KR100568131B1 - A target device - Google Patents

A target device Download PDF

Info

Publication number
KR100568131B1
KR100568131B1 KR1020040003900A KR20040003900A KR100568131B1 KR 100568131 B1 KR100568131 B1 KR 100568131B1 KR 1020040003900 A KR1020040003900 A KR 1020040003900A KR 20040003900 A KR20040003900 A KR 20040003900A KR 100568131 B1 KR100568131 B1 KR 100568131B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
side wall
housing
target
magnetron sputtering
target device
Prior art date
Application number
KR1020040003900A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050076095A (en
Inventor
유흥상
김철원
Original Assignee
주식회사 유니벡
유흥상
김철원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 유니벡, 유흥상, 김철원 filed Critical 주식회사 유니벡
Priority to KR1020040003900A priority Critical patent/KR100568131B1/en
Publication of KR20050076095A publication Critical patent/KR20050076095A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100568131B1 publication Critical patent/KR100568131B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548Controlling the composition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 마그네트에 대해 타겟을 회전시킴으로써 이의 교체 주기를 연장시켜 생산비를 절감시킬 수 있고, 부가적으로 타겟을 다수 영역으로 구획하여 이 구획된 영역에 여러 가지의 물질을 장착함으로써 기판상에 다층막을 증착 코팅할 수 있으며, 스퍼터링시 플라즈마 열이 누적되지 않도록 함으로써 열에 취약한 기판을 아주 탄력적으로 사용할 수 있도록 한 마그네트론 스퍼터링 타겟장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하며,The present invention can reduce the production cost by extending the replacement cycle by rotating the target relative to the magnet, and additionally partitioning the target into multiple regions to mount various materials on the divided regions to form a multilayer film on the substrate. It is an object of the present invention to provide a magnetron sputtering target device capable of deposit coating and preventing the accumulation of plasma heat during sputtering so that a substrate that is susceptible to heat can be used very flexibly.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 전방부가 개구됨과 아울러 후방부에 폐쇄벽이 형성되어 공간부가 형성되도록 사방으로 둘러싸여진 측벽과, 상기 측벽의 전방부의 테두리에 증착 기판이 구비된 진공챔버의 입구에 착탈 가능하게 기밀 결합되도록 형성되는 플랜지부로 된 하우징과; 상기 측벽의 공간부내에 배치되어 양단이 상기 측벽을 관통하는 한쌍의 지지축을 매개로 설치되며, 자석이 길이 방향으로 일부가 노출되도록 매몰 설치된 일정한 길이의 지지부재와; 상기 지지부재의 외면과 일정 간극을 유지한 채로 이를 감싸며, 상기 지지부재에 대해 회전 가능하게 설치되는 통체 형상의 회전부재와; 상기 회전부재의 외면에 설치되는 소정 재질의 타겟부재와; 상기 회전부재에 연결되어 상기 회전부재가 회전구동되도록 하는 회전부재 구동수단과; 상기 자석에 고전압을 공급하여 상기 타겟부재로부터 원자가 방출되도록 상기 하우징의 외측에 고정 설치되는 고전압 공급수단과; 상기 하우징의 공간부내로 반응가스가 주입되도록 반응가스 주입구를 포함하는 것을 특징 으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum chamber in which a front side is opened and a closed wall is formed at a rear side, and a side wall is enclosed in all directions so that a space is formed, and a deposition substrate is provided at an edge of the front portion of the side wall. A housing having a flange portion formed to be detachably hermetically coupled to an inlet of the housing; A support member having a predetermined length disposed in the space portion of the side wall and installed through a pair of support shafts whose both ends penetrate the side wall, and in which a magnet is partially embedded in the longitudinal direction; A cylindrical member rotating around the support member while maintaining the gap with the outer surface of the support member and rotatably installed with respect to the support member; A target member of a predetermined material installed on an outer surface of the rotating member; Rotating member driving means connected to the rotating member to allow the rotating member to be driven to rotate; High voltage supply means fixed to an outer side of the housing to supply a high voltage to the magnet to release atoms from the target member; React gas injection port so that the reaction gas is injected into the space portion of the housing.

마그네트론, 스퍼터링, 자석, 타겟, 회전, 기판Magnetron, Sputtering, Magnet, Target

Description

마그네트론 스퍼터링 타겟장치{A TARGET DEVICE}Magnetron Sputtering Target Device {A TARGET DEVICE}

도 1은 본 발명에 의한 타겟장치의 하우징이 진공챔버에 설치된 상태를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a housing of a target device according to the present invention is installed in a vacuum chamber.

도 2는 본 발명에 의한 타겟장치의 전체 구성을 나타낸 도면.2 is a view showing the overall configuration of a target device according to the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 지시선 "A"부의 확대도.3 is an enlarged view of a leader line "A" shown in FIG. 2;

도 4는 도 2에 도시된 지시선 "B"부의 확대도.4 is an enlarged view of a leader line "B" shown in FIG. 2;

도 5는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 지지부재와 회전부재 및 타겟부재 및 자석의 배치 상태를 나타낸 종단면도.Figure 5 is a longitudinal cross-sectional view showing the arrangement of the support member and the rotating member and the target member and the magnet of the configuration of the target device according to the present invention.

도 6은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 회전부재의 외관을 도시한 사시도.Figure 6 is a perspective view showing the appearance of the rotating member of the configuration of the target device according to the present invention.

도 7은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 지지부재에 자석이 설치된 상태를 나타낸 사시도.7 is a perspective view showing a state in which a magnet is installed on the support member of the configuration of the target device according to the present invention.

도 8(a)(b)는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 개폐판의 동작 상태를 나타낸 단면도.Figure 8 (a) (b) is a cross-sectional view showing the operating state of the opening and closing plate of the configuration of the target device according to the present invention.

도 9는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 타겟부재의 다른 실시예를 나타낸 단면도.Figure 9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the target member of the configuration of the target device according to the present invention.

도 10은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 하우징에 형성된 냉각수 이동통 로만을 나타낸 단면도.Figure 10 is a cross-sectional view showing only the cooling water movement passage formed in the housing of the configuration of the target device according to the present invention.

도 11은 도 10에 도시된 하우징의 외관을 도시한 사시도.FIG. 11 is a perspective view showing the appearance of the housing shown in FIG. 10; FIG.

도 12 및 도 13은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 관찰창 개폐판을 구동시키는 구성 및 이의 작동 상태를 나타낸 일부 사시도.12 and 13 is a partial perspective view showing the configuration and operating state of the observation window opening and closing plate of the configuration of the target device according to the present invention.

