KR100553934B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시품질을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 다수의 스캔전극, 서스테인전극 및 어드레스전극이 형성되며 프레임 단위로 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서, 한 프레임기간을 다수의 서브필드기간 및 강화리셋펄스기간으로 나누어 화상을 표시하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 선택적 소거 방식으로 구동되는 마지막 서브필드 뒤에 강화리셋펄스를 배치시키고 이 강화리셋펄스를 통해 선택적 소거 방식으로 구동되는 서브필들 기간에 발생된 방전셀의 벽전하를 선택적 쓰기 구동방식에 맞도록 안정화시킨다. 이러한 강화리셋펄스에 의해서 선택적 쓰기 및 소거 방식으로 구동되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 선택적 소거 방식으로 구동되는 구간이 끝난 후 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 구간으로 넘어갈 때 발생할 수 있는 오방전을 방지하여 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품질을 향상시킬 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법{METHOD FOR DRIVING PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1은 일반적인 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도이다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 프레임 구성도이다.
도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 선택적 쓰기 및 소거 구동방법에 따른 프레임 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 프레임 구성도에서 제 4 서브필드 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 프레임 구성도에서 제 8 서브필드 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 프레임 구성도에서 각 서브필드의 어드레스기간에 스캔전극에 인가되는 스캔펄스를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 프레임 구성도이다.
도 9는 도 8에 도시된 프레임 구성도에 따라 각 서브필드에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
도 10은 도 8에 도시된 한 프레임 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
도 11은 도 8에 도시된 프레임 구성도에서 각 서브필드의 어드레스기간에 스캔전극에 인가되는 스캔펄스를 나타내는 도면이다.
도 12는 한 프레임이 1/50초(20ms)의 기간으로 구동되는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 프레임 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,110 : 상부기판 18,118 : 하부기판
Y : 스캔전극 Z : 서스테인전극
X : 어드레스전극 12Y,12Z,112Y,112Z : 투명전극
13Y,13Z,113Y,113Z : 금속버스전극 14,114 : 상부 유전체층
16,116 : 보호막 22,122 : 하부 유전체층
24,124 : 격벽 26,126 : 형광체층
SF : 서브필드 SW : 선택적 쓰기
SE : 선택적 소거
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 표시품질을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다.
최근의 정보화 사회에서 표시소자는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다. 현재 주류를 이루고 있는 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있다. 이러한 음극선관의 한계를 극복할 수 있는 많은 종류의 평판표시장치(Flat Panel Display)가 개발되고 있다.
이러한 평판표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel:PDP), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 일렉트로 루미네센스(Electro-luminescence) 등이 있다.
이러한 평면 표시장치중, 플라즈마 디스플레이 패널은 He+Xe, Ne+Xe 또는 He+Xe+Ne 가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로서 문자 또는 그래픽을 포함한 화상 및 동영상을 표시하게 된다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근, 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다.
특히, 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널은 방전시 유전체층을 이용하여 벽전하를 축적하여 방전에 필요한 전압을 낮추게 되며, 플라즈마의 스퍼터링(Sputtering)으로 부터 전극들을 보호하기 때문에 저전압 구동과 장수명의 장 점을 가진다.
도 1은 일반적인 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 3극 전류 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀은 상부기판(10)상에 형성되어진 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(X)을 구비한다.
스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(12Y, 12Z)과, 투명전극(12Y, 12Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명 전극의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극(13Y, 13Z)을 포함한다. 투명전극(12Y, 12Z)의 재질로는 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide:ITO)가 이용된다. 금속버스전극(13Y, 13Z)의 재질로는 통상 크롬(Cr)등의 금속이 이용된다. 이러한 금속버스전극(13Y, 13Z)은 저항이 높은 투명전극(12Y, 12Z)에 의한 전압 강하를 줄이는 역할을 한다.
스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)이 나란하게 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 상부 유전체층(14)에는 가스방전 이온화 (플라즈마) 방전시 발생된 하전입자(벽전하)들이 축적된다. 보호막(16)은 가스방전이온화(플라즈마) 방전시 발생된 하전입자들의 스퍼터링으로부터 상부 유전체층(14)을 보호하고 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보하막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(X)은 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)과 교차되는 방향으로 형성된다. 어드레스전극(X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22)과 격 벽(24)이 형성된다. 하부 유전체층(22)과 격벽(24)의 표면에는 형광체층(26)이 형성된다.
격벽(24)은 어드레스전극(X)과 나란하게 형성되어 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(26)은 가스방전시 발생된 자외선에 의해 발광되어 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)중 어느 하나의 가시광을 발생하게 된다. 상부 및 하부 기판(10, 18)과 격벽(24) 사이에 마련된 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe, Ne+Xe 또는 He+Xe+Ne 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 프레임 구성도이다.
