KR100579213B1 - 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터 - Google Patents

푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터 Download PDF

Info

Publication number
KR100579213B1
KR100579213B1 KR1020040032324A KR20040032324A KR100579213B1 KR 100579213 B1 KR100579213 B1 KR 100579213B1 KR 1020040032324 A KR1020040032324 A KR 1020040032324A KR 20040032324 A KR20040032324 A KR 20040032324A KR 100579213 B1 KR100579213 B1 KR 100579213B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
push
full bridge
control chip
power
Prior art date
Application number
KR1020040032324A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050107123A (ko
Inventor
춘-공 찬
젱-샹 왕
Original Assignee
리엔 창 일렉트로닉
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리엔 창 일렉트로닉 filed Critical 리엔 창 일렉트로닉
Priority to KR1020040032324A priority Critical patent/KR100579213B1/ko
Publication of KR20050107123A publication Critical patent/KR20050107123A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100579213B1 publication Critical patent/KR100579213B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters

Abstract

푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터는 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리에 접속하기 위하여 2개의 유사한 드라이버들을 사용하여, 상기 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 상기 푸시/풀 제어 칩으로 제어한다. 풀 브릿지 인버터는 2개의 출력 단자들을 가지는 푸시/풀 제어 칩을 구비한다. 2개의 드라이버들 모두는 입력 단자와 출력 단자를 가진다. 상기 입력 단자는 상기 푸시/풀 제어 칩의 출력 단자와 4개의 전자 스위치들을 가지는 풀 브릿지 스위치 어셈블리에 접속된다. 각 전자 스위치는 제어 단자가 상기 2개의 드라이버들의 상기 출력 단자에 접속되어, 상기 2개의 드라이버들에 의하여 DC 전력을 AC 전력으로 변환시킨다.