도 14는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 반응가스 주입구에 대한 구성을 나타낸 하우징의 외관 사시도.Figure 14 is an external perspective view of the housing showing the configuration of the reaction gas inlet of the configuration of the target device according to the present invention.

도 15는 도 14의 종단면도.15 is a longitudinal cross-sectional view of FIG. 14;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

50 : 진공챔버 51 : 입구50: vacuum chamber 51: inlet

52 : 증착 기판 100 : 하우징52: deposition substrate 100: housing

110 : 측벽 S : 공간부110: side wall S: space part

111 : 전방부 112 : 플랜지부111: front 112: flange

116 : 관찰창 117 : 관찰창 개폐판116: observation window 117: observation window opening and closing plate

118 : 힌지축 119 : 조작 손잡이118: hinge axis 119: operation knob

120 : 폐쇄벽 200 : 지지부재120: closed wall 200: support member

210 : 지지축 220 : 자석210: support shaft 220: magnet

300 : 회전부재 115, 310 : 냉각수 이동통로300: rotating member 115, 310: cooling water moving passage

400 : 타겟부재 500 : 회전부재 구동수단400: target member 500: rotating member driving means

510 : 구동 모터 520 : 구동기어510: drive motor 520: drive gear

530 : 종동기어 540 : 중공 회전축530: driven gear 540: hollow rotating shaft

540 : 개폐판 550 : 개폐판 구동수단540: opening and closing plate 550: opening and closing plate driving means

551 : 유압 모터 552 : 모터축551: hydraulic motor 552: motor shaft

553 : 구동기어 554 : 종동기어553: drive gear 554: driven gear

555 : 연결부재 600 : 고전압 공급수단555: connecting member 600: high voltage supply means

700 : 반응가스 주입구 800 : 어셈블리700: reaction gas inlet 800: assembly

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 타겟장치에 과한 것으로, 더욱 상세하게는 마그네트에 대해 타겟을 회전시킴으로써 이의 교체 주기를 연장시켜 생산비를 절감시킬 수 있고, 부가적으로 타겟을 다수 영역으로 구획하여 이 구획된 영역에 여러 가지의 물질을 장착함으로써 기판상에 다층막을 증착 코팅할 수 있으며, 스퍼터링시 플라즈마 열이 누적되지 않도록 함으로써 열에 취약한 기판을 아주 탄력적으로 사용할 수 있도록 한 마그네트론 스퍼터링 타겟장치에 관한 것이다.The present invention is directed to a magnetron sputtering target device, and more particularly, by rotating the target relative to the magnet, it is possible to reduce the production cost by extending its replacement cycle, and additionally divide the target into a plurality of areas in this partitioned area. The present invention relates to a magnetron sputtering target device capable of depositing and coating a multilayer film on a substrate by attaching various materials, and making it possible to use a substrate that is susceptible to heat by preventing the accumulation of plasma heat during sputtering.

일반적으로 스퍼터링에 의한 박막 형성방법은 상기 스퍼터링에 의한 박막 형성방법으로는 다이오드 스퍼터링 방법, 바이어스 스퍼터링 방법, 고주파스퍼터링 방법, 트라이오드 스퍼터링 방법, 마그네트론 스퍼터링 방법등이 있다.In general, a thin film forming method by sputtering includes a diode sputtering method, a bias sputtering method, a high frequency sputtering method, a triode sputtering method, a magnetron sputtering method, and the like.

상기 나열한 방법중 마그네트론 스퍼터링 방법이 가장 많이 사용되고 있는데, 이 방법은 평판 타겟 뒷면에 마그네트가 고정 장착되어 스퍼터링시 마그네트가 있는 평판 타겟부위가 다른 부위보다 고밀도의 플라즈마가 형성된 진공챔버내에 형 성하고자 하는 박막재료로 이루어진 평판 타겟을 놓고, 이 타겟에 대응되는 위치에 기판을 배치한 후, 아르곤 가스를 주입하면 진공챔버내에 형성된 플라즈마에 의해 이온화된 아르곤 입자등의 충돌입자가 음으로 대전된 타겟면에 충돌되어 그 에너지에 의해 타겟입자가 튀어나와 기판상에 증착되도록 한 것이다.Among the methods listed above, the magnetron sputtering method is the most widely used, and this method is a thin film to be formed in a vacuum chamber in which a magnet is fixedly mounted on the back surface of a flat plate target, and a plate target portion with a magnet is formed at a higher density than other parts during sputtering. Placing a flat plate target made of a material, placing the substrate at a position corresponding to the target, and injecting argon gas, collision particles such as argon particles ionized by plasma formed in the vacuum chamber collide with the negatively charged target surface. As a result, the target particles stick out by the energy and are deposited on the substrate.

상기 마그네트론 스퍼터링 방법의 경우 평판 타겟 뒷면에 마그네트가 장착되어 스퍼터링시 마그네트가 있는 평판 타겟부위가 다른 부위보다 고밀도의 플라즈마가 형성되는 관계로 더 많은 타겟 원자가 방출되어 박막 증착 속도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In the case of the magnetron sputtering method, a magnet is mounted on the back surface of the flat plate target, and thus, when sputtering, a plate target portion having a magnet is formed at a higher density than other portions, so that more target atoms are released to improve the thin film deposition rate. have.

그러나, 이와 같은 장점과는 달리 상기 평판 타겟이 마그네트에 장착된 고정 설치된 상태에서 고정되어 있기 때문에 스퍼터링이 진행될수록 특정 부위(자장이 형성되는 부분)에 대한 평판 타겟 침식속도가 빨라 전체적으로 타겟의 사용 효율이 떨어짐은 물론 기판상에 형성되는 박막두께의 불균일성을 초래하여 박막 특성에 지대한 악역향을 끼치게 된다.However, unlike the above advantages, since the plate target is fixed in a fixed installation state mounted on the magnet, as the sputtering proceeds, the plate target erosion rate for a specific part (field in which the magnetic field is formed) is faster, so that the overall use efficiency of the target is increased. This fall, of course, causes unevenness of the thin film thickness formed on the substrate, which has a great adverse effect on the thin film properties.

따라서, 자장이 형성되는 부분의 타겟이 집중적으로 침식되고 나머지 부분은 그대로 있는 상황에서도 어쩔수 없이 평판 타겟이 모두 소모되기 전에 타겟 뿐만 아니라 타겟이 부착된 고가의 장비 전체를 교환해주어야 하는 단점이 있고, 이로 인해 생산비가 많이 소요되는 등의 경제적인 손실이 있었다.Therefore, even in the situation where the target of the magnetic field is intensively eroded and the remainder remains unavoidably, it is necessary to exchange not only the target but also all the expensive equipment to which the target is attached before all the flat targets are exhausted. There has been economic losses such as high production costs.

