KR100600239B1 - Device for surface treatment of substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 표면처리장치에 관한 것으로, 고정되어 수평회전되는 척과, 이 척이 내부에 위치되면서 수직왕복이동되도록 설치된 린스링과, 이 린스링이 내부에 위치되면서 외부배관이 설치된 챔버 및 기판의 중심을 동시에 향하도록 초기 설정된 다수의 분사기가 포함되어 이루어짐으로 인해, 하나의 부재에 하나의 동작이 행하여짐으로써 척 및 린스링과 연동된 동력원들 간의 간섭이 회피됨은 물론 각 부재의 안정되고 정확한 동작이 이루어지고, 선행 매질의 분사가 종료되는 동시에 후행 매질의 분사가 시작됨으로써 기판에 대한 정밀한 표면처리가 정확하게 이루어지며, 파손 및 공정 오류에 의한 불량이 현저히 저감됨은 물론 기판의 표면처리 공정 중에 발생되는 처리액 및 가스가 별도의 배출구로 수집될 수 있고, 기판 선단 또는 배출로의 입구 선단으로부터 배출물이 직하되어 설정된 이외의 공간으로 배출되는 현상 및 미배출이 제거되도록 된 것이다. The present invention relates to a surface treatment apparatus of a substrate, which is fixed and horizontally rotated chuck, the rinse ring is installed so that the vertical reciprocating movement while the chuck is located therein, the chamber and the substrate is installed with the external pipe while the rinse ring is located inside By including a plurality of injectors initially set to face the center of the same, one operation is performed on one member, thereby avoiding interference between power sources linked to the chuck and rinse ring, as well as stable and accurate operation of each member. Operation, the injection of the preceding medium is terminated and the injection of the following medium is started, so that precise surface treatment is performed on the substrate, and defects due to breakage and process error are significantly reduced, and also occur during the surface treatment process of the substrate. Process liquid and gas can be collected in a separate outlet, and The discharge from the tip of the inlet is discharged directly to the space other than the set and the non-emission is to be removed.

기판, 웨이퍼, 에칭, 린스, 척  Substrate, Wafer, Etch, Rinse, Chuck

Description

기판의 표면처리장치{Device for surface treatment of substrate} Device for surface treatment of substrate             

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판의 표면처리장치가 개략적으로 도시된 일부 사시도이고,1 is a partial perspective view schematically showing a surface treatment apparatus of a substrate according to an embodiment of the present invention,

도 2는 도 1의 표면처리장치의 주요부재가 개략적으로 도시된 사시도이며,2 is a perspective view schematically showing a main member of the surface treatment apparatus of FIG.

도 3은 도 1의 표면처리장치의 내부가 도시된 측단면 사시도이고, Figure 3 is a side cross-sectional perspective view of the inside of the surface treatment apparatus of Figure 1,

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판의 표면처리장치가 개략적으로 도시된 측단면 사시도이며,Figure 4 is a side cross-sectional perspective view schematically showing a substrate surface treatment apparatus according to another embodiment of the present invention,

도 5는 도 1의 표면처리장치의 사용상태도이다.5 is a state diagram used in the surface treatment apparatus of FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10...표면처리장치 20...척,10.Surface treatment unit 20 ...

22...스핀들 30...린스링,22 ... spindle 30 ... rinse ring,

32...집수로 34...환형 홈,32 ... catchment 34 ... annular groove,

36...관통홀 40...챔버,36 ... through hole 40 ... chamber,

41,42,43,44...배출관 45...배관41, 42, 43, 44 ... Exhaust pipe 45 ... Piping

50...분배기 52,54,56...분사관.50 ... Distributor 52,54,56 ... Injector.

본 발명은 기판의 표면처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체용 웨이퍼와 같은 기판의 표면에 처리액 및 건조가스가 분사가 이루어지도록 기판이 안착되고, 처리액 및 건조가스의 배출을 위한 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a surface treatment apparatus for a substrate, and more particularly, a substrate is mounted so that the treatment liquid and dry gas is sprayed onto the surface of the substrate such as a semiconductor wafer, and the apparatus for discharging the treatment liquid and dry gas It is about.

일반적으로, 반도체용 웨이퍼와 같은 기판은 표면에 에칭 및 세정등의 표면처리가 이루어지고, 이 기판의 표면처리를 위해 기판이 고정되어 회전되도록 하고, 회전되는 기판에 분사되는 처리액 및 건조가스등과 같은 매질이 분리되어 배출되도록 표면처리장치가 요구된다. In general, a substrate such as a wafer for a semiconductor is subjected to surface treatment such as etching and cleaning on the surface, and the substrate is fixed and rotated for surface treatment of the substrate, and the treatment liquid and dry gas sprayed onto the rotated substrate Surface treatment apparatus is required so that the same medium is separated and discharged.