도 2를 참조하면, 이러한 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널은 화상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위하여 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누어 구동하고 있다. 예를 들어, 1초를 60㎐로 나누고, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 한 프레임 기간(16.67ms)은 8개의 서브필드(Sub Field:SF)로 나누어 진다. 8개의 서브필드들(SF) 각각은 다시 방전을 균일하게 일으키기 위한 리셋기간, 방젠셀을 선택하기 위한 어드레스기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인기간으로 나뉘어진다. 각 서브필드(SF)의 리셋기간 및 어드레스기간은 도 3에 도시된 바와 같이, 각 서브필드마다 동일한 반면에, 서스테인기간 및 그 방전횟수는 각 서브필드에서 2n(단, n=0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 서스테인기간이 각각 다른 서브필드들의 조합으로 계조를 구현할 수 있게 된다.
이러한 ADS(Adress Display separated) 구동방법을 주로 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널은, 고품위의 화질을 구현하기 위하여 고정세, 고휘도, 고명암비(High contrast ratio), 낮은 콘터노이즈(Contour noise) 등이 요구되고 있다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 ADS 구동방법은 어드레스기간에 방전에 의해 선택되는 방전셀의 발광여부에 따라 선택적 소거(Sexective Erasing:SE) 방식과 선택적 쓰기(Selective Writing:SW) 방식으로 나뉜다.
선택적 쓰기(SW) 방식의 구동방법은 리셋기간에서 전 화면을 턴-오프(Turn-Off) 시킨 후, 어드레스기간에 서스테인기간에 유지방전 시킬 방전셀들을 선택적으로 방전시켜 턴-온(Turn-On) 시킨다. 이어서, 서스테인기간에는 어드레스기간에 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들을 유지(서스테인)방전 시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
선택적 소거(SE) 방식의 구동방법은 리셋기간에 전 화면을 라이팅 방전시킴으로써 턴-온(Turn-On) 시킨 후, 어드레스기간에 방전셀들을 선택적으로 턴-오프(Turn-Off) 시킨다. 이어서, 서스테인기간에는 어드레스기간에 선택되지 않은 방전셀들을 유지(서스테인)방전 시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
이러한 선택적 소거(SE) 방식은 각 프레임 또는 각 서브필드마다 비표시 기간인 전면 라이팅 기간에 전면이 켜지게 되므로 콘트라스트가 낮아지는 단점이 있 다. 그러나, 선택적 소거(SE) 방식은 어드레싱 방전이 셀 내의 벽전하를 제거하는 방전이므로, 선택적 쓰기(SW) 방식보다 어드레싱 펄스 폭을 좁게하여 어드레싱 시간을 줄여 상대적으로 서스테인 시간을 늘려 화면을 밝에 표시할 수 있는 장점이 있다.
선택적 쓰기(SW) 방식은 어드레스기간에 방전셀들을 선택적으로 턴-온(Turn-On) 시키기 위한 어드레싱 기간이 선택적 소거(SE) 방식에 비해 길기 때문에 플라즈마 디스플레이 패널을 고속으로 구동할 수 없는 단점이 있다. 그러나, 선택적 쓰기(SW) 방식은 서스테인기간에 유지(서스테인)방전 시킬 셀들을 어드레스기간에 선택적으로 턴-온(Turn-On) 시키는 방식으로 선택적 소거(SE) 방식에 비해 콘트라스트가 높은 장점이 있다.
최근에 들어서는 이러한 선택적 쓰기(SW) 및 선택적 소거(SE) 구동방법의 장점들을 이용하기 위해 도 3에 도시된 바와 같이, 한 프레임을 구성하는 다수의 서브필드들(SF) 중 일부의 서브필드들(SF)은 선택적 쓰기(SW) 방식을 적용하고 나머지 서브필들(SF)에는 선택적 소거(SE) 방식을 적용하여 한 프레임을 구성하는 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 구동방법을 사용하고 있다.
이러한 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 구동방법에서 한 프레임을 12개의 서브필드들(SF1∼SF12)로 구성할 경우, 한 프레임을 구성하는 12개의 서브필드들(SF1∼SF12)은 선택적 쓰기(SW) 서브필드(SF1∼SF6)와 선택적 소거(SE) 서브필드(SF7∼SF12)로 나뉘어진다.
제 1 내지 제6 서브필드들(SF1∼SF6)은 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드(SF)로서 바이너리 코딩(Binary Coding)되어 최대 64(0∼63)개의 구현 가능한 계조수를 갖는다. 제 7 내지 제 12 서브필드(SF7∼SF12))는 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드(SF)로서 최대 192(65∼256)개의 구현가능한 계조수를 갖는다. 전체 구현 가능한 서브필드 계조수는 선택적 쓰기(SW) 서브필드의 바이너리 코딩 계조수와 선택적 소거(SE) 서브필드의 구현가능한 계조수의 합 만큼(64 +192 = 256)이다. 이러한 서브필드의 조합으로 총 256개의 구현가능한 계조수를 가지게 된다. 이러한 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 방식의 구동방법은 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널을 고속으로 구동시킴과 아울러, 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF)에 의해 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 프레임 구성도에서 제 4 서브필드 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 제 1 내지 제 6 서브필드(SF1∼SF6) 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형은 서스인 기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 인가되는 서스테인 펄스(Susy, Susz)의 개수를 제외하고는 모든 서브필드(SF1∼SF6)의 기간에 동일한 파형이 인가되므로 도 4를 참조하여 제 4 서브필드(SF4)의 기간에 각 전극에 인가되는 파형의 설명을 통해 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF1∼SF6)의 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 설명하기로 한다.