Description

푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터{FULL BRIDGE INVERTER WITH PUSH/PULL CONTROL CHIP}
도 1은 부하를 구동하는 종래 기술의 푸시/풀 인버터의 개략 회로도이다.
도 2는 푸시/풀 제어 칩의 제어 신호들과 부하의 전압의 개략 파형도이다.
도 3은 부하를 구동하는 종래 기술의 풀 브릿지 인버터의 개략 회로도이다.
도 4는 종래 기술의 풀 브릿지 인버터의 제어 신호들의 개략 파형도이다.
도 5는 본 발명의 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 제어하는 푸시/풀 제어 칩의 개략 회로도이다.
도 6은 푸시/풀 제어 칩의 제어 신호들과 AC 전력의 전압의 개략 파형도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
T1, T2 : 변압기 101, 202 : 전면 회로
102, 202 : 후면 회로 103 : 푸시/풀 제어 칩
Q1 : 제1 스위치 Q2 : 제2 스위치
203 : 풀 브릿지 제어 칩 C1 : 커패시터
C3 : 링크 커패시터 302 : 풀 브릿지 스위치 어셈블리
304 : 2개의 드라이버들 P1, P2, N1, N2 : 전자 스위치
D1 : 제너 다이오드 D2, D5 : 제2 가속 다이오드
D3, D6 : 제1 가속 다이오드 G : 제어 단자
본 발명은 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터에 관한 것으로, 보다 자세하게는 부하를 구동시키기 위하여 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 제어하는 푸시/풀 제어 칩에 관한 것이다.
TFT LCD의 냉 음극 형광 램프(Cold Cathod Fluorescent Lamp, CCFL)의 1차 전원은 인버터 회로로 사용된다. 종래 기술의 인버터 회로는 DC 전력을 AC 전력으로 변환시키며, 예컨대 상이한 회로들의 형상(topology)에 따라, 하프 브릿지 인버터, 풀 브릿지 인버터, 및 푸시/풀 인버터로 구분된다.
도 1을 참조하여, 변압기(T1)는 전체 회로를 전면 회로(front circuit)(101)와 후면 회로(back circuit)(102)로 분리하고, 상기 전면 회로(101)와 상기 후면 회로(102) 사이에 푸시/풀 제어 칩(103)이 접속되어 있다. 전면 회로(101)는 DC 전력, 제1 스위치(Q1), 제2 스위치(Q2) 등을 구비하며, 후면 회로(102)는 적어도 커패시터(C1, C2, C3), 부하, 적어도 다이오드(D1, D2) 등을 구비한다.
도 2를 참조하여, 푸시/풀 제어 칩(103)은 2개의 스위치들을 스위칭하기 위하여, 각각 제1 제어 신호(a)와 제2 제어 신호(b)를 제1 스위치(Q1)와 제2 스위치(Q2)에 보낸다. 따라서, 전력이 DC 전력에 따라 변압기(T1)를 통하여 부하 에 인가된다. 도 2에서 2차 변압기(T1)의 전압파(c)는 지점 C에서 ac 전압파이다.
상기 설명에서, 푸시/풀 제어 칩(103)은 LINFINITY(MICROSEMI) Corp.의 칩 LX1686과 시리즈 LX1686, LX1688, LX1691, 02 Micro International Limited Corp.의 칩 O2-9RR의 시리즈, 및 Beyond Innovation Technology Corp.의 칩 BIT3105, BIT3494의 시리즈이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 변압기(T2)는 전체 회로를 전면 회로(201)와 후면 회로(202)로 분리한다. 전면 회로(201)는 4개의 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2), 풀 브릿지 제어 칩(203), 및 커패시터(C1)를 구비한다. 또한, 후면 회로(202)는 부하를 구비한다. 도 4를 참조하여, 풀 브릿지 제어 칩(203)은 4개의 제어 신호들(POUT1, POUT2, NOUT1, NOUT2)을 4개의 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)에 각각 보내고, 이들 스위치들을 스위칭함으로써, 전력이 DC 전력에 따라 변압기(T2)를 통하여 부하에 인가된다. 풀 브릿지 제어 칩(203)은 Beyond Innovation Technology Corp.의 BIT3105이다.
상기 설명에서, 풀 브릿지 스위치 어셈블리의 구동은 풀 브릿지 제어 칩(203)을 요하며, 푸시/풀 인버터의 구동은 푸시/풀 제어 칩(103)을 요하여, 실용적인 융통성이 결여되어 있다. 또한, 인버터 회로의 제어 칩은 사용에 제한이 있어, 함께 구매하기가 힘들다.