종래의 기판의 표면처리장치는 기판이 안착되고 수직 왕복이동 및 수평회전이 가능하도록 장착된 척과, 이 척이 상부가 내부에 위치되면서 다수의 배출로가 수직 방향으로 형성된 챔버가 구비되었다.Conventional surface treatment apparatus of the substrate was provided with a chuck mounted on the substrate is mounted so as to enable vertical reciprocating movement and horizontal rotation, and the chamber is formed with a plurality of discharge path in the vertical direction as the chuck is located inside.

상기 척의 하측에는 척을 회전시키기 위한 모터가 장착되었고, 척 및 모터를 수직 왕복이동시킬 수 있도록 실린더가 설치되었다.The lower side of the chuck was mounted with a motor for rotating the chuck, and a cylinder was installed to vertically reciprocate the chuck and the motor.

그러나, 상기 기판이 안착된 척이 회전 및 수직 왕복되는 두가지 동작이 동시에 지속적으로 이루어짐으로써, 작동되는 각 동력원 간에, 즉 회전은 수직왕복이동에, 수직왕복이동은 회전에 악영향이 미치게 되고 이로 인해 모터 및 실린더가 쉽게 노후되고, 이에 따라 척에도 무리가 가해져 정확한 동작을 수행하는데 어려움 이 뒤따르며, 또한 척의 부정확한 동작에 의해 척에 안착된 기판에 공정의 오류가 발생될 수 있음과 더불어 주위환경에 의한 예기치 못한 손상이 발생될 수 있는 문제점이 있었다. However, by simultaneously performing two operations in which the chuck on which the substrate is seated is rotated and vertically reciprocated at the same time, between each power source to be operated, that is, rotation is adversely affected by vertical reciprocating movement and vertical reciprocating movement is caused by And the cylinder is easily aged, and thus, the chuck is exerted, which makes it difficult to carry out an accurate operation. In addition, an incorrect operation of the chuck may cause a process error on the substrate seated on the chuck. There was a problem that can cause unexpected damage.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 본 발명은 고정되어 수평회전되는 척과, 이 척이 내부에 위치되면서 수직왕복이동되도록 설치된 린스링과, 이 린스링이 내부에 위치되면서 외부배관이 설치된 챔버가 포함되어 이루어짐으로 인해, 척과 린스링의 분리된 동작으로 각 동력원은 상호간의 간섭이 저감됨은 물론 부하가 최소화되면서 정확한 동작을 제어할 수 있고, 척의 안정된 정확한 동작으로 척에 안착된 기판 역시 안정되고 정밀한 공정이 이루어지며, 기판의 표면처리를 위한 두 매질 간의 분사 종료 및 시작 시간의 차이가 설정치와 부합되어 양질의 표면처리가 이루어지도록 된 기판의 표면처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
The present invention devised in view of the above problems includes a fixed and horizontally rotated chuck, a rinse ring installed to move vertically reciprocating while the chuck is positioned therein, and a chamber in which an external pipe is installed while the rinse ring is positioned inside Due to the separate operation of the chuck and the rinse ring, each power source can not only reduce interference with each other but also control the precise operation with minimal load. The purpose of the present invention is to provide a surface treatment apparatus for a substrate such that a difference in the end and start times of spraying between two media for surface treatment of the substrate is consistent with a set value, thereby achieving a high quality surface treatment.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판의 표면처리장치는, 표면처리 공정이 요구되는 기판이 안착되고, 고정된 높이에서 회전되도록 배치된 척; 상기 척이 내부에 위치되도록 하고, 표면처리 공정에서 발생된 배출물이 종류별로 구분되어 집하되도록 수직왕복 이동되게 배치된 린스링; 상기 린스링이 내부에 위치되도록 하고, 린스링에 의해 구분되어 집하된 배출물이 배출되도록 외부 배 관과 연통되는 배출로가 형성된 챔버;가 구비되어 이루어진다.Surface treatment apparatus for a substrate according to the present invention for achieving the above object, Chuck disposed so that the substrate is required to the surface treatment process is rotated at a fixed height; A rinse ring arranged to move the chuck vertically and to move the chuck vertically so that the discharge generated in the surface treatment process is collected by type; And a chamber in which the rinsing ring is positioned inside, and a discharge path communicating with an external pipe is formed so that the discharged matter divided by the rinse ring is discharged.

상기 린스링은 하측에 위치된 승강기에 의해 승ㆍ하강 되도록 장착되고, 프레임의 상면에 연속된 홈으로 형성되면서 선택된 배출로와 연통되는 집수로와, 프레임의 내면 하부에 상향 개방되게 연속된 홈으로 형성되면서 집수로와 연통되는 환형홈과, 이 환형홈으로부터 형성된 내향의 경사면에 하나 이상의 관통홀이 포함되어 이루어진다. The rinse ring is mounted so as to be lifted and lowered by an elevator positioned at a lower side, and is formed as a continuous groove on the upper surface of the rinsing channel and communicates with the selected discharge passage, and a continuous groove which is opened upwardly under the inner surface of the frame. An annular groove formed in communication with the water collecting channel and at least one through hole is formed on an inwardly inclined surface formed from the annular groove.