한 프레임의 기간 중 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 제 1 내지 제 6 서 브필드들(SF1∼SF6) 각각은 다시 전화면을 초기화시키기 위한 리렛기간, 서스테인기간에 방전시킬 셀을 선택하기 위한 선택적 쓰기 어드레스기간, 선택적 쓰기 어드레스기간에 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋기간은 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)에 인가되는 파형에 따라 셋업(Set Up)기간과, 셋다운(Set Down)기간으로 나뉜다. 셋업기간에는 모든 스캔전극(Y)들에 상승 램프파형(Ramp-Up)이 동시에 인가된다. 셋업기간에 서스테인전극(Z)과 어드레스전극(X)에는 기저전압(GND)이 인가된다. 스캔전극(Y)에 인가되는 상승 램프파형(Ramp-Up)에 의해 전화면의 셀들 내에서 스캔전극(Y)과 어드레스전극(X) 사이와, 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 사이에는 프라이밍방전이 일어나게 된다. 프라이밍방전에 의해 어드레스전극(X)과 서스테인전극(Z) 상에는 정극성(+)의 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔전극(Y) 상에는 부극성(-)의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운기간에는 스캔전극(Y)에 상승 램프파형이 공급된 후, 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 기저전압(GND) 또는 부극성(-)의 전압값까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-Down)이 스캔전극(Y)들에 동시에 인가된다. 이와 동시에, 공통전극인 서스테인전극(Z)에는 서스테인 펄스의 전압값과 같은 크기의 정극성(+)의 직류전압(Vs)이 인가되고, 어드레스전극(X)에는 기저전압(0[V])이 인가된다. 하강 램프파형이 인가될 때, 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 사이에 셋다운 방전이 일어나게 된다. 이 셋다운 방전은 셋업기간에 발생 된 벽전하들 중에서 어드레스 방전에 불필요한 과도한 벽전하를 소거시키게 된다.
선택적 쓰기 어드레스기간에는 도 6에 도시된 바와 같이, -Vy 값을 가지는 부극성(-)의 스캔펄스(Scan)가 스캔전극(Y)들에 순차적으로 인가됨과 동시에 이 스캔펄스(Scan)에 동기되어 어드레스전극(X)들에 정극성(+)의 데이터(Data)가 인가된다. 스캔펄스(Scan)와 데이터(Data)의 전압차와 리셋기간에 생성된 벽전하로 인한 벽전압이 더해지면서 데이터(Data)가 인가되는 셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있는 정도의 벽전하가 형성된다. 한편, 서스테인전극(Z)에는 셋다운기간과 어드레스기간 동안에 서스테인 펄스의 전압값과 같은 크기의 정극성(+)의 직류전압(Vs)이 공급된다.
서스테인기간에는 스캔전극(Y)들과 서스테인전극(Z)들에 교번적으로 서스테인 전압(Vs)을 가지는 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽전압과 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 더해지면서 매 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가될 때 마다 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 사이에 서스테인(유지)방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다. 각각의 서브필드들(SF1∼SF6)의 서스테인기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 인가되는 서스테인 펄스(Susy, Susz)의 개수는 각각의 서브필드(SF)에서 표현되는 계조값에 따라 다르게 설정된다. 즉, 낮은 계조를 표현하는 서브필드(SF)의 서스테인기간에는 적은 수의 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가되고, 높은 계조를 표현하는 서브필드(SF)의 서스테인기간에는 많은 수의 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가된 다.
도 5는 도 3에 도시된 프레임 구성도에서 제 8 서브필드 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 제 7 내지 제 12 서브필드(SF7∼SF12) 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형은 각 서브필드(SF)에서 표현되는 계조값이 다른 경우 서스테인기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 인가되는 서스테인 펄스(Susy, Susz)의 개수가 다른 것을 제외하고는 모든 서브필드(SF7∼SF12)의 기간에 동일한 파형이 인가되므로 도 5를 참조하여 제 8 서브필드(SF8)의 기간에 각 전극에 인가되는 파형의 설명을 통해 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF7∼SF12)의 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 설명하기로 한다.
한 프레임의 기간 중 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 제 7 내지 제 12 서브필드들(SF7∼SF12) 각각은 다시 전화면의 방전셀들을 턴-온(Turn-On) 시키기 위한 전면라이팅기간, 전면라이팅기간에 턴-온된 셀들 중 서스테인기간에 방전시키지 않을 셀을 선택적으로 턴-오프(Turn-Off) 시키기 위한 선택적 소거 어드레스기간, 선택적 소거 어드레스기간에 선택되지 않은 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인기간으로 나뉘어 구동된다.
전면라이팅기간은 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 램프펄스(RPy, RPz)를 공급하기 위한 램프펄스 공급기간과 유지펄스가 공급되는 유지펄스 공급기간으로 나뉘어진다.
