KR100542707B1 - Boat for holding wafer and ring mounted therein - Google Patents

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    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support

Abstract

본 발명에 따른 보우트는 상부영역 및 하부영역으로 구분되어 하부 영역에는 제 1 형태의 링들이, 상부영역에는 제 2 형태의 링들이 각각 장착된다. 제 1 형태의 링 각각은 중앙부에 개구가 형성되고, 개구 외측의 외곽부재상에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성되어 있으며, 제 2 형태의 링 각각은 중앙부에 개구가 형성되고 개구 외측의 외곽부재는 개구와 인접하는 제 1 면과 제 1 면보다 두께가 두꺼운 제 2 면으로 구분된다. 제 2 면상에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성된다. The boat according to the present invention is divided into an upper region and a lower region so that rings of the first type are mounted in the lower region and rings of the second type are respectively mounted in the upper region. Each ring of the first form has an opening in the center, and a plurality of tips are formed on the outer member outside the opening, and each ring of the second form has an opening in the center and the outside of the opening. The member is divided into a first face adjacent to the opening and a second face thicker than the first face. A plurality of tips are formed on which the wafer is placed on the second surface.

각각의 제 2 형태의 링 중심부에 형성된 개구는 그 직경이 각각의 제 1 형태의 링 중심부에 형성된 개구의 직경보다 작게 형성된다. 제 2 형태의 링에 형성된 개구의 직경은 링 전체의 직경의 84 내지 85% 범위 내에서 구성하였다.The openings formed in the ring centers of each second form are formed smaller in diameter than the diameters of the openings formed in the ring centers of each first form. The diameter of the opening formed in the ring of the second form constituted within the range of 84 to 85% of the diameter of the entire ring.

웨이퍼 지지용 보우트Wafer Support Boat

Description

웨이퍼 지지용 보우트 및 이에 장착되는 링{Boat for holding wafer and ring mounted therein} Board for holding wafer and ring mounted therein {Boat for holding wafer and ring mounted therein}             

도 1은 웨이퍼 지지용 보우트의 측면도.1 is a side view of a wafer supporting boat.

도 2a는 보우트를 구성하는 수직 바의 부분 도면.2A is a partial view of a vertical bar constituting the boat.

도 2b 및 2c는 보우트를 구성하는 어느 한 링의 평면도 및 단면도.2B and 2C are plan and cross-sectional views of one ring constituting the boat.

도 2d는 링 표면에 형성된 팁의 단면도. 2D is a cross-sectional view of the tip formed on the ring surface.

도 3은 본 발명에 이용된 링중 어느 한 링의 평면도. 3 is a plan view of one of the rings used in the present invention.

도 4는 도 3의 선 4-4를 따라 절취한 상태의 단면도. 4 is a cross-sectional view taken along the line 4-4 of FIG.

도 5는 기존의 보우트를 이용하여 웨이퍼에 대한 증착공정을 실시하는 상태를 도시한 구성도.5 is a configuration diagram showing a state of performing a deposition process for a wafer using a conventional boat.

도 6은 본 발명에 따른 보우트를 이용하여 웨이퍼에 대한 증착공정을 실시하는 상태를 도시한 구성도.Figure 6 is a block diagram showing a state of performing a deposition process for a wafer using a boat according to the present invention.

도 7도는 단차의 또다른 형태를 도시한 단면도.Fig. 7 is a sectional view showing another form of step.

본 발명은 웨이퍼 지지용 보우트에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 중심부로의 반응 가스 유입을 증가시켜 웨이퍼 표면에 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬수 있는 보우트 및 그 내부에 장착되는 링에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer holding boat, and more particularly, to a boat and a ring mounted therein that can increase the reaction gas flow into the center of the wafer to improve the uniformity of the thin film formed on the wafer surface.