상기 린스링의 프레임 외곽 상단부는 해당 단계에서의 배출물이 린스링의 상면을 따라 원활히 미끄러질 수 있도록 첨예형상을 이룬다. The upper edge of the frame outer portion of the rinse ring forms a sharp shape so that the discharge at the step can slide smoothly along the upper surface of the rinse ring.

상기 챔버는 부유하는 가스가 유입되도록 챔버의 상부에 형성된 1이상의 홀과, 이 홀에 유입된 가스가 배출되도록 상기 홀과 1이상의 배출로가 연통되도록 설치된 배기관이 더 포함되어 이루어진다. The chamber further includes one or more holes formed in the upper portion of the chamber to allow the floating gas to flow therein, and an exhaust pipe installed to communicate the one or more discharge paths so that the gas introduced into the holes is discharged.

상기 챔버는 챔버의 내면과 린스링의 외면 사이에 형성된 제1배출로와, 상기 집수로와 연통되도록 형성된 제2배출로와, 상기 관통홀과 연통되도록 형성된 제3배출로와, 상기 린스링의 경사면 하단과 연접되면서 상향 개방되어 연속된 홈으로 형성된 제4배출로가 포함되어 이루어지고, 각 배출로는 외부배관과 1개소 이상에서 연통되도록 이루어진다. The chamber may include a first discharge passage formed between an inner surface of the chamber and an outer surface of the rinse ring, a second discharge passage formed to communicate with the collecting passage, a third discharge passage formed to communicate with the through hole, and A fourth discharge path is formed to be connected to the lower end of the inclined surface and formed to be a continuous groove, and each discharge path is configured to communicate with at least one place with an external pipe.

상기 척에 안착된 원형기판의 표면처리를 위해 매질 공급원과 연통되게 설치된 분배기와, 이 분배기와 연통되게 배치되어 매질을 분사하는 다수의 분사관이 더 포함되어 이루어지고, 상기 분사관은 각각 동일 수평선상이 배제되면서 상호 다른 기울기를 갖는 개방단부가 동시에 기판의 중심을 향하도록 초기 설정되게 장착되어 이루어진다. Dispensers installed in communication with the source of the medium for the surface treatment of the circular substrate seated on the chuck, and a plurality of injection pipes disposed in communication with the dispenser to inject the medium, each of the injection pipes are the same horizontal line The phases are excluded and the open ends having different inclinations are initially mounted so as to face the center of the substrate at the same time.

이하, 본 발명에 따른 기판의 표면처리장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a surface treatment apparatus of a substrate according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판의 표면처리장치가 개략적으로 도시된 일부 사시도이고, 도 2는 도 1의 표면처리장치의 주요부재가 개략적으로 도시된 사시도이며, 도 3은 도 1의 표면처리장치의 내부가 척이 제거된 상태에서 도시된 측단면 사시도이다.1 is a partial perspective view schematically showing a surface treatment apparatus of a substrate according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view schematically showing a main member of the surface treatment apparatus of Figure 1, Figure 3 is FIG. The inside of the surface treatment apparatus of the side cross-sectional perspective view shown with the chuck removed.

본 발명에 따른 기판의 표면처리장치(10)는 표면처리를 위한 기판이 척(20)에 안착되고, 이 척(20)의 상부가 수용되도록 린스링(30)이 배치되고, 상기 린스링(30)의 상부가 수용되도록 챔버(40)가 배치되어 이루어진다.In the surface treatment apparatus 10 of a substrate according to the present invention, a substrate for surface treatment is placed on the chuck 20, and a rinse ring 30 is disposed such that an upper portion of the chuck 20 is accommodated, and the rinse ring ( The chamber 40 is arranged to accommodate the upper portion of the 30.

상기 척(20)은 챔버(40)의 하부에 위치된 구동장치에 일단부가 연동되게 설치되어 회전하는 스핀들(22)과, 이 스핀들(22)의 타단부에 연동되게 장착되어 수평 회전하는 회전체(24)가 포함되어 이루어지고, 상기 회전체(24)는 일정한 높이에서 고정되어 수평회전만을 하게 된다. The chuck 20 has a spindle 22 having one end interlocked with a driving device located below the chamber 40 and a rotating body mounted horizontally with the other end of the spindle 22 interlocked. 24 is included, and the rotating body 24 is fixed at a constant height so that only the horizontal rotation.

상기 린스링(30)는 회전체(24)가 내부에 위치되면서 하측에 위치된 승강기에 의해 승ㆍ하강 되도록 장착되고, 후술될 배출로(42)와 연통되도록 집수로(32)가 형성되며, 이 집수로(32)와 다수의 홀을 통해 연통되도록 내면 하부에 환형 홈(34)이 형성되고, 이 환형 홈(34)으로부터 내향으로 형성된 경사면에 하나 이상의 관통홀(36)이 형성된다.The rinse ring 30 is mounted to be lifted and lowered by an elevator located below while the rotor 24 is positioned therein, and a collecting passage 32 is formed to communicate with the discharge passage 42 to be described later. An annular groove 34 is formed below the inner surface to communicate with the water collecting passage 32 through a plurality of holes, and one or more through holes 36 are formed on the inclined surface formed inwardly from the annular groove 34.

