KR100599045B1 - Etching apparatus for forming a pattern - Google Patents

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Abstract

배플을 포함하는 반도체 제조에서 패턴 형성을 위한 식각 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 가공 챔버와 진공 챔버를 포함한다. 상기 가공 챔버에는 척이 설치되어 있다. 그리고, 상기 장치는 막들을 식각할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 위치에 상기 가공 챔버 내측을 둘러싸도록 설치되는 제1배플과, 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되고, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플의 원주면과 면접하여 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 제2배플을 포함한다. 또한, 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 상측 및 하측으로 리프팅시키는 리프터를 포함한다. 따라서, 제1배플 및 제2배플의 면접 및 격리를 통하여 반응 부산물을 용이하게 배기시킬 수 있다.An etching apparatus for pattern formation in semiconductor manufacturing including baffles is disclosed. The apparatus includes a processing chamber and a vacuum chamber. The processing chamber is provided with a chuck. The apparatus may further include a first baffle installed to surround the processing chamber and a circumferential surface of the chuck at a position that borders the processing chamber and the vacuum chamber when etching the membranes. And a second baffle which is in contact with the circumferential surface of the first baffle and bounds the processing chamber and the vacuum chamber. It also includes a lifter for lifting the chuck and the second baffle up and down the processing chamber. Therefore, the reaction by-products can be easily exhausted through the interview and isolation of the first and second baffles.

Description

패턴 형성을 위한 식각 장치{Etching apparatus for forming a pattern}Etching apparatus for forming a pattern

도 1은 종래의 반도체 제조에 있어 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a configuration diagram illustrating an etching apparatus for pattern formation in a conventional semiconductor manufacturing.

도 2는 도 1의 식각 장치에 포함되는 배플의 측단면 구조를 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a side cross-sectional structure of a baffle included in the etching apparatus of FIG. 1.

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.3 and 4 are configuration diagrams for explaining an etching apparatus for forming a pattern according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10, 30 : 가공 챔버 12, 32 : 진공 챔버10, 30: processing chamber 12, 32: vacuum chamber

14, 34 : 척 16, 35, 36 : 배플14, 34: Chuck 16, 35, 36: Baffle

18, 38 : 리프터 20 : 슬릿18, 38: Lifter 20: Slit

22, 42 : 윈도우 44 : 밸브22, 42: window 44: valve

W : 기판W: Substrate

본 발명은 패턴 형성을 위한 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 척(chuck)의 원주면을 둘러싸도록 설치되는 배플(baffle)을 포함하는 반도체 제조에서 패턴 형성을 위한 식각 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus for pattern formation, and more particularly, to an etching apparatus for pattern formation in semiconductor manufacturing including a baffle installed to surround the circumferential surface of a chuck.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 패턴을 형성하는 식각 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, the manufacturing technology of the semiconductor device has been developed to improve the degree of integration, reliability, and response speed. Accordingly, the demand for microfabrication techniques such as etching techniques for forming patterns as a main technique for improving the integration degree of the semiconductor device is also becoming more stringent.

상기 식각 기술은 기판 상에 형성되어 있는 막들의 소정 부위를 식각하여 상기 막들을 패턴으로 가공하는 기술로써, 0.15㎛ 이하의 디자인룰(design rule)을 요구하는 최근의 반도체 장치의 제조에서는 플라즈마(plasma)를 이용하는 식각 장치를 주로 사용한다.The etching technique is a technique of etching a predetermined portion of the films formed on a substrate to process the films into a pattern, and in the manufacture of a semiconductor device that requires a design rule of 0.15 μm or less, plasma The etching device using) is mainly used.

상기 식각 장치는 막들을 식각하는 가공이 진행되는 가공 챔버, 상기 가공 챔버를 진공으로 형성하는 진공 챔버, 기판이 놓여지는 척 및 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되는 배플 등을 포함한다.The etching apparatus includes a processing chamber in which processing of etching films is performed, a vacuum chamber for forming the processing chamber into a vacuum, a chuck on which a substrate is placed, and a baffle installed to surround the circumferential surface of the chuck.

