KR100275747B1

KR100275747B1 - Pedestal of vertical vapor deposition device

Info

Publication number: KR100275747B1
Application number: KR1019980045735A
Authority: KR
Inventors: 우성오; 장종기
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1998-10-29
Filing date: 1998-10-29
Publication date: 2000-12-15
Also published as: KR20000027736A

Abstract

수직형 증착장치의 페디스틀에 관해 개시된다. 개시된 페디스틀은: 웨이퍼가 그 상부에 접촉되는 것으로 중앙부분과, 상기 중앙부분을 일정간격을 두고 에워싸는 주변부분과, 상기 주변부분과 중앙부분 사이에 마련되는 것으로 배면가스가 유출되는 홈과, 상기 주변부분과 중앙부분을 연결하는 브리지와, 그 하부에 형성되는 것으로 상기 홈과 연통하는 공동부가 형성된 헤드와; 상기 헤드의 하부를 지지하는 것으로 배면가스를 상기 공동부로 공급하는 스탠드를; 구비한다. 따라서, 중앙부분을 완전히 에워싸도록 된 홈에 의해 배면가스의 원활한 배출 및 분산을 유도함으로써 상기와 같은 증착물 두께의 불균일화를 억제하여, 웨이퍼의 실효면적을 최대화한다. 이와 같은 실효면적의 증대로 결과로 하나의 웨이퍼로부터 생산할 수 있는 반도체 장치의 개수의 증대로 생산성 향상이 가능하게 된다.A pedestal of a vertical vapor deposition apparatus is disclosed. The disclosed pedestal includes: a central portion in which a wafer is in contact with an upper portion thereof, a peripheral portion surrounding the central portion at a predetermined interval, and a groove in which a back gas flows out between the peripheral portion and the central portion, A head having a bridge connecting the peripheral portion and the central portion and a cavity formed under the bridge to communicate with the groove; A stand for supplying a back gas to the cavity by supporting a lower portion of the head; Equipped. Thus, by inducing a smooth discharge and dispersion of the back gas by the grooves completely enclosed in the central portion, such non-uniformity of the deposit thickness is suppressed, thereby maximizing the effective area of the wafer. As a result of the increase in the effective area, productivity can be improved by increasing the number of semiconductor devices that can be produced from one wafer.

Description

Pedestal of vertical deposition equipment

본 발명은 수직형 증착장치의 페디스틀(Pedestal)에 관한 것으로서, 상세히는 후방 가스 배출부의 구조가 개선된 수직형 증착장치의 페디스틀에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pedestal of a vertical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a pedestal of a vertical vapor deposition apparatus having an improved structure of a rear gas outlet.

반도체장치가 하프미크론단위로 고집적화됨에 따라 높은 에스팩트 비(aspect ratio)에 대응하는 배선기술이 요구된다. 이러한 배선기술에는 일반적으로 단차 피복성(段差被覆性)이 우수한 CVD(Chemical Vapor Deposition)가 적용된다.As semiconductor devices are highly integrated in half-micron units, a wiring technology corresponding to a high aspect ratio is required. In general, a chemical vapor deposition (CVD) having excellent step coverage is applied to such a wiring technology.

수직형 CVD 장치에 의한 소위 브랭킷 텅스텐 증착(Blanket W Deposition)은 WF₆와 SiH₄의 환원을 이용하여 종자층(seed layer)인 W(텅스텐)의 핵을 형성한 후, H환원에 의해 W을 성장시키는 열적 CVD 방법이 적용된다. 텅스텐에 의한 콘택트 형성에 있어서의 문제가 되는 접합리이크(leak)는 핵 형성 시 프로세스 조건에 크게 좌우된다. 특히 텅스텐 성장 시 웨이퍼의 기판의 온도 및 가스의 분포는 텅스텐층의 평탄도를 좌우하며, 특히 웨이퍼 에지 부분에 대한 텅스텐의 품위를 좌우한다.The so-called blanket tungsten deposition (Blanket W Deposition) by the vertical CVD apparatus forms the nucleus of the seed layer (tungsten) using the reduction of WF ₆ and SiH ₄ , followed by H reduction. Thermal CVD method is applied to grow the film. Bond leakage, which is a problem in contact formation by tungsten, is highly dependent on process conditions at the time of nucleation. In particular, the temperature and gas distribution of the substrate of the wafer during tungsten growth influences the flatness of the tungsten layer, and in particular, the quality of tungsten with respect to the wafer edge portion.