그리고, 종래에는 기판에 다층막을 증착 코팅하기 위해서는 증착할 물질에 해당되는 다량의 타겟을 장비에 장착하여 사용함에 따라 생산비가 많이 소요될뿐만 아니라 유지 보수 측면에서도 어려움이 많았다.In addition, conventionally, in order to deposit and coat a multilayer film on a substrate, a large amount of targets corresponding to the material to be deposited are mounted on the equipment, and thus, production costs are increased, and maintenance is difficult.

그리고, 종래에는 평판 타겟이 마그네트에 고정되어 있는 구조이기 때문에 플라즈마 열에 의한 누적에 의해 기판이 가열되어 불량 기판을 제조하게 되는 문제가 있어 열에 취약한 기판은 사용할 수 없는 단점이 있었다.In addition, since the plate target is conventionally fixed to the magnet, there is a problem in that the substrate is heated by the accumulation of plasma heat, thereby producing a defective substrate, and thus a substrate vulnerable to heat cannot be used.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 마그네트에 대해 타겟을 회전시킴으로써 이의 교체 주기를 연장시켜 생산비를 절감시킬 수 있고, 부가적으로 타겟을 다수 영역으로 구획하여 이 구획된 영역에 여러 가지의 물질을 장착함으로써 기판상에 다층막을 증착 코팅할 수 있으며, 스퍼터링시 플라즈마 열이 누적되지 않도록 함으로써 열에 취약한 기판을 아주 탄력적으로 사용할 수 있도록 한 마그네트론 스퍼터링 타겟장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the above problems, and by rotating the target relative to the magnet, it is possible to reduce the production cost by extending its replacement cycle, and additionally partitioned the target into a plurality of areas in this partitioned area. The purpose of the present invention is to provide a magnetron sputtering target device capable of depositing and coating a multilayer film on a substrate by attaching various materials and making it possible to use a substrate that is susceptible to heat by preventing plasma heat accumulation during sputtering. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 전방부가 개구됨과 아울러 후방부에 폐쇄벽이 형성되어 공간부가 형성되도록 사방으로 둘러싸여진 측벽과, 상기 측벽의 전방부의 테두리에 증착 기판이 구비된 진공챔버의 입구에 착탈 가능하게 기밀 결합되도록 형성되는 플랜지부로 된 하우징과; 상기 측벽의 공간부내에 배치되어 양단이 상기 측벽을 관통하는 한쌍의 지지축을 매개로 설치되며, 자석이 길이 방향으로 일부가 노출되도록 매몰 설치된 일정한 길이의 지지부재와; 상기 지지부재의 외면과 일정 간극을 유지한 채로 이를 감싸며, 상기 지지부재에 대해 회전 가능하게 설치되는 통체 형상의 회전부재와; 상기 회전부재의 외면에 설치되는 소정 재질의 타겟부재와; 상기 회전부재 에 연결되어 상기 회전부재가 회전구동되도록 하는 회전부재 구동수단과; 상기 타겟부재에 고전압을 공급하여 상기 타겟부재로부터 원자가 방출되도록 상기 하우징의 외측에 고정 설치되는 고전압 공급수단과; 상기 하우징의 공간부내로 반응가스가 주입되도록 반응가스 주입구를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, the present invention for achieving the above object, the front side is opened and the side wall is enclosed in all directions so that a closed portion is formed in the rear portion and the side wall, and the side wall A housing having a flange portion formed to be detachably hermetically coupled to an inlet of a vacuum chamber provided with a deposition substrate at an edge of a front portion of the housing; A support member having a predetermined length disposed in the space portion of the side wall and installed through a pair of support shafts whose both ends penetrate the side wall, and in which a magnet is partially embedded in the longitudinal direction; A cylindrical member rotating around the support member while maintaining the gap with the outer surface of the support member and rotatably installed with respect to the support member; A target member of a predetermined material installed on an outer surface of the rotating member; A rotating member driving means connected to the rotating member to rotate the rotating member; High voltage supply means fixed to an outer side of the housing to supply a high voltage to the target member to release atoms from the target member; It characterized in that it comprises a reaction gas inlet so that the reaction gas is injected into the space portion of the housing.

이하, 본 발명에 의한 마그네트론 스퍼터링 타겟장치의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of a preferred embodiment of a magnetron sputtering target device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 타겟장치의 하우징이 진공챔버에 설치된 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명에 의한 타겟장치의 전체 구성을 나타낸 도면이며, 도 3은 도 2에 도시된 지시선 "A"부의 확대도이며, 도 4는 도 2에 도시된 지시선 "B"부의 확대도이며, 도 5는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 지지부재와 회전부재 및 타겟부재 및 자석의 배치 상태를 나타낸 종단면도이며, 도 6은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 회전부재의 외관을 도시한 사시도이며, 도 7은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 지지부재에 자석이 설치된 상태를 나타낸 사시도이며, 도 8(a)(b)는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 개폐판의 동작 상태를 나타낸 단면도이며,도 9는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 타겟부재의 다른 실시예를 나타낸 단면도이며, 도 10은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 하우징에 형성된 냉각수 이동통로만을 나타낸 단면도이며, 도 11은 도 10에 도시된 하우징의 외관을 도시한 사시도이며, 도 12 및 도 13은 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 관찰창 개폐판을 구동시키는 구성 및 이의 작동 상태를 나타낸 일부 사시도이며, 도 14는 본 발명에 의한 타겟장치의 구성중 반응가스 주입구에 대한 구성을 나타낸 하우징의 외관 사시도이며, 도 15는 도 14의 종단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a housing of a target device according to the present invention is installed in a vacuum chamber, FIG. 2 is a view showing an overall configuration of a target device according to the present invention, and FIG. 3 is a leader line shown in FIG. 4 is an enlarged view of the "B" part shown in FIG. 2, and FIG. 5 is an arrangement state of the supporting member, the rotating member, the target member, and the magnet in the configuration of the target apparatus according to the present invention. 6 is a perspective view showing the appearance of the rotating member of the configuration of the target device according to the present invention, Figure 7 is a perspective view showing a state in which a magnet is installed on the support member of the configuration of the target device according to the present invention; 8 (a) and (b) are cross-sectional views showing the operation state of the opening and closing plate of the target device according to the present invention, and FIG. 9 shows another embodiment of the target member during the configuration of the target device according to the present invention. Sectional view, FIG. 10 Figure 11 is a cross-sectional view showing only the coolant movement passage formed in the housing of the configuration of the target device according to the present invention, Figure 11 is a perspective view showing the appearance of the housing shown in Figure 10, Figures 12 and 13 of the target device according to the present invention Partial perspective view showing a configuration for driving the observation window opening and closing operation and its operating state, Figure 14 is an external perspective view of the housing showing the configuration for the reaction gas inlet of the configuration of the target device according to the present invention, Figure 15 is a view 14 is a longitudinal cross-sectional view.