본 발명의 주요한 목적은, 푸시/풀 제어 칩의 출력 단자와 풀 브릿지 스위치 어셈블리의 제어 단자 사이를 접속시키기 위하여 2개의 유사한 드라이버들을 사용 하여, 스위칭을 위하여 푸시/풀 제어 칩이 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 제어하는 것이다.
본 발명은, 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리의 4개의 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)과 푸시/풀 제어 칩 사이를 2개의 유사한 드라이버들로 접속하고 있다. 또한, 푸시/풀 제어 칩은 2개의 유사한 드라이버들을 통하여 풀 브릿지 스위치 어셈블리의 4개의 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)의 스위칭을 제어한다.
상기 설명에서, 드라이버는, 푸시/풀 제어 칩의 출력 단자에 음극 단자와 접속되고 전자 스위치의 제어 단자에 양극 단자와 접속되어, N-MOSFET을 신속하게 차단하는 제1 가속 다이오드, 상기 제1 가속 다이오드에 병렬 접속되어 N-MOSFET의 제어 단자를 통하여 전류를 억제하는 제1 저항기, 상기 제1 가속 다이오드의 음극 단자와 상기 제2 가속 다이오드의 양극 단자에 접속되어, 상기 제2 가속 다이오드가 P-MOSFET의 제어 단자에 음극 단자와 접속되어 상기 P-MOSFET을 신속하게 차단하는 링크 커패시터, 상기 제2 가속 다이오드에 병렬 접속되어 상기 P-MOSFET의 제어 단자를 통하여 전류를 억제하는 제2 저항기, 및 상기 제2 가속 다이오드의 양극 단자에 양극 단자와 접속되고, DC 전력에 음극 단자와 접속되어 과잉 전압을 방지하는 제너 다이오드를 구비한다. 제3 저항기는 제너 전압을 생성하기 위하여 제너 다이오드에 병렬 접속된다.
상기 설명에서, 본 발명은, 스위칭을 위하여 풀 브릿지 스위치 어셈블리의 4 개의 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)을 제어하기 위하여, 2개의 유사한 드라이버들로써 푸시/풀 제어 칩으로부터 보내진 제어 신호들을 수신한다.
본 발명은 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리에 접속하기 위하여 2개의 유사한 드라이버들을 사용하여, 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리가 푸시/풀 제어 칩에 의하여 제어된다. 본 발명은 또한, 푸시/풀 인버터를 제어하고, 2개의 드라이버들을 통하여 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 제어하기 위하여 푸시/풀 제어 칩을 사용할 수 있어서, 융통성 및 그 실용적 가치를 증가시킨다.
본 발명의 다양한 목적들 및 이점들은 첨부된 도면을 참조하여 이해하면, 다음의 상세한 설명으로부터 보다 쉽게 이해될 것이다.
(바람직한 실시예들의 상세한 설명)
도 5를 참조하여, 본 발명은 풀 브릿지 스위치 어셈블리(302)를 통하여 변압기(T2)의 1차 권선에 접속되어 DC 전력(VCC)을 AC 전력으로 변환시켜, 변압기(T2)를 통하여 전력을 부하에 공급한다. 상기 설명에서, AC 전력의 피크-피크는 2VCC 전압이다.
도 5를 참조하여, 본 발명은 푸시/풀 제어 칩(103), 2개의 드라이버들(304), 및 풀 브릿지 스위치 어셈블리(302)를 구비한다. 푸시/풀 제어 칩(103)은 2개의 출력 단자들(A, B)을 통하여 2개의 제어 신호들을 보낸다. 2개의 드라이버들(304)의 입력 단자들은 각각 푸시/풀 제어 칩(103)의 2개의 출력 단자들(A, B)에 접속되어, 푸시/풀 제어 칩(103)에 의하여 제어된다. 풀 브릿지 스위치 어셈블리는 4개의 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)을 포함하여, 2개의 드라이버들(304)의 출력 단 자와 각 전자 스위치의 제어 단자(G)와 접속한다. 또한, 본 발명은 2개의 드라이버들(304)로 DC 전력을 AC 전력으로 변환시켜, AC 전력을 변압기(T2)의 1차 권선에 보낸다. 상기 설명에서, 전자 스위치들(P1, P2)은 P-MOSFET 스위치들이며, 전자 스위치들(N1, N2)은 N-MOSFET 스위치들이다.
