KR100555612B1 - Board cutting type probe and method thereby - Google Patents
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Abstract
도전성 판재를 절개한 후, 절곡시켜 형성되는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. Disclosed is a plate cut-out probe formed by bending a conductive plate and then bending the conductive plate.
본 발명의 판재 절개형 프로브는, 전도성 재질의 판상의 본체부 및 상기 본체부를 절개 한 후, 서로 교차하도록 소정각도로 절곡하여 형성된 절개부를 구비하여 이루어지고, 본 발명의 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 전도성 재질의 판상의 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면 소정부에서 내측으로 소정길이 레이저빔을 주사 절개하여 교대로 절개부를 형성하거나 상기 본체부 표면에 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 레이저빔을 주사 절개하여 소정간격 이격된 절개부를 교대로 형성하여 소정각도 절곡시켜 이루어진다. The plate cutaway probe of the present invention comprises a plate-shaped body portion made of a conductive material and a cutout portion formed by bending at a predetermined angle to cross each other after cutting the body portion, thereby manufacturing a plate cutaway probe of the present invention. The scanning part of the plate-shaped body portion of the conductive material and the other edge surface of the conductive material is scanned and cut inwardly to form an incision alternately, or a recess shape and an inverted recess shape are formed on the surface of the body portion. The laser beam is scanned and cut in a shape of a) to alternately form cutouts spaced at predetermined intervals and bend at a predetermined angle.
따라서, 고집적화된 반도체소자의 파인피치(Fine pitch) 간격과 다양한 종류의 패드배열 형상에 대응이 용이하고, MEMS공정의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. Therefore, it is easy to cope with fine pitch spacing and various types of pad array shapes of highly integrated semiconductor devices, and it is possible to solve the problems of the MEMS process.
프로브, 절개, 레이저, 절곡, 테스트Probe, incision, laser, bending, testing
Description
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다. 1A is a perspective view of a plate cutaway probe according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a perspective view of a plate cutaway probe according to a second embodiment of the present invention.
도 2a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 2b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다. 2A is a perspective view of a plate cutaway probe according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a perspective view of a plate cutaway probe according to a fourth embodiment of the present invention.
도 3a는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다. 3A is a perspective view of a plate cutaway probe according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view of a plate cutaway probe according to a sixth embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다. 4 is a process chart for explaining a method for manufacturing a plate cut-out probe according to the first and second embodiments of the present invention.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예 내지 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a plate cutaway probe according to a third embodiment to a sixth embodiment of the present invention.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 볼타입의 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 6A and 6B are cross-sectional views illustrating a state in which a plate cutaway probe according to the present invention comes into contact with a ball type electrode pad.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 상면이 평탄한 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 7A and 7B are cross-sectional views illustrating a state in which a plate cutaway probe according to the present invention contacts an electrode pad having a flat top surface.
도 8은 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브를 구비한 프로브카드를 설명하기 위한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view illustrating a probe card having a plate cutaway probe according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
본체부:10,20,33,40,60,70,90,100 Body: 10, 20, 33, 40, 60, 70, 90, 100
절개부:12,16,22,26,30,34,35,42,46,50,62,66,72,76,80,92,94,102,104 Incision: 12, 16, 22, 26, 30, 34, 35, 42, 46, 50, 62, 66, 72, 76, 80, 92, 94, 102, 104
접촉부:14,18,24,28,32,36,3844,48,5264,68,74,78,82,96,98,106,108Contacts: 14,18,24,28,32,36,3844,48,5264,68,74,78,82,96,98,106,108
본 발명은 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 소정크기의 도전성 판재를 절개한 후, 소정각도로 절곡시켜 형성되는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a plate cut-out probe and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a plate cut-out probe and a method of manufacturing the same is formed by cutting a conductive plate of a predetermined size, then bent at a predetermined angle.
통상, 반도체기판 즉, 웨이퍼 상에 산화공정, 확산공정, 이온주입공정, 사진식각공정 및 금속공정 등의 웨이퍼 가공공정에 의해서 256MDRAM 및 1GDRAM 등의 반도체소자를 구현하게 된다. In general, semiconductor devices, such as 256MDRAM and 1GDRAM, are implemented on a semiconductor substrate, that is, by a wafer processing process such as an oxidation process, a diffusion process, an ion implantation process, a photolithography process, and a metal process.