본 발명에 의한 스퍼터링 타겟장치는 크게 하우징(100)과, 지지부재(2000와, 회전부재(300)와, 타겟부재(400)와, 회전부재 구동수단(500)과, 고전압 공급수단(600)과, 반응가스 주입구(700)를 포함하여 이루어진다.Sputtering target device according to the present invention is largely the housing 100, the support member 2000, the rotating member 300, the target member 400, the rotating member driving means 500, the high voltage supply means 600 And, it comprises a reaction gas injection port 700.

상기 하우징(100)은 전방부(111)가 개구됨과 아울러 후방부에 폐쇄벽(120)이 형성되어 공간부(S)가 형성되도록 사방으로 둘러싸여진 측벽(110)과, 상기 측벽(110)의 전방부(111)의 테두리에 증착 기판(52)이 구비된 진공챔버(50)의 입구(51)에 착탈 가능하게 기밀 결합되도록 형성되는 플랜지부(112)로 이루어진다.The housing 100 has a side wall 110 which is surrounded in all directions so that the front part 111 is opened and a closing wall 120 is formed at the rear part to form a space S. The flange portion 112 is formed to be detachably hermetically coupled to the inlet 51 of the vacuum chamber 50 having the deposition substrate 52 at the edge of the front portion 111.

상기 지지부재(200)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 측벽(110)의 공간부(S)내에 배치되어 양단이 상기 측벽(110)을 관통하는 한쌍의 지지축(210)을 매개로 설치되며, 자석(220)이 길이 방향으로 일부가 노출되도록 매몰 설치된 일정한 길이로 이루어진다.As shown in FIG. 7, the support member 200 is disposed in the space S of the side wall 110 and is installed through a pair of support shafts 210 having both ends penetrating through the side wall 110. And, the magnet 220 is made of a constant length installed buried so that a portion is exposed in the longitudinal direction.

여기서, 상기 지지부재(200)의 형상을 본 발명에서는 원형 단면을 갖는 형상으로 구성하였다.Here, the shape of the support member 200 was configured in the present invention having a circular cross section.

상기 회전부재(300)는 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(200)의 외면과 일정 간극을 유지한 채로 이를 감싸며, 상기 지지부재(200)에 대해 회전 가능하게 설치되는 통체 형상으로 이루어진다.As shown in FIG. 6, the rotating member 300 surrounds the outer surface of the supporting member 200 while maintaining a predetermined gap, and has a cylindrical shape rotatably installed with respect to the supporting member 200. .

여기서, 상기 회전부재(300)의 형상을 본 발명에서는 원형 단면을 갖는 형상으로 구성하였다.Here, the shape of the rotating member 300 in the present invention was configured in a shape having a circular cross section.

상기 타겟부재(400)는 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 회전부재(300)의 외면 에 설치되는 소정 재질로 이루어진다.The target member 400 is made of a predetermined material which is installed on the outer surface of the rotating member 300, as shown in FIG.

여기서, 상기 타겟부재(400)의 재질로 스테인레스 또는 구리중의 어느 하나를 사용하게 된다.Here, any one of stainless or copper is used as the material of the target member 400.

그리고, 상기 타겟부재(400)는 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 회전부재(300)의 외면에 서로 다른 재질의 다수개가 분리되어 감싸도록 설치된다.
즉, 타겟부재(400)는 복수개(400a)(400b)(400c)(400d)(400e)(400f)(400g)(400h)(400i)(400j)가 분리 형성되어 상기 회전부재(300)의 외면을 감싸도록 설치되며, 그 재질은 복수개의 서로 다른 재질로 이루어진다.
In addition, as illustrated in FIG. 9, the target member 400 is installed to separate and surround a plurality of different materials on the outer surface of the rotating member 300.
That is, the target member 400 is formed by separating a plurality of 400a, 400b, 400c, 400d, 400e, 400f, 400g, 400h, 400i, 400j, and the like. It is installed to surround the outer surface, the material is made of a plurality of different materials.

상기 회전부재 구동수단(500)은 상기 회전부재(300)에 연결되어 상기 회전부재(300)가 회전구동되도록 하는 역할을 한다.The rotating member driving means 500 is connected to the rotating member 300 serves to rotate the rotating member 300.

상기 회전부재 구동수단(500)의 바람직한 구성은 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(100)의 외부에 고정되는 구동 모터(510)와, 상기 구동모터(510)의 모터축(511)에 연결되는 구동기어(520)와, 상기 구동기어(520)에 치차 결합되어 종동기어(530)와, 상기 지지축(210)이 슬라이드 가능하게 삽입되도록 양단이 관통된 관통공(541)을 구비하여 일단이 상기 종동기어(530)의 중앙에 결합되고 타단이 상기 회전부재(300)의 일측에 고정 결합되는 중공 회전축(540)으로 이루어진다.As shown in FIG. 3, the rotation member driving means 500 includes a driving motor 510 fixed to the outside of the housing 100 and a motor shaft 511 of the driving motor 510. A drive gear 520 connected to the drive gear 520, a driven gear 530 coupled to the drive gear 520, and a through hole 541 through which both ends penetrate so that the support shaft 210 is slidably inserted. One end is coupled to the center of the driven gear 530 and the other end is made of a hollow rotating shaft 540 is fixedly coupled to one side of the rotating member (300).

여기서, 상기 회전부재 구동수단(500)의 구동 순서를 설명하면 다음과 같다.Here, the driving sequence of the rotating member driving means 500 is as follows.

먼저, 구동 모터(510)에 전원이 인가되어 구동되면, 이 구동력은 모터축(511)을 통해 구동기어(520)에 전달되며, 이로 인해 구동기어(520)는 소정의 방향으로 회전을 하게 된다.First, when power is applied and driven to the driving motor 510, the driving force is transmitted to the driving gear 520 through the motor shaft 511, which causes the driving gear 520 to rotate in a predetermined direction. .