반도체 소자 제조공정중의 하나인 SiO2 절연체(insulator)박막 성장공정에서는 SiH4+N2O 가스 또는 Si2H6+N2O 가스를 이용하게 된다. 즉, 저압화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition)방법을 이용한 증착공정은 증착장비 내에 다수의 웨이퍼를 로딩(loading)시킨 상태에서 장비내에 SiH4+N2O 가스 또는 Si2H6+N2O 가스를 공급함으로서 웨이퍼 표면에 박막이 형성된다. SiH 4 + N 2 O gas or Si 2 H 6 + N 2 O gas is used in the SiO 2 insulator thin film growth process, which is one of the semiconductor device manufacturing processes. That is, a deposition process using a low pressure chemical vapor deposition method is SiH 4 + N 2 O gas or Si 2 H 6 + N 2 in the equipment in the state of loading a plurality of wafers in the deposition equipment (loading) By supplying O gas, a thin film is formed on the wafer surface.

이와 같이 증착공정을 위하여 장비 내에 웨이퍼를 로딩시키기 위해서는 웨이퍼 지지용 보우트(wafer holder boat)를 이용한다. 도 1은 웨이퍼 지지용 보우트의 측단면도로서, 보우트(10)는 상하로 이격된 판형의 상부 및 하부 프레임(1 및 2)을 가지며, 상부 및 하부 프레임(1 및 2)은 다수의 수직 바(3A, 3B: 도 1에는 2개의 수직 바가 도시되어 있지만 실질적으로는 4개의 수직 바가 존재함)에 의하여 일체화된다. As such, a wafer holder boat is used to load the wafer into the equipment for the deposition process. 1 is a cross-sectional side view of a wafer support boat, wherein the boat 10 has plate-shaped upper and lower frames 1 and 2 spaced up and down, and the upper and lower frames 1 and 2 have a plurality of vertical bars ( 3A, 3B: In FIG. 1 two vertical bars are shown but substantially four vertical bars are integrated).

다수의 수직 바(3A, 3B)는 각 프레임(1 및 2)의 양측 및 후단부에 위치한다. 도 2a는 도 1에 도시된 수직 바(3A, 3B)중 어느 한 수직 바(3A)의 부분 도면으로서, 수직 바(3A)의 내면에는 전 높이에 걸쳐 다수의 슬롯(3A-1; slot)이 형성되어 있다. 각 수직 바에 형성된 각 슬롯은 다른 수직 바에 형성된 대응 슬롯과 수평을 이루어며, 따라서 도 2b에 도시된 링(ring)의 외곽부는 각 수직 바의 대응 슬롯 내에 수용, 고정된다. A plurality of vertical bars 3A, 3B are located at both sides and rear ends of each frame 1 and 2. FIG. 2A is a partial view of one of the vertical bars 3A of the vertical bars 3A and 3B shown in FIG. 1, in which the inner surface of the vertical bars 3A is provided with a plurality of slots 3A-1; Is formed. Each slot formed in each vertical bar is horizontal with the corresponding slot formed in the other vertical bar, so the outer portion of the ring shown in FIG. 2B is received and fixed in the corresponding slot of each vertical bar.

도 2b 및 도 2c는 보우트에 장착되는 어느 한 링(4)의 평면도 및 단면도로서, 각 링(4)의 중심부는 개구(4-1)가 형성되어 있으며, 그 외곽부는 각 수직 바(3A, 3B)에 형성된 슬롯 내에 수용된다. 각 링(4)의 양측 및 후단의 외곽부(4-2)에는 웨이퍼(도시되지 않음)가 얹혀지는 팁(4-3)이 형성되어 있으며, 링(4)의 양측 및 후단부가 상술한 각 수직 바(3A, 3B)의 슬롯(3-1) 내에 수용된 상태에서 용접, 고정(도 2b의 W부분)ㅉB된다. 도 2d는 링(4)에 형성된 팁(4-3)의 단면도로서, 그 형태를 도시하고 있다. 2B and 2C are a plan view and a cross-sectional view of any ring 4 mounted on the boat, the center of each ring 4 having an opening 4-1, the outer portion of each ring 4 having a vertical bar 3A, Housed in a slot formed in 3B). On both sides of each ring 4 and the outer edge 4-2 of the rear end, a tip 4-3 on which a wafer (not shown) is placed is formed, and both sides and the rear end of the ring 4 are described above. In the state accommodated in the slot 3-1 of the vertical bars 3A and 3B, it is welded and fixed (W part of FIG. 2B) #B. FIG. 2D is a cross-sectional view of the tip 4-3 formed in the ring 4, showing its form.