상기 린스링(30)은 척(20)에 안착된 기판에 제공되는 공정 중에 발생된 처리액 및 가스가 각각 구분되어 해당 배출로로 분리되어 배출되도록 그 높이가 미리 설정된 수직 왕복이동을 하게 된다. 여기서 린스링(30)은 편의상 지칭된 용어로 반드시 링의 형상으로 이루어짐은 아니며, 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.The rinse ring 30 is a vertical reciprocating movement of the height is set so that the processing liquid and the gas generated during the process provided to the substrate seated on the chuck 20 are separated and discharged into the corresponding discharge path. Here, the rinse ring 30 is a term referred to for convenience and is not necessarily made of a ring shape, but may be formed in various shapes.

상기 린스링(30)은 챔버(40)의 하부를 관통한 하나 이상의 샤프트(38)와 체결되고, 이 샤프트(38)가 승강기에 의해 그 길이가 연장 또는 축소되면서 린스링(30)이 수직 왕복이동하도록 이루어진다. 이러한 린스링(30)의 수직 왕복이동은 챔버(40)와 일부위가 스크류방식으로 체결되어 회전하면서 수직이동될 수 있는 방식등을 포함하는 다양한 다른 형태의 방식이 이용될 수 있음은 물론이다. The rinse ring 30 is engaged with at least one shaft 38 penetrating the lower portion of the chamber 40, and the rinse ring 30 is vertically reciprocated while the shaft 38 is extended or reduced in length by an elevator. Is made to move. The vertical reciprocating movement of the rinse ring 30 can be used in a variety of other forms, including the way in which the chamber 40 and a part of the rinsing ring can be vertically moved while being rotated by screwing.

상기 집수로(32)는 중공 형상인 린스링(30)의 프레임 상면에 소정 깊이의 홈이 연속적으로 이루어진 형상으로, 하부에는 배출로(42)에 삽입되어 린스링(30)의 수직 왕복이동에 대한 가이드 역할 및 집수로(32)의 배출물이 배출로(42)로 원활히 유출되도록 하기 위한 연장부(31a)가 형성되며, 이 연장부(31a)는 하나 이상이 형성됨이 좋다. The water collecting passage 32 is a shape in which a groove having a predetermined depth is continuously formed on the upper surface of the frame of the rinse ring 30 having a hollow shape, and is inserted into the discharge passage 42 at a lower portion thereof to vertically reciprocate the rinsing ring 30. An extension portion 31a is formed to smoothly flow out of the discharge path 42 and the discharge of the water collecting passage 32, and the extension portion 31a may be formed at least one.

또한, 상기 린스링(30)의 프레임 내면 하부에 상향 개방되게 연속된 홈으로 형성되면서 집수로(32)와 연통된 환형 홈(34)은 린스링(30)의 내면을 따라 흐르는 미량의 잔류된 처리액이 집수되고, 이 집수된 배출물이 집수로(32)를 통해 배출로(42)로 유입되도록 유도하기 위하여 형성된다.In addition, the annular groove 34 communicated with the water collecting passage 32 while being formed as a continuous groove to be opened upward below the inner surface of the frame of the rinse ring 30 has a small amount of residual flowing along the inner surface of the rinse ring 30. The treatment liquid is collected and is formed to guide the collected discharge into the discharge passage 42 through the collecting passage 32.

상기 관통홀(36)은 기판의 표면처리 공정 중에 발생되어 침하하는 가스가 유입되어 배기되도록 하기 위하여 형성된다. The through hole 36 is formed during the surface treatment process of the substrate so as to allow the infiltrating gas to flow in and out.

한편, 상기 챔버(40)에는 다수의 배출로(41,42,43,44)가 형성되고, 이 배출로(41,42,43,44)와 연통되도록 다수의 외부 배관(45)이 장착된다. 이 배관(45)에 의해 소정의 배출로를 통해 유출된 배출물은 순환되어 재사용되고, 기타 다른 배출로를 통해 유출된 배출물은 완전 투기(投棄)된다.Meanwhile, a plurality of discharge paths 41, 42, 43, and 44 are formed in the chamber 40, and a plurality of external pipes 45 are mounted to communicate with the discharge paths 41, 42, 43, and 44. . The discharged out through the predetermined discharge path by this pipe 45 is circulated and reused, and the discharged out through the other discharge path is completely dumped.

상기 배출로(41,42,43,44)는 기판의 표면처리 단계 즉, 매질(媒質)이 요구되는 에칭 또는 세정 단계, 린스(Rinse)단계, 회전 또는 회전과 더불어 가스가 분사되는 건조단계 등으로 구분되는 단계에서 생성된 배출물 및 공정 중에 발생된 배출물이 구분되어 배출되도록 이루어진다.The discharge paths 41, 42, 43, and 44 may be a surface treatment step of a substrate, that is, an etching or cleaning step requiring a medium, a rinse step, a drying step in which gas is injected along with rotation or rotation. The emissions generated in the step and the emissions generated during the process are divided to be discharged.

