KR200198464Y1 - Semiconductor CD Device Cleaning System - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 시브이디 장비 세척장치에 관한 것으로서, 불산증기만에 의해 챔버를 세척하는 것이 아니라 불산증기와 물을 교대로 주입하고 질소가스에 의해 건조시키도록 구성하므로써, 종래의 장치에 비해 작업시간을 절반 이상 단축하는 것이 가능하여 작업성이 향상됨과 아울러 장시간에 걸친 불산노출에 의해 팹이 오염되는 것을 방지할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a device for cleaning a semiconductor CD device, which is configured to alternately inject hydrofluoric acid and water and dry it with nitrogen gas, instead of cleaning the chamber with only hydrofluoric acid vapor, and thus, a working time compared to a conventional apparatus. It is possible to shorten more than half to improve the workability and to prevent the fab from being contaminated by long exposure to hydrofluoric acid.
Description
본 고안은 반도체 시브이디 장비 세척장치에 관한 것으로서, 특히 세척시간을 단축하고 환경문제를 개선하는데 적합한 반도체 시브이디 장비 세척장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor CD device cleaning device, and more particularly to a semiconductor CD device cleaning device suitable for shortening the cleaning time and improve environmental problems.
반도체 시브이디 장비는 웨이퍼 상에 일정한 반응가스를 분사하여 화학반응에 의해 박막을 형성하는 장비를 말하는 것으로서, 이러한 반도체 시브이디 장비에는 수십장의 웨이퍼를 웨이퍼 카세트에 담아 공정챔버의 내부에 넣어 공정을 행하는 배치타입과 컨베이터 벨트의 상측에 올려진 웨이퍼가 컨베이어 벨트의 구동에 의해 일정한 속도로 이동하면서 공정이 진행되는 인라인타입 장비로 나눌수 있는데 본 고안은 이러한 인라인타입의 공정을 행하는 반도체 시브이디 장비를 세척하는 장치에 관한 것이다.The semiconductor CD device refers to a device for forming a thin film by chemical reaction by injecting a constant reaction gas onto a wafer. The semiconductor CD device includes dozens of wafers in a wafer cassette and is placed inside a process chamber to perform a process. The wafer placed on the upper side of the batch type and the conveyor belt can be divided into the inline type equipment in which the process is progressed while moving at a constant speed by driving the conveyor belt. The present invention cleans the semiconductor CD device performing the inline type process. It relates to a device to.
도 1 은 종래의 반도체 시브이디 장비 세척장치의 일례를 개략적으로 도시한 장치도로서, 이에 도시한 바와 같이, 종래의 반도체 시브이디 장비 세척장치는 내부로 컨베이어 벨트(미도시)가 통과하는 제 1 챔버(1)와, 제 2 챔버(2) 그리고 제 3 챔버(3)의 세 개의 챔버로 구성되는 인라인타입의 반도체 시브이디 장비를 세척하기 위한 장치로서, 시브이디 공정을 일정시간 진행한 후 각 챔버(1,2,3)의 상단부위 및 하단부위와 컨베이어 벨트(미도시) 그리고 반응가스가 통과하는 머플홀(h)을 불산증기로 식각하여 시브이디 공정중에 누적된 부산물을 제거하는 작용을 행하게 된다.FIG. 1 is an apparatus diagram schematically showing an example of a conventional semiconductor CD device cleaning device. As shown in the drawing, a conventional semiconductor CD device cleaning device includes a first through which a conveyor belt (not shown) passes. An apparatus for cleaning an in-line type semiconductor CD device comprising three chambers: a chamber (1), a second chamber (2), and a third chamber (3). The upper and lower portions of the chambers 1, 2 and 3, the conveyor belt (not shown) and the muffle hole h through which the reaction gas passes are etched with hydrofluoric acid to remove the by-product accumulated during the Sieve process. do.
