KR100593887B1

KR100593887B1 - A structure for sealing the ic chip in ceramic package

Info

Publication number: KR100593887B1
Application number: KR20030082443A
Authority: KR
Inventors: 박성열
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2003-11-20
Filing date: 2003-11-20
Publication date: 2006-06-30
Also published as: KR20050048747A

Abstract

본 발명은 세라믹패키지내에 구비되는 IC칩을 실링하는 구조에 관한 것으로,세라믹패키지내에 IC칩을 실링하는 구조에 있어서, 상기 IC칩이 내부수용되는 캐비티를 함몰형성한 세라믹본체부; 상기 캐비티를 구성하는 외벽에 상기 세라믹본체부의 최상단부보다는 낮고 상기 캐비티의 바닥면보다는 높은 높이를 가지며, 상부전극이 인쇄되는 내부단턱; 상기 내부단턱에 외측테두리가 안착되고, 상기 내부단턱의 상부전극과 하부면에 개재되는 브레이징금속을 열원으로서 용융하여 상기 내부단턱에 일체로 부착되어 상기 캐비티의 상부를 밀봉하는 사각판상의 리드;를 포함하여 구성된다. The present invention relates to a structure for sealing an IC chip provided in a ceramic package, the structure for sealing an IC chip in a ceramic package, comprising: a ceramic body portion recessed to form a cavity in which the IC chip is housed; An inner step on the outer wall constituting the cavity lower than the top end of the ceramic body and higher than the bottom of the cavity, and printed with an upper electrode; A rectangular plate-shaped lead seated on the inner step and having a rectangular plate-like lid which melts the brazing metal interposed on the upper electrode and the lower surface of the inner step as a heat source and is integrally attached to the inner step to seal the upper part of the cavity; It is configured to include.

본 발명에 의하면, IC칩부품을 인쇄회로기판상의 회로에 연결하도록 IC칩부품이 내부수용되는 세라믹본체부 상부의 정해진 위치에 리드를 부착하는 작업을 작업자의 업무부담없이 정확하고, 용이하게 브레이징금속의 퍼짐현상없이 안정적으로 수행할 수 있다.According to the present invention, the brazing metal can be accurately and easily carried out without the burden of the operator by attaching a lead to a predetermined position on the upper portion of the ceramic body in which the IC chip component is housed so as to connect the IC chip component to a circuit on a printed circuit board. It can be performed stably without spreading phenomenon.

세라믹패키지, IC칩, 브레이징, 세라믹본체부, 캐비티, 리드, 내부단턱Ceramic Package, IC Chip, Brazing, Ceramic Body, Cavity, Lead, Internal Step

Description

IC chip sealing structure of ceramic package {A STRUCTURE FOR SEALING THE IC CHIP IN CERAMIC PACKAGE}

도 1은 일반적인 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 도시한 구성도이다. 1 is a block diagram illustrating an IC chip sealing structure of a general ceramic package.

도 2는 본 발명에 따른 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 도시한 것으로서,2 illustrates an IC chip sealing structure of a ceramic package according to the present invention.

a)는 단면도이고,a) is a section,

b)는 평면도이다. b) is a plan view.

도 3은 본 발명에 따른 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 도시한 분해사시도이다.3 is an exploded perspective view showing the IC chip sealing structure of the ceramic package according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 세라믹본체부 110 : 내부단턱100: ceramic body 110: internal step

150 : 캐비티 160 : 상부전극150: cavity 160: upper electrode

200 : IC칩 250 : 와이어부재200: IC chip 250: wire member

300 :리드 360 : 브레이징금속300: lead 360: brazing metal

본 발명은 세라믹패키지내에 구비되는 IC칩을 실링하는 구조에 관한 것으로, 보다 상세히는 일반 IC칩부품을 인쇄회로기판상의 회로에 연결하도록 IC칩부품이 내부수용되는 세라믹본체부 상부의 정해진 위치에 리드를 부착하는 작업을 작업자의 업무부담없이 정확하고, 용이하게 브레이징금속의 퍼짐현상없이 안정적으로 수행할 수 있는 세라믹패키지의 IC칩 실링구조에 관한 것이다. The present invention relates to a structure for sealing an IC chip provided in a ceramic package. More particularly, the present invention relates to a structure in which an IC chip component is internally accommodated so as to connect a general IC chip component to a circuit on a printed circuit board. The present invention relates to an IC chip sealing structure of a ceramic package that can accurately and easily carry out the task of attaching a metal, without a worker's burden, and stably without spreading the brazing metal.