여기서, 상기 배출로는 에칭 또는 세정단계에서의 배출물이 유입되도록 챔버(40)와 린스링(30) 사이에 형성된 제1배출로(41)와, 린스단계에서의 배출물이 유입되도록 린스링(30)의 집수로(32)와 연통되는 제2배출로(42)와, 상기 린스링(30)의 관통홀(36)과 연통되게 형성된 제3배출로(43)와, 상기 린스링(30)의 경사면 단부와 연접되게 형성되어 챔버(40) 내부에 잔류할 수 있는 배출물에 대해 최종적으로 집수하여 배출하기 위한 제4배출로(44)가 형성되고, 또한 각 배출로(41,42,43,44)에는 각각 1개소 이상에서 외부배관(45)이 결합된다.Here, the discharge path is a first discharge path 41 formed between the chamber 40 and the rinse ring 30 to allow the discharge in the etching or cleaning step, and the rinse ring 30 so that the discharge in the rinsing step flows in. A second discharge passage 42 in communication with the collecting channel 32 of the c), a third discharge passage 43 formed in communication with the through hole 36 of the rinse ring 30, and the rinse ring 30 The fourth discharge path 44 is formed to be connected to the end of the inclined surface of the discharge and finally collected and discharged for the discharge that may remain in the chamber 40, and each discharge path 41, 42, 43, 44, at least one external pipe 45 is coupled to each other.

또한, 상기 제1,2배출로(41,42)는 각 단계에 따른 린스링(30)의 설정 높이 변화에 따라 상호 그 역할이 전환되어 이용될 수 있다. In addition, the first and second discharge passages 41 and 42 may be used by changing their roles as the set height changes of the rinse ring 30 according to each step.

한편, 도 4에서와 같이, 챔버(40)의 상부에는 공정 중에 발생되어 부유하는 가스를 수집하기 위해 다수의 배기홀(46)이 형성되고, 이 배기홀(46)이 형성된 상부는 중심으로 돌출되도록 형성됨이 바람직하며, 상기 배기홀(46)은 제3배출로(43)에 형성되어 관통홀(36)과 외부배관(45)이 연통되도록 배출구(43a)와 배기관(47)을 통해 연통된다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, a plurality of exhaust holes 46 are formed in the upper portion of the chamber 40 to collect floating gas generated during the process, and the upper portions in which the exhaust holes 46 are formed protrude toward the center. Preferably, the exhaust hole 46 is formed in the third discharge path 43 so that the through hole 36 and the external pipe 45 communicate with each other through the discharge port 43a and the exhaust pipe 47. .

여기서, 상기 배기홀(46)과 연접된 배기관(47)과, 상기 배기홀(46)과 연접된 배출구(43a)와, 상기 배기관(47)과 배출구(43a)가 합류된 부위 중 1개소 이상에 소정의 조절부재가 설치되고, 이 조절부재의 조정에 의해 어느 선택된 경로를 통한 가스의 배출이 조절될 수 있도록 할 수 있다. 이때, 조절부재는 개폐밸브 또는 댐퍼(damper)등이 포함되어 기체의 유동량을 조절할 수 있도록 된 부재이면 어느 것이든 무방하다.Here, at least one portion of an exhaust pipe 47 connected to the exhaust hole 46, an outlet 43a connected to the exhaust hole 46, and a portion at which the exhaust pipe 47 and the outlet 43a are joined. A predetermined adjustment member is installed in the control unit, and by adjusting the adjustment member, the discharge of the gas through any selected path can be controlled. At this time, the adjustment member may be any member that includes an on-off valve or a damper (damper) to control the flow rate of the gas.

도 5는 기판의 표면처리를 위해 척(20)에 안착된 기판의 상면에 처리액 및 가스가 분출되도록 처리액 및 가스 공급원과 연통되는 분배기(50)가 설치되고, 이 분배기(50)와 연통되면서 기판의 중앙 상면에 개방단부가 하향 위치되도록 다수의 분사관(52,54,56)이 돌출되어 장착된다.5 is provided with a distributor 50 in communication with the processing liquid and the gas supply source so that the processing liquid and gas are ejected on the upper surface of the substrate seated on the chuck 20 for surface treatment of the substrate. At the same time, a plurality of injection pipes 52, 54, 56 protrude from the top end of the substrate so that the open end is positioned downward.

상기 기판의 표면처리를 위해 단계별로 구분되어 설치된 다수의 분사관(52,54,56)들 간의 매질분사 종료와 시작시간이 미리 설정된 시간에 부합하도록 하기 위해 상기 분사관(52,54,56)의 개방단부의 초기 위치가 기판의 중심에 위치됨이 바람직하다.The injection pipes 52, 54, and 56 in order to ensure that the end and start times of the medium injection between the plurality of injection pipes 52, 54, and 56 installed in stages for the surface treatment of the substrate correspond to a preset time. It is preferred that the initial position of the open end of is located at the center of the substrate.