램프펄스 공급기간에 스캔전극(Y)에는 정극성(+)의 램프펄스(RPy)가 인가되고, 서스테인전극(Z)에는 부극성(-)의 램프펄스(RPz)가 인가되고, 어드레스전극(X)에는 기저전위(GND)가 인가된다. 여기서, 스캔전극(Y)에 인가되는 정극성(+)의 램프펄스(RPy)의 피크치 값은 서스테인 전압(Vs)과 동일한 전압으로 설정된다. 또한, 서스테인전극(Z)에 인가되는 부극성(-)의 램프펄스(RPz)의 피크치의 절대값은 서스테인 전압(Vs)과 같거나 또는 높은 전압으로 설정된다. 이와 같이 램프펄스 공급기간 동안 스캔전극(Y)에 정극성(+)의 램프펄스(RPy)가 공급되고, 서스테인전극(Z)에 부극성(-)의 램프펄스(RPz)가 공급되면 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)간의 전압차에 의해 모든 방전셀들이 턴-온 된다.
정극성(+)의 램프펄스(RPy)가 공급된 스캔전극(Y)에는 부극성(-)의 벽전하가 형성되고, 부극성(-)의 램프펄스(RPz)가 공급된 서스테인전극(Z)에는 정극성(+)의 벽전하가 형성된다.
유지펄스 공급기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에는 램프펄스(RPy, RPz)에 의해 형성된 벽전하들을 유지시키기 위한 유지펄스(Ry, Rz)가 교번적으로 공급된다. 이러한 유지펄스(Ry, Rz)의 전압값은 서스테인 전압(Vs)과 동일하게 설정된다. 따라서, 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)간의 서스테인 전압(Vs)차에 의해 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)간에 유지방전이 발생되어 모든 방전셀들에 균일한 벽전하가 형성된다.
선택적 소거 어드레스기간에는 도 6에 도시된 바와 같이, -Vy 값을 가지는 부극성(-)의 스캔펄스(Scan)가 스캔전극들(Y)에 순차적으로 인가됨과 동시에 이 스 캔펄스(Scan)에 동기되어 어드레스전극들(X)에 어드레스전극(X)들에 정극성(+)의 데이터(Data)가 인가된다.
이에 따라, 데이터(Data)가 공급된 방전셀들에서는 선택적 소거 방전이 발생되어 방전셀내의 벽전하가 소거된다. 이때, 소거 방전이 발생되지 않은 방전셀들에는 전면라이팅기간 형성된 벽전하가 충분히 유지된다. 한편, 서스테인전극(Z)에는 선택적 소거 어드레스기간 동안에 기저전압(GND)가 공급된다.
서스테인기간에는 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 교번적으로 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 공급된다. 이에 따라, 선택적 소거 어드레스기간에서 벽전하가 소거되지 않은 방전셀들에서 서스테인(유지) 방전이 발생된다. 이때, 서스테인 방전(유지)횟수를 조절하여 휘도 가중치에 대응하는 계조값을 표현한다.
전술한 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 방식의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 각 서브필드마다 비표시 기간인 전면 라이팅 기간에 전면이 켜지게 되므로 콘트라스트가 낮아지는 단점이 있다.
또한, 선택적 쓰기(SW) 방식과 선택적 소거(SE) 방식의 구동 전압 및 구동 마진이 서로 다름으로 인해서 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 마지막 서브필드(SF12)에서 다음 프레임의 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 첫번째 서브필드(SF1)으로 넘어갈 때 오방전(miss writing)이 발생될 수 있다. 이를 자세히 설명하면, 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 영역의 어드레스 방전은 쓰기(Writing) 방식이므로 높은 구동 전압이 필요하고, 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 영역의 어드레스 방전은 소거(Erasing) 방식이므로 낮은 구동 전압이 필 요하다. 이러한 선택적 쓰기(SW) 영역과 선택적 소거(SE) 영역을 동일한 구동전압으로 구동할 경우 오방전이 발생하게 되어 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품질을 떨어뜨리는 문제가 있다.
이러한 오방전은 일본 특허공개공보 특개평(特開平) 제2001-135238호에 개시된 바와 같이, 플라즈마 디스프레이 패널(PDP) 내에 봉입된 방전가스 중 크세논(Xe)의 함량을 5% 이상으로 증가시킴로써 종래의 저밀도 Xe 패널에 비하여 구동전압이 높지만 휘도를 더 높일 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널에서 두드러지게 나타나게 된다.