도 5를 참조하여, 전자 스위치들(P1, P2)의 소스들은 DC 전력에 접속되며, 전자 스위치들(N1, N2)의 소스들은 기준 단자에 접속되어 있다. 전자 스위치들(P1, N1)의 드레인들은 변압기(T2)의 1차 권선의 한 단자에 접속되어 있고, 전자 스위치들(P2, N2)의 드레인들은 변압기(T2)의 1차 권선의 다른 단자에 접속되어 있다. 또한, 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)의 제어 단자는 각각 드라이버(304)의 출력 단자에 접속되어 있다. 상기 설명에서, 전자 스위치들(P1, P2, N1, N2)은 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 구성하고, 전자 스위치(P1, N2)는 양의 반주기(positive half cycle) 생성기를 구성하며, 전자 스위치들(N1, P2)은 음의 반주기(negative half cycle) 생성기를 구성하여 AC 전력을 형성한다.
도 5를 참조하여, 드라이버(304)는, 푸시/풀 제어 칩(103)의 출력 단자(A)에 음극 단자와 접속되고 전자 스위치(N1)의 제어 단자(G)에 양극 단자와 접속되는 제1 가속 다이오드(D3)를 구비하며, 제1 저항기(R3)는 제1 가속 다이오드(D3)과 병렬 접속되어 있다. 제2 가속 다이오드(D2)는, 전자 스위치(P1)의 제어 단자(G)에 음극 단자와 접속되며, 링크 커패시터(C2)를 통하여 푸시/풀 제어 칩(103)의 출력 단자(A)에 양극 단자와 접속되며, 제2 저항기(R2)는 제2 가속 다이오드(D2)에 병렬 접속되어 있다. 또한, 제너 다이오드(D1)는 제2 가속 다이오드(D2)의 양극 단자에 양극 단자와 접속되며, DC 전력에 음극 단자와 접속되며, 제3 저항기(R1)는 제너 다이오드(D1)와 병렬 접속되어 있다. 상술된 드라이버(304)는 전자 스위치(P1)와 전자 스위치(N1)을 구동시키는 데 사용된다.
도 5를 참조하여, 상기 설명에서, 다른 드라이버(304)는 푸시/풀 제어 칩(103)의 출력 단자(B)에 음극 단자와 접속되며, 전자 스위치(N2)의 제어 단자(G)에 양극 단자와 접속된 제1 가속 다이오드(D6)를 구비하며, 제1 저항기(R6)는 제1 가속 다이오드(D6)와 병렬 접속된다. 제2 가속 다이오드(D5)는 전자 스위치(P2)의 제어 단자(G)에 음극 단자와 접속되며, 링크 커패시터(C3)를 통하여 푸시/풀 제어 칩(103)의 출력 단자(B)에 양극 단자와 접속되며, 제2 저항기(R5)는 제2 가속 다이오드(D5)와 병렬 접속된다. 또한, 제너 다이오드(D4)는 제2 가속 다이오드(D5)의 양극 단자에 양극 단자와 접속되며, DC 전력에 음극 단자와 접속되며, 제3 저항기(R4)는 제너 다이오드(D4)와 병렬 접속된다. 상술된 드라이버(304)는 전자 스위치(P2)와 전자 스위치(N2)를 구동시키는 데 사용된다.
상기 설명에서, 2개의 드라이버들(304)은 풀 브릿지 스위치 어셈블리(302)의 4개의 전자 스위치들(N1, N2, P1, P2)을 구동시키기 위하여 푸시/풀 제어 칩(103)에 의하여 제어되어 DC 전력을 AC 전력으로 변환시켜, AC 전력이 변압기(T2)의 1차 권선에 보내진다. 커패시터(C1)는 변압기(T2)의 1차 권선과 풀 브릿지 스위치 어셈블리(302)에 접속되어, AC 전력의 DC 성분을 단절시킨다.
도 6에서, 도 5를 또한 참조하여, 푸시/풀 제어 칩(103)은, LINFINITY(MICROSEMI) Corp.의 칩 LX1686과 시리즈 LX1686, LX1688, LX1691, O2 Micro International Limited Corp.의 칩 O2-9RR의 시리즈, 및 Beyond Innovation Technology Corp.의 칩 BIT3105, BIT3494의 시리즈이다.
제1 제어 신호(a)는 푸시/풀 제어 칩(103)의 출력 단자(A)를 통하여 출력되며, 제2 제어 신호(b)는 푸시/풀 제어 칩(103)의 출력 단자(B)를 통하여 출력된다. 또한, AC 전력의 전압파(ac)는 변압기(T2)의 1차 권선의 단자(T21)에 있으며, AC 전력의 피크-피크는 2 DC 전력이다.
도 5와 도 6을 참조하여, 시간(t1-t2)에서, 제1 제어 신호(a)의 전위는 하이 전위이며, 제2 제어 신호(b)는 로우 전위이다. 제1 제어 신호(a)는 제1 저항기(R3)를 통하여 전자 스위치(N1)의 제어 단자(G)에 보내져 전자 스위치(N1)를 온 시키며, 링크 커패시터(C2), 제2 가속 다이오드(D2), 및 제2 저항기(R2)를 통하여 전자 스위치(P1)의 제어 단자(G)에 보내져 전자 스위치(P1)를 오프시킨다. 또한, 제2 가속 다이오드(D2)는 전자 스위치(P1)를 오프시키는 것을 가속화시킨다. 제2 제어 신호(b)는 제1 가속 다이오드(D6)를 통하여 전자 스위치(N2)의 제어 단자(G)에 보내져 전자 스위치(N2)를 오프시키고, 링크 커패시터(C3)와 제2 저항기(R5)를 통하여 전자 스위치(P2)의 제어 단자(G)에 보내져 전자 스위치(P2)를 온시킨다.