즉, 기판의 표면 처리를 위한 매질의 분사는 항상 기판의 중심으로부터 시작되어야 하기 때문에 동시에 기판의 중앙을 향하도록 분사관(52,54,56)들의 개방단부가 하향 위치되도록 함이 좋고, 이를 위해 분배기(50)와 연통되는 분사관(52,54,56)들은 동일 수평선상이 배제된 상태로 위치되면서 상호 절곡부위를 희망 에 의해 달리하여 하향 절곡되고, 절곡된 개방단부는 그 기울기가 상호 다르게 형성된다. That is, since the ejection of the medium for the surface treatment of the substrate should always start from the center of the substrate, it is preferable that the open ends of the injection tubes 52, 54, 56 are positioned downward so as to face the center of the substrate at the same time. The injection pipes 52, 54 and 56 communicating with the distributor 50 are bent downward by differently bent portions as desired while being positioned with the same horizontal line excluded, and the bent open ends have different inclinations. do.

여기서, 일 예로 상기 분사관 54와 56은 상호 연접되어 동일하게 형성되면서 분사관 52과는 다른 기울기가 형성될 수도 있다. 또한 분사관(52,54,56)은 상호 이격되게 배치되면서 각각의 기울기가 달리 형성될 수도 있다. Here, for example, the injection pipes 54 and 56 may be connected to each other and may be formed in the same manner, and different inclinations from the injection pipes 52 may be formed. In addition, the injection pipes 52, 54, 56 may be disposed to be spaced apart from each other, and may have different inclinations.

한편, 선행하는 하나의 분사관으로부터 매질분사가 종료되면 후행하는 다른 하나 이상의 분사관으로부터 매질이 분사되도록 제어되는데, 이때 상기 분사관(52,54,56)의 개방단부가 동시에 기판의 중앙을 향하도록 위치되어 있어, 선행 분사관의 매질분사 종료 후 설정된 시간에 따라 초기 위치에서의 후행 분사관이 기판의 중심으로 매질을 분사할 수 있다. 특히, 선행 분사관의 매질분사 종료와 동시에 후행 분사관의 매질이 기판의 중심에 분사될 수 있어 매질에 의한 기판의 표면처리가 정밀하고도 정확하게 이루어질 수 있다. On the other hand, when the injection of the medium from one of the preceding injection tube is controlled so that the medium is injected from the following one or more injection tube, wherein the open ends of the injection pipe (52, 54, 56) at the same time toward the center of the substrate It is positioned so that the trailing jetting tube at the initial position may inject the medium to the center of the substrate according to the time set after the media injection of the preceding jetting tube is finished. In particular, at the same time as the medium injection of the preceding injection pipe, the medium of the subsequent injection pipe can be injected to the center of the substrate, so that the surface treatment of the substrate by the medium can be precisely and accurately performed.

이하, 본 발명에 따른 기판의 표면처리장치의 작동을 간략히 설명한다. Hereinafter, the operation of the surface treatment apparatus of the substrate according to the present invention will be briefly described.

표면처리를 요하는 기판이 척(20)에 안착된 상태에서 척(20)이 수평 회전하게되고, 기판에 각 단계별로 매질이 설정에 따라 분사되도록 분사관(52,54,56)들이 기판의 표면 위를 상호 연동되게 회동한다. The injection pipes 52, 54, 56 are formed so that the chuck 20 rotates horizontally while the substrate requiring surface treatment is seated on the chuck 20, and the medium is sprayed on the substrate according to the setting. Rotate on the surface interlocked.

이 때, 기판의 표면처리를 위한 매질이 단계별로 바뀌면서 기판의 표면에 분사되면 이 단계에 부합되도록 린스링(30)이 수직으로 이동되며,이 린스링(30)의 이동으로 매질별로 제1배출로(41)와, 집수로(32) 및 환형홈(34)을 통한 제2배출로(42) 로 분리되어 배출되고, 잔류된 처리액은 제4배출로(44)를 통해 최종 수집되어 배출되며, 공정 중에 발생된 가스는 챔버(40)의 상부에 형성된 배기홀(46) 및 린스링(30)에 형성된 관통홀(36)을 통한 제3배출로(43)로 배출된다. At this time, when the medium for the surface treatment of the substrate is changed in stages and sprayed on the surface of the substrate, the rinse ring 30 is moved vertically to correspond to this step, and the first discharge for each medium by the movement of the rinse ring 30. The discharge 41 is separated into the second discharge passage 42 through the furnace 41, the collecting passage 32 and the annular groove 34, and the remaining treatment liquid is finally collected and discharged through the fourth discharge passage 44. The gas generated during the process is discharged to the third discharge path 43 through the exhaust hole 46 formed in the upper portion of the chamber 40 and the through hole 36 formed in the rinse ring 30.

일 예로, 상기 린스링(30)의 외측 상단이 척(20)의 상면보다 수평 이하의 높이에 위치되어 소정 단계에서 생성된 배출물이 제1배출로(41)로 유입되도록 하고, 그 다음으로 린스링(30)의 내측 상단과 외측 상단 사이에 척(30)의 상면이 위치되어 다음 단계에서 생성된 배출물이 집수로(32)에 유입된 다음 제2배출로(42)로 유동되도록 하며, 상기 린스링(30)의 내측 상단이 척(30)의 상면보다 높게 위치되어 제1배출로(41) 및 제2배출로(42)로 미배출된 배출물이 환형홈(34)에 수집되어 배출되도록 하면서 상기 챔버(40)에 잔류된 배출물이 제4배출로(44)에서 최종적으로 수집되어 배출되도록 하고, 또한 기판 처리중 발생된 가스는 배기홀(46) 및 관통홀(36)을 통해 제3배출로(43)로 유동되어 배출되도록 한다. For example, the outer upper end of the rinse ring 30 is located at a level below the horizontal of the upper surface of the chuck 20 so that the discharge generated in a predetermined step flows into the first discharge path 41, and then rinse An upper surface of the chuck 30 is positioned between the inner upper end and the outer upper end of the ring 30 so that the discharge generated in the next step flows into the collecting passage 32 and then flows into the second discharge passage 42. The inner upper end of the rinsing ring 30 is positioned higher than the upper surface of the chuck 30 so that the undischarged discharged to the first discharge passage 41 and the second discharge passage 42 are collected in the annular groove 34 and discharged. While the discharge remaining in the chamber 40 is finally collected and discharged in the fourth discharge path 44, and the gas generated during the substrate processing is discharged through the exhaust hole 46 and the through hole 36 Flow to the discharge path 43 to be discharged.

여기서, 상기 린스링(30)의 높이 변화에 대한 설정 변경에 따라 제1배출로(41) 또는 제2배출로(42)에 유입되는 매질의 종류가 바뀔 수 있음은 물론이다.Here, the type of the medium flowing into the first discharge passage 41 or the second discharge passage 42 may be changed according to the setting change of the height change of the rinse ring 30.

상기 배출로(41,42,43,44)들은 각각 외부 배관(45)들과 연통되고, 필요에 따라 일부 배출물은 순환되어 재사용되기도 하고, 다른 일부 배출물은 완전 투기된다. The discharge passages 41, 42, 43, and 44 are in communication with the external pipes 45, respectively, and some of the discharges are circulated and reused as necessary, and some of the discharges are completely dumped.

또한, 기판에 분사된 처리액이 기판으로부터 탈리될 때, 린스링(30)의 첨예형상의 상단부를 통해 소량의 배출물이 응집되어 해당 배출로 이외의 배출로로 적하됨이 방지된다.In addition, when the treatment liquid sprayed on the substrate is detached from the substrate, a small amount of discharge is agglomerated through the sharp upper end of the rinse ring 30 to prevent it from being dropped into discharge passages other than the discharge passage.

한편, 기판의 표면처리 공정 중 발생된 기체에 대해 챔버(40)의 상부 및, 하 부에서 처리액과 별도로 배기된다. On the other hand, the gas generated during the surface treatment process of the substrate is exhausted separately from the processing liquid in the upper and lower portions of the chamber 40.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 기판의 표면 처리를 위해 요구되는 수평회전 및 수직이동이 각각 척과 린스링에 의해 이루어지는, 즉 하나의 부재에 하나의 동작이 행하여져, 척과 린스링의 작동을 제어하는 동력원들 간의 간섭에 의한 악영향이 회피됨은 물론 각 부재의 안정되고 정확한 동작이 이루어질 수 있고, 기판에 대한 정밀한 표면처리가 정확하게 이루어짐과 더불어 파손 및 공정 오류에 의한 불량이 현저히 저감될 수 있어 제품의 질이 향상된다.According to the present invention configured as described above, the horizontal rotation and the vertical movement required for the surface treatment of the substrate are each made by the chuck and the rinse ring, that is, one operation is performed on one member to control the operation of the chuck and the rinse ring. As well as avoiding adverse influences caused by interference between power sources, stable and accurate operation of each member can be achieved, precise surface treatment of the substrate can be performed accurately, and defects caused by breakage and process errors can be significantly reduced. This is improved.

또한, 기판의 표면처리 공정 중 발생되는 기체 및 처리액 등이 구분되어 배출하기 위한 배출로가 별도로 형성되어 외부로의 방출 및 재순환이 필요에 의해 원활하게 이루어지고, 기판 또는 배출로의 입구 선단으로부터 직하되어 배출물의 예정된 공간 이외의 공간으로 유입되면서 내부에 잔류하거나 미배출되는 현상이 제거되며, 기판의 표면처리를 위한 두 매질 간의 분사 종료 및 시작 시간의 차이가 설정치와 부합되어 양질의 표면처리가 이루어지는 효과가 있다.