도 1은 하나의 챔버 내에 다수의 패디스틀이 마련된 수직형 CVD 장치의 개략적 구성을 보인 사시도이며, 도 2는 상기 패디스틀의 배치구조를 보인 평면도이며, 도 3은 패디스틀의 측면 구조를 개략적으로 보인 발췌 측면도이다.1 is a perspective view showing a schematic configuration of a vertical CVD apparatus having a plurality of paddles in one chamber, FIG. 2 is a plan view showing an arrangement of the paddles, and FIG. 3 is a side structure of the paddles A schematic side view of the excerpt.

도 1과 도 2를 참조하면, 챔버(1)의 상하에 상판(2)과 하판(3)이 마련되고, 하판(3) 상에는 복수의 페디스틀(5)이 등각도 간격으로 배치되어 있다. 그리고 각 패디스틀(6)의 상부에는 반응가스를 공급하는 샤워 헤드(4)가 일정 간격을 두고 설치된다.1 and 2, an upper plate 2 and a lower plate 3 are provided above and below the chamber 1, and a plurality of pedestals 5 are disposed at equal angle intervals on the lower plate 3. . In addition, the shower head 4 for supplying the reaction gas is provided at a predetermined interval on the upper portion of each paddle (6).

도 3a를 참조하면, 패디스틀(5)의 상면에 일측에 평탄한 원형의 그루브(5a)가 형성되어 있고, 그루브(5a)의 바닥에는 일정한 간격으로 가스유출공(5b)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 3A, a flat circular groove 5a is formed on one side of the upper surface of the paddle 5, and gas outlet holes 5b are formed at regular intervals at the bottom of the groove 5a.

도 3b를 참조하면, 상기 패디스틀(5)의 상면에 웨이퍼(W)가 장착되는데, 이때에 상기 웨이퍼(W)의 가장자리는 상기 그루브(5a)의 중간 부분에 걸쳐 있는 상태에서 그루브(5)의 내측 가장자리로부터 일정한 거리(t₁)를 두고 떨어져 있다. 이때에 상기 패디스틀(5)의 중앙 부분과 그 가장자리 부분이 같은 높이를 유지한다.Referring to FIG. 3B, a wafer W is mounted on an upper surface of the paddle 5, in which the edge of the wafer W extends over the middle portion of the groove 5 a. Is spaced a certain distance (t ₁ ) from the inner edge of. At this time, the center portion and the edge portion of the paddle (5) maintain the same height.

한편, 다른 유형의 패디스틀(5)은 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 장착되는 중앙부분이 그 가장자리 부분에 비해 놓게 형성되어 있고, 그리고 웨이퍼(W)의 가장자리는 그루브(5c)의 내측 가장자리로부터 소정 거리(t₂₎를 유지하여 그루브(5c)가 완전히 포개어진 상태를 유지한다.On the other hand, as shown in FIG. 4, the other type of paddle frame 5 is formed so that the center portion on which the wafer W is mounted is placed relative to the edge portion thereof, and the edge of the wafer W is formed by a groove ( The predetermined distance t ₂ is maintained from the inner edge of 5c to keep the groove 5c completely folded.

위의 구조의 패디스틀에서 도 3에 도시된 패디스틀의 경우 상기 거리 t₁은 일반적으로 2mm 정도이며, 도 4에 도시된 패디스틀의 경우는 약 10mm 정도이다.In the paddle structure of the above structure, the distance t ₁ is generally about 2 mm in the case of the paddle frame shown in FIG. 3, and is about 10 mm in the paddle case shown in FIG. 4.

