4, is supplied to the injection nozzle 112b through the chemical supply pipe 120b, and to the tip 106 inside the cleaning container 110 through the injection nozzle 112b. H3PO4 is injected. H3PO4 injection removes contaminants on the tip 106. The control unit 130 turns off the valve 122b and the other valve 122a and controls the ultrapure water valve 122c on. Accordingly, the ultrapure water of the ultrapure water supply unit 128 is supplied to the injection nozzle 112c through the supply pipe 120c, and the ultrapure water is injected to the tip 106 through the injection nozzle 112c. Ultrapure water spray cleans the chemical on the tip 106. The control unit 130 then turns on the valve 122a and turns off the remaining valves 122b and 122c to remove the moisture from the tip 106. Accordingly, the cleaning gas of the gas supply unit 124, for example, N 2, is supplied to the injection nozzle 112a through the gas supply pipe 120a and injected to the tip 106. The water on the tip 106 is removed by the N2 injection. Thereafter, the solution outlet 114 of the cleaning container 110 discharges a solution such as chemical or ultrapure water in the container.

이와 같이 본 발명에 따라 세정 용기내에서 오염 물질이 제거된 프로브 장치(100)의 팁(106)을 세정 용기(110)의 홀(118)에서 꺼내서 반도체 소자의 테스트 과정에 다시 사용한다.Thus, according to the present invention, the tip 106 of the probe device 100 from which the contaminants are removed in the cleaning container is taken out of the hole 118 of the cleaning container 110 and used again in the test process of the semiconductor device.

한편 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치는 히터를 추가 구비하고, 프로브 장치(100)의 팁 세정 공정시 제어부(130)에서 히터를 작동하여 세정 용기(110)의 내부 온도를 일정 온도로 높이도록 할 수 있다.Meanwhile, the probe tip test apparatus for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention further includes a heater, and operates the heater in the control unit 130 during the tip cleaning process of the probe device 100 to operate the internal temperature of the cleaning container 110. Can be raised to a constant temperature.

다음에 설명할 본 발명의 다른 실시예는 프로브 장치의 팁이 상기 일 실시예와 같이 한 개가 아닌 두 개 이상 구비한 멀티 팁으로 변형하여 본 발명에 적용한 예를 설명한 것이다. Another embodiment of the present invention to be described below describes an example in which the tip of the probe device is applied to the present invention by deforming to a multi-tip having two or more than one as in the above embodiment.

도 3은 본 발명에 적용된 멀티 팁을 갖는 프로브 장치를 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 장치(200)는 웨이퍼내 각 반도체 칩의 패드에 전달하기 위한 전기적인 신호를 발생하며 패드로부터의 응답 신호를 전달받아 이를 측정하는 인쇄회로기판(202)과, 신호를 패드 방향으로 전달하거나 인쇄회로기판(202)으로 전달하기 위한 프로브(204)와, 패드에 접속되어 프로브(204)의 신호를 전달하며 패드의 신호를 프로브(204)로 전달하기 위한 다수개의 팁인 멀티 팁(208)을 포함한다. 여기서, 멀티 팁(208)은 각 팁이 서로 분리되도록 배치되어 있으며 프로브(204)내 구비된 회전 구동부(206)에 의해 일정 방향으로 회전되어 테스트 대상의 팁이 선택된다.3 is a view showing a probe device having a multi-tip applied to the present invention. Referring to FIG. 3, the probe device 200 according to the present invention generates an electrical signal for transmitting to a pad of each semiconductor chip in a wafer and receives a response signal from the pad to measure the printed circuit board 202. And a probe 204 for transmitting a signal in a pad direction or to a printed circuit board 202, and connected to a pad to transmit a signal of the probe 204, and for transmitting a signal of a pad to the probe 204. It includes a multi-tip 208, which is a plurality of tips. Here, the multi-tips 208 are arranged so that each tip is separated from each other and is rotated in a predetermined direction by the rotation drive unit 206 provided in the probe 204 to select the tip of the test object.

본 발명의 다른 실시예에서는 프로브 장치(200)의 팁을 다수개인 멀티 팁으 구성하여 테스트 및 세정에 걸리는 시간을 줄일 수 있다. 먼저 멀티 팁(208)의 개수가 4개일 경우 첫 번째 팁으로 일정량의 웨이퍼를 테스트한 다음에 프로브 장치에서 측정된 값이 기준값을 벗어날 경우 제어부(미도시됨)는 회전 구동부(206)를 구동시켜 프로브 지지대를 일정 방향으로 회전시킨다. 이에 따라 멀티 팁(208)도 회전 구동부(206)와 동일 방향으로 회전하게 된다. 이에 프로브 장치(200)는 테스트에 사용된 팁 대신에 사용되지 않은 다른 팁을 패드에 접속함으로써 테스트를 계속 수행한다.In another embodiment of the present invention, a multi-tip having multiple tips of the probe device 200 may reduce the time required for testing and cleaning. First, when the number of the multi-tips 208 is 4, the first tip is tested for a certain amount of wafers, and then when the value measured by the probe device is out of the reference value, the controller (not shown) drives the rotation driving unit 206. Rotate the probe support in a certain direction. Accordingly, the multi tip 208 also rotates in the same direction as the rotation driver 206. Accordingly, the probe device 200 continues the test by connecting another unused tip to the pad instead of the tip used for the test.