그리고, 이와 같은 반도체소자 제조공정을 수행한 후, 반도체기판 상에 구현된 각 칩(Chip)에 대해서 프로빙 테스트를 수행함으로써 정상 칩 및 비정상 칩을 선별하게 되고, 선별된 정상 칩만을 패키징(Packaging)하게 된다. After performing the semiconductor device manufacturing process as described above, a probing test is performed on each chip implemented on the semiconductor substrate to select a normal chip and an abnormal chip, and packaging only the selected normal chip. Done.
또한, 패키징된 반도체 제품에 대해서도 최악의 온도 및 전압 등의 테스트 조건 하에서 번인(Burn-in)공정을 수행 제거함으로써 열화한 반도체 제품의 출하를 조기에 제거하고 있다. In addition, the packaged semiconductor product is removed by performing a burn-in process under test conditions such as the worst temperature and voltage to eliminate the shipment of the degraded semiconductor product at an early stage.
이와 같은 프로빙 테스트는, 반도체기판 상에 구현된 각 칩의 전극패드에 접촉한 프로브카드의 프로브를 통해서 테스트장치가 소정의 전기신호를 인가한 후, 이에 대응하는 전기신호를 다시 테스트장치가 수신함으로써 반도체기판 상에 구현된 각 칩의 정상 및 비정상 유무를 테스트(Test)하게 된다. In this probing test, after the test apparatus applies a predetermined electrical signal through a probe of a probe card in contact with the electrode pad of each chip implemented on the semiconductor substrate, the test apparatus receives the corresponding electrical signal again. Each chip implemented on the semiconductor substrate is tested for normal and abnormality.
그리고, 이와 같이 완성된 상태에 있는 웨이퍼 즉, 반도체 칩을 테스트하는 프로브카드는, 회로가 구성되 인쇄회로기판과, 인쇄회로기판의 상면 중앙에 설치되는 보강판과 웨이퍼의 전극패드에 접촉되는 프로브를 구비하며, 또한 인쇄회로기판의 회로와 연결되는 니들과 인쇄회로기판의 저면 중앙에 형성되어 프로브를 지지 고정하는 고정판과 프로브를 고정판에 고정하는 절연물로 이루어진다.In addition, a probe card for testing a wafer, that is, a semiconductor chip in the state thus completed, includes a printed circuit board having a circuit, a reinforcing plate provided at the center of the upper surface of the printed circuit board, and a probe contacting the electrode pad of the wafer. Also provided with a needle connected to the circuit of the printed circuit board and the bottom of the printed circuit board is formed of a fixed plate for holding and holding the probe and the insulating material for fixing the probe to the fixed plate.
이때, 상기 프로브 팁의 소정부는 수평방향에서 하방 즉, 웨이퍼 상에 구현된 각 칩의 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있다. In this case, the predetermined portion of the probe tip is bent downward in a horizontal direction, that is, a predetermined angle in the electrode pad direction of each chip implemented on the wafer.
상기와 같이 구성된 프로브카드는 지그에 의해서 상하로 이동하면서 프로브가 전극패드의 중심부에 접촉되도록 하여 반도체 칩의 이상 유무를 검사하게 된다. The probe card configured as described above moves up and down by a jig so that the probe is in contact with the center of the electrode pad to check for abnormality of the semiconductor chip.
그러나, 이와 같은 니들 타입의 프로브는 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡됨으로써 고집적화된 반도체소자에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다. However, such a needle type probe has a problem in that the predetermined portion is bent downward in the horizontal direction, that is, a predetermined angle in the electrode pad direction, so that it is difficult to cope with the highly integrated semiconductor device.
즉, 상기 프로브카드에 장착되는 프로브는 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있음으로써 프로브카드의 고정판에 프로브를고밀도로 배열 설치가 불가능하여 고집적화된 반도체소자의 전극패드에 대응할 수 없는 문제점이 있었다. That is, the probe mounted on the probe card has a predetermined portion bent downward in a horizontal direction, that is, a predetermined angle in the direction of the electrode pad, so that it is impossible to arrange the probe on the fixed plate of the probe card with high density. There was a problem that could not be coped.
