KR100562300B1

KR100562300B1 - A mask of a semiconductor device, and a pattern forming method thereof

Info

Publication number: KR100562300B1
Application number: KR1020030098327A
Authority: KR
Inventors: 이준석
Original assignee: 동부아남반도체 주식회사
Priority date: 2003-12-27
Filing date: 2003-12-27
Publication date: 2006-03-22
Also published as: KR20050066845A

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 마스크를 형성할 경우, 미세 보조 패턴에 의한 선폭 패터닝을 양호하게 보상하기 위해 미세 보조 패턴 길이를 조절할 수 있는 반도체 소자의 마스크 및 그 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 마스크는, 분리 배치되는 직선 주패턴과, 상기 직선 주패턴과 그 일부가 중첩되도록 상기 직선 주패턴에 대해 부분적으로 수직 방향으로 천이시켜 배치되는 변곡 주패턴을 포함하는 주패턴; 및 서로 평행하게 배치되는 상기 주패턴 사이의 중심 위치에 자신의 중심이 위치하도록 선택적으로 배치되는 미세 보조 패턴을 포함하며, 여기서, 상기 미세 보조 패턴의 길이는 상기 직선 주패턴과 상기 변곡 주패턴의 중첩부까지의 길이인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 설계시 직선 부분과 곡선 부분의 패턴을 별개의 레이어로 분리시킨 후, 다시 그 일부분을 천이 중첩시켜 미세 보조 패턴을 조절함으로써, 직선과 곡선 부분의 선폭을 모두 균일하게 유지시킬 수 있으며, 또한, 마스크 설계상의 단위 패턴 연결 시에 그 중첩 정도 및 중첩 위치에 따라 미세 보조 패턴 길이를 자동으로 조절할 수 있게 된다.The present invention relates to a mask of a semiconductor device capable of adjusting the length of the fine auxiliary pattern in order to satisfactorily compensate for the line width patterning by the fine auxiliary pattern when forming the mask of the semiconductor device, and a pattern forming method thereof. A mask of a semiconductor device according to the present invention includes a main main pattern that is arranged separately and an inverted main pattern which is disposed by partially shifting in a vertical direction with respect to the linear main main pattern so that the linear main pattern overlaps with a part thereof. pattern; And a fine auxiliary pattern that is selectively disposed so that its center is located at a center position between the main patterns arranged in parallel with each other, wherein the length of the fine auxiliary pattern is the length of the straight main pattern and the inflection main pattern. It is characterized by the length to the overlapping portion. According to the present invention, when designing a mask pattern, the pattern of the straight portion and the curved portion is separated into separate layers, and then the portions are overlapped again to adjust the fine auxiliary pattern, thereby making the line widths of both the straight line and the curved portion uniform. In addition, when the unit pattern is connected in the mask design, the fine auxiliary pattern length can be automatically adjusted according to the overlapping degree and the overlapping position.

마스크, 패턴, 미세 보조 패턴, 주패턴, 중첩Mask, Pattern, Fine Auxiliary Pattern, Main Pattern, Overlay

Description

A mask of a semiconductor device, and a pattern forming method

도 1은 종래의 기술에 따른 반복적인 셀을 갖는 반도체 마스크 패턴을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor mask pattern having a repetitive cell according to the prior art.

도 2는 종래의 기술에 따른 미세 보조 패턴이 구부러진 주패턴의 끝까지 배치된 경우를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a case where the fine auxiliary pattern according to the prior art is arranged to the end of the bent main pattern.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법을 나타내는 도면이다.3A to 3D are diagrams illustrating a method of forming a mask pattern of a semiconductor device according to the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 마스크 및 그 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 반도체 소자의 마스크를 형성할 경우 미세 보조 패턴에 의한 선폭 패터닝을 양호하게 보상하기 위해 미세 보조 패턴 길이를 조절할 수 있는 반도체 소자의 마스크 및 그 패턴 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask of a semiconductor device and a method of forming the pattern thereof, and more particularly, to forming a mask of a semiconductor device, a semiconductor capable of adjusting a fine auxiliary pattern length in order to satisfactorily compensate for line width patterning by a fine auxiliary pattern. A mask of an element and a pattern formation method thereof.