상기 구동기어(520)가 회전을 하게 되면, 이에 치차 결합된 종동기어(530) 역시 회전하게 되며, 이로 인해 중공 회전축(540)이 회전하게 되며, 이에 결합된 회전부재(300)가 회전하게 된다.When the drive gear 520 is rotated, the driven gear 530 geared to the gear is also rotated, thereby causing the hollow rotating shaft 540 to rotate, the rotating member 300 coupled thereto rotates. .

따라서, 이 회전부재(300)의 외면에 설치된 타겟부재(400)가 자석(220)에 대해 회전하게 되는 것이다.Therefore, the target member 400 installed on the outer surface of the rotating member 300 is to rotate with respect to the magnet 220.

상기 고전압 공급수단(600)은 상기 자석(220)에 고전압을 공급하여 상기 타겟부재(400)로부터 원자가 방출되도록 상기 하우징(100)의 외측에 고정 설치된다.The high voltage supply means 600 is fixed to the outside of the housing 100 to supply a high voltage to the magnet 220 to release atoms from the target member 400.

상기 고전압 공급수단(600)의 상세 구성은 통상적으로 사용되는 기술 분야이므로 설명을 생략하기로 한다.Detailed configuration of the high voltage supply means 600 will be omitted because it is a technical field commonly used.

상기 반응가스 주입구(700)는 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(100)의 공간부(S)내로 반응가스가 주입되도록 하는데, 이 상기 반응가스 주입구(700)는, 상기 폐쇄벽(120)에 일렬로 다수개가 형성되어 반응가스를 동시에 주입하게 된다.As shown in FIGS. 14 and 15, the reaction gas inlet 700 allows the reaction gas to be injected into the space S of the housing 100, and the reaction gas inlet 700 is closed. A plurality is formed in a line in the wall 120 to inject the reaction gas at the same time.

그리고, 상기 반응가스로 본 발명에서는 아르곤을 사용하게 된다.In the present invention, argon is used as the reaction gas.

그리고, 본 발명에서는 증착 기판(52)상에 증착이 일어날시점에 질소를 진공챔버(50)와 하우징(100) 사이로 주입하게 된다.In the present invention, nitrogen is injected between the vacuum chamber 50 and the housing 100 when deposition occurs on the deposition substrate 52.

여기서, 상기 타겟부재(400)로 상기 고전압 공급수단(600)에서 인가된 고전압에 의해 타겟부재(400)와 진공챔버(50)간에 고압 전계가 형성되며 반응가스와 반응하여 스퍼터링이 발생하게 된다.Here, a high-voltage electric field is formed between the target member 400 and the vacuum chamber 50 by the high voltage applied from the high voltage supply means 600 to the target member 400, and reacts with the reaction gas to generate sputtering.

상기와 같이 반응가스를 반응가스 주입구(700)를 통해 골고루 공급함으로써, 하우징(100)내에 반응 균일하게 일으킬 수 있게 된다.By supplying the reaction gas evenly through the reaction gas inlet 700 as described above, it is possible to cause the reaction uniformly in the housing 100.

한편, 본 발명은 상기 회전부재(300)와 타겟부재(400)와 회전부재 구동수단(500) 및 고전압 공급수단(600)으로 된 하나의 어셈블리(800)를 상기 하우 징(100)의 측벽(110)의 공간부(S)에 다수개를 설치할 수 있다.On the other hand, the present invention is a side wall of the housing 100, the assembly 800 consisting of the rotating member 300, the target member 400, the rotating member driving means 500 and the high voltage supply means (600) A plurality of spaces (S) of the 110 can be installed.

상기와 같이 하나의 어셈블리(800)를 다수개 설치함으로써, 2가지 이상의 물질을 혼합하여 증착할 수 있어 혼합 코팅등의 특수한 효과를 얻을 수 있다.By installing a plurality of one assembly 800 as described above, it is possible to mix and deposit two or more materials to obtain special effects such as mixed coating.

상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예에서 상기 타겟부재(400)의 외면으로 이격되어 이를 필요에 따라 개폐하는 개폐판(540)과, 상기 개폐판(540)을 구동시키는 개폐판 구동수단(550)을 더 구비할 수 있다.In the embodiment of the present invention configured as described above, the opening and closing plate 540 and the opening and closing plate driving means 550 for driving the opening and closing plate 540 spaced apart from the outer surface of the target member 400 to open and close it as necessary. It may be further provided.

상기 개폐판(540)을 더 구비하는 이유는 다수개의 어셈블리(800)중의 어느 하나를 사용할때 나머지들은 사용하지 않도록 함과 아울러 현재 사용되고 있는 어셈블리(800)를 구성하는 타겟부재(400)에서 방출되는 원자가 이웃한 다른 어셈블리(800)를 구성하는 타겟부재(400)에 충돌되는 폐단을 방지할 수 있도록 함에 있다.The reason why the opening plate 540 is further provided is that when one of the plurality of assemblies 800 is used, the rests are not used, and the target member 400 constituting the assembly 800 currently being used is released. The atom is to prevent the closing end to collide with the target member 400 constituting another neighboring assembly (800).

한편, 본 발명은 상기 지지부재(200)의 내부에는 도 5와 도 7과 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 자석(220)에서 발생된 고온의 열을 냉각시키기 위한 냉각수를 도입하여 배출시킬 수 있는 냉각수 이동통로(310)를 형성할 수 있다.On the other hand, the present invention is introduced into the support member 200, as shown in Figures 5, 7, 8 and 9, by introducing a cooling water for cooling the high temperature heat generated in the magnet 220 Cooling water movement path 310 that can be discharged may be formed.

여기서, 상기 냉각수 이동통로(310)로 냉각수를 공급하는 경로는 통상적으로 용이하게 설계할 수 있어 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Here, a path for supplying the coolant to the coolant moving passage 310 may be easily designed, and thus description thereof will be omitted.

그리고, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 측벽(110)의 내부에는 열을 냉각시키기 위한 냉각수를 도입하여 배출시킬 수 있는 냉각수 이동통로(115)를 형성할 수 있는데, 이렇게 함으로써, 보다 확실하게 자석(220)에서 발생되는 고온의 열을 냉각시킬 수 있게 된다.10 and 11, a coolant moving passage 115 may be formed in the sidewall 110 to introduce and discharge coolant for cooling heat. It is possible to surely cool the high temperature heat generated by the magnet 220.