일반적으로 세라믹 패키징(ceramic pakaging)은, 각종 반도체 또는 표면 탄성파 필터 및 표면 탄성파 듀플렉서(Duplexer)등과 같이 외부환경에 민감하게 작용하는 부품인 집적회로칩(이하, IC칩이라함)을 열악한 외부환경으로부터 안정적으로 보호하고, 상기 IC칩이 수용되는 세라믹 패키지의 내부공간으로 가스 및 습기등의 내부침투가 발생이 일어나지 않도록 함으로써, 상기 세라믹 패키지 내부의 칩부품을 보호하도록 기밀성을 유지하는 것이다.In general, ceramic packaging is an integrated circuit chip (hereinafter referred to as an IC chip), which is a component that acts sensitively to the external environment, such as various semiconductor or surface acoustic wave filters and surface acoustic wave duplexers. By stably protecting and preventing internal penetration such as gas and moisture into the interior space of the ceramic package in which the IC chip is accommodated, airtightness is maintained to protect the chip components inside the ceramic package.

도 1은 일반적인 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 도시한 구성도로서, 도시한 바와같이, 세라믹본체부(10)의 내부에 일정크기의 캐비티(15)를 형성하고, 상기 캐비티(15)내에 IC칩(20)이 와이어부재(25)를 매개로 하여 장착되며, 상기 IC칩이 구비되는 캐비티(15)는 상기 세라믹본체부(10)의 상부에 장착되는 밀봉용 커버부재인 리드(Lid)(30)에 의해서 밀봉처리된다. FIG. 1 is a block diagram showing an IC chip sealing structure of a general ceramic package. As shown in FIG. 1, a cavity 15 having a predetermined size is formed inside the ceramic body 10, and an IC is formed in the cavity 15. As shown in FIG. The chip 20 is mounted via the wire member 25, and the cavity 15 in which the IC chip is provided is a lid (Lid), which is a sealing cover member mounted on an upper portion of the ceramic body 10. Sealed by 30).

그리고, 상기 세라믹본체부(10)의 상부면에는 용융이 가능한 금속을 이용하여 두개의 별개 부품이나 재료를 서로 붙이는 접착방식인 브레이징(brazing)이 가능하도록 상부전극층(16)을 상부면 테두리를 따라 형성하고, 상기 상부전극층(16)사에는 밀봉용 커버역할을 하는 리드(30)가 올려지며, 상기 상부전극층(16)과 리드(30)의 하부면 사이에는 Au/Sn 등으로 구성되는 브레이징금속(36)을 개재하여 상기 리드(30)가 세라믹본체부(10)의 최상부에 브레이징방식에 의해 조립되는 것이다. In addition, the upper surface of the ceramic body 10 is formed along the upper surface edge of the upper electrode layer 16 to enable brazing, which is an adhesive method of attaching two separate parts or materials to each other using a meltable metal. And a lead 30 serving as a sealing cover on the upper electrode layer 16, and a brazing metal composed of Au / Sn or the like between the upper electrode layer 16 and the lower surface of the lead 30. The lead 30 is assembled to the uppermost portion of the ceramic body portion 10 by the brazing method via the 36.