다수의 링(4)은 그 외곽부(4-2)가 각 수직 바(3A, 3B)의 수평대응하는 슬롯 (3-1) 내에 수용, 고정된 상태이며, 따라서 도 1에 도시된 바와 같이, 상부 및 하부 프레임(1 및 2) 사이에서 다수의 링(4)이 일정한 간격을 가지고 적층된 상태를 유지한다. 웨이퍼는 로딩 장치에 의하여 링(4)과 링 사이에 형성된 공간을 통하여 어느 한 링(4) 위로 이송되며, 이후 링(4)에 형성된 팁(4-3) 상에 수평으로 놓여짐으로서 웨이퍼의 로딩이 완료된다. The plurality of rings 4 have their outer portions 4-2 housed and fixed in the horizontally corresponding slots 3-1 of the respective vertical bars 3A and 3B, and as shown in FIG. , The plurality of rings 4 are stacked at regular intervals between the upper and lower frames 1 and 2. The wafer is transported by either loading device over the ring 4 and through the space formed between the ring 4 and then placed horizontally on the tip 4-3 formed in the ring 4 so that the wafer The loading is complete.

이상과 같이, 보우트(10)를 구성하는 다수의 링(4) 상에 다수의 웨이퍼를 로딩시킨 후 장비 내에 공정가스(SiH4+N2O 가스 또는 Si2H6+N 2O 가스)를 공급하면 링(4)과 링(4) 사이에 형성된 공간 및 수직 바와 수직 바(3A와 3B) 사이의 공간을 통하여 가스가 웨이퍼 표면으로 유동함으로서 웨이퍼 표면에 박막을 형성하게 된 다. 그러나, 이러한 증착공정에서는 다음과 같은 문제점이 발생하게 된다. As described above, after loading a plurality of wafers on the plurality of rings 4 constituting the boat 10, a process gas (SiH 4 + N 2 O gas or Si 2 H 6 + N 2 O gas) is loaded into the equipment. When supplied, gas flows to the wafer surface through the space formed between the ring 4 and the ring 4 and between the vertical and vertical bars 3A and 3B to form a thin film on the wafer surface. However, the following problem occurs in such a deposition process.

첫째, 증착공정을 위하여 사용되는 SiH4+N2O 가스 또는 Si2H6+N 2O 가스 및 증착조건(2 Torr 이하의 압력 및 700 내지 850℃의 온도)으로 인하여 웨이퍼 표면에 형성되는 박막의 두께가 불균일하게 형성되며, 이를 해결하기 위하여 도면에 도시된 링과 동일한 형태의 석영 기판이 장착된 보우트를 사용하기도 한다. 그러나 이러한 방법 역시 소자의 고집적화로 인하여 원하는 정도의 박막 두께의 균일도를 얻기 어렵다.First, a thin film formed on the wafer surface due to the SiH 4 + N 2 O gas or Si 2 H 6 + N 2 O gas used for the deposition process and the deposition conditions (pressure below 2 Torr and temperature of 700 to 850 ℃) The thickness of the non-uniform is formed, in order to solve this problem, a boat equipped with a quartz substrate having the same shape as the ring shown in the drawing may be used. However, this method is also difficult to obtain the uniformity of the desired thin film thickness due to the high integration of the device.

둘째, 증착장비의 가동 효율성을 향상시키기 위해서 장비 내에 로딩되어지는 웨이퍼의 수, 즉 보우트에 로딩되는 웨이퍼의 수를 증가(75매의 웨이퍼에서 100매 이상의 웨이퍼)시키는 추세에 있다. 이런 경우 동일한 량으로 공급되는 가스가 보다 많은 수의 웨이퍼 표면에 공급되며, 이는 한 웨이퍼로 유입되는 가스의 량이 감소됨을 의미한다. 따라서, 양이 감소된 가스로 인하여 웨이퍼 표면에 형성되는 박막의 두께가 불균일해지며, 이에 따라 제품의 소자특성 열화 및 수율 감소가 발생하게 된다. Second, there is a trend to increase the number of wafers loaded in the equipment, that is, the number of wafers loaded in the boat (more than 100 wafers in 75 wafers) in order to improve the operation efficiency of the deposition equipment. In this case, the same amount of gas is supplied to a larger number of wafer surfaces, which means that the amount of gas entering a wafer is reduced. Therefore, the thickness of the thin film formed on the wafer surface becomes uneven due to the reduced amount of gas, resulting in deterioration of device characteristics of the product and reduction of yield.