일반적으로, 반도체 소자의 제조를 위한 마스크 패턴 형성 기술은 반도체 기판에 형성되는 패턴의 정확도에 밀접한 영향을 준다. 특히, 마스크 패턴의 광근접 효과를 양호하게 고려하지 못하면, 리소그라피 본래 노광 의도와 달리 패턴 선폭 왜곡이 발생하여 선폭 선형성(Linearity)이 짧아지는 현상이 나타나며, 이로 인해 반도체 소자의 특성에 많은 나쁜 영향을 주게 된다.In general, a mask pattern forming technique for manufacturing a semiconductor device has a close influence on the accuracy of a pattern formed on a semiconductor substrate. In particular, if the optical proximity effect of the mask pattern is not considered well, pattern linewidth distortion occurs due to the lithography original exposure intention, resulting in a shortening of the linearity of the line width. Given.

한편, 반도체 포토리소그라피 기술은 마스크 설계를 정교하게 해줌으로써 마스크로 투광되어 나오는 빛의 양을 적절히 조절할 수 있게 된다. 이를 위해 광학 근접 보상(Optical Proximity Correction) 기술과 위상반전 마스크(Phase Shifting Mask) 기술이 등장하였고, 마스크에 그려진 패턴 형상에 의한 빛의 왜곡 현상을 최소화시킬 수 있는 여러 방법들이 모색되고 있다.On the other hand, semiconductor photolithography technology can precisely control the amount of light projected by the mask by precisely mask design. To this end, optical proximity compensation and phase shifting mask technologies have emerged, and various methods for minimizing light distortion due to the pattern shape drawn on the mask have been sought.

최근 248㎚ 또는 194㎚의 원자외선 파장(Wavelength)의 빛에 감광력이 뛰어난 화학증폭형 레지스트의 개발로 더욱 해상도를 증가시킬 수 있는 실질적인 기술들이 등장하였다. 특히, 최근에는 패턴과 분리된 형태로 광근접 효과를 제어하는 일종의 더미 패턴(dummy Pattern)과 같은 보조 패턴 형성 기술도 해상도 개선에 많은 기여를 하고 있다.In recent years, the development of a chemically amplified resist having excellent photosensitivity to light having a wavelength of 248 nm or 194 nm has emerged. In particular, in recent years, an auxiliary pattern forming technology such as a dummy pattern that controls the optical proximity effect in a form separated from the pattern also contributes to the improvement of the resolution.

도 1은 종래의 기술에 따른 반복적인 셀을 갖는 반도체 마스크 패턴을 나타내는 도면으로서, 패턴의 선폭은 주변 패턴의 이격 거리(D1, D2)에 따라 고립 패턴과 밀집 패턴 사이에 선폭 바이어스가 존재한다. 따라서 상기 고립 패턴의 경우, 상기 밀집 패턴처럼 미세 보조 패턴(13)을 삽입하는 것을 나타내고 있다.1 is a view showing a semiconductor mask pattern having a repetitive cell according to the prior art, the line width of the pattern is a line width bias between the isolation pattern and the dense pattern according to the separation distance (D1, D2) of the peripheral pattern. Therefore, in the case of the isolated pattern, it shows that the fine auxiliary pattern 13 is inserted like the dense pattern.

상기 미세 보조 패턴(13)의 삽입은 인접 패턴 간의 거리 측정에 의해 주로 고립된 주패턴(11) 근처에서 보상하게 된다. 이와 같이 거리 측정을 해서 보상하는 방법을 디자인룰(Design Rule)을 검사(Check)하여 보상한다는 의미로서 DRC라고 부른다.Insertion of the fine auxiliary pattern 13 is compensated near the isolated main pattern 11 mainly by measuring the distance between adjacent patterns. As described above, a method of compensating by measuring a distance is called DRC as a means of checking and compensating a design rule.