즉, 상기 세라믹 본체부(10)의 최상부 표면층에는 은(Ag)을 기판으로 이루어진 상부전극층(16)을 형성하고, 상기 세라믹 본체부(10)의 캐비티(15)에 IC칩(20)을 와이어본딩한 상태에서, 상기 IC칩(20)을 세라믹본체부(10)내에 실링하는 작업은, 상기 세라믹본체부(10)의 상부전극층(16)과, 상기 세라믹본체부(10)의 상부전체를 덮을 정도의 크기를 갖는 리드(30)와의 사이에 금과 주석이 혼합된 브레이징금속(36)을 배치하고, 이를 질소(N₂) 분위기하에서 약 250∼450℃의 온도로 5∼10분간 가열하여 상기 브레이징금속(36)을 용융시킴으로서 상기 리드(30)를 세라믹본체부(10)상에 부착하였다. That is, the upper electrode layer 16 made of silver (Ag) is formed on the top surface layer of the ceramic body portion 10, and the IC chip 20 is wired to the cavity 15 of the ceramic body portion 10. In the bonded state, sealing the IC chip 20 in the ceramic body portion 10 may include the upper electrode layer 16 of the ceramic body portion 10 and the entire upper portion of the ceramic body portion 10. The brazing metal 36 in which gold and tin are mixed is disposed between the lead 30 having a size enough to cover, and it is heated at a temperature of about 250 to 450 ° C. under nitrogen (N 2) atmosphere for 5 to 10 minutes. The lead 30 was attached onto the ceramic body portion 10 by melting the brazing metal 36.

그리고, 상기 리드(30)와 상부전극층(16)사이의 브레이징금속(36)에 열원을 제공하여 상기 브레이징금속(36)을 용융시켜 상기 리드(30)와 세라믹본체부(10)를 서로 일체로 부착하는 동안, 상기 세라믹본체부(10)의 상부면에 일정한 중량을 갖 는 무게추(미도시)를 적재함으로서, 상기 세라믹본체부(10)의 상부면 테두리와 이에 접하는 리드(30)의 하부면사이에 하중을 집중시켜 상기 리드(30)와 세라믹본체부(10)를 서로 효과적으로 브레이징할 수 있는것이다. In addition, a heat source is provided to the brazing metal 36 between the lead 30 and the upper electrode layer 16 to melt the brazing metal 36 so that the lead 30 and the ceramic body 10 are integral with each other. While attaching, by loading a weight (not shown) having a certain weight on the upper surface of the ceramic body portion 10, the upper surface of the ceramic body portion 10 and the lower portion of the lead 30 in contact with it By concentrating the load between the surfaces it is possible to effectively braze the lead 30 and the ceramic body 10.

그러나, 이러한 종래 브레이징 작업시 상기 세라믹본체부(10)상에 부착되는 리드(30)가 열원에 의해 융용되어 유동성을 갖게 되는 브레이징금속(36)상에 배치되기 때문에, 열융착시 상기 리드(30)가 유동되면서 세라믹본체부(10)상부의 정확한 부착위치에 고정하여 부착하는 것이 곤란하였다. However, since the lead 30 attached to the ceramic body 10 during the conventional brazing operation is disposed on the brazing metal 36 that is melted by a heat source and has fluidity, the lead 30 during thermal welding. It was difficult to fix and attach at the exact attachment position of the upper portion of the ceramic body 10 as the () flows.

그리고, 상기 리드(30)의 위치에 따라 열융착시 융용되는 브레이징금속(36)이 상기 세라믹본체부(10)와 리드(30)사이에서 외측으로 자유롭게 퍼지면서 외부로 흘려내리기 때문에 제조완성되는 세라믹패키지의 제품마다 브레이징금속(36)의 퍼짐편차가 많이 발생하게 되고, 제품불량을 초래하였다. 또한, 리드(30)의 위치가 패캐지의 정중앙에 정확히 배치되어야 하는데 그 정렬이 어려워 불량발생이 증가한다. In addition, the brazing metal 36 melted at the time of the heat welding according to the position of the lead 30 is freely spread out to the outside between the ceramic body portion 10 and the lead 30 while flowing out to the ceramic completed The spread deviation of the brazing metal 36 is generated for each product of the package, resulting in a product defect. In addition, the position of the lead 30 should be exactly positioned at the center of the package, which is difficult to align and increases the occurrence of defects.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 세라믹본체부 상부의 정해진 위치에 부착하고자 리드를 작업자의 업무부담없이 정확하고, 용이하게 안정적으로 배치하고, 브레이징금속의 퍼짐현 상없이 브레이징작업을 안정적으로 수행할 수 있는 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 제공하고자 한다.
Therefore, the present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, the object is to accurately and easily place the lead stably, brazing without the burden of the operator to attach to a predetermined position on the upper portion of the ceramic body It is to provide an IC chip sealing structure of a ceramic package that can stably perform brazing without spreading metal.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로써, 본 발명은,As a technical configuration for achieving the above object, the present invention,