일반적으로 박막증착 공정 실시후, 웨이퍼 표면에 형성된 박막의 두께가 불균일해지는 비율은 약 5 내지 6% 정도로서, 박막두께가 불균일한 상태의 웨이퍼는 후 공정으로 진행하지 못하고 재처리 과정을 실시하게 된다. In general, after the thin film deposition process, the thickness of the thin film formed on the wafer surface is about 5 to 6%, and the wafer having the non-uniform thickness of the thin film is not subjected to a subsequent process and is subjected to a reprocessing process.

셋째, 장비 내에 위치하는 보우트의 규격이 일정한 상태에서 보다 많은 수의 웨이퍼를 로딩할 경우 웨이퍼와 웨이퍼간의 간격이 좁아질 수 밖에 없으며, 이러한 조건에서는 웨이퍼 중앙부로 가스의 유입이 원활하게 이루어지지 않게 된다. 결국 웨이퍼 중앙부로의 원활하지 못한 가스의 흐름은 증착공정후 웨이퍼의 외곽부 (edge)와 중앙부간에 박막의 두께 차이 발생이라는 문제점을 필연적으로 유발하게 된다. Third, when a large number of wafers are loaded in a state in which the size of the boat located in the equipment is constant, the gap between the wafers and the wafers must be narrowed, and in such a condition, inflow of gas to the center of the wafer is not smoothly performed. . As a result, inefficient flow of gas to the center of the wafer inevitably causes a problem of thickness difference between the edge and the center of the wafer after the deposition process.

본 발명은 보우트 내에 로딩된 다수의 웨이퍼에 대한 증착공정중에서 발생되는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보우트의 구성부재인 링의 구조를 변형시킴으로서 웨이퍼 표면에 형성되는 박막 두께의 균일성을 향상시킬수 있는 보우트 및 그 내부에 장착되는 링을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the above-described problems during the deposition process for a plurality of wafers loaded in the boat, it is possible to improve the uniformity of the thin film thickness formed on the wafer surface by modifying the structure of the ring, which is a constituent member of the boat. It is an object to provide a bow and a ring mounted therein.

상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 보우트는 상부영역 및 하부영역으로 구분되어 하부 영역에는 제 1 형태의 링들이, 상부영역에는 제 2 형태의 링들이 각각 장착된다. 제 1 형태의 링 각각은 중앙부에 개구가 형성되고, 개구 외측의 외곽부재상에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성되어 있으며, 제 2 형태의 링 각각은 중앙부에 개구가 형성되고 개구 외측의 외곽부재는 개구와 인접하는 제 1 면과 제 1 면보다 두께가 두꺼운 제 2 면으로 구분된다. 제 2 면상에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성된다. The boat according to the present invention for realizing the above object is divided into an upper region and a lower region so that rings of a first type are mounted in a lower region and rings of a second type are respectively mounted in an upper region. Each ring of the first form has an opening in the center, and a plurality of tips are formed on the outer member outside the opening, and each ring of the second form has an opening in the center and the outside of the opening. The member is divided into a first face adjacent to the opening and a second face thicker than the first face. A plurality of tips are formed on which the wafer is placed on the second surface.

각각의 제 2 형태의 링 중심부에 형성된 개구는 그 직경이 각각의 제 1 형태의 링 중심부에 형성된 개구의 직경보다 작게 형성된다. 제 2 형태의 링에 형성된 개구의 직경은 링 전체의 직경의 84 내지 85%로 하는 것이 바람직하다.
The openings formed in the ring centers of each second form are formed smaller in diameter than the diameters of the openings formed in the ring centers of each first form. The diameter of the opening formed in the ring of the second aspect is preferably 84 to 85% of the diameter of the entire ring.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 보우트의 전체적인 구성은 도 1에 도시된 보우트(10)와 동일하며, 가장 큰 특징은 보우트(10)를 구성하는 부재중 웨이퍼가 로딩하는 각 링의 구성을 변형시킨 것이다. The overall configuration of the boat according to the present invention is the same as that of the boat 10 shown in FIG. 1, the biggest feature being the modification of the configuration of each ring loaded by the wafer in the member constituting the boat 10.