여기서, 상기 미세 보조 패턴(13)은 마스크에는 존재하지만 실제로 노광 후에는 반도체 기판 상에는 만들어 지지 않는 한계 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 패턴을 말한다.Here, the fine auxiliary pattern 13 refers to a fine pattern having a line width below a limit resolution that exists in the mask but is not actually made on the semiconductor substrate after exposure.

한편, 패턴 해상력의 정의는 다음 수학식 1과 같은 레일라이 수식(Rayleigh's Equation)으로 결정될 수 있다.Meanwhile, the definition of the pattern resolution may be determined by Rayleigh's Equation as shown in Equation 1 below.

R(Resolution) = k*λ/ N.A.R (Resolution) = k * λ / NA

여기서, k는 상수, λ는 조명계 파장, N.A.는 조명계 렌즈 구경을 나타낸다. 예를 들어, 상기 k를 0.5, λ는 0.248, N.A.는 0.65를 적용하면 해상도 R= 0.19㎛를 얻는다. 따라서 상기 값보다 작은 선폭을 갖는 미세 패턴을 마스크에 독립적으로 적용할 경우, 물리적으로 마스크만을 투광하고, 감광제에는 이미지가 나타나지 않는 패턴을 정의할 수 있다.Where k is a constant,? Is an illumination wavelength, and N.A. is an illumination lens diameter. For example, when k is 0.5, lambda is 0.248, and N.A. is 0.65, the resolution R = 0.19 m. Therefore, when a fine pattern having a line width smaller than the above value is independently applied to a mask, only a mask may be physically transmitted, and a pattern in which an image does not appear on the photoresist may be defined.

도 1에 도시된 바와 같이, 상기 미세 보조 패턴(13)은 그 배치 방법에 따라 실제로 패턴 모서리 해상시에 다음과 같은 많은 문제를 안고 있다. 먼저, 주패턴(11) 간의 간격이 가까운 경우(D1)에는 상기 미세 보조 패턴(13)이 패턴 사이의 브리지(Bridge)를 유발시킬 수 있으므로 상기 미세 보조 패턴(13)을 삽입하지 않아야 한다.As shown in FIG. 1, the fine auxiliary pattern 13 has many problems as follows when the pattern edge resolution is actually performed according to the arrangement method thereof. First, when the distance between the main patterns 11 is close (D1), the fine auxiliary pattern 13 should not be inserted since the fine auxiliary pattern 13 may cause a bridge between the patterns.

그러나 상기 주패턴(11) 간의 간격이 떨어져 있는 경우(D2)에는 상기 미세 보조 패턴(13)을 삽입하여야 한다. 이 경우에는 셀 패턴(Cell Pattern)들이 구부 러진 벤트(Bent) 구조로 배치되어 있으므로, 이때, 게이트인 경우 선폭 균일도가 매우 중요해지지만, 이 경우 연결부의 보상이 쉽지 않게 된다. 즉, 상기 주패턴(11) 간 거리는 디자인룰에 의해 측정하여 보상하기 때문에 상기 주패턴(11) 간의 간격이 가까운 경우(D1)에, 상기 미세 보조 패턴(13)이 모두 들어가든지 아니면, 모두 들어가지 않든지 밖에 할 수 없다. 그 이유는 부분적으로 상기 미세 보조 패턴(13)이 삽입될 수 없기 때문이다.However, when the gap between the main patterns 11 is separated (D2), the fine auxiliary pattern 13 should be inserted. In this case, since the cell patterns are arranged in a bent structure, the line width uniformity becomes very important in the case of a gate, but in this case, the compensation of the connection part is not easy. That is, since the distance between the main patterns 11 is measured and compensated by a design rule, when the distance between the main patterns 11 is close (D1), all of the fine auxiliary patterns 13 enter or all of them are included. You can only go or not. This is partly because the fine auxiliary pattern 13 cannot be inserted.