한편, 본 발명은 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 측벽(111)에 하우징(100)의 내부에 일어나는 상황, 즉 반응가스에 반응되어 생성되는 플라즈마의 색깔을 작업자가 용이하게 관찰할 수 있도록 하우징(100)의 내부 상황을 살피기 위한 관찰창(116)이 설치되고, 상기 관찰창(116)의 내측면을 개폐하는 관찰창 개폐판(117)이 상기 측벽(110)을 관통하여 외부와 기밀되도록 회전 가능하게 설치된 힌지축(118)에 의해 회전 가능하게 설치되며, 상기 힌지축(118)에는 상기 측벽(110)의 외부에서 조작 가능하도록 조작 손잡이(119)가 설치된다.12 and 13, the operator can easily observe the color of the plasma generated in response to the reaction gas, that is, the situation occurring inside the housing 100 on the side wall 111. Observation window 116 is installed to examine the internal situation of the housing 100 so that the observation window opening and closing plate 117 for opening and closing the inner surface of the observation window 116 penetrates the side wall 110 to the outside. It is rotatably installed by a hinge shaft 118 rotatably installed to be hermetically sealed, and the manipulation shaft 119 is installed on the hinge shaft 118 to be operable from the outside of the side wall 110.

즉, 하우징(100)의 내부 상황을 살피고자 할 경우에 작업자가 조작 손잡이(119)를 소정의 방향으로 돌리면 힌지축(118)에 의해 개폐판(117)이 회전되어 관찰창(116)을 개방하게 된다.(도 13참조)That is, when the operator wants to examine the internal situation of the housing 100, when the operator turns the operation knob 119 in a predetermined direction, the opening and closing plate 117 is rotated by the hinge shaft 118 to open the observation window 116. (See Fig. 13).

반면에 하우징(100)의 내부 상황 관찰을 종료하고자 할 경우에는 작업자가 조작 손잡이(119)를 개방의 반대 방향으로 돌리면 힌지축(118)에 의해 개폐판(117)이 회전되어 관찰창(116)이 폐쇄된다.(도 12참조)On the other hand, if you want to end the internal situation observation of the housing 100, when the operator rotates the operation knob 119 in the opposite direction of the opening, the opening and closing plate 117 is rotated by the hinge shaft 118 to observe the observation window 116 Is closed (see Fig. 12).

여기서, 관찰창(116)을 폐쇄하지 않으면, 타겟부재(400)에서 방출되는 원자가 관찰창(116)에 증착되어 소정 시간이 경과하게 되면 관찰창(116)을 더 이상 사용할 수 없게 된다.Here, if the observation window 116 is not closed, atoms emitted from the target member 400 are deposited on the observation window 116, and when the predetermined time elapses, the observation window 116 can no longer be used.

따라서, 관찰창(116)을 개폐판(117)으로 폐쇄하면, 타겟부재(400)에서 방출되는 원자가 개폐판(117)에 증착되어 관찰창(116)을 보호할 수 있게 되는 것이다.Accordingly, when the observation window 116 is closed by the opening and closing plate 117, atoms emitted from the target member 400 are deposited on the opening and closing plate 117 to protect the observation window 116.

상기 개폐판 구동수단(550)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 공기의 유/출입 여부에 따라 축(552)을 정역 회전시키는 유압 모터(551)와, 상기 유압 모터(551)의 축(552)에 연결되는 구동기어(553)와, 상기 구동기어(553)에 치차 결합되고 상기 지지축(210)에 회전 가능하게 결합되는 종동기어(554)와, 상기 종동기어(554)의 중심으로부터 편심되어 일단이 연결되고 타단이 상기 차폐판(540)에 고정 결합되는 연결부재(555)로 구성된다.As illustrated in FIG. 4, the opening and closing plate driving means 550 includes a hydraulic motor 551 for forward and reverse rotation of the shaft 552 according to whether air is flowing in or out, and a shaft of the hydraulic motor 551. A drive gear 553 connected to 552, a driven gear 554 geared to the drive gear 553 and rotatably coupled to the support shaft 210, and a center of the driven gear 554. Eccentric, one end is connected and the other end is composed of a connecting member 555 fixedly coupled to the shield plate 540.

여기서, 상기 유압 모터는 공기압력 및 기름등의 유체 압력을 모두 사용할 수 있는 타입이다.Here, the hydraulic motor is a type that can use both the air pressure and fluid pressure, such as oil.

여기서, 상기 개폐판 구동수단(550)의 작용을 설명하면 다음과 같다.Here, the operation of the opening and closing plate driving means 550 will be described.

먼저, 상기 유압 모터(551)에 유체가 유입되면, 모터축(552)이 정/역 방향으로 회전되며, 이로 인해 구동기어(553)가 회전되며, 이 구동기어(553)에 치차 결합된 종동기어(554)도 회전되며, 이 종동기어(554)의 회전력을 전달받은 연결부재(555)에 의해 차폐판(540)이 도 8(a)의 상태에서 도 8(b)의 상태로 회전되어 전환되는 것이다.First, when the fluid flows into the hydraulic motor 551, the motor shaft 552 is rotated in the forward / reverse direction, thereby driving the drive gear (553), driven driven to the gear (553) gears The gear 554 is also rotated, and the shielding plate 540 is rotated from the state of FIG. 8 (a) to the state of FIG. 8 (b) by the connecting member 555 receiving the rotational force of the driven gear 554. Will be converted.

상기 차폐판(540)을 필요에 따라 회전시킴으로, 사용하지 않을때에는 외부로부터 유입되는 이물질에 타겟부재(400)를 보호할 수 있으며, 도 8(a)에 도시된 타겟부배(400)를 사용하지 않을 경우에는 도 8(b)에 도시된 타겟부재(400)를 개방할 수 있는 것이다.By rotating the shielding plate 540 as necessary, when not in use, the target member 400 can be protected from foreign substances introduced from the outside, and the target distribution 400 shown in FIG. 8 (a) is not used. If not, it will be able to open the target member 400 shown in Figure 8 (b).

반면에 도면상에는 도시하지는 않았지만, 도 8(b)의 타겟부재(400)를 폐쇄하여 사용하지 않을 경우에는 도 8(a)에 도시된 타겟부재(400)를 개방하여 사용할 수도 있다.On the other hand, although not shown in the drawings, when the target member 400 of FIG. 8 (b) is not closed and used, the target member 400 shown in FIG. 8 (a) may be opened and used.