상기 식각 장치에 대한 예는 미합중국 특허 제5,015,331호(issued to Powell)에 개시되어 있다.An example of such an etching apparatus is disclosed in US Pat. No. 5,015,331 issued to Powell.

도 1은 종래의 반도체 제조에 있어 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다. 1 is a configuration diagram illustrating an etching apparatus for pattern formation in a conventional semiconductor manufacturing.                         

도 1를 참조하면, 도시된 장치는 기판(W) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 패턴으로 형성하는 식각 장치이다. 상기 장치는 가공 챔버(10) 및 진공 챔버(12)를 포함한다. 가공 챔버(10)에는 기판(W)이 놓여지는 척(14)이 설치된다. 그리고, 척(14)의 원주면을 둘러싸는 배플(16)이 설치된다.Referring to FIG. 1, the illustrated apparatus is an etching apparatus for etching a film formed on a substrate W to form a pattern. The apparatus includes a processing chamber 10 and a vacuum chamber 12. The machining chamber 10 is provided with a chuck 14 on which the substrate W is placed. And the baffle 16 surrounding the circumferential surface of the chuck 14 is provided.

도 2는 도 1의 식각 장치에 포함되는 배플의 측단면 구조를 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a side cross-sectional structure of a baffle included in the etching apparatus of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 도시된 도면은 배플(16)을 나타낸다. 배플(16)은 식각을 수행할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버가 경계를 짓도록 설치된다. 그리고, 배플(16)에는 원주 방향을 따라 슬릿(slit)(20)이 형성된다. 슬릿(20)은 식각을 수행할 때 가공 챔버(10) 내에 발생하는 반응 부산물들을 외부로 배기시키는 기능을 갖는다. 이때, 슬릿(20)은 가공 챔버를 향하는 입구측이 넓고, 진공 챔버는 향하는 출구측이 좁은 테이퍼(taper) 형상을 갖는다. 그리고, 상기 출구측의 슬릿은 2 내지 3mm 정도이 이격 거리를 갖도록 형성된다.Referring to FIG. 2, the depicted figure shows a baffle 16. The baffle 16 is installed so that the processing chamber and the vacuum chamber delimit when etching is performed. In addition, slits 20 are formed in the baffle 16 along the circumferential direction. The slit 20 has a function of exhausting reaction by-products generated in the processing chamber 10 to the outside when etching is performed. At this time, the slit 20 has a wider inlet side toward the processing chamber, and the vacuum chamber has a narrower taper shape. And, the outlet side slit is formed to have a separation distance of about 2 to 3mm.

상기 장치는 척(14) 및 배플(16)을 가공 챔버(10) 상, 하로 리프팅시키는 리프터(lifter)(18)를 포함한다. 가공 챔버(10)의 일측에는 기판(W)의 이송을 위한 윈도우(window)(22)가 설치된다. 이에 따라, 리프터(18)를 가공 챔버(10) 상측으로 리프팅시켜 기판(W)을 이송받은 다음 가공 챔버(10) 하측으로 리프팅시키는 구성을 갖는다.The apparatus includes a lifter 18 for lifting the chuck 14 and the baffle 16 up and down the processing chamber 10. One side of the processing chamber 10 is provided with a window 22 for transferring the substrate (W). Accordingly, the lifter 18 is lifted above the processing chamber 10 to receive the substrate W and then lifted below the processing chamber 10.

그리고, 리프트(18)의 리프팅은 가공 챔버(10) 내에 존재하는 폴리머, 식각 가스 등과 같은 반응 부산물을 외부로 배기시키는 구성을 갖는다. 즉, 리프터(18) 를 상측으로 리프팅시킬 때 배플(16)의 슬롯(20)을 통하여 상기 반응 부산물이 외부로 배기된다.In addition, the lifting of the lift 18 is configured to exhaust reaction by-products such as polymers, etching gases, etc. present in the processing chamber 10 to the outside. That is, the reaction by-product is exhausted to the outside through the slot 20 of the baffle 16 when lifting the lifter 18 upwards.