이러한 세척 내지 식각 작업은 각각의 챔버(1,2,3)에 대해 일정 시간씩 행해지게 되는데 이는 질소가 질소유량조절기(4)와 질소유량표시기(5) 그리고 제 1 솔레노이드밸브(6)와 압력스위치(7) 그리고 제 2 솔레노이드밸브(8)를 거쳐 불산병(9)으로 유입되어 불산증기를 만들도록 한 후 불산병(9) 이후에 설치된 솔레노이드밸브(10,11,12,13)들을 조작하여 일정한 불산증기주입라인(14)을 거쳐 목적하는 챔버(1,2,3)쪽으로 불산증기가 공급되도록 하는 것에 의해 이루어지게 된다. 구체적으로는 제 1 챔버(1)로 불산증기가 공급되는 것은 불산병으로부터 시작해서 제 3 솔레노이드밸브(10), 제 4 솔레노이드밸브(11), 제 5 솔레노이드 밸브(12) 그리고 제 6 솔레노이드밸브(13)를 통해 이루어지게 되고 제 1 챔버(1)의 상단부와 하단부를 동시에 식각하게 된다. 이때는 각 솔레노이드밸브의 작용에 의해 제 2 챔버(2) 및 제 3 챔버(3)로는 불산증기가 공급되지 않는 상태에 있다. 이렇게 일정시간 동안 세척공정을 진행한 뒤에는 제 5 솔레노이드밸브(12)와 제 6 솔레노이드밸브(13)를 조작하여 불산병(9), 제 3 솔레노이드밸브(10) 그리고 제 4 솔레노이드밸브(11)를 통과하여 제 2 챔버(2)의 상단과 하단으로 불산증기가 공급되어 세척하도록 하며, 그 다음에는 불산병(9), 제 3 솔레노이드밸브(10), 제 4 솔레노이드밸브(11) 그리고 제 5 솔레노이드밸브(12)의 순서로 불산증기가 유동하여 제 3 챔버(3)를 세척하도록 하게 된다.This cleaning or etching operation is performed for each chamber (1, 2, 3) for a predetermined time, so that the nitrogen flows through the nitrogen flow regulator (4), the nitrogen flow indicator (5) and the first solenoid valve (6). After operating the switch 7 and the second solenoid valve 8 into the hydrofluoric acid bottle 9 to produce hydrofluoric acid vapor, the solenoid valves 10, 11, 12, and 13 installed after the hydrofluoric acid bottle 9 are operated. By the hydrofluoric acid vapor injection line 14 to the hydrofluoric acid vapor to the desired chamber (1, 2, 3) is made. Specifically, the hydrofluoric acid vapor is supplied to the first chamber 1 starting from the hydrofluoric acid bottle, the third solenoid valve 10, the fourth solenoid valve 11, the fifth solenoid valve 12, and the sixth solenoid valve ( 13) and the upper and lower ends of the first chamber 1 are etched at the same time. At this time, hydrofluoric acid vapor is not supplied to the second chamber 2 and the third chamber 3 by the action of each solenoid valve. After the washing process is performed for a predetermined time, the hydrofluoric acid bottle 9, the third solenoid valve 10, and the fourth solenoid valve 11 are operated by operating the fifth solenoid valve 12 and the sixth solenoid valve 13. The hydrofluoric acid vapor is supplied to the upper and lower ends of the second chamber 2 to be washed, and then the hydrofluoric acid bottle 9, the third solenoid valve 10, the fourth solenoid valve 11, and the fifth solenoid The hydrofluoric acid vapor flows in the order of the valve 12 to clean the third chamber 3.
그런데 상기한 바와 같은 구조로 되는 종래의 반도체 시브이디 장비 세척장치에는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional semiconductor CD device cleaning apparatus having the structure as described above has the following problems.
즉, 상기한 바와 같은 구성으로 된 반도체 시브이디 장비 세척장치의 경우에는 챔버(1,2,3)의 내부에 쌓인 부산물을 제거하기 위해서 하나의 챔버당 12 시간 정도의 장시간이 소요되며 노후된 장비의 경우에는 더욱 오랜 시간이 소요되어 작업성이 떨어지는 문제점이 있었고, 이렇게 장시간 동안 식각을 하여도 머플홀(h)등에 있는 부산물이 완전히 제거되지 못하여 파티클로 작용하게 되는 등의 문제점도 있었던 것이다. 그리고, 이렇게 장시간 동안 식각을 행함에 따라 불산에 의해 팹(FAB)환경이 오염되는 문제점도 있었다.In other words, in the case of the semiconductor CD device cleaning apparatus having the above-described configuration, it takes about 12 hours per chamber to remove the by-products accumulated in the chambers 1, 2, 3, In this case, there was a problem in that workability was deteriorated due to a longer time, and even by etching for a long time, the by-products in the muffle hole (h), etc. could not be completely removed, thereby acting as particles. As the etching process is performed for a long time, the FAB environment is contaminated by the hydrofluoric acid.
