KR100606911B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
씨모스 이미지 센서의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100606911B1 KR100606911B1 KR1020040114788A KR20040114788A KR100606911B1 KR 100606911 B1 KR100606911 B1 KR 100606911B1 KR 1020040114788 A KR1020040114788 A KR 1020040114788A KR 20040114788 A KR20040114788 A KR 20040114788A KR 100606911 B1 KR100606911 B1 KR 100606911B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- forming
- semiconductor substrate
- device isolation
- nitride film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
- H01L21/76237—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials introducing impurities in trench side or bottom walls, e.g. for forming channel stoppers or alter isolation behavior
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (3)
- 액티브 영역과 소자 분리 영역으로 정의된 제 1 도전형 반도체 기판에 산화막과 질화막을 차례로 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 소자 분리 영역이 노출되도록 상기 질화막과 산화막을 선택적으로 식각하는 단계;상기 질화막 및 산화막의 측면에 측벽 스페이서를 형성하는 단계;상기 질화막 및 측벽 스페이서를 마스크로 이용하여 상기 노출된 반도체 기판의 표면에 트랜치를 형성하는 단계;상기 측벽 스페이서를 제거하는 단계;상기 질화막 및 산화막을 마스크로 이용하여 전면에 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하여 상기 트랜치가 형성된 반도체 기판 표면내에 제 1 도전형 도핑 영역을 형성하는 단계;상기 트랜치의 내부에 소자 격리막을 형성하는 단계;상기 질화막 및 산화막을 제거하는 단계;상기 제 1 도전형 확산영역에 의해 상기 소자 격리막과 일정한 간격을 갖도록 상기 반도체 기판의 액티브 영역에 제 2 도전형 확산 영역을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 측벽 스페이서는 옥사이드 계열 물질을 형성한 후 에치백하여 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 도핑 영역은 B 또는 BF2를 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040114788A KR100606911B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
US11/319,067 US7241671B2 (en) | 2004-12-29 | 2005-12-28 | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040114788A KR100606911B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060076393A KR20060076393A (ko) | 2006-07-04 |
KR100606911B1 true KR100606911B1 (ko) | 2006-08-01 |
Family
ID=37168683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040114788A KR100606911B1 (ko) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100606911B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010003139A (ko) * | 1999-06-21 | 2001-01-15 | 김영환 | 트렌치 소자분리 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
KR20030056323A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법 |
KR20040003981A (ko) * | 2002-07-05 | 2004-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
KR20040032542A (ko) * | 2002-10-10 | 2004-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 크로스 토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-29 KR KR1020040114788A patent/KR100606911B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010003139A (ko) * | 1999-06-21 | 2001-01-15 | 김영환 | 트렌치 소자분리 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
KR20030056323A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법 |
KR20040003981A (ko) * | 2002-07-05 | 2004-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
KR20040032542A (ko) * | 2002-10-10 | 2004-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 크로스 토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060076393A (ko) | 2006-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7675100B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
KR100461975B1 (ko) | 이미지센서의 트렌치 소자분리막 형성방법 | |
US7838917B2 (en) | CMOS image sensor and method of fabricating the same | |
KR100778856B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
US20060138470A1 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
KR100672701B1 (ko) | 씨모스(cmos) 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
KR20060076390A (ko) | Cmos 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
US7241671B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
KR100672670B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR100720505B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100606910B1 (ko) | Cmos 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
KR100660345B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
KR100760914B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
KR100672668B1 (ko) | Cmos 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
KR100606912B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR100731099B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100606911B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR100790287B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
KR100672665B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
KR100672700B1 (ko) | Cmos 이미지 센서의 제조 방법 | |
KR20060127498A (ko) | 암전류를 감소시키기 위한 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
KR100649001B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
KR100935764B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
KR20080097711A (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
KR20080060846A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130620 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140612 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150609 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160531 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170605 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180621 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190617 Year of fee payment: 14 |