도 2는 종래의 기술에 따른 미세 보조 패턴이 구부러진 주패턴의 끝까지 배치된 경우를 나타내는 도면으로서, 상기 미세 보조 패턴(13)이 구부러진 주패턴(11)의 끝까지 배치된 경우를 나타내며, 어떠한 경우에도 그 이상은 상기 미세 보조 패턴(13) 길이의 연장이 곤란하다는 문제점이 있다.FIG. 2 is a view illustrating a case where the fine auxiliary pattern according to the related art is disposed to the end of the bent main pattern, and the fine auxiliary pattern 13 is arranged to the end of the bent main pattern 11, and in any case More than that, there is a problem that it is difficult to extend the length of the fine auxiliary pattern 13.

상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 소자의 마스크를 형성시, 미세 보조 패턴에 의한 선폭 패터닝을 양호하게 보상하여 정확한 선폭을 제조할 수 있도록 미세 보조 패턴 길이를 조절할 수 있는 반도체 소자의 마스크 및 그 패턴 형성 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention for solving the above problems is to form a mask of a semiconductor device, the mask of the semiconductor device that can adjust the length of the fine auxiliary pattern so that the line width patterning by the fine auxiliary pattern can be well compensated to produce an accurate line width And a pattern formation method thereof.

상기 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명에 따른 반도체 소자의 마스크는,As a means for achieving the above object, the mask of the semiconductor device according to the present invention,

분리 배치되는 직선 주패턴과, 상기 직선 주패턴과 그 일부가 중첩되도록 상기 직선 주패턴에 대해 부분적으로 수직 방향으로 천이시켜 배치되는 변곡 주패턴 을 포함하는 주패턴; 및A main pattern including a straight main pattern that is separately disposed and an inverted main pattern that is partially shifted in a vertical direction with respect to the straight main pattern such that the straight main pattern overlaps with a part of the straight main pattern; And

서로 평행하게 배치되는 상기 주패턴 사이의 중심 위치에 자신의 중심이 위치하도록 선택적으로 배치되는 미세 보조 패턴Fine auxiliary pattern selectively disposed so that its center is located at the center position between the main patterns arranged in parallel to each other

을 포함한다.It includes.

상기 미세 보조 패턴은 서로 평행한 주패턴의 빗변으로부터 중심거리를 넘어서는 거리를 선택적으로 취해서 자동으로 배치되는 것을 특징으로 한다.The fine auxiliary pattern is disposed automatically by selectively taking a distance beyond the center distance from the hypotenuse of the main pattern parallel to each other.

상기 미세 보조 패턴의 길이는 상기 직선 주패턴과 상기 변곡 주패턴의 중첩부까지의 길이인 것을 특징으로 한다.The length of the fine auxiliary pattern is characterized in that the length to the overlapping portion of the straight main pattern and the inflection main pattern.

한편, 상기 목적을 달성하기 위한 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법은,On the other hand, as another means for achieving the above object, the mask pattern forming method of the semiconductor device according to the present invention,

주패턴을 구성하는 직선 주패턴과 변곡 주패턴을 분리하는 단계;Separating the straight main pattern and the inflection main pattern constituting the main pattern;

상기 직선 주패턴과 변곡 주패턴의 일부를 중첩시키는 단계;Superimposing a part of the straight main pattern and the inflection main pattern;

상기 변곡 주패턴을 상기 직선 주패턴에 대해 부분적으로 수직 방향의 천이가 이루어지도록 배치하는 단계; 및Arranging the inflection main pattern so that the transition in the vertical direction is partially performed with respect to the straight main pattern; And

서로 평행하게 배치되는 주패턴 사이의 중심 거리에 미세 보조 패턴의 중심이 위치하도록 선택적으로 배치하는 단계Selectively arranging the centers of the fine auxiliary patterns at center distances between the main patterns arranged in parallel with each other;

를 포함한다.It includes.

상기 미세 보조 패턴의 길이는 상기 직선 주패턴과 상기 변곡 주패턴의 중첩부까지의 길이까지 연장되는 것을 특징으로 한다.The length of the fine auxiliary pattern is characterized in that it extends to the length to the overlapping portion of the straight main pattern and the inflection main pattern.

본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 설계시 직선 부분과 곡선 부분의 패턴을 별개의 레이어로 분리시킨 후, 다시 그 일부분을 천이 중첩시켜 미세 보조 패턴을 조절함으로써, 직선과 곡선부분의 선폭을 모두 균일하게 유지시킬 수 있으며, 또한, 마스크 설계상의 단위 패턴 연결 시에 그 중첩 정도 및 중첩 위치에 따라 미세 보조 패턴 길이를 자동으로 조절할 수 있게 된다.According to the present invention, in the design of the mask pattern, the linear and curved portions of the pattern are separated into separate layers, and then the portions are overlapped again to adjust the fine auxiliary pattern, thereby making the line widths of both the straight and curved portions uniform. In addition, when the unit pattern is connected in the mask design, the fine auxiliary pattern length can be automatically adjusted according to the overlapping degree and the overlapping position.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 마스크 및 그 패턴 형성 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a mask of a semiconductor device and a pattern forming method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 종래의 벤트 라인(Bent Line) 연결부까지 미세 보조 패턴을 선택적으로 배치할 수 있는 자동 설계 방법을 개시한다.The present invention discloses an automatic design method capable of selectively disposing a fine auxiliary pattern up to a conventional bent line connection.

먼저, 도 3a는 반복되는 주패턴을 나타내는 도면으로서, 콘택홀 영역 확보 때문에 게이트 라인이 직선으로 배치되지 못하는 경우에, 특히 구부러진 형태로 2개의 게이트 라인 끝단을 연결하게 되는데, 상기 구부러진 부분의 게이트 라인은 직선으로 연결되는 부분과 비슷하게 선폭이 유지되어야 한다.First, FIG. 3A is a view illustrating a repeated main pattern. In the case where the gate lines are not arranged in a straight line due to securing the contact hole area, the ends of the two gate lines are connected in a bent form. The line width should be maintained similar to the part connected in a straight line.

이를 위해서 미세 보조 패턴의 길이가 충분히 길게 배치될 수 있도록 주패턴이 설계되는 것이 중요하다. 우선은 직선 주패턴(31a)과 직선 주패턴(31b)을 끊어진 채로 배치한다. 그리고 상기 직선 주패턴(31a, 31b)을 서로 구부려서 연결시켜 주는 변곡 주패턴(33)을 상기 직선 주패턴(31a, 31b)과 서로 다른 레이어(Layer) 번호를 갖도록 배치한다.For this purpose, it is important that the main pattern is designed so that the length of the fine auxiliary pattern is long enough. First of all, the straight main pattern 31a and the straight main pattern 31b are arranged to be broken. The inverted main pattern 33 which bends the straight main patterns 31a and 31b to each other is arranged to have a different layer number from the straight main patterns 31a and 31b.

상기 변곡 주패턴(33)과 직선 주패턴(31a)은 선폭이 0.18㎛로 동일하며, 상 기 변곡 주패턴(33) 일부를 상기 직선 주패턴(31a)에 중첩시키고, 이후 중첩된 변곡 주패턴(33)을 수직으로 1㎚ 정도 천이시킨다. 이때, 제1 천이 방향(35)은 평행한 직선 주패턴(31a) 간의 거리가 좁은 쪽이다. 마찬가지로, 다른 한쪽의 변곡 주패턴(33) 일부도 직선 주패턴(31b)에 중첩시키고, 상기 중첩된 변곡 주패턴(33)을 수직으로 1㎚ 정도 천이시킨다. 마찬가지로, 상기 직선 주패턴(31a) 간의 거리가 좁은 쪽으로 제2 천이 방향(37)이 이루어지도록 한다. 이후, 2개의 서로 다른 레이어를 1개의 레이어로 합친다.The inflection main pattern 33 and the straight main pattern 31a have a line width equal to 0.18 μm, and a part of the inflection main pattern 33 is overlapped with the straight main pattern 31a, and then the inflection main pattern is overlapped. (33) is shifted about 1 nm vertically. At this time, the first transition direction 35 is a narrower distance between the parallel straight main pattern 31a. Similarly, a part of the other inflection main pattern 33 is also superimposed on the straight main pattern 31b, and the overlapped inflection main pattern 33 is vertically shifted by about 1 nm. Similarly, the second transition direction 37 is made toward the narrower distance between the straight main patterns 31a. Thereafter, two different layers are combined into one layer.

다음으로, 도 3b를 참조하면, 서로 평행하게 마주 보는 주패턴 간에 중심선(40)을 설정하고, 모든 빗변으로부터 수직 방향으로의 거리를 측정한다. 이때, 거리(41a, 43a)를 제외한 나머지 거리(38, 39, 41, 43) 범위에 대해 불린 함수(Boolean Equation)를 사용하여 6㎚씩 중첩되는 부분을 남기고, 나머지 거리(41a, 43a)에서 중첩된 부분은 제거한다.Next, referring to FIG. 3B, the center line 40 is set between the main patterns facing in parallel with each other, and the distance in all directions from the hypotenuse is measured. At this time, a portion overlapping by 6 nm is left by using a Boolean Equation for the remaining distances 38, 39, 41, and 43 except for the distances 41a and 43a, and at the remaining distances 41a and 43a, Remove overlapping parts.

다음으로, 도 3c를 참조하면, 디자인룰을 검사하여 상기 중심선(40)을 기준으로 양쪽으로 4㎚씩 중첩되어 총 8㎚의 선폭을 선택적으로 유지하는 미세 보조 패턴(45)을 자동으로 생성시키게 된다. 아울러 상기 미세 보조 패턴(45)의 길이도 원하는 데까지 선택적으로 연장시킬 수 있고, 또한, 변곡 주패턴(33) 부분 중에서 직선 주패턴(31a, 31b)과 중첩되는 길이만큼 연장이 가능해지는데, 그 이유는 중첩되는 만큼 수직으로 천이되어 배치되기 때문이다.Next, referring to FIG. 3C, a design rule is inspected to automatically generate a fine auxiliary pattern 45 overlapping each other with respect to the centerline 40 by 4 nm to selectively maintain a total line width of 8 nm. do. In addition, the length of the fine auxiliary pattern 45 can also be selectively extended to a desired length, and the length of the fine auxiliary pattern 45 can be extended by a length overlapping the straight main patterns 31a and 31b among the inflexion main patterns 33. This is because they are vertically shifted so as to overlap each other.

다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 미세 보조 패턴(45)은 상기 중심선(40)에 대해 대칭적으로 평행한 상태에서 상기 중심선(40)을 기준으로 양쪽으로 약 4㎚씩의 선폭을 가지게 되며, 상기 변곡 주패턴(33)을 지나 다시 선폭이 좁아지는 부분의 일부분까지 그 길이를 연장시킬 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 미세 보조 선폭의 길이 조절이 탄력적으로 이루어지게 된다.Next, as shown in FIG. 3D, the fine auxiliary pattern 45 has a line width of about 4 nm on both sides of the center line 40 in a symmetrically parallel state with respect to the center line 40. The length may be extended to a part of the line width narrowing again beyond the inflection main pattern 33. Therefore, the length adjustment of the fine auxiliary line width according to the present invention is made elastically.

결국, 본 발명은 마스크 패턴의 설계시 직선 부분과 곡선 부분의 패턴을 별개의 레이어로 분리시킨 후, 다시 그 일부분을 천이 중첩시켜 미세 보조 패턴을 조절함으로써, 직선과 곡선 부분의 선폭을 모두 균일하게 유지시킬 수 있으며, 마스크 설계상의 단위 패턴 연결 시에 중첩 정도 및 중첩 위치에 따라 미세 보조 패턴 길이를 자동으로 조절할 수 있게 된다. 또한, 본 발명은 미세 보조 패턴을 자동으로 배치하고, 원하는 길이만큼 탄력적으로 미세 보조 패턴을 조절할 수 있게 된다.As a result, the present invention separates the pattern of the straight portion and the curved portion into separate layers in the design of the mask pattern, and then superimposes the portions to adjust the fine auxiliary pattern so that the line widths of both the straight line and the curved portion are uniform. It is possible to maintain and automatically adjust the fine auxiliary pattern length according to the overlapping degree and the overlapping position when connecting the unit pattern in the mask design. In addition, the present invention can automatically arrange the fine auxiliary pattern, it is possible to adjust the fine auxiliary pattern elastically by a desired length.