따라서, 상기한 바와 같은 문제점을 인식하여 안출된 본 고안의 목적은 짧은 세척시간으로 부산물을 제거하는 것이 가능하여 상기한 바와 같은 문제점을 해결하는 반도체 시브이디 장비 세척장치를 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention conceived by recognizing the problems described above is to provide a semiconductor CD device cleaning apparatus that can remove the by-products with a short cleaning time to solve the problems as described above.
도 1 은 종래의 반도체 시브이디 장비 세척장치의 일례를 개략적으로 도시한 장치도.1 is a device diagram schematically showing an example of a conventional semiconductor CD device cleaning apparatus.
도 2 는 본 고안의 일실시례에 의한 반도체 시브이디 장비 세척장치의 구성을 보인 장치도.Figure 2 is a device showing a configuration of a semiconductor CD device cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
1,2,3;챔버 4;질소유량조절기1,2,3; chamber 4; nitrogen flow regulator
5;질소유량표시기 6,8,10,11,12,13;솔레노이드밸브5; Nitrogen flow indicator 6, 8, 10, 11, 12, 13; Solenoid valve
7;압력스위치 9;불산병7; pressure switch 9; folic acid bottle
14;불산증기주입라인 15;물주입라인14; Foline steam injection line 15; Water injection line
16;질소주입라인 17;티피팅16; nitrogen injection line 17; tipping
18;첵크밸브 h;머플홀18; check valve h; muffle hole
상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 컨베이어 벨트에 웨이퍼를 얹어 머플홀로 반응가스를 분사하는 일련의 챔버 내부로 유동하도록 하면서 공정을 진행하는 인라인타입의 반도체 시브이디 장비를 세척하기 위하여, 불산증기를 형성하여 일련의 밸브를 거쳐 챔버로 공급하는 반도체 시브이디 장비 세척장치에 있어서; 상기 각각의 챔버에는 물을 주입할 수 있는 물주입라인과, 챔버를 건조시키기 위한 질소가스를 주입할 수 있는 질소주입라인이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 시브이디 장비 세척장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in order to clean the in-line type semiconductor CD device that proceeds while placing the wafer on the conveyor belt to flow into the series of chambers injecting the reaction gas into the muffle hole, Claims [1] A semiconductor CD device cleaning apparatus for forming hydrofluoric acid vapor and supplying it to a chamber through a series of valves; Each of the chambers is provided with a semiconductor CD equipment cleaning apparatus, characterized in that the water injection line for injecting water and the nitrogen injection line for injecting nitrogen gas for drying the chamber is installed.
상기 물주입라인과 질소주입라인은 불산증기를 주입하는 불산증기주입라인의 중간에 티피팅으로 연결되며 상기 불산증기주입라인의 티피팅 뒤쪽으로는 불산증기의 역류를 방지하는 첵크밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 시브이디 장비 세척장치가 제공된다.The water injection line and the nitrogen injection line are connected by tipping in the middle of the hydrofluoric acid injection line for injecting the hydrofluoric acid, and a check valve is installed at the rear of the tipping of the hydrofluoric acid injection line to prevent the reverse flow of the hydrofluoric acid vapor. A semiconductor CD device cleaning device is provided.
이하, 첨부도면에 도시한 본 고안의 일실시례에 의거하여 본 고안을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment of the present invention shown in the accompanying drawings.
도 2 는 본 고안의 일실시례에 의한 반도체 시브이디 장비 세척장치의 구성을 보인 장치도로서, 이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 시브이디 장비 세척장치는 종래와 같은 불산증기주입라인(14)이 연결된 챔버(1,2,3)에 물을 주입할 수 있는 물주입라인(15)과, 챔버(1,2,3)를 건조시키기 위한 질소가스를 주입할 수 있는 질소주입라인(16)이 설치되게 되는데 이러한 물주입라인(15)과 질소주입라인(16)은 불산증기를 주입하는 불산증기주입라인(14)의 중간에 티피팅(17)으로 연결되어 불산증기주입라인(14)과 합쳐지고 상기 불산증기주입라인(14)의 티피팅(17) 뒤쪽으로는 불산증기의 역류를 방지하는 첵크밸브(18)가 설치되는 것이 바람직하다.Figure 2 is a device diagram showing the configuration of a semiconductor CD device cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, as shown in this, the semiconductor CD device cleaning apparatus according to the present invention is a conventional hydrofluoric acid steam injection line ( 14 is a water injection line 15 for injecting water into the chamber (1, 2, 3) is connected, and a nitrogen injection line for injecting nitrogen gas for drying the chamber (1, 2, 3) ( 16 is installed, such that the water injection line 15 and the nitrogen injection line 16 is connected to the tip fitting 17 in the middle of the hydrofluoric acid steam injection line 14 for injecting hydrofluoric acid vapor injection line 14 ) And a check valve 18 is installed behind the tip fitting 17 of the hydrofluoric acid steam injection line 14 to prevent backflow of hydrofluoric acid vapor.