이러한 구조를 가지는 종래 패디스틀에 있어서 상기 거리가 2mm인 패디스틀의 경우, 샤워 헤드로부터 공급된 반응가스가 웨이퍼(W)의 가장자리와 그루브(5a) 사이의 틈을 통해 웨이퍼 배면 가장자리 측으로 유입되기 때문에 웨이퍼 뒷면 가장자리에도 증착이 이루어 지게 된다. 특히 이는 가스 유출공을 통해 유입된 후방 가스가 그루브내에서 충분히 확산되지 않아 샤워 헤드로 부터의 반응가스가 유입되기 때문이다. 그리고, 도 4에 도시된 패디스틀의 경우 그루브가 웨이퍼의 가장자리에 의해 충분히 커버되어 있기 때문에 이로 공급된 후방가스가 그루브 내에서 충분히 확산된 후 웨이퍼 가장자리의 틈을 통해 배출된다. 따라서, 샤워 헤드로 부터의 반응가스가 웨이퍼의 배면측으로 유입되지 않고 결과적으로 웨이퍼의 배면에는 증착이 이루어지지 않는다. 그러나, 웨이퍼의 가장자리 부분의 상당한 폭, 즉 그루브의 내측 가장자리로부터 그 외곽부분 까지가 페디스틀로부터 들떠있어서, 페디스틀에 의해 웨이퍼의 가장자리의 온도가 페디스틀에 접촉된 중앙부분에 비해 온도가 낮다. 따라서, 웨이퍼 상면 가장자리 부분에 증착이 불완전하게 이루어져 웨이퍼 실효면적이 감소된다.In the conventional paddletle having such a structure, in the case of the paddletle having a distance of 2 mm, the reaction gas supplied from the shower head flows into the wafer back edge through the gap between the edge of the wafer W and the groove 5a. As a result, deposition occurs on the back edge of the wafer. In particular, this is because the back gas introduced through the gas outlet hole is not sufficiently diffused in the grooves so that the reaction gas from the shower head is introduced. In the case of the paddletle shown in FIG. 4, since the groove is sufficiently covered by the edge of the wafer, the back gas supplied thereto is sufficiently diffused in the groove and then discharged through the gap of the wafer edge. Therefore, the reaction gas from the shower head does not flow to the back side of the wafer, and as a result, no deposition is performed on the back side of the wafer. However, the considerable width of the edge of the wafer, i.e. from the inner edge of the groove to its outer edge, is lifted from the pedestal, so that the temperature of the edge of the wafer by the pedestal is compared to the center of the contacted pedestal. Is low. Therefore, deposition is incomplete on the upper edge of the wafer, thereby reducing the wafer effective area.

본 발명은 웨이퍼의 배면에 대한 증착을 효과적으로 방지함과 아울러 웨이퍼 전면에 대한 증착이 골고루 유도되게 하여 웨이퍼의 실효면적을 증대할 수 있는 수직형 증착장치의 페디스틀을 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a pedestal of a vertical deposition apparatus capable of effectively preventing deposition on the back surface of a wafer and evenly inducing deposition on the front surface of the wafer to increase the effective area of the wafer.

도 1은 일반적인 수직형 증착장치의 발췌 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a general vertical deposition apparatus.

도 2는 도 1에 도시된 수직형 증착장치 내에 마련된 패디스틀의 배치 구조를 보인 개략적 평면도이다.FIG. 2 is a schematic plan view showing an arrangement structure of a paddle provided in the vertical deposition apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3a는 수직형 증착장치에 적용되는 종래 패디스틀의 일례를 도시한 평면도이며,3A is a plan view showing an example of a conventional paddle bottle applied to a vertical vapor deposition apparatus,

도 3b는 도 3에 도시된 종래 패디스틀의 한 예의 개략적 측면도이다.FIG. 3B is a schematic side view of an example of a conventional pedestal shown in FIG. 3.

도 4는 수직형 증착장치에 적용되는 종래 패디스틀의 다른 예를 도시한 개략적 측면도이다.4 is a schematic side view showing another example of a conventional paddle bottle applied to a vertical deposition apparatus.

도 5는 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀의 실시예의 개략적 측면도이다.5 is a schematic side view of an embodiment of a pedestal of the vertical vapor deposition apparatus of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀의 부분 발췌 평면도이다.FIG. 6 is a partial plan view of a pedestal of the vertical vapor deposition apparatus of the present invention shown in FIG.

도 7은 도 5에 도시된 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀의 그루브를 통한 배면가스의 확산상태를 도시한 개략적 단면도이다.FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a diffusion state of the back gas through the groove of the pedestal of the vertical deposition apparatus of the present invention shown in FIG. 5.