도 3은 본 발명에 이용된 어느 한 링의 평면도로서, 링(40)의 중심부는 개구(41)가 형성되어 있으며, 그 외곽부는 도 1에 도시된 보우트(10)를 구성하는 각 수직 바(3A, 3B)에 형성된 슬롯(도 2a의 3-1)내에 수용, 용접(도 3의 W부분)됨으로서 수직 바(3A, 3B)에 고정된다. 각 링(40)의 외곽부재(42)의 양측 및 후단에는 웨이퍼가 얹혀지는 팁(43)이 형성되어 있으며, 그 구성은 도 2d에 도시된 바와 동일하다. 3 is a plan view of one of the rings used in the present invention, the center of the ring 40 is formed with an opening 41, the outer portion of each vertical bar constituting the boat 10 shown in FIG. It is fixed to the vertical bars 3A and 3B by being accommodated and welded (W portion in FIG. 3) in the slots (3-1 in FIG. 2A) formed in 3A and 3B. On both sides and the rear end of the outer member 42 of each ring 40, a tip 43 on which a wafer is placed is formed, and the configuration thereof is the same as that shown in FIG. 2D.

도 4는 도 3의 선 4-4를 따라 절취한 상태의 단면도로서, 링(40)의 중앙부에는 일정직경의 개구(41)가 형성되어 있으며, 그 외곽부재(42)의 표면에는 웨이퍼가 놓여지는 다수의 팁(43)이 형성되어 있다.4 is a cross-sectional view taken along the line 4-4 of FIG. 3, in which the opening 41 of a constant diameter is formed in the center portion of the ring 40, and the wafer is placed on the surface of the outer member 42. FIG. A plurality of tips 43 are formed.

개구(41)의 외곽부재(42)는 그 두께가 서로 다른 제 1 면(42-1)과 제 2 면 (42-2)이 형성되어 있다. 즉, 링(40)의 외곽부재(42)는 개구(41)와 인접하는 제 1 면(42-1)과 제 1 면(42-1)보다 두께가 두꺼운 제 2 면(42-2)로 구분되며, 따라서 그 경계에 단차(段差)가 존재한다. 최외곽부인 제 2 면(42-2)상에 다수의 팁(43)이 형성된다. The outer member 42 of the opening 41 is formed with a first surface 42-1 and a second surface 42-2 having different thicknesses. That is, the outer member 42 of the ring 40 is a first surface 42-1 adjacent to the opening 41 and a second surface 42-2 thicker than the first surface 42-1. There is a step, therefore, at the boundary. A plurality of tips 43 are formed on the outermost second surface 42-2.

본 발명에 사용된 링(40)의 또다른 구성적 특징은 링(40)의 전체 직경에 대한 개구(41)의 직경 비율을 작게 하여 링(40)의 외곽부재(42)의 폭을 넓힌 점이다. 일반적으로 사용중인 링의 직경은 약 230mm로서, 본 발명에서의 링(40)의 개구(41)는 그 직경을 약 84.5%인 195mm로 설정하였다. 이러한 결과는 본 발명자들이 여러 차례의 실험을 통하여 웨이퍼의 중심부와 외곽부에 형성된 박막 두께의 균일성을 조사함으로서 얻어진 가장 양호한 결과치이다. Another constitutional feature of the ring 40 used in the present invention is that the diameter ratio of the opening 41 to the total diameter of the ring 40 is reduced to increase the width of the outer member 42 of the ring 40. to be. In general, the diameter of the ring in use is about 230 mm, and the opening 41 of the ring 40 in the present invention is set to 195 mm, which is about 84.5%. This result is the best result obtained by investigating the uniformity of thin film thickness formed in the center and the outer part of the wafer through several experiments.