또한, 상기 니들 타입의 프로브는 최근에 주로 사용되는 볼타입의 전극패드 즉, 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드 상부에서는 프로브가 미끄러지는 등의 원인에 의해서 접촉이 어려운 문제점이 있었다. In addition, the needle-type probe has a problem in that contact is difficult due to the sliding of the probe in the ball type electrode pad that is mainly used in recent years, that is, the ball type electrode pad in which the upper surface protrudes upward.
그리고, 최근에는 고집적화된 반도체소자의 작은 피치간격에 대응이 용이하도록 포토리소그래피(Photolithography)공정 및 식각공정 등의 반도체 제조공정을 주공정으로 하는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 프로브가 개발 사용되고 있다.Recently, a probe using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology, which mainly uses a semiconductor manufacturing process such as a photolithography process and an etching process, has been developed and used to easily cope with small pitch intervals of highly integrated semiconductor devices. have.
그러나, MEMS기술을 이용한 프로브는 반도체소자의 작은 피치간격에 대한 대응력 및 대량 생산성 등과 같은 많은 장점을 가지고 있으나 고가의 반도체 장비의 구매와 클린룸(Clean room)의 운영 등과 같은 원인에 의해서 제조 원가를 상승시키는 단점을 발생시키고 있다. However, the probe using MEMS technology has many advantages such as responsiveness to small pitch intervals and mass productivity of semiconductor devices. However, the cost of manufacturing probes due to the purchase of expensive semiconductor equipment and the operation of a clean room is increased. It raises the disadvantage which raises.
특히, MEMS기술을 이용한 프로브 역시 니들타입의 프로브와 동일하게 볼타입의 전극패드에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다. In particular, the probe using the MEMS technology also had a problem in that it is not easy to respond to the ball-type electrode pads in the same way as the needle-type probe.
본 발명의 목적은, 제조비용을 절감할 수 있는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide a plate cut-out probe and a method of manufacturing the same that can reduce the manufacturing cost.
본 발명의 다른 목적은, 반도체소자의 작은 피치간격에 대응이 용이한 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a plate cut type probe and a method of manufacturing the same, which are easy to cope with a small pitch interval of a semiconductor device.
본 발명의 또 다른 목적은, MEMS공정에서 발생하는 제반 문제점을 해결할 수 있는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다. Still another object of the present invention is to provide a plate cutaway probe and a method of manufacturing the same, which can solve various problems occurring in the MEMS process.
본 발명의 또 다른 목적은, 볼타입의 전극패드와 정확하게 접촉할 수 있는 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다. Still another object of the present invention is to provide a plate cutaway probe and a method of manufacturing the same, which can be in precise contact with a ball type electrode pad.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브는, 사각판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부; 및 서로 어긋난 위치의 상기 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면에서 상기 본체부 내측방향으로 소정길이 각각 절개한 후, 상기 본체부 내측방향으로 서로 교차하도록 소정각도 절곡하여 이루어지는 절개부;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Plate cut-out probe according to the present invention for achieving the above object, the body portion of a conductive material consisting of a square plate; And a cutout portion formed by cutting a predetermined length in the main body portion inward direction from the one side edge surface and the other edge surface of the main body portion at the mutually displaced position, and then bending a predetermined angle to cross each other in the main body portion inward direction. It is characterized by.
이때, 상기 절개부는 적어도 2개 이상 구비될 수 있으며, 상기 절개부 소정부를 소정각도 절곡시켜 상기 절개부 단부에 접촉부가 더 구비될 수 있다.In this case, at least two cutouts may be provided, and a contact portion may be further provided at an end portion of the cutout by bending a predetermined portion of the cutout.
그리고, 상기 각 절개부의 폭, 길이, 절곡각도 및 상기 접촉체의 절곡각도는 서로 동일함이 바람직하며, 상기 절개부의 절곡각도는 30° 내지 60°로 이루어질 수 있다.The width, length, bending angle, and bending angle of the contact body may be equal to each other, and the bending angle of the cutout may be 30 ° to 60 °.