도 8은 도 7은 도 5에 도시된 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀의 홈을 통한 배면가스의 확산상태를 도시한 개략적 단면도이다.FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a diffusion state of the back gas through the groove of the pedestal of the vertical deposition apparatus of the present invention shown in FIG.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면, 웨이퍼가 그 상부에 접촉되는 것으로 중앙부분과, 상기 중앙부분을 일정간격을 두고 에워싸는 주변부분과,상기 주변부분과 중앙부분 사이에 마련되는 것으로 배면가스가 유출되는 홈과, 상기 주변부분과 중앙부분을 연결하는 브리지와, 그 하부에 형성되는 것으로 상기 홈과 연통하는 공동부가 형성된 헤드와;In order to achieve the above object, according to the present invention, the wafer is in contact with the upper portion of the central portion, the peripheral portion surrounding the central portion with a predetermined interval, and provided between the peripheral portion and the central portion back gas A head formed with a groove, through which the outlet flows, a bridge connecting the peripheral portion and the central portion, and a cavity formed in the lower portion thereof to communicate with the groove;

상기 헤드의 하부를 지지하는 것으로 배면가스를 상기 공동부로 공급하는 스탠드를; 구비하는 수직형 증착장치의 페디스틀이 제공된다.A stand for supplying a back gas to the cavity by supporting a lower portion of the head; There is provided a pedestal of a vertical vapor deposition apparatus provided.

상기 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀에 있어서, 상기 브리지는 상기 홈을 따라 적어도 3개가 일정 간격으로 형성되는 것이 바람직하다.In the pedestal of the vertical deposition apparatus of the present invention, it is preferable that at least three bridges are formed at regular intervals along the grooves.

상기 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀에 있어서, 상기 브리지는 상기 홈의 하부측에 마련되며, 그 상단부는 상기 홈의 개구로부터 일정 거리 이격되는 것이 바람직하다.In the pedestal of the vertical deposition apparatus of the present invention, the bridge is provided on the lower side of the groove, the upper end is preferably spaced apart from the opening of the groove by a predetermined distance.

또한 상기 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀에 있어서, 상기 브리지는 삼각형의 단면을 가지는 것이 바람직하며, 나아가서는 삼각형의 단면을 가지는 브리지의 저면이 상기 공동부를 향하도록 되어 있는 것을 더욱 바람직하다.In addition, in the pedestal of the vertical vapor deposition apparatus of the present invention, the bridge preferably has a triangular cross section, and more preferably, the bottom surface of the bridge having a triangular cross section faces the cavity. .

이하 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a pedestal of the vertical deposition apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5를 참조하면, 본 발명의 수직형 증착장치의 페디스틀은 상부의 헤드(50)와 상기 헤드(50)를 지지하는 스탠드(60)를 구비한다. 상기 헤드(50)의 위에는 반응가스를 공급하는 샤워 헤드(40)가 일정 거리를 두고 설치된다.Referring to FIG. 5, the pedestal of the vertical deposition apparatus of the present invention includes an upper head 50 and a stand 60 supporting the head 50. On the head 50, the shower head 40 for supplying the reaction gas is provided at a predetermined distance.

도 6을 참조하면, 상기 헤드(50)의 중앙에 웨이퍼(W)가 접촉되는 중앙부분(51)이 마련되어 있고, 그 둘레에 홈(52)이 형성되어 있다. 홈(52)의 바깥측에는 웨이퍼(W)에 접촉되지 않는 주변부가 마련되어 있다. 상기 중앙부분(51)가 주변부분(53)은 상기 홈(52)을 따라 일정간격으로 마련된 브리지(54)에 의해 연결되어 있다. 상기 브리지(54)는 상기 중앙부분(51)의 안정된 지지를 위하여 적어도 3개 이상 마련되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 6, a center portion 51 in which the wafer W is in contact with the center of the head 50 is provided, and a groove 52 is formed around the head 50. The outer side of the groove 52 is provided with a peripheral portion which does not contact the wafer W. As shown in FIG. The central portion 51 is connected to the peripheral portion 53 by a bridge 54 provided at regular intervals along the groove 52. At least three bridges 54 are preferably provided for stable support of the central portion 51.

도 7을 참조하면, 상기 헤드(50)의 하부에는 배면가스(G)가 유입되는 공동부(55)가 형성되어 있다. 상기 공동부(55)는 상기 홈(52)과 연통된다. 그리고 헤드(50)의 하부에는 스탠드(60)가 고정된다. 스탠드(60)의 상부에는 상기 공동부(55)를 폐쇄하는 밀폐판(61)이 형성되어 있다. 그리고, 스탠드(60)의 내부를 통해서 배면가스(G)가 상기 공동부(55)로 공급된다. 일반적으로 상기 스탠드(60) 내에는 배면가스(G)를 공급하는 배관이 되어 있다.Referring to FIG. 7, a cavity 55 through which the back gas G flows is formed under the head 50. The cavity 55 communicates with the groove 52. The stand 60 is fixed to the lower portion of the head 50. An airtight plate 61 for closing the cavity 55 is formed at the top of the stand 60. Then, the back gas G is supplied to the cavity 55 through the inside of the stand 60. In general, the stand 60 is a pipe for supplying the back gas G.