이 때, 전자 스위치들(N1, P2)은 온이며, 전자 스위치들(N2, P1)은 오프이다. 다음, DC 전력이 전자 스위치(N1, P2)를 온시킴으로써 변압기(T2)의 1차 권선에 보내지고, 변압기(T2)의 단자(T21)에서 측정된 AC 전력은 음의 DC 전력이다.
도 5와 도 6을 또한 참조하여, 시간(t2-t3)에서, 제1 제어 신호(a)의 전위는 하이에서 로우로 감소되며, 제2 제어 신호(b)는 여전히 로우 전위에 있다. 이 때, 제1 가속 다이오드(D3)는 전자 스위치(N1)를 오프시키는 것을 가속화한다. 제1 제어 신호(a)는 링크 커패시터(C2)와 제2 저항기(R2)를 통하여 전자 스위치(P1)의 제어 단자(G)에 보내져, 전자 스위치(P1)를 온시킨다. 제2 제어 신호(b)가 여전히 로우 전위에 있으므로, 전자 스위치(P2)는 여전히 온이며, 전자 스위치(N2)는 여전히 오프이다.
상기 설명에서, 시간이 t2-t3일 때, 전자 스위치들(P1, P2)은 온이고, 전자 스위치들(N1, N2)은 오프인 것이 이해된다. 이 때, 변압기(T2)에 저장된 에너지는 변압기(T2)의 1차 권선의 쇼트에 따라 누출된다. 다음, 변압기(T2)의 단자(T21)에서 측정된 AC 전력은 제로 전위이다.
또한, 도 5와 도 6을 참조하여, 시간(t3-t4)에서, 제1 제어 신호(a)는 여전히 로우 전위에 있고, 제2 제어 신호(b)의 전위는 로우 레벨에서 하이 레벨로 증가한다. 제2 제어 신호(b)는 제1 저항기(R6)를 통하여 전자 스위치(N2)의 제어 단자(G)에 보내져 전자 스위치(N2)를 온 시키며, 링크 커패시터(C3), 제2 가속 다이오드(D5), 및 제2 저항기(R5)를 통하여 전자 스위치(P2)의 제어 단자(G)에 보내져 전자 스위치(P2)를 오프시킨다. 또한, 제2 가속 다이오드(D5)는 전자 스위치(P2)를 오프시키는 것을 가속화한다. 제1 제어 신호(a)가 여전히 로우 전위에 있으므로, 전자 스위치(P1)는 여전히 온이며, 전자 스위치(N1)는 여전히 오프이다.
이 때, 전자 스위치들(N2, P1)은 온이며, 전자 스위치들(N1, P2)은 오프이 다. 다음, DC 전력은 전자 스위치들(N2, P1)을 온시킴으로써 변압기(T2)의 1차 권선에 보내져서, 변압기(T2)의 단자(T21)에서 측정된 AC 전력은 양의 DC 전력이다.
또한, 도 5와 도 6을 참조하여, 시간(t4-t5)에서, 제1 제어 신호(a)는 여전히 로우 전위이고, 제2 제어 신호(b)의 전위는 하이 레벨에서 로우 레벨로 감소한다. 이 때, 제1 가속 다이오드(D6)는 전자 스위치(N2)를 오프시키는 것을 가속화한다. 제2 제어 신호(b)는 링크 커패시터(C3)와 제2 저항기(R5)를 통하여 전자 스위치(P2)의 제어 단자(G)로 보내져 전자 스위치(P2)를 온 시킨다. 제1 제어 신호(a)가 로우 전위에 있으므로, 전자 스위치(P1)는 여전히 온이고, 전자 스위치(N1)는 여전히 오프이다.
상기 설명에서, 시간이 t4-t5일 때, 전자 스위치들(P1, P2)은 온이고, 전자 스위치들(N1, N2)은 오프인 것이 이해된다. 이 때, 변압기(T2)에 저장된 에너지는 변압기(T2)의 1차 권선의 쇼트에 따라 누출된다. 다음, 변압기(T2)의 단자(T21)에서 측정된 AC 전력은 제로 전위이다.
또한, 도 5와 도 6을 참조하여, 시간(t5-t6)에서 본 발명의 회로 동작과 변압기(T2)의 단자(T21)의 전압파(ac)는 시간(t1-t2)에서와 동일하다. 나머지는 상기 설명으로부터 유추하여 추론될 수도 있다. AC 전력의 피크-피크는 DC 전력의 2배이며, 부하에 전력을 공급하기 위하여 변압기(T2)의 2차 권선으로 변환된다.
과잉 전압을 방지하기 위하여, 제너 다이오드들(D1, D4)이 전자 스위치들(P1, P2)을 보호하는 도 5를 참조한다. 또한, 제3 저항기들(R3, R4)은 각각 제너 다이오드들(D1, D4)과 병렬 접속되어, 제너 전압을 제공한다.
상기 설명에서, 본 발명은 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리에 접속하기 위하여 2개의 유사한 드라이버들을 사용하여, 종래 기술의 풀 브릿지 스위치 어셈블리가 푸시/풀 제어 칩에 의하여 제어된다. 본 발명은 푸시/풀 제어 칩을 사용하여 푸시/풀 인버터를 제어하고, 2개의 드라이버들을 통하여 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 제어하므로, 융통성과 그 실용적 가치를 증가시킨다.
본 발명은 그 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었으나, 본 발명은 그 상세에 한정되는 것이 아님이 이해될 것이다. 다양한 대체물과 변형물들이 상기 설명에서 제안되었으며, 다른 것들도 당업자들에게 가능할 것이다. 그러므로, 이러한 모든 대체물과 변형물들은 첨부된 청구항에 정의된 바와 같은 본 발명의 범위내에 서 망라된다.