이상과 같이 구성된 본 발명의 구성상 효과를 기존의 보우트와 비교하여 설명하기로 한다. The structural effect of the present invention configured as described above will be described by comparing with the existing boat.

도 5는 기존의 보우트를 이용하여 웨이퍼에 대한 증착공정을 실시하는 상태를 도시한 구성도, 도 6은 본 발명에 따른 보우트를 이용하여 웨이퍼에 대한 증착공정을 실시하는 상태를 도시한 구성도로서, 각 도면에서의 화살표는 가스의 흐름을 나타낸다.5 is a block diagram showing a state of performing a deposition process for a wafer using a conventional boat, Figure 6 is a block diagram showing a state of performing a deposition process for a wafer using a boat according to the present invention. , Arrows in each figure indicate the flow of gas.

먼저, 기존의 링(4)을 사용한 보우트에 대해서 설명하면, 증착장비 내에 공급되어 상향으로 유동하는 가스는 각 링(4)이 지지되는 각 수직 바(도시되지 않음)사이의 공간을 통하여 유입된다. 이후, 가스는 각 팁(4-3) 사이의 공간을 통하여 유입(경로 "가")로 유입된 후 각 링(4)의 개구(4-1)를 통하여 상하 적층형태로 로딩된 다수의 웨이퍼(웨이퍼는 실질적으로 각 링의 팁 상에 놓여짐)로 공급된다. 이와 함께 링(4)과 링(4) 사이의 공간을 통하여서도 웨이퍼 표면으로 유입(경로 "나")된다. 도 5에 도시된 바와 같이 링(4)에 대한 개구(41)의 직경이 큰 기존의 링(4)에서는 웨이퍼의 중앙부에 비하여 경로 "가" 및 경로 "나"를 통한 웨이퍼 외 곽부로의 가스 유입량이 증가, 즉 웨이퍼 중심부로 유입되는 가스의 양이 충분하지 않기 때문에 웨이퍼 중앙부에 형성되는 박막의 두께가 상대적으로 얇아지게 된다(도 5의 상태). First, a description will be made of a boat using the existing ring 4, the gas supplied into the deposition equipment and flowing upward flows through the space between each vertical bar (not shown) on which each ring 4 is supported. . Thereafter, the gas is introduced into the inlet (path “ga”) through the space between the respective tips 4-3, and then loaded into the stack up and down through the openings 4-1 of the respective rings 4. (Wafer is placed on the tip of each ring substantially). At the same time, the space between the ring 4 and the ring 4 also flows into the wafer surface (path “b”). As shown in FIG. 5, in the existing ring 4 having a large diameter of the opening 41 to the ring 4, the gas to the outer edge of the wafer through the path “ga” and the path “b” is compared with the center portion of the wafer. Since the flow rate is increased, that is, the amount of gas flowing into the wafer center is not sufficient, the thickness of the thin film formed in the center of the wafer becomes relatively thin (state of FIG. 5).

본 발명에 따른 링을 장착한 보우트에 대해서 도 6을 통하여 설명한다.A boat equipped with a ring according to the present invention will be described with reference to FIG.

마찬가지로, 증착장비 내에 공급된 가스는 각 링(40)의 팁(43) 사이의 공간을 통하여 유입(경로 "a")되며, 각 링(40)의 개구(41)를 통하여 상하 적층형태로 로딩된 각 웨이퍼로 공급된다. 또한 링(40)과 링(40) 사이의 공간을 통하여서도 웨이퍼 표면으로 유입(경로 "b")된다. Likewise, the gas supplied into the deposition equipment is introduced (path "a") through the space between the tips 43 of each ring 40, and is loaded in a vertical stack through the opening 41 of each ring 40. Is fed to each wafer. It also enters the wafer surface (path “b”) through the space between the ring 40 and the ring 40.