크세논(Xe)의 함량을 5% 이상으로 증가시킨 플라즈마 디스플레이 패널에서 오방전이 두드러지게 나타나는 것은 크세논(Xe)의 함량을 증가시키면 구동전압이 상승함과 아울러, 어드레스기간의 지터(Jitter)값이 증가하여 어드레스 방전이 불안전해지기 때문이다. 어드레스 방전이 불안정해지면 서스테인 기간에 서스테인 방전을 일으킬 셀이 선택되지 않거나, Xe의 함량을 증가시킴으로 인해서 높아진 구동전압에 의해 서스테인 기간에 서스테인 방전이 발생되지 않아야 할 셀이 선택되는 등의 오방전이 발생하여 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품질을 떨어뜨리게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 선택적 소거 방식으로 구동되는 구간이 끝난 후 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 구간으로 넘어갈 때 발생할 수 있는 오방전을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 구간으로 넘어갈 때 발생하는 오방전을 방지함으로써, 표시품질을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 다수의 스캔전극, 서스테인전극 및 어드레스전극이 형성되며 프레임 단위로 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서, 한 프레임기간을 다수의 서브필드기간 및 강화리셋펄스기간으로 나누어 화상을 표시하되, 상기 다수의 서브필드기간 중에 선택적 소거 방식으로 구동되는 마지막 서브필드 뒤에 강화리셋펄스를 인가하며, 선택적 쓰기 방식에 맞도록 상기 강화리셋펄스를 통해 상기 선택적 소거 방식으로 구동되는 상기 서브필드 기간에 발생된 방전셀의 벽전하를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 상기 다수의 서브필드는 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 다수의 선택적 쓰기 서브필드와, 선택적 소거 방식으로 구동되는 다수의 선택적 소거 서브필드로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 상기 다수의 선택적 쓰기 서브필드 각각은 리셋기간, 선택적 쓰기 어드레스기간 및 서스테인 기간으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 상기 다수의 선택적 소거 서브필드 각각은 선택적 소거 어드레스기간 및 서스테인 기간으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 상기 다수의 선택적 소거 서브필드가 상기 다수의 선택적 쓰기 서브필드 뒤에 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 상기 강화리셋펄스기간이 상기 다수의 선택적 소거 서브필드의 마지막 선택적 소거 서브필드 뒤에 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 상기 강화리셋펄스기간에 상기 스캔전극에는 램프파형이 인가됨과 아울러 상기 어드레스전극에는 기저전압이 인가되되고, 상기 서스테인전극은 플로우팅되는 것을 특징으로 하다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 상기 램프파형은 상기 스캔전극과 상기 어드레스전극간에 셋업 방전을 발생시키기 위한 정극성의 상승 램프파형과, 상기 상기 스캔전극과 상기 어드레스전극간에 셋다운 방전을 발생시키기 위한 하강 램프파형으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 상기 하강 램프파형은 상기 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 전압에서 떨어지기 시작하여 기저전압 또는 부극성의 전압까지 떨어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 상기 한 프레임이 1/60초의 기간인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 상기 한 프레임이 1/50초의 기간인 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 첨부된 도 7 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 상세히 살펴보기로 한다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 3극 전류 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀은 상부기판(110)상에 형성되어진 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)과, 하부기판(118) 상에 형성되어진 어드레스전극(X)을 구비한다.
스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(112Y, 112Z)과, 투명전극(112Y, 112Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명 전극의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극(113Y, 113Z)을 포함한다. 투명전극(112Y, 112Z)의 재질로는 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide:ITO)가 이용된다. 금속버스전극(113Y, 113Z)의 재질로는 통상 크롬(Cr)등의 금속이 이용된다. 이러한 금속버스전극(113Y, 113Z)은 저항이 높은 투명전극(112Y, 112Z)에 의한 전압 강하를 줄이는 역할을 한다.
스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)이 나란하게 형성된 상부기판(110)에는 상부 유전체층(114)과 보호막(116)이 적층된다. 상부 유전체층(114)에는 가스방전 이온화 (플라즈마) 방전시 발생된 하전입자(벽전하)들이 축적된다. 보호막(116)은 가스방전이온화(플라즈마) 방전시 발생된 하전입자들의 스퍼터링으로부터 상부 유전체층(114)을 보호하고 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보하막(116)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(X)은 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)과 교차되는 방향으로 형성된다. 어드레스전극(X)이 형성된 하부기판(118) 상에는 하부 유전체층(122)과 격벽(124)이 형성된다. 하부 유전체층(122)과 격벽(124)의 표면에는 형광체층(126)이 형성된다.
격벽(124)은 어드레스전극(X)과 나란하게 형성되어 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(126)은 가스방전시 발생된 자외선에 의해 발광되어 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)중 어느 하나의 가시광을 발생하게 된다. 상부 및 하부 기판(110, 118)과 격벽(124) 사이에 마련된 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe, Ne+Xe 또는 He+Xe+Ne 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법의 프레임 구성도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 화상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위하여 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누어 구동하고 있다. 예를 들어, 1초를 60㎐로 나누고, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 한 프레임 기간(16.67ms)은 12개의 서브필드들(SF1∼SF12)의 기간과, 마지막 서브필드인 제 12 서브필들(SF12) 뒤에 배치되는 강화리셋펄스기간으로 나누어 진다. 12개의 서브필드들(SF1∼SF12) 중 제 1 내지 제 6 서브필드들(SF1∼SF6)은 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되고, 나머지 제 7 내지 제 12 서브필드들(SF7∼SF12)은 선택적 소거(SE) 방식으로 구동된다.