그러나, 식각 공정을 수행할 때 발생하는 폴리머(polymer) 등과 같은 반응 부산물이 슬릿(20)을 통하여 외부로 완전히 배기되지 못하고, 슬릿(20)의 출구측에 흡착되는 상황이 빈번하게 발생한다. 때문에, 리프터(18)를 사용하여 척(14) 및 배플(16)을 리프팅시킬 때 발생하는 압력에 의해 상기 폴리머가 가공 챔버(10) 내부로 유입된다. 그리고 상기 폴리머는 기판(W) 등에 떨어져서 파티클(particle)로 작용한다. 이는, 슬릿(20)을 통하여 반응 부산물이 배기되는데, 슬릿(20)의 구조로 인하여 슬릿(20)에 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 계속적으로 흡착되기 때문이다.However, a situation in which reaction by-products such as a polymer generated when performing an etching process is not completely exhausted to the outside through the slit 20 and is adsorbed to the outlet side of the slit 20 frequently. Therefore, the polymer is introduced into the processing chamber 10 by the pressure generated when the lifter 18 is used to lift the chuck 14 and the baffle 16. The polymer is separated from the substrate W and acts as a particle. This is because reaction by-products are exhausted through the slits 20, because reaction by-products such as polymers are continuously adsorbed to the slits 20 due to the structure of the slits 20.

이에 따라 상기 폴리머로 기인한 파티클은 불량 소스로 작용한다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰도를 저하시키는 문제점이 있었다.The particles resulting from the polymer thus act as a bad source. Therefore, there was a problem of lowering the reliability of the semiconductor device.

이러한 문제점을 해결하기 위한 일환으로서, 슬릿의 형태를 타원형 등으로 변형시키고, 출구측 크기를 개선시키는 방법 등이 최근에 적용되고 있으나, 이러한 방법 또한 슬릿을 통하여 반응 부산물을 배기시키기 때문에 슬릿에 반응 부산물이 흡착되는 것을 배제할 수는 없다. 때문에, 전술한 바와 같은 문제점은 계속적으로 발생되고 있다.In order to solve this problem, a method of modifying the shape of the slit into an elliptical shape or the like and improving the size of the outlet side has been recently applied. However, this method also exhausts the reaction by-products through the slits, thereby reacting the by-products to the slits. This adsorbing cannot be excluded. Therefore, the above problems continue to occur.

본 발명의 목적은, 식각을 수행할 때 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 가공 챔버 내부로 유입되는 것을 방지하기 위한 패턴 형성을 위한 식각 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an etching apparatus for forming a pattern for preventing reaction by-products such as polymers from being introduced into a processing chamber when performing etching.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 패턴 형성을 위한 식각 장치는, 기판 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 상기 막들을 패턴으로 형성하기 위한 가공 챔버와, 상기 가공 챔버 하측에 설치되고, 상기 가공 챔버를 진공으로 형성하기 위한 진공 챔버와, 상기 가공 챔버 내에 설치되고, 상기 기판이 놓여지는 척과, 상기 막들을 식각할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 위치에 상기 가공 챔버 내측을 둘러싸도록 설치되는 제1배플과, 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되고, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플의 원주면과 면접하여 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 제2배플과, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플 및 제2배플을 서로 면접시켜 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 하측으로 리프팅시키고, 상기 막들을 식각한 다음 상기 제1배플 및 제2배플에 의해 형성되는 공간을 통하여 상기 가공 챔버 내에 존재하는 반응 부산물들이 외부로 배기되도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 상측으로 리프팅시키는 리프터를 포함한다.An etching apparatus for forming a pattern of the present invention for achieving the above object is, a processing chamber for etching the films formed on a substrate to form the films in a pattern, and installed below the processing chamber, the processing chamber A vacuum chamber for forming a vacuum into the processing chamber, a chuck in which the substrate is placed, and an inner surface of the processing chamber at a position bordering the processing chamber and the vacuum chamber when etching the films. A first baffle and a second baffle disposed to surround the circumferential surface of the chuck, the second baffle which interfaces with the circumferential surface of the first baffle to boundary the processing chamber and the vacuum chamber when etching the films; And when the first and second baffles are interviewed with each other to boundary the processing chamber and the vacuum chamber, the chuck and the second baffle are moved to the lower side of the processing chamber. Printing and etching the membranes and then lifting the chuck and the second baffle above the processing chamber such that reaction by-products present in the processing chamber are exhausted out through the space formed by the first and second baffles. And a lifter.