상기한 바와 같은 구조로 되는 본 고안에 의한 반도체 시브이디 장비 세척장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the semiconductor CD device cleaning apparatus according to the present invention having a structure as described above are as follows.
질소가 질소유량조절기(4)와 질소유량표시기(5) 그리고 제 1 솔레노이드밸브(6)와 압력스위치(7) 그리고 제 2 솔레노이드밸브(8)를 거쳐 불산병(9)으로 유입되어 불산증기를 만들도록 한 후 불산병 이후에 설치된 솔레노이드밸브(10,11,12,13)들을 조작하여 일정한 불산증기주입라인(14)을 거쳐 목적하는 챔버(1,2,3)쪽으로 불산증기가 공급되도록 하는 것은 종래와 동일하게 이루어지게 된다. 그런데 본 고안에서는 일정한 시간 동안 불산증기가 주입되도록 한 후에는 밸브들을 조작하여 불산증기의 주입을 막고 물주입라인(15)을 통해 티피팅(17)으로 물이 공급되도록 하여 챔버(1,2,3)를 물로 세척하게 된다. 이때 첵크밸브(18)에 의해 불산증기의 역류가 방지되게 된다. 한편, 이렇게 물을 일정시간 동안 챔버(1,2,3)로 주입한 후에는 다시 불산증기를 주입하도록 밸브들을 조작하게 되며 이러한 과정을 수회 반복하여 챔버(1,2,3)에 대한 세척을 종료한 후에는 질소주입라인(16)을 통해 질소가 공급되어 티피팅(17)을 지나 챔버(1,2,3)로 공급되어 챔버(1,2,3)를 건조시키게 된다.Nitrogen flows into the hydrofluoric acid bottle (9) through the nitrogen flow regulator (4), the nitrogen flow indicator (5), the first solenoid valve (6), the pressure switch (7), and the second solenoid valve (8). And then operate the solenoid valves (10, 11, 12, 13) installed after the hydrofluoric acid bottle so that the hydrofluoric acid vapor is supplied to the target chamber (1, 2, 3) through a constant hydrofluoric acid vapor injection line (14). This is done in the same way as in the prior art. However, in the present invention, after the hydrofluoric acid vapor is injected for a predetermined time, the valves are operated to prevent the injection of the hydrofluoric acid vapor and the water is supplied to the tipping 17 through the water injection line 15 so that the chambers 1, 2, 3) is washed with water. At this time, the check valve 18 prevents backflow of the hydrofluoric acid vapor. On the other hand, after injecting water into the chamber (1, 2, 3) for a predetermined time, the valves are operated to inject hydrofluoric acid again and the process is repeated several times to wash the chamber (1, 2, 3). After completion of the nitrogen is supplied through the nitrogen injection line 16 is passed through the tipping 17 to the chamber (1, 2, 3) to dry the chamber (1, 2, 3).
상기한 구조로 되는 장치를 사용하여 시험한 결과 불산증기만을 공급하는 경우에 비해 절반이상 세척시간을 단축할 수 있었으며 보다 완벽하게 부산물이 제거되는 것을 확인할 수 있었다.As a result of the test using the device having the structure described above, the cleaning time could be reduced by more than half compared to the case of supplying only hydrofluoric acid and it was confirmed that the by-products were more completely removed.
상기한 바와 같은 구조로 되는 본 고안에 의한 반도체 시브이디 장비 세척장치는 종래의 장치에 비해 작업시간을 절반 이상 단축하는 것이 가능하여 작업성이 향상됨과 아울러 장시간에 걸친 불산노출에 의해 팹이 오염되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The semiconductor CD device cleaning apparatus according to the present invention having the structure as described above can shorten the working time by more than half compared to the conventional apparatus, which improves workability and contaminates the fab due to long-term exposure to hydrofluoric acid. There is an effect that can be prevented.
Claims (2)
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