그런데 이렇게 멀티 팁(208)을 갖는 프로브 장치(200)의 경우에도 웨이퍼내 각 반도체 칩의 패드와의 접속으로 팁 끝부분에 패드의 금속 물질이 묻게 될 경우 반도체 소자의 전기적 특성을 더 이상 정확하게 측정할 수 없다. 그러므로 본 발명의 세정조에서는 오염된 멀티 팁(208)을 동시에 세정하여 오염 물질을 제거할 수 있다.However, even in the case of the probe device 200 having the multi-tips 208, the electrical properties of the semiconductor device are no longer accurately measured when the metal material of the pad gets on the tip end by connecting the pads of the semiconductor chips in the wafer. Can not. Therefore, in the cleaning tank of the present invention, contaminants can be removed by simultaneously cleaning the contaminated multi-tips 208.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치를 나타낸 구성도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 장치는 멀티 팁(208)을 갖는 프로브 장치와, 세정조와, 제어부(130)를 포함한다. 이때 세정조는 세정 용기(110)와, 다수개의 분사 노즐(112a, 112b, 112c)과, 다수개의 공급관(120a, 120b, 120c) 및 밸브(122a, 122b, 122c)와, 가스 공급부(124)와, 케미컬 공급부(126)와, 초순수 공급부(128)와, 제어부(130)를 포함한다. 여기서 멀티 팁(208)을 갖는 프로브 장치를 제외한 나머지 부분은 본 발명의 일 실시예와 동일 하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.4 is a block diagram illustrating an apparatus for testing a probe tip of a semiconductor device according to another exemplary embodiment of the present disclosure. 4, a device according to another embodiment of the present invention includes a probe device having a multi-tip 208, a cleaning tank, and a controller 130. In this case, the cleaning tank 110 includes a cleaning container 110, a plurality of injection nozzles 112a, 112b and 112c, a plurality of supply pipes 120a, 120b and 120c, valves 122a, 122b and 122c, and a gas supply unit 124. And a chemical supply unit 126, an ultrapure water supply unit 128, and a control unit 130. The rest of the parts except for the probe device having the multi-tip 208 are the same as those of the exemplary embodiment of the present invention, and a detailed description thereof will be omitted.

그러므로 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 프로브 팁 테스트 장치는 테스트로 인해 오염된 프로브 장치의 멀티 팁(208)이 세정조내 세정 용기(110)의 홀(118)에 삽입되면, 제어부(130)는 세정 방식이 건식 또는 습식 세정인지에 따라 다수개의 밸브(122a, 122b, 122c)의 온(on) 또는 오프(off)를 제어하여 세정 용기(110)에 가스, 케미컬, 또는 초순수를 공급함으로써 멀티 팁(208)에 묻어 있는 오염 물질을 제거한다. 이에 대한 세정조의 작동 과정역시, 상술한 일 실시예와 동일하므로 생략하기로 한다.Therefore, the probe tip test apparatus of the semiconductor device according to another embodiment of the present invention may include a control unit when the multi-tip 208 of the probe device contaminated by the test is inserted into the hole 118 of the cleaning container 110 in the cleaning tank. 130 controls the on or off of the plurality of valves 122a, 122b, 122c depending on whether the cleaning method is dry or wet cleaning to supply gas, chemical, or ultrapure water to the cleaning vessel 110. This removes contaminants on the multi-tips 208. The operation of the cleaning tank for this, too, will be omitted because it is the same as the above-described embodiment.

상술한 일 실시예 및 다른 실시예에서는 케미컬 분사부, 초순수 분사부, 가스 분사부를 분사 노즐, 공급관 및 밸브로 설명하였지만, 이와는 달리 팁으로 케미컬, 초순수, 가스를 분사하기 위한 다양한 구성이 가능하다. In the above-described embodiments and other embodiments, the chemical injection unit, the ultrapure water injection unit, and the gas injection unit have been described as injection nozzles, supply pipes, and valves. However, various configurations for injecting chemicals, ultrapure water, and gas with a tip are possible.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 프로브 장치의 팁만을 습식 용기에서 습식 또는 건식 세정한 후에 테스트에 다시 사용함으로써 반도체 소자의 테스트시 사용된 팁의 오염을 손쉽게 제거할 수 있다.As described above, the present invention can easily remove the contamination of the tip used in the test of the semiconductor device by using only the tip of the probe device in the wet container after wet or dry cleaning and then using it again in the test.

또한 본 발명은 프로브 장치에 멀티 팁을 장착하고 이러한 구조의 팁만을 세정조에서 세정한 후에 테스트에 다시 사용함으로써 한번의 세정으로 멀티 팁 각각에 부착된 오염 물질을 깨끗이 제거할 수 있어 세정 공정 시간을 줄일 수 있다.In addition, the present invention is equipped with a multi-tip in the probe device, only cleaning the tip of the structure in the cleaning tank and then used in the test again to clean the contaminants attached to each of the multi-tip in a single cleaning to reduce the cleaning process time Can be reduced.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

Claims

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A device for testing the tip of a probe device,

A tip coupled to the probe and contacting a pad of the semiconductor device to transmit an electrical signal;

A cleaning tank including a cleaning container having a hole into which the tip is inserted, a chemical injection unit for injecting chemical into the tip, an ultrapure water injection unit for injecting ultrapure water into the tip, and a gas injection unit for injecting gas into the tip; ,

And a controller for controlling the probe test through the tip and the tip cleaning operation through the cleaning tank.

The tip is formed of a plurality of multi-tips separated from each other probe tip test device of the semiconductor device, characterized in that coupled to the probe through the rotation drive.

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The method of claim 2,

The control unit probes the semiconductor device with one of the multi-tips and repeats the operation of probe-testing the semiconductor device with the other tip by the rotation driver when the signal measured at the tip deviates from the reference value. The probe tip test apparatus of the semiconductor device to clean the multi-tip by moving the multi-tip to the cleaning tank when the signal measured at the last tip is out of the reference value.

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