Claims (6)

  1. CCFL에 전원을 공급하기 위해 DC 전력을 AC 전력으로 변환하며 변압기의 1차 권선에 접속되는, 푸시/풀 제어 칩을 갖는 풀 브릿지 인버터에 있어서, 상기 풀 브릿지 인버터는,
    2개의 출력 단자들을 가지는 푸시/풀 제어 칩;
    모두 입력 단자와 출력 단자를 가지며, 상기 입력 단자들은 상기 푸시/풀 제어 칩의 출력 단자들에 접속되어, 상기 푸시/풀 제어 칩에 의하여 제어되는 2개의 드라이버들; 및
    각각이 제어 단자가 상기 2개의 드라이버들의 상기 출력 단자에 접속되는 4개의 전자 스위치들을 가져서, 상기 2개의 드라이버들에 의하여 DC 전력을 AC 전력으로 변환시키는 풀 브릿지 스위치 어셈블리를 포함하며,
    상기 2개의 드라이버들 중 하나는,
    상기 푸시/풀 제어 칩의 상기 출력 단자에 음극 단자가 접속되며, 상기 전자 스위치의 상기 제어 단자에 양극 단자가 접속되는 제1 가속 다이오드;
    상기 제1 가속 다이오드에 병렬 접속된 제1 저항기;
    상기 전자 스위치의 상기 제어 단자에 음극 단자가 접속되며, 링크 커패시터를 통하여 상기 푸시/풀 제어 칩의 상기 출력 단자에 양극 단자가 접속되는 제2 가속 다이오드;
    상기 제2 가속 다이오드와 병렬 접속된 제2 저항기;
    상기 제2 가속 다이오드의 양극 단자에 양극 단자가 접속되며, 상기 DC 전력에 음극 단자가 접속되는 제너 다이오드; 및
    상기 제너 다이오드에 병렬 접속된 제3 저항기를 포함하는, 풀 브릿지 인버터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 4개의 전자 스위치들은 2개의 P-MOSFET들과 2개의 N-MOSFET들을 구비하며, P-MOSFET과 N-MOSFET은 양의 반주기 생성기와 음의 반주기 생성기를 형성하는 것을 특징으로 하는 풀 브릿지 인버터.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 2개의 P-MOSFET들의 각 소스는 상기 DC 전력에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 풀 브릿지 인버터.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 2개의 N-MOSFET들의 각 소스는 기준 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 풀 브릿지 인버터.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 변압기의 상기 1차 권선과 상기 풀 브릿지 스위치 어셈블리 사이에 접속되어, 상기 AC 전력의 DC 성분을 단절시키는 커패시터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 풀 브릿지 인버터.
KR1020040032324A 2004-05-07 2004-05-07 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터 KR100579213B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040032324A KR100579213B1 (ko) 2004-05-07 2004-05-07 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040032324A KR100579213B1 (ko) 2004-05-07 2004-05-07 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050107123A KR20050107123A (ko) 2005-11-11
KR100579213B1 true KR100579213B1 (ko) 2006-05-11