세라믹패키지내에 IC칩을 실링하는 구조에 있어서, In the structure of sealing an IC chip in a ceramic package,

상기 IC칩이 내부수용되는 캐비티를 함몰형성한 세라믹본체부;A ceramic body part recessed to form a cavity in which the IC chip is housed;

상기 캐비티를 구성하는 외벽에 상기 세라믹본체부의 최상단부보다는 낮고 상기 캐비티의 바닥면보다는 높은 높이를 가지며, 상부전극이 인쇄되는 내부단턱;An inner step on the outer wall constituting the cavity lower than the top end of the ceramic body and higher than the bottom of the cavity, and printed with an upper electrode;

상기 내부단턱에 외측테두리가 안착되고, 상기 내부단턱의 상부전극과 하부면에 개재되는 브레이징금속을 열원으로서 용융하여 상기 내부단턱에 일체로 부착되어 상기 캐비티의 상부를 밀봉하는 사각판상의 리드;를 포함함을 특징으로 하는 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 마련함에 의한다.A rectangular plate-shaped lead seated on the inner step and having a rectangular plate-like lid which melts the brazing metal interposed on the upper electrode and the lower surface of the inner step as a heat source and is integrally attached to the inner step to seal the upper part of the cavity; By providing an IC chip sealing structure of a ceramic package characterized in that it comprises.

바람직하게는 상기 상부전극은 전극면적을 확대할 수 있도록 상기 세라믹본체의 최상단부면까지 연장된다. Preferably, the upper electrode extends to the uppermost end surface of the ceramic body so as to enlarge the electrode area.

바람직하게는 상기 리드의 외측테두리와 상기 세라믹본체부의 최상단사이에 용융된 브레이금속이 충진되도록 일정크기의 갭을 형성한다 Preferably, a gap having a predetermined size is formed between the outer edge of the lead and the uppermost end of the ceramic body to fill the molten bray metal.

이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

도 2는 본 발명에 따른 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 도시한 단면도, 평면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 세라믹패키지의 IC칩 실링구조를 도시한 분해사시도이다.Figure 2 is a cross-sectional view and a plan view showing the IC chip sealing structure of the ceramic package according to the present invention, Figure 3 is an exploded perspective view showing the IC chip sealing structure of the ceramic package according to the present invention.

본 발명의 세라믹패키지의 IC칩 실링구조는 도 2와 3에 도시한 바와같이, IC칩(200)이 내부수용되는 세라믹본체부(100)와 이를 밀봉하는 리드(300)를 작업자의 업무부담없이 간편하고, 정확하게 부착하는 브레이징작업을 안정적으로 수행할 수 있는 것으로써, 세라믹본체부(100), 내부단턱(110)및 리드(300)로 구성된다. As shown in FIGS. 2 and 3, the IC chip sealing structure of the ceramic package according to the present invention includes a ceramic main body 100 in which the IC chip 200 is housed internally and a lead 300 sealing the same, without the burden of a worker. The brazing operation can be stably performed simply and accurately, and is composed of a ceramic body 100, an inner step 110, and a lead 300.

즉, 상기 세라믹본체부(100)는 내부수용하고자 하는 IC칩(200)을 수납할 수 있도록 일정크기의 캐비티(150)를 몸체 중앙에 함몰형성하고, 상기 캐비티(150)는 상부는 개방되고 하부는 밀페된 수용공간이다. That is, the ceramic body 100 recesses and forms a cavity 150 having a predetermined size in the center of the body to accommodate the IC chip 200 to be accommodated therein, and the cavity 150 is open at the top and the bottom thereof. Is a sealed receiving space.