또한, 상기 본체부는 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있고, 상기 절개부는 라운딩(Rounding)될 수 있다.In addition, the body portion may be made of any one material of copper, tungsten, copper alloy and tungsten alloy, and the cut portion may be rounded.
그리고, 본 발명에 따른 다른 판재 절개형 프로브는, 판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부; 및 상기 본체부 표면을 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 소정간격 이격 교대로 절개하여 형성되고, 서로 교차하도록 소정각도 절곡되어 있는 절개부;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, another plate cut-out probe according to the present invention, the main body portion of a conductive material consisting of a plate; And a cutout portion formed by alternately cutting the surface of the main body portion at predetermined intervals in a recess shape and an inverted recess shape, and being bent at a predetermined angle to cross each other.
여기서, 상기 본체부는 사각판 또는 원판 형상으로 이루어질 수 있고, 상기 절개부는 라운딩될 수 있다.Here, the body portion may be formed in a rectangular plate or a disk shape, the cut portion may be rounded.
또한, 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 사각판상으로 이루어지는 전도성 재질의 본체부를 준비하는 단계; 서로 어긋난 위치의 상기 본체부 일측 가장자리면과 타측 가장자리면에서 상기 본체부 내측방향으로 레이저빔을 주사하여 소정길이 각각 절개하여 절개부를 형성하는 단계; 및 상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the method for manufacturing a plate cutaway probe according to the present invention comprises the steps of preparing a body portion of a conductive material consisting of a square plate; Forming an incision by cutting a predetermined length by scanning a laser beam inwardly of the main body part from one edge surface of the main body portion and the other edge surface of the displaced position; And bending the cut portions at a predetermined angle to intersect each other.
상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용할 수 있고, 상기 절개부의 소정부위를 소정각도 절곡시켜 접촉부를 상기 절개부 단부에 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다.A femto second laser may be used as the laser beam, and the contact portion may be formed at the end of the cut portion by bending a predetermined portion of the cut portion at an angle.
또한, 상기 각 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡시키면서 상기 절개부를 라운딩시키는 단계가 더 수행될 수 있다.In addition, the step of rounding the cut may be further performed while bending at a predetermined angle to cross each cut.
그리고, 본 발명에 따른 다른 판재 절개형 프로브의 제조방법은 전도성 재질의 본체부를 준비하는 단계; 상기 본체부 표면을 레이저빔을 이용하여 디귿자(ㄷ) 형상 및 역 디귿자(ㄷ)자 형상으로 소정간격 이격 교대로 절개하여 절개부를 형성하는 단계; 및 상기 절개부가 서로 교차하도록 소정각도로 절곡하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, another method for manufacturing a plate cutaway probe according to the present invention comprises the steps of preparing a body portion of a conductive material; Forming an incision by cutting the surface of the main body part by a predetermined interval alternately in a dichroic (c) shape and an inverse diyza (c) shape using a laser beam; And bending the cut portions at a predetermined angle to intersect each other.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 1b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다. 1A is a perspective view of a plate cutaway probe according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a perspective view of a plate cutaway probe according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 1a에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지고, 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 사각판 형상으로 이루어지는 본체부(10)를 구비한다. The plate cutaway probe according to the first embodiment of the present invention is made of copper, tungsten, copper alloy, and tungsten alloy material which has a predetermined ductility and elasticity and has conductivity as shown in FIG. 1A. And a