이때, 상기 제1배플은 상기 제2배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖고, 상기 제2배플은 상기 제1배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖는다. 그리고, 상기 제1배플과 제2배플은 슬릿이 없는 플레이트 형상을 갖는데, 그 표면은 아노다이징 처리가 되어 있다.In this case, the first baffle has a shape which is tapered in the direction in which the second baffle is interviewed, and the second baffle has a shape which is tapered in the direction in which the first baffle is interviewed. The first baffle and the second baffle have a plate shape without slits, and the surface thereof is anodized.

이와 같이, 상기 제1배플 및 제2배플로 구분하여 형성시키고, 슬롯이 없는 형태로 형성함으로서, 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 외부로 용이하게 배기시킬 수 있다. 즉, 상기 반응 부산물을 배기시킬 때 상기 제1배플 및 제2배플에 흡착되어 있는 반응 부산물이 용이하게 떨어져서 외부로 배기되기 때문이다. 때문에, 상기 폴리머 등이 가공 챔버 내부로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 제1배플 및 제2배플이 테이퍼진 형상을 갖기 때문에 보다 용이하게 외부로 배기시킬 수 있다.In this way, the first baffle and the second baffle are formed separately and formed in a slotless form, so that reaction by-products such as polymers can be easily exhausted to the outside. That is, when the reaction by-products are exhausted, the reaction by-products adsorbed on the first and second baffles are easily separated and exhausted to the outside. Therefore, it is possible to minimize the introduction of the polymer into the processing chamber. In addition, since the first and second baffles have a tapered shape, the first and second baffles can be easily exhausted to the outside.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.3 and 4 are configuration diagrams for explaining an etching apparatus for forming a pattern according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 도시된 장치는 패턴을 형성하기 위한 식각 장치이다. 이때, 상기 식각 장치는 플라즈마를 사용하여 식각을 수행하는 장치이다.3 and 4, the illustrated apparatus is an etching apparatus for forming a pattern. In this case, the etching apparatus is an apparatus that performs etching using plasma.

상기 장치는 가공 챔버(30)를 포함한다. 가공 챔버(30)는 기판(W) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하기 위한 부재이다. 상기 식각은 플라즈마를 사용하기 때문에, 가공 챔버(30)에는 식각 가스가 제공되고, 진공 분위기가 형성된다. 그리고, 가공 챔버(30) 내에는 기판(W)이 놓여지는 척(34)이 설치된다.The apparatus includes a processing chamber 30. The processing chamber 30 is a member for etching the films formed on the substrate W. Since the etching uses plasma, an etching gas is provided to the processing chamber 30, and a vacuum atmosphere is formed. In the processing chamber 30, a chuck 34 on which the substrate W is placed is provided.