선택적 쓰기(SW) 방식의 구동방법은 리셋기간에서 전 화면을 턴-오프(Turn-Off) 시킨 후, 선택적 쓰기 어드레스기간에 서스테인기간에 유지방전 시킬 방전셀들을 선택적으로 방전시켜 턴-온(Turn-On) 시킨다. 이어서, 서스테인기간에는 어드레스기간에 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들을 유지(서스테인)방전 시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 제 1 내지 제 6 서브필드(SF1∼SF6) 각각은 다시 방전을 균일하게 일으키기 위한 리셋기간, 서스테인기간에 방전시키킬 방젠셀을 선택하기 위한 선택적 쓰기 어드레스기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인기간으로 나뉘어진다. 각 서브필드(SF)의 리셋기간 및 어드레스기간은 도 9에 도시된 바와 같이, 각 서브필드마다 동일한 반면에, 서스테인기간 및 그 방전횟수는 각 서브필드에서 2n(단, n=0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 서스테인기간이 각각 다른 서브필드들의 조합으로 계조를 구현할 수 있게 된다.
선택적 소거(SE) 방식의 구동방법은 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드(SF)의 마지막 서브필드(SF)인 제 6 서브필드(SF6) 기간에 유지(서스테인) 방전 된 방전셀들을 선택적 소거 어드레스기간에 선택적으로 턴-오프(Turn-Off) 시킨다. 이어서, 서스테인기간에는 선택적 소거 어드레스기간에 선택되지 않은 방전셀들을 유지(서스테인)방전 시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 제 7 내지 제 12 서브필드(SF7∼SF12) 각각은 서스테인기간에 방전시키기 않을 방젠셀을 선택하기 위한 선택적 소거 어드레스기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인기간으로 나뉘어진다. 각 서브필드(SF)의 선택적 소거 어드레스기간과 서스테인기간 및 그 방전횟수는 도 9에 도시된 바와 같이, 각 서브필드마다 동일하게 설정된다. 이와 같이 동일한 서스테인기간을 가지는 서브필드들의 조합으로 계조를 구현할 수 있게 된다.
제 1 내지 제6 서브필드들(SF1∼SF6)은 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드(SF)로서 바이너리 코딩(Binary Coding)되어 최대 64(0∼63)개의 구현 가능한 계조수를 갖는다. 제 7 내지 제 12 서브필드(SF7∼SF12))는 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드(SF)로서 최대 192(65∼256)개의 구현가능한 계조수를 갖는다. 제 12 서브필드(SF12) 뒤에 배치되는 강화펄스 리셋기간은 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드(SF) 영역과 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드(SF) 사이에 배치되어 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 첫번째 서브필드(SF1)에서 오방전이 발생되지 않도록 벽전하의 상태를 변화시키는 역할을 하고 계조표현에는 영향을 미치지 않는다. 그러므로, 한 프레임 기간에 전체 구현 가능한 서브필드 계조수는 선택적 쓰기(SW) 서브필드의 바이너리 코딩 계조수와 선택적 소거(SE) 서브필드의 구현가능한 계조수의 합 만큼(64 +192 = 256)이다. 이러한 서브필드의 조합으로 총 256개의 구현가능한 계조수를 가지게 된다. 이러한 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 방식의 구동방법은 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF)에 의해 플라즈마 디스플레이 패널을 고속으로 구동시킴과 아울러, 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF)에 의해 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
도 10은 도 8에 도시된 한 프레임 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 나타내는 도면이다.
선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 제 1 내지 제 6 서브필드(SF1∼SF6) 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형은 서스인 기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 인가되는 서스테인 펄스(Susy, Susz)의 개수를 제외하고는 모든 서브필드(SF1∼SF6)의 기간에 동일한 파형이 인가되므로 도 10을 참조하여 제 6 서브필드(SF4)의 기간에 각 전극에 인가되는 파형의 설명을 통해 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF1∼SF6)의 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형을 설명하기로 한다.
한 프레임의 기간 중 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 제 1 내지 제 6 서브필드들(SF1∼SF6) 각각은 다시 전화면을 초기화시키기 위한 리렛기간, 서스테인기간에 방전시킬 셀을 선택하기 위한 선택적 쓰기 어드레스기간, 선택적 쓰기 어드레스기간에 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋기간은 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)에 인가되는 파형에 따라 셋업(Set Up)기간과, 셋다운(Set Down)기간으로 나뉜다. 셋업기간에는 모든 스캔전극(Y)들에 상승 램프파형(Ramp-Up)이 동시에 인가된다. 셋업기간에 서스테인전극(Z)과 어드레스전극(X)에는 기저전압(GND)이 인가된다. 스캔전극(Y)에 인가되는 상승 램프파형(Ramp-Up)에 의해 전화면의 셀들 내에서 스캔전극(Y)과 어드레스전극(X) 사이와, 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 사이에는 프라이밍방전이 일어나게 된다. 프라이밍방전에 의해 어드레스전극(X)과 서스테인전극(Z) 상에는 정극성(+)의 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔전극(Y) 상에는 부극성(-)의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운기간에는 스캔전극(Y)에 상승 램프파형이 공급된 후, 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 기저전압(GND) 또는 부극성(-)의 전압값까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-Down)이 스캔전극(Y)들에 동시에 인가된다. 이와 동시에, 공통전극인 서스테인전극(Z)에는 서스테인 펄스의 전압값과 같은 크기의 정극성(+)의 직류전압(Vs)이 인가되고, 어드레스전극(X)에는 기저전압(0[V])이 인가된다. 하강 램프파형이 인가될 때, 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 사이에 셋다운 방전이 일어나게 된다. 이 셋다운 방전은 셋업기간에 발생된 벽전하들 중에서 어드레스 방전에 불필요한 과도한 벽전하를 소거시키게 된다.