여기서, 경로 "a"를 통한 가스는 링(40)의 외곽부재(42)에 형성된 단차로 인하여 그 흐름의 조건이 변화된다. 즉, 단차에 의하여 구분된 외곽부재(42)의 제 2 면(42-2)상에 유입된 가스는 개구(41)를 향하여 유동(流動)하는 과정에서 제 1 면(42-1)으로 유입되는 순간 제 2 면(42-2)과의 높이 차이로 인하여 가스의 유속이 증가되며, 따라서 개구(43)를 통과한 가스는 웨이퍼의 중심부를 향하여 보다 균일하게 분산된다. Here, the gas through the path "a" changes the conditions of the flow due to the step formed in the outer member 42 of the ring 40. That is, the gas introduced on the second surface 42-2 of the outer member 42 divided by the step flows into the first surface 42-1 during the flow toward the opening 41. At the moment, the flow rate of the gas is increased due to the height difference from the second surface 42-2, so that the gas passing through the opening 43 is more uniformly dispersed toward the center of the wafer.

이와 함께 본 발명에서의 링(40)은 도 5와는 달리, 그 중앙부에 형성된 개구(41)의 직경이 작기 때문에, 다시 말해 링(40)의 외곽부재(42)의 폭이 넓기 때문에 개구(41)를 통한 웨이퍼 중앙부로의 가스 유입량이 도 5에 도시한 상태보다는 상대적으로 증가되며, 따라서 도 5와 비교하여 볼때 웨이퍼 중앙부에 형성되는 박막의 두께와 외곽부에 형성되는 박막의 두께가 보다 균일하게 된다. In addition, since the diameter of the opening 41 formed in the center portion of the ring 40 in the present invention is small, that is, in other words, the width of the outer member 42 of the ring 40 is wide. The gas inflow into the center portion of the wafer through) increases relative to the state shown in FIG. 5, so that the thickness of the thin film formed on the center portion of the wafer and the thickness of the thin film formed on the outer portion of the wafer are more uniformly compared to FIG. 5. do.

여기서, 일반적으로 도 1에 도시된 보우트(10)는 상부 영역(U) 및 하부 영역(L)으로 구분되며, 하부 영역(L)에 설치된 링에는 웨이퍼가 로딩되지 않고 상부 영역에 장착된 링에만 웨이퍼가 로딩되어진다. 따라서 보우트(10)의 상부 영역 (U)에 장착되는 링에만 본 발명을 적용함으로서 큰 비용 발생 없이 기존의 보우트를 개량하여 사용할수 있다. 또한 링(40)의 외곽부재(42)에 형성되는 단차의 형상을 도 7a 내지 도 7c와 같이 다양한 형태로 변경하여도 동일한 기능을 얻을수 있음은 물론이다. 여기서, 각 도면에 도시된 링(4 및 40)은 타원형태로 구성되었지만, 원형으로 구성할 수도 있다. Here, in general, the boat 10 shown in FIG. 1 is divided into an upper region U and a lower region L, and the ring installed in the lower region L is not loaded with a wafer, but only in a ring mounted in the upper region. The wafer is loaded. Therefore, by applying the present invention only to the ring mounted in the upper region (U) of the boat (10) it can be used to improve the existing boat without incurring a large cost. In addition, even if the shape of the step formed in the outer member 42 of the ring 40 in a variety of forms as shown in Figure 7a to 7c can of course obtain the same function. Here, the rings 4 and 40 shown in each drawing are configured in an elliptical shape, but may be configured in a circular shape.

이상과 같은 본 발명은 보우트의 구성부재인 각 링의 형상을 변화시킴으로서 웨이퍼의 중앙부와 외곽부에 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있어 웨이퍼의 공정불량을 방지할수 있다. 본 발명을 적용하여 증착공정을 실시한 후 웨이퍼 표면에 형성된 박막의 두께를 측정한 결과, 박막두께가 불균일하게 나타나는 비율은 2%로서, 기존의 링 사용시 나타난 비율보다 현저하게 개선되어짐을 알수 있다. The present invention as described above can improve the uniformity of the thin film formed on the center portion and the outer portion of the wafer by changing the shape of each ring, which is a constituent member of the boat can prevent the wafer defect. As a result of measuring the thickness of the thin film formed on the wafer surface after performing the deposition process by applying the present invention, it can be seen that the non-uniform thickness of the thin film is 2%, which is remarkably improved than the ratio of the existing ring.