이상 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마그네트론 스퍼터링 타겟장치에 따르면, 마그네트에 대해 타겟을 회전시킴으로써 이의 교체 주기를 연장시켜 생산비를 절감시킬 수 있고, 부가적으로 타겟을 다수 영역으로 구획하여 이 구획된 영역에 여러 가지의 물질을 장착함으로써 기판상에 다층막을 증착 코팅할 수 있으며, 스퍼터링시 플라즈마 열이 누적되지 않도록 함으로써 열에 취약한 기판을 아주 탄력적으로 사용할 수 있게 된다. As described above, according to the magnetron sputtering target device according to the present invention, by rotating the target relative to the magnet, it is possible to reduce the production cost by extending its replacement cycle, and additionally by partitioning the target into a plurality of areas, this partitioned area By attaching various materials on the substrate, a multilayer film can be deposited and coated on the substrate. Plasma heat is not accumulated during sputtering, thereby making it possible to use a substrate that is susceptible to heat.

Claims (12)

전방부(111)가 개구됨과 아울러 후방부에 폐쇄벽(120)이 형성되어 공간부(S)가 형성되도록 사방으로 둘러싸여진 측벽(110)과, 상기 측벽(110)의 전방부(111)의 테두리에 증착 기판(52)이 구비된 진공챔버(50)의 입구(51)에 착탈 가능하게 기밀 결합되도록 형성되는 플랜지부(112)로 된 하우징(100)과;While the front part 111 is opened and the closing wall 120 is formed at the rear part, the side wall 110 is surrounded in all directions so that the space S is formed, and the front part 111 of the side wall 110 is formed. A housing (100) comprising a flange portion (112) formed to be detachably hermetically coupled to an inlet (51) of a vacuum chamber (50) having an evaporation substrate (52) at an edge thereof; 상기 측벽(110)의 공간부(S)내에 배치되어 양단이 상기 측벽(110)을 관통하는 한쌍의 지지축(210)을 매개로 설치되며, 자석(220)이 길이 방향으로 일부가 노출되도록 매몰 설치된 일정한 길이의 지지부재(200)와;It is disposed in the space S of the side wall 110, and both ends thereof are installed through a pair of support shafts 210 passing through the side wall 110, and the magnet 220 is buried so that a part thereof is exposed in the longitudinal direction. A support member 200 having a predetermined length; 상기 지지부재(200)의 외면과 일정 간극을 유지한 채로 이를 감싸며, 상기 지지부재(200)에 대해 회전 가능하게 설치되는 통체 형상의 회전부재(300)와;A cylindrical shape rotating member 300 wrapped around the support member 200 while maintaining a predetermined gap and rotatably installed with respect to the support member 200; 상기 회전부재(300)의 외면에 설치되는 타겟부재(400)와;A target member 400 installed on an outer surface of the rotating member 300; 상기 회전부재(300)에 연결되어 상기 회전부재(300)가 회전구동되도록 하는 회전부재 구동수단(500)과;A rotation member driving means 500 connected to the rotation member 300 to allow the rotation member 300 to be driven to rotate; 상기 타겟부재(220)에 고전압을 공급하여 상기 타겟부재(400)로부터 원자가 방출되도록 상기 하우징(100)의 외측에 고정 설치되는 고전압 공급수단(600)과;High voltage supply means (600) fixed to the outer side of the housing (100) to supply a high voltage to the target member (220) to release atoms from the target member (400); 상기 하우징(100)의 공간부(S)내로 반응가스가 주입되도록 반응가스 주입구(700)를 구비하며,It is provided with a reaction gas inlet 700 so that the reaction gas is injected into the space (S) of the housing 100, 상기 타겟부재(400)는, 복수개가 분리 형성되어 상기 회전부재(300)의 외면을 감싸도록 설치되며, 그 재질은 복수개의 서로 다른 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.The target member 400, the plurality is separated is formed to surround the outer surface of the rotating member 300, the material is a magnetron sputtering target device, characterized in that made of a plurality of different materials. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회전부재(300)와 타겟부재(400)와 회전부재 구동수단(500) 및 고전압 공급수단(600)으로 된 하나의 어셈블리(800)를 상기 하우징(100)의 측벽(110)의 공간부(S)에 다수개가 설치하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.A space 800 of the side wall 110 of the housing 100 includes one assembly 800 including the rotating member 300, the target member 400, the rotating member driving means 500, and the high voltage supplying means 600. A magnetron sputtering target device, characterized in that a plurality installed in S). 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 타겟부재(400)의 외면으로 이격되어 이를 필요에 따라 개폐하는 개폐판(540)과;According to claim 1 or 2, Opening and closing plate 540 is spaced apart from the outer surface of the target member 400 to open and close it as necessary; 상기 개폐판(540)을 구동시키는 개폐판 구동수단(550)이 더 구비된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.Magnetron sputtering target device, characterized in that the opening and closing plate driving means for driving the opening and closing plate 540 is further provided. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 회전부재(300)의 내부에는 상기 자석(220)에서 발생된 열을 냉각시키기 위한 냉각수를 도입하여 배출시킬 수 있는 냉각수 이동통로(310)가 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.Magnetron sputtering target device, characterized in that the cooling member moving passage 310 is formed in the rotating member 300 to introduce and discharge the cooling water for cooling the heat generated by the magnet 220. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 타겟부재(400)의 재질은 스테인레스 또는 구리중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.The material of the target member 400 is a magnetron sputtering target device, characterized in that any one of stainless or copper. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 측벽(110)의 내부에는 열을 냉각시키기 위한 냉각수를 도입하여 배출시 킬 수 있는 냉각수 이동통로(115)가 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타켓장치.The magnetron sputtering target device, characterized in that the coolant movement passage 115 is formed in the side wall 110 to introduce and discharge the cooling water for cooling the heat. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 측벽(111)에는 하우징의 내부 상황을 살피기 위한 관찰창(116)이 설치되고,The side wall 111 is provided with an observation window 116 for looking at the internal situation of the housing, 상기 관찰창(116)의 내측면을 개폐하는 관찰창 개폐판(117)이 상기 측벽(110)을 관통하여 외부와 기밀되도록 회전 가능하게 설치된 힌지축(118)에 의해 회전 가능하게 설치되며,Observation window opening and closing plate 117 for opening and closing the inner surface of the observation window 116 is rotatably installed by a hinge shaft 118 rotatably installed to penetrate the side wall 110 and the outside, 상기 힌지축(118)에는 상기 측벽(110)의 외부에서 조작 가능하도록 조작 손잡이(119)가 설치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.The hinge shaft 118 is a magnetron sputtering target device, characterized in that the operation knob 119 is installed to be operable from the outside of the side wall (110). 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회전부재 구동수단(500)은,The rotating member driving means 500, 상기 하우징(100)의 외부에 고정되는 구동 모터(510)와;A drive motor (510) fixed to the outside of the housing (100); 상기 구동모터(510)의 모터축(511)에 연결되는 구동기어(520)와;A drive gear 520 connected to the motor shaft 511 of the drive motor 510; 상기 구동기어(520)에 치차 결합되어 종동기어(530)와;A driven gear 530 coupled to the drive gear 520 and driven; 상기 지지축(210)이 슬라이드 가능하게 삽입되도록 양단이 관통된 관통공(541)을 구비하여 일단이 상기 종동기어(530)의 중앙에 결합되고, 타단이 상기 회전부재(300)의 일측에 고정 결합되는 중공 회전축(540)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.Both ends of the support shaft 210 is provided with a through hole 541 through which both ends are slidably inserted, and one end is coupled to the center of the driven gear 530, and the other end is fixed to one side of the rotating member 300. Magnetron sputtering target device, characterized in that consisting of a hollow rotating shaft 540 is coupled. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 개폐판 구동수단(550)은,The opening and closing plate driving means 550, 유체(流體)의 유/출입 여부에 따라 모터축(552)을 정역 회전시키는 流압 모터(551)와;A pressure motor 551 for forward and reverse rotation of the motor shaft 552 depending on whether the fluid flows in and out; 상기 유압 모터(551)의 모터축(552)에 연결되는 구동기어(553)와;A drive gear 553 connected to the motor shaft 552 of the hydraulic motor 551; 상기 구동기어(553)에 치차 결합되고, 상기 지지축(210)에 회전 가능하게 결합되는 종동기어(554)와;A driven gear 554 coupled to the drive gear 553 and rotatably coupled to the support shaft 210; 상기 종동기어(554)의 중심으로부터 편심되어 일단이 연결되고, 타단이 상기 차폐판(540)에 고정 결합되는 연결부재(555)로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 타겟장치.Magnetron sputtering target device, characterized in that consisting of a connecting member 555 is eccentric from the center of the driven gear 554, the other end is fixedly coupled to the shield plate (540). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반응가스 주입구(700)는,The reaction gas injection hole 700, 상기 폐쇄벽(120)에 일렬로 다수개가 형성되어 반응가스를 동시에 주입하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.Magnetron sputtering device, characterized in that a plurality of in a line is formed in the closed wall 120 to inject the reaction gas at the same time. 제 1 항 또는 제 11 항에 있어서,The method according to claim 1 or 11, wherein 상기 반응가스는 아르곤 또는 질소중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.The reaction gas is a magnetron sputtering apparatus, characterized in that any one of argon or nitrogen.
KR1020040003900A 2004-01-19 2004-01-19 A target device KR100568131B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040003900A KR100568131B1 (en) 2004-01-19 2004-01-19 A target device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040003900A KR100568131B1 (en) 2004-01-19 2004-01-19 A target device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20-2004-0001499U Division KR200349262Y1 (en) 2004-01-19 2004-01-19 A target device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050076095A KR20050076095A (en) 2005-07-26
KR100568131B1 true KR100568131B1 (en) 2006-04-10