상기 장치는 진공 챔버(32)를 포함한다. 진공 챔버(32)는 가공 챔버(30)의 하측에 설치된다. 그리고, 진공 챔버(32)의 일측에는 개폐가 가능한 밸브(44)가 설치된다. 밸브(44)는 식각 가스 및 폴리머 등과 반응 부산물을 배기시킬 때 개방되고, 진공 분위기를 형성하여 식각을 수행할 때 폐쇄된다. 그리고, 밸브(44)는 솔레 노이드 밸브가 설치되는 것이 바람직하다.The apparatus includes a vacuum chamber 32. The vacuum chamber 32 is installed below the processing chamber 30. And, one side of the vacuum chamber 32 is provided with a valve 44 that can be opened and closed. The valve 44 opens when exhausting reaction by-products such as etching gas, polymer, and the like, and closes when etching is performed by forming a vacuum atmosphere. The valve 44 is preferably provided with a solenoid valve.

상기 장치는 제1배플(35) 및 제2배플(36)을 포함한다. 제2배플(36)은 척(34)의 원주면을 둘러싸도록 설치된다. 그리고, 제1배플(35)은 식각을 수행하는 위치에 있을 때 제2배플(36)의 원주면과 면접하는 위치의 가공 챔버(30) 내측을 둘러싸도록 설치된다. 즉, 식각을 수행할 때 제1배플(35) 및 제2배플(36)이 면접하고, 이에 따라 가공 챔버(30)와 진공 챔버(32)를 경계짓는다. 그리고, 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 테이퍼진 형상을 갖는다. 제1배플(35)은 제2배플(36)과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖고, 제2배플(36)은 제1배플(35)과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖는다. 그리고, 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 슬릿이 없는 플레이트(plate) 형상으로 형성된다. 또한, 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 표면을 아노다이징(anodizing) 처리하는 구성을 갖는다.The apparatus includes a first baffle 35 and a second baffle 36. The second baffle 36 is provided to surround the circumferential surface of the chuck 34. In addition, the first baffle 35 is installed to surround the inside of the processing chamber 30 at the position where the first baffle 35 is in contact with the circumferential surface of the second baffle 36 when the etching is at the position where etching is performed. That is, when etching is performed, the first baffle 35 and the second baffle 36 interview each other, thereby bordering the processing chamber 30 and the vacuum chamber 32. The first baffle 35 and the second baffle 36 have a tapered shape. The first baffle 35 is tapered in the direction in which the second baffle 36 is interviewed, and the second baffle 36 is tapered in the direction in which the first baffle 35 is interviewed. The first baffle 35 and the second baffle 36 are formed in a plate shape without slits. In addition, the first baffle 35 and the second baffle 36 have a configuration of anodizing the surface.

상기 장치는 리프터(38)를 포함한다. 리프터(38)는 식각을 수행할 때 척(34) 및 제2배플(36)을 가공 챔버(30) 하측으로 리프팅시키고, 상기 식각을 수행한 다음 가공 챔버(30) 내의 반응 부산물을 외부로 배시킬 때 척(34) 및 제2배플(36)을 가공 챔버(30) 상측으로 리프팅시키는 기능을 갖는다. 그리고, 리프터(38)를 가공 챔버(30) 하측으로 리프팅시킬 경우 제2배플(36)과 제1배플(35)은 각각의 원주면이 면접하기 때문에 가공 챔버(30)와 진공 챔버(32)를 경계지울 수 있다. 따라서, 리프터(38)를 가공 챔버 하측으로 리프팅시킨 다음 식각을 수행한다. 그리고, 리프터(38)를 가공 챔버(30) 상측으로 리프팅시킬 경우 제1배플(35) 및 제2배플(36)이 서로 격리되고, 이에 따라 공간이 형성되기 때문에 가공 챔버(30) 내에 존재하는 폴리머 등과 같은 반응 부산물을 외부로 배기시킬 수 있다.The device includes a lifter 38. The lifter 38 lifts the chuck 34 and the second baffle 36 below the processing chamber 30 when performing the etching, and then carries out the reaction by-products in the processing chamber 30 to the outside after performing the etching. And the chuck 34 and the second baffle 36 are lifted above the processing chamber 30. When the lifter 38 is lifted below the processing chamber 30, the circumferential surfaces of the second baffle 36 and the first baffle 35 are interviewed with the processing chamber 30 and the vacuum chamber 32. Can be violated. Thus, the lifter 38 is lifted below the processing chamber and then etched. In addition, when the lifter 38 is lifted above the processing chamber 30, the first baffle 35 and the second baffle 36 are isolated from each other, and thus a space is formed. Reaction byproducts such as polymers can be vented to the outside.