그리고, 상기 본체부(10) 일측 가장자리면에서 본체부(10) 내측방향으로 소정폭 및 길이로 레이저빔을 이용하여 절개한 후, 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡하며 라운딩(Rounding)된 제 1 절개부(12)가 구비된다.Then, after cutting by using a laser beam in a predetermined width and length in the
또한, 상기 제 1 절개부(12)의 절개지점과 어긋난 위치의 본체부(10) 타측 가장자리면에서 본체부(10) 내측방향으로 소정폭 및 길이로 레이저빔을 이용하여 절개한 후, 소정각도 절곡하며 라운딩된 제 2 절개부(16)가 구비된다. In addition, after cutting with a laser beam at a predetermined width and length from the other edge surface of the
이때, 상기 제 1 절개부(12) 및 제 2 절개부(16)는 서로 마주보면서 서로 교차하도록 구비되고, 상기 제 1 절개부(12) 및 제 2 절개부(16)의 폭, 길이 및 절곡각도는 동일하다.In this case, the
또한, 상기 제 1 절개부(12) 및 제 2 절개부(16)의 각 단부를 본체부(10) 상면과 평행하게 절곡시켜 형성된 제 1 접촉부(14) 및 제 2 접촉부(18)가 각각 구비되고, 상기 제 1 접촉부(14) 및 제 2 접촉부(18)의 절곡 각도는 동일하다.In addition, the
그리고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 1b에 도시된 바와 같이 제 1 접촉부(24)와 제 2 접촉부(28)를 구비한 제 1 절개부(22) 및 제 2 절개부(26) 일측에 제 1 실시예와 동일한 방법에 의해서 형성된 제 3 접촉부(32) 를 구비한 제 3 절개부(30)가 별도로 더 구비되는 것에 특징이 있다. In addition, in the sheet cutaway probe according to the second exemplary embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 1B, the
이때, 제 3 접촉부(32)를 구비한 제 3 절개부(30)는 제 1 실시예의 제 1 접촉부(24)와 제 2 접촉부(28)를 구비한 제 1 절개부(22) 및 제 2 절개부(26)와 동일한 제조방법에 의해서 동일한 구조로 제작된다. In this case, the
도 2a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 2b는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다. 2A is a perspective view of a plate cutaway probe according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a perspective view of a plate cutaway probe according to a fourth embodiment of the present invention.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 2a에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지고, 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 두께를 가지는 사각판 형상으로 이루어지는 본체부(33)를 구비한다. The plate cutaway probe according to the third embodiment of the present invention is made of copper, tungsten, copper alloy, and tungsten alloy material which has a predetermined ductility and elastic force and has conductivity as shown in FIG. 2A. And a
그리고, 상기 본체부(33)의 상측 중앙면에 절개부가 형성될 수 있도록 디귿자(ㄷ) 형상으로 레이저빔 장치를 이용하여 절개하여 형성된 제 1 절개부(34)가 구비되고, 상기 제 1 절개부(34)와 소정간격 이격된 본체부(33)의 하측 중앙면에 절개부가 형성될 수 있도록 역 디귿자(ㄷ) 형상으로 레이저빔 장치를 이용하여 절개하여 형성된 제 2 절개부(35)가 구비된다. In addition, a
이때, 상기 제 1 절개부(34) 및 제 2 절개부(35)는 본체부(33) 내측방향으로 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡되며 라운딩되어 있으며, 상기 절개부(34, 35)의 폭, 길이 및 절곡각도는 서로 동일하다. At this time, the
그리고, 상기 제 1 절개부(34)의 단부를 본체부(33) 상면과 평행하게 절곡시켜 형성된 제 1 접촉부(36)가 구비되고, 상기 제 2 절개부(35)의 단부를 본체부(33) 상면과 평행하게 절곡시켜 형성된 제 2 접촉부(38)가 구비된다.In addition, a
이때, 상기 제 1 접촉부(36) 및 제 2 접촉부(38)의 절곡각도는 서로 동일하다.At this time, the bending angles of the
그리고, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 2b에 도시된 바와 같이 제 1 접촉부(44)와 제 2 접촉부(48)를 구비한 제 1 절개부(42) 및 제 2 절개부(46) 일측에 제 3 실시예와 동일한 방법에 의해서 형성된 제 3 접촉부(52)를 구비한 제 3 절개부(50)가 별도로 더 구비되는 것에 특징이 있다. In addition, in the sheet cutaway probe according to the fourth exemplary embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 2B, the