이러한 IC칩(200)은 칩하면에 도전성 접착제 또는 자외선 경화 접착제등을 도포하여 상기 캐비티(150)의 바닥면에 접합하여 위치고정한 다음, 금속소재의 와이어부재(250)를 매개로 하여 상기 세라믹본체부(100)의 캐비티(150)내에 와이어본딩방식으로 장착되거나, 상기 IC칩(200)의 하면과 상기 캐비티(150)의 바닥면사이에 개재되는 솔더볼을 매개로 하여 상기 세라믹본체부(100)의 캐비티(150)내에 플립칩 본딩방식으로 장착될 수 도 있다.The IC chip 200 is coated on the bottom surface of the cavity 150 by applying a conductive adhesive or an ultraviolet curing adhesive, etc. on the bottom surface of the chip, and then fixing the IC chip 200 through the wire member 250 of a metal material. The ceramic body part 100 is mounted in the cavity 150 of the part 100 by a wire bonding method, or through solder balls interposed between the bottom surface of the IC chip 200 and the bottom surface of the cavity 150. It can also be mounted in the chip 150 of the flip chip bonding method.

그리고, 상기 내부단턱(110)은 상기 세라믹본체부(100)의 최상단보다는 낮고 상기 캐비티(150)의 바닥면보다는 높은 높이를 갖추어 상기 캐비티(150)를 구성하는 외벽을 따라 사각틀 형상으로 형성된다. In addition, the inner step 110 has a height lower than the top of the ceramic body part 100 and higher than the bottom surface of the cavity 150 and is formed in a rectangular frame shape along the outer wall constituting the cavity 150.

상기 내부단턱(110)의 상부면에는 실크스크린을 통해 금속분말을 인쇄한후 고온에서 소결하여 상부전극(160)을 인쇄하며, 상기 상부전극(160)은 전극면적을 확대하여 전기적인 특성을 향상시킬 수 있도록 상기 세라믹본체(100)의 최상단부면까지 연장된다. The upper surface of the inner step 110 is printed with a metal powder through a silk screen and then sintered at high temperature to print the upper electrode 160, the upper electrode 160 to increase the electrode area to improve the electrical characteristics It extends to the top end surface of the ceramic body 100 to be made.

또한, 상기 캐비티(150)의 상부를 밀봉하도록 상기 세라믹본체부(10)상에 일체로 부착되는 사각판상의 리드(300)는 철 54％, 니켈 28％ 및 코발트 18％가 혼합되어 형성된 금속합금인 코바(KOVAR)가 주로 사용된다. In addition, the rectangular plate-shaped lead 300 attached integrally on the ceramic body 10 to seal the upper portion of the cavity 150 is formed of a metal alloy formed by mixing 54% iron, 28% nickel, and 18% cobalt. KOVAR is mainly used.

이러한 리드(300)는 상기 세라믹본체부(100)의 내부에 사각틀 형상으로 구비되는 내부단턱(110)에 외측테두리가 걸려 안착되고, 상기 내부단턱(110)에 인쇄된 상부전극(160)과 이에 대응하는 상기 리드(300)의 하부면에 개재되는 브레이징금속(360)을 고온의 열원으로서 용융하여 상기 세라믹본체부(100)의 내부단턱(110)에 일체로 부착한다. The lead 300 is seated on the outer edge of the inner step 110 provided in the rectangular frame shape inside the ceramic body portion 100, the upper electrode 160 printed on the inner step 110 and this The brazing metal 360 interposed on the lower surface of the corresponding lead 300 is melted as a high temperature heat source and integrally attached to the inner step 110 of the ceramic body 100.