Family

ID=37264071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040003900A KR100568131B1 (en) 2004-01-19 2004-01-19 A target device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100568131B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100909333B1 (en) * 2007-11-21 2009-07-24 김재홍 Sputtering device
KR20140126520A (en) * 2013-04-23 2014-10-31 주식회사 아바코 Magnet unit and sputtering apparatus having the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166966A (en) * 1985-11-26 1986-07-28 Murata Mfg Co Ltd Coaxial parallel magnetron sputtering device
JPH0617247A (en) * 1992-07-01 1994-01-25 Asahi Glass Co Ltd High-efficiency ac magnetron sputtering device
US5338422A (en) * 1992-09-29 1994-08-16 The Boc Group, Inc. Device and method for depositing metal oxide films
US5470452A (en) * 1990-08-10 1995-11-28 Viratec Thin Films, Inc. Shielding for arc suppression in rotating magnetron sputtering systems
JPH0867979A (en) * 1994-08-25 1996-03-12 Boc Group Inc:The Rotary magnetron provided with exchangeable target structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61166966A (en) * 1985-11-26 1986-07-28 Murata Mfg Co Ltd Coaxial parallel magnetron sputtering device
US5470452A (en) * 1990-08-10 1995-11-28 Viratec Thin Films, Inc. Shielding for arc suppression in rotating magnetron sputtering systems
JPH0617247A (en) * 1992-07-01 1994-01-25 Asahi Glass Co Ltd High-efficiency ac magnetron sputtering device
US5338422A (en) * 1992-09-29 1994-08-16 The Boc Group, Inc. Device and method for depositing metal oxide films
JPH0867979A (en) * 1994-08-25 1996-03-12 Boc Group Inc:The Rotary magnetron provided with exchangeable target structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050076095A (en) 2005-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5200049A (en) Cantilever mount for rotating cylindrical magnetrons
US6841051B2 (en) High-power ion sputtering magnetron
AU673727B2 (en) Magnetic field enhanced sputtering arrangement and vacuum treatment installation therewith
JP4516199B2 (en) Sputtering apparatus and electronic device manufacturing method
US20040196127A1 (en) Variable field magnet apparatus
KR100879380B1 (en) Batch type vacuum coating apparatus and coating method thereby
CN111500994A (en) Rotary cathode unit for magnetron sputtering device
TW201042067A (en) Sputtering apparatus, double rotary shutter unit, and sputtering method
KR20040043046A (en) Magnetron sputtering apparatus and method thereof
KR100568131B1 (en) A target device
JP3803520B2 (en) Magnet rotation sputtering equipment
KR200349262Y1 (en) A target device
US20050139467A1 (en) Sputtering device
KR102158659B1 (en) Encapsulated magnetron
US20070074970A1 (en) Device and method of manufacturing sputtering targets
US6231726B1 (en) Plasma processing apparatus
CA1077437A (en) Sputtering apparatus
CN218842311U (en) Thin film deposition apparatus
JP3994513B2 (en) Sputtering equipment
CN221297043U (en) Rotatable double-sided target vacuum coating device
CN218146927U (en) Continuous coating assembly and magnetron sputtering device
CN218710809U (en) Rotary target magnetron sputtering cathode magnetic field device
KR102059638B1 (en) Ion plating apparatus with multiple target
CN219752417U (en) Evaporation equipment
WO2022268311A1 (en) Cathode assembly, deposition apparatus, and method for deinstalling a cathode assembly

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120330

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160323

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180328

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 14