이때, 제 3 접촉부(52)를 구비한 제 3 절개부(50)는 제 3 실시예의 제 1 접촉부(44)와 제 2 접촉부(48)를 구비한 제 1 절개부(42) 및 제 2 절개부(46)와 동일한 제조방법에 의해서 동일한 구조로 제작된다. In this case, the
도 3a는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 사시도이다. 3A is a perspective view of a plate cutaway probe according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view of a plate cutaway probe according to a sixth embodiment of the present invention.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 제 1 접촉부(68)를 구비한 제 1 절개부(66) 및 제 2 접촉부(64)를 구비한 제 2 절개부(62)의 형성방법 및 그 구조는 전술한 제 3 실시예와 동일하나 본체부(60)가 원판형으로 이루어지는 것에 특징이 있다. In the sheet cutaway probe according to the fifth exemplary embodiment, the
따라서, 상기 제 5 실시예의 판재 절개형 프로브는, 본체부(60)가 원판형상으로 이루어짐으로써 원기둥형상 연결부를 구비한 프로브카드의 공간변환기에의 부착이 용이하다. Therefore, in the plate cutaway probe of the fifth embodiment, the
그리고, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브는, 제 1 접촉부(74)를 구비한 제 1 절개부(72), 제 2 접촉부(78)를 구비한 제 2 절개부(76) 및 제 3 접촉부(82)를 구비한 제 3 절개부(80)의 형성방법 및 그 구조는 전술한 제 4 실시예와 동일하나 본체부(70)가 원판형으로 이루어지는 것에 특징이 있다. In addition, the plate cutaway probe according to the sixth embodiment of the present invention includes a
따라서, 상기 제 6 실시예의 판재 절개형 프로브는, 본체부(70)가 원판형상으로 이루어짐으로써 원기둥형상 연결부를 구비한 프로브카드의 공간변환기에의 부착이 용이하다. Therefore, in the plate cutaway probe of the sixth embodiment, since the
또한, 전술한 바와 같은 제 1 실시예 내지 제 6 실시예의 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브의 일측 접촉부 단부에서 타측 접촉부 단부까지의 길이는 반도체소자의 테스트 포인트 즉, 패드(Pad)에 수용될 수 있도록 패드 사이즈 보다 작다.In addition, the length from one end portion of the sheet cut-out probe to the other end portion of the plate cut-out probe according to the present invention as described above may be accommodated in the test point, that is, the pad of the semiconductor device. To be smaller than the pad size.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다. 4 is a process chart for explaining a method for manufacturing a plate cut-out probe according to the first and second embodiments of the present invention.
본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 도 4에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지는 본체부(90)을 준비한다. 이때, 상기 본체부(90)은 사각판 형상으로써 수 마이크로미터(㎛)의 매우 얇은 두께를 가진다. The method for manufacturing a plate cutaway probe according to the first and second embodiments of the present invention, as shown in FIG. 4, has a predetermined ductility and elasticity and has conductivity, copper, tungsten, A
다음으로, 상기 판상의 본체부(90) 일측 가장자리면에서 본체부(90) 내측방향으로 소정폭 및 길이로 절개를 하여 제 1 절개부(92)를 형성하고, 상기 제 1 절개부(92)의 절개지점과 어긋난 위치의 본체부(90) 타측 가장자리면에서 내측방향으 로 소정폭 및 길이로 절개를 하여 제 2 절개부(94)를 형성한다. Next, a
이때, 상기 제 1 절개부(92) 및 제 2 절개부(94)의 폭(X1, X2) 및 길이(Y1, Y2)는 동일하도록 절개하며, 상기 판상의 본체부(90)의 절개는 레이저빔을 이용하여 이루어진다. In this case, the widths X1 and X2 and the lengths Y1 and Y2 of the
상기 레이저장비를 이용한 본체부(90)의 절개에 대해서 보다 상세히 설명하면, 본체부(90)을 레이저 장비의 가동 테이블 상에 위치시킨 후, 본체부(90)에 레이저빔을 가하여 본체부(90)을 절개함으로써 이루어지며, 상기 레이저빔은 정밀 가공이 가능한 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 사용할 수 있으며, 상기 펨토 세컨 레이저 장치에서 발생되는 레이저빔은 10-14 내지 10-16SEC의 펄스(pulse), 바람직하게는 10-15SEC의 펄스(pulse)를 가질 수 있다. In more detail with respect to the cutting of the
이어서, 상기 제 1 절개부(92)를 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 1 절개부(92)의 단부를 본체부(90) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 1 접촉부(96)를 형성한다. Subsequently, the
마지막으로, 상기 제 2 절개부(94) 역시 제 1 절개부(92)와 동일하게 즉, 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 1 절개부(92)의 단부를 본체부(90) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 2 접촉부(98)를 형성한다. Finally, the
이때, 상기 제 1 절개부(92)와 제 2 절개부(94)는 서로 교차하게 된다.In this case, the
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다. 5 is a process chart for explaining a method for manufacturing a plate cutaway probe according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 3 실시예 내지 제 6 실시예에 따른 판재 절개형 프로브의 제조방법은, 도 5에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지는 본체부(100)을 준비한다. The method of manufacturing a plate cutaway probe according to the third to sixth embodiments of the present invention, as shown in FIG. 5, has a predetermined ductility and elasticity and has conductivity, copper, tungsten, A
이때, 상기 본체부(100)은 사각형상으로써 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 두께를 가지는 판상으로 이루어지며, 다른 실시예로 상기 본체부(100)는 원형으로 이루어질 수도 있다. At this time, the
다음으로, 상기 본체부(100)의 상측 중앙면을 디귿자(ㄷ) 형상으로 절개하여 제 1 절개부(102)를 형성하고, 상기 제 1 절개부(102)와 소정간격 이격된 위치의 본체부(100)의 하측 중앙면을 역 디귿자(ㄷ) 형상으로 절개하여 제 2 절개부(104)를 형성한다. Next, the upper center surface of the
이때, 상기 제 1 절개부(102) 및 제 2 절개부(104)의 폭(X3, X4) 및 길이(Y3, Y4)는 동일하도록 절개하며, 상기 본체부(100)의 절개는 전술한 바와 같은 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 이용하여 이루어진다. In this case, the widths X3 and X4 and the lengths Y3 and Y4 of the
이어서, 상기 제 1 절개부(102)를 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 1 절개부(102)의 단부를 본체부(100) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 1 접촉부(106)를 형성한다. Subsequently, the
마지막으로, 상기 제 2 절개부(104) 역시 제 1 절개부(102)와 동일하게 즉, 30° 내지 60°, 바람직하게는 45°절곡시킨 후, 상기 제 2 절개부(104)의 단부를 본체부(100) 상면과 평행하게 절곡시켜 제 2 접촉부(108)를 형성한다. Finally, the
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 볼타입의 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브가 상면이 평탄한 전극패드와 접촉하는 상태를 설명하기 위한 단면도이다. 6A and 6B are cross-sectional views illustrating a state in which a plate cutaway probe according to the present invention contacts a ball type electrode pad, and FIGS. 7A and 7B illustrate an electrode having a flat top surface according to the present invention. It is sectional drawing for demonstrating the state which contacts a pad.
본 발명에 따른 판재 절개형 프로브는, 도 6a 및 도 7a에 도시된 바와 같이 프로브카드의 공간확장기 등의 테스트장비 구조물(도시되지 않음) 하면에 부착고정되어 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드(120) 또는 상부 표면이 평탄한 전극패드(130) 방향으로 소정의 물리력(F)으로 수직 하강하게 된다.Plate cut-out probe according to the present invention, as shown in Figures 6a and 7a is fixed to the lower surface of the test equipment structure (not shown), such as a space expander of the probe card is fixed to the ball type of the upper surface protruding upwards The
다음으로, 도 6b 및 도 7b에 도시된 바와 같이 프로브는 하강하여 볼타입 또는 상부 표면이 평탄한 전극패드(120, 130)를 가압함에 따라 프로브의 접촉부(116, 118)는 전극패드(120, 130) 상에서 절개부(112, 114)가 외부로 팽창되어 벌어지며 즉, 접촉부(116, 118)가 소정거리 미끄러지면서 전극패드(120, 130)를 감싸안는 형상으로 전극패드(120, 130)와 접촉하게 된다. Next, as shown in FIGS. 6B and 7B, the probe descends and presses the
이후, 상기 프로브가 상승하게 되면, 상기 벌어진 절개부(112, 114)는 자체 탄성력에 의해서 원래의 위치로 복원된다. Then, when the probe is raised, the
도 8은 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브를 구비한 프로브카드를 설명하기 위한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view illustrating a probe card having a plate cutaway probe according to the present invention.