상기 장치는 가공 챔버(30) 일측에 윈도우(42)가 형성된다. 윈도우(42)는 기판(W)을 척(34)으로 이송시키는 경로를 제공한다. 즉, 배기를 위하여 척(34)을 상승시킬 때 윈도우(42)를 통하여 기판(W)이 이송된다. 때문에, 윈도우(42)는 척(34)이 최대한 상승한 높이를 기준하는 위치에 형성된다.The device is formed with a window 42 on one side of the processing chamber (30). The window 42 provides a path for transferring the substrate W to the chuck 34. That is, the substrate W is transferred through the window 42 when the chuck 34 is raised for exhaust. Thus, the window 42 is formed at a position referring to the height at which the chuck 34 rises as much as possible.

상기 식각 장치를 사용하는 가공을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 앞선 식각 공정에서 발생한 반응 부산물을 배기시키기 위하여 리프터(38)를 사용하여 척(34) 및 제2배플(36)을 상승시킨다. 따라서, 상기 반응 부산물이 가공 챔버(30)의 외부로 배기된다. 여기서, 상기 배기는 이후에 구체적으로 설명한다. 그리고, 상기 척(34)이 최대한 상승한 위치에 있을 때 윈도우(42)를 통하여 앞선 식각이 수행된 기판이 빠져나가고, 새로운 기판이 척(34) 상에 놓여진다.Looking at the processing using the etching device is as follows. First, the chuck 34 and the second baffle 36 are raised by using the lifter 38 to exhaust the reaction by-products generated in the previous etching process. Thus, the reaction by-products are exhausted out of the processing chamber 30. Here, the exhaust will be described in detail later. Then, when the chuck 34 is in the ascending position, the substrate subjected to the previous etching through the window 42 exits, and a new substrate is placed on the chuck 34.

이어서, 리프터(38)의 리프팅에 의해 척(34) 및 제2배플(36)은 하강한다. 이때, 제2배플(36)의 원주면이 제1배플(35)의 원주면과 면접하는 위치까지 하강한다. 따라서, 제1배플(35) 및 제2배플(36)에 의해 가공 챔버(30) 및 진공 챔버(32)가 경계를 갖는다. 그리고, 가공 챔버(30) 내에 식각 가스를 제공하고, 상기 식각 가스를 해리시켜 플라즈마로 형성한다. 이때, 가공 챔버(30)의 진공 분위기는 진공 챔버(32)에 의해 리프터(38)를 하강할 때 조성된다. 또한, 진공 챔버(32)의 일측에 형성되어 있는 밸브(44)는 폐쇄되어 있는 상태를 유지한다.The chuck 34 and second baffle 36 are then lowered by lifting the lifter 38. At this time, the circumferential surface of the second baffle 36 is lowered to a position where the circumferential surface of the first baffle 35 is interviewed. Therefore, the processing chamber 30 and the vacuum chamber 32 are bounded by the first baffle 35 and the second baffle 36. Then, an etching gas is provided in the processing chamber 30, and the etching gas is dissociated to form a plasma. At this time, the vacuum atmosphere of the processing chamber 30 is formed when the lifter 38 is lowered by the vacuum chamber 32. In addition, the valve 44 formed on one side of the vacuum chamber 32 maintains the closed state.