선택적 쓰기 어드레스기간에는 도 11에 도시된 바와 같이, -Vy 값을 가지는 부극성(-)의 스캔펄스(Scan)가 스캔전극(Y)들에 순차적으로 인가됨과 동시에 이 스캔펄스(Scan)에 동기되어 어드레스전극(X)들에 정극성(+)의 데이터(Data)가 인가된다. 스캔펄스(Scan)와 데이터(Data)의 전압차와 리셋기간에 생성된 벽전하로 인한 벽전압이 더해지면서 데이터(Data)가 인가되는 셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있는 정도의 벽전하가 형성된다. 한편, 서스테인전극(Z)에는 셋다 운기간과 어드레스기간 동안에 서스테인 펄스의 전압값과 같은 크기의 정극성(+)의 직류전압(Vs)이 공급된다.
서스테인기간에는 스캔전극(Y)들과 서스테인전극(Z)들에 교번적으로 서스테인 전압(Vs)을 가지는 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽전압과 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 더해지면서 매 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가될 때 마다 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z) 사이에 서스테인(유지)방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다. 각각의 서브필드들(SF1∼SF6)의 서스테인기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 인가되는 서스테인 펄스(Susy, Susz)의 개수는 각각의 서브필드(SF)에서 표현되는 계조값에 따라 다르게 설정된다. 즉, 낮은 계조를 표현하는 서브필드(SF)의 서스테인기간에는 적은 수의 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가되고, 높은 계조를 표현하는 서브필드(SF)의 서스테인기간에는 많은 수의 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 인가된다.
선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 제 7 내지 제 12 서브필드(SF7∼SF12) 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전극에 인가되는 파형은 각 서브필드(SF)에서 표현되는 계조값이 다른 경우 서스테인기간에 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 인가되는 서스테인 펄스(Susy, Susz)의 개수가 다른 것을 제외하고는 모든 서브필드(SF7∼SF12)의 기간에 동일한 파형이 인가되므로 도 10을 참조하여 제 7 서브필드(SF8)의 기간에 각 전극에 인가되는 파형의 설명을 통해 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드들(SF7∼SF12)의 기간에 플라즈마 디스플레이 패널의 각 전 극에 인가되는 파형을 설명하기로 한다.
한 프레임의 기간 중 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 제 7 내지 제 12 서브필드들(SF7∼SF12) 각각은 다시 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 마지막 서브필드(SF6) 기간에 턴-온된 셀들 중 서스테인기간에 방전시키지 않을 셀을 선택적으로 턴-오프(Turn-Off) 시키기 위한 선택적 소거 어드레스기간과 선택적 소거 어드레스기간에 선택되지 않은 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인기간으로 나뉘어 구동된다.
선택적 소거 어드레스기간에는 도 11에 도시된 바와 같이, -Vy 값을 가지는 부극성(-)의 스캔펄스(Scan)가 스캔전극들(Y)에 순차적으로 인가됨과 동시에 이 스캔펄스(Scan)에 동기되어 어드레스전극들(X)에 어드레스전극(X)들에 정극성(+)의 데이터(Data)가 인가된다.
이에 따라, 데이터(Data)가 공급된 방전셀들에서는 선택적 소거 방전이 발생되어 방전셀내의 벽전하가 소거된다. 이때, 소거 방전이 발생되지 않은 방전셀들에는 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 마지막 서브필드(SF6) 기간에 형성된 벽전하가 충분히 유지된다. 한편, 서스테인전극(Z)에는 선택적 소거 어드레스기간 동안에 기저전압(GND)가 공급된다.
서스테인기간에는 스캔전극(Y) 및 서스테인전극(Z)에 교번적으로 서스테인 펄스(Susy, Susz)가 공급된다. 이에 따라, 선택적 소거 어드레스기간에서 벽전하가 소거되지 않은 방전셀들에서 서스테인(유지) 방전이 발생된다. 이때, 서스테인 방전(유지)횟수를 조절하여 휘도 가중치에 대응하는 계조값을 표현한다.
강화리셋 펄스기간에는 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 제 1 내지 제 6 서브필드(SF1∼SF6)의 리셋기간에 인가되는 리셋펄스와 동일한 강화리셋펄스가 스캔전극(Y)에 인가된다.
강화리셋펄스기간은 스캔전극(Y)과 서스테인전극(Z)에 인가되는 파형에 따라 셋업(Set Up)기간과, 셋다운(Set Down)기간으로 나뉜다. 셋업기간에는 모든 스캔전극(Y)들에 상승 램프파형(Ramp-Up)이 동시에 인가된다. 셋업기간에 어드레스전극(X)에는 기저전압(GND)이 인가되고, 서스테인전극(Z)은 플로우팅(Floating) 된다. 즉, 서스테인전극(Z)에는 전압이 공급되지 않는다.