In addition, a discharge path for separating and discharging the gas and the treatment liquid generated during the surface treatment process of the substrate is formed separately, so that the discharge and recirculation to the outside is made smoothly as necessary, and from the inlet end of the substrate or discharge path It is directly underneath and flows into the space other than the scheduled space of the discharge, eliminating the phenomenon of remaining or not discharged inside, and the difference between the end and start time of the injection between the two media for the surface treatment of the substrate is consistent with the set value, so that It has an effect.

Claims (6)

표면처리 공정이 요구되는 기판이 안착되고, 고정된 높이에서 회전되도록 배치된 척;A chuck placed on the substrate on which the surface treatment process is required and disposed to rotate at a fixed height; 상기 척이 내부에 위치되도록 하고, 표면처리 공정에서 발생된 배출물이 종류별로 구분되어 집하되도록 수직왕복 이동되게 배치된 린스링;A rinse ring arranged to move the chuck vertically and to move the chuck vertically so that the discharge generated in the surface treatment process is collected by type; 상기 린스링이 내부에 위치되도록 하고, 린스링에 의해 구분되어 집하된 배출물이 배출되도록 외부 배관과 연통되는 배출로가 형성된 챔버;A chamber in which the rinsing ring is positioned inside and in which a discharge path communicating with an external pipe is formed so as to discharge discharged matter divided by the rinsing ring; 가 구비되어 이루어진 기판의 표면처리장치.Surface treatment apparatus of the substrate is provided. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 린스링은 하측에 위치된 승강기에 의해 승ㆍ하강 되도록 장착되고, 프레임의 상면에 연속된 홈으로 형성되면서 선택된 배출로와 연통되는 집수로와, 프레임의 내면 하부에 상향 개방되게 연속된 홈으로 형성되면서 집수로와 연통되는 환형홈과, 이 환형홈으로부터 형성된 내향의 경사면에 하나 이상의 관통홀이 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 기판의 표면처리장치.The rinse ring is mounted so as to be lifted and lowered by an elevator positioned at a lower side, and is formed as a continuous groove on the upper surface of the rinsing channel and communicates with the selected discharge passage, and a continuous groove which is opened upwardly under the inner surface of the frame. And an annular groove formed in communication with the catchment channel and at least one through hole formed on an inwardly inclined surface formed from the annular groove. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 린스링의 프레임 외곽 상단부는 해당 단계에서의 배출물이 린스링의 상면을 따라 원활히 미끄러질 수 있도록 첨예형상을 이루는 것을 특징으로 하는 기판 의 표면처리장치. The frame outer upper end portion of the rinse ring surface treatment apparatus of the substrate, characterized in that forming a sharp shape so that the discharge in the step can slide smoothly along the upper surface of the rinse ring. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버는 부유하는 가스가 유입되도록 챔버의 상부에 형성된 1이상의 홀과, 이 홀에 유입된 가스가 배출되도록 상기 홀과 1이상의 배출로가 연통되도록 설치된 배기관이 더 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 기판의 표면처리장치.The chamber further comprises at least one hole formed in the upper portion of the chamber so that the floating gas flows, and the exhaust pipe is installed to communicate with the hole and the at least one discharge passage so that the gas flowed into the hole further comprises a substrate Surface treatment equipment. 제2항 또는 제4항에 있어서,The method according to claim 2 or 4, 상기 챔버는 챔버의 내면과 린스링의 외면 사이에 형성된 제1배출로와, 상기 집수로와 연통되도록 형성된 제2배출로와, 상기 관통홀과 연통되도록 형성된 제3배출로와, 상기 린스링의 경사면 하단과 연접되면서 상향 개방되어 연속된 홈으로 형성된 제4배출로가 포함되어 이루어지고, 각 배출로는 외부배관과 1개소 이상에서 연통되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판의 표면처리장치.The chamber may include a first discharge passage formed between an inner surface of the chamber and an outer surface of the rinse ring, a second discharge passage formed to communicate with the collecting passage, a third discharge passage formed to communicate with the through hole, and And a fourth discharge path formed up into a continuous groove while being connected to the lower end of the inclined surface, wherein each discharge path is formed in communication with the external pipe at one or more places. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 척에 안착된 기판의 표면처리를 위해 매질 공급원과 연통되게 설치된 분배기와, 이 분배기와 연통되게 배치되어 매질을 분사하는 다수의 분사관이 더 포함되어 이루어지고, 상기 분사관은 각각 동일 수평선상이 배제되면서 상호 다른 기울기를 갖는 개방단부가 동시에 기판의 중심을 향하도록 초기 설정되게 장착되어 이루어진 것을 특징으로 하는 기판의 표면처리장치. Dispensers are provided in communication with the source of the medium for the surface treatment of the substrate seated on the chuck, and a plurality of injection pipes disposed in communication with the dispenser to inject the medium, each of the injection pipes are on the same horizontal line Surface treatment apparatus for the substrate, characterized in that the initial stage is set to be initially set so that the open ends having different inclination mutually different to the center of the substrate at the same time.
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