Family

ID=37283773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040032324A KR100579213B1 (ko) 2004-05-07 2004-05-07 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100579213B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100746450B1 (ko) 2006-09-20 2007-08-03 리엔 창 일렉트로닉 엔터프라이즈 컴퍼니 리미티드 풀 브리지 인버터

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100760844B1 (ko) * 2006-01-05 2007-09-21 주식회사 케이이씨 직류 교류 컨버터
CN100533940C (zh) * 2006-12-29 2009-08-26 联昌电子企业股份有限公司 全桥式驱动装置
CN108696145A (zh) * 2018-08-06 2018-10-23 杭州飞仕得科技有限公司 用于信号隔离传输的电路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100746450B1 (ko) 2006-09-20 2007-08-03 리엔 창 일렉트로닉 엔터프라이즈 컴퍼니 리미티드 풀 브리지 인버터

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050107123A (ko) 2005-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6819057B2 (en) Ballast self oscillating inverter with phase controlled voltage feedback
JPH0629810A (ja) 電圧制御半導体スイッチ駆動回路
AU2003205038B2 (en) Drive for a half-bridge inverter
US7242594B2 (en) Full bridge inverter with push/pull control chip
JP2002233167A (ja) ハーフブリッジ形インバータ回路
KR100579213B1 (ko) 푸시/풀 제어 칩을 가지는 풀 브릿지 인버터
US7369421B1 (en) Full bridge driver
US7015658B2 (en) Driving circuit configured in a three-phase inverter and driving method thereof
US7443106B2 (en) Circuit with switch-off device for the operation of light sources
KR890006110A (ko) 방전 램프 구동방법 및 동 방법 실시용 전자식장치
US7366000B2 (en) Half bridge inverter
US7173836B2 (en) Circuit making use of push/pull-type control chip to drive half bridge-type inverter circuit
US7064588B2 (en) Half-bridge inverter of dual N-MOS with a push/pull control chip
US4961029A (en) Discharge lamp lighting device
CN113938116A (zh) 磁隔离电子开关驱动电路及控制方法
US6380695B1 (en) Driving device for fluorescent tube
KR100647967B1 (ko) 푸쉬/풀 제어 칩을 구비한 듀얼 ｎ-ｍｏｓ 하프 브릿지인버터
JPH0836221A (ja) 液晶プロジェクターのランプ始動装置
CN100421347C (zh) 利用推挽式控制芯片驱动双n-mos的半桥式换流电路
CN219351534U (zh) 一种软启电路以及单相逆变电路
EP1220437A2 (en) Shutdown circuit for a half-bridge converter
CA2556182A1 (en) Drive circuit for converters
JP2688411B2 (ja) インバータ装置
KR100831536B1 (ko) 풀 브릿지 드라이버
CN100403646C (zh) 利用推挽式控制芯片驱动全桥式换流器的电路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110325

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee