KR100561194B1 - 대기압 플라즈마 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 대기압 상태에서 플라즈마 표면 처리를 연속적으로 실시할 수 있는 대기압 플라즈마 시스템에 관한 것으로, 본 발명의 시스템은 피처리체가 로딩되는 로더부, 로더부로부터 상기 피처리체가 이송되는 이송부, 이송부의 피처리체 이송경로상에 설치되는 그리고, 그 이송경로를 따라 이송되는 피처리체의 표면 처리를 위한 2개 이상의 처리부들을 갖는 플라즈마 처리부 및 플라즈마 처리부에서 처리된 기판들이 언로딩되는 언로더부를 포함한다.

Description

대기압 플라즈마 시스템{ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA SYSTEM}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 대기압 플라즈마 시스템의 외관도;

도 2는 도 1에 도시된 대기압 플라즈마 시스템의 평면 구성도;

도 3은 도 1에 도시된 대기압 플라즈마 시스템의 정면 구성도;

도 4는 대기압 플라즈마 시스템의 측면 구성도;

도 5는 직물지 등의 표면 처리에 사용되는 다른 예를 보여주는 구성도;

도 6은 세정 처리부의 요부 확대 사시도;

도 7은 챔버의 단면도;

도 8은 플라즈마 발생유닛에서의 가스 흐름을 보여주는 단면도;

도 9는 롤러 이송방식이 적용된 대기압 플라즈마 시스템의 요부 측면도;

도 10 내지 도 12는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 시스템에서 플라즈마 발생유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면들이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

110 : 로더부 120 : 이송부

130 : 플라즈마 처리부 150 : 언로더부

본 발명은 액정표시장치용 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 대기압 상태에서 플라즈마 표면 처리를 연속적으로 실시할 수 있는 대기압 플라즈마 시스템에 관한 것이다.

현재, 대기압 플라즈마(atmospheric pressure plasma)는 기존의 진공시스템(vacuum system)이 필요치 않으며 1atm(760 torr)에서 반응 챔버 없이 기존 생산라인에 직접 적용이 가능하여 연속적인 공정으로 처리가 가능하다. 대기압 플라즈마를 발생하기 위한 기술로는 유전체 장벽 방전(Dielectric Barrier Discharge; DBD), 코로나 방전(corona discharge), 마이크로웨이브 방전(microwave discharge), 아크방전(arc discharge) 등이 있다. 이 기술들은 산업 여러 분야에서 다양하게 사용될 수 있으며, 스프레이 멜트 코팅(spray melt coating) 등에 사용되는 아크 방전을 제외한 나머지 기술은 대부분이 반도체 제조 공정에 사용이 가능하다.

유전체 장벽 방전은 유전체의 전하축적(charge build-up) 현상을 이용하여 교류전원에 의해 인가되는 전압 효율을 극대화시켜 균일한 글로우 방전(glow discharge)을 얻는 것이다. 유전체 장벽 방전 발생 시스템은 고전압이 인가되는 두 전극사이에 각기 유전체 장벽을 삽입하고, 전극에 AC 전압을 인가하여 전자들이 두 전극사이의 전기장 영역에서 가속되어 주입된 가스를 이온화 시켜 플라즈마를 발생시킨다.

이렇게 형성된 대기압 플라즈마는 유기 오염물의 세정 및 표면개질 등의 공정에 유용하게 사용된다. 예를 들어, 반도체 제조공정에서 대형 평판 세정이나 에싱(ashing), PFC 가스 정화 등에 이용되고 있다.

한편, 지금까지의 대기압 유전체 장벽 방전은 안정적이고 연속적인 균일한 플라즈마를 발생하기 어려우며, 대면적의 처리를 위해 고밀도의 플라즈마를 균일하게 발생하기가 어려운 것으로 알려있다.

현재 300mm 이상의 대형 웨이퍼 가공에서 수율을 향상 시킬 수 있는 대기압 플라즈마 처리 시스템이 요구되고 있다.

특히 TFT LCD, PDP(Plasma Display Panel) 등의 반도체 소자를 사용하는 공정은 다양한 종류의 대형 글라스(glass) 및 폴리머 평판을 사용하는데 이들 사이즈가 더욱 대형화 되어가고 있어 이에 효과적으로 대응할 수 있는 보다 처리속도가 빠르고 처리 크기에 제한이 없는 대기압 플라즈마 처리 시스템이 요구되고 있다.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 독립된 처리 장치에서 개별적으로 처리되던 플라즈마 표면 처리 공정을 하나의 처리 시스템에서 연속적으로 처리할 수 있는 새로운 형태의 대기압 플라즈마 시스템을 제공하는데 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 대기압 플라즈마 시스템은 피처리체가 로딩되는 로더부; 상기 로더부로부터 상기 피처리체가 이송되는 이송부; 상기 이송부의 피처리체 이송경로상에 설치되는 그리고, 그 이송경로를 따라 이송되는 상기 피처리체의 적어도 2개 이상의 표면처리를 위한 처리부들을 갖는 플라즈마 처리부; 및 상기 플라즈마 처리부에서 처리된 기판들이 언로딩되는 언로더부를 포함한다.

본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 처리부는 상기 이송경로를 따라 상기 피처리체 표면의 불순물을 제거하는 표면 세정을 위한 세정 처리부와, 상기 피처리체 표면의 포토레지스트를 에싱하기 위한 1차 에싱 처리부 및 상기 피처리체 표면에 포토레지스트 스트립을 하기 위한 2차 에싱 처리부를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 처리부는 상기 피처리체를 가열시키기 위한 가열유닛과; 상기 가열유닛에 의해 가열된 상기 피처리체의 표면으로 플라즈마 가스를 분사하기 위한 플라즈마 발생유닛을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 가열유닛은 적어도 하나이상의 램프와; 상기 램프로부터 조사되는 빚을 상기 피처리체로 조사시키기 위한 반사갓을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 발생유닛은 외부전극관; 플라즈마 발생공간을 제공하기 위해 상기 외부전극관과 일정 거리를 두고 설치되는 내부전극관; 그리고 상기 플라즈마 발생공간으로부터 발생된 플라즈마 가스가 분사되는 개구부를 갖는 중공형의 챔버를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 외부전극관의 내주면과 상기 내부전극관의 외주면에는 한 쌍의 유전체층이 설치될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 플라즈마 발생에 의해 가열된 상기 챔버를 냉각시키기 위한 냉각팬을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 처리부는 상기 플라즈마 가스에 의해 생성된 공정 부산물들 및 미반응가스 등을 배기하기 위한 배기 덕트를 더 포함할 수 있다.

예컨대, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 9에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.

본 발명의 기본적인 의도는 디스플레이 장치를 위한 대면적 기판에 대하여 소정의 플라즈마 처리공정들(세정, 에싱, 스트립 처리 등)을 연속적으로 실시할 수 있다는데 있다. 이를 달성하기 위하여 본 발명자는 기판의 이송 경로상에 일정간격을 두고 직렬로 배치된 복수의 대기압 플라즈마 발생유닛들이 설치된 플라즈마 처리부들을 갖는데 있다.

도1은 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 시스템을 개략적으로 나타낸 외관도이다. 이 시스템(100)은 디스플레이 장치용 기판에 일련의 플라즈마 표면 처리들을 연속적으로 실시할 수 있는 멀티 플라즈마 처리가 가능한 시스템이다.

도1 내지 도 4를 참조하면, 대기압 플라즈마 시스템(100)은 디스플레이 장치용 기판(이하 , 기판이라고 칭함;w)이 로딩되는 로더부(110), 이송부(120), 플라즈마 처리부(130) 그리고 언로더부(150)로 크게 구분된다.

상기 로더부(110)에는 기판(w)들이 적재되어 있는 카세트(112)와, 이 기판 카세트(112)를 승강시키는 엘리베이터 장치(도면 편의상 미도시됨), 그리고 기판(w)을 카세트에서 인출하여 상기 이송부로 공급하기 위한 피이딩 장치(도면 편의상 미도시됨)를 갖는다. 상기 언로더부(150)에는 상기 로더부(110)와 마찬가지로 기판들이 적재되는 카세트(152)와, 이 기판 카세트를 승강시키기 위한 엘리베이터 장치 그리고 기판을 상기 이송부에서 상기 카세트로 적재하기 위한 피이딩 장치를 포함한다. 상기 엘리베이터 장치와 피이딩 장치는 통상적으로 사용되는 구성들로 이루어지기 때문에 도면과 상세한 설명은 생략하기로 한다.

상기 이송부(120)는 압축 공기를 이용한 무빙 방식을 적용한 것으로, 소정의 경사각으로 관통 형성된 에어 분사 홀(122)들을 갖는 이송 플레이트(124)를 갖는다. 상기 에어 분사 홀(122)들에는 에어 공급라인이 연결되고, 이들 공급라인으로 기판 이송을 위한 압축공기를 공급하는 에어 공급 펌프를 갖는다.

앞에서 설명한 압축 공기를 이용한 무빙 방식 이외에도, 도 9에서와 같이 이 송 롤러(180)를 이용한 이송 방식이 적용될 수 있음은 물론이다.

상기 플라즈마 처리부(130)에서는 기판 표면에 잔류하는 유기물(불순물)을 제거하는 세정 공정, 기판 표면의 포토레지스트패턴을 스트립(strip)하고 페시베이션(passivation)하는 애싱(ashing) 공정이 진행된다.

상기 플라즈마 처리부(130)는 이송경로를 따라 상기 기판 표면의 불순물을 제거하는 표면 세정을 위한 세정 처리부(130a)와, 상기 기판 표면의 포토레지스트을 에싱하기 위한 1차 에싱 처리부(130b) 및 상기 기판 표면에 포토레지스트 스트립을 하기 위한 2차 에싱 처리부(130c)로 이루어진다. 물론, 필요에 따라 상기 플라즈마 처리부의 처리부들은 추가되거나 생략 될 수 있다.

각각의 처리부들은 모두 동일한 구성들로 이루어지며, 이중에 세정 처리부(130a)를 도 6 내지 도 8을 참조하면서 자세히 설명하기로 한다.

상기 세정 처리부(130a)는 가열 유닛(132)과, 플라즈마 발생유닛(134)을 갖는다. 상기 가열 유닛(132)은 상기 기판(w)을 가열시키기 위한 것으로, 램프(132a)와, 반사갓(132b)을 갖는다. 상기 반사갓(132b)은 상기 램프(132a)의 빛을 상기 기판에 조사하여 가열 효율을 높이기 위함이다.

상기 플라즈마 발생유닛(134)은 플라즈마 가스를 생성하고, 그 가스를 상기 램프(132a)에 의해 가열된 상기 기판(w)의 표면으로 분사하기 위한 것으로, 이 유닛은 플라즈마 발생공간(136a)과, 플라즈마 가스가 분사되는 개구부(136b)를 갖는 중공형의 챔버(136)를 갖는다. 상기 플라즈마 발생유닛의 상면에는 다수의 냉각팬(149)들이 설치되어 상기 유닛의 과열을 예방하게 된다.

상기 챔버(136)는 하부가 길이 방향으로 개구된 C형상의 외부전극관(138a), 외부전극관(138a)의 내부에 설치되는 원통형의 내부전극관(138b), 상기 외부전극관(138a)의 내주면과 상기 내부전극관(138b)의 외주면에 각각 설치되는 유전체층(140) 그리고 상기 유전체층(140) 사이에 형성된 플라즈마 발생공간(136a)을 갖는다. 상기 챔버(136)의 일단에는 상기 플라즈마 발생공간(136a)으로부터 발생된 플라즈마 가스가 분사되는 개구부(136b)가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 유전체층(140)으로 이용되는 소재로는, 반드시 한정되는 것은 아니지만 유리, 알루미나, 질소붕소, 탄화규소, 질화규소, 석영, 산화마그네슘 등이 이용될 수 있으며, 상기 외부 및 내부전극관(138a,138b)으로 이용되는 소재로는, 스테인리스, 알루미늄, 구리 등의 도체 금속이 이용될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 챔버에는 유도코일이 감겨져 있는 페라이트 코어가 더 설치될 수 있다.

상기 챔버(136)의 좌우측에는 배기덕트(142)가 설치됨으로써. 상기 플라즈마 가스에 의해 생성된 공정 부산물들과 미반응가스들을 효과적으로 배기시킬 수 있게 된다.

상기 챔버(136)의 외주면에는 상기 플라즈마 발생공간으로 처리가스를 공급하기 위한 가스 공급관(144)이 설치된다. 도시하지 않았지만, 상기 가스 공급관(144)에는 가스 공급원(미도시됨)과 연결된다. 처리 가스는 상기 가스공급관(144)과 외부전극관(138a)에 형성된 관통공(144a)들을 통해 상기 플라즈마 발생공간(136a)으로 공급된다. 한편, 상기 챔버(136)의 외주면에는 냉각관(146)이 설치된다. 이 냉각관은 냉각수 공급원과 연결된다.

예컨대, 상기 플라즈마 발생 유닛에는 필요에 따라 가스라인, 전기라인, 냉 각수 라인등의 각종 유틸리티(utility)라인이 연결됨은 당연한 것이며, 그 유틸리티 라인은 도면 편의상 도시하지 않았다

상술한 바와 같은 구성을 갖는 대기압 플라즈마 시스템에서의 표면 처리는 다음과 같이 이루어진다.

먼저, 로더부(110)의 카세트(112)에서 대기중인 기판(w)은 상기 이송부(120)로 로딩된다. 상기 이송부로 로딩된 기판(w)은 이송부를 따라 이동하게 되면서 세정 처리부(130a)와 1차 에싱처리부(130b) 그리고 2차 에싱처리부(130c)에서 표면 처리가 연속적으로 이루어진다.

상기 세정 처리부(130a)에서의 표면 처리 과정을 설명하면, RF 전력은 고주파 전원(170)으로부터 상기 플라즈마 챔버(136)의 외부전극관(138a)과 내부전극관(138b)으로 인가된다. 처리 가스는 시스템 외측에 배치된 처리가스 공급원으로부터 상기 가스 공급관(144)를 통해 상기 챔버의 플라즈마 발생공간(136a)으로 공급된다. 균일한 가스 공급을 위해, 상기 플라즈마 챔버(136)의 상단에는 가스 공급관(144)이 상기 플라즈마 챔버의 길이방향으로 길게 연결된다. 예컨대, 플라즈마를 발생시키기 위한 처리 가스에는 질소, 질소와 산소의 혼합가스, 질소와 공기의 혼합가스로 구성되는 군에서 선택될 수 있다. 좀 더 구체적으로, 세정 처리부의 챔버에는 아르곤, 헬륨, O2, N2 가스 등이 공급될 수 있으며, 1차 에싱 처리부와 2차 에싱 처리부의 챔버에는 O2, N2 가스등이 공급될 수 있다.

상기 RF 전력이 상기 챔버(136)에 인가되면, 상기 외부전극관(138a)과 내부전극관(138b) 사이에서 방전이 발생하여 상기 처리 가스가 여기되어 플라즈마가 생 성된다. 이렇게 발생된 플라즈마 가스는 상기 챔버의 개구부(136b)를 통해 상기 기판(w) 표면으로 분출된다.

그리고, 상기 플라즈마 가스에 의해 생성된 공정 부산물들 및 미반응가스 등은 상기 배기 덕트(142)를 통해 배기 된다.

상술한 바와 같은 대기압 플라즈마 시스템은 세정을 요하는 표면에 널리 적용될 수 있다. 특히, 일반 PCB 스트립과 리드프래임 또는 패키지를 위한 공정 등에서 필요한 세정이나, 디스플레이용 기판의 전세정 처리, 에싱 등의 공정에 적용될 수 있다. 또한, 도 5에서와 같이, 제지 또는 섬유 등의 직물지(201)의 표면 처리에도 사용될 수 있다.

도 10 내지 도 12는 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 시스템의 구성중에서 플라즈마 발생유닛의 다른 예를 보여주는 도면들이다.

상기 도 10 내지 도 12를 참조하면, 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생유닛(200)은 첫 번째 실시예에 따른 플라즈마 발생유닛(134)과 동일하게 플라즈마 가스를 생성하고, 그 가스를 상기 램프(132a)에 의해 가열된 상기 기판(w)의 표면으로 분사하기 위한 것이다.

이 플라즈마 발생유닛(200)은 플라즈마 발생공간(236a)과, 플라즈마 가스가 분사되는 개구부(236b)를 갖는 중공형의 챔버(236), 가스 공급부(211) 그리고 냉각부(229)를 갖는 바디(210)를 갖는다. 상기 바디(210)는 상단부에 가스 공급부(211)가, 하단부에는 챔버(236) 그리고 챔버(236)와 인접한 곳에는 냉각부(229)인 2개의 냉각통로(228)가 형성되어 있다. 상기 바디(210)의 상면에는 다수의 냉각팬(249)들이 설치되어 상기 바디(210)의 과열을 예방하게 된다.

상기 가스 공급부(211)는 상기 바디(210) 일측면에 형성된 복수개의 가스공급구(212)와, 이들을 통해 가스가 유입되어 일시적으로 머무르는 공간인 버퍼부(214) 그리고 상기 챔버(236)로 가스를 공급하기 위한 분사구(216)를 포함한다. 상기 버퍼부(214)에는 3개의 격판(218a,218b,218c)들이 서로 이격되게 설치되는데, 이들 격판(218a,218b,218c)에는 다수의 관통공(219)들이 서로 어긋나게 형성된다(도 12 참조). 그리고 이들 관통공(219)들은 도 12에서와 같이 중앙으로부터 가장자리로 점점 작아지거나 또는 점점 커지게 형성될 수 있다. 이러한 구성을 통해 가스는 균일하게 혼합되고 균일하게 상기 챔버(236)로 공급될 수 있는 것이다.

상기 3개의 가스공급구(212)에는 처리가스를 공급하기 위한 가스 공급관(244)이 설치된다. 도시하지 않았지만, 상기 가스 공급관(244)에는 가스 공급원(미도시됨)과 연결된다. 처리 가스는 상기 버퍼부(214)를 거쳐 상기 분사구(216)를 통해 상기 챔버(210)의 플라즈마 발생공간(236a)으로 공급된다. 한편, 상기 냉각통로(228)에는 냉각관(미도시됨)이 연결되며, 이 냉각관은 냉각수 공급원과 연결된다. 예컨대, 상기 플라즈마 발생 유닛에는 필요에 따라 가스라인, 전기라인, 냉각수 라인등의 각종 유틸리티(utility)라인이 연결됨은 당연한 것이며, 그 유틸리티 라인은 도면 편의상 도시하지 않았다

한편, 상기 바디(210)의 하단에는 원통형의 중공형 공간이 형성되어 있고, 그 원통형의 중공형 공간에는 상기 챔버(236)가 설치된다. 상기 챔버(236)는 하부가 길이 방향으로 개구된 C형상의 외부전극관(238a), 외부전극관(238a)의 내부에 설치되는 원통형의 내부전극관(238b), 상기 외부전극관(238a)의 내주면과 상기 내부전극관(238b)의 외주면에 각각 설치되는 유전체층(240) 그리고 상기 유전체층(240) 사이에 형성된 플라즈마 발생공간(236a)을 갖는다. 상기 챔버(236)의 하단에는 상기 플라즈마 발생공간(236a)으로부터 발생된 플라즈마 가스가 분사되는 개구부(236b)가 형성되어 있다. 이들에 대한 설명은 첫 번째 실시예에서 상세하게 설명하였기에 본 실시예에서는 생략하기로 한다.

그리고, 상기 바디(210)의 좌우측에는, 첫 번째 실시예에 따른 플라즈마 발생유닛(134)과 동일하게 배기덕트(242)가 설치됨으로써, 상기 플라즈마 가스에 의해 생성된 공정 부산물들과 미반응가스들을 효과적으로 배기시킬 수 있게 된다.

이상에서, 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 시스템의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

이와 같은 본 발명에 의하면 기판 표면의 세정처리 및 에싱처리를 연속적으로 실시함으로써, 처리량 뿐만 아니라 설비 자체의 크기는 물론 이를 포함한 시스템의 부피를 크게 줄일 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 매우 간단한 구조를 가짐으로써 경제성을 도모할 수 있으며, 여러 가지 응용분야에 쉽게 적용할 수 있다.

Claims (20)

1. 대기압 플라즈마 시스템에 있어서:

   피처리체가 로딩되는 로더부;

   상기 로더부로부터 상기 피처리체가 이송되는 이송부;

   상기 이송부의 피처리체 이송경로상에 설치되는 그리고, 그 이송경로를 따라 이송되는 상기 피처리체의 표면처리를 위한 2개 이상의 처리부들을 갖는 플라즈마 처리부; 및

   상기 플라즈마 처리부에서 처리된 기판들이 언로딩되는 언로더부를 포함하고,

   상기 플라즈마 처리부의 각각의 처리부들은:

   상기 피처리체의 표면으로 플라즈마 가스를 분사하기 위한 플라즈마 발생유닛과,

   플라즈마 발생유닛에 설치되어 플라즈마 가스에 의해 생성된 공정 부산물들 및 미반응가스 등을 배기하기 위한 배기 덕트를 각기 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
2. 1항에 있어서,

   상기 플라즈마 처리부는 상기 이송경로를 따라 상기 피처리체 표면의 불순물을 제거하는 표면 세정을 위한 세정 처리부와, 상기 피처리체 표면의 포토레지스트를 에싱하기 위한 1차 에싱 처리부 및 상기 피처리체 표면에 포토레지스트 스트립을 하기 위한 2차 에싱 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
3. 제1항에 있어서,

   상기 플라즈마 처리부는 상기 피처리체를 가열시키기 위한 가열유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
4. 제3항에 있어서,

   상기 가열유닛은

   적어도 하나이상의 램프와;

   상기 램프로부터 조사되는 빚을 상기 피처리체로 조사시키기 위한 반사갓을 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
5. 제3항에 있어서,

   상기 플라즈마 발생유닛은

   하부가 길이 방향으로 개구된 C 형상의 외부전극관;

   플라즈마 발생공간을 제공하기 위해 상기 외부전극관과 일정 거리를 두고 외부전극관의 내부에 설치되는 원통형의 내부전극관;

   상기 플라즈마 발생공간으로부터 발생된 플라즈마 가스가 분사되는 개구부를 갖는 중공형의 챔버; 그리고

   상기 챔버의 상단에 위치되어 상기 챔버로 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
6. 제5항에 있어서,

   상기 플라즈마 발생유닛은

   상기 챔버에 장착되는 그리고 유도코일이 감겨져 있는 페라이트 코어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
7. 제5항에 있어서,

   상기 플라즈마 발생유닛은

   상기 외부전극관의 내주면과 상기 내부전극관의 외주면에는 한 쌍의 유전체층이 설치되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
8. 제5항에 있어서,

   상기 플라즈마 발생유닛은

   플라즈마 발생에 의해 가열된 상기 챔버를 냉각시키기 위한 냉각팬을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
9. 삭제
10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 이송부는 상기 피처리체의 저면으로 에어를 분사하여 이동시키는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 이송부는 상기 피처리체의 저면을 지지한 상태에서 이송하는 다수의 이송롤러들을 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 피처리체는 액정표시장치용 기판 또는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 피처리체는 제지 또는 섬유인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
14. 제3항에 있어서,

    상기 플라즈마 발생유닛은

    바디와;

    상기 바디의 하단부에 설치되는 중공형의 챔버를 포함하되;

    상기 챔버는:

    하부가 길이 방향으로 개구된 C 형상의 외부전극관;

    플라즈마 발생공간을 제공하기 위해 상기 외부전극관과 일정 거리를 두고 외부전극관의 내부에 설치되는 원통형의 내부전극관;

    상기 플라즈마 발생공간으로부터 발생된 플라즈마 가스가 분사되는 개구부; 그리고

    상기 챔버의 상단에 위치되도록 상기 바디에 형성되는 그리고 상기 챔버로 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
15. 제14항에 있어서, 상기 가스 공급부는

    상기 바디의 측면에 형성된 다수의 가스 공급구;

    상기 가스 공급구를 통해 유입된 가스가 일시적으로 머무르는 버퍼공간;

    상기 버퍼공간으로부터 상기 챔버로 가스가 공급되는 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
16. 제15항에 있어서,

    상기 가스 공급부는

    상기 버퍼 공간에 서로 이격되어 설치되는 다수의 격판들을 포함하되;

    상기 격판들에는 가스의 혼합과 균일한 공급을 위해 형성된 다수의 관통공들을 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
17. 제16항에 있어서,

    상기 관통공들은 서로 어긋나게 형성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
18. 제16항에 있어서,

    상기 격판은 중앙으로부터 가장자리로 점점 작아지거나 또는 점점 커지게 관통공들이 형성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
19. 제14항에 있어서,

    상기 플라즈마 발생유닛은

    상기 외부전극관의 내주면과 상기 내부전극관의 외주면에는 한 쌍의 유전체층이 설치되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.
20. 제14항에 있어서,

    상기 바디에는 플라즈마 발생에 의해 가열된 상기 바디를 냉각시키기 위한 냉각팬을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 시스템.

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