스캔전극(Y)에 인가되는 상승 램프파형(Ramp-Up)에 의해 전화면의 셀들 내에서 스캔전극(Y)과 어드레스전극(X) 사이에는 프라이밍방전이 일어나게 된다. 프라이밍방전에 의해 어드레스전극(X) 상에는 정극성(+)의 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔전극(Y) 상에는 부극성(-)의 벽전하가 쌓이게 된다. 서스테인전극(Z)은 플로우팅되어 있으므로 방전이 발생되지 않는다.
셋다운기간에는 스캔전극(Y)에 상승 램프파형이 공급된 후, 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 기저전압(GND) 또는 부극성(-)의 전압값까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-Down)이 스캔전극(Y)들에 동시에 인가된다. 셋다운기간에 어드레스전극(X)에는 기저전압(GND)이 인가되고, 서스테인전극(Z)은 플로우팅(Floating) 된다. 즉, 서스테인전극(Z)에는 전압이 공급되지 않는다.
셋다운기간에 스캔전극(Y)에 인가되는 하강 램프파형에 의해 스캔전극(Y)과 어드레스전극(X) 사이에 셋다운 방전이 일어나게 된다. 이 셋다운 방전은 셋업기간에 발생된 벽전하를 소거시켜 방전셀의 벽전하를 선택적 쓰기(SW) 구동방식에 맞도록 안정화시킨다. 이러한 강화리셋펄스에 의해서 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 방식으로 구동되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 구간이 끝난 후 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 구간으로 넘어갈 때 발생할 수 있는 오방전을 방지하여 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 플라즈마 디스플레이 패널 내에 봉입된 방전가스 중 Xe의 함량을 5% 이상 증가시킨 고밀도 Xe 패널에 적용할 수 있다.
전술에서는 1초를 60㎐로 나누어 한 프레임을 구동하는 방법으로 설명하였으나 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 도 12에 도시된 바와 같이, 1초를 50㎐로 나누어 한 프레임을 구동하는 방법에도 적용할 수 있다. 또한, 표시 화상을 256 계조로 표현하는 방법 뿐만 아니라 계조표현을 256 계조보다 낮거나 또는, 높게하는 구동방법에서도 적용할 수 있다.
그리고 전술에서는 한 프레임을 12개의 서브필드로 분할하여 구동시키는 방법으로 설명하였으나 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 한 프레임을 구성하는 서브필드의 수를 12개보다 적게 구성하거나 또는, 많게 구성하는 구동방법에도 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 마지막 서브필드 뒤에 강화리셋펄스를 인가시키고 이 강화리셋펄스를 통해 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 서브필드 기간에 발생된 방전셀의 벽전하를 선택적 쓰기(SW) 구동방식에 맞도록 안정화시킨다. 이러한 강화리셋펄스에 의해서 선택적 쓰기 및 소거(SWSE) 방식으로 구동되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 선택적 소거(SE) 방식으로 구동되는 구간이 끝난 후 선택적 쓰기(SW) 방식으로 구동되는 구간으로 넘어갈 때 발생할 수 있는 오방전을 방지하여 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품질을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (11)

  1. 다수의 스캔전극, 서스테인전극 및 어드레스전극이 형성되며 프레임 단위로 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서,
    한 프레임기간을 다수의 서브필드기간 및 강화리셋펄스기간으로 나누어 화상을 표시하되,
    상기 다수의 서브필드기간 중에 선택적 소거 방식으로 구동되는 마지막 서브필드 뒤에 강화리셋펄스를 인가하며, 선택적 쓰기 방식에 맞도록 상기 강화리셋펄스를 통해 상기 선택적 소거 방식으로 구동되는 상기 서브필드 기간에 발생된 방전셀의 벽전하를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 서브필드는 상기 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 다수의 선택적 쓰기 서브필드와,
    상기 선택적 소거 방식으로 구동되는 다수의 선택적 소거 서브필드로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 선택적 쓰기 서브필드 각각은 리셋기간, 선택적 쓰기 어드레스기간 및 서스테인 기간으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 선택적 소거 서브필드 각각은 선택적 소거 어드레스기간 및 서 스테인 기간으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 선택적 소거 서브필드는 상기 다수의 선택적 쓰기 서브필드 뒤에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 강화리셋펄스기간은 상기 다수의 선택적 소거 서브필드의 마지막 선택적 소거 서브필드 뒤에 진행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 강화리셋펄스기간에 상기 스캔전극에는 램프파형이 인가됨과 아울러 상기 어드레스전극에는 기저전압이 인가되되고,
    상기 서스테인전극은 플로우팅되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 램프파형은 상기 스캔전극과 상기 어드레스전극간에 셋업 방전을 발생 시키기 위한 정극성의 상승 램프파형과,
    상기 상기 스캔전극과 상기 어드레스전극간에 셋다운 방전을 발생시키기 위한 하강 램프파형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하강 램프파형은 상기 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 전압에서 떨어지기 시작하여 기저전압 또는 부극성의 전압까지 떨어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 한 프레임은 1/60초의 기간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 한 프레임은 1/50초의 기간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
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