단위 공정(1회의 공정)을 위하여 장비내로 로딩되는 웨이퍼의 양이 증가되는 경우에도 그 효과를 얻을수 있어 장비의 가동율을 극대화함은 물론 생산성 향상에 크게 기여할 수 있다.
Even if the amount of wafers loaded into the equipment for a unit process (one process) is increased, the effect can be obtained, which can maximize the operation rate of the equipment and greatly contribute to productivity improvement.

Claims (5)

다수의 수직바에 의하여 일체화된 상태로 상하 이격된 상부 및 하부 프레임을 가지며, 각 수직바의 내면에는 전 높이에 걸쳐 다수의 슬롯이 형성되며, 각 수직바들의 대응 슬롯 각각의 내부에는 웨이퍼가 얹혀지는 링의 외곽부가 수용, 고정되어지는 웨이퍼 지지용 보우트에 있어서, The upper and lower frames are vertically spaced apart from each other by a plurality of vertical bars, a plurality of slots are formed on the inner surface of each vertical bar over the entire height, and the wafer is placed inside each of the corresponding slots of the vertical bars. In the wafer support boat that is accommodated and fixed to the outer portion of the ring, 상기 보우트는 상부영역 및 하부영역으로 구분되어 상기 하부 영역에는 제 1 형태의 링들이, 상부영역에는 제 2 형태의 링들이 각각 장착되되,The boat is divided into an upper region and a lower region so that rings of a first shape are mounted in the lower area and rings of a second shape are respectively mounted in the upper area. 제 1 형태의 링 각각은 그 중앙부에 개구가 형성되고, 개구 외측의 외곽부재상에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성되어 있으며,  Each ring of the first form has an opening formed in the center thereof, and a plurality of tips on which the wafer is placed on the outer member outside the opening, 제 2 형태의 링 각각은 그 중앙부에 개구가 형성되고, 개구 외측의 외곽부재는 개구와 인접하는 제 1 면과 제 1 면보다 두께가 두꺼운 제 2 면으로 구분되며, 최외곽의 상기 제 2 면상에는 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지용 보우트. Each of the rings of the second form has an opening formed in the center thereof, and the outer member outside the opening is divided into a first surface adjacent to the opening and a second surface thicker than the first surface, and on the outermost second surface A wafer holding boat, comprising: a plurality of tips on which a wafer is placed. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 각각의 제 2 형태의 링 중심부에 형성된 개구는 그 직경이 상기 각각의 제 1 형태의 링 중심부에 형성된 개구의 직경보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지용 보우트. And the opening formed in the center of the ring of each of the second forms is smaller than the diameter of the opening formed in the center of the ring of the first forms of each of the first forms. 서로 일체화된 상태로 상하 이격된 상부 및 하부 프레임으로 이루어진 웨이퍼 지지용 보우트의 구성부재인 다수의 수직바에 고정되되, 각 수직바의 내면 전 높이에 걸쳐 형성된 다수의 대응 슬롯 내에 외곽부가 각각 수용, 고정되어지는 링에 있어서, It is fixed to a plurality of vertical bars, which are constituent members of the wafer support boat, which is composed of upper and lower frames spaced up and down while being integrated with each other, and each outer portion is accommodated and fixed in a plurality of corresponding slots formed over the entire height of the inner surface of each vertical bar. In the ring to be made, 중앙부에는 개구가 형성되며, 상기 개구 외측의 외곽부재에는 단차가 형성되어 있으며, 상기 외곽부재에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 링.An opening is formed in the center portion, and a step is formed in the outer member outside the opening, and a ring having a plurality of tips on which the wafer is placed on the outer member is formed. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 외곽부재에 형성된 단차는 개구와 인접하는 제 1 면과 제 1 면보다 두께가 두꺼운 제 2 면으로 이루어지며, 최외곽의 상기 제 2 면상에 웨이퍼가 얹혀지는 다수의 팁이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 링. The step formed on the outer member may include a first surface adjacent to the opening and a second surface thicker than the first surface, and a plurality of tips on which the wafer is placed on the outermost second surface is formed. Ring. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, The method according to claim 3 or 4, 상기 개구의 직경은 링 전체의 직경의 84 - 85%인 것을 특징으로 하는 링.Wherein the diameter of the opening is 84-85% of the diameter of the entire ring.
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