여기서, 상기 리드(300)의 외측테두리와 이에 대응하는 상기 세라믹본체부(100)의 최상단사이에는 브레이징작업시 열원에 의해 용융된 브레이금속(360)이 충진되도록 일정크기의 갭(gap)을 형성하여도 좋다. 이러한 경우, 상기 갭(G)으로 채워지는 브레이징금속(360)에 의해 실링력을 향상시켜 상기 캐비티(150)내로 외부공기및 습기가 침투되는 것을 보다 확고히 차단할 수 있는 것이다.Here, a gap having a predetermined size is formed between the outer edge of the lead 300 and the uppermost end of the ceramic body part 100 corresponding thereto so that the braze metal 360 melted by a heat source is filled in the brazing operation. You may also do it. In this case, the sealing force may be improved by the brazing metal 360 filled with the gap G to more effectively block the penetration of external air and moisture into the cavity 150.

상술한 본 발명의 세라믹 패키징은 다음과 같은 공정 단계를 거쳐 형성되는 것이다.The ceramic packaging of the present invention described above is formed through the following process steps.

먼저, 세라믹소재로 이루어진 세라믹본체부(100)의 내부공간에 일정크기의 캐비티(150)를 함몰형성하고, 상기 캐비티(150)내부에는 각종 반도체 또는 표면 탄성파 필터 및 표면 탄성파 듀플렉서(Duplexer)등과 같이 외부환경에 민감하게 작용하는 중요부품인 IC칩(200)을 장착한다. First, a cavity 150 having a predetermined size is recessed in an internal space of the ceramic body 100 made of a ceramic material, and inside the cavity 150, various semiconductor or surface acoustic wave filters and surface acoustic wave duplexers are provided. IC chip 200, which is an important component that is sensitive to the external environment, is mounted.

상기 IC칩(200)은 솔더볼을 매개로 하여 플립칩본딩방식으로 상기 캐비티(150)내에 전기적으로 연결되도록 수용되거나, 와이어부재(250)를 매개로 하여 와이어본딩방식으로 상기 캐비티(150)내에 전기적으로 연결되도록 수용된다. The IC chip 200 is accommodated to be electrically connected to the cavity 150 by a flip chip bonding method through solder balls or electrically connected to the cavity 150 by a wire bonding method through a wire member 250. To be connected.

그리고, 상기 세라믹본체부(100)의 최상단 상부면과 상기 내부단턱(110)의 상부면에는 은소재의 상부전극(160)을 인쇄한다.The upper electrode 160 of the silver material is printed on the uppermost upper surface of the ceramic body 100 and the upper surface of the inner step 110.

연속하여, 사각판상의 리드(300)를 상기 내부단턱(110)이 사각틀형상으로 형성된 세라믹본체부(100)의 상부에 안착하면, 상기 리드(300)의 외측테두리가 상기 내부단턱(110)에 간섭되면서 상기 내부단턱(110)상에 배치되는 것이다. Subsequently, when the lead 300 of the rectangular plate shape is seated on the upper portion of the ceramic body portion 100 in which the inner step 110 is formed in a rectangular frame shape, the outer edge of the lead 300 is placed on the inner step 110. It is disposed on the inner step 110 while being interfered with.

이러한 상태에서, 상기 리드(300)의 하부면과 상기 내부단턱(110)사이에 개재되는 브레이징금속(360)에 약 250∼450℃의 온도를 갖는 열원을 5∼10분간 집중시키면, 상기 브레이징금속(360)은 열원에 의해서 서서히 용융되어 상기 리드(300)와 세라믹본체부(100)를 서로 일체로 연결한다. In this state, when a heat source having a temperature of about 250 to 450 ° C. is concentrated on the brazing metal 360 interposed between the lower surface of the lid 300 and the inner step 110, the brazing metal is concentrated for 5 to 10 minutes. 360 is gradually melted by a heat source to connect the lead 300 and the ceramic body 100 integrally with each other.