위에서 발명을 설명하였지만, 이러한 실시예는 이 발명을 제한하려는 것이 아니라 예시하려는 것이다. 이 발명이 속하는 분야의 숙련자에게는 이 발명의 기술 사항을 벗어남이 없어 위 실시예에 대한 다양한 변화나 변경 또는 조절이 가능함이 자명할 것이다. 그러므로 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 한정될 것이며, 위와 같은 변화예나 변경예 또는 조절예를 모두 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the invention has been described above, these examples are intended to illustrate rather than limit this invention. It will be apparent to those skilled in the art that various changes, modifications, or adjustments to the above embodiments are possible without departing from the technical details of the present invention. Therefore, the scope of protection of the present invention will be limited only by the appended claims, and should be construed as including all such changes, modifications or adjustments.

본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 설계시 직선 부분과 곡선 부분의 패턴을 별개의 레이어로 분리시킨 후, 다시 그 일부분을 천이 중첩시켜 미세 보조 패턴을 조절함으로써, 직선과 곡선부분의 선폭을 모두 균일하게 유지시킬 수 있다.According to the present invention, in the design of the mask pattern, the linear and curved portions of the pattern are separated into separate layers, and then the portions are overlapped again to adjust the fine auxiliary pattern, thereby making the line widths of both the straight and curved portions uniform. It can be maintained.

또한, 본 발명에 따르면 설계상의 단위 패턴 연결 시에 중첩 정도 및 중첩 위치에 따라 미세 보조 패턴 길이를 자동으로 조절할 수 있으므로 구부러진 게이트 라인을 효율적으로 보상할 수 있다.In addition, according to the present invention, the fine auxiliary pattern length can be automatically adjusted according to the overlapping degree and the overlapping position when the unit pattern is connected in the design, thereby efficiently compensating the bent gate line.

또한, 본 발명에 따르면, 미세 보조 패턴을 자동으로 배치할 수 있고, 또한, 원하는 길이만큼 탄력적으로 미세 보조 패턴을 조절할 수 있기 때문에 기존의 디자인룰에 의존하는 방식보다 훨씬 개선된 광근접 보상 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, since the fine auxiliary pattern can be automatically arranged, and the fine auxiliary pattern can be adjusted elastically by a desired length, the optical proximity compensation effect is much improved compared to the existing method. You can get it.

Claims

In the mask for manufacturing a semiconductor device,

A main pattern including a straight main pattern that is separately disposed and an inverted main pattern that is partially shifted in a vertical direction with respect to the straight main pattern so that the straight main pattern overlaps with a part of the straight main pattern; And

A micro auxiliary pattern having a length from the straight main pattern to the overlapping portion of the inflection main pattern is selectively disposed so that its center is located at the center position between the main patterns arranged in parallel to each other

Mask for a semiconductor device comprising a.

The method of claim 1,

The fine auxiliary pattern is a mask for a semiconductor device, characterized in that arranged automatically taking a distance beyond the center distance from the hypotenuse of the main pattern parallel to each other.

delete

In the method of forming the mask pattern of a semiconductor element,

Separating the straight main pattern and the inflection main pattern constituting the main pattern;

Superimposing a part of the straight main pattern and the inflection main pattern;

Arranging the inflection main pattern so that the transition in the vertical direction is partially performed with respect to the straight main pattern; And

Arranging the fine auxiliary pattern such that the center of the fine auxiliary pattern is located at a center position between the main patterns arranged in parallel with each other, and extends from the straight main pattern to the length of the overlapping main part of the inflection main pattern;

Mask pattern forming method comprising a.

delete