그리고, 상기 플라즈마를 사용하여 기판(W) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 패턴으로 형성한다. 이때, 식각 가스는 식각하고자 하는 막들에 의해 그 종류 를 달리한다. 예를 들어 상기 막이 산화 물질로 구성되는 경우에는 CF4, C2F6 등과 같은 식각 가스를 사용한다. 그리고, 상기 식각에 의해 가공 챔버(30) 내에는 폴리머, 잔류 식각 가스 등과 같은 반응 부산물이 발생한다. 상기 반응 부산물 중에서 폴리머 등과 같은 반응 부산물은 제1배플(35) 및 제2배플(36)에 주로 흡착된다.Then, the plasma is formed to form a pattern by etching the films formed on the substrate (W). At this time, the etching gas is different depending on the film to be etched. For example, when the film is composed of an oxidizing material, an etching gas such as CF 4 , C 2 F 6, or the like is used. In addition, reaction by-products such as polymer, residual etching gas, etc. are generated in the processing chamber 30 by the etching. Among the reaction by-products, reaction by-products such as polymers are mainly adsorbed to the first baffle 35 and the second baffle 36.

이어서, 상기 식각을 수행한 다음 상기 반응 부산물을 배기시키기 위하여 리프터(38)에 의해 척(34) 및 제2배플(36)이 가공 챔버(30) 상측으로 리프팅된다. 따라서, 제1배플(35) 및 제2배플(36)의 격리에 의해 공간이 형성되고, 상기 공간을 통하여 반응 부산물이 배기된다. 그리고, 밸브(44)는 개방되고, 상기 반응 부산물은 밸브(44)를 통하여 배기된다.Subsequently, the chuck 34 and the second baffle 36 are lifted above the processing chamber 30 by the lifter 38 to exhaust the reaction by-products after performing the etching. Thus, a space is formed by the isolation of the first baffle 35 and the second baffle 36, through which the reaction by-products are exhausted. The valve 44 is then opened and the reaction byproduct is exhausted through the valve 44.

이때, 제1배플(35)에 흡착되어 있는 반응 부산물은 제1배플(35)에서 용이하게 떨어져서 외부로 배기된다. 이는, 제1배플(35)이 아노다이징 처리된 표면을 갖고, 테이퍼진 형상을 갖기 때문이다. 또한, 제1배플(35)은 가공 챔버 하부에 위치하기 때문에 보다 용이하게 반응 부산물이 배기될 수 있는 상태를 제공한다. 그리고, 제2배플(36) 또한 아노다이징 처리된 표면을 갖고, 테이퍼진 형상을 갖기 때문에 상기 배기를 수행할 때 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 용이하게 떨어지고, 외부로 배기된다. 따라서, 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 가공 챔버(30) 내로 유입되는 것을 최소화할 수 있다.At this time, the reaction by-products adsorbed on the first baffle 35 are easily separated from the first baffle 35 and exhausted to the outside. This is because the first baffle 35 has an anodized surface and has a tapered shape. In addition, since the first baffle 35 is located below the processing chamber, the first baffle 35 provides a state in which the reaction by-products can be easily exhausted. In addition, since the second baffle 36 also has an anodized surface and has a tapered shape, reaction by-products such as a polymer and the like easily fall off when exhausting, and are exhausted to the outside. Thus, the introduction of reaction by-products such as polymers into the processing chamber 30 can be minimized.

즉, 본 실시예는 제1배플(35) 및 제2배플(36)로 구성시킴으로서, 배기를 위한 공간을 용이하게 확보할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1배플(35) 및 제2배플(36)을 슬릿이 없는 형태로 형성시킴으로서, 슬릿으로 인한 폴리머의 유입을 최소화할 수 있다. 즉, 본 실시예의 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 폴리머가 흡착되고, 이후에 유입될 수 있는 슬릿과 같은 구조적 측면을 배제하기 때문이다.That is, in the present embodiment, the first baffle 35 and the second baffle 36 are configured to easily secure a space for exhausting. In addition, by forming the first baffle 35 and the second baffle 36 in a slit-free form, it is possible to minimize the inflow of the polymer due to the slit. That is, the first baffle 35 and the second baffle 36 of the present embodiment exclude the structural aspect such as the slit that the polymer is adsorbed and can be introduced later.