이상과 같은 구조에 의하면, 상기 공동부(55)로 공급된 배면 가스(G)는 이와 연통된 홈(52)을 통해 웨이퍼(W)의 저면 둘레로 공급되고, 웨이퍼(W)의 저면 둘레와 주변부분(53)사이의 들뜬 부분을 통해 배출된다. 이때에 중앙부분(51)을 따라 형성된 홈(52) 전체를 통해 배면가스(G) 고른 분포로 배출된다. 따라서, 홈(52)에 접한 웨이퍼(W)의 저면 둘레는 고른 분포로 배면가스(G)와 접촉된다. 따라서, 배면가스(G)의 접촉에 의한 온도 강하가 웨이퍼(W)의 저면 둘레에 일정하게 되어 웨이퍼(W) 저면 둘레의 온도가 균일하게 유지된다. 이와 같은 온도의 균일성에 의해 웨이퍼 가장자리 부분에 대한 증착이 골고루 이루어 지게 된다. 특히, 홈을 통해 고른 압력으로 배면가스가 공급되므로, 웨이퍼(W)의 저면과 주변부분(53) 사이의 이온의 침투가 확실하게 방지된다. 따라서, 이온의 침투에 의해 웨이퍼(W)이 저면 둘레 부분에 대한 증착이 방지된다.According to the above structure, the back gas G supplied to the cavity portion 55 is supplied around the bottom surface of the wafer W through the groove 52 communicating therewith, Discharged through the excitement between the peripheral portion (53). At this time, the back gas G is evenly distributed through the entire groove 52 formed along the central portion 51. Therefore, the bottom circumference of the wafer W in contact with the groove 52 is in contact with the backside gas G in an even distribution. Therefore, the temperature drop due to the contact of the backside gas G becomes constant around the bottom surface of the wafer W so that the temperature around the bottom surface of the wafer W is kept uniform. This uniformity of temperature results in even deposition on the wafer edge. In particular, since the backside gas is supplied through the grooves at an even pressure, the penetration of ions between the bottom surface of the wafer W and the peripheral portion 53 is surely prevented. Therefore, deposition of the wafer W on the bottom circumferential portion is prevented by the penetration of ions.

이러한 웨이퍼(W) 가장자리 부분의 고른 온도 분포는 웨이퍼(W)의 가장자리 표면에 대한 증착물의 두께를 고르게 한다. 온도 분포가 고르지 않을 경우, 예를 들어 온도가 상대적으로 높은 부분에 있어서의 증착물의 두께는 온도가 상대적으로 낮은 부분에 있어서의 증착물의 두께보다 높게 된다. 이러한 현상은 홈 내에서 배면가스가 충분히 분산되지 않은 결과에 따른 것으로서, 온도가 낮은 부분은 배면가스가 충분히 접촉되는 부분이며, 온도가 높은 부분은 배면가스의 접촉량이 적은 부분이다. 이러한 부분적인 온도의 불균일성은 종래와 같이 그루브의 바닥에 배면가스를 분출하는 종래의 페디스틀에 의해 발생될 수 있는데, 이에 따르면 웨이퍼의 가장자리를 따라 주기적으로 두께가 다른 양상의 증착물을 형성을 초래한다. 그러나 본 발명에 의하면, 중앙부분을 완전히 에워싸도록 형성된 홈에 의해 웨이퍼 저면 가장자리에 배면가스가 골고루 접촉됨으로써 상기와 같은 증착물 두께의 불균일화를 억제한다. 이상과 같은 결과는 6인치 웨이퍼에 대한 실험결과로서, 다른 크기의 웨이퍼에 대해서도 적용 가능함을 확인하였다.This even temperature distribution of the edge of the wafer W evens out the thickness of the deposit with respect to the edge surface of the wafer W. If the temperature distribution is uneven, for example, the thickness of the deposit in the relatively high temperature portion becomes higher than the thickness of the deposit in the relatively low temperature portion. This phenomenon is a result of not sufficiently dispersing the back gas in the groove, where the low temperature is a portion where the back gas is sufficiently in contact, and the high temperature is a portion where the back gas is less in contact. This partial temperature non-uniformity can be caused by a conventional pedestal that ejects the back gas to the bottom of the groove as in the prior art, which results in the formation of deposits of different thicknesses periodically along the edges of the wafer. do. However, according to the present invention, the back gas is uniformly contacted with the bottom edge of the wafer by the groove formed so as to completely surround the center portion, thereby suppressing the non-uniformity of the deposit thickness as described above. The above results are experimental results for 6-inch wafers, confirming that they can be applied to wafers of different sizes.