그리고, 상기 용융된 브레이징금속(360)은 상기 내부단턱으로부터 상기 세라믹본체부이 최상단부로 연장되는 수직부에 의해서 진로가 차단되기 때문에 융융 브레이징금속(360)이 세라믹본체부(100)의 외측으로 퍼지는 것을 방지할 수 있는 것이다. In addition, since the path of the molten brazing metal 360 is blocked by a vertical part extending from the inner step to the uppermost part of the ceramic body part, the molten brazing metal 360 spreads to the outside of the ceramic body part 100. It can be prevented.

또한, 상기 리드(300)의 외측테두리와 이에 대응하는 세라믹본체부(100)의 최상단부사이에는 일정크기의 갭을 형성함으로서, 상기 갭으로 융용된 브레이징금속(360)이 채워지기 때문에 상기 리드(300)와 세라믹본체부(100)사이의 틈새를 보다 확고히 밀봉하여 외부공기및 습기가 상기 IC칩(200)이 내부수용되는 캐비티(150)내로 침투되는 것을 완전히 차단할 수 있는 것이다. In addition, a gap of a predetermined size is formed between the outer edge of the lead 300 and the upper end of the ceramic body part 100 corresponding thereto, so that the brazing metal 360 melted into the gap is filled. The gap between the ceramic body 100 and the ceramic body 100 may be more tightly sealed to completely block external air and moisture from penetrating into the cavity 150 in which the IC chip 200 is housed.

한편, 상기 세라믹본체부(100)의 내부단턱(110)에 올려지는 리드(300)의 좌우 수평방향의 움직임은 사각틀형상의 내부단턱(110)에 의해서 상기 세라믹본체부(100)의 상부영역을 벗어나지 않도록 엄격히 제한됨으로서, 상기 세라믹본체부(100)와 리드(300)를 일체로 부착하는 브레이징 작업시 상기 리드(300)를 패캐지의 정중앙에 정확하게 정렬하여 브레이징불량을 예방할 수있는 것이다. On the other hand, the horizontal movement in the horizontal direction of the lead 300 is placed on the inner step 110 of the ceramic body 100, the upper region of the ceramic body 100 by the inner step 110 of the rectangular frame shape. Since it is strictly limited so as not to deviate, it is possible to prevent the brazing failure by aligning the lead 300 accurately in the center of the package during the brazing operation to integrally attach the ceramic body 100 and the lead 300.

상술한 바와같은 본 발명에 의하면, 세라믹본체부에 IC칩을 내부수용하는 캐비티의 밀봉하도록 배치되는 리드의 위치를 제어하는 내부단턱을 형성함으로서, 세라믹본체부 상부의 정해진 위치에 리드를 작업자의 업무부담없이 정확하고, 용이하게 안정적으로 배치할 수 있고, 브레이징금속의 퍼짐현상없이 브레이징작업을 안정적으로 수행할 수 있는 효과가 얻어진다.
According to the present invention as described above, by forming an internal step for controlling the position of the lead arranged to seal the cavity for accommodating the IC chip in the ceramic body portion, the lead is placed in a predetermined position above the ceramic body portion. The effect of being able to accurately and easily stably arrange the burden freely and stably perform the brazing operation without the phenomenon of spreading of the brazing metal is obtained.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다. While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit or scope of the invention as set forth in the claims below. I would like to know that the knowledgeable person can easily know.

Claims

In the structure of sealing an IC chip in a ceramic package,

A ceramic body part recessed to form a cavity in which the IC chip is housed;

An inner step on the outer wall constituting the cavity lower than the top end of the ceramic body and higher than the bottom of the cavity, and printed with an upper electrode;

A rectangular plate-shaped lead seated on the inner step and having a rectangular plate-like lid which melts the brazing metal interposed on the upper electrode and the lower surface of the inner step as a heat source and is integrally attached to the inner step to seal the upper part of the cavity; IC chip sealing structure of a ceramic package, characterized in that it comprises a.

The method of claim 1,

And the upper electrode extends to an uppermost end surface of the ceramic body so as to enlarge the electrode area.

The method of claim 1,

IC chip sealing structure of a ceramic package, characterized in that a gap of a predetermined size is formed between the outer edge of the lead and the uppermost end of the ceramic body to fill the molten bray metal.