이어서, 윈도우(42)를 통하여 기판(W)을 이송하고, 전술한 과정을 통하여 새로운 기판의 식각을 수행한다.Subsequently, the substrate W is transferred through the window 42, and a new substrate is etched through the above-described process.

이와 같이, 본 발명에 의하면 배플의 구조를 슬릿이 없는 형태로 형성하고, 제1배플 및 제2배플로 분리하는 형태로 형성시킴으로서, 폴리머가 가공 챔버 내로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 제1배플 및 제2배플을 아노다이징 처리하고, 테이퍼진 형상으로 형성함으로서, 폴리머를 용이하게 배기시킬 수 있다.As such, according to the present invention, the structure of the baffle is formed in a slit-free form and separated into a first baffle and a second baffle, thereby minimizing the introduction of the polymer into the processing chamber. In addition, the polymer can be easily evacuated by anodizing the first and second baffles and forming the tapered shape.

따라서, 폴리머로 인한 불량 발생을 최소화할 수 있다. 때문에, 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, the occurrence of defects due to the polymer can be minimized. Therefore, the reliability of the semiconductor device is improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

Claims (5)

기판 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 상기 막들을 패턴으로 형성하기 위한 가공 챔버;A processing chamber for etching the films formed on the substrate to form the films in a pattern; 상기 가공 챔버 하측에 설치되고, 상기 가공 챔버를 진공으로 형성하기 위한 진공 챔버;A vacuum chamber disposed below the processing chamber and configured to form the processing chamber in a vacuum; 상기 가공 챔버 내에 설치되고, 상기 기판이 놓여지는 척;A chuck installed in the processing chamber and on which the substrate is placed; 상기 막들을 식각할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 위치에 상기 가공 챔버 내측을 둘러싸도록 설치되는 제1배플;A first baffle installed to enclose the inside of the processing chamber at a position that borders the processing chamber and the vacuum chamber when etching the films; 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되고, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플의 원주면과 면접하여 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 제2배플;A second baffle installed to surround the circumferential surface of the chuck, and interviewing the circumferential surface of the first baffle when the films are etched to delimit the processing chamber and the vacuum chamber; 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플 및 제2배플을 서로 면접시켜 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 하측으로 리프팅시키고, 상기 막들을 식각한 다음 상기 제1배플 및 제2배플에 의해 형성되는 공간을 통하여 상기 가공 챔버 내에 존재하는 반응 부산물들이 외부로 배기되도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 상측으로 리프팅시키는 리프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.When the films are etched, the chuck and the second baffle are lifted below the processing chamber so that the first and second baffles are interviewed with each other to border the processing chamber and the vacuum chamber, and the films are etched and then And a lifter for lifting the chuck and the second baffle above the processing chamber so that the reaction by-products present in the processing chamber are exhausted to the outside through the space formed by the first and second baffles. Etching device for forming. 제1항에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 리프터에 의해 상기 척이 상승하는 위치의 가공 챔버 일측 부위에 설치되고, 상기 척이 상승할 때 상기 기판을 이송하 는 윈도우가 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.The method of claim 1, wherein the etching apparatus is installed in one side of the processing chamber in the position where the chuck is raised by the lifter, and further comprises a window for transporting the substrate when the chuck is raised. Etching device for pattern formation. 제1항에 있어서, 상기 제1배플은 상기 제2배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖고, 상기 제2배플은 상기 제1배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.The pattern of claim 1, wherein the first baffle has a shape that is tapered in a direction in which the second baffle is interviewed, and the second baffle has a shape that is tapered in a direction in which the first baffle is interviewed. Etching device for forming. 제1항에 있어서, 상기 제1배플과 제2배플은 슬릿이 없는 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.The etching apparatus of claim 1, wherein the first baffle and the second baffle have a plate shape without slits. 제1항에 있어서, 상기 제1배플과 제2배플은 표면을 아노다이징 처리한 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.The etching apparatus of claim 1, wherein the first and second baffles are anodized.
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