한편, 상기와 같이 웨이퍼 저면 가장자리에 대해 배면가스가 골고루 접촉되도록 배면가스를 통과시키는 홈 내에 하나의 장애물이 될 수 있는 브리지(54)가 마련되어 있는데, 이에 의한 배면가스의 유동 장애를 억제하기 위하여 도 8에 도시된 바와 같이 홈(53) 내의 하부 측에 마련되는 것이 바람직하며, 특히 주변부분(53)에 대한 중앙부분(51)의 지지를 위한 기계적 강도를 유지하면서 배면가스의 유동을 원활히 하기 위하여, 브리지(54)는 그 하부가 밑변을 이루는 삼각형의 형상을 가지도록 하고, 그 상단의 꼭지부분은 홈(53)의 개구로부터 일정거리 떨어지도록 하는 것이 바람직하다. 따라서 이에 의하면, 브리지(54)의 양측으로 유동하는 배면가스(G)가 위로 가면서 브리지(54)의 꼭지 부분으로 확산되게 된다. 결과적으로 웨이퍼(W)의 저면 가장자리 부분에 대해서 전체적으로 고른 양의 배면가스(G)가 접촉되고, 따라서 고른 압력의 배면가스에 의해 웨이퍼(W) 저면으로 이온이 유입되는 것이 효과적으로 방지된다.On the other hand, as described above, there is provided a bridge 54 which can be an obstacle in the groove for passing the back gas so that the back gas is uniformly contacted with the bottom edge of the wafer. It is preferable to be provided on the lower side in the groove 53, as shown in Figure 8, in particular in order to smooth the flow of the back gas while maintaining the mechanical strength for the support of the central portion 51 with respect to the peripheral portion 53 The bridge 54 preferably has a triangular shape at the bottom thereof, and a top portion of the bridge 54 is separated from the opening of the groove 53 by a predetermined distance. Therefore, according to this, the back gas G flowing to both sides of the bridge 54 is diffused to the top of the bridge 54 while going up. As a result, an even amount of backside gas G is brought into contact with the bottom edge portion of the wafer W as a whole, and thus ions are effectively prevented from flowing into the bottom surface of the wafer W by the backside gas of even pressure.

이상에서 설명된 바와 같이 본 발명에 따르면, 웨이퍼 저면 가장자리 부분에 고른 분포로 배면가스가 유동될 수 있도록 되어 있어서, 상기와 같은 증착물 두께의 불균일화를 억제하여 웨이퍼의 실효면적을 최대화한다. 이와 같은 실효면적의 증대로 결과로 하나의 웨이퍼로부터 생산할 수 있는 반도체 장치의 개수의 증대로 생산성 향상이 가능하게 된다.As described above, according to the present invention, the back gas can flow in an even distribution at the edge of the bottom surface of the wafer, thereby minimizing the non-uniformity of the deposition thickness as described above to maximize the effective area of the wafer. As a result of the increase in the effective area, productivity can be improved by increasing the number of semiconductor devices that can be produced from one wafer.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined only in the appended claims.

Claims

The wafer is brought into contact with the upper part of the center part, the peripheral part surrounding the central part at a predetermined interval, and provided between the peripheral part and the central part to provide a groove through which back gas flows out, and the peripheral part and the central part. A head having a bridge formed therein and a cavity formed in the lower portion thereof to communicate with the groove; A stand for supplying a back gas to the cavity by supporting a lower portion of the head; Pedestal of the vertical vapor deposition apparatus characterized in that it comprises.

The pedestal of claim 1, wherein at least three bridges are formed along the grooves at regular intervals.

The pedestal of claim 1, wherein the bridge is provided at a lower side of the groove, and an upper end thereof is spaced apart from the opening of the groove by a predetermined distance.

The pedestal of any of the preceding claims, wherein the bridge has a triangular cross section.

5. The pedestal of the vertical vapor deposition apparatus according to claim 4, wherein a bottom surface of the bridge having a triangular cross section faces the cavity.