본 발명에 따른 판재 절개형 프로브를 구비한 프로브카드는, 도 8에 도시된 바와 같이 다층 내부 회로와 연결된 관통홀(넘버링되지 않음)이 형성된 인쇄회로기판(140)을 구비하고, 상기 인쇄회로기판(140)의 관통홀에 탄성 재질의 복수의 포고 핀(Pogo pin : 148)이 삽입되어 하방으로 돌출되어 있다. A probe card having a plate cutaway probe according to the present invention includes a printed
이때, 상기 포고핀(148) 내부에는 스프링(Spring) 등의 탄성체가 구비됨으로써 상하로 소정의 유격이 발생하여 상하 간격이 조절될 수 있도록 되어 있다. At this time, the
그리고, 상기 인쇄회로기판(140)의 관통홀에 삽입 돌출된 포고핀(148)과 다층 내부회로(150)가 구비되는 공간변환기(146) 상의 연결패드(152)가 납땜 등의 방법에 의해서 연결되어 있다. In addition, the
또한, 상기 포고핀(148)에 의해서 연결된 인쇄회로기판(140)과 공간변환기(146) 상하부에 상부 보강판(142) 및 하부 보강판(144)이 구비되어 볼트(넘버링되지 않음)에 의해서 체결됨으로써 인쇄회로기판(140) 및 공간변환기(146)가 고정되어 있다. In addition, the
그리고, 상기 공간변환기(146) 하측에 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브(160)가 에폭시수지 등과 같은 물질을 이용하여 연결수단(도시되지 않음)에 의해서 연결 구비되어 있다.In addition, the
이때, 상기 공간변환기(146)는 본 발명에 따른 판재 절개형 프로브(160)가 수직적으로 공간변환기(146)에 부착됨으로써 반도체소자의 작은 피치간격에 대응하기 위하여 극도로 조밀하게 배열 설치된 프로브(160)가 상대적으로 넓게 배열 설치되는 인쇄회로기판(140)과 전기적으로 연결될 수 있도록 하는 기능을 수행한다. At this time, the
그리고, 상기 프로브(160), 다층 내부회로(150)가 구비된 공간변환기(146), 포고핀(148) 및 인쇄회로기판(140)의 내부회로는 서로 전기적으로 연결되어 있다.In addition, the
본 발명에 의하면, 프로브카드의 공간변환기에 수직적으로 부착됨으로써 최근에 고집적화된 반도체소자의 파인피치(Fine pitch) 간격에 용이하게 대응할 수 있으며, 다양한 종류의 패드배열 형상에도 대응이 용이한 효과가 있다. According to the present invention, by attaching vertically to the space converter of the probe card, it is easy to cope with the fine pitch spacing of recently integrated semiconductor devices, and it is easy to cope with various types of pad array shapes. .
보다 상세히 설명하면, 프로브카드의 공간변환기에 수직적으로 부착됨으로써 프로브와 프로브 사이의 간격을 극도로 조밀하게 부착이 가능하여 고집적화된 반도체소자의 파인피치 간격에 대응이 용이하다.In more detail, the space between the probe and the probe can be extremely tightly attached to the space transducer of the probe card so as to correspond to the fine pitch of the highly integrated semiconductor device.
특히나, 최근의 반도체소자의 전극패드 배열 형상이 라인(Line) 형태의 LOC(Lead on center)와 LOTE(Lead On Two End)를 벗어나 에리어 어레이(Area array) 등과 같이 다양한 형상으로 변형되는 추세에 용이하게 대응할 수 있는 효과가 있다. In particular, the electrode pad array shape of the recent semiconductor device is easy to be deformed into various shapes such as an area array, out of a line on center (LOC) and a lead on two end (LOT). There is an effect that can be responded.
게다가, 본 발명에 따른 프로브는 MEMS공정의 제조설비 유지 비용의 상승 등과 같은 MEMS공정의 제반 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. In addition, the probe according to the present invention has an effect that can solve all the problems of the MEMS process, such as an increase in the maintenance cost of the manufacturing equipment of the MEMS process.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
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